CN110459496B - 激光退火机台的晶圆传送装置及其操作方法 - Google Patents
激光退火机台的晶圆传送装置及其操作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110459496B CN110459496B CN201910794585.1A CN201910794585A CN110459496B CN 110459496 B CN110459496 B CN 110459496B CN 201910794585 A CN201910794585 A CN 201910794585A CN 110459496 B CN110459496 B CN 110459496B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- load
- robot arm
- interlocking device
- loading interlocking
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/481—Internal lead connections, e.g. via connections, feedthrough structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本发明涉及激光退火机台的晶圆传送装置及其操作方法,涉及半导体集成电路制造设备,通过在晶圆的传送装置增加了第一加载互锁装置和缓冲区,将吹氮气降低氧浓度的过程放在第一加载互锁装置中进行,并缓冲区中一直有氮气通入以保证晶圆晶圆的传送过程中氧气的浓度,这种设计避免了作业腔在开关门时直接与外界接触而进入氧气,大大降低了单片晶片进入作业腔中吹氮气将氧浓度降低到目标值所需要的时间,可以把这段时间大大缩短,最终增加机台的作业效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造设备,尤其涉及一种激光退火机台的晶圆传送装置及其操作方法。
背景技术
随着半导体工业的发展,集成电路向体积小、速度快、低功耗方向发展。半导体器件的特征尺寸不断按比例缩小。
Ni(Pt)Si金属导线过渡层具有阻值低/消耗硅原子数量少等优点,被广泛应用于65nm以下的半导体器件制造工艺中。镍(Ni)与硅(Si)在310℃左右,先反应形成富镍少硅的Ni2Si,经过清洗去除未反应的镍,410℃二次退火,形成低阻值的NiSi,此过程是业界40nm至65nm形成NiSi的主流工艺。当制程达到28nm时,穿孔效应(Piping defect)越来越明显,源/漏区的硅化镍过度横向扩散进入了源漏区深处,甚至到栅极底部,引起漏电从而导致器件失效。为了减少Ni在Si里的扩散,动态表面退火(Dynamic Surface Anneal),即激光退火被广泛使用在硅化镍退火的第二道。由于退火时在有氧气气氛下会形成高电阻的二氧化硅和氧化镍成分,因此要求退火作业必须在氮气保护下。为此,需要向反应腔内不断吹氮气达到规定氧气浓度才能作业,而这个过程通常占到整个作业时间的一半以上。因此需要通过改进晶圆作业时的传送装置,从而缩短达到要求氧气浓度的时间,最终增加机台的作业效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种激光退火机台的晶圆传送装置,以降低单片晶片进入作业腔中吹氮气将氧浓度降低到目标值所需要的时间,最终增加机台的作业效率。
本发明提供的激光退火机台的晶圆传送装置,包括:第一承载装置,用于承载放置晶圆的前端开口整合盒FOUP;第一机器人手臂,用于抓取晶圆;第一加载互锁装置,为晶圆传送的中转区,用于放置传送过程中的晶圆;缓冲区,缓冲区中包括第二机器人手臂,第二机器人手臂用于抓取晶圆;以及作业腔,为晶圆的反应腔体,其中,第一机器人手臂用于完成晶圆在第一承载装置与第一加载互锁装置之间的传送,第二机器人手臂用于完成晶圆在第一加载互锁装置与作业腔之间的传送,并第一加载互锁装置包括一第一抽真空管路及一第一通氮气管路,第一抽真空管路用于对第一加载互锁装置进行抽真空操作,第一通氮气管路用于向第一加载互锁装置中通入氮气,缓冲区包括一第二通氮气管路,第二通氮气管路用于向缓冲区中通入氮气。
更进一步的,第一机器人手臂位于第一承载装置与第一加载互锁装置之间。
更进一步的,第一加载互锁装置包括一第一门,第一机器人手臂通过第一门将晶圆放入第一加载互锁装置中或从第一加载互锁装置中取出。
更进一步的,第一门位于第一加载互锁装置面向第一机器人手臂的一侧。
更进一步的,第二机器人手臂位于第一加载互锁装置与作业腔之间。
更进一步的,第一加载互锁装置包括一第二门,第二机器人手臂通过第二门将晶圆放入第一加载互锁装置中或从第一加载互锁装置中取出。
更进一步的,第二门位于第一加载互锁装置面向第二机器人手臂的一侧。
更进一步的,作业腔包括一第三门,第二机器人手臂通过第三门将晶圆放入作业腔或从作业腔中取出。
更进一步的,第三门位于作业腔面向第二机器人手臂的一侧。
更进一步的,激光退火机台的晶圆传送装置还包括一第二加载互锁装置,第二加载互锁装置与第一加载互锁装置并排设置在第二机器人手臂与第一机器人手臂之间,第二加载互锁装置包括一第四门,第一机器人手臂通过第四门将晶圆放入第二加载互锁装置中或从第二加载互锁装置中取出;第二加载互锁装置包括一第五门,第二机器人手臂通过第五门将晶圆放入第二加载互锁装置中或从第二加载互锁装置中取出。
更进一步的,第四门位于第二加载互锁装置面向第一机器人手臂的一侧;第五门位于第二加载互锁装置面向第二机器人手臂的一侧。
更进一步的,第二加载互锁装置包括一第二抽真空管路及一第三通氮气管路,第二抽真空管路用于对第二加载互锁装置进行抽真空操作,第三通氮气管路用于向第二加载互锁装置中通入氮气。
更进一步的,激光退火机台的晶圆传送装置还包括一第二承载装置,第二承载装置与第一承载装置并排设置在第一机器人手臂远离第一加载互锁装置的一侧,并第一机器人手臂用于完成晶圆在第二承载装置与第二加载互锁装置之间的传送。
更进一步的,缓冲区中还包括校准装置,用于晶圆调整开口角度;缓冲区中还包括冷却站,对激光退火工艺完成的晶圆进行降温。
本发明还提供一种上述的激光退火机台的晶圆传送装置的操作方法,包括:S1:第一机器人手臂将第一承载装置中的前端开口整合盒FOUP中的所有晶圆通过第一加载互锁装置的第一门传入第一加载互锁装置中,此时第一加载互锁装置的第一门打开,第二门关闭,传送完毕后关闭第一门,通过第一抽真空管路开始抽真空将第一加载互锁装置中的空气排除,当第一加载互锁装置中的真空度小于1.1pa时,通过第一通氮气管路向第一加载互锁装置中缓慢通入纯氮气,当第一加载互锁装置内的气压比外界气压大5Torr时,打开第一加载互锁装置第二门;S2:第二机器人手臂将晶圆按顺序通过第二门从第一加载互锁装置中传送进入作业腔中,在作业腔中完成激光退火工艺后再由第二机器人手臂放回第一加载互锁装置中;以及S3:当一整卡晶圆全部作业完成并全部传送至第一加载互锁装置中时,将激光退火工艺后的晶圆全部传送到第一承载装置中的前端开口整合盒FOUP中,并关闭第一加载互锁装置的第一门。
更进一步的,在步骤S2中第二机器人手臂将晶圆按顺序在校准装置上对好角度后从第一加载互锁装置中传送进入作业腔中,在作业腔中完成激光退火工艺后再由第二机器人手臂放回第一加载互锁装置中的冷却站上冷却,冷却完成,再由第二机器人手臂放回第一加载互锁装置中。
更进一步的,还包括步骤S4:在第一加载互锁装置中晶圆作业的时候,若第二承载装置上有前端开口整合盒FOUP,第一机器人手臂会同时将第二承载装置中的前端开口整合盒FOUP中的晶圆传送到第二加载互锁装置中进行抽真空再通氮气。
更进一步的,在步骤S1中,当第一加载互锁装置中的真空度小于0.1pa时,通过第一通氮气管路向第一加载互锁装置中缓慢通入纯氮气。
更进一步的,缓冲区通过位于缓冲区上的第二通氮气管路向缓冲区中一直通入氮气。
本发明提供的激光退火机台的晶圆传送装置及其操作方法,通过在晶圆的传送装置增加了第一加载互锁装置和缓冲区,将吹氮气降低氧浓度的过程放在第一加载互锁装置中进行,并缓冲区中一直有氮气通入以保证晶圆晶圆的传送过程中氧气的浓度,这种设计避免了作业腔在开关门时直接与外界接触而进入氧气,大大降低了单片晶片进入作业腔中吹氮气将氧浓度降低到目标值所需要的时间,可以把这段时间大大缩短,最终增加机台的作业效率。
附图说明
图1为现有技术中的激光退火机台的晶圆传送装置示意图。
图2为作业腔内氧气的浓度变化示意图。
图3为Gantry Power变化示意图。
图4为本发明的激光退火机台的晶圆传送装置示意图。
图中主要元件附图标记说明如下:
11、第一承载装置;12、第二承载装置;2、第一机器人手臂;61、第一加载互锁装置;610、第一抽真空管路;620、第一通氮气管路;62、第二加载互锁装置;621、第二抽真空管路;623、第三通氮气管路;4、冷却站;7、第二机器人手臂;3、校准装置;82、第二通氮气管路;8、缓冲区;5、作业腔。
具体实施方式
下面将结合附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
对于激光退火工艺,激光退火机台通常的作业要求是反应腔内氧气浓度低于10ppm。然而,每次晶片传送进入反应腔内时都会有外界氧气进入,这就需要向反应腔内不断吹氮气达到规定氧气浓度才能作业,而这个过程通常占到整个激光退火工艺时间的一半以上。
具体的,可参阅图1,图1为现有技术中的激光退火机台的晶圆传送装置示意图,如图1所示,激光退火机台的晶圆传送装置包括:第一承载装置(loadport)1,用于承载放置晶圆的前端开口整合盒FOUP(Front open unified pod);机器人手臂(robot)2,用于抓取晶圆;以及,作业腔(Process Chamber)5,为晶圆的反应腔体。现有的晶圆的传送过程为:机器人手臂(robot)2从位于第一承载装置(loadport)1中的前端开口整合盒FOUP(Front openunified pod)中以单片方式取出晶圆,并直接放入作业腔(Process Chamber)5中。由于机器人手臂(robot)2所处的环境是外界大气环境,在晶片进入作业腔5中时会有氧气的进入。具体的,请参阅图2,图2为作业腔内氧气的浓度变化示意图。如图2所示,作业腔5中的氧气(O2)浓度在打开作业腔5的门放入晶片一瞬间O2浓度高达2000多ppm,随着时间逐渐降低,在接近三分钟的时候才降低到10ppm。另请参阅图3,图3为Gantry Power变化示意图,如图3所示,Gantry从Beam Dump移动到晶圆上(第一次Power瞬降)开始扫描到退火结束(第二次Power瞬降)大概只用了一分半的时间,所以说降低氧气浓度的时间占到了整个工艺过程时间的一半以上。因此需要改进晶圆作业时的传送装置,从而缩短达到要求氧气浓度的时间,最终增加机台的作业效率。
为了缩短激光退火机台中反应腔体内达到要求氧气浓度的时间,从而达到提高机台作业效率的效果。本发明一实施例中,在于提供一种激光退火机台的晶圆传送装置。并请参阅图4,图4为本发明的激光退火机台的晶圆传送装置示意图。具体的,该激光退火机台的晶圆传送装置,包括:第一承载装置(loadport)11,用于承载放置晶圆的前端开口整合盒FOUP(Front open unified pod);第一机器人手臂(robot)2,用于抓取晶圆;第一加载互锁装置(loadlock)61,为晶圆传送的中转区,用于放置传送过程中的晶圆;缓冲区(buffer)8,缓冲区中包括第二机器人手臂(robot)7,第二机器人手臂(robot)7用于抓取晶圆;以及作业腔(Process Chamber)5,为晶圆的反应腔体,其中,第一机器人手臂(robot)2用于完成晶圆在第一承载装置(loadport)11与第一加载互锁装置(loadlock)61之间的传送,第二机器人手臂(robot)7用于完成晶圆在第一加载互锁装置(loadlock)61与作业腔(ProcessChamber)5之间的传送,并第一加载互锁装置(loadlock)61包括一第一抽真空管路610及一第一通氮气(N2)管路620,第一抽真空管路610用于对第一加载互锁装置(loadlock)61进行抽真空操作,第一通氮气(N2)管路620用于向第一加载互锁装置(loadlock)61中通入氮气,缓冲区(buffer)8包括一第二通氮气管路82,第二通氮气管路82用于向缓冲区(buffer)8中通入氮气。
如上所述,本发明通过在晶圆的传送装置增加了第一加载互锁装置和缓冲区,将吹氮气降低氧浓度的过程放在第一加载互锁装置中进行,并缓冲区中一直有氮气通入以保证晶圆晶圆的传送过程中氧气的浓度,这种设计避免了作业腔在开关门时直接与外界接触而进入氧气,大大降低了单片晶片进入作业腔中吹氮气将氧浓度降低到目标值所需要的时间,理论上可以把这段时间从原来的3分钟左右缩短到15秒以内。在保证晶圆正常预加热(Preheat)情况下,能将Prestep阶段的时间从3分钟缩短到1分钟之内,从而使晶圆整个的作业时间从约4分40秒缩短到约2分40秒,激光退火机台作业效率大大提高近75%。
更具体的,请参阅图4,在本发明一实施例中,第一机器人手臂(robot)2位于第一承载装置(loadport)11与第一加载互锁装置(loadlock)61之间。
更具体的,在本发明一实施例中,第一加载互锁装置(loadlock)61包括一第一门(图中未示出),第一机器人手臂(robot)2通过第一门将晶圆放入第一加载互锁装置(loadlock)61中或从第一加载互锁装置(loadlock)61中取出。更具体的,在本发明一实施例中,第一门位于第一加载互锁装置(loadlock)61面向第一机器人手臂(robot)2的一侧。
更具体的,请参阅图4,在本发明一实施例中,第二机器人手臂(robot)7位于第一加载互锁装置(loadlock)61与作业腔(Process Chamber)5之间。
更具体的,在本发明一实施例中,第一加载互锁装置(loadlock)61包括一第二门(图中未示出),第二机器人手臂(robot)7通过第二门将晶圆放入第一加载互锁装置(loadlock)61中或从第一加载互锁装置(loadlock)61中取出。更具体的,在本发明一实施例中,第二门位于第一加载互锁装置(loadlock)61面向第二机器人手臂(robot)7的一侧。
更具体的,在本发明一实施例中,作业腔(Process Chamber)5包括一第三门(图中未示出),第二机器人手臂(robot)7通过第三门将晶圆放入作业腔(Process Chamber)5或从作业腔(Process Chamber)5中取出。更具体的,在本发明一实施例中,第三门位于作业腔(Process Chamber)5面向第二机器人手臂(robot)7的一侧。
更具体的,在本发明一实施例中,激光退火机台的晶圆传送装置还包括一第二加载互锁装置62,第二加载互锁装置62与第一加载互锁装置(loadlock)61的结构和功能相同。并第二加载互锁装置62与第一加载互锁装置(loadlock)61并排设置在第二机器人手臂(robot)7与第一机器人手臂(robot)2之间。具体的,第二加载互锁装置(loadlock)62包括一第四门(图中未示出),第一机器人手臂(robot)2通过第四门将晶圆放入第二加载互锁装置(loadlock)62中或从第二加载互锁装置(loadlock)62中取出;第二加载互锁装置(loadlock)61包括一第五门(图中未示出),第二机器人手臂(robot)7通过第五门将晶圆放入第二加载互锁装置(loadlock)62中或从第二加载互锁装置(loadlock)62中取出。更具体的,请参阅图4,第四门位于第二加载互锁装置(loadlock)62面向第一机器人手臂(robot)2的一侧;第五门位于第二加载互锁装置(loadlock)62面向第二机器人手臂(robot)7的一侧。
更具体的,在本发明一实施例中,第二加载互锁装置(loadlock)62包括一第二抽真空管路621及一第三通氮气(N2)管路623,第二抽真空管路621用于对第二加载互锁装置(loadlock)62进行抽真空操作,第三通氮气(N2)管路623用于向第二加载互锁装置(loadlock)62中通入氮气。
更具体的,在本发明一实施例中,激光退火机台的晶圆传送装置还包括一第二承载装置(loadport)12,第二承载装置(loadport)12与第一承载装置(loadport)11的结构和功能相同。并第二承载装置(loadport)12与第一承载装置(loadport)1并排设置在第一机器人手臂(robot)2远离第一加载互锁装置(loadlock)61的一侧,并第一机器人手臂(robot)2用于完成晶圆在第二承载装置(loadport)12与第二加载互锁装置(loadlock)62之间的传送。
更具体的,在本发明一实施例中,缓冲区(buffer)8中还包括校准(Align)装置3,用于晶圆调整开口(notch)角度。缓冲区(buffer)8中还包括冷却站(Cooldown Station)4,对激光退火工艺(process)完成的晶圆进行降温。
更进一步的,在本发明一实施例中,还提供上述激光退火机台的晶圆传送装置的操作方法,包括:S1:第一机器人手臂(robot)2将第一承载装置(loadport)11中的前端开口整合盒FOUP(Front open unified pod)中的所有晶圆通过第一加载互锁装置(loadlock)61的第一门传入第一加载互锁装置(loadlock)61中,此时第一加载互锁装置(loadlock)61的第一门打开,第二门关闭,传送完毕后关闭第一门,通过第一抽真空管路610开始抽真空将第一加载互锁装置(loadlock)61中的空气排除,当第一加载互锁装置(loadlock)61中的真空度小于1.1pa时,通过第一通氮气(N2)管路620向第一加载互锁装置(loadlock)61中缓慢通入纯氮气,当第一加载互锁装置(loadlock)61内的气压比外界气压大5Torr时,打开第一加载互锁装置(loadlock)61第二门;S2:第二机器人手臂(robot)7将晶圆按顺序通过第二门从第一加载互锁装置(loadlock)61中传送进入作业腔(Process Chamber)5中,在作业腔(Process Chamber)5中完成激光退火工艺后再由第二机器人手臂(robot)7放回第一加载互锁装置(loadlock)61中;S3:当一整卡晶圆全部作业完成并全部传送至第一加载互锁装置(loadlock)61中时,关闭第一加载互锁装置(loadlock)61的第二门,打开第一门,第一机器人手臂(robot)2将激光退火工艺后的晶圆全部传送到第一承载装置(loadport)11中的前端开口整合盒FOUP(Front open unified pod)中,并关闭第一加载互锁装置(loadlock)61的第一门。
更进一步的,在本发明一实施例中,在步骤S2中第二机器人手臂(robot)7将晶圆按顺序在校准(Align)装置3上对好角度后从第一加载互锁装置(loadlock)61中传送进入作业腔(Process Chamber)5中,在作业腔(Process Chamber)5中完成激光退火工艺后再由第二机器人手臂(robot)7放回第一加载互锁装置(loadlock)61中的冷却站4上冷却,冷却完成,再由第二机器人手臂(robot)7放回第一加载互锁装置(loadlock)61中。
更进一步的,在本发明一实施例中,上述激光退火机台的晶圆传送装置的操作方法,还包括步骤S4:在第一加载互锁装置(loadlock)61中晶圆作业的时候,若第二承载装置(loadport)12上有前端开口整合盒FOUP(Front open unified pod),第一机器人手臂(robot)2会同时将第二承载装置(loadport)12中的前端开口整合盒FOUP(Front openunified pod)中的晶圆传送到第二加载互锁装置(loadlock)62中进行抽真空再通氮气,这样可以节省晶圆的整体处理时间。
更进一步的,更优的,在步骤S1中,当第一加载互锁装置(loadlock)61中的真空度小于0.1pa时,通过第一通氮气(N2)管路620向第一加载互锁装置(loadlock)61中缓慢通入纯氮气。
更进一步的,在本发明一实施例中,在晶圆的传送过程中,缓冲区(buffer)8通过位于缓冲区(buffer)8上的第二通氮气管路82向缓冲区(buffer)8中一直通入氮气。
以量产机台包括两个承载装置(loadport)和两个加载互锁装置(loadlock),并两个承载装置(loadport)都有作业产品为例,假设,第一承载装置(loadport)11的前端开口整合盒FOUP(Front open unified pod)包括25片晶片传入第一加载互锁装置(loadlock)61中,此时第一加载互锁装置(loadlock)61的第一门打开,第二门关闭,传送完毕关闭第一加载互锁装置(loadlock)61第一门,第一加载互锁装置(loadlock)61中开始抽真空将空气排除,当真空度小于1.1pa时,缓慢通入纯氮气,当第一加载互锁装置(loadlock)61内气压比外界气压大5Torr时,打开第一加载互锁装置(loadlock)61的第二门,这个过程约1.5分钟;然后,第二机器人手臂(robot)7将晶圆按顺序从第一加载互锁装置(loadlock)61中传送进入作业腔(Process Chamber)5中,在作业腔(Process Chamber)5中完成激光退火工艺后再由第二机器人手臂(robot)7放回第一加载互锁装置(loadlock)61中,这个过程2.67分钟*25;并(3)在第一加载互锁装置(loadlock)61中晶圆作业的时候,若第二承载装置(loadport)12上有前端开口整合盒FOUP(Front open unified pod),第一机器人手臂(robot)2会同时将第二承载装置(loadport)12中的前端开口整合盒FOUP(Front openunified pod)中的晶圆传送到第二加载互锁装置(loadlock)62中进行抽真空再通氮气,这样可以节省晶圆的整体处理时间,顺序作业提前完成第二加载互锁装置(loadlock)62抽真空和吹氮气;当一整卡晶圆全部作业完成,并全部传送至第一加载互锁装置(loadlock)61中,关闭第一加载互锁装置(loadlock)61的第二门,打开第一门,第一机器人手臂(robot)2将激光退火工艺后的晶圆全部传送到第一承载装置(loadport)11中的前端开口整合盒FOUP(Front open unified pod)中,并关闭第一加载互锁装置(loadlock)61的第一门,此过程大约0.5分钟。因此,对于新的传送方案其整卡产品的作业时间T2=1.5min+2.67min*25+0.5min=68.75min,而相对于旧的传送方案整卡产品作业时间T1=4.67*25=116.75min,可以看出,新的传送方案效率显而易见。
本发明尤其适用于28nm及以下制程中。
综上所述,本发明通过在晶圆的传送装置增加了第一加载互锁装置和缓冲区,将吹氮气降低氧浓度的过程放在第一加载互锁装置中进行,并缓冲区中一直有氮气通入以保证晶圆晶圆的传送过程中氧气的浓度,这种设计避免了作业腔在开关门时直接与外界接触而进入氧气,大大降低了单片晶片进入作业腔中吹氮气将氧浓度降低到目标值所需要的时间,可以把这段时间大大缩短,最终增加机台的作业效率。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (5)
1.一种激光退火机台的晶圆传送装置的操作方法,激光退火机台的晶圆传送装置包括:第一承载装置,用于承载放置晶圆的前端开口整合盒FOUP;第一机器人手臂,用于抓取晶圆;第一加载互锁装置,为晶圆传送的中转区,用于放置传送过程中的晶圆;缓冲区,缓冲区中包括第二机器人手臂,第二机器人手臂用于抓取晶圆;以及作业腔,为晶圆的反应腔体,其中,第一机器人手臂用于完成晶圆在第一承载装置与第一加载互锁装置之间的传送,第二机器人手臂用于完成晶圆在第一加载互锁装置与作业腔之间的传送,并第一加载互锁装置包括一第一抽真空管路及一第一通氮气管路,第一抽真空管路用于对第一加载互锁装置进行抽真空操作,第一通氮气管路用于向第一加载互锁装置中通入氮气,缓冲区包括一第二通氮气管路,第二通氮气管路用于向缓冲区中通入氮气,其特征在于,包括:
S1:第一机器人手臂将第一承载装置中的前端开口整合盒FOUP中的所有晶圆通过第一加载互锁装置的第一门传入第一加载互锁装置中,此时第一加载互锁装置的第一门打开,第二门关闭,传送完毕后关闭第一门,通过第一抽真空管路开始抽真空将第一加载互锁装置中的空气排除,当第一加载互锁装置中的真空度小于1.1pa时,通过第一通氮气管路向第一加载互锁装置中缓慢通入纯氮气,当第一加载互锁装置内的气压比外界气压大5Torr时,打开第一加载互锁装置第二门;
S2:第二机器人手臂将晶圆按顺序通过第二门从第一加载互锁装置中传送进入作业腔中,在作业腔中完成激光退火工艺后再由第二机器人手臂放回第一加载互锁装置中;以及
S3:当一整卡晶圆全部作业完成并全部传送至第一加载互锁装置中时,将激光退火工艺后的晶圆全部传送到第一承载装置中的前端开口整合盒FOUP中,并关闭第一加载互锁装置的第一门。
2.根据权利要求1所述的操作方法,其特征在于,在步骤S2中第二机器人手臂将晶圆按顺序在校准装置上对好角度后从第一加载互锁装置中传送进入作业腔中,在作业腔中完成激光退火工艺后再由第二机器人手臂放回第一加载互锁装置中的冷却站上冷却,冷却完成,再由第二机器人手臂放回第一加载互锁装置中。
3.根据权利要求1所述的操作方法,其特征在于,还包括步骤S4:在第一加载互锁装置中晶圆作业的时候,若第二承载装置上有前端开口整合盒FOUP,第一机器人手臂会同时将第二承载装置中的前端开口整合盒FOUP中的晶圆传送到第二加载互锁装置中进行抽真空再通氮气。
4.根据权利要求1所述的操作方法,其特征在于,在步骤S1中,当第一加载互锁装置中的真空度小于0.1pa时,通过第一通氮气管路向第一加载互锁装置中缓慢通入纯氮气。
5.根据权利要求1所述的操作方法,其特征在于,缓冲区通过位于缓冲区上的第二通氮气管路向缓冲区中一直通入氮气。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910794585.1A CN110459496B (zh) | 2019-08-27 | 2019-08-27 | 激光退火机台的晶圆传送装置及其操作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910794585.1A CN110459496B (zh) | 2019-08-27 | 2019-08-27 | 激光退火机台的晶圆传送装置及其操作方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110459496A CN110459496A (zh) | 2019-11-15 |
CN110459496B true CN110459496B (zh) | 2021-12-07 |
Family
ID=68489267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910794585.1A Active CN110459496B (zh) | 2019-08-27 | 2019-08-27 | 激光退火机台的晶圆传送装置及其操作方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110459496B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102163573A (zh) * | 2010-01-14 | 2011-08-24 | 东京毅力科创株式会社 | 支承体机构、负载锁定装置、处理装置及搬送机构 |
CN103681405A (zh) * | 2012-09-20 | 2014-03-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有内晶圆载体缓冲区的半导体装置和方法 |
CN106486393A (zh) * | 2015-08-27 | 2017-03-08 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100074383A (ko) * | 2008-12-24 | 2010-07-02 | 주식회사 테스 | 태양전지의 제조에서 기판 상에 물질층을 형성하기 위한 장치 |
-
2019
- 2019-08-27 CN CN201910794585.1A patent/CN110459496B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102163573A (zh) * | 2010-01-14 | 2011-08-24 | 东京毅力科创株式会社 | 支承体机构、负载锁定装置、处理装置及搬送机构 |
CN103681405A (zh) * | 2012-09-20 | 2014-03-26 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有内晶圆载体缓冲区的半导体装置和方法 |
CN106486393A (zh) * | 2015-08-27 | 2017-03-08 | 株式会社日立国际电气 | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110459496A (zh) | 2019-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5042517B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8021979B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
US8039378B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
KR20090004523A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
US8367560B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
JP2008244059A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5507654B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4494523B2 (ja) | インライン型ウェハ搬送装置および基板搬送方法 | |
CN110459496B (zh) | 激光退火机台的晶圆传送装置及其操作方法 | |
KR101649356B1 (ko) | 반도체 기판 처리장치 | |
KR101178856B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 장치 | |
WO2007132884A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
CN115104176A (zh) | 用于可流动间隙填充膜的多步骤处理 | |
KR102255113B1 (ko) | 산소 함유 피처리체의 처리 방법 및 처리 장치 | |
WO2023035639A1 (zh) | 半导体结构制作方法及半导体结构处理设备 | |
JP2000277449A (ja) | 半導体装置の製造方法および不純物注入活性化処理装置 | |
KR940002301B1 (ko) | 게이트 산화막 제조방법 | |
JP2005093909A5 (zh) | ||
JP2005197543A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20060090224A (ko) | 기판처리방법 | |
TW202204055A (zh) | 用於選擇性間隙填充之低溫電漿預清潔 | |
KR100312380B1 (ko) | 반도체소자의 평탄화 방법 | |
JPH04251921A (ja) | マルチチャンバプロセス装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2009260004A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009049217A (ja) | 半導体デバイスの製造方法。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |