KR20150110947A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20150110947A
KR20150110947A KR1020140033508A KR20140033508A KR20150110947A KR 20150110947 A KR20150110947 A KR 20150110947A KR 1020140033508 A KR1020140033508 A KR 1020140033508A KR 20140033508 A KR20140033508 A KR 20140033508A KR 20150110947 A KR20150110947 A KR 20150110947A
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김태훈
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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 공정 처리 챔버, 공기 배출 챔버, 로드락 챔버, 배기 유닛 등을 가진다. 공기 배출 챔버는 공정 처리 챔버에서의 감압속도보다 느린 속도로 감압하여 처리 대상물 내 공기를 배출함으로써 기판의 휨(Warpage)현상을 방지한다. 공기 배출 챔버는 복수개의 처리 대상물을 한꺼번에 공기 배출 처리를 함으로써 공정 시간을 단축할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
프론트 엔드(FEOL : Front End Of Line)공정을 거친 기판은 두께가 필요 이상으로 두꺼우므로 백그라인딩(Back Grinding) 공정을 거쳐 얇아진다. 그러나 백그라인딩 공정 후 기판의 두께가 너무 얇아져 기판의 핸들링(Handling)이 쉽지 않다. 때문에 기판 핸들링을 위하여 접착제를 이용하여 캐리어를 기판에 부착한다. 캐리어는 후속 공정인 칩 본딩(Chip Bonding), 언더필(Underfill), 몰딩(Molding) 공정 후에 제거된다.
캐리어 제거 후, 기판은 프레임 링에 고정된 마운팅 테이프에 부착된 상태에서 핸들링 된다. 마운팅 테이프는 기판의 핸들링을 용이하게 할 뿐만 아니라, 기판이 개별 칩으로 분리될 때 칩들이 흩어지는 것을 방지한다.
캐리어가 제거된 웨이퍼에는 접착제가 완전히 제거되지 않고 일부가 남게 된다. 남아있는 접착제는 제거하기가 용이하지 않다.
본 발명의 실시예들은 캐리어 제거 후 웨이퍼에 남아있는 접착제를 용이하게 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 실시예들은 플라스마 처리를 위한 진공 형성 과정시 기판의 휨(Warpage) 현상을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
또한, 본 발명의 실시예들은 기판의 휨(Warpage) 현상 방지 과정시 공정 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는, 인덱스 모듈과; 처리모듈;을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은, 처리 대상물이 수납되는 용기가 놓이는 로드포트;와 상기 용기와 상기 처리모듈간에 상기 처리 대상물을 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 프레임;을 가지고, 상기 처리 모듈은, 상기 처리 대상물을 플라스마로 처리하는 공정 처리 챔버;와 상기 처리 대상물 내 공기를 배출 처리하는 공기 배출 챔버;를 가지도록 제공된다.
상기 처리 대상물은, 프레임 링; 상기 프레임 링의 내측면에 고정된 마운팅 테이프; 및 상기 마운팅 테이프의 상면에 부착되는 기판;을 포함한다.
상기 공기 배출 챔버는, 감압에 의해 상기 처리 대상물 내 공기를 배출 처리한다.
상기 공정 처리 챔버 및 상기 공기 배출 챔버 내의 감압을 제어하는 제어기;를 더 포함하되, 상기 제어기는, 상기 공정 처리 챔버 내의 감압속도 보다 상기 공기 배출 챔버 내의 감압속도를 더 느리게 제어한다.
상기 공정 처리 챔버는, 제 1 압력에서 상기 처리 대상물을 플라스마로 처리하고, 상기 제어기는, 상기 공기 배출 챔버 내의 압력이 제 1 압력까지 감압되도록 제어한다.
상기 공기 배출 챔버는, 복수개의 처리 대상물을 수용하도록 제공된다.
또한, 상기 기판 처리 장치는, 상기 공기 배출 챔버 및 상기 공정 처리 챔버와 상기 인덱스 모듈간에 상기 처리 대상물이 이송되는 경우, 상기 처리 대상물이 임시로 머무는 로드락 챔버;를 더 포함할 수 있다.
본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은, 프레임 링; 상기 프레임 링의 내측면에 고정된 마운팅 테이프; 및 상기 마운팅 테이프의 상면에 부착되는 기판;를 포함하는 처리 대상물을 진공에서 공정 처리 하는 방법에 있어서; 상기 마운팅 테이프와 상기 기판 사이에 속박된 공기를 배출 시키는 단계; 공기가 배출된 상기 처리 대상물을 플라스마를 이용해 처리하는 단계;를 포함한다.
상기 공기를 배출시키는 단계는, 감압에 의해 이루어지고, 상기 감압은, 복수개의 상기 처리 대상물에 대해 동시에 이루어진다.
상기 처리 대상물을 플라스마를 이용해 처리하는 단계는, 제 1 챔버 내에서 이루어지고, 상기 공기를 배출시키는 단계는, 상기 제 1 챔버와 상이한 제 2 챔버 내에서 이루어진다.
상기 감압은, 상기 제 1 챔버 내의 감압 속도보다 느리게 이루어진다.
본 발명의 실시예들은 플라스마를 이용하여 캐리어 제거 후 웨이퍼에 남아있는 접착제를 용이하게 제거할 수 있다.
본 발명의 실시 예들에 의하면, 플라스마 처리를 위한 진공 형성 과정시 느린 속도로 감압함으로써 기판의 휨(Warpage) 현상을 방지한다.
