TWI518823B - 用以處理基板之設備及方法 - Google Patents

Description

用以處理基板之設備及方法 【相關申請案之交叉引用】

本美國非臨時專利申請案根據美國專利法第119條主張2011年5月31日提出申請之韓國專利申請案第10-2011-0052430號及2011年8月19日提出申請之韓國專利申請案第10-2011-0082678號之優先權，該等韓國專利申請案之全部內容以引用的方式併入本文中。

本文所揭示之本發明係關於一種用以處理基板之設備及方法，且更特定言之，係關於一種具有群集結構之基板處理設備及一種使用該設備之基板處理方法。

半導體裝置係藉由如下方式製造：經由若干個製程處理基板(諸如矽晶圓)，且於受處理之基板上形成電路圖案。

一般而言，此類半導體裝置經由以下製程製造：氧化製程，其用以在基板上形成薄氧化層；抗光蝕製程，其用以塗覆抗光蝕劑；曝光製程，其用以對應於基板上之電路圖案而輻射光；成形製程，其用以在光輻射處形成一層；蝕刻製程，其用以將不必要之部分有選擇性地移除以形成電路圖案；植入製程，其用以將雜質植入基板連接至電路圖案之一部分中；化學蒸汽沈積(CVD)製程，其用以將化學材料(諸如氣體)沈積於基板之表面上以形成絕緣層或導電層；及金屬化製程，其用以將電線連接至已形成於基板表面上之電路。上述製程於腔室內執行。

近來，因半導體裝置之小型化及高密度積體化增加， 所以需要各種用以執行此等複雜壓縮之腔室。根據此趨勢，在半導體製造設備中，腔室之間的佈局用以改良半導體裝置之輸送量且有效地執行半導體製造製程。以代表性實例而言，韓國登記專利第10-0839911號中揭示具有群集結構之半導體製造設備。

本發明提供一種可改良半導體裝置之輸送量的基板處理設備及方法。

本發明亦提供一種基板處理設備及方法，其中可於固定空間中提供更大量的用以執行處理製程之腔室。

本發明亦提供一種可減少基板之轉運路徑的基板處理設備及方法。

本發明概念之特徵不限於以上所述，而熟習此項技術者自以下描述中將清楚地理解本文未描述之其他特徵。

本發明之實施例提供用於處理一基板之設備。

在一些實施例中，該等用以處理一基板之設備可包括：一載入埠，其上放置用以接收該基板之一容器；一處理模組，其用以處理該基板；及一轉運模組，其包括用以在該容器與該處理模組之間轉運該基板之一機器人，其中該處理模組可包括：一轉運腔室，其包括用以轉運該基板之一機器人；一載入鎖定腔室，其安置於該轉運腔室與該轉運模組之間；一第一處理腔室，其圍繞該轉運腔室而與該轉運模組間隔安置，以執行一第一處理製程；及一第二處理腔室，其圍繞該轉運腔室安置以執行一第二處理製程。

在其他實施例中，該第二處理腔室可安置於該轉運腔 室與該轉運模組之間。

在其他實施例中，該第二處理腔室可包括：一外殼，該外殼於其朝向該轉運腔室之一側面中具有一第一開口，且於其朝向該轉運模組之一側面上具有一第二開口；一第一門，其用以打開或關閉該第一開口；一第二門，其用以打開或關閉該第二開口；一減壓部件，其用以減小該外殼之內部壓力；一支撐部件，其安置於該外殼中以支撐該基板；及一加熱部件，其用以加熱放置於該支撐部件上之該基板。

在其他實施例中，該第二處理部件可包括：一外殼，其具有朝向該轉運腔室之一側面(於該側面上界定一開口)，及另一受阻塞之側面；一第一門，其用以打開或關閉該第一開口；及一支撐部件，其安置於該外殼之內以支撐該基板；及一加熱部件，其用以加熱放置於該支撐部件上之該基板。

在其他實施例中，該第二處理腔室可包括：一電漿源，其產生電漿；及一供應管道，其將所產生之電漿供應至該外殼中。

在其他實施例中，該載入鎖定腔室可包括：一外殼，其提供一緩衝空間，該外殼於其朝向該轉運腔室之一側面中具有一第一開口且於其朝向該轉運模組之一側面中具有一第二開口；一第一門，其用以打開或關閉該第一開口；一第二門，其用以打開或關閉該第二開口；及至少一個槽，其支撐該基板，以使該基板安置於該緩衝空間中。

在其他實施例中，該載入鎖定腔室與該第二處理腔室可彼此堆疊。

在其他實施例中，該第二處理腔室可安置於該載入鎖定腔室之下。

在其他實施例中，其中該第二處理腔室可包括：一外殼，其安置於該載入鎖定腔室之下；一電漿源，其安置於該載入鎖定腔室之上以產生電漿；及一供應管道，其安置於該載入鎖定腔室之一外壁上，以將所產生之電漿供應至該外殼中。

在其他實施例中，該處理模組可包括複數個第二處理腔室。

在其他實施例中，該等複數個第二處理腔室中之每一者可包括：一外殼；一電漿源，其產生電漿；及一供應管道，其將所產生之電漿供應至該外殼中。

在其他實施例中，該處理模組可包括：一電漿源，其產生電漿；及一供應管道，其將所產生之電漿供應至複數個第二處理腔室中之每一者的一外殼中，其中該供應管道可連接至該電漿源且可分叉進入該等複數個第二處理腔室中，並且一閥安置於該等分叉供應管道之每一者中。

在其他實施例中，該等複數個第二處理腔室可彼此堆疊。

在其他實施例中，該等複數個第二處理腔室可平行安置於一橫向方向上。

在其他實施例中，該第二處理腔室可與該第一處理腔室堆疊。

在本發明之其他實施例中，用以處理一基板之設備包括：一載入埠，其上放置用以接收該基板之一容器；一處理模組，其用以處理該基板；及一轉運模組，其包括用以 在該容器與該處理模組之間轉運該基板之一機器人，其中該處理模組可包括：一轉運腔室，其包括用以轉運該基板之一機器人；一第一處理腔室，其圍繞該轉運腔室而與該轉運模組間隔安置，以執行一第一處理製程；一載入鎖定腔室，其安置於該轉運腔室與該轉運模組之間；及一第二處理腔室，其安置於該轉運腔室與該轉運模組之間，其中該載入鎖定腔室與該第二處理腔室具有彼此不同之結構。

在一些實施例中，該載入鎖定腔室與該第二處理腔室可彼此堆疊。

在其他實施例中，該第二處理腔室可安置於該載入鎖定腔室之下。

在其他實施例中，該載入鎖定腔室可包括：一第一外殼，其提供一緩衝空間；及至少一個槽，其支撐該基板以使得該基板安置於該緩衝空間中，其中該第二處理腔室可包括：一第二外殼，其安置於該第一外殼之下；一支撐部件，其安置於該第二外殼之內以支撐該基板；一電漿源，其安置於該第一外殼之上以產生電漿；及一供應管道，其將所產生之電漿供應至該第二外殼中。

在其他實施例中，該載入鎖定腔室與該第二處理腔室可平行安置於一橫向方向上。

在本發明之其他實施例中，提供使用一基板處理設備來處理一基板之方法，該基板處理設備包括：一載入埠，其上放置用以接收該基板之一容器；一處理模組，其用以處理該基板；及一轉運模組，其包括用以在該容器與該處理模組之間轉運該基板之一機器人，其中該處理模組可包括一轉運腔室、一第一處理腔室、一載入鎖定腔室及一第 二處理腔室；該方法包括：經由該載入鎖定腔室將該容器中所接收之該基板自該轉運模組轉運至該處理模組中；於該第一處理腔室中執行一第一處理製程；於安置在該轉運腔室與該轉運模組之間的該第二處理腔室中執行一第二處理製程；及將該基板自該處理模組轉運至該轉運模組中。

在一些實施例中，將該基板轉運至該轉運模組中可包括，於該第二處理製程執行後將該基板自該第二處理腔室直接轉運至該轉運模組中。

在其他實施例中，該方法可進一步包括，於該基板轉運至該第二處理腔室中之前減小該第二處理腔室之一內部壓力。

在其他實施例中，將該基板轉運至該轉運模組中可包括：在該第二處理製程執行後，藉由該轉運腔室之一轉運機器人將該基板自該第二處理腔室轉運至該載入鎖定腔室中；及藉由該轉運模組之一轉運機器人將該基板自該載入鎖定腔室中取出。

在其他實施例中，該第一處理製程可包括一蝕刻製程、一分層製程、一灰化製程、一剝離製程及一沈積製程中之至少一者。

在其他實施例中，該第二處理製程可包括一清洗製程、一剝離製程、一灰化製程及一加熱製程中之至少一者。

本文包括隨附圖式，用以提供本發明之進一步理解，而隨附圖式併入且構成本說明書之一部分。該等圖式描繪本發明之示例性實施例，且與描述內容一起來闡釋本發明 之原理。

本文提供本發明之較佳實施例，以使得本揭示案係徹底且完整的，並充分地將本發明之範疇傳遞於熟習此項技術者。然而，本發明可用不同之形式加以實施且不應解釋為係對本文所述之實施例構成限製。因此，熟習此項技術者將清楚地瞭解，可在不偏離本發明之精神及範疇的情況下，對本發明做出各種修改及變化。

亦應瞭解，儘管使用特定術語，且本文隨附圖式用以描述本發明之示例性實施例，但本發明並不受此等術語及隨附圖式之限制。

此外，將省略關於已熟知構造或功能之詳細描述，以避免不必要地混淆本發明之主題。

下文將描述根據本發明之基板處理設備1000。

基板處理設備1000係一種設備，在該設備中，基板S自外部轉運以執行製程，隨後所處理之基板S又轉運至外部。

在此，應該作為綜合概念瞭解，基板S可包括各種晶圓，包括矽晶圓、玻璃基板、有機基板、石墨烯及其類似物，亦包括用以製造下述設備的基板：半導體裝置、顯示器、包括電路圖形成於其上之薄膜在內的產品及其類似設備。

下文將描述根據本發明之實施例的基板處理設備1000。

圖1為根據本發明之實施例的基板處理設備1000之平面圖。

基板處理設備1000包括載入埠1100、轉運模組1200 及處理模組1300。接收基板S之容器C安置於載入埠1100中。轉運模組1200於容器C與處理模組300之間轉運基板S。於處理模組1300中執行關於基板S之製程。

接收基板S之容器C安置於載入埠1100中。

容器C中可接收一個或多個基板S。舉例而言，容器C中可接收25個基板S。

容器C之內部空間可自外部密封。舉例而言，前開口式通用容器(意即，密封容器)可用作容器C。可密封容器C之內部空間以阻止容器C中所接收之基板S受污染。

容器C自外部轉運，且隨後載入至載入埠1100中。容器C亦自載入埠載入且隨後轉運至外部。

舉例而言，容器C可藉由轉運裝置(諸如高架轉運機)而自其他基板處理設備轉運，且隨後載入至載入埠1100中。容器C亦可自載入埠1100中卸載，且隨後轉運至其他基板處理設備中。

除高架轉運機或工人外，容器C之轉運、載入及卸載可藉由其他轉運裝置(諸如自動導引車，有軌式導引車)及其類似裝置來執行。

基板處理設備1000包括一或多個載入埠1100。載入埠1100安置於轉運模組1200之側面上。若提供複數個載入埠1100，則該等複數個載入埠1100可相對於彼此密集地安置。舉例而言，如圖1所示，可將3個載入埠1100於轉運模組1200之長度方向(X方向)上平行安置在一側面上，該側面與朝向轉運模組1200之處理模組1300的一個側面相對。載入埠1100之數量或安置可不同於上述之數量或安置。

轉運模組1200於容器C與處理模組之間轉運基板S。 舉例而言，轉運模組1200可將基板S自容器C中取出，以將基板S轉運至基板處理模組1300中，或將基板S自處理模組1300中取出，以將基板S轉運至容器C中。

轉運模組1200包括外殼1210及轉運機器人1220。

外殼1210提供隔離於外部之內部空間。外殼1210可具有大體上長方體之形狀。或者，外殼1210可具有不同於長方體之形狀。

外殼1210具有朝向載入埠1100之一側面。一開口(基板S經由該開口進出)界定於外殼1210之該側面中。用以打開或關閉該開口之門D亦安置於外殼1210之該側面上。外殼1210亦具有朝向處理模組1300之另一側面。一開口(基板S經由該開口進出)界定於外殼1210之該另一側面中。用以打開或關閉該開口之門D亦安置於外殼1210之該另一側面上。該一側面與另一側面彼此相對。

用以在外殼1210內部空間淨化空氣之一扇形過濾單元安置於外殼1210之頂面上。因此，於外殼1210之內部空間中經淨化之空氣可自上側流下。因此，外殼1210之內部空間可比外部保持地更清潔。

用以打開或關閉容器C之容器開啟器可安置在外殼1210之內。當容器C藉由容器開啟器打開時，轉運機器人1220可將基板S自容器C中取出。當基板S藉由轉運機器人1210而轉運以接收容器C中之基板S時，容器開啟器亦可關閉容器C。

轉運機器人1220在安置於載入埠1100上之容器C與處理模組1300之間轉運基板S。

轉運機器人1220安置於外殼1210之內。舉例而言， 轉運機器人1220可固定至外殼1210之中心部分。或者，轉運機器人1220可在轉運模組1200之長度方向(X-方向)上沿安置於外殼1210內之轉運軌道移動。

轉運機器人1220可垂直移動。轉運機器人1220可包括手臂1225，該手臂於平面上前後移動或旋轉。可提供複數個機器人1220之手臂1225。

處理模組1300執行關於基板S之處理製程。

處理模組1300包括載入鎖定腔室1310、轉運腔室1320、第一處理腔室1330及第二處理腔室1340。載入鎖定腔室1310安置於轉運腔室1320與轉運模組1200之間，以提供緩衝空間B，經由該緩衝空間B而使基板S在轉運腔室1320與轉運模組1200之間交換。轉運腔室1320包括用以轉運基板S之機器人，以在容器C與處理模組1200之間轉運基板S。第一處理腔室1330圍繞轉運腔室1200安置，以執行第一處理製程。第二處理腔室1340安置於轉運模組1200與轉運腔室1320之間，以執行第二處理製程。

下文將描述處理模組1300之構造。因為並非所有上述組件均係必要的，所以處理模組1300可選擇性地包括上述組件之部分。

載入鎖定腔室1310提供緩衝空間B，藉由該緩衝空間B，於容器C與處理模組1300之間轉運的基板S得到安置。緩衝空間可藉由界定載入鎖定腔室1310之外壁的外殼1210而與外部隔離。於容器C與處理模組1300之間轉運的基板S可暫時停留於緩衝空間B中。

載入鎖定腔室1310安置於轉運模組1200與轉運腔室1320之間。

可在處理模組1300中提供至少一個載入鎖定腔室1310。若提供複數個載入鎖定腔室1310，則複數個載入鎖定腔室1310可沿橫向方向(意即轉運模組1200之長度方向；X-方向)平行佈置，可彼此堆疊，或可經由平行佈置與堆疊佈置之組合而進行佈置。舉例而言，如圖1所示，可安置2個載入鎖定腔室1310，以使得2個載入鎖定腔室1310之一個側面朝向轉運模組1200，且2個載入鎖定腔室1310之另一側面朝向轉運腔室1320。

第2及圖3為描繪圖1之載入鎖定腔室1310的截面圖。圖2為沿圖1之線A-A截取之截面圖，而圖3為沿圖1之線B-B截取之截面圖。

一開口(載入鎖定腔室1310經由該開口而與轉運模組1200交換基板S)界定於載入鎖定腔室1310之一側上。用以打開或關閉該開口之門D亦安置於載入鎖定腔室1310之該一側上。一開口(載入鎖定腔室1310經由該開口而與轉運腔室1320交換基板S)界定於載入鎖定腔室1310之另一側中。用以打開或關閉該開口之門D亦安置於載入鎖定腔室1310之該另一側中。該一側與另一側可彼此相對。

於載入鎖定腔室1310內提供至少一個其上安置基板S之緩衝槽1311。可提供複數個緩衝槽1311。舉例而言，可於載入鎖定腔室1310內提供4個槽1311。

複數個緩衝槽1311可垂直地彼此間隔且安置於載入鎖定腔室1310之內壁上。緩衝槽之每一者可具有板狀，其彼此間隔以支撐基板S之邊緣。轉運模組1200之轉運機器人1220的手臂1225及轉運腔室1320之轉運機器人1325的手臂1326可沿兩板之間的間隔空間垂直移動，以將基板S放 置於緩衝槽1311上，或將放置於緩衝槽1311上之基板S檢起。因此，經由載入鎖定腔室1310，可在轉運模組1200與處理模組1300之間轉運基板S。

載入鎖定腔室1310包括減壓部件1315，用以控制載入鎖定腔室1310之內部壓力。減壓部件1315控制緩衝空間內之壓力。減壓部件1315可藉由減壓泵1316和泵線1317來實現。

減壓泵1316使用外部電源抽吸空氣。減壓泵1316經由泵線1317連接至載入鎖定腔室1310之內部。可在泵線1317之內提供用以控制空氣流量之閥V。

一般而言，處理模組1300之內部壓力可保持在預定壓力上，以提供適用於執行關於基板S之製程的環境。因此，轉運模組1200與處理模組1300可具有不同於彼此之壓力。舉例而言，轉運模組之內部可處於大氣壓力狀態下，且處理模組1300可處於真空狀態下。然而，轉運模組1200與處理模組1300應具有不同於彼此之內部壓力係不必要的。意即，轉運模組1200與處理模組1300可具有相同之內部壓力。

當於轉運模組1200與處理模組1300之間轉運基板S時，減壓部件1315可控制載入鎖定腔室1310之內部壓力，以阻止空氣經由載入鎖定腔室1310自轉運模組1200導入至處理模組1300中。舉例而言，在基板S自具有大氣壓狀態之轉運模組1200轉運至載入鎖定腔室1310中之後，減壓部件1315可於基板S轉運至具有真空狀態之轉運腔室中之前，將緩衝空間之壓力減小至真空狀態。因此，可保持處理模組1300之內部壓力。

基板S在圍繞轉運腔室1320而安置的腔室之間得以轉運。轉運腔室1320可具有多邊形形狀。載入鎖定腔室1310、第一處理腔室1330及第二處理腔室1340圍繞轉運腔室1320安置。舉例而言，如圖1所示，具有六邊形形狀之轉運腔室1320可安置於處理模組1300之中心部分上，且載入鎖定腔室1310、第一處理腔室1330及第二處理腔室1340可圍繞轉運腔室1320安置。然而，轉運腔室1320可具有不同於上述形狀及安置的形狀及安置。

轉運腔室1320包括用以轉運基板S之轉運機器人1325。轉運腔室1320可使用轉運機器人1325，而於安置在其周圍的腔室之間轉運基板S。

轉運機器人1325安置於轉運腔室1320之內。轉運機器人1325可固定至轉運腔室1320之中心部分。轉運機器人1325可垂直移動。轉運機器人1325亦可包括手臂1326，該手臂1326於平面上來回移動或旋轉。可提供一個或複數個轉運機器人1325之手臂1326。

第一處理腔室1330執行第一處理製程。舉例而言，第一處理製程可包括蝕刻製程、分層製程、灰化製程、剝離製程及沈積製程。然而，第一處理製程不限於上述製程。

可於處理模組1300中提供一或多個第一處理腔室1330。當提供複數個第一處理腔室1330時，複數個第一處理腔室1330之部分或全部可執行相同製程。或者，複數個第一處理腔室1330之部分或全部可執行彼此不同之製程。

第一處理腔室1330圍繞轉運腔室1320安置。在此，第一處理腔室1330可與轉運模組1200間隔安置。

第一處理腔室1330之內部壓力可保持在預定壓力上， 以提供適合於執行第一處理製程之環境。舉例而言，內部壓力可保持在壓力小於大氣壓力之真空狀態。

第一處理腔室1330可具有用以實施上述第一製程之大體構造及結構。第二處理腔室1340執行第二處理製程。舉例而言，第二處理製程可包括清洗製程、剝離製程、灰化製程、加熱製程及烘焙製程。大體上，第二處理製程可為繼第一處理製程執行之後而執行的後續製程，或為於第二處理製程執行之前而執行的提前製程。舉例而言，當蝕刻製程作為第一處理製程執行時，第二處理製程可為用以移除基板上所產生之雜質的清洗製程、剝離製程、灰化製程或烘焙製程。在此，上述製程可使用電漿P執行。舉另一實例而言，當第一處理製程為蝕刻製程時，第二處理製程可為用以提高抗光蝕劑之黏附力的黏附製程，或軟烘製程。然而，第二處理製程不僅限於上述製程。

於處理模組1300中提供至少一個第二處理腔室1340。若提供複數個第二處理腔室1340，則複數個第二處理腔室1340可執行相同製程。

第二處理腔室1340安置於轉運腔室1320與轉運模組1200之間。第二處理腔室1340可與載入鎖定腔室1310安置在相同或相似的位置上，但與載入鎖定腔室1310具有不同之構造。

安置於轉運腔室1320與轉運模組1200之間的第二處理腔室1340在轉運模組1200與處理模組1300之間轉運基板S。

第二處理腔室1340可繼第二處理製程執行之後，直接將基板S轉運至轉運模組1200中。舉例而言，第二處理腔 室1340執行關於基板S之第二處理製程，其中基板S藉由轉運腔室1320之轉運機器人1325轉運至第二處理腔室1340中。隨後，可自第二處理腔室1340直接轉運第二處理製程執行於其上之基板。轉運模組1200之轉運機器人1220可將基板S自第二處理腔室1340中取出，以將基板S接收於容器C中。

