TW201308476A - 用以在乾燥作業中減少基板圖案崩塌之設備與方法 - Google Patents

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Abstract

乾燥基板表面用之設備與方法，包含一近接乾燥頭。此乾燥頭包含：頭體，包含一處理表面，當基板之一表面存在時該處理表面係相對該基板表面放置。該處理表面包含第一區域、第二區域與第三區域。該第一區域係形成於該頭體的前緣處且包含陷入該頭體中的一空腔區域。該空腔區域包含複數進入接口，該複數進入接口係用以將氣態流體導入該空腔區域。當該基板表面存在時，該第二區域係置於該基板表面附近並位於該第一區域外。當該基板表面存在時，該第三區域係置於該基板表面附近且位於該第二區域外。複數真空接口係形成於該第二區域與該第三區域的交界處。該第三區域包含指向該第二區域的複數斜角進入接口。一種進行乾燥作業之方法，包含：施加加熱過的氣態異丙醇至該第一區域中的一晶圓表面及加熱該晶圓對應至該第一區域的背面。將加熱過的氮氣注射至該第三區域中的該晶圓表面。經由真空接口以及氮氣自該晶圓表面移除去離子水與異丙醇以留下實質上乾燥的晶圓表面。

Description

用以在乾燥作業中減少基板圖案崩塌之設備與方法
本發明係關於半導體基板處理，更具體而言，係關於避免形成在晶圓基板上之圖案在乾燥作業中崩塌之設備與方法。
定義積體電路(ICs)的圖案係由各種製造處理所形成。各種製造處理包含了蝕刻、沈積、清理/沖洗、乾燥等。由於製造技術的持續進步，圖案的尺寸持續地微縮同時所得之IC裝置的效能也類似地增進。雖然大家總是樂見效能增進，但這個驅勢需要持續地改善製造製程以處理更高的圖案密度及高高寬比的圖案。
更高的圖案密度及高高寬比的圖案雖然會產生更高的效能，但卻會在基板清理、沖洗及/或乾燥作業時導入問題。更具體而言，沖洗及乾燥作業時所用的流體(例如化學品、去離子水(DIW)等)的表面張力會產生和圖案間之距離呈反比的壓力。已觀察到，圖案間的壓力增加易引起「拉扯效應」，在某些情況下拉扯效應會使得圖案崩塌。例如，當用去離子水(DIW)來沖洗具有20奈米之圖案的基板時，在乾燥處理期間施加在圖案上及其周遭的壓力可達到每平方英吋1,000磅(psi)。在鄰近特徵圖案被拉扯在一起的某些區域中，此壓力亦有增加的驅勢。
當單獨使用沖洗頭時，傳統的方法使用氮氣/IPA(異丙醇)蒸氣的混合物自晶圓表面乾燥DIW。該混合物確實會產生表面張力的梯度流，然而，留下來的是IPA的混合物以及在接下來之沖洗作業中所用的DIW。當所得的混合物蒸發時，比IPA濃度較更高的DIW留下來。因此，當晶圓經歷乾燥作業時，更多的DIW被留在晶圓上。接著利用受制於周遭條件的蒸發乾燥作業來移除DIW。由於乾燥作業會留下較高濃度的DIW，因此會將更多的壓力及拉扯施加至鄰近的特徵圖案上，這會損害圖案使得圖案可能崩塌並使良率下降。
有鑑於前述問題，在藉由置於基板表面附近之處理頭進行沖 洗及乾燥作業時需要有效地移除流體，同時實質上降低特徵圖案上或周遭的表面張力，藉此降低圖案崩塌的可能性。
本發明的實施例係基於上述問題所產生。
本發明藉著提供一種避免形成在晶圓表面上之特徵圖案在乾燥作業中崩塌的較佳設備與方法來解決上述問題。應瞭解，本發明可以多種態樣加以實施，包含設備及方法。下面將敘述本發明的數個新穎實施例。
在一實施例中，揭露一種基板表面之乾燥設備。近接乾燥頭包含：頭體，包含一處理表面，當基板之一表面存在時該處理表面係相對該基板表面放置。該處理表面包含第一區域、第二區域與第三區域。該第一區域係形成於該頭體的前緣處且包含一空腔區域。該空腔區域陷入該頭體中且包含複數進入接口。該複數進入接口係用以將氣態流體導入該空腔區域。當該基板表面存在時，該第二區域係置於該基板表面附近。該第二區域係位於該第一區域外。當該基板表面存在時，該第三區域係置於該基板表面附近且位於該第二區域外。複數真空接口係形成於該第二區域與該第三區域的交界處。該第三區域包含指向該第二區域的複數斜角進入接口。
在另一實施例中，揭露一種利用乾燥近接頭進行乾燥作業之方法。該方法包含：當晶圓存在時，施加加熱過的氣態異丙醇至該晶圓表面之介於該乾燥近接頭之表面與該晶圓表面間的區域。在施加該異丙醇前，晶圓已經歷了由分離沖洗近接頭所施行的沖洗作業。該晶圓表面具有一層來自該沖洗作業的去離子水、IPA或兩者，藉此降低或避免由於形成在該晶圓表面上之任何特徵部周遭之表面張力所產生的力。加熱該晶圓下方施加該經加熱之異丙醇的區域。將加熱過的氮氣注射至該晶圓表面。該加熱過的氮氣協助實質上蒸發來自該晶圓表面的該去離子水與異丙醇並強迫該IPA蒸氣朝向該分離的沖洗近接頭(沖洗頭)。自該晶圓表面移除 該去離子水與異丙醇以及該氮氣俾以留下實質上乾燥的該晶圓表面。施加該加熱過的IPA、加熱該區域、注射該加熱過的氮氣及移除該氮氣以及該去離子水與異丙醇的此些作業，是在藉由該分離的沖洗近接頭進行過該沖洗作業後，施行於該乾燥近接頭的表面與該晶圓表面之間。
