KR20030046306A - 반도체 칩을 설치하기 위한 장치 - Google Patents

반도체 칩을 설치하기 위한 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20030046306A
KR20030046306A KR1020020074283A KR20020074283A KR20030046306A KR 20030046306 A KR20030046306 A KR 20030046306A KR 1020020074283 A KR1020020074283 A KR 1020020074283A KR 20020074283 A KR20020074283 A KR 20020074283A KR 20030046306 A KR20030046306 A KR 20030046306A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pressure
chip
semiconductor chip
pick
gripper
Prior art date
Application number
KR1020020074283A
Other languages
English (en)
Inventor
도미니크 하트만
Original Assignee
에섹 트레이딩 에스에이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에섹 트레이딩 에스에이 filed Critical 에섹 트레이딩 에스에이
Publication of KR20030046306A publication Critical patent/KR20030046306A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y10T29/49144—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc. by metal fusion
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/5313—Means to assemble electrical device
    • Y10T29/53174—Means to fasten electrical component to wiring board, base, or substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/5313—Means to assemble electrical device
    • Y10T29/53174—Means to fasten electrical component to wiring board, base, or substrate
    • Y10T29/53178—Chip component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/5313—Means to assemble electrical device
    • Y10T29/53174—Means to fasten electrical component to wiring board, base, or substrate
    • Y10T29/53183—Multilead component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/53—Means to assemble or disassemble
    • Y10T29/5313—Means to assemble electrical device
    • Y10T29/53191—Means to apply vacuum directly to position or hold work part

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

반도체 칩을 설치하기 위한 장치는 반도체 칩을 집어내고, 기판상으로 반도체 칩을 이송 및 배치시키기 위하여 수직 방향으로 고정적으로 배열되는 픽앤플래이스 시스템을 구비한다. 상기 픽앤플래이스 시스템은 본드헤드에 대해 편향 가능한 칩 그리퍼를 구비하는 본드헤드를 포함한다. 상기 칩 그리퍼의 편향은 본드헤드 상에 배열되는 공압 구동기에 의해 일어나는데, 이것은 피스톤에 의해 분리되는 2개의 압력 챔버를 구비하고, 여기서 칩 그리퍼는 상기 피스톤에 고정된다. 상기 제 1 압력 챔버 내에 나타나는 압력 p1및 상기 제 2 압력 챔버 내에 나타나는 압력 p2는 밸브 시스템을 제어하는 조정기에 의해 동력학적으로 제어된다. 상기 조정기는 2개의 작동 모드에서 작동될 수 있다. 제 1 작동 모드에서는, 칩 그리퍼의 편향 및/또는 상기 편향으로부터 유도되는 변수가 칩 그리퍼의 편향을 측정하는 위치 엔코더에 의해 전달되는 신호에 기초하여 제어되며, 제 2 작동 모드에서는 압력 p1및/또는 압력 p2및 또는 압력차 p1-p2가 제어된다.