또한, 본 발명의 실시 예들에 의하면, 복수개의 복수 개의 처리대상물에 속박된 공기를 한꺼번에 제거함으로써, 공정 시간을 단축한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에 제공되는 처리 대상물을 나타내는 사시도이다.
도 3 내지 도 9는 도 2의 처리 대상물을 제작하는 과정을 순차적으로 나타내는 도면이다.
도 10은 도 1의 공기 배출 장치를 나타내는 단면도이다.
도 11은 도 10의 기판 홀더 및 승강 구동부를 나타내는 단면도이다.
도 12는 도 1의 로드락 챔버를 나타내는 단면도이다.
도 13은 제어기가 포함된 기판 처리 장치의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 일부를 나타내는 평면도이다.
도 15는 본 발명의 또다른 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 평면도이다.
도 16은 본 발명의 기판 처리 방법을 간략하게 나타낸 순서도이다.
도 17은 도 16의 기판 처리 방법에서 처리 대상물이 이송되는 경로를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 간략하게 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(1100)과 처리 모듈(1200)을 가진다. 인덱스 모듈(1100)과 처리 모듈(1200)은 일 방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(1100)과 처리 모듈(1200)이 배열되는 방향을 제 1 방향(2)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(2)에 수직한 방향을 제 2 방향(3)이라 한다.
인덱스 모듈(1100)은 로드포트(1120)와 프레임(1140)을 가진다.
처리 모듈(1200)은 공정 처리 챔버(1220), 공기 배출 챔버(1240), 로드락 챔버(1260) 그리고 배기 유닛(1280)을 가진다. 공정 처리 챔버(1220)는 제 1 공정 처리 챔버(1222) 및 제 2 공정 처리 챔버(1224)를 가진다. 로드락 챔버(1260)는 제 1 로드락 챔버(1262) 및 제 2 로드락 챔버(1264)를 가진다. 상기 제 1 공정 처리 챔버(1222), 상기 제 1 로드락 챔버(1262) 및 상기 프레임(1140)은 제 1 방향(2)과 평행한 방향으로 순차적으로 배열된다. 제 2 공정 처리 챔버(1224), 제 2 로드락 챔버(1264) 및 프레임(1140)은 제 1 방향(2)과 평행한 방향으로 순차적으로 배열된다. 제 1 공정 처리 챔버(1222) 및 제 2 공정 처리 챔버(1224)는 제 2 방향(3)에 평행한 방향으로 배열된다. 제 1 로드락 챔버(1262) 및 제 2 로드락 챔버(1264)는 제 2 방향(3)에 평행한 방향으로 배열된다. 공기 배출 챔버(1240)는, 제 1 로드락 챔버(1262)와 제 2 로드락 챔버(1264) 사이에 배치된다. 배기 유닛(1280)은 공정 처리 챔버(1220) 및 공기 배출 챔버(1240)에 연결되어 공정 처리 챔버(1220) 및 공기 배출 챔버(1240) 내부의 압력을 조절한다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치(1)에 제공되는 처리 대상물을 나타내는 사시도이고, 도 3 내지 도 9는 도 2의 처리 대상물을 제작하는 과정을 순차적으로 나타내는 도면들이다.
도 2 내지 도 9를 참고하면, 도 3과 같이 프론트 엔드(FEOL) 공정이 완료된 기판(51)이 제공된다. 기판(51)에는 도 4와 같이 실리콘 관통 전극(TSV : Through Silicon Via, 52)과 범프(53)가 순차적으로 형성되고, 캐리어(54)가 접착된다. 캐리어(54)는 실리콘 또는 유리 재질의 판으로, 기판(51)이 백그라인딩 공정을 거칠 경우 두께가 매우 얇아 핸들링하기 어려우므로, 기판(51)의 핸들링을 위해 제공된다. 캐리어(54)는 접착제(55)에 의해 기판(51) 상면에 접착된다.
캐리어(54)가 부착된 기판(51)은 패키지(Package)의 조립 사이즈를 줄이기 위해 백그라인딩(Back Grinding) 공정에 제공된다. 프론트 엔드(FEOL) 공정을 거친 기판(51)은 두께가 불필요하게 두껍기 때문에 백그라인딩 공정에서 도 5와 같이 기판(51) 뒷면을 매우 얇게 연마한다.
백그라인딩 공정 후 기판(51a)은 도 6와 같이 플립(flip)되고, 칩 본딩(chip bonding, 61)이 이루어진다. 그리고 도 7과 같이 언더필(under fill, 62)과 몰딩(molding, 63) 공정이 순차적으로 진행된다.
몰딩(63) 공정이 완료된 기판(51b)은 도 8과 같이 프레임 링(71)에 고정된 마운팅 테이프(72) 위에 부착된다. 프레임 링(71)은 기판(51b)보다 큰 반경을 갖는 링 형상으로, 스테인레스(Stainless) 또는 서스(SUS) 재질로 제공된다. 마운팅 테이프(72)는 두께가 얇은 필름으로, 필름 자체로 기판(51b)을 지탱하기 어려우므로 프레임 링(71)에 고정된다. 마운팅 테이프(72)는 3개의 층으로 구성되는데, 베이스(Base) 필름과, 기판이 접착되는 접착층, 그리고 이를 보호하는 보호 필름으로 구성된다. 프레임 링(71)은 기판(51b)보다 큰 반경을 가지므로, 상부에서 바라볼 때 프레임 링(71)과 기판(52b) 사이 영역에서 마운팅 테이프(72)가 외부에 노출된다.
기판(51b)을 마운팅 테이프(72)에 부착 후, 도 9와 같이 캐리어(54)를 제거한다. 캐리어(54)가 제거되면, 마운팅 테이프(72)는 일시적으로 캐리어(54) 역할을 대신하며 기판(51c)이 마운팅 테이프(72)에 부착된 상태로 공정에 제공된다. 프레임 링(71)과 마운팅 테이프(72)는 기판(51c)의 핸들링을 용이하게 한다. 그리고 마운팅 테이프(72)는 기판(51c)이 다이싱(Dicing)되어 개별 칩으로 분리될 때 칩들이 접착력에 의해 흩어지거나 손실되지 않도록 한다.
마운팅 테이프(72)에 기판 부착 시 칩과의 접속을 위한 범프(53)로 인해 마운팅 테이프와 기판 사이에 공기가 속박되고 이는 플라스마 처리를 위한 진공 형성 과정에서 마운팅 테이프와 기판 사이 내부와 외부의 기압 차이로 인한 기판의 휨(Warpage)현상을 유발하는 문제점이 발생할 수 있다.
다시 도 1을 참고하면, 로드포트(1120)에는 처리 대상물들이 수납되는 용기(20)가 놓인다. 용기(20)는 오버헤드 트랜스퍼와 같은 반송 장치에 의해 로드포트(1120)에 로딩 또는 언로딩될 수 있다. 용기(20)로는 밀폐형 용기인 전면 개방 일체식 포트가 사용될 수 있다. 로드포트(1120)는 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 로드포트(1120)는 프레임(1140)의 일측면에 결합된다. 도 1에서는 프레임(1140)에 네 개의 로드포트(1120)가 제공되는 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(1120)의 수는 이와 상이할 수 있다.
프레임(1140)은 하우징(1142), 인덱스 로봇(1144) 및 이송 레일(1146)을 포함한다. 프레임(1140)은 로드포트(1120)와 처리 모듈(1200) 사이에 위치한다.
하우징(1142)은 대체로 직육면체 형상을 가진다. 하우징(1142)은 상면(미도시), 저면(미도시), 제 1 측면(1142a), 제 2 측면(1142b), 제 3 측면(1142c) 및 제 4 측면(1142d)을 가진다. 제 1 측면(1142a)은 로드포트(1120)와 마주보고, 제 3 측면(1142c)은 로드락 챔버(1260) 및 공기 배출 챔버(1240)와 마주본다. 제 1 측면(1142a)에는 처리 대상물(50)이 출입하기 위한 출입구가 형성되고, 출입구는 도어에 의해 개폐될 수 있다. 제 3 측면(1142c)에는 로드락 챔버(1260) 및 공기 배출 챔버(1240)로 처리 대상물(50)이 출입하기 위한 출입구가 형성된다. 하우징(1142) 내에는 용기(20)의 도어(미도시)를 열기 위한 도어 오프너(미도시)가 제공될 수 있다. 하우징(1142) 내에는 제 2 방향(34)과 평행하게 이송 레일(1146)이 제공된다.
인덱스 로봇(1144)은 이송 레일(1146)을 따라 직선 이동 가능하도록 이송 레일(1146)에 장착될 수 있다. 인덱스로봇(1144)은 베이스(1144a), 몸체(1144b), 그리고 인덱스아암(1144c)을 가진다. 베이스(1144a)는 이송레일(1146)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(1144b)는 베이스(1144a)에 결합된다. 몸체(1144b)는 베이스(1144a) 상에서 상하 방향으로 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스아암(1144c)은 몸체(1144b)에 결합되고, 몸체(1144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스아암(1144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스아암(1144c)들은 상하 방향으로 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스 로봇(1144)는 제 1 로드락 챔버(1262), 제 2 로드락 챔버(1264) 및 공기 배출 챔버(1240)와 로드포트(1120)에 놓인 상기 용기(20)간 처리 대상물(50)을 반송한다.
제 1 공정 처리 챔버(1222)의 일측면에는 처리 대상물(50)이 출입하기 위한 출입구(1222a)가 형성되고, 출입구(1222a)는 도어(미도시)에 의해 개폐될 수 있다. 제 1 공정 처리 챔버(1222)는 출입구(1222a)가 제공된 일측면이 제 1 로드락 챔버(1262)를 향하도록 배치된다. 제 1 공정 처리 챔버(1222)는 처리 대상물(50)에 대해 소정의 공정을 수행한다. 제 1 공정 처리 챔버(1222)는 제 1 압력(P1)에서 처리 대상물(50)을 처리하는 공정을 수행할 수 있다. 제 1 압력(P1)은 진공 압력일 수 있다. 예컨대 제 1 공정 처리 챔버(1222)는 플라스마를 이용하여 기판(51c)에 잔류하는 접착제를 제거하는 공정을 수행할 수 있다.
제 2 공정 처리 챔버(1224)는 일측면에 처리 대상물(50)이 출입하기 위한 출입구(1224a)가 형성되고, 출입구(1224a)는 도어(미도시)에 의해 개폐될 수 있다. 제 2 공정 처리 챔버(1224)는 출입구(1224a)가 제공된 일측면이 제 2 로드락 챔버(1264)를 향하도록 배치된다. 제 2 공정 처리 챔버(1224)는 처리 대상물(50)에 대해 소정의 공정을 수행한다. 제 2 공정 처리 챔버(1224)는 제 1 압력(P1)에서 처리 대상물(50)을 처리하는 공정을 수행할 수 있다. 제 1 압력(P1)은 진공 압력일 수 있다. 예컨대 제 2 공정 처리 챔버는 처리 대상물(50)에 대해 제 1 공정 처리 챔버(1222)와 동일한 공정을 수행하거나 선택적으로 서로 상이한 공정을 수행할 수 있다.
도 10은 도 1의 공기 배출 챔버(1240)를 나타낸 단면도이다. 도 10을 참고하면, 공기 배출 챔버(1240)는 제 1 하우징(1242), 기판 홀더(1244) 및 승강 구동부(1246)를 가진다. 공기 배출 챔버(1240)는 처리 대상물(50)내 공기를 배출 처리 한다. 일 예에 의하면, 공기 배출 챔버(1240)는 감압에 의해 처리 대상물(50)내 공기를 배출한다. 공기 배출 챔버(1240)는 제 1 압력(P1)까지 감압할 수 있다.
제 1 하우징(1242)은 대체로 직육면체 형상을 가진다. 제 1 하우징(1242)은 상면(미도시), 저면(미도시), 제 1 측면(1242a), 제 2 측면(1242b), 제 3 측면(1242c) 및 제 4 측면(1242d)을 가진다. 제 1 측면(1242a)은 프레임(1140)과 마주본다. 제 2 측면(1242b)은 제 1 로드락 챔버(1262)와 마주본다. 제 4 측면(1242d)은 제 2 로드락 챔버(1264)와 마주본다. 제 1 측면(1242a), 제 2 측면(1242b) 및 제 4 측면(1242d)에는 각각 처리 대상물(50)이 출입하기 위한 출입구가 형성되고, 출입구들은 각각 도어에 의해 개폐될 수 있다. 제 1 하우징(1242)의 일 측면에는 배기 유닛(1280)이 연결된다.
도 11은 도 10의 기판 홀더(1244) 및 승강 구동부(1246)를 나타내는 단면도이다. 도 10 및 도 11을 참고하면, 기판 홀더(1244) 및 승강 구동부(1246)는 제 1 하우징(1242) 내부에 제공된다.
기판 홀더(1244)는, 그 내부에 복수개의 기판 지지부(1244a)를 가진다. 기판 지지부(1244a)는 그 상면에 처리 대상물(50)이 놓인다. 따라서 공기 배출 챔버(1240)는 복수개의 처리 대상물(50)을 수용할 수 있어, 공정 시간을 단축할 수 있다. 기판 홀더(1244)는, 제 1 측면(1242a), 제 2 측면(1242b) 및 제 4 측면(1242d)으로부터 처리 대상물(50)이 로딩 또는 언로딩이 가능하도록 제공된다.
승강 구동부(1246)는 기판 홀더(1244)의 하부에 제공된다. 승강 구동부(1246)은 지지축(1246a) 및 모터(1246b)를 가진다.
지지축(1246a)는 기판 홀더(1244)를 지지하며, 모터(1246b)에서 발생된 구동력을 기판 홀더(1244)에 전달한다.
모터(1246b)는 기판 홀더(1244)를 상하 이동시킬 수 있는 구동력을 발생시킨다.
도 12는 도 1의 제 1 로드락 챔버(1262)를 나타낸 단면도이다. 도 1 및 도 12를 참고하면, 제 1 로드락 챔버(1262)는 제 2 하우징(1262a), 버퍼(1262b) 및 반송 로봇(1262c)을 가진다. 제 1 로드락 챔버(1262)에는 공기 배출 챔버(1240) 및 인덱스 모듈(1100)과 제 1 공정 처리 챔버(1222)간에 이송되는 처리 대상물(50)이 임시로 머문다. 제 1 로드락 챔버(1262) 내부는 배기 유닛(1280)에 의해 진공 압력(P1) 및 대기압으로 전환될 수 있다.
제 2 하우징(1262a)은 대체로 직육면체 형상을 가진다. 제 2 하우징(1262a)은 상면(미도시), 저면(미도시), 제 1 측면(1262e), 제 2 측면(1262f), 제 3 측면(1262g) 및 제 4 측면(1262h)을 가진다. 제 1 측면(1262e)은 프레임(1140)과 마주본다. 제 3 측면(1262g)은 제 1 공정 처리 챔버(1222)와 마주본다. 제 4 측면(1262h)은 공기 배출 챔버(1240)와 마주본다. 제 1, 제 3 및 제 4 측면(1262e, 1262g, 1262h)에는 각각 처리 대상물(50)이 출입하기 위한 출입구가 형성되고, 출입구들은 각각 도어에 의해 개폐될 수 있다. 제 2 하우징(1262a)의 일 측면에는 배기 유닛(1280)이 연결된다.
버퍼(1262b)는 제 2 하우징(1262a) 내부에 제공된다. 버퍼(1262b)는 그 내부에 복수개의 처리 대상물(50)이 놓일 수 있다.
반송 로봇(1262c)은 상하 이동 가능하게 제공된다. 반송 로봇(1262c)의 블레이드(1262d)는 수평면 상에서 전진, 후진 및 회전 등이 가능하도록 제공된다. 블레이드(1262d)는 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 반송 로봇(1262c)은 제 1 공정 처리 챔버(1222) 및 공기 배출 챔버(1240)와 버퍼(1262b)간에 처리 대상물(50)을 반송한다. 도 12 에서는 한 개의 블레이드(1262d)를 가진 반송 로봇(1262c)이 도시되었다.
제 2 로드락 챔버(1264)에는 공기 배출 챔버(1240) 및 인덱스 모듈(1100)과 제 2 공정 처리 챔버(1224)간에 이송되는 처리 대상물(50)이 임시로 머문다. 제 2 로드락 챔버(1264)는 그외 구성, 구조 및 기능 등은 제 1 로드락 챔버(1262)와 유사하다.
도 13은 도 1의 배기 유닛(1280) 및 제어기(1290)가 더 포함된 기판 처리 장치의 일부의 모습을 나타낸 단면도이다. 도 13을 참고하면, 배기 유닛(1280)은 펌프(1282)와 제 1 밸브(1284a)가 제공된 제 1 배기라인(1284), 제 2 밸브(1286a)가 제공된 제 2 배기라인(1286) 및 제 3 밸브(1288a)가 제공된 제 3 배기라인(1288)을 가진다.
펌프(1282)는 공정 처리 챔버(1220), 공기 배출 챔버(1240) 및 로드락 챔버(1260) 내부의 공기를 배출하여 내부 압력을 감압시킨다.
제 1 배기 라인(1284)은 공정 처리 챔버(1220)과 펌프(1282)를 연결한다. 공정 처리 챔버(1220)의 내부 공기는 제 1 배기 라인(1284)를 통해 배출된다.
제 1 밸브(1284a)는 공정 처리 챔버(1220) 내부 공기의 배출량을 조절한다.
제 2 배기 라인(1286)은 공기 배출 챔버(1240)과 펌프(1282)를 연결한다. 공기 배출 챔버(1240)의 내부 공기는 제 2 배기 라인(1286)를 통해 배출된다.
제 2 밸브(1286a)는 공기 배출 챔버(1240) 내부 공기의 배출량을 조절한다.
제 3 배기 라인(1286)은 로드락 챔버(1260)과 펌프(1282)를 연결한다. 로드락 챔버(1260)의 내부 공기는 제 3 배기 라인(1286)를 통해 배출된다.
제 3 밸브(1286a)는 로드락 챔버(1260) 내부 공기의 배출량을 조절한다.
기판 처리 장치(1)는 제어기(1290)를 더 포함할 수 있다. 제어기(1290)는 제 1 내지 제 3 밸브(1284a, 1286a, 1288a)의 개폐율을 조절한다. 따라서 제어기(1290)는 공정 처리 챔버(1220), 공기 배출 챔버(1240) 및 로드락 챔버(1260)의 감압 속도를 제어할 수 있다. 제어기(1290)는 공기 배출 챔버(1240) 내부의 감압 속도를 공정 처리 챔버(1220) 내부의 감압속도보다 느리도록 제어함으로써 처리 대상물(50) 내부의 공기 배출시 마운팅 테이프(72)와 기판(51c) 사이의 압력과 공기 배출 챔버(1240) 내부의 압력 차를 최소화하여 기판(51)의 휨(Warpage)현상을 방지한다.
이하 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 실시예를 설명한다. 도 14는 공정 처리 챔버가 도 1의 기판 처리 장치(1)와 상이하게 배치된 기판 처리 장치(2)의 일부를 나타낸 도면이다. 도 14를 참고하면, 공정 처리 챔버(2220)는 공기 배출 챔버(2240) 및 로드락 챔버(2260)와 제 2 방향(3)과 평행한 방향으로 배열된다. 이 경우 로드락 챔버(2260)는 공기 배출 챔버(2240)와 공정 처리 챔버(2220)의 사이에 배치된다. 기판 처리 장치(2)는 그 외 구조, 구성 및 기능 등이 도 1의 기판 처리 장치(1)와 유사하다.
이하 본 발명의 기판 처리 장치의 또다른 실시예를 설명한다. 도 15는 트랜스퍼 챔버가 제공된 기판 처리 장치(3)를 나타낸 단면도이다. 도 15를 참고하면, 기판 처리 장치(3)는 도 1의 기판 처리 장치(1)와 달리 트랜스퍼 챔버(3250)를 더 포함한다.
트랜스퍼 챔버(3250)는 상부에서 바라볼 때 대체로 6각형의 형상을 가진다. 트랜스퍼 챔버(3250)는 그 인접하는 두 측면에 로드락 챔버(3260)가 배열되고, 그 외의 측면들에 복수개의 공정 처리 챔버(3220)가 배열된다. 트랜스퍼 챔버(3250)는 그 내부에 트랜스퍼 로봇(3252)이 제공된다. 트랜스퍼 로봇(3252)은 공정 처리 챔버(3220)과 로드락 챔버(3260)간에 처리 대상물을 반송한다. 트랜스퍼 챔버(3250)는 그 내부 압력을 진공 또는 상압으로 조절할 수 있다.
기판 처리 장치(3)는 그 외 구성, 구조 및 기능 등은 도 1의 기판 처리 장치(1)와 유사하다.
이하 본 발명의 기판 처리 방법을 도 1의 기판처리장치(1)를 이용하여 설명한다. 도 16은 본 발명의 기판 처리 방법을 간략히 나타낸 순서도 이고, 도 17은 기판 처리 장치(1)에서 도 2의 처리 대상물(50)의 이동 경로를 간략히 나타낸 도면이다. 도 1, 도 2, 도 16 및 도 17을 참고하면, 기판 처리 방법은 처리 대상물(50)을 로드포트(1120)에서 공기 배출 챔버(1240) 내로 이송 시키는 단계(S1), 공기 배출 챔버(1240) 내에서 마운팅 테이프(72)와 기판(51c) 사이에 속박된 공기를 배출 시키는 단계(S2), 공기가 배출된 처리 대상물(50)을 공기 배출 챔버(1240)에서 제 1 로드락 챔버(1262) 또는 제 2 로드락 챔버(1264)로 이송하는 단계(S3), 처리 대상물(50)을 제 1 로드락 챔버(1262) 또는 제 2 로드락 챔버(1264)에서 각각 제 1 공정 처리 챔버(1222) 또는 제 2 공정 처리 챔버(1224)로 이송하는 단계(S4), 마운팅 테이프(42)와 기판(51c) 사이에 속박된 공기가 배출된 처리 대상물(50)을 제 1 또는 제 2 공정 처리 챔버(1222, 1224)내에서 플라스마를 이용해 처리하는 단계(S5), 플라스마를 이용해 처리된 처리 대상물(50)을 제 1 또는 제 2 공정 처리 챔버(1222, 1224)에서 각각 제 1 또는 제 2 로드락 챔버(1262, 1264)로 이송하는 단계(S6) 및 플라스마를 이용한 처리가 완료된 처리 대상물(50)을 제 1 또는 제 2 로드락 챔버(1262, 1264)에서 로드 포트(1120)로 이송하는 단계(S7)를 포함한다.
처리 대상물(50)을 로드포트(1120)에서 공기 배출 챔버(1240) 내로 이송 시키는 단계(S1)에서는 복수개의 처리 대상물(50)이 공기 배출 챔버(1240)내 기판 홀더(1244)로 이송된다. 따라서, 복수개의 처리 대상물(50)을 한꺼번에 공기 배출 처리 함으로써 공정 시간이 단축된다.
공기 배출 챔버(1240) 내에서 마운팅 테이프(72)와 기판(51c) 사이에 속박된 공기를 배출 시키는 단계(S2)는 감압에 의해 이루어질 수 있다. 공기 배출 챔버(1240)내 압력은 제 1 압력(P1)까지 감압될 수 있다. 공기 배출 챔버(1240)내 압력의 감압은 공정 처리 챔버(1220)내 압력의 감압보다 느린 속도로 이루어진다. 공기 배출 챔버(1240)내 감압 속도는 마운팅 테이프(72)와 기판(51c) 사이의 압력과 공기 배출 챔버(1240)내 압력간의 차이가 최소한이 되도록 느리게 조절됨으로써 압력차이로 인한 기판의 휨(Warpage)현상을 방지한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1, 2, 3 : 기판 처리 장치
50: 처리 대상물
1100: 인덱스 모듈
1120: 로드포트
1130: 프레임
1200: 처리 모듈
1220: 공정 처리 챔버
1240: 공기 배출 챔버
1260: 로드락 챔버
1280: 배기 유닛
1290: 제어기

Claims (33)

  1. 인덱스 모듈과;
    처리모듈;을 포함하되,
    상기 인덱스 모듈은,
    처리 대상물이 수납되는 용기가 놓이는 로드포트;와
    상기 용기와 상기 처리모듈간에 상기 처리 대상물을 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 프레임;을 가지고,
    상기 처리 모듈은,
    상기 처리 대상물을 플라스마로 처리하는 공정 처리 챔버;와
    상기 처리 대상물 내 공기를 배출 처리하는 공기 배출 챔버;를 가지는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리 대상물은,
    프레임 링; 상기 프레임 링의 내측면에 고정된 마운팅 테이프; 및 상기 마운팅 테이프의 상면에 부착되는 기판;을 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 공기 배출 챔버는, 감압에 의해 상기 처리 대상물 내 공기를 배출 처리 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 공정 처리 챔버 및 상기 공기 배출 챔버 내의 감압을 제어하는 제어기;를 더 포함하되,
    상기 제어기는, 상기 공정 처리 챔버 내의 감압속도 보다 상기 공기 배출 챔버 내의 감압속도를 더 느리게 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 공정 처리 챔버는, 제 1 압력에서 상기 처리 대상물을 플라스마로 처리하고,
    상기 제어기는, 상기 공기 배출 챔버 내의 압력이 제 1 압력까지 감압되도록 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 공기 배출 챔버는, 복수개의 처리 대상물을 수용하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 공기 배출 챔버는,
    제 1 하우징;과
    상기 제 1 하우징 내부에 제공된 기판 홀더;와
    상기 기판 홀더를 상하 방향으로 직선 이동 시키는 승강 구동부;를 가지되,
    상기 기판 홀더는, 복수개의 상기 처리 대상물을 지지할 수 있는 기판 지지부;를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 공기 배출 챔버 및 상기 공정 처리 챔버와 상기 인덱스 모듈간에 상기 처리 대상물이 이송되는 경우, 상기 처리 대상물이 임시로 머무는 로드락 챔버;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 공정 처리 챔버는, 상기 로드락 챔버의 제 3 측면에 인접하게 배치되고,
    상기 공기 배출 챔버는, 상기 로드락 챔버의 제 4 측면에 인접하게 배치되며,
    상기 제 3 측면과 상기 제 4 측면은 서로 수직한 기판 처리 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 로드락 챔버는,
    제 2 하우징;과
    하나 또는 복수개의 상기 처리 대상물을 수용하며, 상기 제 2 하우징 내부에 제공된 버퍼;와
    상기 제 2 하우징 내부에 위치하며, 상기 제 2 하우징의 내외부로 상기 처리 대상물을 반입 및 반출 시키는 반송 로봇;을 가지는 기판 처리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 반송 로봇은,
    상기 공정 처리 챔버 및 상기 공기 배출 챔버와 상기 버퍼간 상기 처리 대상물을 반송할 수 있도록 제공되는 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항 내지 제 2 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 인덱스 로봇은,
    상기 공기 배출 챔버 및 상기 로드락 챔버와 상기 로드포트에 놓인 상기 용기간 상기 처리 대상물을 반송할 수 있도록 제공되는 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항 및 제 2 항 중 어느 하나에 있어서,
    배기 유닛을 더 포함하되,
    상기 배기 유닛은,
    상기 공기 배출 챔버 및 상기 공정 처리 챔버 외부로 공기를 배출하는 펌프;와
    상기 공기 배출 챔버와 상기 펌프를 연결하며, 제 1 밸브가 제공된 제 1 배기 라인;과
    상기 공정 처리 챔버 와 상기 펌프를 연결하며, 제 2 밸브가 제공된 제 2 배기 라인;을 가지는 기판 처리 장치.
