KR101430835B1 - 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼를 갖춘 반도체 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명개시는 반도체 처리 장치의 일 실시예를 제공한다. 반도체 처리 장치는 웨이퍼 캐리어를 수용하도록 설계된 로드 락; 로드 락으로부터 수용된 웨이퍼 캐리어를 홀딩하고 웨이퍼 캐리어에 대해 질소 퍼지(nitrogen purge)를 수행하도록 구성된 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼; 및 웨이퍼 캐리어로부터의 웨이퍼들에 대해 반도체 공정을 수행하도록 설계된 처리 모듈을 포함한다.

Description

내부 웨이퍼 캐리어 버퍼를 갖춘 반도체 장치 및 방법{SEMICONDUCTOR APPARATUS WITH INNER WAFER CARRIER BUFFER AND METHOD}
본 발명은 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼를 갖춘 반도체 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 기술들에서, 반도체 웨이퍼는 다양한 제조 단계들을 거쳐 처리되어 다중 칩들에서 정의된 집적 회로들이 형성된다. 이러한 제조 단계들은 리소그래피 패턴화, 에칭, 이온 주입, 증착, 산화 및 열 어닐링을 포함한다. 예를 들어, 실리콘 산화물층과 같은, 산화층을 형성하기 위해 열 산화 공정이 웨이퍼에 적용될 수 있다. 진보된 기술들에서, 노(furnace) 툴은 웨이퍼 캐리어를 홀딩하기 위한 장소와 산화 이전에 질소 퍼지(purge)를 위한 또다른 장소를 포함한다. 하지만, 웨이퍼들을 산화 보트로 보내기 위한 충전 공정은 Q 시간 고려로 인한 퀄리티 문제들을 갖는다. 특히, 질소 퍼지는 로딩 영역에서의 웨이퍼 충전 이전에 구현된다. 웨이퍼 충전 공정은 연기되고 쓰루풋은 감소된다.
위 관심사항들을 해결하기 위한 처리 장치 및 방법이 필요하다.
따라서, 본 발명개시는 반도체 처리 장치를 제공한다. 처리 장치는 웨이퍼 캐리어를 수용하도록 설계된 로드 락; 로드 락으로부터 수용된 웨이퍼 캐리어를 홀딩하고 웨이퍼 캐리어에 대해 질소 퍼지를 수행하도록 구성된 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼; 및 웨이퍼 캐리어로부터의 웨이퍼들에 대해 반도체 공정을 수행하도록 설계된 처리 모듈을 포함한다.
처리 장치의 일 실시예에서, 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼는 웨이퍼 캐리어의 대응하는 가스 포트들에 연결가능하도록 구성된 가스 입구 및 가스 출구를 갖는다. 다른 실시예들에서, 가스 입구는 질소원과 결합되고 가스 출구는 가스 배출구와 결합되며, 가스 입구와 가스 출구는 각각 가스 운송을 제어하도록 동작가능한 밸브를 포함한다.
또다른 실시예에서, 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼는 웨이퍼 캐리어에 연결가능하도록 구성되고 웨이퍼 캐리어의 압력을 제어하도록 설계된 가압 디바이스를 더 포함한다. 또다른 실시예에서, 가압 디바이스는 가스를 전도시키기 위한 압력 포트; 웨이퍼 캐리어의 압력을 모니터링하기 위한 압력 센서; 및 압력 포트 내에 통합되고 압력 센서와 결합된 밸브를 포함한다.
또다른 실시예에서, 웨이퍼 캐리어는 FOUP(front opening unified pod)이다. 또다른 실시예에서, 처리 모듈은 열 산화용으로 설계된 노(furnace)를 포함한다.
또다른 실시예에서, 처리 장치는 웨이퍼들을 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼로부터 처리 모듈로 이송시키도록 설계된 이송 모듈을 더 포함한다. 또다른 실시예에서, 처리 모듈은 외부 이송 유닛과 내부 이송 유닛 사이에서 구성된 도어를 포함한다. 또다른 실시예에서, 이송 모듈은 웨이퍼 캐리어를 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼로부터 도어로 이송시키기 위한 외부 이송 유닛; 및 도어에 있는 웨이퍼 캐리어 내의 웨이퍼들을 처리 모듈로 이송시키기 위한 내부 이송 유닛을 더 포함한다.
본 발명개시는 또한 웨이퍼 캐리어를 수용하도록 설계된 로드 락; 로드 락으로부터의 웨이퍼 캐리어를 홀딩하도록 구성된 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼로서, 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼는 가스 퍼지를 위해 웨이퍼 캐리어의 대응하는 가스 포트들에 연결가능하도록 구성된 가스 입구 및 가스 출구를 갖는 것인, 상기 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼; 웨이퍼 캐리어로부터의 적어도 하나의 웨이퍼에 대해 반도체 공정을 수행하도록 설계된 처리 모듈; 및 웨이퍼를 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼 내의 웨이퍼 캐리어로부터 처리 모듈로 이송시키도록 구성된 이송 모듈을 포함한 반도체 처리 장치의 또다른 실시예를 제공한다.
처리 장치의 일 실시예에서, 웨이퍼 캐리어는 FOUP(front opening unified pod)이며, 처리 모듈은 열 산화용으로 설계된 노(furnace)를 포함한다. 또다른 실시예에서, 가스 입구는 질소원에 연결되고 가스 출구는 가스 배출구에 연결되며, 가스 입구와 가스 출구는 각각 가스 운송을 제어하도록 동작가능한 밸브를 포함한다.
또다른 실시예에서, 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼는 웨이퍼 캐리어에 연결가능하도록 구성되고 웨이퍼 캐리어의 압력을 제어하도록 설계된 가압 디바이스를 더 포함한다.
또다른 실시예에서, 이송 모듈은 웨이퍼 캐리어를 이송시키기 위한 외부 이송 유닛과, 웨이퍼 캐리어 내의 웨이퍼들을 이송시키기 위한 내부 이송 유닛을 더 포함한다.
본 발명개시는 또한 반도체 공정의 방법의 일 실시예를 제공한다. 방법은 로드 락으로부터 웨이퍼 캐리어를 수용하는 단계; 웨이퍼 캐리어를 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼에 보내는 단계; 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼에서 질소 퍼지를 수행하는 단계; 그 후, 적어도 하나의 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어로부터 처리 모듈로 이송시키는 단계; 및 처리 모듈 내에서 적어도 하나의 웨이퍼에 대해 제조 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
본 방법의 일 실시예에서, 적어도 하나의 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어로부터 처리 모듈로 이송시키는 단계는 외부 이송 유닛을 이용하여 웨이퍼 캐리어를 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼로부터 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼 밖으로 이동시키는 단계; 및 내부 이송 유닛을 이용하여 적어도 하나의 웨이퍼를 웨이퍼 캐리어로부터 밖으로 꺼내어 처리 모듈로 이동시키는 단계를 포함한다.
또다른 실시예에서, 웨이퍼 캐리어를 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼에 보내는 단계는 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼의 가스 입구 및 가스 출구를 웨이퍼 캐리어의 대응하는 포트들에 결합시키는 단계를 포함한다. 또다른 실시예에서, 질소 퍼지를 수행하는 단계는 웨이퍼 캐리어에 질소 가스를 제공하기 위해 가스 입구를 턴 온시키는 단계를 포함한다.
또다른 실시예에서, 웨이퍼 캐리어를 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼에 보내는 단계는 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼의 가압 디바이스를 웨이퍼 캐리어의 대응하는 포트에 결합시키는 단계를 더 포함한다.
질소 퍼지는 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼에서 구현되기 때문에, 웨이퍼 충전 시간은 실질적으로 감소된다. 처리 모듈의 유휴 시간은 감소되거나 또는 최소화되기 때문에 제조 효율성은 실질적으로 증가된다.
본 발명개시는 첨부 도면들과 함께 아래의 상세한 설명을 읽음으로써 최상으로 이해된다. 본 산업계에서의 표준적인 관행에 따라, 다양한 피처들은 실척도로 작도되지 않았음을 강조해둔다. 실제로, 다양한 피처들의 치수는 설명의 명료함을 위해 임의적으로 증가되거나 또는 감소될 수 있다. 뿐만 아니라, 단순화를 위해 모든 피처들이 모든 도면들에서 도시되는 것은 아닐 수 있다.
도 1은 본 발명개시의 양태들에 따라 구축된 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼와 통합된 처리 장치의 실시예의 개략도이다.
도 2는 본 발명개시의 양태들에 따라 구축된 도 1의 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼의 실시예의 개략도이다.
도 3은 본 발명개시의 양태들에 따라 구축된 도 1의 처리 장치를 활용하는 방법의 일 실시예의 흐름도이다.
도 4는 본 발명개시의 양태들에 따라 구축된 내부 웨이퍼 캐리어와 통합된 처리 장치의 또다른 실시예의 개략도이다.
도 5는 본 발명개시의 양태들에 따라 구축된 내부 웨이퍼 캐리어와 통합된 처리 장치의 또다른 실시예의 개략도이다.
도 6은 다른 실시예들에서의 본 발명개시의 양태들에 따라 구축된 내부 웨이퍼 캐리어와 통합된 처리 장치의 개략도이다.
본 발명개시는 일반적으로 접합 시스템들 및 웨이퍼 접합을 위한 이러한 시스템들을 활용하는 방법에 관한 것이다. 하지만, 아래의 발명개시는 본 발명의 여러 특징들을 구현하기 위한 많은 여러 실시예들 또는 예시들을 제공하는 것으로 이해된다. 본 발명개시를 단순화하기 위해 컴포넌트 및 장치의 특정예들이 아래에서 설명된다. 물론, 이것들은 단지 예시들에 불과하며, 한정적인 것으로 의도된 것은 아니다.
도 1을 참조하면, 도 1에서는 일 실시예에서의 본 발명개시의 양태들에 따라 구축된 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼와 통합된 처리 장치(100)의 개략적인 평면도가 도시된다. 도 2는 본 발명개시의 양태들에 따라 구축된 처리 장치의 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼의 실시예의 개략도이다. 처리 장치(100)는 반도체 제조 공정(또는 반도체 공정)을 수행하도록 구성되고 설계된다. 본 실시예에서, 처리 장치(100)는 열 산화용으로 설계된다. 또다른 실시예에서, 처리 장치(100)는 열 어닐링용으로 설계된다. 대안적으로 또는 추가적으로, 처리 장치(100)는 리소그래피 패턴화, 에칭, 이온 주입 또는 증착과 같은, 다른 공정용으로 설계될 수 있다.