Description

반도체 칩을 설치하기 위한 장치{APPARATUS FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR CHIPS}
본 발명은 청구항 1의 전제부에 명명된 형태의 반도체 칩을 설치하기 위한 장치에 관한 것이다.
이러한 자동 조립기는 또한 다이본더(Die Bonder)로 불리어진다. 다이본더는 웨이퍼의 수많은 균일 반도체 칩들을 설치하기 위하여, 칩 그리퍼(chip gripper)를 구비하는 본드헤드(bondhead)를 포함하는 픽앤플래이스 시스템(pick and place system)로 불리어지는 장치는 포함하는데, 여기서 상기 칩들은 케리어박판(carrier foil) 상에 서로 나란히 위치되며, 기판, 예를 들어 금속 리드프레임(leadframe) 상으로 차례로 위치된다. 상기 픽앤플래이스 시스템은 유럽 특허 EP 923 111 명세서로부터 공지되는데, 여기서 본드헤드는 2개의 고정된 한계 위치들 사이에서 고속으로 앞뒤로 안내된다. 상기 본드헤드는 프레임 상에서 슬라이드된다. 상기 칩 그리퍼는 베어링 상에 설치되며, 본드헤드에 대해 수직 방향으로 이동될 수 있다. 상기 프레임은 반도체 칩을 집어내기(picking) 위해 하강된다. 칩 그리퍼가 반도체 칩에 충격을 가하자마자, 그것은 본드헤드에 대해 편향되며, 여기서 상기 편향(deflection)은 칩 그리퍼 및 본드헤드 사이에 고정된 스프링과 반작용한다. 상기 프레임은 또한 기판 상으로 반도체 칩을 배치시키기 위해 하강된다.
픽앤플래이스 시스템으로 적절한 선형 가이드는 유럽 특허 EP 1 143 487 명세서로부터 공지되는데, 여기서 본드헤드는 어떠한 2개의 한계 위치들 사이에서도 앞뒤로 안내될 수 있다.
2개의 요구 조건이 설치 공정 상에서 제안되는데, 이것은 오늘날의 시스템에 있어서, 상당한 노력으로 오직 충족될 수 있다. 반도체 칩을 집어내는 경우에, 본드헤드 또는 칩 그리퍼의 하강은 가능한 한 최단 시간 내에 일어나야만 한다. 그러나 상기 칩 그리퍼는 너무 높은 속도로 반도체 칩 상에 충격을 가해서는 안 되는데, 이것은 그렇지 않으면 반도체 칩이 충격에 의해 손상을 입거나 또는 파손되기까지 하기 때문이다. 또한, 기판 상으로 반도체 칩을 배치시키는 경우에, 하강은 가능한 한 최단 시간 내에 일어나야만 한다. 뿐만 아니라, 칩 그리퍼는 미리 정해진 접합력을 발생하여야 하는데, 이것으로 상기 반도체 칩은 기판에 가해진 접착제 부분에 내리 눌려진다. 상기 접합력은 작은 반도체 칩에 대해서 비교적 낮은 반면에, 더 큰 반도체 칩의 처리에 있어서는 비교적 큰 접합력이 요구된다. 상기 접합력은 칩 그리퍼 및 본드헤드 사이에 고정되는 스프링의 편향 정도에 의해 졀정된다. 반도체 칩을 집어내는 것(picking)이 칩 그리퍼의 더 높은 하강 속도에서 일어나도록 하기 위해서, 상기 스프링은 충격을 충분히 낮게 유지하게 위해 비교적 유연(soft)해야 한다. 그러나 필요한 접합력이 더 큰 반도체에 대해 발생되도록 하기 위해서, 상기 스프링은 비교적 강해야(hard) 하는데, 이것은 그렇지 않으면 요구되는 접합력을 발생시키기 위해 필요한 편향이 너무 커지기 때문이다.
본 발명의 목적은 칩 그리퍼의 빠른 강하를 가능하게 할 뿐만 아니라 높은 접합력을 발생시킬 수 있는 픽앤플래이스 시스템을 개발하는 것이다.
본 발명은 청구항 1에 주어진 특징부를 포함한다. 바람직한 실시예는 종속항으로부터 유래한다.
반도체 칩을 설치하기 위한 본 발명에 따른 장치는 반도체 칩을 집어 올리고(pick-up) 기판상으로 이송 및 배치시키기 위하여 수직 방향으로 고정적으로 배열되는 픽앤플래이스 시스템을 구비한다. 상기 픽앤플래이스 시스템은 본드헤드에 대해 편향 가능한 칩 그리퍼를 구비하는 본드헤드를 포함한다. 상기 칩 그리퍼의 편향은 본드헤드 상에 배열되며 피스톤에 의해 분리되는 2개의 압력 챔버를 구비하는 공압 구동기에 의해 일어나며, 이것에 의해 상기 칩 그리퍼는 피스톤에 부착된다. 제 1 압력 챔버 내에 나타나는 압력 p1및 제 2 압력 챔버 내에 나타나는 압력 p2는 밸브 시스템을 제어하는 조정기(regulator)에 의해 동력학적으로 제어된다. 상기 조정기는 2개의 작동 모드에서 동작될 수 있다. 제 1 작동 모드에서, 상기 칩 그리퍼의 편향 및/또는 이것으로부터 파생되는 변수가 칩 그리퍼의 편향을 측정하는 피스톤 엔코더에 의해 전달되는 신호를 기초로 제어된다. 제 2 작동 모드에서는, 압력 p1및/또는 압력 p2및/또는 압력차 p1-p2가 제어된다.
높은 동적 응답을 달성하기 위해서, 피에조 기술로 제조되는 밸브 또는 실리콘으로 제조되는 마이크로 공학적 밸브가 사용되는 것이 바람직하다.
상기 픽앤플래이스 시스템의 또 다른 실시예에 있어서, 집어내어진 반도체 칩의 하부 가장자리의 위치는 본드헤드 상에 배열되는 광 배리어(light barrier)에 의해 측정된다. 상기 광 배리어의 광빔은 수직 방향으로 이동된다. 상기 광 배리어는 광빔이 차단되었는지 아닌지를 지시하는 2진 신호를 전달한다. 반도체 칩을 집어내는 동안에, 칩 그리퍼는 하강되며, 따라서 광빔은 차단된다. 반도체 칩을 집어낸 후에, 칩 그리퍼는 광빔이 더 이상 차단되지 않을 정도로 상승된다. 광 배리어로부터의 2진 축력 신호가 "차단"에서부터 "차단되지 않음"으로 변화하는 순간에, 위치 엔코더의 값이 요구된다. 이러한 방식으로, 반도체 칩을 그것의 두께에 의존하는 높이로 하강시킬 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 다이본더의 개략 평면도.
도 2는 본 발명에 따른 픽앤플래이스 시스템의 제 1 실시예의 도면.
도 3은 집어냄(pick) 공정도.
도 4는 조정기를 구비하는 밸브 시스템의 도면.
도 5는 광 배리어를 구비하는 본드헤드의 도면
도 6은 본 발명에 따른 픽앤플래이스 시스템의 또 다른 실시예의 도면.
도 1은 기판(2) 상으로 반도체 칩(1)을 배치시키기 위한 다이본더의 개략 평면도를 도시한다. 좌표의 데카르트 시스템의 3개의 좌표축은 X, Y 및 Z로 표시되며, 여기서 Z축은 수직 방향에 상응한다. 상기 다이본더는 X방향 및 선택적으로는, 또한 Y방향으로의 기판의 이송을 위한 이송 시스템(3)을 포함한다. 적절한 이송 시스템(3)은 예를 들어, 유럽 특허 EP 330 831 명세서에 기재된다. 반도체 칩(1)은 웨이퍼 테이블(4)에 의해 위치 A에 차례로 제공되는 것이 바람직하다. 상기 픽앤플래이스 시스템(5)은 위치 A에서 반도체 칩(1)을 집어내며, 이송은 기판(2) 상부의 위치 B로이다.