下文將描述根據本發明之實施例的基板處理設備1000之第二處理腔室1340的構造。

圖4及圖5為描繪圖1之第二處理腔室1340的截面圖。

第二處理腔室1340包括外殼1341、支撐部件1342、加熱部件1343、減壓部件1345、電漿源1348及供應管道1349。然而，因為不必要基本地提供所有上述組件，所以第二處理腔室1340可選擇性地包括全部或部分上述組件。因此，若提供複數個第二處理腔室1340，則第二處理腔室1340可具有相同之構造或彼此不同之構造。

外殼1341提供隔離於外部之內部空間。

外殼1341具有朝向轉運腔室1320之一側。一開口(基板S經由該開口而進出)界定於外殼1341之該一側中。用以打開或關閉該開口之門D亦安置於外殼1341之該一側上。外殼1341亦具有朝向轉運模組1200之另一側。一開口(基板S經由該開口而進出)界定於外殼1341之該另一側中。用以打開或關閉該開口之門D亦安置於外殼1341之該另一側上。該一側與該另一側彼此相對。

支撐部件1342安置於外殼1341內以支撐基板S。可於支撐部件1342之頂面上載入基板S。支撐部件1342之頂面可具有大於基板S之面積及相似於基板S之形狀。

可於支撐部件1342上提供起模針，基板S固定之前放置於該起模針上。當基板S放置於該起模針上時，基板S可固定於支撐部件1342上。

加熱部件1343加熱載入於支撐部件1342上之基板S。舉例而言，加熱部件1343可為接收外部功率以產生熱量之加熱器，或用以將流體或氣體注入於基板S上之裝置。然而，加熱部件1343不限於上述裝置。若不必要加熱基板S以執行第二處理製程，則第二處理腔室1340可不包括加熱部件1343。

加熱部件1343可安置於支撐部件1342之內。加熱部件1343可產生熱量，以經由支撐部件1342將熱量傳輸至基板S中，進而加熱基板S至預定溫度。支撐部件1342可由具有高導熱性及低熱變形性之材料構成。

減壓部件1345控制第二處理腔室1340之內部壓力。減壓部件1345可包括減壓泵1346及泵線1347。減壓泵1346可藉由外部電源抽吸空氣，且泵線1347可將減壓泵1346連接至載入鎖定腔室1310。

當基板S於轉運模組1200與處理模組1300之間轉運時，減壓部件1345可控制第二處理腔室1340之內部壓力，以阻止處理模組1300內之壓力發生變化。

舉例而言，在基板S轉運至具有大氣壓力之轉運模組1200之後，減壓部件1345可於基板S轉運至具有真空狀態之轉運腔室1320之前，將真空壓力施加至第二處理腔室1340中。因此，處理模組1300之內部壓力可保持在真空狀態。

電漿源1348安置於外殼1341之外以產生電漿P。

電漿源1348包括氣體供應部分及電漿發生器。氣體供應部分供應氣體，且電漿發生器使用所供應之氣體產生電漿P。電漿發生器可為遠端電漿發生器。

供應管道1349將電漿源1348中所產生之電漿P供應至外殼1341中。經由供應管道1349提供至外殼1341中之電漿P可藉由噴頭注入。

然而，電漿源1348應安置於外殼1341之外係不必要的。舉例而言，可供應氣體至外殼1341中，且可於外殼1341內安置電容耦合電漿(CCP)發生器或電感耦合電漿(ICP)發生器，以使用所供應之氣體於外殼1341內產生電漿P。

因此，第二處理腔室1340可接收電漿P以使用電漿P執行第二處理製程。舉例而言，第二處理腔室1340可使用電漿P執行清洗製程。

然而，若不必要使用電漿P來執行第二處理製程，第二處理腔室1340可不包括電漿源1348及供應管道1349。或者，用以第二處理製程之所需其他組件可取代電漿源1348及供應管道1349。舉例而言，當第二處理腔室1340使用化學品來執行清洗製程時，用以供應化學品之化學品供應部分可取代電漿源1348。參照圖5，第二處理腔室1340不包括電漿源1348及供應管道1349。

下文將描述根據本發明之實施例的基板處理設備1000之第二處理腔室1340之佈置。

圖6至圖8為描繪圖1之載入鎖定腔室1310及第二處理腔室1340之佈置的透視圖。

第二處理腔室1340與載入鎖定腔室1310一起提供。

第二處理腔室1340及載入鎖定腔室1310可彼此垂直 堆疊。然而，載入鎖定腔室1310與第二處理腔室1340可安置於與上述佈置不同的佈置中。

第二處理腔室1340可安置且堆疊於載入鎖定腔室1310之下。參照圖6，一個第二處理腔室1340可安置且堆疊於載入鎖定腔室1310之下，並且其他載入鎖定腔室1310可於轉運模組1200之長度方向(X-方向)上彼此堆疊。

可於處理模組1300中提供至少一個第二處理腔室1340。若提供複數個第二處理腔室1340，則複數個第二處理腔室1340可於轉運模組1200之長度方向(X-方向)上平行佈置。參照圖7，2個第二處理腔室1340可分別安置且堆疊於載入鎖定腔室1310之下。

第二處理腔室1340可安置且堆疊於載入鎖定腔室1310之上。在此，載入鎖定腔室1310可堆疊於第二處理腔室1340之下，且第二處理腔室1340之外殼1341可堆疊於載入鎖定腔室1310之上。電漿源1348亦可堆疊於第二處理腔室1340之外殼1341之上。參照圖8，2個第二處理腔室1340可分別安置且堆疊於載入鎖定腔室1310之上。

第二處理腔室1340之一部分可安置於載入鎖定腔室1310之上，且第二處理腔室1340之另一部分可安置於載入鎖定腔室1310之下。舉例而言，第二處理腔室1340之外殼1341可安置於載入鎖定腔室1310之上或之下，將載入鎖定腔室夾在中間。第二處理腔室1340之電漿源1348亦可安置在相對於外殼1341之側面上。

圖9為描繪載入鎖定腔室1310與第二處理腔室1340之間的佈置關係之截面圖。參照圖9，第二處理腔室1340之外殼1341可安置於載入鎖定腔室1310之下，且電漿源 1348可安置於載入鎖定腔室1310之上。供應管道1349亦可內置於載入鎖定腔室1310之外壁中，且自電漿源1348連接至第二處理腔室1340之內部。然而，電漿源1348之位置及供應管道1349之形狀可不同於上述位置及形狀。舉例而言，電漿源1346可安置於載入鎖定腔室1310之側面上，可安置於電漿源1348之側面上，或可安置於電漿源1348之下。供應管道1349亦可沿載入鎖定腔室1310之外壁安置。

彼此堆疊之第二處理腔室1340與載入鎖定腔室1310可共用減壓部件1315或1345。載入鎖定腔室1310與第二處理腔室1340可分別包括單獨減壓泵1316及1346或共用一個減壓泵1316或1346。當載入鎖定腔室1310與第二處理腔室1340共用一個減壓泵1316或1346時，泵線1317或1347可自減壓泵1316或1346延伸且隨後分叉，以使得分叉泵線1317及1347分別連接至載入鎖定腔室1310及第二處理腔室1340。用以控制空氣流量之閥V安置於分叉泵線1317及1347之每一者中。

如上所述，亦可於處理模組1300中提供至少一個第二處理腔室1340。若提供複數個第二處理腔室1340，則複數個第二處理腔室1340可分別包括複數個電漿源1348或共用一個電漿源1348。

