CN102810499B - 处理基材的设备和方法 - Google Patents

处理基材的设备和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102810499B
CN102810499B CN201210175153.0A CN201210175153A CN102810499B CN 102810499 B CN102810499 B CN 102810499B CN 201210175153 A CN201210175153 A CN 201210175153A CN 102810499 B CN102810499 B CN 102810499B
Authority
CN
China
Prior art keywords
base material
chamber
process chamber
housing
load lock
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210175153.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102810499A (zh
Inventor
金炯俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN102810499A publication Critical patent/CN102810499A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102810499B publication Critical patent/CN102810499B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明提供一种处理基材的设备和方法，更具体而言，提供一种具有簇结构的基材处理设备和使用它的基材处理方法。所述的处理基材的设备包括其上放置用于收容所述基材的容器的装载口、用于处理所述基材的处理模块和转移模块，所述转移模块包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手。所述处理模块包括转移室、设置在所述转移室和所述转移模块之间的装载锁闭室、用于进行第一处理工艺的第一处理室和用于进行第二处理工艺的第二处理室，所述转移室包括用于转移所述基材的机械手，第一处理室与所述转移模块间隔开并且设置在所述转移室周围，第二处理室设置在所述转移室周围。

Description

处理基材的设备和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求享有2011年5月31日提交的韩国专利申请No.10-2011-0052430和2011年8月19日提交的韩国专利申请No.10-2011-0082678的优先权，在此引入它们的全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种处理基材的设备和方法，更具体而言，涉及一种具有簇结构的基材处理设备和使用它的基材处理方法。
背景技术
通过经由几种工艺来处理诸如硅晶片等基材并在经处理的基材上形成电路图案，从而制作半导体器件。
一般地，这种半导体器件通过以下过程制作：用于在基材上形成薄氧化物层的氧化过程、用于涂布光致抗蚀剂的光致抗蚀剂过程、用于将对应于电路图案的光照射到基材上的曝光过程、用于使照射光的层显影的显影过程、用于选择性地除去不必要的部分以形成电路图案的蚀刻处理、用于将杂质注入基材的与电路图案连接的部分中的注入过程、用于在基材的表面上沉积诸如气体等化学物质以形成绝缘层或导电层的化学气相沉积(CVD)过程以及用于将配线与形成在基材表面上的电路连接的金属化过程。上面各过程可以在腔室内进行。
近年来，由于半导体器件的小型化和高密度集成的增加，需要执行这些复杂压缩的各种腔室。根据这种趋势，要求半导体制作设备的腔室之间的布局能够改善半导体器件的吞吐量并且有效地进行半导体制作工艺。对于代表性的例子，具有簇结构的半导体制作设备披露在韩国注册专利No.10-0839911中。
发明内容
本发明提供一种能够改善半导体器件的吞吐量的基材处理设备和方法。
本发明还提供一种基材处理设备和方法，其中在固定空间内能够设置更大量的用于进行处理工艺的腔室。
本发明还提供一种能够减少基材的转移路线的基材处理设备和方法。
本发明构思的特征不限于上述内容，相反，本领域技术人员从这些描述中可以清楚地了解本文未描述的其他特征。
本发明的实施例提供处理基材的设备。
在一些实施例中，所述处理基材的设备可以包括：装载口，其上放置用于收容所述基材的容器；用于处理所述基材的处理模块；和转移模块，包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手，其中所述处理模块可以包括：转移室，包括用于转移所述基材的机械手；设置在所述转移室和所述转移模块之间的装载锁闭室；用于进行第一处理工艺的第一处理室，它与所述转移模块间隔开并且设置在所述转移室周围；和用于进行第二处理工艺的第二处理室，它设置在所述转移室周围。
在其他实施例中，第二处理室可以设置在所述转移室和所述转移模块之间。
在其他实施例中，第二处理室可以包括：壳体，具有在面对所述转移室的侧面中的第一开口和在面对所述转移模块的侧面中的第二开口；用于打开或关闭第一开口的第一门；用于打开或关闭第二开口的第二门；用于使所述壳体的内部减压的减压件；设置在所述壳体内以支撑所述基材的支撑件；和用于加热放置在所述支撑件上的基材的加热件。
在其他实施例中，第二处理室可以包括：壳体，具有面对所述转移室的侧面和另一挡住侧，在所述侧面中限定有第一开口；用于打开或关闭第一开口的第一门；设置在所述壳体内以支撑所述基材的支撑件；和用于加热放置在所述支撑件上的基材的加热件。
在其他实施例中，第二处理室可以包括：用于产生等离子体的等离子体源；和用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中的供应管。
在其他实施例中，所述装载锁闭室可以包括：用于提供缓冲空间的壳体，所述壳体具有在面对所述转移室的侧面中的第一开口和在面对所述转移模块的侧面中的第二开口；用于打开或关闭第一开口的第一门；用于打开或关闭第二开口的第二门；和用于支撑所述基材以使所述基材设置在所述缓冲空间中的至少一个狭槽。
在其他实施例中，所述装载锁闭室和第二处理室可以彼此叠置。
在其他实施例中，第二处理室可以设置在所述装载锁闭室下方。
在其他实施例中，其中第二处理室可以包括：壳体，它设置在所述装载锁闭室下方；等离子体源，它设置在所述装载锁闭室上方，用于产生等离子体；和供应管，它设置在所述装载锁闭室的外壁上，用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中。
在其他实施例中，所述处理模块可以包括多个第二处理室。
在其他实施例中，所述多个第二处理室中的每一个可以包括：壳体；用于产生等离子体的等离子体源；和用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中的供应管。
在其他实施例中，所述处理模块可以包括：用于产生等离子体的等离子体源；和用于将所产生的等离子体供应到多个第二处理室中的每一个的壳体中的供应管，其中所述供应管可以与所述等离子体源连接并分支到所述多个第二处理室中，阀门设置在每个分支的供应管中。
在其他实施例中，所述多个第二处理室可以彼此叠置。
在其他实施例中，所述多个第二处理室可以在横向上平行设置。
在其他实施例中，第二处理室可以与第一处理室叠置。
在本发明的其他实施例中，处理基材的设备包括：装载口，其上放置用于收容所述基材的容器；用于处理所述基材的处理模块；和转移模块，包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手，其中所述处理模块可以包括：转移室，包括用于转移所述基材的机械手；用于进行第一处理工艺的第一处理室，它与所述转移模块间隔开并且设置在所述转移室周围；设置在所述转移室和所述转移模块之间的装载锁闭室；和设置在所述转移室和所述转移模块之间的第二处理室，其中所述装载锁闭室和第二处理室具有彼此不同的结构。
在一些实施例中，所述装载锁闭室和第二处理室可以彼此叠置。
在其他实施例中，第二处理室可以设置在所述装载锁闭室下方。
在其他实施例中，所述装载锁闭室可以包括：用于提供缓冲空间的第一壳体；和用于支撑所述基材以使所述基材设置在所述缓冲空间中的至少一个狭槽，其中第二处理室可以包括：设置在第一壳体下方的第二壳体；设置在第二壳体内以支撑所述基材的支撑件；设置在第一壳体上方以产生等离子体的等离子体源；和用于将所产生的等离子体供应到第二壳体中的供应管。