도 2는 픽앤플래이스 시스템(5)의 제 1 실시예를 도시한다. 상기 픽앤플래이스 시스템(5)은 본드헤드(7)를 Y방향으로 안내하기 위한 선형 가이드(6)를 구비한다. 상기 선형 가이드(6)는 수직 Z방향에 대해 고정적으로 배열된다. 즉, 그것은 Z방향으로 상승 또는 하강될 수 없다. 도시되지 않은 구동기는 본드헤드(7)을 선형 가이드(6) 상에서 Y 방향으로 앞뒤로 이동시킨다. 선택적으로, 상기 선형 가이드(6)는 전형적으로 ±1.5㎜의 범위 내에서 설치되어야 하는 반도체 칩의 X방향으로의 어떠한 위치 오차라도 보정할 수 있기 위하여, 구동기에 의해 X방향으로 이동될 수 있다. 적절한 선형 가이드(6)는 예를 들어, 유럽 특허 EP 923 111 명세서 또는 유럽 특허 EP 1 143 478 명세서로부터 공지되지만, 본 발명의 경우에는 Z방향에 대해 고정적으로 전개되어야 한다.
본드헤드(7)는 Z방향 즉, 수직 방향으로 편향 가능한 공압 구동기(8)에 의해 구동되는 칩 그리퍼(9)와, 본드헤드(7)에 대해 Z방향으로의 칩 그리퍼(9)의 편향의측정을 위한 위치 엔코더(10)를 포함한다. 칩 그리퍼(9)의 스트로크(stroke) 즉, 최대 편향은 가능한 한 작게 유지되어야 한다. 따라서 웨이퍼 테이블(4)의 z높이는 반도체 칩(1)이 그들이 기판(2) 상으로 배치되는 것과 동일한 z높이에서 집어내어 지도록 조정되어야 한다. 이러한 방식으로, 단지 약 5㎜의 스트로크가 획득될 수 있다. 예를 들어, 기판(2)이 오븐 내에 위치되는 특수한 실시예에 있어서, 스트로크는 더 크며, 20㎜에 달할 수 있다. 상기 칩 그리퍼(9)는 그것의 하부 단부 상으로, 반도체 칩(1)에 적합한 제거 가능한 픽업 툴(pick-up tool)이 고정되는 로드(11)를 포함한다. 상기 로드(11)는 길이 방향의 드릴 구멍(12)를 구비하는데, 여기로 반도체 칩(1)을 잡기 위해 진공이 가해진다. 상기 공압 구동기(8)는 피스톤(14)에 의해 분리되는 2개의 압력 피스톤(15 및 16)을 구비하며 본드헤드(7)에 고정되는 원통형 하우징(13)을 포함한다. 칩 그리퍼(9)의 로드(11)는 하우징(13)의 드릴 구멍(17 및 18) 내에 지지되며, 피스톤(14)에 고정되고, 따라서 Z방향으로 피스톤(14)과 함께 이동된다. 제 1 압력 챔버 내(15)에 나타나는 압력 p1및 제 2 압력 챔버(16) 내에 나타나는 압력 p2의 제어는 예를 들어, 2개의 2방향 밸브(20 및 21)을 포함하는 밸브 시스템(19)에 의해 달성된다. 상기 제 1 압력 챔버(15)는 라인(22)를 통해 제 1 2방향 밸브(20)에 연결되며, 상기 제 2 압력 챔버(16)는 라인(23)을 통해 제 2 2방향 밸브(21)에 연결된다. 상기 2개의 2방향 밸브 각각은 압축 공기가 공급되는 흡기구, 및 라인(22 또는 23)과 연결되는 1개의 배기구 뿐만 아니라, 주위 공기 또는 진공이 공급되는 흡기구를 구비한다. 2개의밸브(20 및 21)를 포함하는 밸브 시스템(19)은 조정기(24)에 의해 제어된다. 제 1 압력 센서(25)는 제 1 압력 챔버 내(15)에 나타나는 압력 p1을 측정하는 역할을 하며, 제 2 압력 센서(26)는 제 2 압력 챔버 내(16)에 나타나는 압력 p2를 측정하는 역할을 한다. 상기 위치 엔코더(10)의, 또는 상기 2개의 압력 센서(25 및 26)의 출력 신호(27, 28 및 29)는 입력 변수로서 조정기(24)로 공급된다. 상기 조정기(24)는 밸브 시스템(19)을 제어하기 위한 제어 신호(30), 따라서 실시예에 있어서는 2개의 2방향 밸브(20 및 21)를 제어하기 위한 2개의 제어 신호(30)를 전달한다.
이러한 2방향 밸브는 예를 들어, 그것의 배기구들이 연결되고 함께 2방향 밸브의 배기구를 형성하는 2개의 분리된 밸브를 포함할 수 있다. 이러한 경우에, 조정기(24)는 4개의 밸브를 제어하기 위한 4개의 제어 신호(30)를 전달한다.
밸브(20 및 21)는 본드헤드(7) 상에 배열되며 본드헤드(7)와 함께 이동되거나, 또는 도시된 바와 같이 고정적으로 배열된다.
압력차 p1-p2는 피스톤(14)의 단면적에 비례하는 힘을 발생시키는데, 이것은 피스톤(14) 상에 작용하며, 따라서 칩 그리퍼(9)의 이동 및 편향을 일으킨다. 상기 제 1 2방향 밸브(20)를 통하여, 제 1 압력 챔버(15) 내의 압력 p1을 증가시키기 위하여 압축 공기가 제 1 압력 챔버(15)에 공급될 수 있거나, 또는 압력 p1을 낮추기 위하여 상기 제 1 압력실(15)은 비워질 수 있다. 이것은 제 2 2방향 밸브(21) 및 제 2 압력 챔버(16)에 대해서도 동일하게 적용 가능하다.
상기 조정기(24)는 2개의 작동 모드에서 작동된다. 제 1 작동 모드에서, z위치를 의미하는 상기 칩 그리퍼(9)의 편향, 또는 이것으로부터 유도되는 변수가 제어된다. 상기 위치 엔코더(10)는 시간 t의 함수로서 편향 zactual(t)를 연속적으로 획득하며, 상기 조정기(24)는 소정의 특성 zset(t)에 따라 상기 2방향 밸브(20 및 21)를 제어한다. 제 2 동작 모드에서, 압력차 p1-p2가 제어되며, 이것은 칩 그리퍼(9)에 의해 발생되어야 할 접합력을 발생시킨다. 바람직한 집어냄(pick) 또는 배치(place) 공정에 적절하게, 상기 조정기(24)는 특히 제 1 작동 모드로부터 제 2 작동 모드로의 전이에 영향을 주는, 부가적인 경계 조건이 부여된다. 이하, 몇몇의 공정이 실시예로서 기재된다.
1. 웨이퍼 테이블로부터 반도체 칩을 집어내기 위해 칩 그리퍼를 하강.
칩 그리퍼(9)의 하강은 3단계로 일어나며, 도 3에 기초하여 설명된다. 반도체 칩(1)은 프레임(31)에서 지지되는 박판(32)에 고정된다. 상기 프레임(31)은 웨이퍼 테이블(4)에 고정된다(도 1). 집어냄(pick) 공정을 지원하는 소위 다이 배출기(33; die ejector)는 처리될 반도체 칩(1) 아래에 위치된다. Z좌표는 위치 엔코더(10)에 의해 측정되는 것과 같은 정도로 본드헤드(7)에 대한 칩 그리퍼(9)의 편향을 표시한다. 제 1 단계에서, 상기 칩 그리퍼(9)는 소정의 높이 z0까지 최대로 가능한 속도로 하강된다. 상기 높이 z0는 칩 그리퍼(9)가 집어내어질 반도체 칩(1)을 아직은 접촉하지 않는 높이로 정의된다. 이렇게 함으로써, 칩 그리퍼(9) 쪽으로 향하는 반도체 칩(1)의 표면 높이 z1이 보다 작은 편향의 경우에 어떤 것에 종속되는 것이 준수됨에 틀림없다. 높이 z0를 통하여 이동되는 것에 의해 시작되는 제 2 단계 동안에, 칩 그리퍼(9)는 제어된 한계 내에서 반도체 칩(1) 상으로의 칩 그리퍼(9)의 충격을 유지할 목적으로 일정 속도 v1으로 하강된다. 한편으로, 상기 충격은 작아야만 되는데, 이것은 낮은 속도를 요구하며, 다른 한편으로, 상기 픽 공정은 너무 오래 걸리지 않아야 하는데, 이것은 낮은 속도에 반대된다. 상기 속도 v1은 따라서 정의되어야 한다. z위치의 제어는 제 1 단계에서 따라서 높이 z0에 도달하는 때에 상기 칩 그리퍼(9)가 이미 속도 v1및 소실된 가속도를 나타내는 경계 조건으로 일어난다. 상기 칩 그리퍼(9)가 반도체 칩(1)과 접촉하게 되는 때에, 따라서 상기 반도체 칩(1)은 칩 그리퍼(9)의 하강에 대한 저항을 제공한다. 결과적으로, 압력 펄스가 2개의 압력 챔버(15 및 16) 내에 생성되며, 이것은 2개의 압력 센서(25 및 26)에 의해 터치다운(touchdown)으로서 검출될 수 있다. 제 3 단계는 상기 터치다운의 검출시에 시작된다: 상기 조정기(24)는 제 2 작동 모드로 전환되며 집어내는 때에 반도체 칩(1)에 가해져야 하는 힘에 상응하는 압력차를 형성한다.
집어내는 때에, 상기 반도체 칩(1)은 박판(32)으로부터 분리되어야 한다. 분리는 다양한 방법으로 지원될 수 있다. 통상적인 것은 아래로부터 박판(32)을 관통하며 반도체 칩(1)을 약간 들어올려서 상기 박판(32)이 반도체 칩(1)으로부터 분리되도록 하는 바늘에 의한 분리이다. 이러한 공정으로, 2개의 압력 챔버(15 및 16)의 체적은 변화되지만, 압력차 p1-p2는 조정기(24)에 의해 일정하게 유지된다. 또한 박판이 진공에 의해 반도체 칩(1)의 아래로부터 떨어져서 당겨지는 점에서 바늘(needle)의 도움이 없는 박판(32)의 분리가 공지된다.
반도체 칩(1)으로부터의 박판의 분리가 충분히 종료되자마자, 조정기(24)는 소정의 높이 zT로 가능한 한 빨리 칩 그리퍼(9)를 들어 돌리기 위하여 제 1 작동 모드로 다시 전환된다.
2. 기판 상으로 비교적 큰 반도체 칩을 배치.
칩 그리퍼(9)의 하강은 제 2 단계에서 일어난다. 제 1 단계에서, 상기 칩 그리퍼(9)는 가능한 최단 시간 내에 소정의 높이 z2로 하강된다. 이렇게 함으로써, 조정기(24)는 제 1 작동 모드에 있으며, 여기서 이것은 편향 z(t)를 제어한다. 높이 z2에 도달하는 때에, 조정기(24)는 제 2 작동 모드로 전환되며, 여기서 이것은 발생될 접합력을 형성 및 제어한다. 위치 제어로부터 접합력 제어로의 유연한 전이를 달성하기 위하여, 제 1 단계에서의 제어 파라미터는 가능한 한, 높이 z2에 도달하는 때에, 발생되어야 할 접합력에 상응하는 압력차 p1-p2가 달성되도록 미리 정해진다.
3. 기판 상으로 비교적 작은 반도체 칩을 배치
작은 반도체 칩의 경우에는, 더 낮은 접합력이 필요하며, 이것은 칩 그리퍼(9) 그 자체의 중량보다도 훨씬 더 작을 수도 있다. 칩 그리퍼(9)의 하강은 제 2 단계에서 재차 일어난다. 제 1 단계에서, 칩 그리퍼(9)는 가능한 최단 시간내에 소정의 높이 z2로 하강된다. 제어 파라미터는 높이 z2로의 이동시에, 첫째로 칩 그리퍼(9)의 속도는 미리 정해진 값을 가지며, 둘째로 압력차 p1-p2는 예를 들어 단지 0.03N의 미소한 힘을 발생시킨다. 상기 제 2 단계는 높이 z2에 도달하는 때에 시작되고, 칩 그리퍼(9)가 상승되는 때인 소정의 시간 주기 τ후에 종료된다. 제 2 단계 동안에, 반도체 칩(1)을 구비하는 칩 그리퍼(9)는 우선 그것이 접착제 상에 충격을 가하는 때까지 공중에서 하강되며, 그 다음에 칩 그리퍼(9)가 제 2 단계의 끝에서 상승될 때까지 더 하강된다. 칩 그리퍼(9)의 첨단에서의 진공은 적절한 시간에 해제되어야 하며, 따라서 반도체 칩(1)은 칩 그리퍼(9)가 상승되는 때에 접착체 상에 남게 된다. 상기 높이 z2는 반도체 칩(1)이 제 2 단계에서 약 0.5㎜로 여전히 이동될 수 있도록 미리 정해진다.
반도체 칩의 집어냄(picking) 또는 배치(placement)를 위해 기재되는 공정은 본 발명에 따른 픽앤플래이스 시스템의 작동을 설명하는 실시예 및 달성된 장점으로서 이해될 수 있다. 그러나 상기 픽앤플래이스 시스템을 구비하는 경우에, 반도체 칩의 집어냄 및 배치가 더욱 최적화되는 다른 공정들도 수행될 수 있다.
밸브로서 비례 밸브가 사용되는 것이 바람직하다. 상기 칩 그리퍼(9)의 이동은 높은 동적 응답을 가지고 일어나야만 하기 때문에, 제어 신호의 주파수 범위가 100Hz 이상의 범위, 전형적으로는 300Hz에 달하는 범위 내에 해당 부분을 갖는 경우라 하더라도, 상기 비례 밸브는 조정기(24)의 제어 신호에 의해 주어지는 변화를 수반할 수 있다. 이러한 요구 사항은 예를 들어, 피에조 기술(piezo technology)에기초하는 제어 밸브에 의해 충족된다.
칩 그리퍼(9) 또는 피스톤(14)의 가속도는 압력차 p1-p2에 비례한다. 칩 그리퍼(9)를 이송 높이 zT로부터 높이 z0로 하강시키기 위하여, 제 1 챔버(15) 내의 압력 p1이 증가되거나, 또는 제 2 챔버(16) 내의 압력 p2이 감소되어야만 한다. 하강이 가능한 한 빨리 일어날 수 있도록 압력 p1의 증가 및 압력 p2의 감소는 동시에 일어나는 것이 유리하다. 또한, 압력 감소는 압력 증가보다 더 느리게 일어나기 때문에, 양 압력 챔버(15 및 16)는 고압 레벨에서 작동되는 것이 유리하다. 이것은 중립 위치에서의 피스톤(14)을 구비하는 경우에, 상기 밸브들을 4bar로 공급할 때, 압력 p1및 압력 p2는 전형적으로 약 3 내지 3.5bar에 달하는 것을 의미한다.
따라서, 상기 조정기(24)는
- 그것이 가능한 최고 압력 레벨에서 상기 2개의 압력 챔버(15 및 16)를 작동시키도록;
- 압력차 p1-p2에서의 증가를 위해서, 그것이 압력 p1을 증가시키고, 가능한 한 동시에 압력 p2를 감소시키도록;
- 압력차 p1-p2에서의 감소를 위해서, 그것이 압력 p1을 감소시키고, 가능한 한 동시에 압력 p2를 증가시키도록; 그리고
- 미리 정해진 위치 z0으로의 상기 피스톤 제어된 접근시에, 그것이 압력차p1-p2를 제어하여, 위치 제어로부터 압력차 제어로 전환되는 편향 z0에 도달하는 때에 필요한 압력차가 달성되도록 조정되는 것이 바람직하다.
이것은 양 압력실(15 및 16)이 동력학적으로 제어되는 경우에 유리하다. 그러나, 2개의 압력실 중 1개(15 또는 16)에서 일정 압력이 유지되고 2개의 압력실 중 나머지 1개(15 또는 16)에서의 압력이 동력학적으로 제어되는 것이 또한 가능하다.
도 4는 1개의 단일 4방향 밸브(34) 및 조정기(24)를 포함하는 밸브 시스템(19)를 도시한다. 상기 4방향 밸브(34)는 압축 공기가 공급되는 1개의 흡기구, 및 라인(22 및 23)과 연결되는 2개의 배기구 뿐만 아니라, 주위 공기 또는 진공이 공급되는 1개의 흡기구를 구비한다. 상기 4방향 밸브(34)는 예를 들어, 배기구들에서 나타나는 압력 p1' 및 p2'를 제어하는 1개의 단일 피스톤을 구비하는 비례 밸브이다: 압력 p1' 및 p2'는 제 1 배기구에서의 압력 p1'이 증가하는 때에 제 2 배기구에서의 압력 p2'가 감소되는 방법으로 함께 연결된다. 따라서, 압력 센서(25 및 26)에 의해 측정되는 압력 p1또는 p2의 제어를 위해, 단지 상기 조정기(24)는 1개의 단일 제어 신호를 발생하여야 한다.
상기 픽앤플애이스 시스템(5)은 단지 1개의 이동 가능한 단일 Z축을 갖기 때문에, 집어내어진 반도체 칩(1)의 하부 가장자리(40)의 z높이를 예를 들어 광 배리어에 의해, 측정하는 가능성이 나타난다. 도 5는 광 배리어를 구비하는 확대된 본드헤드(7)의 도면을 도시한다. 상기 광 배리어는 예를 들어 광 발산 다이오드 또는 분사 레이저 다이오드와 같은 광 전달자(41) 및 광 수용자(42)를 포함한다. 광 배리어의 광빔(43)은 수평 방향으로 이동한다. 구조적인 이유로, 광 전달자(41) 및 광 수용자(42)는 본드헤드(7) 상에 배열되고 따라서 광 전달자(41)가 수직 방향으로 광빔(43)을 전달하고 광 수용자(42)는 z방향으로 전파되는 광을 감지하는 것, 그리고 2개의 경사진 거울(44) 또는 프리즘에 의해 상기 광빔(43)을 수평 방향으로 전향시키는 것이 유리하다. 상기 광 배리어는 광빔(43)이 차단되었는지 아닌지를 지시하는 2진 신호를 전달한다.
위치 A로부터 위치 B로의 본드헤드의 앞뒤 이동 동안에, 상기 칩 그리퍼(9)는 광빔(43) 보다 상부의 상승된 위치에 있다. 웨이퍼 테이블(4; 도 1) 상에 존재하는 반도체 칩(1)을 집어내기 위하여, 상기 칩 그리퍼(9)는 하강되고, 이것에 의해 이것은 광빔(43)을 차단시킨다. 광 배리어의 신호가 "차단되지 않음"으로부터 "차단"으로 전환되는 순간에, 위치 엔코더(10)에 의해 전달되는 신호의 값 W1이 요구된다. 반도체 칩(1)을 집어낸 후에, 칩 그리퍼(9)가 상승된다. 광 배리어의 신호가 "차단"으로부터 "차단되지 않음"으로 전환되는 순간에, 위치 엔코더(10)에 의해 전달되는 신호의 값 W2가 요구된다. 이 두번째 값 W2는 집어내어진 반도체 칩(1)의 하부 가장자리(40)의 높이에 대한 척도이다. 상기 값들 W1및 W2가 미리 정해진 허용 오차값 이상 만큼 상이하지 않은 경우에는, 이것은 집어냄(picking)이 실패하였고 칩 그리퍼(9) 상에 어떠한 반도체 칩(1)이 파지되지 않았음을 의미한다. 이 경우에있어서, 집어냄은 반복되고/반복되거나 경고 메시지가 개시된다.
이러한 측정 시스템을 구비하는 경우에는, 또 다른 공정이 기판(2) 상으로 반도체 칩(1)을 배치시키기 위하여 가능하다: 상기 칩 그리퍼(9)는 측정된 값 W2에 종속하는 z 높이 즉, 높이 z2= z2' + WSet- W2이고, 여기서 높이 z2'는 일정값을 나타내며, WSet은 반도체 칩(1)의 설정 두께에 대한 일정한 기준값을 나타낸다. 높이 z2가 도달된 후에, 상기 칩 그리퍼(9)는 다시 상승된다. 상기 공정에서 반도체 칩(1)이 배치되는 때에, 조정기(24)는 따라서 단지 제 1 작동 모드에서 작동되며, 여기서 높이 z가 제어된다. 작은 반도체 칩들은 구성에 의해 허용되는 최대 속도로 기판 상의 접착제 상으로 하강될 수 있다. 반면에 비교적 큰 반도체 칩은 접착체가 공기 공간(air voids)의 형성없이 반도체 칩(1) 아래에 균일하게 분사되는 것이 보장되어야 하므로, 다소 느리게 배치되어야 한다.
기판(2)의 두께에 있어서의 변동이 적지 않은 경우에는, 또 다른 측정 시스템이 기판(2)의 두께 D를 측정하기 위하여 제공되는 것이 유리하다. 반도체 칩(1)을 배치시킬 때에, 칩 그리퍼(9)는 높이 z2= z2' + WSet- W2+ DSet- D로 하강되는데, 여기서 파라미터 DSet는 기판 두께의 설정값을 나타낸다.
값 W1에서의 변화는 픽업 툴의 마모를 지시한다. 이러한 방식으로, 픽업 툴 상의 마모는 값 W1을 추적함에 의하여 조정될 수 있으며, 미리 정해진 값을 초과하는 때에, 경고 지시가 시작될 수 있다.
이하, 픽앤플래이스 시스템(5)의 또 다른 실시예가 기재된다. 그러나 공압 구동기(8), 밸브(20, 21 또는 34) 및 조정기(24)의 설계는 상술한 바와 같다.
도 6은 본드헤드(7)가 배열되는 일단부에서, 2개의 한계 위치 사이에서 수직축(35) 상에서 앞뒤로 선회될 수 있는 선회 암(36)을 구비하는 픽앤플래이스 시스템(5)의 실시예의 평면도를 도시한다. 상기 선회 암(36)은 XY평면에서 본드헤드(7)를 안내하는 역할을 한다. 실선으로 도시되는 상기 선회 암(36)은 제 1 한계 위치에 위치된다. 상기 선회 암(36)의 제 2 한계 위치는 대쉬선(dashed line)으로 나타난다. 상기 선회 암(36)은 수직 Z방향으로 상승 및 하강될 수 없다. 따라서 칩 그리퍼(9)의 z높이가 단지 본드헤드(7) 상에 배열되는 공압 구동기(8; 도 2)에 의해 이동될 수 있을 뿐이다.
제 1 실시예의 경우에, 반도체 칩(1)은 수직으로 배열되는 웨이퍼테이블(4) 상에 제공되며, 종래와 마찬가지로, 수평으로 제공되는 기판(2) 상으로 배치된다. 본드헤드(7)는 따라서 수직축(37) 상에서 90°만큼 회전될 수 있다. 제공된 반도체 칩(1)을 집어내기 위하여, 상기 선회 암(36)은 제 1 한계 위치로 선회되며 본드헤드(7)는 축(37) 상에서 회전되고, 따라서 상기 칩 그리퍼(9)는 제공된 반도체 칩(1)을 집어내기 위하여 공압 구동기(8)의 작동시에 수평 방향으로 편향될 수 있다. 반도체 칩(1)을 집어낸 후에, 상기 선회 암(36)은 다른 한계 위치로 선회되며 본드헤드(7)는 축(37) 상에서 90°만큼 회전되고, 따라서 상기 칩 그리퍼(9)는 기판(2) 상으로 반도체 칩(1)을 배치시킬 수 있다.
제 2 실시예의 경우에, 반도체 칩(1)은 수평으로 배열되는 웨이퍼 테이블(4)상에 제공된다. 이러한 경우에, 축(37)은 생략되며, 이에 따라 축(37) 상에서의 본드헤드(7)의 회전도 생략된다.
반도체 칩(1)의 집어냄 및 배치를 위한 칩 그리퍼(9)의 제어를 위하여, 상술한 공정이 예를 들어 사용될 수 있다.
따라서, 상술한 바와 같은 본 발명에 따른 반도체 칩을 설치하기 위한 장치는 칩 그리퍼의 빠른 강하를 가능하게 할 뿐만 아니라 높은 접합력을 발생시킬 수 있는 픽앤플래이스 시스템을 제공하는 탁월한 효과가 있다.

