KR20150094116A - 다이 본딩 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 다이 본딩 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 다이 본딩 장치는 이송 유닛; 상기 이송 유닛으로 기판을 로딩하는 로딩 부재; 상기 이송 유닛에서 기판을 언로딩 하는 언로딩 부재; 다이들을 제공하는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더; 및 상기 웨이퍼에서 상기 다이들 가운데 하나를 픽업한 후, 픽업된 상기 다이 방향으로 기체를 분사하여 상기 기체가 제공하는 압력으로 상기 다이를 상기 이송 유닛에 위치된 상기 기판의 상면에 부착하는 본딩 부재를 포함한다.

Description

다이 본딩 장치{Die bonding apparatus}
본 발명은 다이 본딩 장치에 관한 것이다.
반도체 패키지 공정은 웨이퍼를 절단하여 반도체 칩인 다이로 개별화하는 소잉(Sawing)공정, 개별화된 다이들을 기판에 부착하는 다이 본딩 공정, 다이와 기판의 접속 패드들을 전기적으로 연결하는 와이어 본딩 공정, 다이와 다이의 주변부를 몰딩하는 몰딩공정 및 기판의 볼 패드에 외부 접속 단자를 형성하는 공정을 포함한다.
다이를 기판에 부착하는 다이 본딩 공정은 다이 본딩 장치에 의해 수행된다. 다이 본딩 장치는 다이를 기판에 대해 가압하여, 다이를 기판에 부착한다. 다이 본딩 장치가 다이를 가압하는 과정에서, 다이의 영역에 따른 힘의 불균형이 발생되면 다이가 파손될 수 있다.
본 발명은 다이가 기판에 부착되는 과정에서, 다이가 파손되는 것이 방지되는 다이 본딩 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 측면에 따르면, 이송 유닛; 상기 이송 유닛으로 기판을 로딩하는 로딩 부재; 상기 이송 유닛에서 기판을 언로딩 하는 언로딩 부재; 다이들을 제공하는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더; 및 상기 웨이퍼에서 상기 다이들 가운데 하나를 픽업한 후, 픽업된 상기 다이 방향으로 기체를 분사하여 상기 기체가 제공하는 압력으로 상기 다이를 상기 이송 유닛에 위치된 상기 기판의 상면에 부착하는 본딩 부재를 포함하는 다이 본딩 장치가 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 다이가 기판에 부착되는 과정에서 다이가 파손되는 것이 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다이 본딩 장치의 평면도이다.
도 2 는 도 1의 본딩 부재의 사시도이다.
도 3은 도 2의 A-A에 따른 단면도이다.
도 4는 도 2의 B-B에 따른 단면도이이다.
도 5는 도 2의 C-C에 따른 단면도이다.
도 6은 도 2의 본딩 헤드의 저면도이다.
도 7은 다이를 흡착한 상태의 본딩 부재의 횡단면도이다.
도 8은 다이가 기판에 부착되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 9는 도 8의 A영역을 나타내는 도면이다.
도 10은 도 1의 보조 본딩 부재를 나타내는 사이도이다.
도 11은 도 10의 D-D에 따른 단면도이다.
도 12는 도 10의 보조 본딩 부재의 저면도이다.
도 13은 보조 본딩 부재의 아래에 셔틀이 위치된 상태를 나타내는 도면이다.
도 14는 도 13의 측단면도이다.
도 15는 다른 실시 예에 따른 보조 본딩 부재를 나타내는 나타내는 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 다이 본딩 장치의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 다이 본딩 장치(1)는 로딩 부재(10), 이송 유닛(20), 언로딩 부재(30), 다이 공급유닛(40) 및 보조 본딩 부재(50)를 포함한다.
이하, 로딩 부재(10)와 언로딩 부재(30)의 이격 방향을 제 1 방향(X), 위쪽에서 볼 때 제 1 방향(X)에 수직한 방향을 제 2 방향(Y), 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)에 수직한 높이 방향을 제 3 방향(Z)이라 한다.
로딩 부재(10)는 기판(S)을 이송 유닛(20)에 로딩한다. 로딩 부재(10)는 공급 용기(11) 및 로더(12)를 포함한다. 공급 용기(11)는 반도체 칩(이하, 다이라 한다)이 부착될 기판(S)들을 수용한다. 로더(12)는 공급 용기(11)에 수용된 기판(S)들을 이송 유닛(20)으로 순차적으로 로딩한다. 공급 용기(11)에 수용된 기판(S)은 인쇄 회로 기판(PCB) 또는 리드 프레임(Lead Frame)일 수 있다.
이송 유닛(20)에는 로딩 부재(10)에서 로딩된 기판(S)이 위치된 후, 다이(D)가 기판(S)에 부착되는 공간을 제공한다. 이송 유닛(20)은 로딩 부재(10)에 인접하게 위치된다. 이송 유닛(20)은 레일(21)들 및 셔틀(22)을 포함한다.
레일(21)들은 로딩 부재(10)와 언로딩 부재(10) 사이에 위치될 수 있다. 예를 들어, 레일(21)들의 길이 방향은 제 1 방향(X)으로 제공될 수 있다. 그리고, 레일(21)들은 제 2 방향(Y)으로 서로 이격되게 나란하게 배열될 수 있다.
셔틀(22)은 레일(21)들 상에 제공될 수 있다. 셔틀(22)의 상면은 평면으로 제공될 수 있다. 또한, 셔틀(22) 상면의 면적은 기판(S)의 면적 이상으로 제공될 수 있다. 셔틀(22)은 레일(21)들을 따라 로딩 부재(10)와 언로딩 부재(10) 사이를 이동 가능가게 제공된다. 구체적으로, 셔틀(22)은 외부에서 제공되는 동력에 의해 레일(21)들 상을 이동할 수 있다. 예를 들어, 레일(21)들 중 하나 이상에는 그립퍼(23)가 제공될 수 있다. 그립퍼(23)는 레일(21)을 따라 이동가능 하게 제공된다. 그리고, 그립퍼(23)의 일측은 셔틀(22)에 연결된다. 셔틀(22)은 다이(D)가 부착될 기판(S)이 위치되는 공간을 제공한다. 셔틀(22)의 이동 경로상에는 뒤에서 상술할 보조 본딩 부재(50)가 제공된다.