  14. 인덱스 모듈과;
    처리모듈;을 포함하되,
    상기 인덱스 모듈은,
    처리 대상물이 수납되는 용기가 놓이는 로드포트;와
    상기 용기와 상기 처리모듈간에 처리 대상물을 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 프레임;을 가지고,
    상기 처리 모듈은,
    상기 처리 대상물을 플라스마로 처리하는 제 1 및 제 2 공정 처리 챔버;와
    상기 처리 대상물 내 공기를 배출 처리하는 공기 배출 챔버;와
    상기 공기 배출 챔버 및 상기 제 1 공정 처리 챔버와 상기 인덱스 모듈간에 상기 처리 대상물이 이송되는 경우 상기 처리 대상물이 임시로 머무는 제 1 로드락 챔버;와
    상기 공기 배출 챔버 및 상기 제 2 공정 처리 챔버와 상기 인덱스 모듈간에 상기 처리 대상물이 이송되는 경우 상기 처리 대상물이 임시로 머무는 제 2 로드락 챔버;를 가지며,
    상기 제 1 공정 처리 챔버, 상기 제 1 로드락 챔버 및 상기 프레임은 제 1 방향과 평행한 방향으로 순차적으로 배열되고,
    상기 제 2 공정 처리 챔버, 상기 제 2 로드락 챔버 및 상기 프레임은 상기 제 1 방향과 평행한 방향으로 순차적으로 배열되며,
    상기 제 1 공정 처리 챔버 및 상기 제 2 공정 처리 챔버는 상기 제 1 방향에 수직한 방향인 제 2 방향에 평행한 방향으로 배열되고,
    상기 제 1 로드락 챔버 및 상기 제 2 로드락 챔버는 상기 제 2 방향에 평행한 방향으로 배열되며,
    상기 공기 배출 챔버는, 상기 제 1 로드락 챔버와 상기 제 2 로드락 챔버 사이에 배치되는 기판 처리 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 처리 대상물은,
    프레임 링; 상기 프레임 링의 내측면에 고정된 마운팅 테이프; 및 상기 마운팅 테이프의 상면에 부착되는 기판;을 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 제 14 항 또는 제 15 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 공기 배출 챔버는, 감압에 의해 상기 처리 대상물 내 공기를 배출 처리 하는 기판 처리 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제1 공정 처리 챔버, 제2 공정 처리 챔버 및 상기 공기 배출 챔버 내의 감압을 제어하는 제어기;를 더 포함하되,
    상기 제어기는, 상기 제 1 및 제 2 공정 처리 챔버 내의 감압속도보다 상기 공기 배출 챔버 내의 감압속도를 더 느리게 제어하는 기판 처리 장치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 공정 처리 챔버는, 제 1 압력에서 상기 처리 대상물을 플라스마로 처리하고,
    상기 제어기는, 상기 공기 배출 챔버 내의 압력이 제 1 압력까지 감압되도록 제어하는 기판 처리 장치.
  19. 제 14 항 또는 제 15 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 공기 배출 챔버는, 복수개의 처리 대상물을 수용하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 공기 배출 챔버는,
    제 1 하우징;과
    상기 제 1 하우징 내부에 제공된 기판 홀더;와
    상기 기판 홀더를 상하 방향으로 직선 이동 시키는 승강 구동부;를 가지되,
    상기 기판 홀더는, 복수개의 상기 처리 대상물을 지지할 수 있는 기판 지지부;를 포함하는 기판 처리 장치.
  21. 제 14 항 또는 제 15 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 로드락 챔버는,
    각각 제 2 하우징;과
    하나 또는 복수개의 상기 처리 대상물을 수용하며, 상기 제 2 하우징 내부에 제공된 버퍼;와
    상기 제 2 하우징 내부에 위치하며, 상기 제 2 하우징의 내외부로 상기 처리 대상물을 반입 및 반출 시키는 반송 로봇;을 가지는 기판 처리 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 반송 로봇은,
    상기 공정 처리 챔버 및 상기 공기 배출 챔버와 상기 버퍼간 상기 처리 대상물을 반송할 수 있도록 제공되는 기판 처리 장치.
  23. 제 14 항 내지 제 15 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 인덱스 로봇은,
    상기 공기 배출 챔버 및 상기 로드락 챔버와 상기 로드포트에 놓인 상기 용기간 상기 처리 대상물을 반송할 수 있도록 제공되는 기판 처리 장치.
  24. 제 14 항 또는 제 15 항 중 어느 하나에 있어서,
    배기 유닛을 더 포함하되,
    상기 배기 유닛은,
    상기 공기 배출 챔버, 상기 제 1 공정 처리 챔버 및 상기 제 2 공정 처리 챔버 외부로 공기를 배출하는 펌프;와
    상기 공기 배출 챔버와 상기 펌프를 연결하며, 제 1 밸브가 제공된 제 1 배기 라인;과
    상기 공정 처리 챔버 와 상기 펌프를 연결하며, 제 2 밸브가 제공된 제 2 배기 라인;을 가지는 기판 처리 장치.
  25. 프레임 링; 상기 프레임 링의 내측면에 고정된 마운팅 테이프; 및 상기 마운팅 테이프의 상면에 부착되는 기판;를 포함하는 처리 대상물을 진공에서 공정 처리 하는 방법에 있어서;
    상기 마운팅 테이프와 상기 기판 사이에 속박된 공기를 배출 시키는 단계;
    공기가 배출된 상기 처리 대상물을 플라스마를 이용해 처리하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.
  26. 제 25 항에 있어서,
    상기 공기를 배출시키는 단계는, 감압에 의해 이루어지는 기판 처리 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 감압은, 복수개의 상기 처리 대상물에 대해 동시에 이루어지는 기판 처리 방법.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 처리 대상물을 플라스마를 이용해 처리하는 단계는, 제 1 챔버 내에서 이루어지고,
    상기 공기를 배출시키는 단계는, 상기 제 1 챔버와 상이한 제 2 챔버 내에서 이루어지는 기판 처리 방법.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 감압은, 상기 제 1 챔버 내의 감압 속도보다 느리게 이루어지는 기판 처리 방법.
  30. 제 14 항의 기판 처리 장치를 이용하여 프레임 링; 상기 프레임 링의 내측면에 고정된 마운팅 테이프; 및 상기 마운팅 테이프의 상면에 부착되는 기판;를 포함하는 처리 대상물을 진공에서 공정 처리 하는 방법에 있어서;
    상기 처리 대상물을 상기 로드포트에서 상기 공기 배출 챔버 내로 이송 시키는 단계;
    상기 공기 배출 챔버 내에서 상기 마운팅 테이프와 상기 기판 사이에 속박된 공기를 배출 시키는 단계;
    공기가 배출된 상기 처리 대상물을 상기 공기 배출 챔버에서 상기 제 1 또는 제 2 로드락 챔버로 이송하는 단계;
    상기 처리 대상물을 상기 제1 또는 제2 로드락 챔버에서 각각 상기 제 1 또는 제 2 공정 처리 챔버로 이송하는 단계;
    상기 마운팅 테이프와 상기 기판 사이에 속박된 공기가 배출된 상기 처리 대상물을 상기 제 1 또는 제 2 공정 처리 챔버내에서 플라스마를 이용해 처리하는 단계;
    플라스마를 이용해 처리된 상기 처리 대상물을 상기 제 1 또는 제 2 공정 처리 챔버에서 각각 상기 제 1 또는 제 2 로드락 챔버로 이송하는 단계;
    상기 플라스마를 이용한 처리가 완료된 처리 대상물을 상기 제 1 또는 제 2 로드락 챔버에서 상기 로드 포트로 이송하는 단계;를 포함하는 기판 처리 방법.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 공기 배출 챔버에서 상기 마운팅 테이프와 상기 기판 사이에 속박된 공기를 배출시키는 단계는, 감압에 의해 이루어지는 기판 처리 방법.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 감압은, 복수개의 상기 처리 대상물에 대해 동시에 이루어지는 기판 처리 방법.
  33. 제 31 항에 있어서,
    상기 감압은, 상기 공정 처리 챔버 내의 감압 속도보다 느리게 이루어지는 기판 처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20160062626A (ko) * 2014-11-25 2016-06-02 (주)에스티아이 이중 배기 구조의 프로세스챔버와 이를 포함하는 기판제조장치 및 기판제조방법
KR101680850B1 (ko) * 2016-06-28 2016-11-29 주식회사 기가레인 배기유로의 크기가 조절되는 플라즈마 처리 장치
JP6738485B2 (ja) * 2016-08-26 2020-08-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 低圧リフトピンキャビティハードウェア

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4833512B2 (ja) * 2003-06-24 2011-12-07 東京エレクトロン株式会社 被処理体処理装置、被処理体処理方法及び被処理体搬送方法
JP2007294541A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの分割方法
JP5687862B2 (ja) * 2010-08-06 2015-03-25 東京応化工業株式会社 洗浄装置、洗浄方法及び組成物
KR101390900B1 (ko) * 2011-05-31 2014-04-30 세메스 주식회사 기판처리장치
KR101870660B1 (ko) * 2011-08-19 2018-06-26 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법

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