처리 장치(100)는 복수의 웨이퍼들을 운송할 수 있는 웨이퍼 캐리어를 수용하기 위한 장치 게이트로서 설계된 로드 락(102)을 포함한다. 본 실시예에서, 웨이퍼 캐리어는 FOUP(front opening unified pod)이다. 실시예의 증진을 위해, 웨이퍼 캐리어 내에 포함될 웨이퍼들은 300 ㎜ 반도체 웨이퍼들 또는 450 ㎜ 반도체 웨이퍼들이다. 하나의 특정한 예시에서, 처리 장치(100)는 웨이퍼 캐리어들을 병렬로 로딩하는 두 개의 로드 락들(102)을 포함한다.
처리 장치(100)는 하나 이상의 웨이퍼 캐리어들을 홀딩하도록 설계된 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(inner wafer carrier buffer; IWCB)(104)를 포함한다. 일 예에서, 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 8개 내지 10개의 FOUP들을 홀딩하도록 설계된다. 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 제조 공정 전에 웨이퍼 캐리어(들)을 저장하기 위한 내부 버퍼로서 기능을 한다. 웨이퍼 캐리어는 외부 이송 유닛(106)에 의해 로드 락(102)으로부터 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)로 이송된다. 외부 이송 유닛(106)은 웨이퍼 캐리어를 고정시키고, 웨이퍼 캐리어를 로드 락(102)과 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104) 간에 이송시키는 것과 같이, 웨이퍼 캐리어를 이송시키기 위한 메커니즘을 포함한다. 본 예에서, 외부 이송 유닛(106)은 웨이퍼 캐리어를 홀딩하고 이동시키도록 동작가능한 제1 로봇을 포함한다.
뿐만 아니라, 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 웨이퍼 캐리어 내에서 홀딩된 웨이퍼들에 대해 질소 퍼지 공정을 수행하도록 동작가능하다. 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 도 2를 참조하여 추가적으로 설명된다. 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 FOUP들과 같은, 하나 이상의 웨이퍼 캐리어들(124)을 홀딩하기 위한 저장 공간(122)을 정의하는 다양한 벽 피처들(120)을 포함한다. 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 또한 개폐하도록 동작가능한 도어(126)를 포함한다. 웨이퍼 캐리어(124)는 도어(126)를 통해 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104) 안 또는 밖으로 이송된다.
웨이퍼 캐리어(예컨대, FOUP)(124)는 참조번호 128, 참조번호 130, 및 참조번호 132와 같은, 다양한 가스 포트들을 포함한다. 본 실시예에서, 가스 포트(128)는 질소 가스를 웨이퍼 캐리어(124)에 제공하기 위한 가스 경로로서 설계되며, 가스 포트(130)는 웨이퍼 캐리어(124)로부터 질소 가스를 배출하기 위한 가스 경로로서 설계된다. 또다른 실시예에서, 가스 포트(132)는 웨이퍼 캐리어(124)의 압력을 조정하기 위한 가스 경로로서 설계된다.
내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 (가스 포트들(128, 130, 132)과 같은) 웨이퍼 캐리어(124)의 각각의 가스 포트들에 연결가능하도록 구성되고 웨이퍼 캐리어(124)에 대한 질소 퍼지를 수행하도록 동작하도록 설계된 다양한 가스 운송 메커니즘들을 포함한다. 웨이퍼 캐리어(124)가 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)로 이송될 때, 다양한 가스 운송 메커니즘들이 웨이퍼 캐리어(124)의 각각의 가스 포트들과 결합되도록 웨이퍼 캐리어(124)는 위치된다. 본 실시예에서, 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 웨이퍼 캐리어(124)의 가스 포트(128)에 연결가능하도록 구성된 가스 입구(134)를 포함한다. 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 웨이퍼 캐리어(124)의 가스 포트(130)에 연결가능하도록 구성된 가스 출구(136)를 포함한다. 본 실시예의 증진을 위해, 질소 가스가 웨이퍼 캐리어(124)의 가스 포트(128)와 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)의 가스 입구(134)를 통해 웨이퍼 캐리어(124)에 운송될 수 있도록, 가스 입구(134)는 또한 질소원에 결합된다. 질소 가스가 웨이퍼 캐리어(124)의 가스 포트(130)와 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)의 가스 출구(136)를 통해 웨이퍼 캐리어(124)로부터 밖으로 운송될 수 있도록, 가스 출구(136)는 또한 배출 메커니즘에 결합된다. 일 실시예에서, 가스 포트(134)는 온과 오프로 제어되는 밸브를 포함한다. 마찬가지로, 가스 포트(136)는 온과 오프로 제어되는 또다른 밸브를 포함한다.
내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 웨이퍼 캐리어(124)의 가스 포트(132)에 연결가능하도록 구성된 가압 디바이스(138)를 더 포함한다. 가압 디바이스(138)는 웨이퍼 캐리어의 압력을 조정하도록 동작가능하게 설계된다. 본 실시예에서, 가압 디바이스(138)는 온과 오프로 제어되는 밸브를 포함하며 웨이퍼 캐리어(124)의 압력을 모니터링하기 위한 센서를 포함한다. 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)가 다수의 웨이퍼 캐리어들을 홀딩하도록 설계된 일 실시예에서, 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 각각의 웨이퍼 캐리어들에 연결가능하도록 구성된 다수의 가스 운송 메커니즘 세트들을 포함한다.
도 1을 다시 참조하면, 처리 장치(100)는 인클로즈 영역(108)(이것을 또한 버퍼 모듈(108)이라고도 칭한다)에서 구성된 외부 이송 유닛(106)과 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)를 포함한다. 처리 장치(100)는 (열 산화 또는 다른 적절한 공정과 같은) 제조 공정을 위한 또다른 인클로즈 영역(110)(이것을 또한 로딩 영역 모듈(110)이라고도 칭한다)을 포함한다. 로딩 영역 모듈(110)은 버퍼 모듈(108)에 인접해 있으며 버퍼 모듈과 통합된다. 구체적으로, 로딩 영역 모듈(110)은 웨이퍼 이송을 위한 도어 메커니즘(또는 도어)(112)을 통해 버퍼 모듈(108)과 결합된다.
로딩 영역 모듈(110)은 웨이퍼들을 이송시키기 위한 내부 이송 유닛(114)을 포함한다. 내부 이송 유닛(114)은 웨이퍼를 고정시키고 이송시키기 위한 메커니즘을 포함한다. 본 예시에서, 내부 이송 유닛(114)은 웨이퍼를 홀딩하고 이동시키도록 동작가능한 제2 로봇을 포함한다. 웨이퍼 캐리어(124)가 외부 이송 유닛(106)에 의해 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)로부터 도어(112)로 이송될 때, 내부 이송 유닛(114)은 웨이퍼들을 도어(112)에 있는 웨이퍼 캐리어(124)로부터 로딩 영역 모듈(110)로 이송시키거나 또는 웨이퍼들을 로딩 영역 모듈(110)로부터 도어(112)에 있는 웨이퍼 캐리어(124)로 이송시킨다.
로딩 영역 모듈(110)은 웨이퍼(들)을 홀딩하고 웨이퍼(들)에 대해 (열 산화와 같은) 제조 공정을 수행하기 위한 처리 모듈(116)을 포함한다. 처리 모듈(116)은 복수의 웨이퍼들에 대해 배치(batch) 공정을 수행하도록 설계될 수 있다. 본 실시예에서, 처리 모듈(116)은 웨이퍼들의 배치에 대해 열 산화 공정을 수행하도록 설계된다. 하나의 예시에서, 배치는 약 50개 내지 약 100개의 웨이퍼들 사이의 범위의 갯수의 웨이퍼들을 포함한다.
처리 모듈(116)은 하나 이상의 웨이퍼들을 홀딩하기 위한 웨이퍼 보트와 같은, 메커니즘을 포함한다. 예를 들어, 웨이퍼 보트는 약 50개 내지 100개의 웨이퍼들을 갖는 웨이퍼들의 배치를 홀딩하도록 설계된다. 본 실시예에서, 처리 모듈(116)은 열 산화를 위한 메커니즘을 포함한다. 실시예의 증진을 위해, 처리 모듈(116)은 열 산화를 수행하도록 구성된 열원 및 산소원을 포함한다. 다른 실시예에서, 처리 모듈(116)은 온도를 모니터링하기 위해 열 센서와 같은, 다른 적절한 컴포넌트를 포함할 수 있고, 피드백과 같은, 적절한 제어 모드를 이용하여 열 산화 온도를 제어하기 위한 제어 메커니즘을 더 포함할 수 있다.
웨이퍼 캐리어(124) 및 그 안에 있는 웨이퍼들이 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)에서 질소 퍼지되는 경우, 웨이퍼 캐리어(124)는 외부 이송 유닛(106)에 의해 도어(112)로 이송된다. 내부 이송 유닛(114)은 웨이퍼들을 도어(112)에 있는 웨이퍼 캐리어(124)로부터 도어(112)를 통해 (웨이퍼 보트와 같은) 처리 모듈(116)로 이송시키기 위해 이용된다. 이러한 프로시저는 웨이퍼들이 제조 공정을 위한 처리 모듈(116)의 용량에 도달하도록 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104) 내의 다른 웨이퍼 캐리어들에 대해서 반복될 수 있다. 이러한 프로시저를 웨이퍼 충전이라고 부른다. 질소 퍼지는 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)에서 구현되기 때문에, 웨이퍼 충전 시간은 실질적으로 감소된다. 그 후, 제조 공정이 처리 모듈(116)에서 충전된 웨이퍼들에 대해 적용된다. 처리 모듈(116)의 유휴 시간은 감소되거나 또는 최소화되기 때문에 제조 효율성은 실질적으로 증가된다. 각각의 제조 공정이 완료된 후 처리 모듈(116) 내의 웨이퍼들은 방전된다.
도 3은 하나 이상의 실시예에서 본 발명개시의 양태들에 따라 구축된 (열 산화와 같은) 제조 공정을 수행하는 방법(150)의 흐름도이다. 본 실시예에서 방법(150)은 처리 장치(110)에서 구현된다. 방법(150)을 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다. 방법은 로드 락(102)을 통해 웨이퍼 캐리어(124)를 처리 장치(100)에 로딩시키는 동작(152)을 포함한다. 하나의 실시예에서, 두 개 이상의 웨이퍼 캐리어들은 처리 장치(100) 내로 로딩된다. 또다른 실시예에서, 처리 장치(100)는 다수의 웨이퍼 캐리어들을 로딩하기 위해 두 개 이상의 로드 락들(102)을 포함한다.
방법(150)은 또한 외부 이송 유닛(106)에 의해 웨이퍼 캐리어(124)를 로드 락(102)으로부터 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)로 이송시키는 동작(154)을 포함한다. 웨이퍼 캐리어(124)가 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)로 이송될 때, 웨이퍼 캐리어의 가스 포트들이 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)의 각각의 가스 운송 메커니즘들에 연결되도록 웨이퍼 캐리어는 위치된다. 하나의 실시예에서, 다수의 웨이퍼 캐리어들은 한 번에 한 개의 캐리어와 같은, 적절한 모드에서 외부 이송 유닛(106)에 의해 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)로 이송된다.
방법(150)은 또한 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104) 내에서 웨이퍼 캐리어(들)(124)에 대해 질소 퍼지를 수행하는 동작(156)을 포함한다. 질소 퍼지는 내부 웨이퍼(들) 캐리어 버퍼(104)의 (가스 입구(134) 및 가스 출구(136)와 같은) 가스 운송 메커니즘들을 제어함으로써 이행된다. 하나의 실시예에서, 가압 디바이스(138)는 또한 웨이퍼 캐리어(들)(124)의 저장 및/또는 질소 퍼지 동안에 적절한 캐리어 압력을 위해 웨이퍼 캐리어(들)(124)의 압력을 조정하도록 제어된다.
방법(150)은 또한 이송 모듈을 이용하여 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104) 내의 웨이퍼들을 처리 모듈(116)로 이동시키는 동작(158)을 포함한다. 웨이퍼 이송은 질소 퍼지 후에 이행된다. 본 실시예에서, 이송 모듈은 웨이퍼 캐리어 이송을 위한 외부 이송 유닛(106)과 웨이퍼 이송을 위한 내부 이송 유닛(114)을 포함한다. 실시예의 증진을 위해, 동작(158)은 웨이퍼 캐리어 이송 및 웨이퍼 이송 각각을 위한 두 개의 단계들을 포함한다. 구체적으로, 동작(158)은 웨이퍼 캐리어 이송을 위한 제1 단계(162)를 포함한다. 단계(162)에서, 웨이퍼 캐리어(124)를 도어(112)에 이송시키기 위해 외부 이송 유닛(106)이 활용된다. 동작(158)은 제1 단계 이후 웨이퍼 이송을 위한 제2 단계(164)를 포함한다. 단계(164)에서, 내부 이송 유닛(114)은 웨이퍼들을 도어(112)에 있는 웨이퍼 캐리어(124)로부터 도어(112)를 통해 (웨이퍼 보트와 같은) 처리 모듈(116)로 이송시키기 위해 이용된다. 그 후, 도어(112)에 있는 비어진 웨이퍼 캐리어(124)는 외부 이송 유닛(106)에 의해 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)로 되돌아간다. 이러한 프로시저는 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104) 내의 다른 웨이퍼 캐리어들에 대해서 반복될 수 있다. 따라서 이송된 웨이퍼들은 제조 공정을 위한 처리 모듈(116)의 최대 용량에 도달할 수 있다. 언급한 바와 같이, 이러한 프로시저를 웨이퍼 충전이라고 부른다. 질소 퍼지는 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)에서 구현되기 때문에, 웨이퍼 충전 시간은 실질적으로 감소된다. 도어(112)에서의 웨이퍼 캐리어(124)의 체류 시간은 웨이퍼 캐리어 내의 웨이퍼들을 처리 모듈(116)로 이송시키는데 충분한 시간으로 감소된다.
그 후, 방법(150)은 처리 모듈(116)에 있는 웨이퍼들에 대해 반도체 제조 공정(또는 반도체 공정)을 수행하는 동작(160)을 포함한다. 본 예시에서, 반도체 공정은 열 산화를 포함한다. 처리 모듈(116)에 있는 웨이퍼들에 적용되는 것은 배치 공정이다. 이러한 특별한 예시에서, 웨이퍼들은 복수의 웨이퍼들을 홀딩하도록 설계된 웨이퍼 보트에 위치한다. 하나의 예시에서, 웨이퍼 보트에서의 웨이퍼들의 배치는 약 50개 내지 약 100개의 웨이퍼들을 포함한다. 다른 예시들에서, 반도체 공정은 열 어닐링 또는 다른 적절한 배치 공정과 같은, 다른 적절한 공정을 포함할 수 있다. 처리 모듈(116)의 유휴 시간은 감소되거나 또는 최소화되기 때문에 제조 효율성은 실질적으로 증가된다.
다른 동작들이 방법(150) 이전에, 그 도중에, 및 그 이후에 이행될 수 있다. 하나의 실시예에서, 동작(160)에서의 각각의 제조 공정이 완료된 후 처리 모듈(116) 내의 웨이퍼들은 방전된다. 실시예의 증진을 위해, 방전은 내부 이송 유닛(114)에 의해 처리 모듈(116)로부터 도어(112)에 있는 웨이퍼 캐리어로 웨이퍼들을 이송시키는 것과, 그 후 외부 이송 유닛(106)에 의해 웨이퍼 캐리어를 도어(112)로부터 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)로 이송시키는 것을 포함할 수 있다. 또다른 실시예에서, 웨이퍼 캐리어는 로드 락(102)을 통해 처리 장치(100) 밖으로 곧바로 내보내질 수 있다. 또다른 대안적인 실시예에서, 처리 모듈(116)에 있는 모든 웨이퍼들이 각각의 웨이퍼 캐리어들과 함께 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)로 이송된 후, 이러한 웨이퍼 캐리어들은 로드 락(102)을 통해 처리 장치(100) 밖으로 이송된다.
도 4는 또다른 실시예에서의 본 발명개시의 양태들에 따라 구축된 처리 장치(170)의 개략적인 평면도를 도시한다. 방법(150)은 일 실시예에 따라 처리 장치(170)에서 이행될 수 있다. 처리 장치(170)는 처리 장치(100)와 유사하다. 하지만, 처리 장치(170)에서, 로딩 영역 모듈(110)은 예컨대 처리 모듈들(116a, 116b)과 같은, 두 개 이상의 처리 모듈들을 포함한다. 다수의 처리 모듈들은 로딩 영역 모듈(112)에서 구성된다. 따라서, 웨이퍼 충전 공정은 웨이퍼들이 다수의 처리 모듈들로 이송되도록 이행된다. 웨이퍼 충전 공정의 또다른 예시에서, 웨이퍼들은 대안적으로 제1 제조 공정을 위한 제1 처리 모듈로 이송될 수 있다. 그런 후 웨이퍼들은 제1 처리 모듈로부터 제2 제조 공정을 위한 제2 처리 모듈로 이송된다.
도 5는 또다른 실시예에서의 본 발명개시의 양태들에 따라 구축된 처리 장치(180)의 개략적인 평면도를 도시한다. 방법(150)은 일 실시예에 따라 처리 장치(180)에서 이행될 수 있다. 처리 장치(180)는 처리 장치(100)와 유사하다. 예를 들어, 처리 장치(180)는 내부 이송 유닛(114)과 처리 모듈(116)을 더 포함하는 로딩 영역 모듈(110)을 포함한다. 구체적으로, 처리 장치(180)는 하나 이상의 웨이퍼 캐리어들을 홀딩하고 안에 있는 웨이퍼 캐리어(들)에 대해 질소 퍼지를 수행하도록 설계되고 구성된 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)를 포함한다. 하지만, 처리 장치(180)에서, 버퍼 모듈(108)은 일 실시예에 따라, 감소된 로딩 시간을 갖는 병렬 웨이퍼 캐리어 이송을 위해 적절하게 구성된 두 개 이상의 외부 이송 유닛들(106)과, 두 개 이상의 로드 락들(102)을 포함한다. 또다른 실시예에서, 웨이퍼 이송을 위한 다수의 경로들을 처리 모듈(116)에 제공하기 위해 두 개 이상의 도어들(112)이 적절한 구성으로 처리 장치(180)에 병합된다. 예를 들어, 하나의 로드 락(102)과 하나의 외부 이송 유닛(106)은 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104) 내로 웨이퍼 캐리어들을 이송시키기 위해 짝지어진다. 마찬가지로, 또다른 로드 락(102)과 또다른 외부 이송 유닛(106)은 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104) 내로 웨이퍼 캐리어들을 이송시키기 위해 짝지어진다. 또다른 예시에서, 하나의 도어(112)와 하나의 내부 이송 유닛(114)은 웨이퍼들을 각각의 도어(112)에 있는 웨이퍼 캐리어로부터 처리 모듈(116)로 이송시키기 위해 짝지어진다. 마찬가지로, 또다른 도어(112)와 또다른 내부 이송 유닛(114)은 웨이퍼들을 각각의 도어(112)에 있는 웨이퍼 캐리어로부터 처리 모듈(116)로 이송시키기 위해 짝지어진다.
도 6은 다른 실시예들에서의 본 발명개시의 양태들에 따라 구축된 처리 장치(190)의 개략적인 부분도를 도시한다. 처리 장치(190)는 처리 장치(100)와 유사하다. 예를 들어, 처리 장치(190)는 외부 이송 모듈(106)과 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)를 더 포함하는 버퍼 모듈(108)을 포함한다. 처리 장치(190)는 내부 이송 유닛(114)과 처리 모듈(116)을 더 포함하는 로딩 영역 모듈(110)을 포함한다. 하지만, 처리 장치(190)에서, 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 상이하게 구성될 수 있지만, 하나 이상의 웨이퍼 캐리어들을 저장하고 안에 있는 웨이퍼 캐리어(들)에 대해 질소 퍼지를 수행하도록 동작가능하다. 단순화를 위해 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)의 다양한 실시예들은 본 도면에서 점선형태의 직사각형들로서 나타난다.
하나의 실시예에서, 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 참조번호 104a 또는 104c와 같은, 처리 장치(190)의 상단 부분에서 구성된다. 또다른 실시예에서, 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 참조번호 104b 및 104d와 같은, 처리 장치(190)의 바닥 부분에서 구성된다. 또다른 실시예에서, 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 (참조번호 104a 또는 104b와 같은) 버퍼 모듈(108)의 한측면 또는, (참조번호 104c 또는 104d와 같은) 버퍼 모듈(108)의 다른 측면에서 구성된다.