언로딩 부재(30)는 다이(D)가 부착된 기판(S)을 이송 유닛(20)에서 언로딩 한다. 언로딩 부재(30)는 이송 유닛(20)과 인접하게 위치된다. 예를 들어, 언로딩 부재(30)는 이송 유닛(20)을 기준으로 로딩 부재(10)의 반대쪽에 위치될 수 있다. 언로딩 부재(30)는 수납 용기(31) 및 언로더(32)를 포함한다. 수납 용기(31)는 다이(D)가 부착된 기판(S)들을 수용한다. 언로더(32)는 다이(D)가 부착된 기판(S)을 셔틀(22)에서 언로딩하여 수납 용기(31)에 적재한다.
다이 공급 유닛(40)은 웨이퍼(W)에서 다이(D)를 분리한 후 이송 유닛(20)에 위치된 기판(S)에 부착한다. 다이 공급 유닛(40)은 이송 유닛(20)에 인접하게 위치된다. 예를 들어, 다이(D) 공급 유닛은 레일(21)에 대해 제 2 방향(Y)으로 이격되게 위치될 수 있다. 다이 공급유닛(40)은 웨이퍼 홀더(41), 이송 로봇(42) 및 본딩 부재(43)를 포함한다.
웨이퍼 홀더(41)는 웨이퍼(W)에서 다이(D)가 분리되는 동안 웨이퍼(W)를 지지한다. 웨이퍼(W)는 카세트(C)에 수용된 상태로, 다이 공급유닛(40)과 인접한 곳으로 이송될 수 있다. 카세트(C)는 웨이퍼 홀더(41)에 인접한 곳에 위치될 수 있다. 예를 들어 카세트(C)는 웨이퍼 홀더(41)를 기준으로 이송 유닛(20)의 반대쪽에 위치될 수 있다. 카세트(C)는 작업자 또는 반송 장치에 의해 이동될 수 있다. 일 예로, 반송 장치는 오에이치티(OHT, Overhead Hoist Transport) 또는 무인 반송차(Automatic guided vehicle) 등 일 수 있다. 웨이퍼(W)는 제조 공정(Fabrication Process), 이디에스(EDS, Electrical die sorting) 공정, 백 그라인딩(Back Grinding) 공정 등이 수행된 웨이퍼(W)일 수 있다. 웨이퍼(W)는 저면에 필름이 부착된 후 소잉 공정이 수행되어, 필름의 상면에 다이(D)들이 부착되어 있다. 필름의 상면에는 다이(D)가 쉽게 분리되도록 자외선 처리가 되어 있을 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 가장자리에는 웨이퍼 링(R)이 제공될 수 있다. 웨이퍼 홀더(41)는 웨이퍼 링(R)을 외측으로 잡아당기면서 웨이퍼(W)를 지지하고, 이에 의해 필름이 팽창되어, 다이(D)가 필름에서 용이하게 분리되게 할 수 있다.
웨이퍼 홀더(41) 및 카세트(C)와 인접한 곳에는 이송 로봇(42)이 위치된다. 이송 로봇(42)은 카세트(C)에서 웨이퍼(W)를 인출하여 웨이퍼 홀더(41)상에 놓는다.
웨이퍼 홀더(41)의 내측에는 웨이퍼(W)의 아래쪽에 위치되도록 다이 이젝터가 제공될 수 있다. 다이 이젝터는 각각의 다이(D)를 필름에서 분리시킨다.
도 2 는 도 1의 본딩 부재의 사시도이다.
도 2를 참조하면, 본딩 부재(43)는 바디(100) 및 본딩 헤드(200)를 포함한다.
본딩 부재(43)는 웨이퍼 홀더(41)와 이송 유닛(20) 사이를 이동 가능하게 제공되어, 웨이퍼(W)에서 다이(D)를 픽업한 후 이송 유닛(20)에 위치된 기판(S)에 부착한다.
바디(100)는 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)으로 이동 가능하게 제공된다. 예를 들어, 바디(100)의 상부는 레일 구조물, 캔트리 구조물, 체인 구조물 또는 벨트 구조물 등에 연결되어, 제 1 방향(X) 및 제 2 방향(Y)으로 이동 가능하게 제공될 수 있다. 또한, 바디(100)의 하부는 제 3 방향(Z)으로 이동가능하게 제공될 수 있다. 예를 들어, 바디(100)의 상부가 연결된 구조물이 상하로 승강 가능하게 제공되어, 바디(100)가 제 3 방향(Z)으로 이동가능하게 제공될 수 있다. 또한, 바디(100)는 실린더 구조, 텔레스코픽 구조 등으로 제공되어, 바디(100)의 길이가 가변됨에 따라 바디(100)의 하부의 높이가 조절될 수 도 있다.
도 3은 도 2의 A-A에 따른 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본딩 헤드(200)는 바디(100)의 하부에 제공된다. 본딩 헤드(200)는 진공 흡착 방식으로 웨이퍼(W)에 있는 다이(D)를 픽업할 수 있다. 구체적으로, 본딩 헤드(200)의 하면에는 흡착홀(201)이 형성될 수 있다. 흡착홀(201)은 본딩 헤드(200) 하면의 중앙부에 형성될 수 있다. 흡착홀(201)은 흡착관(202)에 연결된다. 흡착관(202)은 본딩 헤드(200)의 하부에서 본딩 헤드(200)의 내부를 가로질러 상방으로 형성될 수 있다. 또한, 흡착관(202)은 바디(100)의 하부까지 연장되게 형성될 수 있다.
흡착관(202)은 흡기 배관(203) 및 퍼지 배관(205)과 연결될 수 있다.
흡기 배관(203)은 흡기 부재(204)와 흡착관(202)을 연결한다. 흡기 부재(204)는 흡착관(202)에 위치한 기체를 배기하여 흡착홀(201)에 흡입 압력이 형성되도록 한다. 예를 들어 흡기 부재(204)는 흡착관(202)의 기체를 배기하는 펌프로 제공될 수 있다.
퍼지 배관(205)은 퍼지가스 공급부재(206)와 흡착관(202)을 연결한다. 퍼지가스 공급부재(206)는 흡착관(202)으로 퍼지 가스를 공급한다. 퍼지가스가 흡착관(202)으로 공급되면, 흡착홀(201)에 형성된 흡입 압력이 감소 또는 제거될 수 있다. 퍼지 배관(205)에는 퍼지 배관(205)을 개폐하거나, 퍼지 배관(205)의 개방 정도를 조절할 수 있는 퍼지 밸브(207)가 제공될 수 있다.
도 4는 도 2의 B-B에 따른 단면도이고, 도 5는 도 2의 C-C에 따른 단면도이고, 도 6은 도 2의 본딩 헤드의 저면도이다.
도 2 내지 도 6을 참고하면, 본딩 헤드(200)의 저면에는 흡착부(210), 가압부(211) 및 가압홈(212)들이 형성될 수 있다.
흡착부(210)는 흡착홀(201)을 둘러싸도록 제공된다. 따라서, 흡착홀(201)이 본딩 헤드(200) 저면의 중앙부에 형성된 경우, 흡착부(210) 역시 본딩 헤드(200) 저면의 중앙부에 형성된다. 흡착부(210)는 본딩 헤드(200) 저면 중에서 가장 아래쪽으로 돌출되도록 형성된다. 흡착부(210)는 저면이 평면으로 제공될 수 있다. 또한, 아래쪽에서 바라 볼 때 흡착부(210)의 형상은 원형, 타원형 또는 다각형 등으로 형성될 수 있다.
가압부(211)는 흡착부(210)의 둘레에 형성된다. 가압부(211)는 본딩 헤드(200)의 하면에 형성된 홈으로 제공된다. 가압부(211)는 흡착부(210)의 외면에서 외측으로 일정 폭을 갖도록 제공될 수 있다. 아래쪽에서 볼 때, 가압부(211)의 형상은 원형, 타원형 또는 다각형 형상으로 제공될 수 있다.
가압부(211)는 다이(D)를 가압 할 기체가 수용되는 공간을 제공한다. 가압부(211)는 흡착홀(201)을 중심으로한 각 방향의 폭이 균일하게 형성될 수 있다. 예를 들어, 본딩 헤드(200)의 아래쪽에서 볼 때, 가압부(211)의 외곽의 형상은 흡착홀(201)을 중심으로 한 원으로 형성될 수 있다.
가압홈(212)은 다이(D)를 가압 할 기체가 수용되는 공간을 제공한다. 가압홈(212)들은 본딩 헤드(200) 저면의 전반에 걸쳐 가압부(211)의 외측에 위치되게 형성될 수 있다. 예를 들어, 본딩 헤드(200)의 아래쪽에서 볼 때, 각각의 가압홈(212)은 선형으로 제공되고, 서로 일정 거리 이격되어 나란하게 배열될 수 있다. 그리고, 가압홈(212)들 중 일부는 가압부(211)의 외측과 연결되게 형성된다. 가압홈(212)들의 측면 형상은 본딩 헤드(200)의 중심을 기준으로 대칭되게 형성될 수 있다. 예를 들어, 본딩 헤드(200) 저면의 중심을 지나는 직선 상에 위치되는 중심 가압홈(212a)은 측면 형상이 정삼각형 또는 이등변 삼각형으로 제공될 수 있다. 그리고, 중심 가압홈(212a)의 양측에 위치된 외측 가압홈(212b)들의 측면 형상은 중심 가압홈(212a)을 기준으로 대칭되게 제공된다. 그리고, 외측 가압홈(212b)들은 본딩 헤드(200) 저면의 중심과 인접한 방향의 경사가 본딩 헤드(200) 저면의 외측 방향의 경사보다 작게 형성된다. 예를 들어, 외측 가압홈(212b)들의 측면 형상은 본딩 헤드(200) 외측 방향의 경사가 수직을 이루는 직각 삼각형으로 제공될 수 있다.
각각의 가압홈(212)들은 가압배관(220)을 통해 가스 공급 부재(223)에 연결된다. 가스 공급 부재(223)는 각각의 가압홈(212)들에 공급되어 다이(D)를 가압하기 위한 가스를 저장 및 공급한다. 가압배관(220)은 메인 가압 배관(221) 및 분지 배관(222)들을 포함한다.
메인 가압 배관(221)의 일단은 가스 공급 부재(223)에 연결되고, 메인 가압 배관(221)의 타단은 바디(100) 또는 본딩 헤드(200)에 연결된다. 메인 가압 배관(221)에는 메인 가압 배관(221)을 개폐 하거나, 메인 가압 배관(221)의 개방 정도를 조절하는 밸브(224)가 제공될 수 있다.
메인 가압 배관(221)과 분지 배관(222)들 사이에는 분배 공간(230)이 제공될 수 있다. 분배 공간(230)은 메인 가압 배관(221)을 통해 공급된 기체가 각각의 분지 배관(222)으로 분배 되도록 한다. 분배 공간(230)은 바디(100)의 내부 또는 본딩 헤드(200)의 내부에 걸쳐 형성될 수 있다. 구체적으로, 메인 가압 배관(221)이 바디(100)에 연결되는 경우, 분배 공간(230)은 바디(100)의 내부와 본딩 헤드(200)의 내부를 걸쳐 형성될 수 있다. 또한, 메인 가압 배관(221)이 본딩 헤드(200)에 연결되는 경우, 분배 공간(230)은 본딩 헤드(200)의 내부에 형성될 수 있다. 분배 공간(230)은 메인 분배 공간(231)과 분지 공간(232)들을 포함할 수 있다.