在其他实施例中，所述装载锁闭室和第二处理室可以在横向上平行设置。
在本发明的其他实施例中，提供一种使用基材处理设备处理基材的方法，所述基材处理设备包括其上放置用于收容所述基材的容器的装载口、用于处理所述基材的处理模块和转移模块，所述转移模块包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手，其中所述处理模块可以包括转移室、第一处理室、装载锁闭室和第二处理室，所述方法包括：通过所述装载锁闭室将收容在所述容器中的基材从所述转移模块转移到所述处理模块中；在第一处理室中进行第一处理工艺；在设置于所述转移室和所述转移模块之间的第二处理室中进行第二处理工艺；和将所述基材从所述处理模块转移到所述转移模块中。
在一些实施例中，所述的将所述基材转移到所述转移模块中可以包括在进行第二处理工艺之后将所述基材从第二处理室直接转移到所述转移模块中。
在其他实施例中，所述方法还可以包括在将所述基材转移到第二处理室中之前将第二处理室的内部压力减压。
在其他实施例中，所述的将所述基材转移到所述转移模块中可以包括：在进行第二处理工艺之后通过所述转移室的转移机械手将所述基材从第二处理室转移到所述装载锁闭室中；和通过所述转移模块的转移机械手从所述装载锁闭室取出所述基材。
在其他实施例中，第一处理工艺可以包括蚀刻处理、分层处理、灰化处理、剥离处理和沉积处理中的至少一种。
在其他实施例中，第二处理工艺可以包括清洁处理、剥离处理、灰化处理和加热处理中的至少一种。
附图说明
附图用于进一步理解本发明，且被并入说明书中构成说明书的一部分。附图显示本发明的示例性实施例，并且与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是根据本发明实施例的基材处理设备的平面图；
图2和图3是显示图1的装载锁闭室的剖视图；
图4和图5是显示图1的第二处理室的剖视图；
图6~8是显示图1的装载锁闭室和第二处理室之间的配置关系的立体图；
图9是显示图1的装载锁闭室和第二处理室之间的配置关系的剖视图；
图10和图11是显示图1的第二处理室和等离子体源之间的连接关系的视图；
图12是显示彼此叠置的第二处理室的配置的立体图；
图13是不与其他室叠置的第二处理室的立体图；
图14是第一处理室和第二处理室彼此叠置的基材处理设备的平面图；
图15是显示第一处理室和第二处理室的配置的立体图；
图16是不与转移模块交换基材的第二处理室的剖视图；
图17是根据本发明第一实施例的基材处理方法的流程图；
图18是显示在根据本发明第一实施例的基材处理方法中基材的移动路径的视图；
图19是根据本发明第二实施例的基材处理方法的流程图；和
图20是显示在根据本发明第二实施例的基材处理方法中基材的移动路径的视图。
具体实施方式
提供本发明的优选实施例是为了使本发明的公开内容清楚和完整，并向本领域技术人员全面地表达本发明的范围。然而，本发明可以体现为多种不同形式，并且不应当认为本发明受限于在此提出的实施例。因此，显然的是，在不脱离本发明的范围和精神的情况下，本领域技术人员可以对本发明做出各种修改和变化。
还可以理解的是，尽管使用了具体术语并且附图容易地描述了本发明的示例性实施例，但是本发明不限于这些术语和附图。
此外，为了避免不必要地混淆本发明的主题，未对与公知的功能或构造有关的内容进行详细说明。
下面，说明根据本发明的基材处理设备1000。
基材处理设备1000是一种从外部转移基材S以进行处理、然后经处理的基材S再次转移到外部的设备。
这里，应该理解的是，作为广泛概念，基材S可以包括各种晶片，包括硅晶片、玻璃基材、有机基材和石墨烯等，以及用于制作半导体器件、显示装置、具有在其上形成电路的薄膜的产品等的基材。
下面，说明根据本发明实施例的基材处理设备1000。
图1是根据本发明实施例的基材处理设备1000的平面图。
基材处理设备1000包括装载口1100、转移模块1200和处理模块1300。在其内收容基材S的容器C设置在装载口1100中。转移模块1200在容器C和处理模块1300之间转移基材S。对基材S进行的各种处理在处理模块1300中进行。
在其内收容基材S的容器C设置在装载口1100中。
一个或多个基材S可以收容在容器C中。例如，25个基材S可以收容在容器C中。
容器C的内部空间可以从外部密封。例如，作为密封容器的前开式晶片盒可以用作容器C。容器C的内部空间可以被密封，以防止收容在容器C中的基材S被污染。
容器C从外部转移，然后装载到装载口1100中。此外，容器C从装载口1100装载，然后转移到外部。
例如，容器C可以通过诸如顶置式传送器等转移装置从其他基材处理设备转移，然后装载到装载口1100中。此外，容器C可以从装载口1100卸载，然后转移到其他基材处理设备。
容器C的转移、装载和卸载可以通过除了顶置式传送器之外的诸如自动导引车和轨道导引车等其他转移装置或者由工人进行。
基材处理设备1000包括一个或多个装载口1100。装载口1100设置在转移模块1200的一侧。如果装载口1100设有多个，则多个装载口1100可以彼此密集地设置。例如，如图1所示，3个装载口1100可以在转移模块1200的长度方向(X-方向)上平行地设置在转移模块1200的与面对处理模块1300的一侧相对的那侧上。装载口1100的数量或布置可以不同于上述数量或布置。
转移模块1200在容器C和处理模块1300之间转移基材S。例如，转移模块1200可以从容器C取出基材S以将基材S转移到处理模块1300，或者从处理模块1300取出基材S以将基材S转移到容器C。
转移模块1200包括壳体1210和转移机械手1220。
壳体1210提供与外部隔离的内部空间。壳体1210可以呈大致长方体形状。可选择地，壳体1210可以呈不同于长方体形状的形状。
壳体1210具有面对装载口1100的一侧。基材S进入和退出的开口限定在壳体1210的该侧。此外，用于打开或关闭该开口的门D设置在壳体1210的该侧。此外，壳体1210具有面对处理模块1300的另一侧。基材S进入和退出的开口限定在壳体1210的该另一侧。此外，用于打开或关闭该开口的门D设置在壳体1210的该另一侧。该侧和该另一侧彼此相对。
用于净化壳体1210的内部空间内的空气的风机过滤器单元可以设置在壳体1210的顶面上。因此，在壳体1210的内部空间内净化的空气可以从上侧向下流动。因此，壳体1210的内部空间可以保持比外部更清洁。
用于打开或关闭容器C的容器开启器可以设置在壳体1210内。当通过该容器开启器打开容器C时，转移机械手1220可以从容器C取出基材S。此外，在通过转移机械手1210转移基材S以在容器C中收容基材S之后，该容器开启器可以关闭容器C。
转移机械手1220在设置于装载口1100上的容器C和处理模块1300之间转移基材S。
转移机械手1220设置在壳体1210内。例如，转移机械手1220可以固定在壳体1210的中央部。可选择地，转移机械手1220可以在转移模块1200的长度方向(X-方向)上沿着设置于壳体1210内的转移轨道移动。
转移机械手1220可以垂直移动。此外，转移机械手1220可以包括在平面上前后移动或者转动的手部1225。转移机械手1220的手部1225可以设有一个或多个。
处理模块1300对基材S进行处理工艺。
处理模块1300包括装载锁闭室1310、转移室1320、第一处理室1330和第二处理室1340。装载锁闭室1310设置在转移室1320和转移模块1200之间，以提供缓冲空间B，基材S通过该缓冲空间在转移室1320和转移模块1200之间交换。转移室1320包括用于转移基材S以在容器C和处理模块1300之间转移基材S的机械手。第一处理室1330设置在转移室1320周围以进行第一处理工艺。第二处理室1340设置在转移模块1200和转移室1320之间以进行第二处理工艺。
下面，说明处理模块1300的构成。由于不必须全部的上述部件，因此处理模块1300可以选择性地包括上述部件的一部分。
装载锁闭室1310提供缓冲空间B，基材S通过该缓冲空间在容器C和处理模块1300之间转移。该缓冲空间可以通过限定装载锁闭室1310的外壁的壳体1210与外部隔离。在容器C和处理模块1300之间转移的基材S可以临时地停留在缓冲空间B中。
装载锁闭室1310设置在转移模块1200和转移室1320之间。
至少一个装载锁闭室1310可以设置在处理模块1300中。如果设置多个装载锁闭室1310，则多个装载锁闭室1310可以沿着转移模块1200的横向(即，长度方向(X-方向))平行配置，可以彼此叠置，或者可以通过平行配置和堆叠配置的组合而配置。例如，如图1所示，两个装载锁闭室1310可以设置成使得两个装载锁闭室1310的一侧面对转移模块1200，并且两个装载锁闭室1310的另一侧面对转移室1320。
图2和图3是显示图1的装载锁闭室1310的剖视图。图2是沿着图1的线A-A的剖视图，图3是沿着图1的线B-B的剖视图。
装载锁闭室1310通过其与转移模块1200交换基材的开口限定在装载锁闭室1310的一侧。此外，用于打开或关闭该开口的门D设置在装载锁闭室1310的该侧上。装载锁闭室1310通过其与转移室1320交换基材的开口限定在装载锁闭室1310的另一侧。此外，用于打开和关闭该开口的门D限定在装载锁闭室1310的该另一侧。该侧和该另一侧可以彼此相对。
在其上放置基材S的至少一个缓冲狭槽1311设置在装载锁闭室1310内。缓冲狭槽1311可以设有多个。例如，四个狭槽1311可以设置在装载锁闭室1310内。
多个缓冲狭槽1311可以彼此垂直地间隔开，并且设置在装载锁闭室1310的内壁上。每个缓冲狭槽可以呈彼此间隔开的板状，以支撑基材S的边缘。转移模块1200和转移室1320的转移机械手1220和1325的手部1225和1326可以沿着在板之间间隔开的空间垂直地移动，以将基材S放置在缓冲狭槽1311上或拾取放置在缓冲狭槽1311上的基材S。因此，基材S可以通过装载锁闭室1310在转移模块1200和处理模块1300之间转移。
装载锁闭室1310包括用于控制装载锁闭室1310的内部压力的减压件1315。减压件1315控制缓冲空间内的压力。减压件1315可以通过减压泵1316和泵管线1317实施。
减压泵1316使用外部电源抽吸空气。减压泵1316通过泵管线1317与装载锁闭室1310的内部连接。用于控制空气流动的阀门V设置在泵管线1317中。
一般地，处理模块1300的内部压力可以保持在预设压力下，以提供足以对基材S进行处理的环境。因此，转移模块1200和处理模块1300可以具有彼此不同的压力。例如，转移模块的内部可以处于大气压力状态下，处理模块1300的内部可以处于真空状态下。然而，转移模块1200和处理模块1300不必须具有彼此不同的内部压力。也就是说，转移模块1200和处理模块1300可以具有相同的内部压力。
减压件1315可以控制装载锁闭室1310的内部压力，以防止当基材S在转移模块1200和处理模块1300之间转移时空气从转移模块1200通过装载锁闭室1310引入处理模块1300。例如，在基材S从具有大气压力状态的转移模块1200转移到装载锁闭室1310之后并且在基材S转移到具有真空状态的转移室之前，减压件1315可以使缓冲空间减压到真空状态。因此，可以保持处理模块1300的内部压力。
基材S在设置于转移室1320周围的各室之间转移。转移室1320可以具有多边形形状。装载锁闭室1310、第一处理室1330和第二处理室1340设置在转移室1320的周围。例如，如图1所示，具有六边形形状的转移室1320可以设置在处理模块1300的中央部，并且装载锁闭室1310、第一处理室1330和第二处理室1340可以设置在转移室1320的周围。然而，转移室1320可以具有不同于上述形状和位置的形状和位置。
转移室1320包括用于转移基材S的转移机械手1325。转移室1320可以使用转移机械手1325在设置于转移室周围的各室之间转移基材S。
转移机械手1325设置在转移室1320内。转移机械手1325可以固定在转移室1320的中央部。转移机械手1325可以垂直移动。此外，转移机械手1325可以包括在平面上前后移动或者转动的手部1326。转移机械手1325的手部1326可以设有一个或多个。
第一处理室1330进行第一处理工艺。例如，第一处理工艺可以包括蚀刻处理、分层处理、灰化处理、剥离处理和沉积处理。然而，第一处理工艺不限于上述处理。
一个或多个第一处理室1330可以设置在处理模块1300中。当设有多个第一处理室1330时，多个第一处理室1330中的一部分或全部可以进行相同处理。可选择地，多个第一处理室1330中的一部分或全部可以进行彼此不同的处理。
第一处理室1330设置在转移室1320的周围。这里，第一处理室1330可以与转移模块1200间隔设置。
第一处理室1330的内部压力可以保持在预设压力下，以提供足以进行第一处理工艺的环境。例如，内部压力可以保持在压力小于大气压力的真空状态。
第一处理室1330可以具有用于进行上述第一处理工艺的总体构成和结构。第二处理室1340进行第二处理工艺。例如，第二处理工艺可以包括清洁处理、剥离处理、灰化处理、加热处理和烘烤处理。基本上，第二处理工艺可以是在进行第一处理工艺之后进行的后续工艺，或者是在进行第一处理工艺之前进行的在先工艺。例如，当进行蚀刻处理作为第一处理工艺时，第二处理工艺可以是用于除去在基材上产生的杂质的清洁处理、剥离处理、灰化处理或烘烤处理。这里，可以使用等离子体P进行上述各处理。对于另一个例子，当第一处理工艺是蚀刻处理时，第二处理工艺可以是用于改善光致抗蚀剂的粘合力的粘合处理或者软烘烤处理。然而，第二处理工艺不限于上述处理。
至少一个第二处理室1340设置在处理模块1300中。如果第二处理室1340设有多个，则多个第二处理室1340可以进行相同处理。
第二处理室1340设置在转移室1320和转移模块1200之间。第二处理室1340可以设置在与装载锁闭室1310相同或相似的位置上，但是具有不同于装载锁闭室1310的构成。
设置在转移室1320和转移模块1200之间的第二处理室1340在转移模块1200和处理模块1300之间转移基材S。
在进行第二处理工艺之后，第二处理室1340可以将基材S直接转移到转移模块1200中。例如，第二处理室1340对利用转移室1320的转移机械手1325转移到第二处理室1340的基材S进行第二处理工艺。然后，进行过第二处理工艺的基材可以从第二处理室1340转移。转移模块1200的转移机械手1220可以从第二处理室1340取出基材S以在容器C中收容基材S。
下面，说明根据本发明实施例的基材处理设备1000的第二处理室1340的构成。
图4和图5是显示图1的第二处理室1340的剖视图。
第二处理室1340包括壳体1341、支撑件1342、加热件1343、减压件1345、等离子体源1348和供应管1349。然而，由于不必须基本上设置全部的上述部件，因此第二处理室1340可以选择性地包括上述部件的全部或一部分。因此，如果第二处理室1340设有多个，则各第二处理室1340可以具有彼此相同或不同的构成。
壳体1341提供与外部隔离的内部空间。
壳体1341具有面对转移室1320的一侧。基材S进入和退出的开口限定在壳体1341的该侧。此外，用于打开或关闭该开口的门D设置在壳体1341的该侧。此外，壳体1341具有面对转移模块1200的另一侧。基材S进入和退出的开口限定在壳体1341的该另一侧。此外，用于打开或关闭该开口的门D设置在壳体1341的该另一侧。该侧和该另一侧彼此相对。
支撑件1342设置在壳体1341内以支撑基材S。基材S可以装载到支撑件1342的顶面上。支撑件1342的顶面可以具有大于基材S的面积以及与基材S相似的形状。
在安放基材S之前将要在其上放置基材S的提升销可以设置在支撑件1342上。当基材S被放置在提升销上时，基材S可以安放在支撑件1342上。
加热件1343加热装载在支撑件1342上的基材S。例如，加热件1343可以是接收外部电力以产生热量的加热器或者注射流体或气体到基材S上的装置。然而，加热件1343不限于上述装置。如果不必须加热基材S以进行第二处理工艺，则第二处理室1340可以不包括加热件1343。
加热件1343可以设置在支撑件1342内。加热件1343可以产生热量以将热量经由支撑件1342传递到基材S，从而在预定温度下加热基材S。支撑件1342可以由具有高热导率和低热变形性的材料形成。
减压件1345控制第二处理室1340的内部压力。减压件1345可以包括减压泵1346和泵管线1347。减压泵1346可以使用外部电源抽吸空气，泵管线1347可以将减压泵1346连接到第二处理室1340。
减压件1345可以控制第二处理室1340的内部压力，以防止当基材S在转移模块1200和处理模块1300之间转移时处理模块1300内的压力变化。
例如，在基材S转移到具有大气压力的转移模块1200之后并且在基材S转移到具有真空状态的转移室1320之前，减压件1345可以对第二处理室1340施加真空压力。因此，可以保持处理模块1300的内部压力在真空状态下。
等离子体源1348设置在壳体1341外部以产生等离子体P。
等离子体源1348包括气体供应部和等离子体发生器。该气体供应部供应气体，该等离子体发生器使用供应的气体产生等离子体P。该等离子体发生器可以是远程等离子体发生器。
供应管1349将在等离子体源1348中产生的等离子体P供应到壳体1341。通过供应管1349供应到壳体1341的等离子体P可以通过淋浴喷头注入。
然而，等离子体源1348不必须设置在壳体1341外部。例如，气体可以供应到壳体1341中，电容耦合等离子体发生器(CCP)或电感耦合等离子体发生器(ICP)可以设置在壳体1341内部，以使用供应的气体在壳体1341内直接产生等离子体P。
因此，第二处理室1340可以接收等离子体P以使用等离子体P进行第二处理工艺。例如，第二处理室1340可以使用等离子体P进行清洁处理。
然而，如果不必须使用等离子体P以进行第二处理工艺，则第二处理室1340可以不包括等离子体源1348和供应管1349。可选择地，进行第二处理工艺所需的其他部件可以替换等离子体源1348和供应管1349。例如，当第二处理室1340使用化学品进行清洁处理时，用于供应化学品的化学品供应部可以替换等离子体源1348。参照图5，第二处理室1340不包括等离子体源1348和供应管1349。
下面，说明根据本发明实施例的基材处理设备1000的第二处理室1340的配置。
图6~8是显示图1的装载锁闭室1310和第二处理室1340的配置的立体图。
第二处理室1340与装载锁闭室1310设置在一起。
第二处理室1340和装载锁闭室1310可以彼此垂直叠置。然而，装载锁闭室1310和第二处理室1340可以设置成具有不同于上述配置的配置。
第二处理室1340可以设置并叠置在装载锁闭室1310的下方。参照图6，一个第二处理室1340可以设置并叠置在装载锁闭室1310的下方，其他的装载锁闭室1310可以沿着转移模块1200的长度方向(X-方向)彼此叠置。
至少一个第二处理室1340可以设置在处理模块1300中。如果第二处理室1340设有多个，则多个第二处理室1340可以沿着转移模块1200的长度方向(X-方向)平行设置。参照图7，两个第二处理室1340可以分别设置并叠置在装载锁闭室1310的下方。
第二处理室1340可以设置并叠置在装载锁闭室1310的上方。这里，装载锁闭室1310可以叠置在第二处理室1340的下方，并且第二处理室1340的壳体1341可以叠置在装载锁闭室1310的上方。此外，等离子体源1348可以叠置在第二处理室1340的壳体1341的上方。参照图8，两个第二处理室1340可以分别设置并叠置在装载锁闭室1310的上方。
第二处理室1340的一部分可以设置在装载锁闭室1310的上方，第二处理室1340的另一部分可以设置在装载锁闭室1310的下方。例如，第二处理室1340的壳体1341可以设置在装载锁闭室1310的上方或下方，其中装载锁闭室置于其间。此外，第二处理室1340的等离子体源1348可以设置在与壳体1341相对的一侧上。
图9是显示装载锁闭室1310和第二处理室1340之间的配置关系的剖视图。参照图9，第二处理室1340的壳体1341可以设置在装载锁闭室1310的下方，并且等离子体源1348可以设置在装载锁闭室1310的上方。此外，供应管1349可以埋在装载锁闭室1310的外壁中并从等离子体源1348连接到第二处理室1340的内部。然而，等离子体源1348的位置和供应管1349的形状可以与上述位置和形状不同。例如，等离子体源1348可以设置在装载锁闭室1310的侧面上、在第二处理室1340的侧面上或在第二处理室1340的下方。此外，供应管1349可以沿着装载锁闭室1310的外壁设置。
彼此叠置的第二处理室1340和装载锁闭室1310可以共用减压件1315或1345。装载锁闭室1310和第二处理室1340可以分别包括单独的减压泵1316和1346或者共用一个减压泵1316或1346。当装载锁闭室1310和第二处理室1340共用一个减压泵1316或1346时，泵管线1317或1347可以从减压泵1316或1346延伸出来，然后分支，使得分支的泵管线1317和1347分别与装载锁闭室1310和第二处理室1340连接。用于控制空气流动的阀门V设置在分支的泵管线1317和1347中。
此外，如上所述，至少一个第二处理室1340可以设置在处理模块1300中。如果第二处理室1340设有多个，则多个第二处理室1340可以分别包括多个等离子体源1348或共用一个等离子体源1348。
图10和图11是显示图1的第二处理室1340和等离子体源1348之间的连接关系的视图。
例如，多个第二处理室1340可以包括多个等离子体源1348。参照图10，两个第二处理室1340中的每一个可以包括单独的等离子体源1348并且通过彼此不同的供应管1349与第二处理室1340连接。
对于另一个例子，多个第二处理室1340可以共用一个等离子体源1348。参照图11，两个第二处理室1340共用一个等离子体源1348。此外，供应管1349可以从等离子体源1348延伸出来，然后分支，使得分支的供应管1349分别与第二处理室连接。用于控制等离子体P流动的阀门V设置在每个分支的供应管1349中。例如，主供应管可以从等离子体源1348的侧面延伸出来，然后分支成用于将等离子体P供应到一个第二处理室1340的第一支管和用于将等离子体P供应到另一个第二处理室1340的第二支管。此外，阀门V可以设置在第一和第二支管的每一个中。等离子体P可以通过阀门V选择性地供应到多个第二处理室1340的在内进行第二处理工艺的那个室中。
如果第二处理室1340设有多个，则减压件1345可以具有与等离子体源1348类似的连接关系。多个第二处理室1340可以分别包括单独的减压泵1346或共用一个减压泵1346。当多个第二处理室共用减压泵1346时，泵管线1347可以从减压泵1346延伸出来，然后分支，使得分支的泵管线1347分别与第二处理室1340连接。用于控制空气流动的阀门V设置在分支的泵管线1347中。
尽管在本实施例中第二处理室1340包括等离子体源1348和供应管1349，但是第二处理室1340可以不包括等离子体源1348。也就是说，等离子体源1348和供应管1349可以设置在第二处理室1340的外部并且被设置作为处理模块1300的部件。
在根据本发明的基材处理设备1000中，由于第二处理室1340与装载锁闭室1310叠置并设置在转移模块1200和转移室1320之间，因此更大量的第一处理室1330可以设置在转移室1320的周围。
此外，由于第二处理室1340设置在转移模块1200和转移室1320之间以将基材S直接转移到转移模块1200中，因此基材的转移路线可以减少。
因此，更大量的第一处理室1330可以设置在基材处理设备1000中。此外，由于基材S的不必须转移减少，因此基材S的吞吐量可以得到改善。
下面，说明根据本发明的基材处理设备1000的改进例。
在根据本发明实施例的基材处理设备1000中，第二处理室1340与装载锁闭室1310叠置并设置在转移模块1200和转移室1320之间。
然而，设置在转移模块1200和转移室1320之间的第二处理室1340不必须与装载锁闭室1310叠置。
图12是显示彼此叠置的第二处理室1340的配置的立体图。
当多个第二处理室1340设置在处理模块1300中时，一个处理室1340可以叠置在另一个处理室1340上并且设置在转移模块1200和转移室1320之间。参照图12，两个第二处理室1340可以彼此叠置，并且两个装载锁闭室1310可以彼此叠置。
当第二处理室1340彼此叠置时，各第二处理室1340可以分别包括减压件1345或等离子体源1348或者共用一个减压件1345或等离子体源1348。
此外，设置在转移模块1200和转移室1320之间的第二处理室1340不必须与另一个第二处理室1340叠置。
图13是不与其他室叠置的第二处理室1340的立体图。
参照图13，可以仅有一个第二处理室1340设置在转移模块1200和转移室1320之间，并且彼此叠置的两个装载锁闭室可以沿着转移模块1200的长度方向(X-方向)平行设置。
此外，第二处理室1340不必须设置在转移模块1200和转移室1320之间。例如，第二处理室1340可以设置在转移室1320周围并与转移模块1200间隔开。例如，第二处理室1340可以与第一处理室1330叠置。
图14是第一处理室1330和第二处理室1340彼此叠置的基材处理设备的平面图，图15是第一处理室1330和第二处理室1340的配置的立体图。参照图14和图15，第二处理室1340可以设置并叠置在第一处理室1330的上方。
在根据本发明实施例的基材处理设备1000中，第二处理室1340将基材S直接转移到转移模块1200中。
然而，第二处理室1340不必须将基材直接转移到转移模块1200中。例如，基材S可以不在第二处理室1340和转移模块1200之间转移。
图16是不与转移模块1200交换基材S的第二处理室1340的剖视图。
开口限定在第二处理室1340的壳体1341的面对转移室1320的那侧中。此外，用于打开和关闭该开口的门D设置在壳体1341的该侧上。
然而，除了壳体1341的该侧之外，在第二处理室1340的壳体1341的其他侧中未限定开口。因此，未设置门D，并且其他侧被挡住。
因此，第二转移室1340可以仅与转移室1320交换基材S而不与转移模块1200交换基材S。
当第二处理室1340和转移模块1200彼此未交换基材S时，不会发生由于在第二处理室1340和转移模块1200之间交换基材S引起的处理模块1300的内部压力变化。因此，第二处理室1340可以不包括减压件1345。