圖10及圖11為描繪圖1之第二處理腔室1340與電漿源1348之間的連接關係的視圖。

舉例而言，複數個第二處理腔室1340可分別包括複數個電漿源1348。參照圖10，2個第二處理腔室1340中之每一者可包括單獨電漿源1348，且可藉由彼此不同之供應管 道1349中之每一者而連接至電漿源1348。

舉另一實例而言，複數個第二處理腔室1340可共用一個電漿源1348。參照圖11，2個第二處理腔室1340共用一個電漿源1348。供應管道1349亦可自電漿源1348延伸且隨後分叉，以使得分叉供應管道1349分別連接至第二處理腔室。用以控制電漿P之流量的閥V安置於分叉供應管道1349之每一者中。舉例而言，主供應管道可自電漿源1348之一側延伸，且隨後分叉進入用以將電漿P供應至一個第二處理腔室1340之第一分叉管道及用以將電漿P供應至另一第二處理腔室1340之第二分叉管道。亦可在第一及第二分叉管道中之每一者上提供閥V。電漿P可藉由閥V而選擇性地供應至複數個第二處理腔室1340之腔室中，在該腔室中執行第二處理製程。

若提供複數個第二處理腔室1340，則可提供具有相似於電漿源1348之連接關係的減壓部件1345。複數個第二處理腔室1340可分別包括單獨減壓泵1346或共用一個減壓泵1346。當複數個第二處理腔室共用減壓泵1346時，泵線1347可自減壓泵1346延伸且隨後分叉，以使得分叉泵線1347分別連接至第二處理腔室1340。用以控制空氣流量之閥V安置於分叉泵線1347之每一者中。

儘管在本實施例中，第二處理腔室1340包括電漿源1348及供應管道1349，然第二處理腔室1340可不包括電漿源1348。意即，電漿源1348及供應管道1349可安置於第二處理腔室1340之外，且作為處理模組1300之組件提供。

在根據本發明之基板處理設備1000中，因為第二處理 腔室1340與載入鎖定腔室1310堆疊，且安置於轉運模組1200與轉運腔室1320之間，所以可圍繞轉運腔室1320提供更大量的第一處理腔室1330。

因為第二處理腔室1340安置於轉運模組1200與轉運腔室1320之間以直接將基板S轉運至轉運模組1200中，所以亦可減少基板之轉運路徑。

因此，可將更大量的第一處理腔室1330提供於基板處理設備1000中。因為基板S之不必要轉運減少，所以亦可改良基板S之輸送量。

下文將描述根據本發明之基板處理設備1000的修改實例。

在根據本發明之實施例的基板處理設備1000中，第二處理腔室1340與載入鎖定腔室1310堆疊，且安置於轉運模組1200與轉運腔室1320之間。

然而，安置於轉運模組1200與轉運腔室1320之間的第二處理腔室1340應與載入鎖定腔室1310堆疊係不必要的。

圖12為描繪彼此堆疊之第二處理腔室1340之佈置的透視圖。

當於處理模組1300中提供複數個第二處理腔室1340時，一個處理腔室1340可堆疊於另一個處理腔室1340上，且可安置於轉運模組1200與轉運腔室1320之間。參照圖12，2個第二處理腔室1340可彼此堆疊，且2個載入鎖定腔室1310可彼此堆疊。

當第二處理腔室1340彼此堆疊時，第二處理腔室1340可分別包括減壓部件1345或電漿源1348，或者共用一個減 壓部件1345或電漿源1348。

安置於轉運模組1200與轉運腔室1320之間的第二處理腔室1340應與另一第二處理腔室1340堆疊亦非必要的。

圖13為未與另一腔室堆疊之第二處理腔室1340的透視圖。

參照圖13，僅一個第二處理腔室1340可安置於轉運模組1200與轉運腔室1320之間，且2個彼此堆疊之載入鎖定腔室可平行安置於轉運模組1200之長度方向(X-方向)上。

第二處理腔室1340應安置於轉運模組1200與轉運腔室1320之間亦非必要的。舉例而言，第二處理腔室1340可圍繞轉運腔室1320而與轉運模組1200間隔安置。舉例而言，第二處理腔室1340可與第一處理腔室1330堆疊。

圖14為基板處理設備之平面圖，在該設備中，第一處理腔室1330與第二處理腔室1340彼此堆疊，而圖15為第一處理腔室1330及第二處理腔室1340之佈置的透視圖。參照第14及圖15，第二處理腔室1340可安置且堆疊於第一處理腔室1330之上。

在根據本發明之實施例的基板處理設備1000中，第二處理腔室1340將基板S直接轉運至轉運模組1200中。

然而，第二處理腔室1340應將基板S直接轉運至轉運模組1200亦非必要的。舉例而言，基板S可不在第二處理腔室1340與轉運模組1200之間轉運。

圖16為未與轉運模組1200交換基板S之第二處理腔室1340的截面圖。

一開口界定於外殼1341的、朝向第二處理腔室1340 之轉運腔室1320的一側中。用以打開或關閉該開口之門D亦安置於外殼1341之該側上。

然而，除外殼1341之該一側外，第二處理腔室1340之外殼1341的另一側中並不界定開口。因此，不提供門D，且該另一側被阻塞。

因此，第二轉運腔室1340可僅與轉運腔室1320交換基板S，而不與轉運模組1200交換基板S。

當第二處理腔室1340與轉運模組1200彼此不交換基板S時，由於第二處理腔室1340與轉運模組1200之間交換基板S而導致的處理模組1300內部壓力變化則不會發生。因此，第二處理腔室1340可不包括減壓部件1345。

此外，因為第二處理腔室1340不直接將基板S轉運至轉運模組1200中，所以基板S(於第二處理腔室1340中對該基板執行第二處理製程)可藉由轉運腔室1320之轉運機器人1325自第二處理腔室1340中取出，且隨後轉運至載入鎖定腔室1310中。然後，被轉運至載入鎖定腔室1310中之基板S可藉由轉運模組1200之轉運機器人1220再次取出，且隨後接收於容器C中。

如上所述，第二處理腔室1340(在該處理腔室中，可僅在外殼1341之朝向轉運腔室1320的一側界定一開口，且該外殼之另一側阻塞)可安置於轉運模組1200與轉運腔室1320之間，或圍繞轉運腔室1320而與轉運模組1200間隔安置。

下文將描述根據本發明的、使用基板處理設備1000之基板處理方法。

在根據本發明之基板處理方法中，為了便於描述，而 僅舉一實例來說明根據本發明之基板處理設備1000的使用。因此，並非藉由根據本發明之基板處理設備1000來限製根據本發明之基板處理方法。

因此，除根據本發明之基板處理設備1000外，根據本發明之基板處理方法亦可使用能夠執行等同或相似於基板處理設備1000之功能的其他基板處理設備來執行。

圖17為根據本發明之第一實施例基板處理方法的流程圖，且圖18為描繪基板S之移動路線的視圖。

參照圖17，根據本發明之第一實施例，基板處理方法可包括：藉由轉運模組1200將放置在載入埠1100上之容器D中所接收之基板S轉運至處理模組1300中(S110)；藉由轉運腔室1320將基板S轉運至第一處理腔室1330中(S120)；於第一處理腔室1330中執行第一處理製程(S130)；藉由轉運腔室1320將基板S轉運至第二處理腔室1340中(S140)；於第二處理腔室1340中執行第二處理製程(S150)；及自第二處理腔室1340將基板S直接轉運至轉運模組1200中(S160)。