在本發明的更另一實施例中，揭露一種晶圓表面的乾燥設備。該設備包含置於晶圓之一上表面上方的近接頭。該近接頭包含一相對處理表面，當晶圓表面存在時該相對處理表面係相對於該晶圓表面放置。該相對處理表面包含設於其中的複數進入與離開接口。該進入與離開接口在該晶圓表面上定義出特定的處理區域。該近接頭包含設置於第一區域中的IPA施加器。當晶圓表面存在時，該IPA施加器係經由第一組進入接口施加加熱過的異丙醇蒸氣彎液面至該晶圓表面俾以覆蓋該晶圓表面上的有效凝結區域。該近接頭係用以形成空腔區域俾以實質上容納被施加至該有效凝結區域中的IPA蒸氣。連接至真空源的一組離開接口係設置於第二區域中。該組離開接口係用以實質上移除自該晶圓表面所釋放出的該IPA與任何化學品。氮氣施加器係設置於第三區域中且用以經由第二組進入接口施加氮氣。當晶圓表面存在時，所施加的氮氣實質上覆蓋定義在該晶圓表面上的快速蒸發區域。該近接頭的該第二組進入接口係用以將所施加的氮氣導向該第二區域，俾以實質上釋放及取代來自該特徵部周遭與該晶圓表面上的該異丙醇與任何液體化學品。該第二區域係與該第一區域相鄰而該第三區域係與該第二區域相鄰。
從參考附圖的下面詳細敘述並以實例方式說明本發明，本發明之其他態樣與優點將變得更明白。
下面將敘述能避免圖案在乾燥作業時崩塌的數個實施例。然而，熟知此項技藝者應瞭解，不用部分或全部此些特定細節的情況下亦可施行本發明。在其他情況下，為了避免不必要地模糊本 發明的教示，便不詳細敘述習知的處理操作。
在一晶圓經過沖洗作業以移除用以製造或清理圖案的某些化學品後，其會受到乾燥作業以移除留在圖案中/周遭及晶圓表面上的沖洗流體及/或化學品。此處所指的圖案為完成蝕刻後仍留在材料表面或基板本身(例如矽晶圓)上的特徵部所定義的圖案。材料的實例包含矽、介電材料、多晶矽、金屬等。所得的圖案可定義電晶體、電晶體的連線及/或金屬內連線。在接下來的作業中，可利用材料來填充經過蝕刻的區域(例如金屬化)，藉此定義金屬圖案、內連線、通孔等。自起始的半導體晶圓開始定義所得的IC晶片所需的製造階段期間，已知會重覆該處理許多次。
如前所述，沖洗流體會累積在特徵圖案周遭，在乾燥時應以不損害圖案的方式將其移除。前面亦提及，形成在高高寬比的圖案間的毛細管區域會導致乾燥時的較高表面張力的力。傳統的方法仰賴以較低表面張力之一液體取代另一液體的方式來避免損害圖案。然而，本申請案的方法與結構發現，在狹窄的毛細管區域中難以利用一液體來完全取代另一液體且不損害高高寬比的圖案。
圖1顯示了具有經定義之高高寬比之圖案150之晶圓100之一部分的概圖，圖案150定義了經歷傳統乾燥作業的圖案。當使用單一近接頭來沖洗與乾燥時，沖洗用的DIW易與乾燥時所用的氮氣(N2)/異丙醇(IPA)混合。因此，降低了所得混合物中的IPA的濃度，例如約40% IPA比約60% DIW。在乾燥作業期間，IPA會因為混合物中較低的IPA濃度而更快速地蒸發，將大部分的去離子水(DIW)留在欲被後續蒸發處理所移除的剩餘流體混合物中。
圖案150中與其周遭的DIW及形成在圖案150間之毛細管區域160的深度會使得液體的表面張力增加。如圖1中毛細管區域160內的虛線所示，此表面張力的增加會使得毛細管區域中液體表面的曲率變得更明顯，藉此將圖案150拉向彼此更甚者會引發圖案150崩塌。例如，對於具有20-30奈米(nm)特徵部的晶圓而言，乾燥作業在特徵部間的毛細管區域中可提供約70大氣壓的壓力。
為了避免此類損害，本文中所定義的實施例提供乾燥表面用的結構與方法，同時在乾燥時降低較多DIW之混合物(即較低IPA濃度)所產生的表面張力。
在一實施例中，在沖洗作業完成後施加IPA蒸氣。在此實施例中，沖洗作業係由一近接頭所施行而乾燥作業係由另一近接頭所施行。在另一實施例中，使用一近接頭來沖洗與乾燥，但藉著在沖洗彎液面與乾燥區域間提供壓縮IPA蒸氣的區域以維持兩者間的分離。在一實施例中，在乾燥區域中加熱IPA並將加熱過的IPA蒸氣施加至晶圓表面。施加IPA蒸氣會降低在晶圓表面上提供均勻薄塗層所需的IPA的量。
相較於沖洗作業結束時施加在晶圓表面上的DIW，IPA蒸氣具有遠遠較低的表面張力。IPA蒸氣的較低表面張力會在晶圓表面上IPA蒸氣與沖洗流體(即DIW或化學品/DIW混合物)的界面處產生習知的「Marangoni」效應，此效應會降低表面張力梯度。因此「Marangoni」效應能協助沖洗流體(例如具有高表面張力的DIW)自晶圓表面釋放，藉此有效地以較低表面張力的IPA取代較高表面張力的沖洗流體。在一實施例中，加熱施加至晶圓表面上的IPA蒸氣俾使IPA可維持蒸氣形態。有利的是，具有低表面張力特性的IPA會實質上降低後續利用蒸發加以乾燥之特徵部的拉扯力。在一實施例中，可在乾燥頭的尾緣處將任何剩餘的IPA蒸氣暴露至氮氣。在一實施例中，在將氮氣施加至晶圓表面前亦可對其進行加熱。加熱過的氮氣更進一步地增進蒸發處理，留下實質上乾燥的晶圓表面並避免前述的特徵部損害。
圖2A顯示了在本發明的一實施例中用於乾燥處理中之具有特徵區域之分離乾燥頭200的簡單概圖。乾燥頭200係與乾燥處理前用來沖洗晶圓用的沖洗頭分離。然而如上所述，可以整合乾燥頭與沖洗頭，但較佳地是在沖洗彎液面與乾燥區域間維持分離。圖4B與4C顯示了此些替代性的實施例。
當晶圓100從沖洗頭(未圖示)下方移動至乾燥頭200下方所定義的處理區域中時，乾燥作業開始。當晶圓在乾燥頭下方移動 時，來自沖洗作業的沖洗化學品的薄層如去離子水(DIW)仍然留在晶圓上(如圖示)。在往乾燥頭的路徑中，濃度高於晶圓之凝結點的IPA會凝結在DIW的薄層上面。在一實施例中，沖洗頭係由塑膠材料、金屬材料或塑膠材料與金屬材料的組合所形成。無論使用什麼材料，該材料應該要是化學惰性的。
