CN114405908B - 一种适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法，涉及到半导体技术领域，S1、提供晶圆，控制晶圆旋转，并向晶圆表面通入NMP溶剂和胺的混合溶液，同时并加载超声波；S2、超纯水清洗，通过雾化喷头向晶圆表面通入超纯水移除晶圆表面的NMP溶剂和胺的混合溶液；S3、向晶圆表面通入异丙醇，并在晶圆的表面覆盖一层纳米级异丙醇薄膜；S4、向晶圆的表面通入二氧化碳并进行干燥后取出晶圆。本发明中的晶圆化学品蚀刻后的清洗方法在通入混合溶液时并通入超声波，能够与晶圆表面的残留化学液和聚合物反应，然后再通入超纯水直接去除混合液，能够提高清洗效果和清洗效率，且能够降低清洗成本。

Description

一种适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法
技术领域
本发明涉及到半导体技术领域，尤其涉及到一种适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法。
背景技术
在晶圆的生产过程中，需要对晶圆的表面进行蚀刻。
现有技术中晶圆经过蚀刻后，其表面会产生聚合物，如果无法在清洗过程中将聚合物完全清洗干净，就会直接影响后续镀金制程中形成的金属层的导通能力，继而导致器件的接地性能受到影响，会严重影响成品的性能、成品率及可靠性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法，用于解决上述技术问题。
本发明采用的技术方案如下：
一种适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法，包括：
S1、提供晶圆，控制所述晶圆旋转，并向所述晶圆表面通入NMP溶剂和胺的混合溶液，同时并加载超声波；
S2、超纯水清洗，通过雾化喷头向所述晶圆表面通入超纯水移除所述晶圆表面的NMP溶剂和胺的混合溶液；
S3、向所述晶圆表面通入异丙醇，并在所述晶圆的表面覆盖一层纳米级异丙醇薄膜；
S4、向所述晶圆的表面通入二氧化碳并进行干燥后取出所述晶圆。
作为优选，当所述晶圆表面形成纳米级异丙醇薄膜后，再向所述晶圆表面通入高温的异丙醇，使得高温的异丙醇在所述晶圆表面堆积。
作为优选，通过喷头将NMP溶剂和胺的混合溶液喷洒在所述晶圆的表面，同时并沿所述晶圆的直径方向往复摆动所述喷头。
作为进一步的优选，所述喷头的摆动角度60～80°。
作为优选，所述雾化喷头倾斜设置，且所述雾化喷头由上至下向远离所述晶圆中心位置倾斜。
作为进一步的优选，所述雾化喷头的倾斜角度为15～25°，且所述雾化喷头沿所述晶圆的半径方向往复摆动。
上述技术方案具有如下优点或有益效果：
本发明中的晶圆化学品蚀刻后的清洗方法在通入混合溶液时并通入超声波，能够与晶圆表面的残留化学液和聚合物反应，然后再通入超纯水直接去除混合液，能够提高清洗效果和清洗效率，且能够降低清洗成本。
附图说明
图1是本发明中适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，如出现术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等，其所指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，如出现术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，如出现术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
图1是本发明中适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法的流程图，请参见图1所示，示出了一种较佳的实施例，示出的一种适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法，包括：
S1、提供晶圆，控制所述晶圆旋转，并向所述晶圆表面通入NMP溶剂和胺的混合溶液，同时并加载超声波；
S2、超纯水清洗，通过雾化喷头向所述晶圆表面通入超纯水移除所述晶圆表面的NMP溶剂和胺的混合溶液；
S3、向所述晶圆表面通入异丙醇，并在所述晶圆的表面覆盖一层纳米级异丙醇薄膜；
S4、向所述晶圆的表面通入二氧化碳并进行干燥后取出所述晶圆。本实施例中，NMP溶剂和胺的混合溶液中具有碱性，通过调整胺的添加比例，在清洗聚合物时起到显著作用，同时能够降低蚀刻作用。然后再通过超纯水多次清洗移除晶圆表面的残余NMP溶剂和胺的混合溶液以及反应后产生的杂质。加入NMP溶剂和胺的混合溶液的同时加载超声波，能够使得NMP溶剂和胺的混合溶液与聚合物充分反应，提高清洗效率。而通入的异丙醇具有一定的液相张力，与晶圆表面的水分子配合，能够避免蒸发移动过程导致图案化崩毁现象出现。通入的二氧化碳用于去除晶圆表面的异丙醇及水分子，然后通过气压和温度的调节使得超临界流体的有效排除。经过气压与温度控制后的超临界流体达到气液相共存状态后排出。
进一步，作为一种较佳的实施方式，当所述晶圆表面形成纳米级异丙醇薄膜后，再向所述晶圆表面通入高温的异丙醇，使得高温的异丙醇在所述晶圆表面堆积。
进一步，作为一种较佳的实施方式，通过喷头将NMP溶剂和胺的混合溶液喷洒在所述晶圆的表面，同时并沿所述晶圆的直径方向往复摆动所述喷头。通过控制喷头的摆动角度以及摆动频率，可以将NMP溶剂和胺的混合溶液完全覆盖在晶圆的表面，便于有效去除晶圆表面的聚合物。
进一步，作为一种较佳的实施方式，所述喷头的摆动角度60～80°。本实施例中的喷头的摆动角度为60°或80°。
进一步，作为一种较佳的实施方式，所述雾化喷头倾斜设置，且所述雾化喷头由上至下向远离所述晶圆中心位置倾斜。
进一步，作为一种较佳的实施方式，所述雾化喷头的倾斜角度为15～25°，且所述雾化喷头沿所述晶圆的半径方向往复摆动。本实施例中，雾化喷头倾斜，与晶圆表面形成一定的夹角，且沿着晶圆的半径方向摆动再配合晶圆的旋转，能够有效的移除晶圆表面的残留的NMP溶剂和胺的混合溶液以及反应后产生的杂质等。
以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。

Claims (5)

1.一种适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法，其特征在于，包括：
S1、提供晶圆，控制所述晶圆旋转，并向所述晶圆表面通入NMP溶剂和胺的混合溶液，同时并加载超声波；
S2、超纯水清洗，通过雾化喷头向所述晶圆表面通入超纯水移除所述晶圆表面的NMP溶剂和胺的混合溶液；
S3、向所述晶圆表面通入异丙醇，并在所述晶圆的表面覆盖一层纳米级异丙醇薄膜，当所述晶圆表面形成纳米级异丙醇薄膜后，再向所述晶圆表面通入高温的异丙醇，使得高温的异丙醇在所述晶圆表面堆积；
S4、向所述晶圆的表面通入二氧化碳并进行干燥后取出所述晶圆，通过超临界二氧化碳溶解并去除所述异丙醇薄膜。
2.如权利要求1所述的适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法，其特征在于，通过喷头将NMP溶剂和胺的混合溶液喷洒在所述晶圆的表面，同时并沿所述晶圆的直径方向往复摆动所述喷头。
3.如权利要求2所述的适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法，其特征在于，所述喷头的摆动角度60～80°。
4.如权利要求1所述的适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法，其特征在于，所述雾化喷头倾斜设置，且所述雾化喷头由上至下向远离所述晶圆中心位置倾斜。
5.如权利要求4所述的适用于晶圆化学品蚀刻后的清洗方法，其特征在于，所述雾化喷头的倾斜角度为15～25°，且所述雾化喷头沿所述晶圆的半径方向往复摆动。
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