在操作S110中，轉運模組1200將放置在載入埠1100上之容器D中所接收之基板S轉運至處理模組1300中。

轉運模組1200將所接收之基板S自容器C中取出。

轉運模組1200之容器開啟器打開容器C，且轉運模組1200之轉運機器人將基板自容器C中取出。若轉運機器人包括複數個手臂1225，則可同時取出複數個基板S。

轉運模組1200將自容器C中取出之基板轉運至載入鎖定腔室1310中。

當一開口界定於外殼1210的、朝向載入鎖定腔室1310 之轉運模組1200的一側中時，轉運模組1200之轉運機器人1220將基板S轉運至載入鎖定腔室1310中。

當基板S導入至載入鎖定腔室1310中時，基板S固定在緩衝槽1311上。若提供複數個載入鎖定腔室1310之緩衝槽1311，則複數個基板S可分別固定在載入鎖定腔室1310之緩衝槽1311上。

當基板S固定時，藉由載入鎖定腔室1310之門D來關閉開口，以將載入鎖定腔室1310內之緩衝空間B與外部隔離。

當處理模組1300之內部壓力與轉運模組1200之壓力不同時，載入鎖定腔室1310之減壓部件1315便使用處理模組1300之內部壓力來控制載入鎖定腔室1310之內部壓力。舉例而言，當轉運模組1200之外殼1210的內部處於大氣壓狀態，轉運腔室1320之、第一處理腔室1330及第二處理腔室1340之內部的每一者均處於真空狀態時，載入鎖定腔室1310可於基板S導入後關閉門D，以使得減壓部件1315減小載入鎖定腔室1310之內部壓力。

當減壓充分執行時，載入鎖定腔室1310便打開外殼1210之朝向轉運腔室1320之另一側中所界定的開口，以將基板轉運至轉運腔室1320中。

在操作S120中，轉運腔室1320將基板S轉運至第一處理腔室1330中。

當載入鎖定腔室1310之一側中所界定的開口打開時，轉運腔室1320之轉運機器人1325便將基板S自載入鎖定腔室1310轉運至第一處理腔室1330中。若提供複數個轉運機器人1325之手臂1326及複數個第一處理腔室1330， 則可同時轉運複數個基板S。當根據一製法於基板S上執行複數個第一處理製程時，基板S亦可根據該製法接連地轉運至複數個第一處理腔室1330中。

在操作S130中，第一處理腔室1330執行第一處理製程。

當基板S導入至第一處理腔室1330中時，第一處理腔室1330執行關於基板S之第一處理製程。之前在根據本發明之實施例的基板處理設備1000之說明中，已描述了第一處理製程。

在操作S140中，轉運腔室1320將基板S轉運至第二處理腔室1340中。

當對基板S執行第一處理製程時，轉運腔室1320之轉運機器人1325將基板S轉運至第二處理腔室1340中。

若提供複數個轉運機器人1325之手臂1326，且提供複數個第二處理腔室1340或一個第二處理腔室1340接收複數個基板S，則可同時轉運複數個基板S。

第二處理腔室1340之減壓部件1345可於基板S導入至第二處理腔室1340中之前，控制第二處理腔室1340之內部壓力。

如上所述，處理模組1300與轉運模組1200可具有彼此不同之內部壓力。如下所述，第二處理腔室1340與轉運模組1200可彼此直接交換基板。在此製程中，空氣可自轉運模組1200導入至第二處理腔室1340中。因此，第二處理腔室1340之減壓部件1345可減小第二處理腔室1340之內部壓力，以於第二處理腔室1340與轉運腔室1320交換基板S之前保持處理模組1300及轉運模組1320之內部壓 力。舉例而言，減壓部件1345可將真空壓力施加至第二處理腔室1340中。

在操作S150中，第二處理腔室1340執行第二處理製程。

當基板S導入至第二處理腔室1340中時，第二處理腔室1340便執行關於基板S之第二處理製程。之前在根據本發明之實施例的基板處理設備1000之說明中，已描述了第二處理製程。

當基板S導入至第二處理腔室1340之外殼1341中時，基板S便固定於支撐部件1342上。

當基板S固定在支撐部件1342上時，第二處理腔室1340便執行第二處理製程。

舉例而言，第二處理腔室1340可使用電漿P執行清洗製程。當電漿S固定於支撐部件1342上時，加熱部件1343便在預定溫度下加熱基板S。當基板S充分加熱時，產生於電漿源1348中之電漿P便經由供應管道1349供應至外殼1341中。隨後，基板S上之污染物或雜質可藉由電漿P而移除，以清洗基板S。

在操作S160中，基板S可直接自第二處理腔室1340轉運至轉運模組1200中。

在第二處理製程執行後，第二處理腔室1340直接將基板S轉運至轉運模組1200中。

當第二處理製程完成時，界定於外殼1341之朝向轉運模組1200之一側中的開口便會打開，且轉運模組1200之轉運機器人1220將基板自第二處理腔室1340中取出。

自第二處理腔室1340中取出之基板S可藉由轉運模組 1200之轉運機器人1220而接收至容器C中。

在根據本發明之第一實施例的基板處理方法中，因為在對基板S執行第二處理製程之後，基板S自第二處理腔室1340直接轉運至轉運模組1200中，所以將基板S自第二處理腔室1340轉運至載入鎖定腔室1310中及自載入鎖定腔室1310轉運至轉運模組1200中係不必要的。因此，基板S之輸送量可得以改良。

此外，因為第二處理腔室1340與載入鎖定腔室1310彼此堆疊，所以可圍繞轉運模組1320提供更大量的第一處理腔室1330。在第一處理腔室1330中，可能需要花費最長時間來執行第一處理製程。在此狀況下，因第一處理製程之數目增加，所以基板S之總輸送量可得以改良。因此，處理模組1300可包括更大量的第一處理腔室，以改良基板S之總輸送量。

圖19為根據本發明之第二實施例的基板處理方法之流程圖，且圖20為描繪基板S之移動路線的視圖。

參照圖19，根據本發明之第二實施例，基板處理方法可包括：藉由轉運模組1200將放置在載入埠1100上之容器C中所接收之基板S轉運至載入鎖定腔室1310(S210)；藉由轉運腔室1320將基板S轉運至第一處理腔室1330中(S220)；於處理腔室1330中執行第一處理製程(S230)；藉由轉運腔室1320將基板S轉運至第二處理腔室1340中(S240)；於第二處理腔室1340中執行第二處理製程(S250)；藉由轉運腔室1320將基板S轉運至載入鎖定腔室1310中(S260)；及將基板S轉運至轉運模組1200中(S270)。

將放置在載入埠1100上之容器C中所接收之基板S轉 運至載入鎖定腔室1310中(S210)、藉由轉運腔室1320將基板S轉運至第一處理腔室1330中(S220)及於第一處理腔室1330中執行第一處理製程(S230)，可經由等同或相似於根據本發明之第一實施例的基板處理方法之製程來執行。

在操作S240中，轉運腔室1320將基板S轉運至第二處理腔室1340中。

當第一處理製程於第一處理腔室1330中執行時，轉運腔室1320之轉運機器人1325將基板自第一處理腔室1330轉運至第二處理腔室1340中。在此，第二處理腔室1340安置於轉運腔室1320與轉運模組1200之間。在此，一開口界定於外殼1341之朝向轉運腔室1320的一側中，而開口未界定於外殼1341之朝向轉運模組1200的一側中，且被阻塞。

如下所述，因為在根據本發明之第二實施例之基板處理方法中第二處理腔室1340與轉運模組1200彼此間不直接交換基板S，所以減壓部件1345可不減小外殼1341之內部壓力。

在操作S250中，第二處理腔室1340執行第二處理製程。第二處理腔室1340可執行第二處理製程，該第二處理製程等同或相似於根據本發明之第一實施例之基板處理方法中的處理製程。

在操作S260中，轉運腔室1320將基板S轉運至載入鎖定腔室1310中。在第二處理製程執行後，轉運腔室1320之轉運機器人將基板S自第二處理腔室1340中取出。轉運機器人將自第二處理腔室1340中取出之基板S轉運至載入鎖定腔室1310中。

在安置於朝向載入鎖定腔室1310之轉運模組1200之一側的門D打開，以將基板S轉運至載入鎖定腔室1310中之前，載入鎖定腔室1310之減壓部件1315可控制載入鎖定腔室1310之內部壓力。

在操作S260中，將基板S轉運至轉運模組1200中。

藉由轉運模組1200之轉運機器人1220而將基板S取出。因此，基板S可自載入鎖定腔室1310轉運至轉運模組1200中，且轉運機器人1220可再次將基板S接收至容器C中。當基板S接收至容器C時，容器C可藉由諸如高架轉運機或其類似物之設備轉運至外部。

如上所述，在根據本發明之第一及第二實施例之基板處理方法中，第一處理製程先於第二處理製程執行。在此，第二處理製程可為關於第一處理製程之後續製程。舉例而言，當第一處理製程為蝕刻製程時，第二處理製程可為清洗製程、剝離製程或灰化製程。

然而，不必要先於第二處理製程執行第一處理製程。舉例而言，第二處理製程可為第一處理製程之提前製程。舉例而言，當第一處理製程為蝕刻製程時，第二處理製程可為軟烘製程、清洗製程或黏附製程。

在第二處理製程應作為提前製程而先於第一處理製程執行的狀況下，根據本發明之基板處理方法可自根據第一及第二實施例之方法中修改。

首先，根據第一實施例之基板處理方法可修改如下。

在操作S110中，可經由第二處理腔室1340而非載入鎖定腔室1310將容器C中所接收之基板S轉運至處理模組1300中。

在此製程中，第二處理製程於第二處理腔室1340中執行。意即，操作S150繼執行操作S110之後執行。因此，可不穿過載入鎖定腔室1310而直接將基板S自轉運模組1200轉運至第二處理腔室1340中，以立即執行第二處理製程，進而減少基板S之移動路徑。此外，於基板S之移動路線上執行處理製程以改良基板S之輸送量。

當執行第二處理製程時，基板S自第二處理腔室1340轉運至第一處理腔室1330中。意即，在操作S120中，基板S可自第二處理腔室1340而非載入鎖定腔室1310轉運至第一處理腔室1330中。之後，執行操作S130。

在操作S140中，基板S可自第一處理腔室1330轉運至載入鎖定腔室1310中而非第二處理腔室1340中。

因為預先執行操作S150，所以操作S160立即執行。在此，基板S可自載入鎖定腔室1310而非第二處理腔室1340轉運至轉運模組1200中。

其次，根據第二實施例之基板處理方法可修改如下。

如上執行操作S120。執行操作S240而非操作S220。意即，基板S可自載入鎖定腔室1310轉運至第二處理腔室1340中而非第一處理腔室1330中。按順序執行操作S250。

當執行第二處理製程時，執行操作S220。意即，基板S可自第二處理腔室1340而非載入鎖定腔室1310轉運至第一處理腔室1330中。按順序執行操作S230。

當第二處理製程結束時，執行操作S260及S270。在此，在操作S260中，基板S可自第一處理腔室1330而非第二處理腔室1340轉運至載入鎖定腔室1310中。

根據上述第一及第二實施例之修改實例，第二處理製 程可作為第一處理製程之提前製程執行。

在根據本發明之上述基板處理方法中，個別實施例中執行之製程係不必要的。因此，個別實施例可選擇性地包括上述製程。此外，該等實施例可藉由彼此分離或組合而實現。個別實施例中執行之製程亦可藉由與其他實施例中執行之製程彼此分離或組合而實現。

根據描述順序，個別實施例中執行之製程亦不必要相繼執行。舉例而言，後面描述之製程可先於之前描述之製程執行。

根據本發明之基板處理方法亦可儲存在帶有用以執行基板處理方法之代碼或程式的電腦可讀記錄媒體中。

根據本發明，可改良半導體裝置之輸送量。

根據本發明，因為第二處理腔室安置於轉運模組與轉運模組之間，所可於基板處理設備中提供更大量的處理腔室。

根據本發明，因為第二處理腔室係堆疊的，所以可在基板處理設備中提供更大量的處理腔室。

根據本發明，因為基板自第二處理腔室轉運至轉運模組中，所以可減少基板之轉運路徑。

本發明概念之特徵不限於上文所述，而自下文描述中熟習此項技術者將清楚地瞭解本文未描述之其他特徵。

儘管已展示且描述了本發明之特定實施例，然應瞭解，對於一般熟習此項技術者而言，其他修改、代替及替換係顯而易見的。該等修改、代替及替換可在不脫離本發明之精神及範疇的情況下做出，且並不受限於前述實施例及隨附圖式。上述實施例之部分或全部亦可有選擇性地組 合或構成，以使得在未限製性地應用上述實施例之構造及方案下，各種修改係可能的。

B‧‧‧緩衝空間

C‧‧‧容器

D‧‧‧門

P‧‧‧電漿

S‧‧‧基板

V‧‧‧閥

1000‧‧‧基板處理設備

1100‧‧‧載入埠

1200‧‧‧轉運模組

1210‧‧‧外殼

1220‧‧‧轉運機器人

1225‧‧‧手臂

1300‧‧‧處理模組

1310‧‧‧載入鎖定腔室

1311‧‧‧緩衝槽

1315‧‧‧減壓部件

1316‧‧‧減壓泵

1317‧‧‧泵線

1320‧‧‧轉運腔室

1325‧‧‧轉運機器人

1326‧‧‧手臂

1330‧‧‧第一處理腔室

1340‧‧‧第二處理腔室

1341‧‧‧外殼

1342‧‧‧支撐部件

1343‧‧‧加熱部件

1345‧‧‧減壓部件

1346‧‧‧減壓泵

1347‧‧‧泵線

1348‧‧‧電漿源

1349‧‧‧供應管道

圖1為根據本發明之一實施例的基板處理設備之平面圖。

圖2及圖3為描繪圖1之載入鎖定腔室的截面圖。

圖4及圖5為描繪圖1之第二處理腔室的截面圖。

圖6至圖8為描繪圖1之載入鎖定腔室與第二處理腔室之間的佈置關係之透視圖。

圖9為描繪圖1之載入鎖定腔室與第二處理腔室之間的佈置關係之截面圖。

圖10及圖11為描繪圖1之第二處理腔室與電漿源間之間的連接關係之視圖。

圖12為描繪彼此堆疊之第二處理腔室之佈置的透視圖。

圖13為未與另一腔室堆疊之第二處理腔室的透視圖。

圖14為基板處理設備之平面圖，其中第一處理腔室與第二處理腔室彼此堆疊。

圖15為描繪第一處理腔室與第二處理腔室之佈置的透視圖。

圖16為未與轉運模組交換基板之第二處理腔室的截面圖。

圖17為根據本發明之第一實施例的基板處理方法之流程圖。

圖18為描繪根據本發明之第一實施例的基板處理方法 中基板移動路線的視圖。

圖19為根據本發明之第二實施例的基板處理方法之流程圖。

圖20為描繪根據本發明之第二實施例的基板處理方法中基板移動路線的視圖。

1200‧‧‧轉運模組

1310‧‧‧載入鎖定腔室

1320‧‧‧轉運腔室

1330‧‧‧第一處理腔室

Claims (23)

1. 一種用以處理一基板之設備，該設備包括：一載入埠，其上放置用以接收該基板之一容器；一處理模組，其用以處理該基板；及一轉運模組，其包括用以在該容器與該處理模組之間轉運該基板之一機器人，其中該處理模組包括：一轉運腔室，其包括用以轉運該基板之一機器人；一載入鎖定腔室，其安置於該轉運腔室與該轉運模組之間；一第一處理腔室，其圍繞該轉運腔室而與該轉運模組間隔安置，以執行一第一處理製程；及一第二處理腔室，其圍繞該轉運腔室安置，以執行一第二處理製程，其中該載入鎖定腔室與該第二處理腔室彼此堆疊。
2. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該第二處理腔室安置於該轉運腔室與該轉運模組之間。
3. 如申請專利範圍第2項之設備，其中該第二處理腔室包括：一外殼，在其朝向該轉運腔室之一側面中具有一第一開口，且在其朝向該轉運模組之一側面中具有一第二開口；一第一門，其用以打開或關閉該第一開口；一第二門，其用以打開或關閉該第二開口；一減壓部件，其用以減小該外殼之內部壓力；一支撐部件，其安置於該外殼內以支撐該基板；及一加熱部件，其用以加熱放置於該支撐部件上之該基板。
4. 如申請專利範圍第2項之設備，其中該第二處理腔室包括：一外殼，其具有朝向該轉運腔室之一側面及另一受阻塞之側面，於朝向該轉運腔室之該側面中界定一第一開口；一第一門，其用以打開或關閉該第一開口；及一支撐部件，其安置於該外殼內以支撐該基板；及一加熱部件，其用以加熱放置於該支撐部件上之該基板。
5. 如申請專利範圍第3或4項之設備，其中該第二處理腔室包括：一電漿源，其產生電漿；及一供應管道，其將該產生之電漿供應至該外殼中。
6. 如申請專利範圍第2項之設備，其中該載入鎖定腔室包括：一外殼，其提供一緩衝空間，該外殼在其朝向該轉運腔室之一側面中具有一第一開口，且在其朝向該轉運模組之一側面中具有一第二開口；一第一門，其用以打開或關閉該第一開口；一第二門，其用以打開或關閉該第二開口；及至少一個槽，其支撐該基板以使得該基板安置於該緩衝空間中。
7. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該第二處理腔室安置於該載入鎖定腔室之下。
8. 如申請專利範圍第2項之設備，其中該第二處理腔室包括：一外殼，其安置於該載入鎖定腔室之下；一電漿源，其安置於該載入鎖定腔室之上以產生電漿；及 一供應管道，其安置於該載入鎖定腔室之一外壁上，以將該產生之電漿供應至該外殼中。
9. 如申請專利範圍第2項之設備，其中該處理模組包括複數個第二處理腔室。
10. 如申請專利範圍第9項之設備，其中該等複數個第二處理腔室中之每一者包括：一外殼；一電漿源，其產生電漿；一供應管道，其將該產生之電漿供應至該外殼中。
11. 如申請專利範圍第9項之設備，其中該處理模組包括：一電漿源，其產生電漿；及一供應管道，其將該產生之電漿供應至複數個第二處理腔室之每一者的一外殼中，其中該供應管道連接至該電漿源且分叉進入該等複數個第二處理腔室中，且一閥安置於該等分叉供應管道之每一者中。
12. 如申請專利範圍第9項之設備，其中該等複數個第二處理設備彼此堆疊。
13. 如申請專利範圍第9項之設備，其中該等複數個第二處理腔室平行安置於一橫向方向上。
14. 如申請專利範圍第1項之設備，其中該第二處理腔室與該第一處理腔室堆疊。
15. 一種用以處理一基板之設備，該設備包括：一載入埠，其上放置用以接收該基板之一容器；一處理模組，其用以處理該基板；及一轉運模組，其包括用以在該容器與該處理模組之間轉運該 基板之一機器人，其中該處理模組包括：一轉運腔室，其包括用以轉運該基板之一機器人；一第一處理腔室，其圍繞該轉運腔室而與該轉運模組間隔安置，以執行一第一處理製程；一載入鎖定腔室，其安置於該轉運腔室與該轉運模組之間；及一第二處理腔室，其安置於該轉運腔室與該轉運模組之間，其中該載入鎖定腔室與該第二處理腔室具有彼此不同之結構，且該載入鎖定腔室與該第二處理腔室彼此堆疊。
16. 如申請專利範圍第15項之設備，其中該第二處理腔室安置於該載入鎖定腔室之下。
17. 如申請專利範圍第15項之設備，其中該載入鎖定腔室包括：一第一外殼，其提供一緩衝空間；及至少一個槽，其支撐該基板以使得該基板安置於該緩衝空間中，其中該第二處理腔室包括：一第二外殼，其安置於該第一外殼之下；一支撐部件，其安置於該第二外殼之內以支撐該基板；一電漿源，其安置於該第一外殼之上以產生電漿；及一供應管道，其將該產生之電漿供應至該第二外殼中。
18. 如申請專利範圍第15項之設備，其中該載入鎖定腔室與該第二處理腔室平行安置於一橫向方向上。
19. 一種使用一基板處理設備來處理一基板之方法，該基板處理設備包括一載入埠，其上放置用以接收該基板之一 容器；一處理模組，其用以處理該基板；及一轉運模組，其包括用以在該容器與該處理模組間轉運該基板之一機器人，其中該處理模組包括一轉運腔室、一第一處理腔室、一載入鎖定腔室及一第二處理腔室；該方法包括：經由該載入鎖定腔室將該容器中所接收之該基板自該轉運模組轉運至該處理模組中；於該第一處理腔室中執行一第一處理製程；於安置在該轉運腔室與該轉運模組之間的該第二處理腔室中執行一第二處理製程；及將該基板自該處理模組轉運至該轉運模組中，其中將該基板轉運至該轉運模組中包括：於該第二處理製程執行後，藉由該轉運腔室之一轉運機器人將該基板自該第二處理腔室轉運至該載入鎖定腔室中；及藉由該轉運模組之一轉運機器人將該基板自該載入鎖定腔室中取出。
20. 如申請專利範圍第19項之方法，其中將該基板轉運至該轉運模組中包括，於該第二處理製程執行後將該基板自該第二處理腔室直接轉運至該轉運模組中。
21. 如申請專利範圍第20項之方法，進一步包括於該基板轉運至該第二處理腔室中之前減小該第二處理腔室之一內部壓力。
22. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該第一處理製程包括一蝕刻製程、一分層製程、一灰化製程、一剝離製程及一沈積製程中之至少一者。
23. 如申請專利範圍第19項之方法，其中該第二處理製程包括一清洗製程、一剝離製程、一灰化製程及一加熱製程中之至少一者。