메인 분배 공간(231)의 상부에는 메인 가압 배관(221)이 연결된다. 메인 분배 공간(231)은 본딩 헤드(200)의 내부 또는 본딩 헤드(200)의 내부와 바디(100)의 내부에 걸쳐 형성될 수 있다. 메인 분배 공간(231)은 구획부(240)에 의해 흡착관(202)과 구획되어 형성된다. 메인 분배 공간(231)은 일정 체적을 갖도록 일정 높이 및 일정 폭을 가지게 형성된다. 메인 분배 공간(231)은 횡단면의 형상이 링 형상으로 제공될 수 있다. 따라서, 메인 가압 배관(221)을 통해 유입된 기체는 메인 분배 공간(231)의 상부에서 하부로 이동되면서, 링 형상으로 분배될 수 있다.
분지 공간(232)들은 메인 분배 공간(231)의 하부에 연결되게 형성될 수 있다. 각각의 분지 공간(232)은 메인 분배 공간(231)의 외측에서 본딩 헤드(200)의 외측 방향으로 형성된다. 분지 공간(232)들은 제 1 분지 공간(232a)들 및 제 2 분지 공간(232b)들을 포함한다.
제 1 분지 공간(232a)들은 로드 형상으로 제공될 수 있다. 제 1 분지 공간(232a)들은 메인 분배 공간(231)의 양측에 형성될 수 있다. 또한, 메인 분배 공간(231)의 양측에 형성된 제 1 분지 공간(232a)들은 대칭되게 형성될 수 있다. 제 1 분지 공간(232a)들의 길이 방향은 가압홈(212)들의 길이 방향에 대해 경사지게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 분지 공간(232a)들의 길이 방향의 가압홈(212)들의 길이 방향과 수직되게 제공될 수 있다. 제 1 분지 공간(232a)들은 그 길이 방향에 대해 수직한 방향으로 서로 이격되어 나란하게 배열될 수 있다. 각각의 제 1 분지 공간(232a)들은 분지 배관(222)들에 의해 가압홈(212)들과 연결된다. 구체적으로, 제 1 분지 공간(232a)들은 제 1 분지 배관(222a)들에 의해 외측 가압홈(212b)들 가운데 일부와 연결된다. 각각의 제 1 분지 공간(232a)은 제 1 분지 공간(232a)의 길이 방향을 따라 제공되는 복수의 제 1 분지 배관(222a)들에 의해 복수의 외측 가압홈(212b)들에 연결된다. 따라서, 각각이 외측 가압홈(212b)은 서로 상이한 제 1 분지 공간(232a)들과 연결되는 복수의 제 1 분지 배관(222a)들로부터 기체를 공급받아, 외측 가압홈(212b)에서의 기체 분포의 균일성이 향상된다.
제 2 분지 공간(232b)들은 로드 형상으로 제공될 수 있다. 제 2 분지 공간(232b)들은 메인 분배 공간(231)의 양측에 형성될 수 있다. 메인 분배 공간(231)의 양측에 형성된 제 2 분지 공간(232b)들은 대칭되게 형성될 수 있다. 제 2 분지 공간(232b)들의 길이 방향은 제 1 분지 공간(232a)들의 길이 방향에 대해 경사지게 제공될 수 있다. 일 예로, 제 2 분지 공간(232b)들의 길이 방향은 가압홈(212)들의 길이 방향과 나란하게 제공될 수 있다. 제 2 분지 공간(232b)들은 제 1 분지 배관(222a)들에 의해 제 1 분지 공간(232a)과 연결되지 않은 가압홈(212)들의 수와 동일하게 형성될 수 있다. 각각의 제 2 분지 공간(232b)은 하나 이상의 제 2 분지 배관(222b)으로 그 하방에 형성된 각각의 가압홈(212)들과 1대 1로 연결될 수 있다. 각각이 가압홈(212)은 메인 분배 공간(231)의 양측에 형성된 복수의 제 2 분지 공간(232b)들로부터 기체를 공급받아, 가압홈(212)에서의 기체 분포의 균일성이 향상된다.
도 7은 다이를 흡착한 상태의 본딩 부재의 횡단면도이다.
도 1 내지 도 7을 참조하여, 다이(D)가 본딩 부재(43)에 진공 흡착되는 과정을 설명한다.
먼저, 본딩 헤드(200)는 웨이퍼 홀더(41)에 위치된 웨이퍼(W)의 위쪽으로 이동한다. 본딩 헤드(200)는 흡착부(210)가 웨이퍼(W)에서 분리될 다이(D)의 위쪽에 위치되도록 웨이퍼(W)에 대해 정렬된다. 이때, 본딩 헤드(200)는 저면의 흡착부(210)가 다이(D)의 중앙 부분의 위쪽에 위치되도록 정렬될 수 있다. 이후, 흡착부(210)가 다이(D)와 접촉되도록, 본딩 헤드(200)가 다이(D)방향으로 하강한다. 흡착부(210)가 다이(D)와 접촉되면, 흡기 부재(204)가 작동하여 흡착관(202)에 있는 가스를 배기하여 흡착홀(201)에 흡입 압력이 형성되도록 한다. 흡기 부재(204)가 동작하는 동안 퍼지 밸브(207)는 퍼지 배관(205)을 닫는다. 또한, 본딩 헤드(200)가 다이(D)를 진공 흡착하는 동안 밸브(224)는 닫힌 상태로 유지된다. 흡착홀(201)에 형성된 흡입 압력으로 다이(D)가 본딩 헤드(200)에 부착되면, 본딩 헤드(200)는 제 3 방향(Z)으로 이동되면서, 다이(D)를 픽업한다. 이후, 다이(D)를 픽업한 본딩 헤드(200)는 셔틀(22)에 위치된 기판 쪽으로 이동된다.
도 8은 다이가 기판에 부착되는 상태를 나타내는 도면이다.
도 1 내지 도 8을 참조하여, 다이(D)가 기판(S)에 부착되는 과정을 설명한다.
본딩 헤드(200)는 다이(D)가 기판(S) 상면 가운데 부착될 장소에 위치되도록 제 1 방향(X) 내지 제 3 방향(Z)의 위치가 조절된다. 기판(S)의 상면에 다이(D)의 정렬이 완료되면, 다이(D)는 분리과정, 제 1 가압 과정 및 제 2 가압 과정을 통해 기판(S)의 상면에 부착된다.