乾燥頭200為一近接頭，其係由具有處理表面270的頭體290所定義，處理表面270具有用以進行乾燥作業的複數進入及離開接口(即導管)。該進入與離開接口的配置定義了在乾燥作業時晶圓表面上的特定處理區域。如圖2D中所示，此些區域較佳地具有相當於頭長的長度，使得晶圓在頭下方移動時晶圓表面能受到處理。設計乾燥頭200本身中的特徵區域，以在晶圓表面上利用低表面張力流體(即IPA)來取代替換高表面張力沖洗流體，同時在最終乾燥階段時快速地自晶圓表面蒸發IPA。
在一實施例中，定義在乾燥頭200中的特徵區域包含有效凝結區域110、輕微蒸發區域120與快速蒸發區域130。現在將參考圖2A來說明每一特徵區域。當晶圓移離沖洗頭(圖2C中所示的300)並來到乾燥頭200下方時，先將晶圓暴露至乾燥頭200之前緣250處的第一區域。在本文中應注意，在一實施例中，當晶圓移離沖洗頭下方時，在沖洗循環結束時所用的沖洗化學品或DIW會凝結在晶圓表面上，使得晶圓表面在移到乾燥頭下方前無法乾燥。第一區域定義了有效凝結區域。有效凝結區域覆蓋了乾燥頭200之處理表面270與晶圓表面100間的區域並具有相當於第一區域之寬度的寬度。IPA施加器220係形成在乾燥頭200之前端/緣250的附近且包含形成在該有效凝結區域上方之乾燥頭200中的第一組進入接口，經由第一組進入接口可將IPA蒸氣施加至空腔區域285。IPA會先受到加熱而形成蒸氣，然後經由第一組進入接口可將氣態的IPA施加至晶圓表面成為蒸氣彎液面。
在一實施例中，提供IPA的第一組進入接口係設置於第一區域中，以使兩相鄰之對準進入接口之中心間的距離約為0.12 mm。在一實施例中，空腔區域285陷入頭體290中且係由處理表面之 前緣處的平坦表面275與鄰接平坦表面275之斜表面280所定義。如圖2A中所示，斜表面280自平坦表面275開始朝向第一組進入接口斜入頭體中。在另一實施例中，如圖4A中所示，空腔區域285係由斜表面所形成。不論配置為何，空腔區域在乾燥頭200內提供一個凹部，蒸氣被供應至此一凹部中且至少部分地容納在此凹部中。
在一實施例中，使用汽化器來加熱IPA。在此實施例中，汽化器係利用導管而連接至乾燥頭200的IPA施加器220且用以將IPA加熱至預定的溫度，經由IPA施加器220的第一組進入接口可將加熱過的IPA蒸氣施加至晶圓表面。因此，乾燥頭200的處理表面270係用以定義第一區域內的空腔區域285，俾以在晶圓存在時將IPA蒸氣注射至並實質上限制在有效凝結區域100內。在一實施例中，蒸氣為100% IPA。在另一實施例中，IPA蒸氣為約95% IPA與約5%去離子水。在一實施例中，IPA混合物為約87.9重量% IPA與約12.1重量%去離子水(DIW)所組成的共沸混合物。根據期望的處理環境及當地潔淨室中可用的製程供給可使用及接受各種百分比。
業界習知的共沸混合物為兩或更多種液體的比例混合物，其組成無法藉由簡單的蒸餾來加以改變。因此，當共沸混合物沸騰時，所得的蒸氣與原混合物具有相同的組成比例。因此IPA混合物是「過熱的」且以蒸氣形式施加至該晶圓表面。在一實施例中，在將IPA混合物施加至晶圓表面上前，將其加熱至約攝氏90-100度(C)。在另一實施例中，將IPA混合物加熱至高於IPA沸點約10度至約20度，然後以蒸氣形式施加至晶圓表面。
藉著施加IPA蒸氣可避免液態IPA相關的缺點並同時提供較佳控制的量、均勻度、體力等。在一實施例中，加熱過的IPA混合物在冷的晶圓表面上更平均地凝結以形成一IPA薄層。在一實施例中，如圖2A中所示，在晶圓的背側處提供加熱塊210(或類似的加熱結構)。加熱塊210係用以將熱傳遞至晶圓，因此將熱傳遞至施加於上表面上的IPA混合物。當晶圓在加熱塊上方移動時 晶圓會被逐步加熱，在加熱塊廣泛地加熱晶圓藉此避免IPA混合物凝結前IPA混合物傾向於凝結在晶圓表面上。
可藉由電阻式加熱、線圈加熱、紅外線燈或業界習知的任何其他加熱源來加熱加熱塊210。在一實施例中，使用鋁鑄造加熱器為加熱源。在一實施例中，加熱塊210係用以產生約250度C至約350度C的熱。在另一實施例中，加熱塊係用以產生低於IPA之自燃溫度的熱。一般而言，IPA之自燃溫度約為385度C。故為了避免自燃，在一實施例中，加熱塊210係用以產生低於IPA之自燃溫度的熱。
IPA的凝結會增進表面張力梯度界面處的Marangoni效應，讓沖洗流體容易自晶圓表面釋出並自IPA混合物流走。當沖洗流體流走時，IPA混合物流入並填充沖洗化學品所讓出的空間。因此，IPA施加器220能夠專注於施加加熱過的IPA，俾自暴露至加熱過的IPA的晶圓表面以IPA有效地置換取代沖洗化學品但卻不損害特徵部。
在一實施例中，經由IPA施加器220以約每分鐘5至70克的速率(中間範圍約每分鐘10至30克，例如每分鐘15克)施加IPA。在一實施例中，在將IPA施加至晶圓表面前，將其加熱至約90-100度C。在一實施例中，注射額外加熱過的IPA以增加有效凝結區域110中的IPA濃度。
設置在乾燥頭之第二區域中的複數離開接口係連接至真空源240並用以移除逃離乾燥頭200下方之有效凝結區域110及佔據輕微蒸發區域120的任何IPA蒸氣。經由離開接口施加於輕微蒸發區域120處的真空足以實質上移除未朝向沖洗頭移動的IPA蒸氣，藉此避免IPA蒸氣逃離有效凝結區域110。在一實施例中，對於能夠覆蓋300 mm晶圓之長度的全尺寸頭而言，所施加的真空能夠達到介於約每分鐘15至30升的移除率。
氮氣施加器230係形成於乾燥頭200之尾端/緣260附近的第三區域處，以將氮氣導至晶圓表面，俾使被施加的氮氣覆蓋晶圓表面上的快速蒸發區域130。複數離開接口係位於乾燥頭200的 IPA施加器與氮氣施加器之間。在一實施例中，複數離開接口係位於第二區域與第三區域間的界面處。在另一實施例中，可選擇性地將額外的複數離開接口設置在第二區域上。
在一實施例中，當晶圓存在時，近接頭的氮氣施加器230包圍晶圓表面(基板)上的快速蒸發區域130並包含斜角介於垂直與平行晶圓表面之方向的第二組複數進入接口，俾以朝向快速蒸發區域供應氮氣噴射流。在一實施例中，氮氣噴射流作用將任何的剩餘的沖洗流體或IPA混合物推離晶圓表面上的快速蒸發區域130並推向輕微蒸發區域120與連接至真空源的複數離開接口(導致離開乾燥頭200的乾燥晶圓表面)。
在一實施例中，經由氮氣施加器以一速率供應高體積噴流的氮氣，此一速率包含每分鐘約10至約100升的廣泛範圍、介於每分鐘約20至約40的中間範圍、例如每分鐘約30升的例示性速率。在一實施例中，在將氮氣噴射流施加至晶圓表面前先將其加熱。在此實施例中，在經由斜角進入接口將氮氣施加至晶圓表面前先將其加熱至約100度C。乾燥頭200具有相當於晶圓長度的長度，使得複數斜角進入接口沿著乾燥頭200的長度分佈成離散孔。在此實施例中，加熱過的氮氣造成IPA混合物的最終蒸發。在一實施例中，晶圓表面上之有效凝結區域與輕微蒸發區域的寬度大約相同但快速蒸發區域的寬度較短。只要乾燥頭200能夠提供較佳的清理/乾燥處理而不造成任何特徵部崩塌，可在乾燥頭200處定義不同處理區域的其他配置。
在一實施例中，利用乾燥頭200施加IPA混合物與氮氣能協助以下列方式置換沖洗化學品。第一步，Marangoni效應使得幾乎所有的沖洗化學品不再黏附於晶圓表面。第二步，施加充分量的IPA蒸氣以將剩餘的沖洗化學品稀釋至極低的百分比(例如低於共沸混合物)。第三步，氮氣與熱能使得特徵部乾燥同時特徵部仍與IPA彎液面有液體接觸。理論上，由於特徵部仍與IPA彎液面有液體接觸，因此整個表面張力力沒有時間作用於特徵部上。因此，施加加熱過的IPA蒸氣、額外的熱及接著施加加熱過的氮氣 至晶圓表面會導致IPA與稀釋過的沖洗化學品快速乾燥。
當氮氣分子以動能速度移動通過IPA混合物時，部分IPA混合物也以相同的速度加速移動。部分此IPA混合物會重新沈積在乾燥頭下方之晶圓的較冷區域中，因此總IPA作用會少於塗層厚度的預期作用。IPA混合物的快速蒸發會降低特徵部周遭與特徵部之間的表面張力，藉此避免特徵部崩塌並有效地乾燥晶圓表面。來自加熱塊210(選擇性設置)的熱藉著維持IPA蒸氣並加熱氮氣藉此造成氮氣分子的動能速度增加，更能協助加速置換與接下來的蒸發。
如前所述，傳統的應用在混合物中包含高體積的DIW與低體積的IPA。在傳統的應用中，通常在乾燥後留在晶圓上的IPA/DIW混合物具有約60%的DIW與40%的IPA。因此在乾燥作業期間，當混合物在混合物的共沸溫度下蒸發時，會有較多的DIW留在晶圓表面上。由於已知DIW比IPA有更高的表面張力，因此更大的力作用在特徵部周遭的液體(DIW)上將特徵部拉扯在一起並導致一或多個特徵部崩塌。為了克服面張力的增加並降低因高表面張力所導致的損害，目前的實施例在晶圓表面上之有效凝結區域的DIW中產生較高濃度的IPA(利用乾燥頭)。如前所述，在一實施例中，IPA與DIW的濃度約為95% IPA與5% DIW。在乾燥作業期間，當此IPA混合物在混合物的共沸溫度下蒸發時，IPA與DIW會以相同的速度蒸發。
然而，當IPA的體積大於DIW的體積時，在蒸發後更多的IPA會被留在圖案周遭的毛細管區域中與晶圓表面上，藉此實質上降低晶圓表面上之毛細管區域中之化學品的表面張力。利用經由氮氣施加器所施加之加熱過的氮氣可快速地蒸發留下的IPA但卻不損害特徵部。來自加熱塊的熱會協助DIW自IPA混合物更快速地蒸發並協助IPA自晶圓表面更快速地蒸發，留下實質上乾燥與潔淨的晶圓且也保存了圖案特徵部。
圖2B顯示了圖2A中所示之乾燥頭的另一實施例。在此實施例中，定義第二區域之乾燥頭200的部分處理表面270更進一步 地延伸以更進一步地定有第二區域。第二區域能夠限制住輕微蒸發區域內的IPA，使沖洗化學品能被完全置換。
圖2C顯示了在製造作業後用於沖洗與乾燥晶圓表面之系統的簡單方塊圖。如所見，一對沖洗頭300係置於晶圓的上與下側，因此晶圓的兩側皆可受到沖洗。使用置於上表面上的乾燥近接頭及置於晶圓背面具有加熱燈的加熱塊來進行沖洗作業後的乾燥作業。在替代性的實施例中，上表面只使用一個沖洗頭300。又，可利用一個以上的加熱結構來完成晶圓背面(乾燥頭下方)的加熱。又，如上所述，可選擇性地加熱背面。又，圖2C中所示的乾燥頭具有可依表面起伏與輪廓(即當晶圓存在時，面對晶圓)而改變的頭表面形狀。只要乾燥頭表面與晶圓表面間能有效乾燥，可在晶圓表面上使用各種表面幾何尺寸與特徵，本文中所示的實例僅為簡單實例。
圖2D顯示了當晶圓在沖洗與乾燥作業中於各種頭下方移動時晶圓的上視圖。如可見，設置軌道使晶圓沿著一移動平面移動。載具270係用以容納、支撐晶圓並使晶圓沿著移動平面之方向上之軌道所定義出的路徑移動。當晶圓移動橫越移動平面時，晶圓會先受到化學品頭的化學沖洗、然後沖洗頭的液體沖洗及最後乾燥頭(例如乾燥頭200)的乾燥。在一實施例中，可將化學沖洗與液體沖洗整合在單一沖洗頭中。每一化學品頭、沖洗頭與乾燥頭會在晶圓暴露在各個頭下方的部分(即外形區域)上形成彎液面。在一實施例中，彎液面的長度至少覆蓋晶圓的長度但彎液面的寬度卻小於晶圓的寬度。在另一實施例中，沖洗頭可以比晶圓更寬。在操作時，存在於乾燥頭下方的晶圓將會乾燥。另外更顯示廠務與控制端，其能夠控制化學品、DIW、真空、IPA、N2、熱的輸送並提供速度控制、彎液面的設定、滯留時間等。
圖3為在本發明的一實施例中用於乾燥作業中之乾燥頭200的詳細圖。使用汽化器250來容納、加熱IPA蒸氣並利用乾燥頭中的第一組進入接口經由IPA施加器220將加熱過的IPA蒸氣供給至晶圓表面。IPA施加器220定義了晶圓表面上的有效凝結區域 110。汽化器250可連接至加熱構件260，加熱構件260提供熱源以將容納在汽化器250內的IPA加熱成蒸氣形式並將IPA蒸氣供給至晶圓表面。施加IPA蒸氣讓吾人能夠使用少量的IPA便達到最佳的乾燥。
如所示，例示性的乾燥頭200包含IPA施加器220，IPA施加器220定義了在晶圓表面上寬度約25 mm的有效凝結區域110、在晶圓表面上寬度約25 mm的輕微蒸發區域及在晶圓表面上寬度約1 mm的快速蒸發區域。當然，此些只是例示性尺寸，此些尺寸可根據流量設計、頭表面上的導管/接口孔位向及頭形狀來變化。繼續尺寸的實例但此些實例並不限制商用實施例。加熱塊與晶圓上側間的距離可約為1-3 mm，加熱塊與載具背面間的距離可介於約0.25 mm至約3.0 mm例如約為0.5mm。乾燥頭200之相反表面與乾燥頭中形成第三區域之延伸部間的距離係介於約0.5 mm至約4 mm。乾燥頭之相反表面與快速蒸發區域130中之晶圓表面間的距離約為1.5 mm。在一實施例中，定義輕微蒸發區域120的複數離開接口(為了形成真空)係形成於定義有效凝結區域110之第一組進入接口與定義快速蒸發區域130之第二組進入接口之間。乾燥頭200可在長度方向上覆蓋晶圓的整個直徑並在寬度方向上只覆蓋晶圓的一部分。
在一實施例中，利用乾燥頭200乾燥晶圓表面的方法包含：施加過度加熱過的IPA蒸氣至晶圓表面上定義有效凝結區域110的部分。本申請案中所用的「過度加熱」一詞被定義為下列處理：在此處理中將IPA加熱至超過IPA沸點約10度C至20度C的溫度。施加至部分晶圓表面之過度加熱過的IPA可自晶圓表面置換任何液體如沖洗化學品或DIW，且熱IPA會凝結在液體化學品受到置換之區域中的冷晶圓表面上。加熱塊210更加熱已凝結在晶圓表面之有效凝結區域110上的IPA，使IPA能夠更進一步地置換任何剩餘的沖洗化學品。
可將更多的IPA注射至晶圓表面上的有效凝結區域處以增加晶圓表面上的IPA量。來自加熱塊的熱以及加熱過之IPA的固定 流會維持有效凝結區域在乾燥處理期間的熱度。當特徵部存在時，IPA在晶圓表面上提供低表面張力會降低作用在特徵部上的力量。將氮氣施加至晶圓表面上的快速蒸發區域，以加速IPA自晶圓表面蒸發。在一實施例中，在將氮氣施加至晶圓表面前亦對其進行加熱。在一實施例中，氮氣被加熱至約100度C然後施加至晶圓表面。可使用類似於用以加熱IPA的加熱構件，在將氮氣施加至晶圓表面前對其進行加熱。
加熱過的氮氣到達晶圓表面、將IPA推向有效凝結區域110、向上移動並留在IPA層的上部上。部分與氮氣接觸的IPA會與氮氣(N2)混合以形成N2/IPA混合物。此N2/IPA混合物被施加於快速蒸發區域中之加熱過的氮氣的噴射流推向有效凝結區域與真空。N2/IPA混合物從冷的有效凝結區域110移動至熱的輕微蒸發區域120，且在輕微蒸發區域120中經由設置在輕微蒸發區域中或附近的離開接口所施加的真空會快速地移除N2/IPA混合物並自晶圓表面將其移除之。加熱過的氮氣能協助來自晶圓表面的IPA快速混合與蒸發。此處應注意，圖3中所提供的參數只是例示性，其不應被視為是限制性。
圖4A與4B顯示了在本發明的一實施例中用於沖洗與乾燥作業中之系統的概圖。在沖洗作業後，晶圓被放置到近接頭如乾燥頭200下方。在一實施例中，沖洗作業係由另一近接頭如沖洗頭300所施行。沖洗頭300提供沖洗化學品或DIW以沖洗該晶圓100的表面以移除其他製造作業所留下的污染物與化學品。傳統的沖洗頭300在沖洗頭的軌道端處可包含N2/IPA施加器以乾燥晶圓表面。在晶圓經歷沖洗以移除其他製造作業所留下的污染物與化學品後，N2/IPA施加器係用以將與去離子水(DIW)混合過的N2/IPA施加至晶圓表面。在普通沖洗循環中用的N2/IPA/DIW混合物在DIW中具有低體積的IPA。因此，當此IPA混合物被蒸發時，混合物中的IPA會蒸發得更快而留下DIW。當晶圓乾燥時，DIW的高表面張力會導致作用在特徵部上的拉扯力，最終一或多個特徵部崩塌使得裝置無法操作。
為了克服拉扯力，修改本發明中所用的沖洗頭，以一組用以在晶圓在沖洗頭之尾端下方移動時施加真空至晶圓表面的離開接口來取代沖洗頭尾端處的N2/IPA施加器。真空提供充分的力量以移除實質量的沖洗化學品並自乾燥頭下方拉扯IPA蒸氣與氮氣，當晶圓自沖洗頭下方移動至乾燥用之乾燥頭下方時會在晶圓表面上留下沖洗液體現如DIW與IPA的混合物的至少一薄層或部分液體。
現參考圖4B，沖洗與乾燥晶圓用的系統包含晶圓傳送裝置如用以沿著一平面容納、支撐及傳送晶圓100的載具270。提供一對軌道以在載具傳送晶圓橫越移動平面時引導載具。系統並不限於使用載具270而是可以使用能容納、支撐晶圓並沿著平面傳送晶圓的任何裝置。在一實例中，此系統可包含化學品近接頭，以在製造作業後當晶圓移到化學品近接頭下方接受沖洗時，將一或多種清理化學品施加至晶圓表面。離開化學品近接頭的晶圓在沖洗頭下方接受沖洗，在沖洗處使用DIW來沖掉化學品近接頭中所用的化學品。接下來晶圓會在乾燥近接頭下方接受乾燥作業。先前已參考圖2與3說明了乾燥頭200。此處應注意，化學品近接頭與沖洗頭係置於晶圓的上表面與下表面上以實質上沖洗晶圓的上表面與下表面。其他實施例僅在上表面上提供頭體。另一方面，乾燥頭係設置在晶圓的上表面上並具有設置在晶圓背面的選擇性加熱塊，以在乾燥作業期間產生充分的熱加熱凝結在晶圓表面上的IPA。
圖4C顯示了容納本發明之沖洗與乾燥系統之例示性氛圍控制室(不含蓋以顯示內部)。控制室包含底座及一組圍繞控制室的室壁。一組軌道係設置在相對的室壁上並發揮引導晶圓沿著一移動平面的作用。設置在軌道上的載具係用以容納、支撐晶圓並藉由軌道的引導沿著移動平面傳送晶圓。當晶圓沿著控制室內的平面移動時，晶圓在設置在控制室內的化學品頭與沖洗頭下方受到一或多道沖洗作業並在設置在控制室內的乾燥頭下方受到乾燥。在圖4C中所示的例示性系統中，一對化學品頭與沖洗頭係整合在一 起形成組合沖洗頭，在乾燥頭下方受到乾燥前，晶圓會在組合沖洗頭處受到一或多道沖洗。晶圓來自乾燥頭下方的晶圓是實質上乾燥的且形成在晶圓上的特徵部圖案並未崩塌。
分開施加IPA與氮氣、導入加熱過的IPA蒸氣、導入加熱過的氮氣皆有助於實質上降低特徵部周遭的表面張力，同時能在乾燥作業時自晶圓表面有效地置換高表面張力的沖洗化學品。使用IPA蒸氣使吾人能夠克服使用液態IPA時所通常遇到的缺點並同時提供較佳的置換能力。施加IPA蒸氣亦降低了IPA的過度使用，同時在乾燥處理中獲得最佳結果。
圖5顯示了簡單的原型測試設備，顯示可用以乾燥晶圓之乾燥頭200的短部，其定義了晶圓表面上的三個特徵區域。有效凝結區域110係由乾燥頭處的第一組進入接口105所定義，此組進入接口105係用以將IPA蒸氣施加至定義於有效凝結區域上的第一區域中。快速蒸發區域130係由複數第二組斜角進入接口125所定義，此些組斜角進入接口125係用以將加熱過的氮氣注射至定義於快速蒸發區域上的第二區域中。定義輕微蒸發區域120的一組離開接口115係用以移除IPA蒸氣所釋放的沖洗化學品、逃離快速凝結區域的IPA蒸氣、自快速蒸發區域130推回的IPA/氮氣。如圖2-3中所示，亦顯示形成真空240的真空接口。應注意，雖然在圖2-4中未顯示離開接口115，但離開接口115可形成於區域120中以在真空接口240處最終移除流體前額外地移除蒸發流體。又，圖5僅為測試設備，未達商業用的規模。商用實施例將會延伸晶圓的寬度且依據流體的流量及達到期望乾燥作業所需的真空來決定尺寸。
現將參考圖6詳細敘述乾燥晶圓表面的方法。此方法一開始如作業610中所示，將在沖洗頭下方經歷過沖洗作業的晶圓置於乾燥頭下方。雖然本文中的實施例揭露了沖洗晶圓用的沖洗頭，但沖洗頭的用途是例示性的而非是限制性的。在沖洗作業中可使用業界習知的其他設備，例如旋轉沖洗與乾燥(SRD)單元等。表面上具有至少一沖洗流體如去離子水(DIW)薄層的晶圓被置於乾 燥頭下方。晶圓在乾燥頭下方經歷乾燥作業。
如作業620中所示，當晶圓在乾燥頭下方移動時，經由第一組進入接口將加熱過的IPA蒸氣施加至晶圓表面上的有效凝結區域處。第一區域被定義於設置了第一組進入接口的乾燥頭中，以專注地注射IPA蒸氣並將IPA蒸氣實質上限制在有效凝結區域內。IPA蒸氣積極地自難到達之形成於特徵部中或特徵部周遭的毛細管區域置換沖洗化學品。IPA蒸氣凝結於晶圓表面上及沖洗化學受到置換的毛細管區域中。在一實施例中，已凝結之IPA層的厚度約為100微米。此層極薄的IPA使IPA可快速地蒸發。來自加熱源如加熱塊且在晶圓背面處提供的熱能將已凝結的IPA轉變為蒸氣形式。因IPA凝結所導致的晶圓溫度增加約等於因IPA蒸發所導致的溫度下降。
如在作業630中所示，加熱氮氣並經由第二組進入接口將其施加至晶圓表面。第二組進入接口係設置在乾燥頭的第二區域中。第二區域定義了晶圓表面上的快速蒸發區域。氮氣協助留在晶圓表面上的IPA快速地蒸發並同時因IPA蒸氣的低表面張力而將圖案周遭之毛細管區域中的表面張力維持在低檔，並使流體中的IPA彎液面與特徵部保持接觸。
此方法藉由作業640來結束，如作業640中所示，經由形成在乾燥頭中的一組離開接口(提供真空)可快速地移除IPA與氮氣以及任何殘留的沖洗化學品。該組離開接口係設置於第一組進入接口與第二組進入接口之間，第一組進入接口覆蓋有效凝結區域而第二組進入接口覆蓋快速蒸發區域，該組離開接口定義了晶圓表面上的輕微蒸發區域。離開接口可連接至真空源以協助IPA、氮氣與沖洗化學品被快速移除。
上述實施例定義了一種有效設備，其係用以進行下列工作：使用極少量的IPA液體、以蒸氣形式施加之並進行低表面張力化學品的快速蒸發，以乾燥晶圓表面。此蒸氣施加的優點包含：自我限制沈積在晶圓表面上的厚度；不會受到表面張力的影響，表面張力通常與液體輸送相關；及不會受到體力的影響，通常在液 體化學品施加時會遇而體力。IPA蒸氣在接觸時亦在DIW中產生充分的表面張力梯度，使DIW排斥表面，因此較易使用乾燥頭自IPA移除與分離DIW。IPA蒸氣的薄層允許陡峭的表面張力梯度，使其更容易自DIW分離。施加熱氮氣、熱源以加熱已凝結的IPA及輕微蒸發區域中的抽吸氣流皆協助IPA自晶圓表面快速移除，留下充分潔淨與乾燥的晶圓並免除特徵部受到損害。
針對形成液態彎液面的資訊，可參考下列文獻：(1)2003年9月9日公告之美國專利US 6,616,772，其名稱為"METHODS FOR WAFER PROXIMITY CLEANING AND DRYING,"；(2)2002年12月24日申請之美國專利申請案US 10/330,843，其名稱為"MENISCUS,VACUUM,IPA VAPOR,DRYING MANIFOLD,"(3)2005年1月24日公告之美國專利US 6,988,327，其名稱為"METHODS AND SYSTEMS FOR PROCESSING A SUBSTRATE USING A DYNAMIC LIQUID MENISCUS,"(4)2005年1月24日公告之美國專利US 6,988,326，其名稱為"PHOBIC BARRIER MENISCUS SEPARATION AND CONTAINMENT，”及(5)2002年12月3日公告之美國專利6,488,040，其名稱為"CAPILLARY PROXIMITY HEADS FOR SINGLE WAFER CLEANING AND DRYING，"上述的每一案件皆讓渡予本申請案的受讓人Lam Research Corporation，將上述的每一者包含於此作為參考。針對上與下彎液面的資訊，可參考下列者所揭露的例示性彎液面：2002年12月24日申請之美國專利申請案10/330,843，其名稱為"MENISCUS,VACUUM,IPA VAPOR,DRYING MANIFOLD."。此美國專利申請案亦讓渡予本申請案的受讓人Lam Research Corporation，將其包含於此作為參考。
雖然前面為達清楚、易瞭解的目的已詳細說明本發明，但應明白，在隨附申請專利範圍的範疇內可進行某些變化與修改。因此，本發明的實施例應被視為是說明性而非限制性的，且本發明並不限於其所提供的細節，在隨附的申請專利範圍與均等物範圍內可修改此些實施例。
100‧‧‧晶圓
105‧‧‧第一組進入接口
110‧‧‧有效凝結區域
115‧‧‧離開接口
120‧‧‧輕微蒸發區域
125‧‧‧斜角進入接口
130‧‧‧快速蒸發區域
150‧‧‧圖案
160‧‧‧毛細管區域
200‧‧‧乾燥頭
210‧‧‧加熱塊
220‧‧‧IPA施加器
230‧‧‧氮氣施加器
240‧‧‧真空源/真空接口
250‧‧‧前緣
250‧‧‧汽化器
260‧‧‧尾端/緣
260‧‧‧加熱構件
270‧‧‧處理表面
270‧‧‧載具
275‧‧‧平坦表面
280‧‧‧斜表面
285‧‧‧空腔區域
290‧‧‧頭體
300‧‧‧沖洗頭
610‧‧‧作業
620‧‧‧作業
630‧‧‧作業
640‧‧‧作業
參考下列敘述及附圖可最佳地瞭解本發明。此些圖示僅作為解釋及瞭解用，不應將本發明限制至較佳的實施例。
圖1之簡單概圖說明了具有活性圖案之高產量區，此些活性圖案因為施加至晶圓表面之液態化學品的高表面張力而容易崩塌。
圖2A顯示了在本發明的一實施例中使用具有用以乾燥基板之加熱塊之近接頭的系統的簡單概圖。
圖2B顯示了在本發明的另一實施例中用以乾燥基板之圖2A中的系統的變化型。
圖2C顯示了在本發明的一實施例中使用用以沖洗及乾燥晶圓之沖洗頭與乾燥頭之系統的簡單概圖。
圖2D顯示了在本發明的一實施例中在沖洗與乾燥作業期間當晶圓在化學頭、沖洗頭與乾燥頭下方移動時晶圓的上視圖。
圖3為在本發明的一實施例中在沖洗作業後使用近接頭乾燥晶圓之設備的詳細概圖。
圖4A與4B顯示了在本發明的不同實施例中用以沖洗與乾燥晶圓之近接頭系統的概圖。
圖4C顯示了在本發明的一實施例中容納沖洗與乾燥晶圓用之沖洗頭與乾燥頭的氛圍控制室。
圖5顯示了在本發明的一實施例中用於乾燥作業之乾燥頭的一部分的原型。
圖6顯示了在本發明的一實施例中用以乾燥晶圓表面卻不會損害圖案之操作的流程圖。
100‧‧‧晶圓
110‧‧‧有效凝結區域
120‧‧‧輕微蒸發區域
130‧‧‧快速蒸發區域
200‧‧‧乾燥頭
210‧‧‧加熱塊
220‧‧‧IPA施加器
230‧‧‧氮氣施加器
240‧‧‧真空源/真空接口
250‧‧‧前緣
260‧‧‧尾端/緣
270‧‧‧處理表面
275‧‧‧平坦表面
280‧‧‧斜表面
285‧‧‧空腔區域
290‧‧‧頭體

Claims (20)

  1. 一種近接乾燥頭，其用於乾燥基板表面，包含：頭體，包含一處理表面，當基板之一表面存在時該處理表面係相對該基板表面放置，該處理表面包含第一區域、第二區域與第三區域，其中，該第一區域係形成於該頭體的前緣處且包含一空腔區域，該空腔區域陷入該頭體中且包含複數進入接口，該複數進入接口係用以將氣態流體導入該空腔區域；當該基板表面存在時，該第二區域係置於該基板表面附近，且該第二區域係位於該第一區域外；及當該基板表面存在時，該第三區域係置於該基板表面附近且位於該第二區域外，複數真空接口係形成於該第二區域與該第三區域的交界處，且該第三區域包含指向該第二區域的複數斜角進入接口。
  2. 如申請專利範圍第1項之近接乾燥頭，更包含經由一或多根導管連接至該近接乾燥頭的汽化器。
  3. 如申請專利範圍第1項之近接乾燥頭，更包含連接至該汽化器的加熱構件。
  4. 如申請專利範圍第1項之近接乾燥頭，更包含相對於該近接乾燥頭之該處理表面設置的加熱塊，當該基板存在時該加熱塊指向該基板的背面。
  5. 如申請專利範圍第1項之近接乾燥頭，其中該近接乾燥頭係連接至一處理室，該處理室更包含沿著一路徑設置於該近接乾燥頭之前的沖洗頭，該路徑包含用以使支撐基板之載具在該沖洗頭與該近接乾燥頭下方移動的軌道。
  6. 如申請專利範圍第1項之近接乾燥頭，更包含一系統室，該系統室包含化學品頭、沖洗頭與該近接乾燥頭，該系統室係耦接至廠務端與控制端。
  7. 如申請專利範圍第1項之近接乾燥頭，其中該空腔區域具有一斜表面，此斜表面從靠近該前緣開始朝向該複數進入接口而斜入該頭體中。
  8. 一種進行乾燥作業之方法，其使用乾燥近接頭，該方法包含下列步驟：當晶圓存在時，在該乾燥近接頭之表面與晶圓表面間進行(a)施加加熱過的氣態異丙醇(IPA)至該晶圓表面，在施加該異丙醇前該晶圓已經歷了由分離沖洗近接頭所施行的沖洗作業，該晶圓在其基板表面上具有至少一層來自該沖洗作業的去離子水，該異丙醇置換該層去離子水藉此實質上降低形成在該晶圓表面上之任何特徵部周遭的表面張力；(b)加熱該晶圓下方施加該經加熱之異丙醇的區域；(c)將加熱過的氮氣注射至該晶圓表面，該加熱過的氮氣協助實質上蒸發來自該晶圓表面的該去離子水與異丙醇；及(d)自該晶圓表面移除該去離子水與異丙醇以及該氮氣俾以留下實質上乾燥的該晶圓表面；及(e)其中步驟(a)-(d)是在藉由該分離的沖洗近接頭進行過該沖洗作業後，施行於該乾燥近接頭的表面與該晶圓表面之間。
  9. 如申請專利範圍第8項之進行乾燥作業之方法，更包含在施加該加熱過的IPA至該晶圓表面前，先利用加熱構件將該IPA加熱至約80-82℃。
  10. 如申請專利範圍第8項之進行乾燥作業之方法，更包含在將該氮氣注射至該晶圓表面前先將該氮氣加熱至約100℃。
  11. 如申請專利範圍第8項之進行乾燥作業之方法，其中該IPA為約95% IPA與約5%去離子水的混合物。
  12. 一種晶圓表面的乾燥設備，包含：近接頭，當晶圓表面存在時係置於該晶圓的一上表面上方，該近接頭具有一相對處理表面，當晶圓表面存在時該相對處理表面係相對於該晶圓表面放置，該相對處理表面包含設於其中的複數進入與離開接口，該進入與離開接口在該晶圓表面上定義出特定的處理區域，該近接頭包含：IPA施加器，設置於第一區域中，當晶圓表面存在時該IPA施加器係經由第一組進入接口施加加熱過的異丙醇(IPA)蒸氣彎液面俾以覆蓋該晶圓表面上的有效凝結區域，該近接頭係用以形成空腔區域俾以實質上容納被施加至該有效凝結區域中的該IPA蒸氣；一組離開接口，設置於第二區域中，該組離開接口係連接至真空源並用以實質上移除自該晶圓表面所釋放出的該IPA與化學品；及氮氣施加器，設置於第三區域中並用以經由第二組進入接口施加氮氣，以在當晶圓表面存在時，所施加的氮氣實質上覆蓋該晶圓表面上的快速蒸發區域，該近接頭係用以將氮氣實質上導向該第二區域俾以實質上釋放及取代來自該特徵部周遭與該晶圓表面上的該異丙醇與任何液體化學品，其中該第二區域係與該第一區域相鄰而該第三區域係與該第二區域相鄰。
  13. 如申請專利範圍第12項之晶圓表面的乾燥設備，更包含連接至該近接頭之該第一區域中之該IPA施加器的汽化器，該汽化器係用以經由該近接頭將該加熱過的異丙醇以蒸氣形式供給至該晶圓表面，其中該汽化器係連接至用以加熱容納於該汽化器中之IPA的加熱構件。
  14. 如申請專利範圍第12項之晶圓表面的乾燥設備，更包含相對於該處理表面設置且指向存在時之該晶圓之背面的加熱塊，該加熱塊係用以加熱施加至該晶圓表面的IPA與氮氣。
  15. 如申請專利範圍第14項之晶圓表面的乾燥設備，其中該加熱塊係經由電阻式加熱源、紅外線燈與熱線圈中的一者加熱。
  16. 如申請專利範圍第12項之晶圓表面的乾燥設備，其中設置在該輕微蒸發區域處的該組離開接口係位於設置在該第一區域中之該第一組進入接口與設置在該第三區域中之該第二組進入接口之間以自該晶圓表面實質上移除混合物與該異丙醇。
  17. 如申請專利範圍第12項之晶圓表面的乾燥設備，其中該第二組進入接口的斜角係介於垂直與平行的方向以將氮氣朝向該輕微蒸發區域供給，經由斜角第二組進入接口所供給的氮氣協助將該IPA與氮氣實質上推離該晶圓表面上的該快速蒸發區域並推向輕微蒸發區域俾以經由設置於其間的該複數離開接口實質上移除該IPA與氮氣。
  18. 如申請專利範圍第12項之晶圓表面的乾燥設備，更包含沖洗頭，此沖洗頭係用以施加沖洗液體以沖洗該晶圓表面俾以實質上移除先前製造作業所留下的化學品，並用以在該晶圓表面受到該乾燥作業前施加去離子水至該晶圓表面。
  19. 如申請專利範圍第12項之晶圓表面的乾燥設備，更包含設置於該近接頭內的儲槽，該儲槽係連接至該氮氣施加器並用以在乾燥作業期間儲存氮氣並將氮氣供給至該晶圓表面，該儲槽係連接至加熱構件以加熱氮氣。
  20. 如申請專利範圍第12項之晶圓表面的乾燥設備，其中施加至該 有效凝結區域中的該蒸氣彎液面係與該快速蒸發區域有流體接觸俾以維持一連續薄膜直到被乾燥為止。
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