다양한 실시예들에서 도 3의 방법(150)은 처리 장치(190)에 적용가능하다. 웨이퍼 이송은 질소 퍼지 후에 이행된다. 구체적으로, 동작(158)은 웨이퍼 캐리어 이송을 위한 제1 단계(162)를 포함한다. 단계(162)에서, 웨이퍼 캐리어(124)를 도어(112)에 이송시키기 위해 외부 이송 유닛(106)이 활용된다. 동작(158)은 제1 단계 이후 웨이퍼 이송을 위한 제2 단계(164)를 포함한다. 단계(164)에서, 내부 이송 유닛(114)은 웨이퍼들을 도어(112)에 있는 웨이퍼 캐리어(124)로부터 도어(112)를 통해 (웨이퍼 보트와 같은) 처리 모듈(116)로 이송시키기 위해 이용된다. 그 후, 도어(112)에 있는 비어진 웨이퍼 캐리어(124)는 외부 이송 유닛(106)에 의해 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)로 되돌아간다.
상술한 시스템(또는 장치)과 방법은 단지 예시로서 역할만을 한다. 위 시스템과 방법은 확장되고 수정될 수 있으며 본 발명의 사상의 일탈없이 적절한 변형들, 실시예들, 및 대안들을 포함할 수 있다. 하나의 실시예에서, 방법(150)에서는 방전 이후 웨이퍼 캐리어(들)(124)에 대해 또다른 질소 퍼지가 이행될 수 있다. 질소 퍼지를 위한 또다른 실시예에서, 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼에서 저장될 때 불활성 가스 퍼지와 같은, 또다른 가스 퍼지 또는 가스 처리가 대안적으로 또는 추가적으로 웨이퍼 캐리어(들) 및 웨이퍼 캐리어들 내의 웨이퍼들에 적용될 수 있다. 하나의 예시에서, 불활성 가스 퍼지는 아르곤 퍼지를 포함한다. 또다른 실시예에서, 웨이퍼 캐리어의 압력을 조정하도록 가압 디바이스가 활성화된다.
본 발명개시는 웨이퍼 캐리어(들)을 저장하고 웨이퍼 캐리어(들)에 대해 질소 퍼지를 수행하도록 설계된 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼와 통합된 처리 장치를 제공한다. 본 사상 및 범위 내에서 본 발명개시와 일관되는 다른 변형들이 고려되고 제안된다. 예를 들어, 처리 장치(100)는 달리 설계될 수 있지만 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼(104)는 처리 장치에서의 웨이퍼 캐리어 저장소를 위한 처리 장치의 컴포넌트로서 설계되고 또한 안에 있는 웨이퍼 캐리어(들)에 대해 질소 퍼지를 적용하도록 설계된다.
본 발명개시를 바람직한 실시예와 관련하여 설명해왔다. 단지 본 발명개시를 판독한 후 본 업계의 당업자에게 명백해지는 개선들 또는 수정들은 본 출원의 사상과 범위 내에 있는 것으로 간주한다. 여러 개의 수정들, 변경들 및 대체들이 전술한 발명개시에서 의도되며 몇몇의 예시들에서 본 발명의 몇몇의 특징들이 다른 특징들의 대응하는 이용 없이 활용될 것이라는 것이 이해된다. 이에 따라, 첨부된 청구항들은 본 발명의 범위와 일치하는 방식으로 광범위하게 해석되어야 함이 적절하다.

Claims (10)

  1. 반도체 처리 장치에 있어서,
    웨이퍼 캐리어를 수용하도록 설계된 로드 락(load lock);
    상기 로드 락으로부터 수용된 상기 웨이퍼 캐리어를 홀딩하고 상기 웨이퍼 캐리어에 대해 질소 퍼지(nitrogen purge)를 수행하도록 구성된 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼; 및
    상기 웨이퍼 캐리어로부터의 웨이퍼들에 대해 반도체 공정을 수행하도록 설계된 처리 모듈
    을 포함하는, 반도체 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼는 상기 웨이퍼 캐리어의 대응하는 가스 포트들에 연결가능하도록 구성된 가스 입구 및 가스 출구를 갖는 것인, 반도체 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼는 상기 웨이퍼 캐리어에 연결가능하도록 구성되고 상기 웨이퍼 캐리어의 압력을 제어하도록 설계된 가압 디바이스를 더 포함한 것인, 반도체 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼들을 상기 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼로부터 상기 처리 모듈로 이송시키도록 설계된 이송 모듈을 더 포함하는, 반도체 처리 장치.
  5. 반도체 처리 장치에 있어서,
    웨이퍼 캐리어를 수용하도록 설계된 로드 락(load lock);
    상기 로드 락으로부터의 웨이퍼 캐리어를 홀딩하도록 구성된 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼로서, 상기 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼는 가스 퍼지를 위해 상기 웨이퍼 캐리어의 대응하는 가스 포트들에 연결가능하도록 구성된 가스 입구 및 가스 출구를 갖는 것인, 상기 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼;
    상기 웨이퍼 캐리어로부터의 적어도 하나의 웨이퍼에 대해 반도체 공정을 수행하도록 설계된 처리 모듈; 및
    상기 웨이퍼를 상기 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼 내의 상기 웨이퍼 캐리어로부터 상기 처리 모듈로 이송시키도록 구성된 이송 모듈
    을 포함하는, 반도체 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 웨이퍼 캐리어는 FOUP(front opening unified pod)이며,
    상기 처리 모듈은 열 산화용으로 설계된 노(furnace)를 포함한 것인, 반도체 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 가스 입구는 질소원에 연결되고 상기 가스 출구는 가스 배출구에 연결되며,
    상기 가스 입구와 상기 가스 출구는 각각 가스 운송을 제어하도록 동작가능한 밸브를 포함한 것인, 반도체 처리 장치.
  8. 반도체 공정 방법에 있어서,
    로드 락(load lock)으로부터 웨이퍼 캐리어를 수용하는 단계;
    상기 웨이퍼 캐리어를 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼에 보내는 단계;
    상기 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼에서 질소 퍼지(nitrogen purge)를 수행하는 단계;
    그 후, 적어도 하나의 웨이퍼를 상기 웨이퍼 캐리어로부터 처리 모듈로 이송시키는 단계; 및
    상기 처리 모듈 내에서 상기 적어도 하나의 웨이퍼에 대해 제조 공정을 수행하는 단계
    를 포함하는, 반도체 공정 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 적어도 하나의 웨이퍼를 상기 웨이퍼 캐리어로부터 상기 처리 모듈로 이송시키는 단계는,
    외부 이송 유닛을 이용하여 상기 웨이퍼 캐리어를 상기 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼로부터 상기 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼 밖으로 이동시키는 단계; 및
    내부 이송 유닛을 이용하여 상기 적어도 하나의 웨이퍼를 상기 웨이퍼 캐리어로부터 밖으로 꺼내어 상기 처리 모듈로 이동시키는 단계를 포함한 것인, 반도체 공정 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 웨이퍼 캐리어를 상기 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼에 보내는 단계는 상기 내부 웨이퍼 캐리어 버퍼의 가압 디바이스를 상기 웨이퍼 캐리어의 대응하는 포트에 결합시키는 단계를 더 포함한 것인, 반도체 공정 방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10403532B2 (en) * 2012-09-20 2019-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor apparatus with inner wafer carrier buffer and method
US9576834B2 (en) * 2015-03-16 2017-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Stocker and method for dispatching wafer carrier in stocker
KR101837545B1 (ko) * 2015-10-02 2018-04-20 에이피시스템 주식회사 Tsv 공정용 진공 라미네이팅 방법
KR101756743B1 (ko) * 2016-12-30 2017-07-12 김태훈 웨이퍼 가공 설비용 버퍼 챔버 유닛
CN107437522B (zh) * 2017-07-24 2019-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 传送装置、基板离子植入系统以及方法
NL2021719A (en) * 2017-11-09 2019-05-15 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method
TWI664690B (zh) * 2018-04-16 2019-07-01 漢民科技股份有限公司 具有自動傳送系統的磊晶製程系統和其自動傳送方法
CN110459496B (zh) * 2019-08-27 2021-12-07 上海华力集成电路制造有限公司 激光退火机台的晶圆传送装置及其操作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070109298A (ko) * 2006-05-10 2007-11-15 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 이송 방법
KR101020767B1 (ko) 2010-08-13 2011-03-09 (주)유시스텍 투명성 전도박막 제조방법
KR101266131B1 (ko) 2012-03-14 2013-05-27 유정호 반도체 웨이퍼 처리장치

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04308090A (ja) * 1991-04-05 1992-10-30 M B K Maikurotetsuku:Kk 気相化学反応生成装置のロードロック機構
US5855681A (en) * 1996-11-18 1999-01-05 Applied Materials, Inc. Ultra high throughput wafer vacuum processing system
JP2003092345A (ja) * 2001-07-13 2003-03-28 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc 基板収納容器、基板搬送システム、保管装置及びガス置換方法
US20030113188A1 (en) * 2001-12-17 2003-06-19 Applied Materials, Inc. Mechanism for providing a continuous supply of wafers and cassettes to semiconductor fabrication tool
JP4534876B2 (ja) * 2005-06-13 2010-09-01 シンフォニアテクノロジー株式会社 被処理物供給装置及び被処理物供給方法
JP5254779B2 (ja) 2006-03-09 2013-08-07 株式会社日立国際電気 基板処理装置システム
CN101730933A (zh) * 2007-07-09 2010-06-09 近藤工业株式会社 向半导体晶片收纳容器内填充干燥空气或氮气的填充装置以及使用了该装置的晶片除静电装置
JP5153296B2 (ja) * 2007-10-31 2013-02-27 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5381054B2 (ja) 2008-12-02 2014-01-08 シンフォニアテクノロジー株式会社 ロードポート
KR101099371B1 (ko) * 2009-10-14 2011-12-29 엘아이지에이디피 주식회사 버퍼 챔버를 구비하는 금속 유기물 화학기상증착장치
US10403532B2 (en) * 2012-09-20 2019-09-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor apparatus with inner wafer carrier buffer and method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070109298A (ko) * 2006-05-10 2007-11-15 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 기판의 이송 방법
KR101020767B1 (ko) 2010-08-13 2011-03-09 (주)유시스텍 투명성 전도박막 제조방법
KR101266131B1 (ko) 2012-03-14 2013-05-27 유정호 반도체 웨이퍼 처리장치

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