다이(D)가 본딩 헤드(200)에서 분리되는 과정은 다음과 같다. 다이(D)가 기판에 정렬된 상태에서 흡기 부재(204)는 동작이 정지된다. 그리고, 퍼지 밸브(207)가 개방되어 흡착관(202)에 퍼지 가스가 공급됨에 따라 흡착홀(201)에 형성된 흡입 압력이 제거되면, 다이(D)는 흡착부(210)에서 분리될 수 있다. 흡기 부재(204)의 정지 및 퍼지 밸브(207)의 개방은 동시에 이루어 질 수 있다. 또한, 흡기 부재(204)의 정지에 앞서 퍼지 밸브(207)가 개방될 수 있다. 또한, 퍼지 밸브(207)가 개방된 후 흡기 부재(204)가 정지 될 수 도 있다.
다이(D)는 제 1 가압 과정 및 제 2 가압 과정에 의해 기판(S)에 부착된다. 다이(D)는 접착제에 의해 기판(S)에 부착될 수 있다. 기판(S)의 부착에 사용되는 접착제로는 은-에폭시(Ag-epoxy) 또는 은-글라스(Ag-glass)와 같은 도전성의 접착제가 사용될 수 있다. 접착제는 본딩 헤드(200)가 다이(D)를 기판(S)에 부착시키기 전에 기판(S)의 상면에 도포될 수 있다. 예를 들어, 접착제는 로딩 부재(10)에서 셔틀(22)에 이동된 기판(S)의 상면에 도포된다. 이후, 셔틀(22)이 이동되어, 기판(S)을 본딩 부재(43)와 인접한 곳으로 이송한다. 또한, 접착제는 기판(S)에 부착되는 다이(D)의 하면에 제공될 수 있다. 즉, 접착제는 다이(D)의 하면과 필름의 상면 사이에 제공될 수 있다. 접착제는 다이(D)와 함께 필름에서 분리된다.
제 1 가압 과정은 흡착부(210)에 의해 기구적으로 수행된다. 구체적으로 다이(D)가 기판(S)의 상면에 위치되면, 본딩 헤드(200)는 설정 압력으로 다이(D)를 기판(S)에 대해 가압한다. 따라서, 다이(D)는 흡착부(210)가 기판(S) 방향으로 가하는 힘에 의해 기판(S)에 부착될 수 있다.
제 1 가압 과정은 다이(D)의 분리 과정이 개시되기 전 또는 다이(D)의 분리 과정과 함께 개시될 수 있다. 또한, 제 1 가압 과정은 다이(D)의 분리 과정이 진행되는 중에 개시될 수 있다. 그리고, 제 1 가압 과정은 다이(D)의 분리 과정이 종료되기 전 또는 다이(D)의 분리과정과 함께 종료 될 수 있다. 또한, 제 1 가압 과정은 다이(D)의 분리과정이 종료된 후 종료될 수 있다.
또한, 제 1 가압 과정은 다이(D)의 분리 과정이 종료된 후에 개시되고 종료될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 제 1 가압 과정에서 다이(D)가 파손되는 것이 방지될 수 있다. 다이(D)가 본딩 헤드(200)가 기구적으로 가하는 힘에 의해 부착될 때, 다이(D)에 작용하는 힘은 영역에 따라 상이할 수 있다. 힘의 불균형은, 본딩 헤드(200)가 다이(D)를 가압하기 위해 제 3 방향으로 이동할 때, 본딩 헤드(200)의 저면의 이동 거리가 위치에 따라 상이하여 발생될 수 있다. 이러한 현상은, 본딩 헤드(200)와 연결된 바디(100) 하부의 높이가 기구적으로 조절되는 과정에서, 바디(100)의 축이 뒤틀려 발생할 수 있다. 이에 따라, 다이(D)와 접촉된 본딩 헤드(200)의 저면이 다이(D)에 가하는 힘은 영역별로 상이하게 된다. 그 결과, 다이(D)는 본딩 헤드(200)가 기구적으로 가압하는 과정에서 파손된다. 그리고, 힘의 불균형은 파티클에 의해 발생될 수 도 있다. 파티클은 다이(D)가 본딩 헤드(200)로 픽업되는 과정에서, 다이(D)와 본딩 헤드(200)의 접촉면 사이에 위치될 수 있다. 또한, 파티클은 다이(D)의 저면 또는 기판(S)의 상면에 부착된 후, 다이(D)와 기판(S) 사이에 위치될 수 있다. 이와 같은 파티클은 다이(D)가 가압될 때 영역에 따른 힘의 불균형으로 인해 다이(D)의 파손을 야기한다. 반면, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 다이(D)는 본딩 헤드(200) 하면의 일부에 제공되는 흡착부(210)에 의해 가압된다. 따라서, 다이(D)가 기구적으로 가압되는 면적을 줄여, 다이(D)의 기구적으로 가압할 때 영역에 따른 힘의 불균형으로 다이(D)가 파손되는 것이 방지된다.
도 9는 도 8의 A영역을 나타내는 도면이다.
도 1 내지 도 9를 참조하여, 제 2 가압 과정을 설명한다.
제 2 가압 과정은 가스 공급 부재(223)가 공급하는 기체에 의해 수행된다. 구체적으로, 밸브(224)가 개방되면 기체는 메인 가압 배관(221)을 통해 메인 분배 공간(231)으로 유입된다. 이후, 기체는 분지 공간(232)에서 분지 배관(222)들로 분배되어 가압홈(212)들로 공급된다. 또한, 기체는 가압홈(212)들 가운데 가압부(211)와 연결된 가압홈(212)들을 통해 가압부(211)로 공급된다.
기체가 공급됨에 따라 본딩 헤드(200)의 저면과 다이(D) 사이에 형성된 압력은 다이(D)의 상면을 기판(S)방향으로 가압한다. 가압홈(212)들의 측면 형상은 본딩 헤드(200)의 중심을 기준으로 대칭되게 형성되어, 기체가 다이(D)를 가압하는 힘은 대칭되게 형성될 수 있다. 그리고, 외측 가압홈(212b)들은 본딩 헤드(200) 저면의 중심을 향하는 방향의 경사가 본딩 헤드(200) 저면의 외측을 향하는 방향의 경사보다 작게 형성된다. 따라서, 기체은 본딩 헤드(200)의 외측 방향으로 유동하는 흐름을 형성한다. 따라서, 기체가 본딩 헤드(200)와 다이(D) 사이에서 와류를 형성하거나, 기체가 본딩 헤드(200)와 다이(D) 사이에서 불균일 하게 분포되는 것이 방지된다.
제 2 가압 과정은 다이(D)의 제 1 가압 과정과 함께 개시되거나, 제 1 가압 과정이 진행되는 중에 개시될 수 있다. 그리고, 제 2 가압 과정은 제 1 가압 과정이 종료되기 전 또는 제 1 가압 과정과 함께 종료 될 수 있다. 또한, 제 2 가압 과정은 제 1 가압 과정이 종료된 후 종료될 수 있다.
또한, 제 2 가압 과정은 제 1 가압 과정이 종료된 후에 개시되고 종료될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 다이(D)는 기체에 의해 가압되어 기판(S)에 부착되므로, 가압과정에서 파손되는 것이 방지된다.
도 10은 도 1의 보조 본딩 부재를 나타내는 사이도이다.
도 1 및 도 10을 참조하면, 보조 본딩 부재(50)는 셔틀(22)의 이동 경로 상에 제공될 수 있다. 보조 본딩 부재(50)는 기판(S)에 부착된 다이(D)를 가압하여, 기판(S)에 대한 부착 정도를 향상시킨다. 보조 본딩 부재(50)는 레일(21)의 상면에 위쪽으로 일정거리 이격되게 위치된다. 보조 본딩 부재(50)는 기판(S)의 면적 또는 셔틀(22)의 면적에 대응되는 크기로 제공될 수 있다.
도 11은 도 10의 D-D에 따른 단면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 보조 본딩 부재(50)는 하나 이상의 가압 가스 공급관(502)과 연결된다.
보조 본딩 부재(50)에는 공급홀(501)이 형성된다. 공급홀(501)은 보조 본딩 부재(50)의 외면과 보조 본딩 부재(50)의 내부에 형성된 분배공간(510)을 연결한다. 예를 들어, 공급홀(501)은 보조 본딩 부재(50)의 상면에서 하방으로 연장되게 형성될 수 있다. 또한, 공급홀(501)은 보조 본딩 부재(50)의 측면에서 외측 방향으로 연장되게 형성될 수 도 있다. 공급홀(501)은 가압 가스 공급관(502)과 연결된다. 가압 가스 공급관(502)은 가스 공급 부재(503)와 연결되어, 보조 본딩 부재(50)로 다이(D) 가압을 위한 기체를 공급한다. 가스 공급 부재(503)는 메인 가압 배관(221)이 연결되는 가스 공급 부재(223)일 수 있다. 또한, 가스 공급 부재(503)는 메인 가압 배관(221)이 연결되는 가스 공급 부재(223)와 별도로 제공될 수 있다. 가압 가스 공급관(502)에는 가압 가스 공급관(502)을 개폐하거나 개방 정도를 조절하는 밸브(504)가 제공될 수 있다. 보조 본딩 부재(50)가 복수의 가압 가스 공급관(502)들과 연결되는 경우, 공급홀(501) 역시 가압 가스 공급관(502)들과 동일한 수로 제공된다.
분배 공간(230)은 보조 본딩 부재(50)의 내부에 형성된다. 분배 공간(230)은 공급홀(501)로 공급된 가스가 각각의 가압홀(511)로 분배되는 경로를 제공한다. 예를 들어, 분배 공간(230)은 지면 또는 셔틀(22)의 상면과 평행하고 제 3 방향(Z)으로 일정 두께를 갖는 평면 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 분배 공간(230)은 서로 연통되는 격자 모양으로 제공될 수 도 있다.
도 12는 도 10의 보조 본딩 부재의 저면도이다.
도 10 내지 도 12를 참조하면, 보조 본딩 부재(50)에는 가압홀(511)들이 형성된다.
가압홀(511)들은 분배 공간(230)과 보조 본딩 부재(50)의 저면이 연통되게 한다. 가압홀(511)들의 일단은 보조 본딩 부재(50)의 저면에 균일하게 위치되도록 배열될 수 있다. 또한, 보조 본딩 부재(50)의 저면에는 돌출부(520)가 형성될 수 있다. 돌출부(520)는 가압홀(511)들이 형성된 부분의 외측에 가압홀(511)들을 감싸도록 제공된다. 예를 들어, 돌출부(520)는 보조 본딩 부재(50)의 저면의 최외곽을 따라 형성될 수 있다.
도 13은 보조 본딩 부재의 아래에 셔틀이 위치된 상태를 나타내는 도면이고, 도 14는 도 13의 측단면도이다.
도 13 및 도 14를 참조하면, 기판(S)에 부착된 다이(D)들은 보조 본딩 부재(50)에 의해 가압될 수 있다.
본딩 부재(43)에 의해 다이(D)들이 부착된 기판(S)은 셔틀(22)에 의해 언로딩 부재(30) 방향으로 이송된다. 기판(S)은 이송과정에서 보조 본딩 부재(50)의 아래를 지게게 된다. 이때, 보조 본딩 부재(50)는 기판(S)의 상면으로 일정 압력으로 가스를 공급한다. 기판(S)의 상면으로 공급된 가스는 다이(D)를 기판(S) 방향으로 가압한다. 따라서, 다이(D)의 기판(S)에 대한 부착성이 향상될 수 있다. 이때, 돌출부(520)는 가압홀(511)에서 분사된 가스들이 보조 본딩 부재(50)의 측면으로 유동되는 것을 차단한다. 따라서, 가스를 분사하여 보조 본딩 부재(50)와 기판(S) 사이의 압력을 높이는 과정에서 그 효율이 향상될 수 있다. 또한, 셔틀(22)에는 다이(D)의 부착성 향상을 위한 히터(550)가 제공될 수 있다.
도 15는 다른 실시 예에 따른 보조 본딩 부재를 나타내는 나타내는 사시도이다.
도 15를 참조하면, 보조 본딩 부재(60)는 기판(S)의 면적 또는 셔틀(22)의 면적보다 작게 제공될 수 있다. 구체적으로, 보조 본딩 부재(60)의 저면은 제 2 방향(Y)의 폭은 기판(S)의 제 2 방향(Y)의 길이 또는 셔틀(22)의 제 2 방향(Y)의 길이에 대응되게 제공될 수 있다. 그리고, 보조 본딩 부재(60)의 저면은 제 1 방향(X)의 폭은 기판(S)의 제 1 방향(X)의 길이 또는 셔틀(22)의 제 1 방향(X)보다 짧게 제공될 수 있다. 따라서, 보조 본딩 부재(60)는 레일(21)을 따라 주행하는 셔틀(22)로 기체를 분사하여, 다이(D)를 가압할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면, 메인 가압 배관(221)과 분지 배관(222)들 사이에 형성된 분배 공간(230)은 생략될 수 있다. 이 경우, 분지 배관(222)들은 메인 가압 배관(221)에서 분지된다. 즉, 분지 배관(222)들이 메인 가압 배관(221)과 연결되도록 본딩 헤드(200)와 바디(100)의 내부를 가로질러 형성될 수 있다. 또한, 메인 가압 배관(221)이 분지 배관(222)들과 연결되도록 본딩 헤드(200)와 바디(100)의 내부를 가로질러 형성될 수 있다. 또한, 메인 가압 배관(221)과 분지 배관(222)들이 각각 본딩 헤드(200)와 바디(100)의 내부를 가로질러, 본딩 헤드(200) 또는 바디(100)의 내부에서 연결될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예에 따르면, 보조 본딩 부재는 생략될 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시 예예 따르면, 셔틀(22)에 제공되는 히터(550)는 생략될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
10: 로딩 부재 20: 이송 유닛
30: 언로딩 부재 40: 다이 공급유닛
100: 바디 200: 본딩 헤드
202: 흡착관 203: 흡기 배관
204: 흡기 부재 205: 퍼지 배관
206: 퍼지가스 공급부재 210: 흡착부
211: 가압부 212: 가압홈
220: 가압배관 230: 분배 공간

Claims (10)

  1. 이송 유닛;
    상기 이송 유닛으로 기판을 로딩하는 로딩 부재;
    상기 이송 유닛에서 기판을 언로딩 하는 언로딩 부재;
    다이들을 제공하는 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 홀더; 및
    상기 웨이퍼에서 상기 다이들 가운데 하나를 픽업한 후, 픽업된 상기 다이 방향으로 기체를 분사하여 상기 기체가 제공하는 압력으로 상기 다이를 상기 이송 유닛에 위치된 상기 기판의 상면에 부착하는 본딩 부재를 포함하는 다이 본딩 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 본딩 부재는,
    바디;
    상기 바디의 하부에 제공되고, 저면에 상기 다이를 픽업하기 위한 흡입 압력이 형성되는 흡착홀과, 상기 흡착홀의 외측에 상기 다이를 가압하는 상기 기체가 수용되는 공간을 제공하는 가압홈들이 형성된 본딩 헤드; 및
    상기 기체를 공급하는 가스 공급 부재와 상기 가압홈들을 연결하는 가압 배관을 포함하는 다이 본딩 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 가압 배관은,
    상기 가스 공급부재와 연결되는 메인 가압 배관; 및
    상기 메인 가압 배관에서 분지되고 상기 가압홈들에 각각 연결되는 분지 배관들을 포함하는 다이 본딩 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 바디 또는 상기 본딩 헤드의 내부에는 상기 메인 가압 배관과 상기 분지 배관들 사이에 형성되어, 상기 메인 가압 배관으로 공급된 상기 기체가 상기 분지 배관들로 분배되도록 하는 분배 공간이 형성되는 다이 본딩 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 분배 공간은,
    상기 메인 가압 배관과 연결되고, 링 형상으로 제공되는 메인 분배 공간; 및
    상기 본딩 헤드에 형성되되, 상기 메인 분배 공간의 하부에서 상기 본딩 헤드의 외측 방향으로 형성되는 분지 공간들을 포함하는 다이 본딩 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 분지 공간들은,
    상기 메인 분배 공간의 양측에 형성되고 로드 형상으로 제공되는 제 1 분지 공간들; 및
    상기 메인 분배 공간의 양측에 형성되고, 상기 제 1 분지 공간들의 길이 방향에 대해 경사지게 형성되는 제 2 분지 공간들을 포함하는 다이 본딩 장치.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 본딩 헤드의 저면에는 상기 흡착홀을 중심으로한 각 방향의 폭이 균일한 홈으로 형성되고, 상기 기체가 수용되는 공간을 제공하는 가압부가 제공되는 다이 본딩 장치.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 본딩 헤드 저면에는 상기 본딩 헤드 저면의 중앙부에서 돌출되게 형성되는 흡착부가 제공되는 다이 본딩 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 이송 유닛은,
    상기 로딩 부재와 상기 언로딩 부재 사이에 위치되는 레일들; 및
    상기 레일들을 따라 주행하고 상기 기판을 지지하는 셔틀을 포함하고,
    상기 다이 본딩 장치는,
    상기 셔틀이 주행하는 경로상에 위치되어, 상기 셔틀에 위치된 기판에 부착된 다이를 가압하는 보조 본딩 부재를 더 포함하는 다이 본딩 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 보조 본딩 부재는 기체를 상기 다이 방향으로 분사하여 상기 다이를 가압하는 다이 본딩 장치.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190122281A (ko) * 2018-04-19 2019-10-30 삼성디스플레이 주식회사 기재 부착 방법 및 기재 부착 장치
KR20210025358A (ko) * 2019-08-27 2021-03-09 세메스 주식회사 다이 픽업 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
KR20210025356A (ko) * 2019-08-27 2021-03-09 세메스 주식회사 다이 픽업 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
KR20210026144A (ko) * 2019-08-29 2021-03-10 주식회사 디플랫 마이크로 led 전사방법
KR20220092777A (ko) * 2020-12-25 2022-07-04 사울텍 테크놀러지 컴퍼니 엘티디 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101923531B1 (ko) * 2011-12-23 2018-11-30 삼성전자주식회사 반도체 칩 본딩 장치
US11172600B2 (en) * 2017-09-29 2021-11-09 Shinkawa Ltd. Mounting device
US10312126B1 (en) * 2017-12-04 2019-06-04 Micron Technology, Inc. TCB bond tip design to mitigate top die warpage and solder stretching issue
CN112103210B (zh) * 2020-08-13 2023-03-31 上饶市广丰时代科技有限公司 一种用于半导体芯片封装的芯片粘接工艺设备
US11652080B2 (en) * 2021-05-27 2023-05-16 Intel Corporation Thermal compression bonder nozzle with vacuum relief features
CN113611635A (zh) * 2021-07-27 2021-11-05 芯盟科技有限公司 晶圆键合设备及方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05277977A (ja) * 1991-06-17 1993-10-26 Kulicke & Soffa Investments Inc 半導体チップのピックアップ装置およびピックアップ方法
JPH10214864A (ja) * 1997-01-28 1998-08-11 Shibuya Kogyo Co Ltd 不活性ガス供給機構付ボンディングヘッド
KR20130073337A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 삼성전자주식회사 반도체 칩 본딩 장치

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997032460A1 (de) * 1996-02-29 1997-09-04 Alphasem Ag Verfahren und vorrichtung zum aufnehmen, orientieren und montieren von bauelementen
JP3132496B2 (ja) 1999-01-25 2001-02-05 松下電器産業株式会社 ダイボンディング装置
US6248201B1 (en) * 1999-05-14 2001-06-19 Lucent Technologies, Inc. Apparatus and method for chip processing
KR20010036400A (ko) 1999-10-08 2001-05-07 윤종용 접착 테이프 부착 장치
US6376265B1 (en) 2000-04-05 2002-04-23 Advanced Micro Devices, Inc. Non-contact automatic height sensing using air pressure for die bonding
KR100773170B1 (ko) 2000-09-12 2007-11-02 언액시스 인터내셔널 트레이딩 엘티디 반도체 칩을 장착하는 방법 및 장치
JP3636127B2 (ja) * 2001-10-12 2005-04-06 松下電器産業株式会社 電子部品実装装置および電子部品実装方法
KR20030046306A (ko) 2001-12-05 2003-06-12 에섹 트레이딩 에스에이 반도체 칩을 설치하기 위한 장치
KR100415282B1 (ko) * 2002-02-06 2004-01-16 삼성전자주식회사 반도체 소자용 듀얼 다이 접착 장치
KR20050092765A (ko) 2003-01-16 2005-09-22 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 칩 반송 방법 및 장치
JP4156460B2 (ja) * 2003-07-09 2008-09-24 Ｔｄｋ株式会社 ワークのピックアップ方法及びその装置、実装機
KR100487998B1 (ko) 2003-07-23 2005-05-09 주식회사 탑 엔지니어링 플립칩 본더장치 및 본더방법
WO2005013354A1 (ja) * 2003-07-30 2005-02-10 Nec Machinery Corporation ワーク移載手段、画像認識装置および位置決め方法
JP3812677B2 (ja) 2004-09-14 2006-08-23 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
US7207430B2 (en) * 2004-10-25 2007-04-24 Ui Holding Company Vacuum gripper for handling small components
JP4624813B2 (ja) * 2005-01-21 2011-02-02 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
KR100634869B1 (ko) * 2005-05-30 2006-10-17 삼성전자주식회사 멀티 다이 접착 장치
KR20070016739A (ko) 2005-08-05 2007-02-08 삼성전자주식회사 보이드를 방지하기 위한 다이 픽업 장치
JP5054933B2 (ja) 2006-05-23 2012-10-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US7790507B2 (en) * 2007-03-24 2010-09-07 Texas Instruments Incorporated Semiconductor die collet and method
KR20080088103A (ko) 2007-03-28 2008-10-02 주식회사 하이닉스반도체 어태치 장치
KR20090005551A (ko) 2007-07-09 2009-01-14 삼성전자주식회사 반도체 다이 부착 장치 및 이를 이용한 반도체 장치제조방법
KR100876965B1 (ko) 2007-08-10 2009-01-07 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체패키지 제조용 칩 픽업툴
JP2010245412A (ja) 2009-04-09 2010-10-28 Renesas Electronics Corp 半導体集積回路装置の製造方法
CH707236B1 (de) * 2012-11-23 2016-10-31 Besi Switzerland Ag Verfahren zum Ablösen von Halbleiterchips von einer Folie.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05277977A (ja) * 1991-06-17 1993-10-26 Kulicke & Soffa Investments Inc 半導体チップのピックアップ装置およびピックアップ方法
JPH10214864A (ja) * 1997-01-28 1998-08-11 Shibuya Kogyo Co Ltd 不活性ガス供給機構付ボンディングヘッド
KR20130073337A (ko) * 2011-12-23 2013-07-03 삼성전자주식회사 반도체 칩 본딩 장치

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190122281A (ko) * 2018-04-19 2019-10-30 삼성디스플레이 주식회사 기재 부착 방법 및 기재 부착 장치
KR20210025358A (ko) * 2019-08-27 2021-03-09 세메스 주식회사 다이 픽업 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
KR20210025356A (ko) * 2019-08-27 2021-03-09 세메스 주식회사 다이 픽업 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치
KR20210026144A (ko) * 2019-08-29 2021-03-10 주식회사 디플랫 마이크로 led 전사방법
KR20220092777A (ko) * 2020-12-25 2022-07-04 사울텍 테크놀러지 컴퍼니 엘티디 코너 또는 측면 접촉을 통한 비충격력 다이 본딩 방법

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