Claims (6)

  1. 반도체 칩을 집어내고, 기판 상으로 반도체 칩을 이송 및 배치시키기 위한 픽앤플래이스 시스템을 구비하며, 상기 픽앤플래이스 시스템은 본드헤드에 대해 편향 가능한 칩그리퍼와, 상기 칩 그리퍼의 편향을 제어하며 피스톤에 의해 분리되는 2개의 압력 챔버로부터 형성되는 공압 구동기와, 상기 칩 그리퍼의 편향을 측정하는 위치 엔코더를 포함하는 본드헤드를 포함하고,
    제 1 압력 챔버 내에 나타나는 압력 p1및 제 2 압력 챔버 내에 나타나는 압력 p2를 제어하기 위한 밸브 시스템과, 상기 제 1 압력 챔버 내에 나타나는 압력 p1을 측정하기 위한 제 1 압력 센서, 및 상기 밸브 시스템을 제어하기 위한 2개의 작동 모드에서 작동 가능하며, 여기서 제 1 작동 모드는 칩 그리퍼의 편향 및/또는 상기 편향으로부터 유도되는 변수를 제어하며, 제 2 작동 모드는 제 1 압력 p1및/또는 제 2 압력 p2및/또는 압력차 p1-p2를 제어하는 조정기를 더 포함하는, 반도체 칩을 설치하기 위한 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    제 2 압력 챔버 내에 나타나는 압력 p2를 측정하기 위하여 제 2 압력 센서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩을 설치하기 위한 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 본드헤드는 집어내어진 반도체 칩의 하부 가장자리의 위치를 검출하기 위한 광 배리어를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩을 설치하기 위한 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 픽앤플래이스 시스템은 본드헤드의 앞뒤 운동을 안내하기 위한 선형 가이드를 포함하며, 상기 선형 가이드는 칩 그리퍼의 편향 방향에 대해 고정적으로 배열되는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩을 설치하기 위한 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 픽앤플래이스 시스템은 수직축 상에서 2개의 한계 위치들 사이에서 선회되는 선회 암을 포함하며, 여기서 상기 선회 암은 수직 방향으로 이동될 수 없는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩을 설치하기 위한 장치.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 밸브 시스템은 피에조 기술로 제조되는 밸브 또는 실리콘으로 제조되는 마이크로 공학적인 밸브를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 칩을 설치하기 위한 장치.
KR1020020074283A 2001-12-05 2002-11-27 반도체 칩을 설치하기 위한 장치 KR20030046306A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH20012241/01 2001-12-05
CH22412001 2001-12-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030046306A true KR20030046306A (ko) 2003-06-12

Family

ID=4568172

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020074283A KR20030046306A (ko) 2001-12-05 2002-11-27 반도체 칩을 설치하기 위한 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7284318B2 (ko)
KR (1) KR20030046306A (ko)
CN (1) CN1264206C (ko)
TW (1) TW567574B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8667671B2 (en) 2009-04-15 2014-03-11 Samsung Techwin Co., Ltd. Vacuum nozzle control apparatus
KR20180108178A (ko) * 2017-03-24 2018-10-04 한미반도체 주식회사 본딩장치 및 이의 제어방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040105750A1 (en) * 2002-11-29 2004-06-03 Esec Trading Sa, A Swiss Corporation Method for picking semiconductor chips from a foil
CH696103A5 (de) * 2003-06-06 2006-12-15 Esec Trading Sa Halbleiter-Montageeinrichtung.
CH696615A5 (de) * 2003-09-22 2007-08-15 Esec Trading Sa Verfahren für die Justierung des Bondkopfs eines Die Bonders.
US7784164B2 (en) 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
CN100479123C (zh) * 2004-09-30 2009-04-15 广东工业大学 平面双滑块并联机构二自由度粘片机焊头结构及动作过程
CH697279B1 (de) * 2004-12-06 2008-07-31 Oerlikon Assembly Equipment Ag Verfahren für die Montage eines Halbleiterchips auf einem Substrat.
WO2007066559A1 (ja) * 2005-12-06 2007-06-14 Toray Engineering Co., Ltd. チップ実装装置およびチップ実装方法
JP4692268B2 (ja) * 2005-12-22 2011-06-01 パナソニック株式会社 電子部品実装システムおよび電子部品実装方法
KR100609634B1 (ko) * 2006-02-16 2006-08-08 주식회사 탑 엔지니어링 본딩 장비의 본딩 헤드
DE102007010223B4 (de) * 2007-02-28 2010-07-29 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Bestimmung geometrischer Parameter eines Wafers und Verwendung des Verfahren bei der optischen Inspektion von Wafern
WO2009037108A2 (de) * 2007-09-18 2009-03-26 Oerlikon Assembly Equipment Ag, Steinhausen Pick und place system für eine halbleiter-montageeinrichtung
CN101635267B (zh) * 2008-07-21 2015-03-25 旺矽科技股份有限公司 取放晶粒的装置及方法
WO2010054957A1 (de) * 2008-11-12 2010-05-20 Esec Ag Verfahren zum ablösen und entnehmen eines halbleiterchips von einer folie
JP2011035342A (ja) * 2009-08-06 2011-02-17 Renesas Electronics Corp リード成形用金型およびリード成形用金型を用いた半導体装置の製造方法
JP5705052B2 (ja) * 2011-07-26 2015-04-22 株式会社新川 ダイボンディング装置
CH705802B1 (de) 2011-11-25 2016-04-15 Esec Ag Einrichtung für die Montage von Halbleiterchips.
CN102699944B (zh) * 2012-06-26 2015-02-11 金红叶纸业集团有限公司 切割设备及其夹紧装置
KR102231293B1 (ko) 2014-02-10 2021-03-23 삼성전자주식회사 다이 본딩 장치
US10369709B1 (en) * 2018-09-21 2019-08-06 Beijing Jingdong Shangke Information Technology Co., Ltd. Flexible suction device, robot system and method using the same
CN111180349B (zh) * 2019-12-31 2021-12-10 芯思杰技术(深圳)股份有限公司 芯片焊接的控制方法和控制系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0639768A (ja) * 1991-06-24 1994-02-15 Mitsubishi Electric Corp 真空吸着装置
US5308132A (en) * 1992-10-05 1994-05-03 Motorola, Inc. Circuit assembly device for programmably controlling placement force and method thereto
JPH10340931A (ja) * 1997-06-05 1998-12-22 Toray Eng Co Ltd チップボンディングツール
JPH11260840A (ja) * 1999-01-25 1999-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd ダイボンディング装置
JP2000260789A (ja) * 1999-03-10 2000-09-22 Nec Kansai Ltd ダイボンダ
US6185815B1 (en) * 1997-12-07 2001-02-13 Esec Sa Semiconductor mounting apparatus with a chip gripper travelling back and forth
JP2001047385A (ja) * 1999-08-05 2001-02-20 Fuji Mach Mfg Co Ltd 電気部品装着ヘッド

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4632018A (en) * 1983-06-02 1986-12-30 Lymburner Robert K Fluid cylinder position sensor mounting apparatus
US4628576A (en) * 1985-02-21 1986-12-16 Ford Motor Company Method for fabricating a silicon valve
JPS6441230A (en) 1987-08-06 1989-02-13 Mitsubishi Electric Corp Die-bonding device
JP2635889B2 (ja) * 1992-06-24 1997-07-30 株式会社東芝 ダイボンディング装置
US5741114A (en) * 1992-08-07 1998-04-21 Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha Method for mounting components and apparatus therefor
JPH08330790A (ja) 1995-05-30 1996-12-13 Nec Corp ベアチップマウンタ
JPH10209687A (ja) 1997-01-17 1998-08-07 Yamaha Motor Co Ltd 表面実装機のノズル昇降用エアシリンダの構造
EP1143489A1 (en) 2000-04-04 2001-10-10 ESEC Trading SA Linear guide with an air bearing

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0639768A (ja) * 1991-06-24 1994-02-15 Mitsubishi Electric Corp 真空吸着装置
US5308132A (en) * 1992-10-05 1994-05-03 Motorola, Inc. Circuit assembly device for programmably controlling placement force and method thereto
JPH10340931A (ja) * 1997-06-05 1998-12-22 Toray Eng Co Ltd チップボンディングツール
US6185815B1 (en) * 1997-12-07 2001-02-13 Esec Sa Semiconductor mounting apparatus with a chip gripper travelling back and forth
JPH11260840A (ja) * 1999-01-25 1999-09-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd ダイボンディング装置
JP2000260789A (ja) * 1999-03-10 2000-09-22 Nec Kansai Ltd ダイボンダ
JP2001047385A (ja) * 1999-08-05 2001-02-20 Fuji Mach Mfg Co Ltd 電気部品装着ヘッド

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8667671B2 (en) 2009-04-15 2014-03-11 Samsung Techwin Co., Ltd. Vacuum nozzle control apparatus
KR20180108178A (ko) * 2017-03-24 2018-10-04 한미반도체 주식회사 본딩장치 및 이의 제어방법

Also Published As

Publication number Publication date
TW200300995A (en) 2003-06-16
US7284318B2 (en) 2007-10-23
CN1264206C (zh) 2006-07-12
US20030101576A1 (en) 2003-06-05
TW567574B (en) 2003-12-21
CN1423316A (zh) 2003-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20030046306A (ko) 반도체 칩을 설치하기 위한 장치
US5985064A (en) Chip compression-bonding apparatus and method
US5351872A (en) Die bonding apparatus
KR101096927B1 (ko) 다이본더의 본드헤드를 정렬시키는 방법
KR950009619B1 (ko) 반도체장치의 와이어 본딩방법
JP3328878B2 (ja) ボンディング装置
US11557567B2 (en) Methods of attaching die to substrate using compliant die attach system having spring-driven bond tool
US20020030089A1 (en) Method and apparatus for mounting semiconductor chips
KR20140125728A (ko) 전자 또는 광학 부품을 기판상에 실장하기 위한 방법 및 장치
WO1998002026A1 (fr) Appareil de montage de composants electroniques
JP3961162B2 (ja) 電子部品装着装置および電子部品装着方法
JP2003197653A (ja) 半導体チップの実装装置
US5246513A (en) Die bonding apparatus and method of controlling the same
KR20040047628A (ko) 호일로부터 반도체칩을 파지하는 방법
WO2020080181A1 (ja) アクチュエータ
JP5191753B2 (ja) ダイボンダおよびダイボンディング方法
JP3132496B2 (ja) ダイボンディング装置
US20220319891A1 (en) Manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JP2680773B2 (ja) 部品装着装置における加圧力制御装置
JP3178225B2 (ja) フィルムキャリヤの打抜装置
JPH09148790A (ja) 電子部品装着装置
US20230389249A1 (en) Component mounting device
US20230389248A1 (en) Component mounting device
JPH05104349A (ja) 部品装着装置における衝撃力の制御方法
JP4060818B2 (ja) 電子部品のボンディング方法及びボンディング装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
NORF Unpaid initial registration fee