此外，由于第二处理室1340未将基材直接转移到转移模块1200中，因此可以通过转移室1320的转移机械手1325从第二处理室1340取出在第二处理室1340中被进行第二处理工艺的基材S，然后转移到装载锁闭室1310中。然后，可以通过转移模块1200的转移机械手1220再次取出转移到装载锁闭室1310中的基材S，然后收容到容器C中。
如上所述，开口可以仅限定在壳体1341的面对转移室1320的一侧中而其他侧被挡住的第二处理室1340可以设置在转移模块1200和转移室1320之间或者与转移模块1200间隔开并设置在转移室1320的周围。
下面，说明使用根据本发明的基材处理设备1000的基材处理方法。
在根据本发明的基材处理方法中，使用根据本发明的基材处理设备1000仅仅是易于说明的例子。因此，根据本发明的基材处理方法不受根据本发明的基材处理设备1000的限制。
因此，除了根据本发明的基材处理设备1000之外，根据本发明的基材处理方法可以使用能够执行与基材处理设备1000相同或相似功能的其他基材处理设备进行。
图17是根据本发明第一实施例的基材处理方法的流程图，图18是显示基材S的移动路径的视图。
参照图17，根据本发明第一实施例的基材处理方法可以包括通过转移模块1200将收容在放置于装载口1100上的容器C中的基材S转移到处理模块1300中(S110)、通过转移室1320将基材S转移到第一处理室1330中(S120)、在第一处理室1330中进行第一处理工艺(S130)、通过转移室1320将基材S转移到第二处理室1340中(S140)、在第二处理室1340中进行第二处理工艺(S150)以及将基材S从第二处理室1340直接转移到转移模块1200中(S160)。
在步骤S110中，转移模块1200将收容在放置于装载口1100上的容器C中的基材S转移到处理模块1300中。
转移模块1200从容器C取出收容的基材S。
转移模块1200的容器开启器打开容器C，并且转移模块1200的转移机械手从容器C取出基材。如果转移机械手1220包括多个手部1225，则可以同时取出多个基材S。
转移模块1200将从容器C取出的基材转移到装载锁闭室1310中。
当开口限定在装载锁闭室1310的面对转移模块1200的壳体1210的一侧中时，转移模块1200的转移机械手1220将基材S转移到装载锁闭室1310中。
当基材S被引入装载锁闭室1310中时，基材S安放在缓冲狭槽1311上。如果装载锁闭室1310的缓冲狭槽1311设有多个，则多个基材S可以安放在装载锁闭室1310的缓冲狭槽1311上。
在安放基材S之后，通过装载锁闭室1310的门D关闭该开口，以将装载锁闭室1310内的缓冲空间B与外部隔离。
当处理模块1300的内部压力不同于转移模块1200的内部压力时，装载锁闭室1310的减压件1315利用处理模块1300的内部压力控制装载锁闭室1310的内部压力。例如，当转移模块1200的壳体1210的内部处于大气压力状态下时，转移室1320、第一处理室1330和第二处理室1340中的每一个的内部处于真空状态下，在引入基材S之后装载锁闭室1310可以关闭门D，使得减压件1315将装载锁闭室1310的内部减压。
当减压进行充分时，装载锁闭室1310打开限定在转移室1320的面对壳体1210的另一侧中的开口，以将基材转移到转移室1320中。
在步骤S120中，转移室1320将基材S转移到第一处理室1330中。
当打开限定在装载锁闭室1310的一侧中的开口时，转移室1320的转移机械手1325将基材S从装载锁闭室1310转移到第一处理室1330中。如果转移机械手1325的手部1326和第一处理室1330设有多个，则可以同时转移多个基材S。此外，当根据处理方案对基材S进行多个第一处理工艺时，基材S可以根据处理方案相继地转移到多个第一处理室1330中。
在步骤S130中，第一处理室1330进行第一处理工艺。
在基材S被引入第一处理室1330中之后，第一处理室1330对基材S进行第一处理工艺。第一处理工艺在上面的对根据本发明实施例的基材处理设备1000的说明中描述过。
在步骤S140中，转移室1320将基材S转移到第二处理室1340中。
在对基材S进行第一处理工艺之后，转移室1320的转移机械手1325将基材S转移到第二处理室1340中。
如果转移机械手1325的手部1326设有多个并且第二处理室1340设有多个或者一个第二处理室1340接收多个基材S，则可以同时转移多个基材S。
在基材S被引入第二处理室1340之前，第二处理室1340的减压件1345可以控制第二处理室1340的内部压力。
如上所述，处理模块1300和转移模块1200可以具有彼此不同的内部压力。如下所述，第二处理室1340和转移模块1200可以彼此直接交换基材。在该过程中，空气可以从转移模块1200引入第二处理室1340。因此，第二处理室1340的减压件1345可以将第二处理室1340的内部减压，以在第二处理室1340与转移室1320交换基材S之前保持处理模块1300的内部压力以及转移室1320的内部压力。例如，减压件1345可以对第二处理室1340施加真空压力。
在步骤S150中，第二处理室1340进行第二处理工艺。
在基材S被引入第二处理室1340中之后，第二处理室1340对基材S进行第二处理工艺。第二处理工艺在上面的对根据本发明实施例的基材处理设备1000的说明中描述过。
当基材S被引入第二处理室1340的壳体1341中时，基材S被安放在支撑件1342上。
当基材S被安放在支撑件1342上时，第二处理室1340进行第二处理工艺。
例如，第二处理室1340可以使用等离子体P进行清洁处理。当基材S被安放在支撑件1342上时，加热件1343在预定温度下加热基材S。当基材S被充分加热时，在等离子体源1348中产生的等离子体P通过供应管1349供应到壳体1341中。然后，通过等离子体P可以除去基材S上的污染物或杂质，从而清洁基材S。
在步骤S160中，基材S可以从第二处理室1340直接转移到转移模块1200中。
在进行第二处理工艺之后，第二处理室1340将基材S直接转移到转移模块1200中。
当完成第二处理工艺时，打开限定在壳体1341的面对转移模块1200的一侧中的开口，并且转移模块1200的转移机械手1220从第二处理室1340取出基材。
从第二处理室1340取出的基材S可以通过转移模块1200的转移机械手1220收容在容器C中。
在根据本发明第一实施例的基材处理方法中，由于在对基材S进行第二处理工艺之后基材S从第二处理室1340直接转移到转移模块1200中，因此不必须将基材S从第二处理室1340转移到装载锁闭室1310中并且从装载锁闭室1310转移到转移模块1200中。因此，基材S的吞吐量可以得到改善。
此外，由于第二处理室1340和装载锁闭室1310彼此叠置，因此更大量的第一处理室1330可以设置在转移室1320的周围。可以花费最长的时间在第一处理室1330中进行第一处理工艺。在这种情况下，由于第一处理工艺的数量增大，因此基材S的总吞吐量可以得到改善。因此，处理模块1300可以包括更大量的第一处理室以改善基材S的总吞吐量。
图19是根据本发明第二实施例的基材处理方法的流程图，图20是显示基材S的移动路径的视图。
参照图19，根据本发明第二实施例的基材处理方法可以包括通过转移模块1200将收容在放置于装载口1100上的容器C中的基材S转移到装载锁闭室1310中(S210)、通过转移室1320将基材S转移到第一处理室1330中(S220)、在第一处理室1330中进行第一处理工艺(S230)、通过转移室1320将基材S转移到第二处理室1340中(S240)、在第二处理室1340中进行第二处理工艺(S250)、通过转移室1320将基材S转移到装载锁闭室1310中(S260)以及将基材S转移到转移模块1200中(S270)。
将收容在放置于装载口1100上的容器C中的基材S转移到装载锁闭室1310中(S210)、通过转移室1320将基材S转移到第一处理室1330中(S220)以及在第一处理室1330中进行第一处理工艺(S230)可以通过与根据本发明第一实施例的基材处理方法相同或相似的过程进行。
在步骤S240中，转移室1320将基材S转移到第二处理室1340中。
在第一处理室1330中进行第一处理工艺之后，转移室1320的转移机械手1325将基材从第一处理室1330转移到第二处理室1340中。这里，第二处理室1340设置在转移室1320和转移模块1200之间。这里，开口限定在壳体1341的面对转移室1320的一侧中，但开口未限定在壳体1341的面对转移模块1200的一侧中并且被挡住。
如下所述，由于在根据本发明第二实施例的基材处理方法中第二处理室1340和转移模块1200之间未直接交换基材S，因此减压件1345不会将壳体1341的内部减压。
在步骤S250中，第二处理室1340进行第二处理工艺。第二处理室1340可以进行与根据本发明第一实施例的基材处理方法相同或相似的第二处理工艺。
在步骤S260中，转移室1320将基材S转移到装载锁闭室1310中。在进行第二处理工艺之后，转移室1320的转移机械手从第二处理室1340取出基材S。转移机械手将从第二处理室1340取出的基材S转移到装载锁闭室1310中。
在装载锁闭室1310的面对转移模块1200的一侧上设置的门D打开以将基材S转移到转移模块1200中之前，装载锁闭室1310的减压件1315可以控制装载锁闭室1310的内部压力。
在步骤S270中，基材S被转移到转移模块1200中。
通过转移模块1200的转移机械手1220取出基材S。因此，基材S可以从装载锁闭室1310转移到转移模块1200中，并且转移机械手1220可以再次将基材S收容在容器C中。当基材S收容在容器C中时，容器C可以通过诸如顶置式传送器等设备转移到外部。
如上所述，在根据本发明第一和第二实施例的基材处理方法中，第一处理工艺在第二处理工艺之前。这里，第二处理工艺相对于第一处理工艺而言可以是后续工艺。例如，当第二处理工艺是蚀刻处理时，第二处理工艺可以是清洁处理、剥离处理或灰化处理。
然而，不必须在第二处理工艺之前进行第一处理工艺。例如，第二处理工艺可以是第一处理工艺的在先工艺。例如，当第一处理工艺是蚀刻处理时，第二处理工艺可以是软烘烤处理、清洁处理或粘合处理。
当第二处理工艺在第一处理工艺之前作为在先工艺进行的情况下，根据本发明的基材处理方法可以根据第一和第二实施例进行改进。
首先，根据第一实施例的基材处理方法可作如下修改。
在步骤S110中，收容在容器C中的基材S可以通过第二处理室1340而不是装载锁闭室1310转移到处理模块1300中。
在该过程中，第二处理工艺在第二处理室1340中进行。也就是说，在步骤S110进行之后进行步骤S150。因此，基材S可以从转移模块1200直接转移到第二处理室1340中而不经过装载锁闭室1310，以立即进行第二处理工艺，从而减少基材S的移动路线。此外，可以对基材S的移动路径进行处理，从而改善基材S的吞吐量。
在进行第二处理工艺之后，基材S从第二处理室1340转移到第一处理室1330中。也就是说，在步骤S120中，基材S可以从第二处理室1340而不是装载锁闭室1310转移到第一处理室1330中。此后，进行步骤S130。
在步骤S140中，基材S可以从第一处理室1330转移到装载锁闭室1310中而不是转移到第二处理室1340中。
由于之前进行了步骤S150，因此立即进行步骤S160。这里，基材S可以从装载锁闭室1310而不是第二处理室1340转移到转移模块1200中。
接下来，根据第二实施例的基材处理方法可作如下修改。
步骤S210按原样进行。进行步骤S240而不是进行步骤S220。也就是说，基材S可以从装载锁闭室1310转移到第二处理室1340中而不是转移到第一处理室1330中。然后，进行步骤S250。
在进行第二处理工艺之后，进行步骤S220。也就是说，基材S可以从第二处理室1340而不是装载锁闭室1310转移到第一处理室1330中。然后，进行步骤S230。
当第一处理工艺完成时，进行步骤S260和步骤S270。这里，在步骤S260中，基材S可以从第一处理室1330而不是第二处理室1340转移到装载锁闭室1310中。
根据第一和第二实施例的上述改进例，第二处理工艺可以作为第一处理工艺的在先工艺进行。
在根据本发明的上述基材处理方法中，在各实施例中进行的处理不是必须的。因此，各实施例可以选择性地包括上述处理。此外，各实施例可以彼此分离地或者彼此组合地实施。此外，在各实施例中进行的处理可以通过与其他实施例中进行的各处理彼此分离地或者彼此组合地实施。
此外，不必须根据所述顺序相继地进行各实施例中进行的处理。例如，后面描述的处理可以先于之前描述的处理。
此外，根据本发明的基材处理方法可以存储在具有执行所述基材处理方法的代码或程序的计算机可读记录介质中。
根据本发明，半导体器件的吞吐量可以改善。
根据本发明，由于第二处理室设置在转移模块和转移室之间，因此更大量的处理室可以设置在基材处理设备中。
根据本发明，由于第二处理室叠置，因此更大量的处理室可以设置在基材处理设备中。
根据本发明，由于基材从第二处理室转移到转移模块中，因此基材的转移路线可以减少。
本发明构思的特征不限于上述内容，相反，本领域技术人员从这些描述中可以清楚地了解本文未描述的其他特征。
虽然已经显示和描述了本发明的具体实施例，但是应当理解的是，其他修改、替换和变化对于本领域技术人员是显而易见的。可以在不脱离本发明的精神和范围内做出这样的修改、替换和变化，并且不限于上述实施例和附图。此外，上述实施例的部分或全部可以选择性地组合和构造，使得可以做出各种修改，而不限于上述实施例的构造和方案。

Claims (22)

1.一种处理基材的设备，所述设备包括：
装载口，其上放置用于收容所述基材的容器；
用于处理所述基材的处理模块；和
转移模块，包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手，
其中所述处理模块包括：
转移室，包括用于转移所述基材的机械手；
设置在所述转移室和所述转移模块之间的装载锁闭室；
用于进行第一处理工艺的第一处理室，它与所述转移模块间隔开并且设置在所述转移室周围；和
用于进行第二处理工艺的第二处理室，它设置在所述转移室周围，
其中所述第二处理室设置在所述转移室和所述转移模块之间，
其中所述第二处理室包括：
壳体，它设置在所述装载锁闭室下方；
等离子体源，它设置在所述装载锁闭室上方，用于产生等离子体；和
供应管，它设置在所述装载锁闭室的外壁上，用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述第二处理室包括：
壳体，具有在面对所述转移室的侧面中的第一开口和在面对所述转移模块的侧面中的第二开口；
用于打开或关闭所述第一开口的第一门；
用于打开或关闭所述第二开口的第二门；
用于使所述壳体的内部减压的减压件；
设置在所述壳体内以支撑所述基材的支撑件；和
用于加热放置在所述支撑件上的基材的加热件。
3.如权利要求1所述的设备，其中所述第二处理室包括：
壳体，具有面对所述转移室的侧面和另一挡住侧，在所述侧面中限定有第一开口；
用于打开或关闭所述第一开口的第一门；
设置在所述壳体内以支撑所述基材的支撑件；和
用于加热放置在所述支撑件上的基材的加热件。
4.如权利要求2或3所述的设备，其中所述第二处理室包括：
用于产生等离子体的等离子体源；和
用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中的供应管。
5.如权利要求1所述的设备，其中所述装载锁闭室包括：
用于提供缓冲空间的壳体，所述壳体具有在面对所述转移室的侧面中的第一开口和在面对所述转移模块的侧面中的第二开口；
用于打开或关闭所述第一开口的第一门；
用于打开或关闭所述第二开口的第二门；和
用于支撑所述基材以使所述基材设置在所述缓冲空间中的至少一个狭槽。
6.如权利要求1所述的设备，其中所述装载锁闭室和所述第二处理室彼此叠置。
7.如权利要求6所述的设备，其中所述第二处理室设置在所述装载锁闭室下方。
8.如权利要求1所述的设备，其中所述处理模块包括多个第二处理室。
9.如权利要求8所述的设备，其中所述多个第二处理室中的每一个包括：
壳体；
用于产生等离子体的等离子体源；和
用于将所产生的等离子体供应到所述壳体中的供应管。
10.如权利要求8所述的设备，其中所述多个第二处理室彼此叠置。
11.如权利要求8所述的设备，其中所述多个第二处理室在横向上平行设置。
12.如权利要求1所述的设备，其中所述第二处理室与所述第一处理室叠置。
13.一种处理基材的设备，所述设备包括：
装载口，其上放置用于收容所述基材的容器；
用于处理所述基材的处理模块；和
转移模块，包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手，
其中所述处理模块包括：
转移室，包括用于转移所述基材的机械手；
用于进行第一处理工艺的第一处理室，它与所述转移模块间隔开并且设置在所述转移室周围；
设置在所述转移室和所述转移模块之间的装载锁闭室；和
设置在所述转移室和所述转移模块之间的第二处理室，
其中所述装载锁闭室和所述第二处理室具有彼此不同的结构，
其中所述装载锁闭室包括：
用于提供缓冲空间的第一壳体；和
用于支撑所述基材以使所述基材设置在所述缓冲空间中的至少一个狭槽，
其中所述第二处理室包括：
设置在所述第一壳体下方的第二壳体；
设置在所述第二壳体内以支撑所述基材的支撑件；
设置在所述第一壳体上方以产生等离子体的等离子体源；和
用于将所产生的等离子体供应到所述第二壳体中的供应管。
14.如权利要求13所述的设备，其中所述装载锁闭室和所述第二处理室彼此叠置。
15.如权利要求14所述的设备，其中所述第二处理室设置在所述装载锁闭室下方。
16.如权利要求13所述的设备，其中所述装载锁闭室和所述第二处理室在横向上平行设置。
17.一种使用基材处理设备处理基材的方法，所述基材处理设备包括其上放置用于收容所述基材的容器的装载口、用于处理所述基材的处理模块和转移模块，所述转移模块包括用于在所述容器和所述处理模块之间转移所述基材的机械手，其中所述处理模块包括转移室、第一处理室、装载锁闭室和第二处理室，所述方法包括：
通过所述装载锁闭室将收容在所述容器中的基材从所述转移模块转移到所述处理模块中；
在所述第一处理室中进行第一处理工艺；
在设置于所述转移室和所述转移模块之间的所述第二处理室中进行第二处理工艺；和
将所述基材从所述处理模块转移到所述转移模块中，
其中所述装载锁闭室包括：
用于提供缓冲空间的第一壳体；和
用于支撑所述基材以使所述基材设置在所述缓冲空间中的至少一个狭槽，
其中所述第二处理室包括：
设置在所述第一壳体下方的第二壳体；
设置在所述第二壳体内以支撑所述基材的支撑件；
设置在所述第一壳体上方以产生等离子体的等离子体源；和
用于将所产生的等离子体供应到所述第二壳体中的供应管。
18.如权利要求17所述的方法，其中所述的将所述基材转移到所述转移模块中包括在进行所述第二处理工艺之后将所述基材从所述第二处理室直接转移到所述转移模块中。
19.如权利要求18所述的方法，还包括在将所述基材转移到所述第二处理室中之前将所述第二处理室的内部压力减压。
20.如权利要求17所述的方法，其中所述的将所述基材转移到所述转移模块中包括：
在进行所述第二处理工艺之后通过所述转移室的转移机械手将所述基材从所述第二处理室转移到所述装载锁闭室中；和
通过所述转移模块的转移机械手从所述装载锁闭室取出所述基材。
21.如权利要求17所述的方法，其中所述第一处理工艺包括蚀刻处理、分层处理、灰化处理、剥离处理和沉积处理中的至少一种。
22.如权利要求17所述的方法，其中所述第二处理工艺包括清洁处理、剥离处理、灰化处理和加热处理中的至少一种。
CN201210175153.0A 2011-05-31 2012-05-30 处理基材的设备和方法 Active CN102810499B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20110052430 2011-05-31
KR10-2011-0052430 2011-05-31
KR1020110082678A KR101390900B1 (ko) 2011-05-31 2011-08-19 기판처리장치
KR10-2011-0082678 2011-08-19

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102810499A CN102810499A (zh) 2012-12-05
CN102810499B true CN102810499B (zh) 2015-09-16

Family

ID=47234174

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210175153.0A Active CN102810499B (zh) 2011-05-31 2012-05-30 处理基材的设备和方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9263307B2 (zh)
JP (1) JP5472765B2 (zh)
KR (1) KR101390900B1 (zh)
CN (1) CN102810499B (zh)
TW (1) TWI518823B (zh)

Families Citing this family (97)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
KR101463984B1 (ko) * 2013-02-15 2014-11-26 최대규 플라즈마 처리 시스템
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
WO2014150234A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-25 Applied Materials, Inc Processing systems, apparatus, and methods adapted to process substrates in electronic device manufacturing
US9355876B2 (en) * 2013-03-15 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Process load lock apparatus, lift assemblies, electronic device processing systems, and methods of processing substrates in load lock locations
US20140271097A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
KR20150110947A (ko) * 2014-03-21 2015-10-05 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
JP6338989B2 (ja) * 2014-09-19 2018-06-06 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US10153187B2 (en) * 2014-11-11 2018-12-11 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for transferring a substrate
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
JP6454201B2 (ja) 2015-03-26 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板搬送方法及び基板処理装置
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
KR102362032B1 (ko) * 2017-03-16 2022-02-14 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
JP6881010B2 (ja) 2017-05-11 2021-06-02 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10424487B2 (en) 2017-10-24 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Atomic layer etching processes
US10283393B1 (en) * 2017-11-08 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer carrying fork, semiconductor device manufacturing system, and wafer transporting method
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
CN108417491A (zh) * 2018-02-02 2018-08-17 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种减少铝腐蚀的方法
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10720348B2 (en) * 2018-05-18 2020-07-21 Applied Materials, Inc. Dual load lock chamber
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
JP7003905B2 (ja) * 2018-12-27 2022-01-21 株式会社Sumco 気相成長装置
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
US11211269B2 (en) 2019-07-19 2021-12-28 Applied Materials, Inc. Multi-object capable loadlock system
WO2021016115A1 (en) * 2019-07-19 2021-01-28 Applied Materials, Inc. Multi-object capable loadlock system
KR102571741B1 (ko) * 2020-09-18 2023-08-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 시스템
KR102443884B1 (ko) 2020-11-19 2022-09-16 주식회사 지니 트랜스퍼 챔버의 산소농도 감지용 산소 센서 유닛
KR102590268B1 (ko) * 2021-03-25 2023-10-18 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1517769A (zh) * 2003-01-10 2004-08-04 周星工程股份有限公司 双重结构的丛集设备

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5000682A (en) * 1990-01-22 1991-03-19 Semitherm Vertical thermal processor for semiconductor wafers
JP3522796B2 (ja) 1993-07-15 2004-04-26 株式会社日立国際電気 半導体製造装置
JPH08181183A (ja) * 1994-12-21 1996-07-12 Shinko Electric Co Ltd 試料の搬送装置
JP2000021871A (ja) * 1998-06-30 2000-01-21 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
JP4695297B2 (ja) * 2001-06-26 2011-06-08 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜形成装置及びロードロックチャンバー
US7351291B2 (en) * 2002-02-20 2008-04-01 Tokyo Electron Limited Semiconductor processing system
JP3970184B2 (ja) * 2003-01-10 2007-09-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR20050087059A (ko) * 2004-02-24 2005-08-31 주식회사 에이디피엔지니어링 적층형 공정챔버를 가지는 진공처리장치
JP2005277049A (ja) 2004-03-24 2005-10-06 Tokyo Electron Ltd 熱処理システム及び熱処理方法
KR100839911B1 (ko) 2006-12-29 2008-06-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR20080062338A (ko) * 2006-12-29 2008-07-03 세메스 주식회사 복수의 공정챔버들을 포함하는 반도체 제조장치 및 상기공정챔버들을 세정하는 방법
US20080206036A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Magnetic media processing tool with storage bays and multi-axis robot arms
US20090016853A1 (en) * 2007-07-09 2009-01-15 Woo Sik Yoo In-line wafer robotic processing system
JP5596265B2 (ja) 2007-12-27 2014-09-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
KR20110016642A (ko) * 2009-08-12 2011-02-18 주식회사 아토 기판처리장치
JP5358366B2 (ja) * 2009-09-14 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び方法
US20110304078A1 (en) * 2010-06-14 2011-12-15 Applied Materials, Inc. Methods for removing byproducts from load lock chambers
US8616821B2 (en) * 2010-08-26 2013-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated apparatus to assure wafer quality and manufacturability

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1517769A (zh) * 2003-01-10 2004-08-04 周星工程股份有限公司 双重结构的丛集设备

Also Published As

Publication number Publication date
US20120322015A1 (en) 2012-12-20
JP2012253348A (ja) 2012-12-20
TW201304039A (zh) 2013-01-16
TWI518823B (zh) 2016-01-21
US9263307B2 (en) 2016-02-16
CN102810499A (zh) 2012-12-05
KR20120133965A (ko) 2012-12-11
JP5472765B2 (ja) 2014-04-16
KR101390900B1 (ko) 2014-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102810499B (zh) 处理基材的设备和方法
US8974601B2 (en) Apparatuses, systems and methods for treating substrate
JP4642619B2 (ja) 基板処理システム及び方法
WO2009084437A1 (ja) 真空処理装置、真空処理方法、およびコンピュータ可読記憶媒体
CN103035467B (zh) 处理基板的装置、系统及方法
TW202014547A (zh) 選擇性地形成膜之方法及系統
KR20190036476A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
US20100116789A1 (en) Substrate processing apparatus
CN109314071B (zh) 十二边形传送腔室和具有十二边形传送腔室的处理系统
KR102033694B1 (ko) 기판 처리 시스템
KR101685095B1 (ko) 기판 버퍼링 장치, 기판처리설비, 및 기판처리방법
KR20130113437A (ko) 기판 처리 장치
CN102332391A (zh) 真空处理装置
US20180105933A1 (en) Substrate processing apparatus and method for cleaning chamber
KR101364116B1 (ko) 기판 처리를 위한 클러스터 설비
KR101898340B1 (ko) 로드록 장치에 있어서의 기판 냉각 방법, 기판 반송 방법, 및 로드록 장치
JP2008235800A (ja) ロードロック装置および基板の処理システム
KR102151323B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체에 기록된 프로그램
KR102141748B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체에 기록된 프로그램
JP7445509B2 (ja) 基板処理装置及び基板搬送方法
KR20110016642A (ko) 기판처리장치
JP3665716B2 (ja) 処理システム
KR100863583B1 (ko) 반도체 장비의 슬롯 밸브
KR20130116850A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20180109725A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant