KR20180063831A - 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치의 세정 시스템 - Google Patents

기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치의 세정 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20180063831A
KR20180063831A KR1020170160521A KR20170160521A KR20180063831A KR 20180063831 A KR20180063831 A KR 20180063831A KR 1020170160521 A KR1020170160521 A KR 1020170160521A KR 20170160521 A KR20170160521 A KR 20170160521A KR 20180063831 A KR20180063831 A KR 20180063831A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
processing unit
liquid
substrate processing
processing apparatus
Prior art date
Application number
KR1020170160521A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102456825B1 (ko
Inventor
쇼타로 기타야마
겐타로 고시
히로키 오노
게이스케 에가시라
요스케 가와부치
히로시 마루모토
다쿠로 마스즈미
겐토 두카노
히로미 기요세
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20180063831A publication Critical patent/KR20180063831A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102456825B1 publication Critical patent/KR102456825B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04—Cleaning by suction, with or without auxiliary action
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/261—Alcohols; Phenols
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/005—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by dipping them into or mixing them with a chemical liquid, e.g. organic; chemical, e.g. organic, dewatering aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B15/00—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area
    • B08B15/007—Fume suction nozzles arranged on a closed or semi-closed surface, e.g. on a circular, ring-shaped or rectangular surface adjacent the area where fumes are produced
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0229—Suction chambers for aspirating the sprayed liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/20—Industrial or commercial equipment, e.g. reactors, tubes or engines

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

[과제] 초임계 유체를 이용하여 웨이퍼를 건조시키는 경우에, 웨이퍼에 다수의 파티클이 부착되는 것을 억제하는 것이다.
[해결수단] 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 세정 방법은, 액체에 의해 표면이 젖은 상태의 기판을 초임계 유체와 접촉시켜, 기판을 건조시키는 건조 처리가 행해지는 기판 처리 장치의 세정 방법으로서, 세정용 기체 충전 공정과, 배기 공정을 포함한다. 세정용 기체 충전 공정은, 이소프로필알콜을 함유하는 세정용 기체를 기판 처리 장치의 내부에 충전한다. 배기 공정은, 세정용 기체 충전 공정 후에, 기판 처리 장치의 내부로부터 세정용 기체를 배기한다.

Description

기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치의 세정 시스템{METHOD OF CLEANING SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SYSTEM OF CLEANING SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
개시한 실시형태는, 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치의 세정 시스템에 관한 것이다.
종래, 기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼로 호칭함) 등의 표면을 액체로 처리한 후의 건조 공정에 있어서, 액체에 의해 표면이 젖은 상태의 웨이퍼를 초임계 유체와 접촉시킴으로써 웨이퍼를 건조시키는 방법이 알려져 있다(예를 들면 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2013-12538호 공보
그러나, 종래의 초임계 유체를 이용한 건조 방법에서는, 복수의 웨이퍼를 반복하여 건조시킬 때에, 웨이퍼에 다수의 파티클이 부착되는 경우가 있다. 그리고, 부착된 다수의 파티클에 의해, 웨이퍼의 수율이 저하되어 버릴 우려가 있다.
실시형태의 일양태는, 상기를 감안하여 이루어진 것으로, 초임계 유체를 이용하여 웨이퍼를 건조시키는 경우에, 웨이퍼에 다수의 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있는 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치의 세정 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태의 일양태에 관한 기판 처리 장치의 세정 방법은, 액체에 의해 표면이 젖은 상태의 기판을 초임계 유체와 접촉시켜, 상기 기판을 건조시키는 건조 처리가 행해지는 기판 처리 장치의 세정 방법으로서, 세정용 기체 충전 공정과, 배기 공정을 포함한다. 상기 세정용 기체 충전 공정은, 이소프로필알콜을 함유하는 세정용 기체를 상기 기판 처리 장치의 내부에 충전한다. 상기 배기 공정은, 상기 세정용 기체 충전 공정 후에, 상기 기판 처리 장치의 내부로부터 상기 세정용 기체를 배기한다.
실시형태의 일양태에 의하면, 초임계 유체를 이용하여 웨이퍼를 건조시키는 경우에, 웨이퍼에 다수의 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
도 1은, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템의 세정 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
도 2는, 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 3은, 세정 처리 유닛의 구성을 나타내는 단면도이다.
도 4는, 건조 처리 유닛의 구성을 나타내는 외관 사시도이다.
도 5는, 건조 처리 유닛의 시스템 전체의 구성예를 나타내는 도면이다.
도 6은, 제어부의 기능 구성을 나타내는 블럭도이다.
도 7은, IPA의 건조 메커니즘을 설명하기 위한 도면이며, 웨이퍼가 갖는 패턴을 간략적으로 나타낸 확대 단면도이다.
도 8a는, 실시형태에 관한 세정용 액체 반입 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
도 8b는, 실시형태에 관한 세정용 액체 기화 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
도 8c는, 실시형태에 관한 배기 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
도 9a는, 실시형태에 관한 지그의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 9b는, 도 9a의 A-A선 단면도이다.
도 9c는, 실시형태에 관한 지그의 다른 예를 나타내는 단면도이다.
도 10은, 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 세정 처리에서의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 11a는, 실시형태의 변형예 1에 관한 세정용 기체 주입 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
도 11b는, 실시형태의 변형예 1에 관한 배기 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
도 12는, 실시형태의 변형예 1에 관한 기판 처리 시스템의 세정 처리에서의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 13a는, 실시형태의 변형예 2에 관한 세정용 액체 주입 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
도 13b는, 실시형태의 변형예 2에 관한 세정용 액체 기화 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
도 13c는, 실시형태의 변형예 2에 관한 배기 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
도 14는, 실시형태의 변형예 2에 관한 기판 처리 시스템의 세정 처리에서의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치의 세정 시스템의 실시형태를 상세히 설명한다. 또, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
<기판 처리 시스템의 세정 처리의 개요>
처음에, 도 1을 참조하면서, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리의 개요에 관해 설명한다. 도 1은, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)(도 2 참조)에서는, 건조 처리 유닛(17)(도 2 참조)에 있어서, 도 1에 나타낸 바와 같이, 복수의 웨이퍼에 대하여 초임계 유체를 이용한 건조 처리(S1)가 반복하여 행해진다. 이러한 건조 처리(S1)의 상세에 관해서는 후술한다.
여기서, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리에서는, 기판 처리 시스템(1)의 건조 처리 유닛(17)에 있어서, 반복하여 행해지는 건조 처리(S1)의 사이에 세정 처리(S2)를 행한다. 이러한 세정 처리(S2)는, 세정용 기체 충전 처리(S3)와, 배기 처리(S4)를 포함한다.
세정용 기체 충전 처리(S3)에서는, 이소프로필알콜(Isopropyl Alcohol : 이하, IPA로 호칭함)을 건조 처리 유닛(17) 내에 공급함으로써, 건조 처리 유닛(17) 내에 기체 상태의 IPA(이하, 「IPA 기체」로 호칭함)를 충전한다. 그리고, 충전된 IPA 기체는, 건조 처리 유닛(17) 내에 충만하여, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 흡착한다.
계속해서 행해지는 배기 처리(S4)에서는, 파티클을 흡착한 IPA 기체를, 펌프 등을 이용하여 건조 처리 유닛(17) 내로부터 배기한다. 이에 따라, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클이, IPA 기체와 함께 건조 처리 유닛(17)의 외부로 배출된다.
즉, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클의 수를, 세정용 기체 충전 처리(S3)와 배기 처리(S4)에 의해 저감할 수 있다. 따라서, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리(S2)에 의하면, 초임계 유체를 이용한 건조 처리(S1)가 행해지는 건조 처리 유닛(17) 내에서, 웨이퍼에 다수의 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
<기판 처리 시스템의 개요>
계속해서, 도 2를 참조하면서, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성에 관해 설명한다. 도 2는, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 수직 상향 방향으로 한다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입 반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입 반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 설치된다.
반입 반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 반도체 웨이퍼(W)(이하 웨이퍼(W))를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)와, 지그 배치부(21)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
지그 배치부(21)에는 지그(22)가 배치되어 있다. 여기서, 전술한 기판 반송 장치(13)에서의 웨이퍼 유지 기구는, 지그(22)를 유지하는 기능도 갖추고 있다. 그리고, 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 지그 배치부(21)와 전달부(14) 사이에서 지그(22)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 세정 처리 유닛(16)과, 복수의 건조 처리 유닛(17)을 구비한다. 복수의 세정 처리 유닛(16)과 복수의 건조 처리 유닛(17)은, 반송부(15)의 양측에 나란히 설치된다. 또, 도 2에 나타낸 세정 처리 유닛(16) 및 건조 처리 유닛(17)의 배치나 갯수는 일례이며, 도시한 것에 한정되지 않는다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(18)를 구비한다. 기판 반송 장치(18)는, 웨이퍼(W)나 지그(22)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(18)는, 수평 방향 및 수직 방향으로의 이동 및 수직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와, 세정 처리 유닛(16)과, 건조 처리 유닛(17)과의 사이에서 웨이퍼(W) 또는 지그(22)의 반송을 행한다.
세정 처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(18)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 세정 처리를 행한다. 세정 처리 유닛(16)의 구성예에 관해서는 후술한다.
건조 처리 유닛(17)은, 세정 처리 유닛(16)에 의해 세정 처리된 웨이퍼(W)에 대하여, 전술한 건조 처리를 행한다. 건조 처리 유닛(17)의 구성예에 관해서는 후술한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(19)와 기억부(20)를 구비한다.
제어부(19)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 입출력 포트 등을 갖는 마이크로컴퓨터나 각종 회로를 포함한다. 이러한 마이크로컴퓨터의 CPU는, ROM에 기억되어 있는 프로그램을 독출하여 실행함으로써, 후술하는 제어를 실현한다.
또, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체에 기록되어 있던 것이며, 그 기록 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(20)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체로는, 예를 들면 하드디스크(HD), 플렉시블디스크(FD), 컴팩트디스크(CD), 마그넷옵티컬디스크(MO), 메모리카드 등이 있다.
기억부(20)는, 예를 들면, RAM, 플래시메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자 또는 하드디스크, 광디스크 등의 기억 장치에 의해 실현된다.
상기와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출한 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(18)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 세정 처리 유닛(16)에 반입된다.
세정 처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 세정 처리 유닛(16)에 의해 세정 처리가 실시된 후, 기판 반송 장치(18)에 의해 세정 처리 유닛(16)으로부터 반출된다. 세정 처리 유닛(16)으로부터 반출된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(18)에 의해 건조 처리 유닛(17)에 반입되어, 건조 처리 유닛(17)에 의해 건조 처리가 실시된다.
건조 처리 유닛(17)에 의해 건조 처리된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(18)에 의해 건조 처리 유닛(17)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 되돌아간다.
<세정 처리 유닛의 개요>
다음으로, 도 3을 참조하면서, 세정 처리 유닛(16)의 개략 구성에 관해 설명한다. 도 3은, 세정 처리 유닛(16)의 구성을 나타내는 단면도이다. 세정 처리 유닛(16)은, 예를 들면, 스핀 세정에 의해 웨이퍼(W)를 1장씩 세정하는 매엽식의 세정 처리 유닛으로서 구성된다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 세정 처리 유닛(16)은, 처리 공간을 형성하는 외측 챔버(23) 내에 배치된 웨이퍼 유지 기구(25)로 웨이퍼(W)를 대략 수평으로 유지하고, 이 웨이퍼 유지 기구(25)를 수직축 둘레에 회전시키는 것에 의해 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 그리고, 세정 처리 유닛(16)은, 회전하는 웨이퍼(W)의 상측으로 노즐 아암(26)을 진입시켜, 이러한 노즐 아암(26)의 선단부에 설치된 약액 노즐(26a)로부터 약액이나 린스액을 미리 정해진 순으로 공급함으로써, 웨이퍼(W)의 표면의 세정 처리를 행한다.
또한, 세정 처리 유닛(16)에는, 웨이퍼 유지 기구(25)의 내부에도 약액 공급로(25a)가 형성되어 있다. 그리고, 이러한 약액 공급로(25a)로부터 공급된 약액이나 린스액에 의해, 웨이퍼(W)의 이면 세정이 행해진다.
전술한 웨이퍼(W)의 세정 처리는, 예를 들면, 처음에 알칼리성의 약액인 SC1액(암모니아와 과산화수소수의 혼합액)에 의한 파티클이나 유기성의 오염 물질의 제거가 행해지고, 다음으로, 린스액인 탈이온수(DeIonized Water : 이하, DIW로 호칭함)에 의한 린스 세정이 행해진다. 다음으로, 산성 약액인 희불산 수용액(Diluted HydroFluoric acid : 이하, DHF로 호칭함)에 의한 자연 산화막의 제거가 행해지고, 다음으로, DIW에 의한 린스 세정이 행해진다.
전술한 각종 약액은, 외측 챔버(23)나, 외측 챔버(23) 내에 배치되는 내측 컵(24)이 받아내어, 외측 챔버(23)의 바닥부에 설치되는 배액구(23a)나, 내측 컵(24)의 바닥부에 설치되는 배액구(24a)로부터 배출된다. 또한, 외측 챔버(23) 내의 분위기는, 외측 챔버(23)의 바닥부에 설치되는 배기구(23b)로부터 배기된다.
전술한 웨이퍼(W)의 린스 처리의 후에는, 웨이퍼 유지 기구(25)를 회전시키면서, 웨이퍼(W)의 표면 및 이면에 액체 상태의 IPA(이하, 「IPA 액체」로 호칭함)를 공급하여, 웨이퍼(W)의 양면에 잔존해 있는 DIW와 치환한다. 그 후, 웨이퍼 유지 기구(25)의 회전을 천천히 정지한다.
이렇게 하여 세정 처리를 끝낸 웨이퍼(W)는, 그 표면에 IPA 액체(71)(도 7 참조)가 액축적된 상태(웨이퍼(W) 표면에 IPA 액체(71)의 액막이 형성된 상태)인 채로, 웨이퍼 유지 기구(25)에 설치된 도시하지 않은 전달 기구에 의해 기판 반송 장치(18)에 전달되어, 세정 처리 유닛(16)으로부터 반출된다.
여기서, 웨이퍼(W)의 표면에 액축적된 IPA 액체(71)는, 세정 처리 유닛(16)으로부터 건조 처리 유닛(17)으로의 웨이퍼(W)의 반송중 또는 건조 처리 유닛(17)으로의 반입 동작중에, 웨이퍼(W) 표면의 액체가 증발(기화)하는 것에 의해 패턴 붕괴가 발생하는 것을 방지하는 건조 방지용의 액체로서 기능한다.
세정 처리 유닛(16)에서의 세정 처리를 끝내고, 표면에 IPA 액체(71)가 액축적된 웨이퍼(W)는, 건조 처리 유닛(17)에 반송된다. 그리고, 건조 처리 유닛(17) 내에 있어서 웨이퍼(W) 표면의 IPA 액체(71)에 CO2의 초임계 유체(70)(도 7 참조)를 접촉시킴으로써, 이러한 IPA 액체(71)를 CO2의 초임계 유체(70)에 용해시켜 제거하여, 웨이퍼(W)를 건조시키는 처리가 행해진다.
<건조 처리 유닛의 개요>
이하에 있어서는, 우선 건조 처리 유닛(17)의 구성에 관해 설명하고, 그 후, 건조 처리 유닛(17)에서의 시스템 전체의 구성에 관해 설명한다. 도 4는, 건조 처리 유닛(17)의 구성을 나타내는 외관 사시도이다.
건조 처리 유닛(17)은, 본체(31)와, 유지판(32)과, 덮개 부재(33)를 갖는다. 케이스형의 본체(31)에는, 웨이퍼(W)를 반입 반출하기 위한 개구부(34)가 형성된다. 유지판(32)은, 처리 대상인 웨이퍼(W)를 수평 방향으로 유지한다. 덮개 부재(33)는, 이러한 유지판(32)을 지지함과 함께, 웨이퍼(W)를 본체(31) 내에 반입했을 때에 개구부(34)를 밀폐한다.
본체(31)는, 예를 들면 직경 300 mm의 웨이퍼(W)를 수용 가능한 처리 공간이 내부에 형성된 용기이며, 그 벽부에는, 공급 포트(35A, 35B)와 배출 포트(36)가 설치된다. 공급 포트(35A, 35B)와 배출 포트(36)는, 각각, 건조 처리 유닛(17)의 상류측과 하류측에 설치되는 초임계 유체(70)(도 7 참조)를 유통시키기 위한 공급 라인에 접속되어 있다. 이러한 공급 라인의 구성예에 관해서는 후술한다.
공급 포트(35A)는, 케이스형의 본체(31)에 있어서, 개구부(34)와는 반대측의 측면에 접속되어 있다. 또한, 공급 포트(35B)는 본체(31)의 바닥면에 접속되어 있다. 또한, 배출 포트(36)는 개구부(34)의 하방측에 접속되어 있다. 또, 도 4에는 2개의 공급 포트(35A, 35B)와 1개의 배출 포트(36)가 도시되어 있지만, 공급 포트(35A, 35B)나 배출 포트(36)의 수는 특별히 한정되지 않는다.
또한, 본체(31)의 내부에는, 유체 공급 헤더(37A, 37B)와 유체 배출 헤더(38)가 설치된다. 유체 공급 헤더(37A, 37B)와 유체 배출 헤더(38)는, 모두 다수의 개공이 형성되어 있다.
유체 공급 헤더(37A)는 공급 포트(35A)에 접속되고, 케이스형의 본체(31) 내부에 있어서, 개구부(34)와는 반대측의 측면에 인접하여 설치된다. 또한, 유체 공급 헤더(37A)에 형성되는 다수의 개공은, 개구부(34)측을 향하고 있다.
유체 공급 헤더(37B)는 공급 포트(35B)에 접속되고, 케이스형의 본체(31) 내부에서의 바닥면의 중앙부에 설치된다. 또한, 유체 공급 헤더(37B)에 형성되는 다수의 개공은 상측을 향하고 있다.
유체 배출 헤더(38)는 배출 포트(36)에 접속되고, 케이스형의 본체(31) 내부에 있어서, 개구부(34)측의 측면에 인접함과 함께, 개구부(34)보다 하측에 설치된다. 또한, 유체 배출 헤더(38)에 형성되는 다수의 개공은, 유체 공급 헤더(37A)측을 향하고 있다.
유체 공급 헤더(37A, 37B)는 초임계 유체(70)를 본체(31) 내에 공급한다. 또한, 유체 배출 헤더(38)는, 본체(31) 내의 초임계 유체(70)를 본체(31)의 외부로 유도하여 배출한다. 또, 유체 배출 헤더(38)를 통해 본체(31)의 외부로 배출되는 초임계 유체(70)에는, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 초임계 유체(70)에 녹여 넣은 IPA 액체(71)(도 7 참조)가 포함된다.
전술한 바와 같이 배치되는 유체 공급 헤더(37A, 37B)의 개공으로부터 본체(31) 내에 초임계 유체(70)가 공급되고, 또한 유체 배출 헤더(38)의 개공을 통해 초임계 유체(70)가 본체(31) 내로부터 배출되는 것에 의해, 본체(31)의 내부에는, 웨이퍼(W)의 주위에서 소정의 방향으로 유동하는 초임계 유체(70)의 층류가 형성된다.
이러한 초임계 유체(70)의 층류는, 예를 들면, 유체 공급 헤더(37A)로부터, 웨이퍼(W)의 상측을 웨이퍼(W)의 표면을 따라서 개구부(34)의 상부를 향해 흐른다. 또한, 초임계 유체(70)의 층류는, 개구부(34)의 상측에서 하방측으로 방향을 바꿔, 개구부(34)의 근방을 통과하여 유체 배출 헤더(38)를 향해 흐른다.
이러한 층류의 예에서는, 건조 처리 유닛(17)의 내부에 있어서, 유지판(32)에서의 웨이퍼(W)와 덮개 부재(33) 사이에 도시하지 않은 개공이 형성되고, 이러한 개공을 초임계 유체(70)의 층류가 통과한다.
또, 본체(31) 내부에 대한 초임계 유체(70)의 공급시와 본체(31)로부터의 초임계 유체(70)의 배출시에 웨이퍼(W)에 가해질 수 있는 부하를 경감하는 관점에서는, 유체 공급 헤더 및 유체 배출 헤더는 각각 복수개 설치되는 것이 바람직하다.
건조 처리 유닛(17)은 또한, 도시하지 않은 압박 기구를 구비한다. 이러한 압박 기구는, 본체(31) 내부의 처리 공간 내에 공급된 초임계 상태의 초임계 유체(70)에 의해 초래되는 내압에 대항하여, 본체(31)를 향해 덮개 부재(33)를 압박하고, 처리 공간을 밀폐하는 기능을 갖는다. 또한, 이러한 처리 공간 내에 공급된 초임계 유체(70)가 소정의 온도를 유지할 수 있도록, 본체(31)의 표면에는 단열재나 테이프 히터 등이 설치되어도 좋다.
다음으로, 도 5를 참조하면서, 건조 처리 유닛(17)의 시스템 전체의 구성에 관해 설명한다. 도 5는, 건조 처리 유닛(17)의 시스템 전체의 구성예를 나타내는 도면이다.
이러한 시스템 전체에 있어서, 건조 처리 유닛(17)보다 상류측에는 유체 공급원(51)이 설치되어 있고, 건조 처리 유닛(17)에 있어서 초임계 유체(70)(도 7 참조)를 유통시키기 위한 공급 라인에는, 유체 공급원(51)으로부터 초임계 유체(70)가 공급된다. 유체 공급원(51)에는, 예를 들면 CO2의 초임계 유체(70)를 발생시키기 위한 원료 CO2가 저장된다.
또한, 유체 공급원(51)과 건조 처리 유닛(17) 사이에는, 상류측으로부터 하류측을 향해, 밸브(52a)와, 오리피스(55a)와, 필터(57)와, 밸브(52b)가 순차적으로 설치된다. 또, 여기서 말하는 상류측 및 하류측의 용어는, 공급 라인에서의 초임계 유체(70)의 흐름 방향을 기준으로 한다.
밸브(52a)는, 유체 공급원(51)으로부터의 초임계 유체(70)의 공급의 온 및 오프를 조정하는 밸브이며, 개방 상태에서는 하류측의 공급 라인에 초임계 유체(70)를 흘리고, 폐쇄 상태에서는 하류측의 공급 라인에 초임계 유체(70)를 흘리지 않는다. 예를 들면, 밸브(52a)가 개방 상태에 있는 경우, 16∼20 MPa 정도의 고압의 초임계 유체(70)가, 유체 공급원(51)으로부터 밸브(52a)를 통해 공급 라인에 공급된다.
오리피스(55a)는, 유체 공급원(51)으로부터 공급되는 초임계 유체(70)의 압력을 조정하는 기능을 갖는다. 오리피스(55a)는, 예를 들면, 이러한 오리피스(55a)보다 하류측의 공급 라인에, 16 MPa 정도로 압력이 조정된 초임계 유체(70)를 유통시킬 수 있다.
필터(57)는, 오리피스(55a)로부터 보내오는 초임계 유체(70)에 포함되는 이물질을 제거하여, 깨끗한 초임계 유체(70)를 하류측으로 흘린다.
밸브(52b)는, 건조 처리 유닛(17)에 대한 초임계 유체(70)의 공급의 온 및 오프를 조정하는 밸브이다. 밸브(52b)로부터 건조 처리 유닛(17)에 접속되는 공급 라인은, 도 4에 나타낸 공급 포트(35A)에 접속되고, 밸브(52b)를 흐르는 초임계 유체(70)는, 공급 포트(35A)와 유체 공급 헤더(37A)를 통해 본체(31) 내부에 공급된다.
또, 도 5에 나타내는 건조 처리 유닛(17)의 시스템 전체에서는, 필터(57)와 밸브(52b) 사이에서 공급 라인이 분기되어 있다. 구체적으로는, 필터(57)와 밸브(52b) 사이의 공급 라인으로부터는, 밸브(52c)와 오리피스(55b)를 통해 건조 처리 유닛(17)에 접속되는 공급 라인과, 밸브(52d)와 체크 밸브(58a)를 통해 퍼지 장치(62)에 접속되는 공급 라인이 분기되어 연장된다.
밸브(52c)와 오리피스(55b)를 통해 건조 처리 유닛(17)에 접속되는 공급 라인은, 건조 처리 유닛(17)에 초임계 유체(70)를 공급하기 위한 보조적인 유로이다. 이러한 공급 라인은, 도 4에 나타낸 공급 포트(35B)에 접속되고, 밸브(52c)를 흐르는 초임계 유체(70)는, 공급 포트(35B)와 유체 공급 헤더(37B)를 통해 본체(31) 내부에 공급된다.
밸브(52d)와 체크 밸브(58a)를 통해 퍼지 장치(62)에 접속되는 공급 라인은, 질소 등의 불활성 가스를 건조 처리 유닛(17)에 공급하기 위한 유로이며, 예를 들면, 유체 공급원(51)으로부터 건조 처리 유닛(17)에 대한 초임계 유체(70)의 공급이 정지해 있는 동안에 활용된다.
예를 들면, 건조 처리 유닛(17)을 불활성 가스로 채워 청정한 상태를 유지하는 경우에는, 밸브(52d)와 밸브(52b)가 개방 상태로 제어되고, 퍼지 장치(62)로부터 공급 라인에 보내진 불활성 가스는 체크 밸브(58a)와, 밸브(52d)와, 밸브(52b)를 통해 건조 처리 유닛(17)에 공급된다.
건조 처리 유닛(17)의 시스템 전체에 있어서, 건조 처리 유닛(17)보다 하류측에는, 밸브(52e)와, 배기 조정 밸브(59)와, 밸브(52f)가, 상류측으로부터 하류측을 향해 순차적으로 설치된다.
밸브(52e)는, 건조 처리 유닛(17)으로부터의 초임계 유체(70)의 배출의 온 및 오프를 조정하는 밸브이다. 건조 처리 유닛(17)으로부터 초임계 유체(70)를 배출하는 경우에는 밸브(52e)가 개방 상태로 제어되고, 건조 처리 유닛(17)으로부터 초임계 유체(70)를 배출하지 않는 경우에는 밸브(52e)가 폐쇄 상태로 제어된다.
또, 건조 처리 유닛(17)과 밸브(52e) 사이에 연장되는 공급 라인은 배출 포트(36)에 접속되고, 건조 처리 유닛(17)의 본체(31) 내부의 초임계 유체(70)는, 도 4에 나타낸 유체 배출 헤더(38)와 배출 포트(36)를 통해 밸브(52e)를 향해 보내진다.
배기 조정 밸브(59)는, 건조 처리 유닛(17)으로부터의 초임계 유체(70)의 배출량을 조정하는 밸브이며, 예를 들면 배압 밸브에 의해 구성할 수 있다. 배기 조정 밸브(59)의 개방도는, 본체(31) 내부로부터의 초임계 유체(70)의 원하는 배출량에 따라서, 제어 장치(4)의 제어하에 적응적으로 조정된다.
밸브(52f)는, 건조 처리 유닛(17)으로부터의 초임계 유체(70)의 외부에 대한 배출의 온 및 오프를 조정하는 밸브이다. 초임계 유체(70)를 외부로 배출하는 경우에는 밸브(52f)가 개방 상태로 제어되고, 초임계 유체(70)를 배출하지 않는 경우에는 밸브(52f)가 폐쇄 상태로 제어된다. 또, 밸브(52f)의 하류측에는, 배기 조정 니들 밸브(61a)와 체크 밸브(58b)가 설치된다.
배기 조정 니들 밸브(61a)는, 밸브(52f)를 통해 보내오는 초임계 유체(70)의 외부에 대한 배출량을 조정하는 밸브이며, 배기 조정 니들 밸브(61a)의 개방도는 초임계 유체(70)의 원하는 배출량에 따라서 조정된다. 체크 밸브(58b)는, 배출되는 초임계 유체(70)의 역류를 방지하는 밸브이며, 초임계 유체(70)를 확실하게 외부로 배출하는 기능을 갖는다.
또, 도 5에 나타내는 건조 처리 유닛(17)에서는, 배기 조정 밸브(59)와 밸브(52f) 사이에서 공급 라인이 분기되어 있다. 구체적으로는, 배기 조정 밸브(59)와 밸브(52f) 사이의 공급 라인으로부터는, 밸브(52g)를 통해 외부에 접속되는 공급 라인과, 밸브(52h)를 통해 외부에 접속되는 공급 라인이 분기되어 연장된다.
밸브(52g)와 밸브(52h)는, 밸브(52f)와 마찬가지로, 초임계 유체(70)의 외부로의 배출의 온 및 오프를 조정하는 밸브이다. 밸브(52g)의 하류측에는, 배기 조정 니들 밸브(61b)와 체크 밸브(58c)가 설치되고, 초임계 유체(70)의 배출량의 조정과 초임계 유체(70)의 역류 방지가 행해진다. 밸브(52h)의 하류측에는 체크 밸브(58d)가 설치되고, 초임계 유체(70)의 역류 방지가 행해진다.
그리고, 건조 처리 유닛(17)으로부터 초임계 유체(70)를 배출하는 경우, 밸브(52f)와, 밸브(52g)와, 밸브(52h) 중의 1 이상의 밸브가 개방 상태로 제어된다. 여기서, 건조 처리 유닛(17)의 시스템 전체에 있어서, 초임계 유체(70)의 외부로의 배출을 복수의 밸브(밸브(52f, 52 g, 52h))를 통해 행함으로써, 초임계 유체(70)의 외부로의 배출량을 미세하게 제어할 수 있다.
또한, 전술한 공급 라인의 여러 개소에는, 초임계 유체(70)의 압력을 검출하는 압력 센서와, 초임계 유체(70)의 온도를 검출하는 온도 센서가 설치된다. 도 5에 나타내는 예에서는, 밸브(52a)와 오리피스(55a) 사이에는 압력 센서(53a)와 온도 센서(54a)가 설치되고, 오리피스(55a)와 필터(57) 사이에는 압력 센서(53b)와 온도 센서(54b)가 설치된다.
또한, 필터(57)와 밸브(52b) 사이에는 압력 센서(53c)가 설치되고, 밸브(52b)와 건조 처리 유닛(17) 사이에는 온도 센서(54c)가 설치되고, 오리피스(55b)와 건조 처리 유닛(17) 사이에는 온도 센서(54d)가 설치되고, 건조 처리 유닛(17)에는 온도 센서(54e)가 설치된다.
또한, 건조 처리 유닛(17)과 밸브(52e) 사이에는 압력 센서(53d)와 온도 센서(54f)가 설치되고, 배기 조정 밸브(59)와 밸브(52f) 사이에는 압력 센서(53e)와 온도 센서(54g)가 설치된다.
또한, 건조 처리 유닛(17)에 있어서 초임계 유체(70)가 흐르는 임의의 개소에는 히터(H)가 설치된다. 도 5에 나타내는 예에서는, 건조 처리 유닛(17)보다 상류측의 공급 라인인 밸브(52a)와 오리피스(55a) 사이, 오리피스(55a)와 필터(57) 사이, 필터(57)와 밸브(52b) 사이 및 밸브(52b)와 건조 처리 유닛(17) 사이에 히터(H)가 설치된다.
한편, 건조 처리 유닛(17)이나, 건조 처리 유닛(17)보다 하류측의 공급 라인을 포함하는 다른 개소에 히터(H)가 설치되어도 좋다. 즉, 유체 공급원(51)으로부터 공급되는 초임계 유체(70)가 외부로 배출되기까지의 모든 유로에 있어서 히터(H)가 설치되어도 좋다.
실시형태에서는, 건조 처리 유닛(17)에 공급하는 초임계 유체(70)의 온도를 조정하는 관점에서, 적어도 건조 처리 유닛(17)보다 상류측을 흐르는 초임계 유체(70)의 온도를 조정할 수 있는 개소에 히터(H)가 설치되는 것이 바람직하다.
도 6은, 제어 장치(4)의 기능 구성을 나타내는 블럭도이다. 전술한 바와 같이, 제어 장치(4)는 제어부(19)와 기억부(20)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 도 5에 나타내는 각종 요소로부터 계측 신호를 수신함과 함께, 도 5에 나타내는 각종 요소에 제어 지시 신호를 송신한다.
제어 장치(4)는, 예를 들면 압력 센서(53a∼53e)와, 온도 센서(54a∼54g)의 계측 결과를 수신함과 함께, 밸브(52a∼52h)와, 배기 조정 밸브(59)와, 배기 조정 니들 밸브(61a, 61b)에 제어 지시 신호를 송신한다. 또, 제어 장치(4)가 송수신 가능한 신호는 특별히 한정되지 않는다.
<초임계 유체를 이용한 건조 처리의 개요>
다음으로, 초임계 유체(70)를 이용한 IPA 액체(71)의 건조 처리의 개요에 관해 설명한다. 도 7은, IPA 액체(71)의 건조 메커니즘을 설명하기 위한 도면이며, 웨이퍼(W)가 갖는 패턴(P)을 간략적으로 나타낸 확대 단면도이다.
건조 처리 유닛(17)에 있어서 CO2의 초임계 유체(70)가 건조 처리 유닛(17)의 본체(31) 내부에 도입된 당초는, 도 7의 (a)에 나타낸 바와 같이, 패턴(P)의 사이에는 IPA 액체(71)만이 충전되어 있다.
이러한 패턴(P) 사이의 IPA 액체(71)는, CO2의 초임계 유체(70)와 접촉함으로써 서서히 CO2의 초임계 유체(70)에 용해되어, 도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이 서서히 초임계 유체(70)와 치환된다. 이 때, 패턴(P)의 사이에는, IPA 액체(71)와 CO2의 초임계 유체(70) 외에, IPA 액체(71)와 CO2의 초임계 유체(70)가 혼합된 상태의 혼합 유체(70a)가 존재한다.
또한, 패턴(P)의 사이에서 IPA 액체(71)로부터 CO2의 초임계 유체(70)로의 치환이 진행됨에 따라서, 패턴(P)의 사이에서는 IPA 액체(71)가 제거되고, 최종적으로는 도 7의 (c)에 나타낸 바와 같이, CO2의 초임계 유체(70)에 의해서만 패턴(P)의 사이가 채워진다.
패턴(P)의 사이에서 IPA 액체(71)가 제거된 후에, 본체(31) 내의 압력을 대기압까지 낮추는 것에 의해, 도 7의 (d)에 나타낸 바와 같이, CO2의 초임계 유체(70)는 초임계 상태로부터 기체 상태로 변화하여, 패턴(P)의 사이는 기체만으로 점유된다. 이와 같이 하여 패턴(P) 사이의 IPA 액체(71)는 제거되고, 웨이퍼(W)의 건조 처리가 완료한다.
여기서, 초임계 유체(70)는, 액체(예를 들면 IPA 액체(71))와 비교해서 점도가 작고, 또한 액체를 용해할 능력도 높은 것에 더하여, 초임계 유체(70)와 평형 상태에 있는 액체나 기체와의 사이에서 계면이 존재하지 않는다. 이에 따라, 전술한 초임계 유체(70)를 이용한 건조 처리에서는, 표면장력의 영향을 받지 않고 액체를 건조시킬 수 있기 때문에, 패턴(P)의 패턴 붕괴를 억제할 수 있다.
한편, 여기까지 설명한 기판 처리 시스템(1)에서의 CO2의 초임계 유체(70)를 이용한 건조 처리에 있어서, 동일한 건조 처리 유닛(17) 내에서 복수의 웨이퍼(W)를 반복하여 건조시켰을 때에, 웨이퍼(W)에 다수의 파티클이 부착되는 경우가 있다.
이러한 파티클은, 도 5에 나타낸 유체 공급원(51)에 저장되는 원료 CO2의 내에 유체의 상태로 유지되는 수분이나 유분이 필터(57)를 통과한 후, 어떠한 이유에 의해 건조 처리 유닛(17) 내에서 미스트화하여, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착되어 있는 것으로 생각된다. 그리고, 부착된 다수의 파티클에 의해, 웨이퍼(W)의 수율이 저하되어 버릴 우려가 있다.
따라서, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리에 의하면, 건조 처리 유닛(17)에 소정의 세정 처리를 행함으로써, 이러한 파티클의 수를 저감할 수 있다.
<기판 처리 시스템의 세정 처리의 상세>
계속해서, 도 8a∼도 8c를 참조하면서, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리의 상세에 관해 설명한다. 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리에서는, 처음에 세정용 액체 반입 처리가 행해진다. 도 8a는, 실시형태에 관한 세정용 액체 반입 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
또, 도 8a∼도 8c에서는, 도 5에 나타낸 건조 처리 유닛(17)의 시스템 전체에 있어서, 제어부(19)에 의해 개방 상태와 폐쇄 상태를 제어 가능한 밸브(52a∼52h)와, 배기 조정 밸브(59)와, 배기 조정 니들 밸브(61a, 61b)를 기재함과 함께, 이러한 각 밸브가 개방 상태인 경우는 「O」를, 폐쇄 상태인 경우는 「S」를 각 밸브에 인접하여 기재한다.
또한, 가령 배기 조정 밸브(59) 또는 배기 조정 니들 밸브(61a, 61b)가, 완전한 폐쇄 상태로 할 수 없는 밸브인 경우에는, 이후의 설명에서 「S」로 나타내는 상태였다 하더라도, 완전한 폐쇄 상태로 하지 않아도 좋다.
도 8a에 나타낸 바와 같이, 세정용 액체 반입 처리에서는, IPA 액체(71)를 액축적한 지그(22)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 반입한다. 이러한 세정용 액체 반입 처리까지의 구체적인 처리는 이하와 같다.
우선, 도 2에 나타낸 반입 반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 지그 배치부(21)에 배치된 지그(22)를 취출하고, 취출한 지그(22)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 지그(22)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(18)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 세정 처리 유닛(16)에 반입된다.
세정 처리 유닛(16)에 반입된 지그(22)는, 세정 처리 유닛(16)에 의해 IPA 액체(71)의 액축적 처리가 행해진다. 구체적으로는, 세정 처리 유닛(16)은, 도 3에 나타낸 웨이퍼 유지 기구(25)에 유지된 지그(22)의 상측으로 노즐 아암(26)을 진입시켜, 그 선단부에 설치된 약액 노즐(26a)로부터 IPA 액체(71)를 소정량 공급함으로써, 지그(22)에 대한 액축적 처리를 행한다.
이러한 액축적 처리를 끝낸 지그(22)는, 그 표면에 IPA 액체(71)가 액축적된 상태인 채로, 도 2에 나타낸 기판 반송 장치(18)에 전달되어, 세정 처리 유닛(16)으로부터 반출된다. 세정 처리 유닛(16)으로부터 반출된 지그(22)는, 기판 반송 장치(18)에 의해 건조 처리 유닛(17)에 반입된다. 이러한 처리에 의해, 도 8a에 나타낸 바와 같이, IPA 액체(71)가 액축적된 지그(22)가 건조 처리 유닛(17)의 내부에 반입(즉, 세정용 액체 반입 처리)된다.
또, 도 8a에 나타낸 바와 같이, 세정용 액체 반입 처리시에는, 밸브(52a∼52h)와, 배기 조정 밸브(59)와, 배기 조정 니들 밸브(61a, 61b)는, 모두 폐쇄 상태로 제어된다.
실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리에서는, 세정용 액체 반입 처리에 이어서, 세정용 액체 기화 처리가 행해진다. 도 8b는, 실시형태에 관한 세정용 액체 기화 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
도 8b에 나타낸 바와 같이, 세정용 액체 기화 처리에서는, 지그(22)에 액축적된 IPA 액체(71)를 기화(증발)시킨다. 그리고, 이러한 기화에 의해 발생하는 IPA 기체(72)를, 건조 처리 유닛(17)의 내부에 충전한다. 이에 따라, IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 충만하게 한다. 즉, IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에서 포화시킨다. 그리고, IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 충만하게 한 상태로 소정 시간 대기시킨다.
이러한 세정용 액체 기화 처리에 의해, 건조 처리 유닛(17) 내에 충만한 IPA 기체(72)는, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 흡착한다.
세정용 액체 기화 처리는, 건조 처리 유닛(17) 내에 IPA 기체(72)가 충만하여, 부유ㆍ부착된 파티클을 흡착하는 데 충분한 정도의 시간동안 행해진다. 이러한 세정용 액체 기화 처리는, 예를 들면, 초임계 유체(70)를 이용한 웨이퍼(W)의 건조 처리에서의 통상의 러닝 시간보다 긴 시간 행해진다.
여기서, 통상의 러닝 시간이란, 도 7에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 표면에 액축적된 IPA 액체(71)가 건조 처리 유닛(17) 내에 반송되고 나서, 이러한 IPA 액체(71)가 CO2의 초임계 유체(70)와 접촉하기까지의 시간(예를 들면, 10(초) 정도)을 말한다. 환언하면, 통상의 러닝 시간이란, 웨이퍼(W)의 표면에 액축적된 IPA 액체(71)가, 웨이퍼(W)의 표면에 있어서 부분적으로도 건조하지 않은 시간을 말한다.
세정용 액체 기화 처리는, 예를 들면 10(분) 이상 행하는 것이 좋다. 이에 따라, 건조 처리 유닛(17) 내에 충만한 IPA 기체(72)는, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 충분히 흡착할 수 있다.
또한, 세정용 액체 기화 처리에 있어서, 지그(22)에 액축적된 IPA 액체(71)를 기화(증발)시키는 수법으로는, 예를 들면 지그(22)를 100(℃) 정도로 승온하면 된다. 또한, 건조 처리 유닛(17) 전체를 100(℃) 정도로 승온해도 좋다. 이러한 수법에 의해, 비점이 82.4(℃)인 IPA 액체(71)를 효율적으로 기화(증발)시킬 수 있다.
또한, 세정용 액체 기화 처리에 있어서, 지그(22)나 건조 처리 유닛(17) 전체를 100(℃) 이상으로 승온해도 좋다. 이와 같이, 더욱 높은 온도로 승온시킴으로써, 건조 처리 유닛(17) 내에서 IPA 액체(71)를 단시간에 포화시킬 수 있기 때문에, 세정용 액체 기화 처리를 단시간에 완료시킬 수 있다.
또, 도 8b에 나타낸 바와 같이, 세정용 액체 기화 처리시에는, 밸브(52a∼52h)와, 배기 조정 밸브(59)와, 배기 조정 니들 밸브(61a, 61b)는, 모두 폐쇄 상태로 제어된다.
실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리에서는, 세정용 액체 기화 처리에 이어서, 배기 처리가 행해진다. 도 8c는, 실시형태에 관한 배기 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
이러한 배기 처리에서는, 제어 장치(4)의 제어부(19)가, 도 8c에 나타낸 바와 같이, 건조 처리 유닛(17)의 하류측에 있는 밸브(52e)와, 배기 조정 밸브(59)와, 밸브(52f)와, 배기 조정 니들 밸브(61a)를, 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 변경한다. 이에 따라, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착되는 파티클을 흡착한 IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 외부로 배기한다.
즉, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을, IPA 기체(72)와 함께 제거할 수 있다. 따라서, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클의 수를 저감할 수 있기 때문에, 건조 처리 유닛(17) 내에서 웨이퍼(W)에 초임계 유체(70)를 이용한 건조 처리를 행할 때에, 웨이퍼(W)에 다수의 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리는, 건조 처리 유닛(17)에 추가의 배관이나 밸브 등을 설치하지 않고, 기판 처리 시스템(1)의 내부에 지그 배치부(21)와 지그(22)를 설치하는 것만으로 실현할 수 있다. 따라서, 실시형태에 의하면, 저비용으로 건조 처리 유닛(17)의 세정 처리를 실시할 수 있다.
또한, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리에 있어서는, 초임계 유체(70)에 의한 웨이퍼(W)의 건조 처리에 있어서 이용되는 유기 용제와 동일한 종류의 유기 용제(IPA 액체(71))를, 세정 처리에도 이용하고 있다.
여기서, 가령 웨이퍼(W)의 건조 처리에 있어서 이용되는 유기 용제와 상이한 종류의 유기 용제를 세정 처리에 이용한 경우, 초임계 유체(70)에 의한 웨이퍼(W)의 건조 처리에 있어서, 이러한 상이한 종류의 유기 용제가 불순물로서 작용할 우려가 있다. 따라서, 세정 처리와 건조 처리에서 상이한 종류의 유기 용제를 이용한 경우, 웨이퍼(W)의 건조 처리에 악영향을 미칠 우려가 있다.
그러나, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리에서는, 웨이퍼(W)의 건조 처리에 이용되는 유기 용제와 동일한 종류의 유기 용제를 세정 처리에 이용하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 건조 처리에 악영향을 미칠 우려가 없다. 따라서, 웨이퍼(W)의 건조 처리에 이용되는 유기 용제와 동일한 종류의 유기 용제를 세정 처리에 이용함으로써, 웨이퍼(W)의 건조 처리를 안정적으로 실시할 수 있다.
실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리는, 예를 들면, 각각의 건조 처리 유닛(17)에 있어서, 파티클 카운터에 의해 건조 처리를 행한 웨이퍼(W)에서의 파티클의 수를 수시로 계측하여, 계측된 파티클의 수가 소정수 이상이 되었을 때에 실시하면 된다.
또한, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리는, 예를 들면, 각각의 건조 처리 유닛(17)에 있어서, 웨이퍼(W)에 건조 처리를 행한 누계 시간이 소정 시간 이상이 되었을 때에 행해도 좋고, 건조 처리를 행한 웨이퍼(W)의 누계 매수가 소정의 매수 이상이 되었을 때에 행해도 좋다.
또, 도 8c에 있어서는, 밸브(52e)와, 배기 조정 밸브(59)와, 밸브(52f)와, 배기 조정 니들 밸브(61a)를, 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 변경한 예에 관해 나타냈지만, 건조 처리 유닛(17)의 하류측에 있는 밸브(52g, 52h)나 배기 조정 니들 밸브(61b) 등을 개방 상태로 하여, IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 외부로 배기해도 좋다.
계속해서, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리에서 이용되는 지그(22)의 일례에 관해, 도 9a 및 도 9b를 이용하여 설명한다. 도 9a는 실시형태에 관한 지그(22)의 일례를 나타내는 사시도이며, 도 9b는 도 9a의 A-A선 단면도이다.
도 9a 및 도 9b에 나타낸 바와 같이, 지그(22)는, 원판부(22a)와 바퀴형부(22b)를 갖는다.
원판부(22a)는, 웨이퍼(W)와 대략 동일한 직경 및 두께를 갖는다. 이에 따라, 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 웨이퍼(W)의 반송에 이용되는 기판 반송 장치(13)나 전달부(14), 기판 반송 장치(18)를 이용하여 지그(22)를 반송할 수 있음과 함께, 웨이퍼(W)를 처리하는 세정 처리 유닛(16)이나 건조 처리 유닛(17)에 지그(22)를 반입할 수 있다.
또, 기판 처리 시스템(1)에서 복수 종류의 직경이나 두께를 갖는 웨이퍼(W)를 취급할 수 있는 경우, 원판부(22a)는, 기판 처리 시스템(1)에서 취급할 수 있는 복수 종류 중 1종류의 웨이퍼(W)와 대략 동일한 직경 및 두께를 갖고 있으면 된다.
바퀴형부(22b)는, 원판부(22a)에서의 표면측의 주면으로부터, 바퀴형상으로 돌출된 부위이다. 그리고, 원판부(22a)와 바퀴형부(22b)에 의해, 원판부(22a)의 표면측의 주면에 오목부(22c)가 형성된다. 이러한 오목부(22c)를 원판부(22a)의 표면측의 주면에 형성함으로써, 오목부(22c)를 형성하지 않은 경우에 비교하여, 지그(22)의 표면에 액축적할 수 있는 IPA 액체(71)의 양을 늘릴 수 있다. 따라서, 건조 처리 유닛(17) 내에 IPA 기체(72)를 충만하게 하기에 충분한 양의 IPA 액체(71)를, 건조 처리 유닛(17) 내에 반입할 수 있다.
바퀴형부(22b)는, 원판부(22a)의 가장자리(22d)로부터 소정 거리 이상 떨어져 설치된다. 이에 따라, 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 기판 반송 장치(13)나 전달부(14), 기판 반송 장치(18)를 이용하여 지그(22)를 반송할 때에, 원판부(22a)의 가장자리(22d)를 쥐고 반송할 수 있다.
계속해서, 실시형태에 관한 지그(22)의 다른 예에 관해, 도 9c를 이용하여 설명한다. 도 9c는, 실시형태에 관한 지그의 다른 예를 나타내는 단면도이며, 도 9b에 대응하는 도면이다.
도 9c에 나타낸 바와 같이, 지그(22A)는, 원판부(22a)에서의 표면측의 주면 중, 바퀴형부(22b)의 내측의 표면에 곡면형의 함몰(22e)이 형성되어 있다. 이러한 함몰(22e)을 형성함으로써, 오목부(22c)에 액축적할 수 있는 IPA 액체(71)의 양을 더욱 늘릴 수 있다.
따라서, 지그(22A)에 의하면, 건조 처리 유닛(17) 내에 IPA 기체(72)를 충만하게 하기에 더욱 충분한 양의 IPA 액체(71)를, 건조 처리 유닛(17) 내에 반입할 수 있다.
또, 도 9c에 있어서는, 곡면형의 함몰(22e)을 형성하는 예에 관해 나타내고 있지만, 함몰(22e)의 형상은 곡면형에 한정되지 않는다. 예를 들면, 원판부(22a)에서의 표면측의 주면 중, 바퀴형부(22b)의 내측의 표면을 바퀴형부(22b)의 외측의 표면보다 평탄형으로 전체적으로 낮게 해도 좋다.
또한, 도 2에서는, 지그(22)를 기판 처리 시스템(1)에 1개 설치한 예에 관해 나타냈지만, 기판 처리 시스템(1)에 지그(22)를 복수 설치해도 좋다. 이에 따라, 복수의 건조 처리 유닛(17)에 있어서 병행하여 세정 처리를 행할 수 있기 때문에, 건조 처리 유닛(17)을 조기에 웨이퍼(W)의 건조 처리에 복귀시킬 수 있다.
또, 전술한 바와 같이 지그(22)를 기판 처리 시스템(1)에 복수 설치하는 경우, 반송부(12)에 지그 배치부(21)를 복수 설치해도 좋고, 지그(22)를 복수 탑재할 수 있는 캐리어를 반송부(12)에 설치해도 좋다.
도 10은, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리에서의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다. 또, 도 10에 나타내는 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리는, 제어 장치(4)의 기억부(20)에 저장되어 있는 프로그램을 제어부(19)가 독출함과 함께, 독출한 명령에 기초하여 제어부(19)가 세정 처리 유닛(16)이나 건조 처리 유닛(17) 등을 제어함으로써 실행된다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 우선, 기판 반송 장치(18)(도 2 참조)는 세정 처리 유닛(16)에 지그(22)를 반입한다. 지그(22)는, 바퀴형부(22b)를 상측으로 향하게 한 상태로 웨이퍼 유지 기구(25)(도 3 참조)에 유지된다. 그 후, 제어부(19)는, 세정 처리 유닛(16)을 제어하여 지그(22)에 대하여 IPA 액체(71)의 액축적 처리를 행한다(S101).
액축적 처리에서는, 우선, 웨이퍼 유지 기구(25)에 유지된 지그(22)의 상측으로 노즐 아암(26)을 진입시킨다. 그 후, 노즐 아암(26)의 선단부에 설치된 약액 노즐(26a)로부터 IPA 액체(71)를 소정량 공급한다. 이러한 소정량은, 예를 들면, IPA 액체(71)로부터 생기는 IPA 기체(72)로, 건조 처리 유닛(17)의 내부를 충만하게 하기에 충분한 양이다.
계속해서, 기판 반송 장치(18)는, 액축적 처리된 지그(22)를 세정 처리 유닛(16)으로부터 반출하여, 건조 처리 유닛(17) 내에 반입하는 세정용 액체 반입 처리를 행한다(S102). 세정용 액체 반입 처리에서는, 우선, 액축적 처리된 지그(22)가 유지판(32)(도 4 참조)에 유지된다. 그 후, 유지판(32)과 덮개 부재(33)가, 액축적 처리된 지그(22)와 함께 본체(31)의 내부에 수용되고, 덮개 부재(33)에 의해 개구부(34)가 밀폐된다.
계속해서, 건조 처리 유닛(17)에서는 세정용 액체 기화 처리가 행해진다(S103). 세정용 액체 기화 처리에서는, 우선, 지그(22)에 액축적된 IPA 액체(71)가 기화된다. 이러한 기화 처리는, 예를 들면, 지그(22)나 건조 처리 유닛(17) 본체를 100(℃) 정도로 승온함으로써 행한다.
그 후, 건조 처리 유닛(17) 내에 IPA 기체(72)를 충만하게 하여, IPA 기체(72)가 충만한 상태로 소정 시간 대기시킨다. 여기서, 건조 처리 유닛(17) 내에 IPA 기체(72)를 충만하게 하고, 그 상태로 대기시키는 시간의 합계는, 예를 들면 30(분) 이상이다. 이에 따라, 건조 처리 유닛(17) 내에 충만한 IPA 기체(72)는, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 흡착한다.
계속해서, 건조 처리 유닛(17)에서는 배기 처리가 행해진다(S104). 배기 처리에서는, 제어부(19)가, 건조 처리 유닛(17)의 하류측에 있는 밸브(52e)와, 배기 조정 밸브(59)와, 밸브(52f)와, 배기 조정 니들 밸브(61a)를 제어하여, 이러한 각 밸브를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 변경한다. 이에 따라, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 흡착한 IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 외부로 배기한다.
그 후, 건조 처리 유닛(17)에서는 지그 반출 처리가 행해진다(단계 S105). 지그 반출 처리에서는, 우선, 개방 상태인 밸브(52e)와, 배기 조정 밸브(59)와, 밸브(52f)와, 배기 조정 니들 밸브(61a)를 폐쇄 상태로 변경한 후, 퍼지 장치(62) 등을 이용하여 건조 처리 유닛(17)의 내부를 대기압에 해방한다.
그 후, 기판 반송 장치(18)를 이용하여 지그(22)를 건조 처리 유닛(17)으로부터 반출한다. 이러한 지그 반출 처리가 완료하면, 건조 처리 유닛(17)에 대한 세정 처리가 완료한다.
또, 도 10에 나타낸 처리 순서를, 한번의 세정 처리에 있어서 반복하여 실시해도 좋다. 이러한 처리 순서를 한번의 세정 처리에 있어서 반복하여 실시함으로써, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클의 수를 더욱 저감할 수 있다.
여기까지 나타낸 실시형태에서는, 지그(22)에 액축적 처리를 행하고, 이러한 지그(22)를 건조 처리 유닛(17)에 반입함으로써 세정 처리를 행했지만, 액축적되는 부재는 지그(22)에 한정되지 않는다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 표면에 IPA 액체(71)를 액축적 처리하고, 액축적 처리된 웨이퍼(W)를 건조 처리 유닛(17)에 반입함으로써 건조 처리 유닛(17)의 세정 처리를 행해도 좋다.
<변형예>
이후에서는, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리의 각종 변형예에 관해 설명한다. 우선은, 도 11a, 도 11b 및 도 12를 참조하면서, 세정 처리의 변형예 1에 관해 설명한다.
도 11a는, 실시형태의 변형예 1에 관한 세정용 기체 주입 처리의 개요를 나타내는 도면이다. 도 11a에 나타낸 바와 같이, 변형예 1에 있어서, 건조 처리 유닛(17)은, 밸브(52i)를 통해 IPA 기체 공급원(63)에 접속되어 있다. 이러한 IPA 기체 공급원(63)에는 IPA 기체(72)가 저장된다. 또한, 밸브(52i)는, 그 밖의 밸브와 마찬가지로 제어 장치(4)의 제어부(19)에 의해 제어 가능하다.
그리고, 변형예 1에서는, 세정용 기체 주입 처리에 의해, IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 주입한다. 구체적으로는, 제어 장치(4)의 제어부(19)가, 도 11a에 나타낸 바와 같이, 밸브(52a∼52h)와, 배기 조정 밸브(59)와, 배기 조정 니들 밸브(61a, 61b)를 전부 폐쇄 상태로 제어하는 한편, 밸브(52i)를 개방 상태로 제어한다. 이러한 제어에 의해, IPA 기체 공급원(63)으로부터 밸브(52i)를 통해, IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 주입한다.
이 세정용 기체 주입 처리에 의해, IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 충전하여, IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 충만하게 한다. 이러한 세정용 기체 주입 처리에 의해, 건조 처리 유닛(17) 내에 충만한 IPA 기체(72)는, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 흡착한다.
즉, 변형예 1에서의 세정용 기체 주입 처리는, 실시형태에서의 세정용 액체 기화 처리에 해당하는 처리이다. 따라서, 세정용 기체 주입 처리를 행하는 시간 등은, 실시형태에서의 세정용 액체 기화 처리와 동일한 조건을 이용할 수 있다.
변형예 1에서는, 세정용 기체 주입 처리에 이어서, 배기 처리가 행해진다. 도 11b는, 실시형태의 변형예 1에 관한 배기 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
이러한 배기 처리에서는, 제어 장치(4)의 제어부(19)가, 도 11b에 나타낸 바와 같이, 개방 상태의 밸브(52i)를 폐쇄 상태로 변경함과 함께, 건조 처리 유닛(17)의 하류측에 있는 밸브(52e)와, 배기 조정 밸브(59)와, 밸브(52f)와, 배기 조정 니들 밸브(61a)를, 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 변경한다.
이에 따라, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 흡착한 IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 외부로 배기한다. 따라서, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 IPA 기체(72)와 함께 제거할 수 있다.
즉, 변형예 1에서의 배기 처리는, 실시형태에서의 배기 처리에 해당하는 처리이다. 따라서, 변형예 1에서의 배기 처리의 각종 조건은, 실시형태에서의 배기 처리와 동일한 조건을 이용할 수 있다.
변형예 1에서는, 지그(22)의 액축적 처리나 반입 처리를 행하지 않고, IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17) 내부에 충전할 수 있다. 즉, 지그(22)의 액축적 처리나 반입 처리를 생략할 수 있기 때문에, 건조 처리 유닛(17)의 세정 처리에 걸리는 시간을 짧게 할 수 있다. 따라서, 변형예 1에 의하면, 건조 처리 유닛(17)을 조기에 웨이퍼(W)의 건조 처리에 복귀시킬 수 있다.
도 12는, 실시형태의 변형예 1에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리에서의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 12에 나타낸 바와 같이, 우선, 건조 처리 유닛(17)에 있어서, 세정용 기체 주입 처리가 행해진다(S201). 세정용 기체 주입 처리에서는, 우선, 제어부(19)가, 밸브(52a∼52h)와, 배기 조정 밸브(59)와, 배기 조정 니들 밸브(61a, 61b)를 전부 폐쇄 상태로 제어한다. 그 후, 제어부(19)가 밸브(52i)를 개방 상태로 제어하여, IPA 기체 공급원(63)으로부터 밸브(52i)를 통해 IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 주입한다.
그 후, 건조 처리 유닛(17) 내에 IPA 기체(72)를 충만하게 하여, IPA 기체(72)가 충만한 상태로 소정 시간 대기시킨다. 여기서, 건조 처리 유닛(17) 내에 IPA 기체(72)를 충만하게 하고, 그 상태로 대기시키는 시간의 합계는, 예를 들면 30(분) 이상이다. 이에 따라, 건조 처리 유닛(17) 내에 충만한 IPA 기체(72)는, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 흡착한다.
또, 이 때, 밸브(52i)는 개방 상태를 유지하고 있어도 좋고, 소정량의 IPA 기체(72)를 주입한 후 밸브(52i)를 폐쇄 상태로 변경해도 좋다.
또, IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 주입하는 경우는, 이것에 한정되지 않고, 예컨대, 최초의 수초간 밸브(52a, 52f)와, 배기 조정 밸브(59)와, 배기 조정 니들 밸브(61a)를 개방 상태로 제어하고, 또한, 밸브(52i)를 개방 상태로 제어하여, IPA 기체 공급원(63)으로부터 밸브(52i)를 통해 IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 주입하고, 그 후, 밸브(52a, 52f)와, 배기 조정 밸브(59)와, 배기 조정 니들 밸브(61a)를 폐쇄 상태로 제어하고, 이어서 IPA 기체 공급원(63)으로부터 밸브(52i)를 통해 IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 주입하도록 해도 좋다. 이에 따라, IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 주입하는 시간을 단축할 수 있다.
계속해서, 건조 처리 유닛(17)에서는 배기 처리가 행해진다(S202). 배기 처리에서는, 제어부(19)가 밸브(52i)를 폐쇄 상태로 제어한다. 그 후, 제어부(19)가, 건조 처리 유닛(17)의 하류측에 있는 밸브(52e)와, 배기 조정 밸브(59)와, 밸브(52f)와, 배기 조정 니들 밸브(61a)를 제어하여, 전술한 각 밸브를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 변경한다. 이에 따라, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 흡착한 IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 외부로 배기한다.
그 후, 개방 상태인 밸브(52e)와, 배기 조정 밸브(59)와, 밸브(52f)와, 배기 조정 니들 밸브(61a)를 폐쇄 상태로 변경하면, 변형예 1에 관한 세정 처리가 완료한다.
계속해서, 도 13a∼도 13c 및 도 14를 참조하면서, 세정 처리의 변형예 2에 관해 설명한다.
도 13a는, 실시형태의 변형예 2에 관한 세정용 액체 주입 처리의 개요를 나타내는 도면이다. 도 13a에 나타낸 바와 같이, 변형예 2에 있어서, 건조 처리 유닛(17)은, 밸브(52i)를 통해 IPA 액체 공급원(64)에 접속되어 있다. 이러한 IPA 액체 공급원(64)에는 IPA 액체(71)가 저장된다. 또한, 밸브(52i)는, 그 밖의 밸브와 마찬가지로 제어 장치(4)의 제어부(19)에 의해 제어 가능하다.
그리고, 변형예 2에서는, 세정용 액체 주입 처리에 의해, IPA 액체(71)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 주입한다. 구체적으로는, 제어 장치(4)의 제어부(19)가, 도 13a에 나타낸 바와 같이, 밸브(52a∼52h)와, 배기 조정 밸브(59)와, 배기 조정 니들 밸브(61a, 61b)를 전부 폐쇄 상태로 제어하는 한편, 밸브(52i)를 개방 상태로 제어한다. 이러한 제어에 의해, IPA 액체 공급원(64)으로부터 밸브(52i)를 통해, IPA 액체(71)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 주입한다.
즉, 변형예 2에서의 세정용 액체 주입 처리는, 실시형태에서의 액축적 처리 및 세정용 액체 반입 처리에 해당하는 처리이다. 따라서, 세정용 액체 주입 처리에 있어서 IPA 액체(71)를 주입하는 양 등은, 실시형태에서의 액축적 처리나 세정용 액체 반입 처리와 동일한 조건을 이용할 수 있다.
변형예 2에서는, 세정용 액체 주입 처리에 이어서, 세정용 액체 기화 처리가 행해진다. 도 13b는, 실시형태의 변형예 2에 관한 세정용 액체 기화 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
도 13b에 나타낸 바와 같이, 세정용 액체 기화 처리에서는, 제어 장치(4)의 제어부(19)가, 개방 상태의 밸브(52i)를 폐쇄 상태로 변경함과 함께, 건조 처리 유닛(17) 내부에 주입된 IPA 액체(71)를 기화(증발)시킨다. 그리고, 이러한 기화에 의해 발생하는 IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 충전한다. 이에 따라, IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 충만하게 한다.
이러한 세정용 액체 기화 처리에 의해, 건조 처리 유닛(17) 내에 충만한 IPA 기체(72)는, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 흡착한다. 즉, 변형예 2에서의 세정용 액체 기화 처리는, 실시형태에서의 세정용 액체 기화 처리에 해당하는 처리이다. 따라서, 변형예 2에서의 세정용 기체 주입 처리의 각종 조건은, 실시형태에서의 세정용 액체 기화 처리와 동일한 조건을 이용할 수 있다.
변형예 2에서는, 세정용 액체 기화 처리에 이어서, 배기 처리가 행해진다. 도 13c는, 실시형태의 변형예 2에 관한 배기 처리의 개요를 나타내는 도면이다.
이러한 배기 처리에서는, 제어 장치(4)의 제어부(19)가, 도 13c에 나타낸 바와 같이, 건조 처리 유닛(17)의 하류측에 있는 밸브(52e)와, 배기 조정 밸브(59)와, 밸브(52f)와, 배기 조정 니들 밸브(61a)를, 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 변경한다.
이에 따라, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 흡착한 IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 외부로 배기한다. 따라서, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 IPA 기체(72)와 함께 제거할 수 있다.
즉, 변형예 2에서의 배기 처리는, 실시형태에서의 배기 처리에 해당하는 처리이다. 따라서, 변형예 2에서의 배기 처리의 각종 조건은, 실시형태에서의 배기 처리와 동일한 조건을 이용할 수 있다.
변형예 2에서는, 지그(22)의 반입 처리를 행하지 않고, IPA 액체(71)를 건조 처리 유닛(17) 내부에 주입할 수 있다. 즉, 지그(22)의 반입 처리를 생략할 수 있기 때문에, 건조 처리 유닛(17)의 세정 처리에 걸리는 시간을 짧게 할 수 있다. 따라서, 변형예 2에 의하면, 건조 처리 유닛(17)을 조기에 웨이퍼(W)의 건조 처리에 복귀시킬 수 있다.
도 14는, 실시형태의 변형예 2에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리에서의 처리 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 14에 나타낸 바와 같이, 우선, 건조 처리 유닛(17)에 있어서, 세정용 액체 주입 처리가 행해진다(S301). 세정용 액체 주입 처리에서는, 우선, 밸브(52a∼52h)와, 배기 조정 밸브(59)와, 배기 조정 니들 밸브(61a, 61b)를 전부 폐쇄 상태로 제어한다.
그 후, 밸브(52i)를 개방 상태로 제어하여, IPA 액체 공급원(64)으로부터 밸브(52i)를 통해, IPA 액체(71)를 건조 처리 유닛(17)의 내부에 소정량 주입한다. 이러한 소정량은, 예를 들면, IPA 액체(71)로부터 생기는 IPA 기체(72)로, 건조 처리 유닛(17)의 내부를 충만하게 하기에 충분한 양이다.
계속해서, 건조 처리 유닛(17)에서는 세정용 액체 기화 처리가 행해진다(S302). 세정용 액체 기화 처리에서는, 우선 건조 처리 유닛(17)의 내부에 주입된 IPA 액체(71)가 기화된다. 이러한 기화 처리는, 예를 들면, 건조 처리 유닛(17) 본체를 100(℃) 정도로 승온함으로써 행한다.
그 후, 건조 처리 유닛(17) 내에 IPA 기체(72)를 충만하게 하여, IPA 기체(72)가 충만한 상태로 소정 시간 대기시킨다. 여기서, 건조 처리 유닛(17) 내에 IPA 기체(72)를 충만하게 하고, 그 상태로 대기시키는 시간의 합계는, 예를 들면 30(분) 이상이다. 이에 따라, 건조 처리 유닛(17) 내에 충만한 IPA 기체(72)는, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 흡착한다.
또, 세정용 액체 주입 처리에 있어서, 소정량의 IPA 액체(71)를 주입한 후 밸브(52i)를 폐쇄 상태로 변경해도 좋고, 세정용 액체 주입 처리로부터 세정용 액체 기화 처리에 걸쳐서 밸브(52i)의 개방 상태를 유지하고 있어도 좋다.
계속해서, 건조 처리 유닛(17)에서는 배기 처리가 행해진다(S303). 배기 처리에서는, 제어부(19)가 밸브(52i)를 폐쇄 상태로 제어한다. 그 후, 제어부(19)가, 건조 처리 유닛(17)의 하류측에 있는 밸브(52e)와, 배기 조정 밸브(59)와, 밸브(52f)와, 배기 조정 니들 밸브(61a)를 제어하여, 전술한 각 밸브를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 변경한다. 이에 따라, 건조 처리 유닛(17) 내에 부유ㆍ부착된 파티클을 흡착한 IPA 기체(72)를 건조 처리 유닛(17)의 외부로 배기한다.
그 후, 개방 상태인 밸브(52e)와, 배기 조정 밸브(59)와, 밸브(52f)와, 배기 조정 니들 밸브(61a)를 폐쇄 상태로 변경하면, 변형예 2에 관한 세정 처리가 완료한다.
[실시예]
이하, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리를 구체적으로 실시했다.
우선, CO2의 초임계 유체(70)를 이용한 건조 처리를 반복하여 실시한 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 세정 처리의 직전에 건조 처리를 실시한 웨이퍼(W)에 부착된 파티클의 수를 파티클 카운터로 계측한 바, 크기가 30(nm) 이상인 파티클이 19310(개) 계측되었다.
다음으로, 이러한 기판 처리 시스템(1)에 있어서, 실시형태에 관한 세정 처리를 실시했다. 이러한 세정 처리에서는, 세정용 액체 기화 처리에 있어서, 건조 처리 유닛(17)의 본체(31)의 온도를 직전의 건조 처리에 있어서 승온한 100℃ 정도로 유지하고, 세정용 액체 기화 처리를 3분 정도 실시했다. 그리고, 도 10에 나타낸 세정 처리에서의 처리 순서를 반복하여 실시하여, 합계 3시간 정도 세정 처리를 행했다.
다음으로, 전술한 세정 처리를 행한 직후에, CO2의 초임계 유체(70)를 이용한 건조 처리를 웨이퍼(W)에 실시하고, 이러한 웨이퍼(W)에 부착된 파티클의 수를 파티클 카운터로 계측한 바, 크기가 30(nm) 이상인 파티클은 2533(개) 계측되었다.
전술한 바와 같이, 세정 처리를 행하기 직전과 세정 처리를 행한 직후에서, 웨이퍼(W)에 부착되는 파티클의 수를 비교함으로써, 실시형태에 관한 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리는, 웨이퍼(W)에 부착되는 파티클의 수를 저감시킬 수 있다는 것을 알 수 있다.
실시형태에 관한 기판 처리 장치의 세정 방법은, 액체에 의해 표면이 젖은 상태의 기판(웨이퍼(W))을 초임계 유체(70)와 접촉시켜, 기판(웨이퍼(W))을 건조시키는 건조 처리(S1)가 행해지는 기판 처리 장치(건조 처리 유닛(17))의 세정 방법으로서, 세정용 기체 충전 공정(S3)과, 배기 공정(S4)을 포함한다. 세정용 기체 충전 공정(S3)은, 이소프로필알콜을 함유하는 세정용 기체(IPA 기체(72))를 기판 처리 장치(건조 처리 유닛(17))의 내부에 충전한다. 배기 공정(S4)은, 세정용 기체 충전 공정(S3)의 후에, 기판 처리 장치(건조 처리 유닛(17))의 내부로부터 세정용 기체(IPA 기체(72))를 배기한다. 이에 따라, 초임계 유체(70)를 이용하여 웨이퍼(W)를 건조시키는 경우에, 웨이퍼(W)에 다수의 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 세정 방법에 있어서, 액체는 이소프로필알콜을 함유한다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 건조 처리를 안정적으로 실시할 수 있다.
또한, 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 세정 방법에 있어서, 세정용 기체 충전 공정(S3)은, 이소프로필알콜을 함유하는 세정용 액체(IPA 액체(71))가 액축적된 지그(22)(22A)를 기판 처리 장치(건조 처리 유닛(17))의 내부에 반입하는 세정용 액체 반입 공정(S102)과, 세정용 액체 반입 공정(S102)의 후에, 기판 처리 장치(건조 처리 유닛(17))의 내부에서 세정용 액체(IPA 액체(71))를 기화시키는 세정용 액체 기화 공정(S103)을 포함한다. 이에 따라, 저비용으로 기판 처리 시스템(1)의 세정 처리를 실시할 수 있다.
또한, 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 세정 방법에 있어서, 지그(22)(22A)는, 기판(웨이퍼(W))과 대략 동일한 직경 및 두께를 갖는 원판부(22a)와, 원판부(22a)의 주면으로부터 바퀴형상으로 돌출된 바퀴형부(22b)를 포함한다. 이에 따라, 건조 처리 유닛(17) 내에 IPA 기체(72)를 충만하게 하기에 충분한 양의 IPA 액체(71)를 건조 처리 유닛(17) 내에 반입할 수 있다.
또한, 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 세정 방법에 있어서, 세정용 기체 충전 공정(S3)은, 소정의 주입 경로를 통해 세정용 기체(IPA 기체(72))를 기판 처리 장치(건조 처리 유닛(17))의 내부에 주입하는 세정용 기체 주입 공정(S201)을 포함한다. 이에 따라, 기판 처리 시스템(1)을 조기에 웨이퍼(W)의 건조 처리(S1)에 복귀시킬 수 있다.
또한, 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 세정 방법에 있어서, 세정용 기체 충전 공정(S3)은, 소정의 주입 경로를 통해 이소프로필알콜을 함유하는 세정용 액체(IPA 액체(71))를 기판 처리 장치(건조 처리 유닛(17))의 내부에 주입하는 세정용 액체 주입 공정(S301)과, 세정용 액체 주입 공정(S301)의 후에, 기판 처리 장치(건조 처리 유닛(17))의 내부에서 세정용 액체(IPA 액체(71))를 기화시키는 세정용 액체 기화 공정(S302)을 포함한다. 이에 따라, 기판 처리 시스템(1)을 조기에 웨이퍼(W)의 건조 처리(S1)에 복귀시킬 수 있다.
또한, 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 세정 방법에 있어서, 초임계 유체(70)는 이산화탄소를 함유하는 초임계 유체이다. 이에 따라, 웨이퍼(W)에서의 패턴 붕괴의 발생을 억제하면서 웨이퍼(W) 표면을 건조시킬 수 있다.
또한, 실시형태에 관한 기판 처리 장치의 세정 시스템은, 액체에 의해 표면이 젖은 상태의 기판(웨이퍼(W))을 초임계 유체(70)와 접촉시켜, 기판(웨이퍼(W))을 건조시키는 건조 처리가 행해지는 기판 처리 장치(건조 처리 유닛(17))의 세정 시스템으로서, 세정용 기체 충전부와 배기부를 포함한다. 세정용 기체 충전부는, 이소프로필알콜을 함유하는 세정용 기체(IPA 기체(72))를 기판 처리 장치(건조 처리 유닛(17))의 내부에 충전한다. 배기부는, 기판 처리 장치(건조 처리 유닛(17))의 내부로부터 세정용 기체(IPA 기체(72))를 배기한다. 이에 따라, 초임계 유체(70)를 이용하여 웨이퍼(W)를 건조시키는 경우에, 웨이퍼(W)에 다수의 파티클이 부착되는 것을 억제할 수 있다.
또 다른 효과나 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 양태는, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부한 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위에서 일탈하지 않고, 여러가지 변경이 가능하다.
W : 웨이퍼
1 : 기판 처리 시스템
4 : 제어 장치
16 : 세정 처리 유닛
17 : 건조 처리 유닛
19 : 제어부
21 : 지그 배치부
22, 22A : 지그
22a : 원판부
22b : 바퀴형부
22c : 오목부
70 : 초임계 유체
71 : IPA 액체
72 : IPA 기체

Claims (8)

  1. 액체에 의해 표면이 젖은 상태의 기판을 초임계 유체와 접촉시켜, 상기 기판을 건조시키는 건조 처리가 행해지는 기판 처리 장치의 세정 방법으로서,
    이소프로필알콜을 함유하는 세정용 기체를 상기 기판 처리 장치의 내부에 충전하는 세정용 기체 충전 공정과,
    상기 세정용 기체 충전 공정 후에, 상기 기판 처리 장치의 내부로부터 상기 세정용 기체를 배기하는 배기 공정
    을 포함하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 액체는 이소프로필알콜을 함유하는 것인 기판 처리 장치의 세정 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정용 기체 충전 공정은,
    이소프로필알콜을 함유하는 세정용 액체가 액축적된 지그를 상기 기판 처리 장치의 내부에 반입하는 세정용 액체 반입 공정과,
    상기 세정용 액체 반입 공정 후에, 상기 기판 처리 장치의 내부에서 상기 세정용 액체를 기화시키는 세정용 액체 기화 공정
    을 포함하는 것인 기판 처리 장치의 세정 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 지그는,
    상기 기판과 동일한 직경 및 두께를 갖는 원판부와,
    상기 원판부의 주면으로부터 바퀴형상으로 돌출된 바퀴형부
    를 포함하는 것인 기판 처리 장치의 세정 방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정용 기체 충전 공정은,
    미리 정해진 주입 경로를 통해 상기 세정용 기체를 상기 기판 처리 장치의 내부에 주입하는 세정용 기체 주입 공정을 포함하는 것인 기판 처리 장치의 세정 방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정용 기체 충전 공정은,
    미리 정해진 주입 경로를 통해 이소프로필알콜을 함유하는 세정용 액체를 상기 기판 처리 장치의 내부에 주입하는 세정용 액체 주입 공정과,
    상기 세정용 액체 주입 공정 후에, 상기 기판 처리 장치의 내부에서 상기 세정용 액체를 기화시키는 세정용 액체 기화 공정
    을 포함하는 것인 기판 처리 장치의 세정 방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 초임계 유체는 이산화탄소를 함유하는 초임계 유체인 것인 기판 처리 장치의 세정 방법.
  8. 액체에 의해 표면이 젖은 상태의 기판을 초임계 유체와 접촉시켜, 상기 기판을 건조시키는 건조 처리가 행해지는 기판 처리 장치의 세정 시스템으로서,
    이소프로필알콜을 함유하는 세정용 기체를 상기 기판 처리 장치의 내부에 충전하는 세정용 기체 충전부와,
    상기 기판 처리 장치의 내부로부터 상기 세정용 기체를 배기하는 배기부
    를 포함하는 기판 처리 장치의 세정 시스템.
KR1020170160521A 2016-12-02 2017-11-28 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치의 세정 시스템 KR102456825B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016235342A JP6876417B2 (ja) 2016-12-02 2016-12-02 基板処理装置の洗浄方法および基板処理装置の洗浄システム
JPJP-P-2016-235342 2016-12-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180063831A true KR20180063831A (ko) 2018-06-12
KR102456825B1 KR102456825B1 (ko) 2022-10-19

Family

ID=62243494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170160521A KR102456825B1 (ko) 2016-12-02 2017-11-28 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치의 세정 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10950465B2 (ko)
JP (1) JP6876417B2 (ko)
KR (1) KR102456825B1 (ko)
CN (1) CN108155116B (ko)
TW (1) TWI761396B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12046466B2 (en) 2019-08-14 2024-07-23 Semes Co., Ltd. Method and apparatus for treating substrate

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7080134B2 (ja) * 2018-08-07 2022-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のパーティクル除去方法および基板処理装置
JP7197396B2 (ja) * 2019-02-06 2022-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US20220154342A1 (en) * 2019-03-28 2022-05-19 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP7362300B2 (ja) 2019-06-04 2023-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその制御方法
USD949319S1 (en) * 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
JP7394563B2 (ja) * 2019-09-12 2023-12-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の洗浄方法及び基板処理システム
KR102262250B1 (ko) 2019-10-02 2021-06-09 세메스 주식회사 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법
US11515178B2 (en) * 2020-03-16 2022-11-29 Tokyo Electron Limited System and methods for wafer drying
US11315816B2 (en) * 2020-06-10 2022-04-26 Kla Corporation Localized purge module for substrate handling
CN114068305A (zh) * 2021-11-04 2022-02-18 上海至临半导体技术有限公司 一种利用超临界流体移除水分的方法以及水分移除腔
KR20230092188A (ko) 2021-12-17 2023-06-26 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US20230211390A1 (en) * 2021-12-30 2023-07-06 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate
CN114405908B (zh) * 2021-12-31 2023-07-25 至微半导体(上海)有限公司 一种适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011249454A (ja) * 2010-05-25 2011-12-08 Toshiba Corp 超臨界乾燥方法
JP2013012538A (ja) 2011-06-28 2013-01-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR20140030218A (ko) * 2011-05-30 2014-03-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69523208T2 (de) * 1994-04-08 2002-06-27 Texas Instruments Inc., Dallas Verfahren zur Reinigung von Halbleiterscheiben mittels verflüssigter Gase
JPH09289187A (ja) * 1996-04-22 1997-11-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
KR200160545Y1 (ko) * 1997-01-23 1999-11-15 김재형 알콜 증기건조기
JP3992488B2 (ja) * 2000-12-15 2007-10-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
US7507297B2 (en) * 2002-05-20 2009-03-24 Panasonic Corporation Cleaning method and cleaning apparatus
KR100447285B1 (ko) * 2002-09-05 2004-09-07 삼성전자주식회사 기판 건조 장치
KR100666352B1 (ko) * 2005-05-26 2007-01-11 세메스 주식회사 기판 세정 건조 장치 및 방법
US7262422B2 (en) * 2005-07-01 2007-08-28 Spansion Llc Use of supercritical fluid to dry wafer and clean lens in immersion lithography
JP4805862B2 (ja) * 2007-02-21 2011-11-02 富士通セミコンダクター株式会社 基板処理装置、基板処理方法、及び半導体装置の製造方法
JP5426439B2 (ja) * 2010-03-15 2014-02-26 株式会社東芝 超臨界乾燥方法および超臨界乾燥装置
JP5494146B2 (ja) * 2010-04-05 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5477131B2 (ja) * 2010-04-08 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5620234B2 (ja) * 2010-11-15 2014-11-05 株式会社東芝 半導体基板の超臨界乾燥方法および基板処理装置
WO2012165377A1 (ja) * 2011-05-30 2012-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP5843277B2 (ja) * 2011-07-19 2016-01-13 株式会社東芝 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置
TWI689004B (zh) * 2012-11-26 2020-03-21 美商應用材料股份有限公司 用於高深寬比半導體元件結構具有污染物去除之無黏附乾燥處理

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011249454A (ja) * 2010-05-25 2011-12-08 Toshiba Corp 超臨界乾燥方法
KR20140030218A (ko) * 2011-05-30 2014-03-11 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
JP2013012538A (ja) 2011-06-28 2013-01-17 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12046466B2 (en) 2019-08-14 2024-07-23 Semes Co., Ltd. Method and apparatus for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018093063A (ja) 2018-06-14
US10950465B2 (en) 2021-03-16
US20180158699A1 (en) 2018-06-07
TW201832839A (zh) 2018-09-16
TWI761396B (zh) 2022-04-21
JP6876417B2 (ja) 2021-05-26
CN108155116B (zh) 2023-09-01
CN108155116A (zh) 2018-06-12
KR102456825B1 (ko) 2022-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20180063831A (ko) 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치의 세정 시스템
KR102433528B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기록 매체
JP6804278B2 (ja) 超臨界流体製造装置および基板処理装置
JP7113949B2 (ja) 基板処理装置
CN110828332B (zh) 基片处理装置的颗粒除去方法和基片处理装置
JP6759042B2 (ja) 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体
JP6836939B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2018082043A (ja) 基板処理装置
JP7361865B2 (ja) 基板処理システム
JP7362300B2 (ja) 基板処理装置及びその制御方法
JP7394563B2 (ja) 基板処理装置の洗浄方法及び基板処理システム
KR102482206B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2018207076A (ja) 基板処理装置
JP6840001B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP6922048B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記録媒体
KR102679000B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2020191479A (ja) 基板処理方法、基板処理装置及び記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant