JP2019102698A - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
洗浄工程では、基板に付着した各種汚染物、前工程で使用した処理液やレジスト等の残渣、あるいは各種パーティクルなど(以下「パーティクル」と総称する場合がある。)が除去される。具体的には、洗浄工程では、脱イオン水(DIW)などの洗浄液を基板に供給することにより、パーティクルが物理的に除去されたり、パーティクルと化学的に反応する薬液を基板に供給することにより、当該パーティクルが化学的に除去されたりする。
そこで、基板の上面に、溶質および揮発性を有する溶媒を含む処理液を供給し、当該処理液を固化または硬化させた膜(以下「パーティクル保持層」という。)を形成した後、当該パーティクル保持層を除去する手法が提案されている(特許文献1)。
しかも、パーティクルの除去のために用いた溶解処理液や溶解処理液を洗い流すためのリンス液は、パターン内部に入り込むので、パターン内部に入り込んだ液体をスピンドライ工程において充分に除去できない場合は、表面張力がパターンに作用する。この表面張力により、パターンが倒壊するおそれがある。
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記基板の下面に対向するヒータユニットを用いて前記基板を加熱する加熱工程をさらに含む。そして、前記加熱工程が、前記保持層形成工程において前記溶媒の少なくとも一部を揮発させるために、前記ヒータユニットを用いて前記基板を加熱する第1加熱工程と、前記気相層形成工程において前記気相層を形成するために、前記ヒータユニットを用いて前記基板を加熱する第2加熱工程とを含む。
この発明の一実施形態では、前記加熱工程において前記ヒータユニットの温度が一定である。そして、前記基板処理方法が、前記加熱工程の実行中に、前記基板の下面と前記ヒータユニットとの間の距離を変更する距離変更工程をさらに含む。
ヒータユニットから基板に伝達される熱量は、基板の下面とヒータユニットとの間の距離に応じて変化する。そこで、ヒータユニットの温度を一定に保った状態で、基板の下面とヒータユニットとの間の距離を変更することによって、基板の温度を所望の温度に変化させることができる。したがって、ヒータユニットの温度変化に要する時間を削減することができる。ひいては、基板処理に要する時間を削減することができる。
第1加熱工程では、加熱によって溶媒が揮発し、パーティクル保持層が収縮する。基板上からパーティクルを良好に除去するためには、第1加熱工程において、パーティクル保持層を所望の収縮率で収縮させることが好ましい。パーティクル保持層の収縮率とは、第1加熱工程開始直前の基板上の第1処理液の厚さに対する第1加熱工程後のパーティクル保持層の厚さの割合のことである。パーティクル保持層を所望の収縮率で収縮させるために必要な加熱温度は、パーティクル保持層の膜厚によって異なる。そこで、保持層形成工程で形成される予定のパーティクル保持層の膜厚に応じて基板の下面とヒータユニットとの間の距離を変更することで、加熱温度をパーティクル保持層の膜厚に応じた温度に調整することができる。それによって、パーティクル保持層の膜厚にかかわらず、パーティクル保持層が所望の収縮率で収縮させることができる。その結果、パーティクルを良好に除去することができる。
この発明の一実施形態では、前記保持層形成工程では、前記基板の上面に供給された前記第1処理液の温度が前記溶媒の沸点未満になるように前記基板が加熱される。
この発明の一実施形態では、前記残渣除去液が、前記第2処理液と同種の液体である。そのため、液膜形成工程において、基板の上面に残渣処理液を第2処理液に置換する時間を削減することができる。したがって、基板処理に要する時間を短縮することができる。
この発明の一実施形態は、基板を水平に保持する基板保持ユニットと、溶質および揮発性を有する溶媒を含む第1処理液であって、前記溶媒の少なくとも一部が揮発することによって固化または硬化して前記基板の上面にパーティクル保持層を形成する前記第1処理液を、前記基板の上面に供給する第1処理液供給ユニットと、前記基板の下面に対向し、前記基板を加熱するヒータユニットと、前記基板の上面に、前記パーティクル保持層を剥離する剥離液を供給する剥離液供給ユニットと、前記基板の上面に第2処理液を供給する第2処理液供給ユニットと、前記第1処理液供給ユニット、前記ヒータユニット、前記剥離液供給ユニットおよび前記第2処理液供給ユニットを制御するコントローラとを含む基板処理装置を提供する。
この発明の一実施形態では、前記コントローラが、前記ヒータユニットを用いて前記基板を加熱する加熱工程を実行するようにプログラムされている。そして、前記加熱工程が、前記保持層形成工程において前記溶媒の少なくとも一部を揮発させるために、前記ヒータユニットを用いて前記基板を加熱する第1加熱工程と、前記気相層形成工程において前記気相層を形成するために、前記ヒータユニットを用いて前記基板を加熱する第2加熱工程とを含む。
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置が、前記基板の下面と前記ヒータユニットとの間の距離を変更するために前記ヒータユニットを前記基板保持ユニットに対して相対的に昇降させるヒータ昇降ユニットをさらに含む。そして、前記コントローラが、前記加熱工程において前記ヒータユニットの温度が一定になるように前記ヒータユニットを制御し、かつ、前記加熱工程の実行中に、前記ヒータ昇降ユニットを制御して、前記基板の下面と前記ヒータユニットとの間の距離を変更する距離変更工程を実行するようにプログラムされている。
ヒータユニットから基板に伝達される熱量は、基板の下面とヒータユニットとの間の距離に応じて変化する。そこで、ヒータユニットの温度を一定に保った状態で、基板の下面とヒータユニットとの間の距離を変更することによって、基板の温度を所望の温度に変化させることができる。したがって、ヒータユニットの温度変化に要する時間を削減することができる。ひいては、基板処理に要する時間を削減することができる。
第1加熱工程では、加熱によって溶媒が揮発し、パーティクル保持層が収縮する。基板上からパーティクルを良好に除去するためには、第1加熱工程において、パーティクル保持層を所望の収縮率で収縮させることが好ましい。パーティクル保持層の収縮率とは、第1加熱工程開始直前の基板上の第1処理液の厚さに対する第1加熱工程後のパーティクル保持層の厚さの割合のことである。パーティクル保持層を所望の収縮率で収縮させるために必要な加熱温度は、パーティクル保持層の膜厚によって異なる。そこで、保持層形成工程で形成される予定のパーティクル保持層の膜厚に応じて基板の下面とヒータユニットとの間の距離を変更することで、加熱温度をパーティクル保持層の膜厚に応じた温度に調整することができる。それによって、パーティクル保持層の膜厚にかかわらず、パーティクル保持層が所望の収縮率で収縮させることができる。その結果、パーティクルを良好に除去することができる。
この発明の一実施形態では、前記コントローラが、前記保持層形成工程において、前記基板の上面に供給された前記第1処理液の温度が前記溶媒の沸点未満になるように、前記ヒータユニットに前記基板を加熱させるようにプログラムされている。
この発明の一実施形態では、前記第2処理液供給ユニットが前記残渣除去液供給ユニットとして機能する。この構成によれば、液膜形成工程で用いる第2処理液供給ユニットを、残渣除去工程でも使用することができる。そのため、残渣除去工程と液膜形成工程とで基板の上面に液体を供給するユニットを変更することなく、残渣除去工程とその後の液膜形成工程とを連続して実行することができる。したがって、基板処理に要する時間を短縮することができる。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための模式的な平面図である。基板処理装置1は、シリコンウエハ等の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。図1を参照して、基板処理装置1は、処理流体で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤCが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御するコントローラ3とを含む。
スピンチャック5は、基板Wを水平に保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに回転させる。スピンチャック5は、基板Wを水平に保持する基板保持ユニットの一例である。基板保持ユニットは、基板ホルダともいう。スピンチャック5は、複数のチャックピン20と、スピンベース21と、回転軸22と、電動モータ23とを含む。
回転軸22は、回転軸線A1に沿って鉛直方向に延びている。回転軸22の上端部は、スピンベース21の下面中央に結合されている。平面視におけるスピンベース21の中央領域には、スピンベース21を上下に貫通する貫通孔21aが形成されている。貫通孔21aは、回転軸22の内部空間22aと連通している。
図2を再び参照して、第1移動ノズル15は、基板Wの上面に向けて第1処理液を供給(吐出)する第1処理液供給ユニットの一例である。第1移動ノズル15から吐出される第1処理液は、溶質と、揮発性を有する溶媒とを含む。第1処理液は、溶媒の少なくとも一部が揮発して固化または硬化することによって、基板Wの上面に付着していたパーティクルを当該基板Wから引き離して保持するパーティクル保持層を形成する。
第1処理液の溶質として用いられる樹脂は、たとえば、所定の変質温度以上に加熱前は水に対して難溶性ないし不溶性で、変質温度以上に加熱することで変質して水溶性になる性質を有する樹脂(以下「感熱水溶性樹脂」と記載する場合がある。)である。
第1処理液の溶媒としては、変質前の感熱水溶性樹脂に対する溶解性を有し、かつ揮発性を有する溶媒を用いることができる。ここで「揮発性を有する」とは、水と比較して揮発性が高いことを意味する。第1処理液の溶媒としては、たとえば、PGEE(プロピレングリコールモノエチルエーテル)が用いられる。
第1移動ノズル15は、第1ノズル移動ユニット31によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第1移動ノズル15は、中心位置と、ホーム位置(退避位置)との間で移動することができる。第1移動ノズル15は、中心位置に位置するとき、基板Wの上面の回転中心に対向する。基板Wの上面の回転中心とは、基板Wの上面における回転軸線A1との交差位置である。第1移動ノズル15は、ホーム位置に位置するとき、基板Wの上面には対向せず、平面視において、処理カップ8の外方に位置する。第1移動ノズル15は、鉛直方向への移動によって、基板Wの上面に接近したり、基板Wの上面から上方に退避したりできる。
剥離液は、たとえば、水系の剥離液である。水系の剥離液としては、剥離液は、DIWには限られず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度(例えば、10ppm〜100ppm程度)の塩酸水、アルカリ水溶液等が挙げられる。アルカリ水溶液としては、SC1液(アンモニア過酸化水素水混合液)、アンモニア水溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の4級水酸化アンモニウムの水溶液、コリン水溶液等が挙げられる。
第2移動ノズル16は、第2ノズル移動ユニット32によって、水平方向および鉛直方向に移動される。第2移動ノズル16は、中心位置と、ホーム位置(退避位置)との間で移動することができる。第2移動ノズル16は、中心位置に位置するとき、基板Wの上面の回転中心に対向する。第2移動ノズル16は、ホーム位置に位置するとき、基板Wの上面には対向せず、平面視において、処理カップ8の外方に位置する。第2移動ノズル16は、鉛直方向への移動によって、基板Wの上面に接近したり、基板Wの上面から上方に退避したりできる。
固定ノズル17は、基板Wの上面に向けてリンス液を供給(吐出)するリンス液供給ユニットとしての一例である。
この実施形態では、固定ノズル17は、DIWを案内するDIW配管42に接続されている。DIW配管42に介装されたDIWバルブ52が開かれると、DIWが、固定ノズル17の吐出口から下方に連続的に吐出される。前述したように、DIWは剥離液としても機能するため、固定ノズル17は、基板Wの上面に向けて剥離液を供給(吐出)する剥離液供給ユニットとしても機能する。
第2処理液は、たとえば、水よりも表面張力の低い低表面張力液体である。低表面張力液体としては、基板Wの上面および基板Wに形成されたパターンと化学反応しない(反応性が乏しい)有機溶剤を用いることができる。より具体的には、IPA、HFE(ハイドロフルオロエーテル)、メタノール、エタノール、アセトンおよびTrans-1,2-ジクロロエチレンのうちの少なくとも1つを含む液を低表面張力液体として用いることができる。また、低表面張力液体は、単体成分のみからなる必要はなく、他の成分と混合した液体であってもよい。たとえば、IPA液と純水との混合液であってもよいし、IPA液とHFE液との混合液であってもよい。
第3移動ノズル18は、鉛直方向に沿って第2処理液を吐出する中心吐出口70を有している。第3移動ノズル18は、鉛直方向に沿って直線状の気体を吐出する線状流吐出口71を有している。さらに、第3移動ノズル18は、水平方向に沿って第3移動ノズル18の周囲に放射状に気体を吐出する水平流吐出口72を有している。また、第3移動ノズル18は、斜め下方向に沿って、第3移動ノズル18の周囲に放射状に気体を吐出する傾斜流吐出口73を有している。
第3移動ノズル18には、IPA配管44および複数の窒素ガス配管45A,45B,45Cが接続されている。IPA配管44に介装されたIPAバルブ54が開かれると、IPAが、第3移動ノズル18の中心吐出口70から下方に連続的に吐出される。
第1処理液の溶質として感熱水溶性樹脂を用いる場合、残渣除去液として、変質前の感熱水溶性樹脂に対する溶解性を有する液体を用いることができる。第1処理液の溶質として感熱水溶性樹脂を用いる場合、残渣除去液として用いられる液体は、たとえばIPAである。残渣除去液は、水系の剥離液との相溶性を有する液体であることが好ましい。
ヒータユニット6は、円板状のホットプレートの形態を有している。ヒータユニット6は、基板Wの下面に下方から対向する対向面6aを有する。
ヒータユニット6の下面には、回転軸線A1に沿って鉛直方向に延びる昇降軸30が結合されている。昇降軸30は、スピンベース21の中央部に形成された貫通孔21aと、中空の回転軸22とを挿通している。昇降軸30内には、給電線63が通されている。ヒータ昇降ユニット65は、昇降軸30を介してヒータユニット6を昇降させることによって、下位置および上位置の間の任意の中間位置にヒータユニット6を配置できる。ヒータユニット6は、ヒータユニット6が下位置に位置するとき、対向面6aと基板Wの下面との間の距離は、たとえば、15mmである。
下面ノズル19は、中空の昇降軸30を挿通し、さらに、ヒータユニット6を貫通している。下面ノズル19は、基板Wの下面中央に臨む吐出口を上端に有している。下面ノズル19には流体配管43が接続されている。流体配管43に介装された流体バルブ53が開かれると、基板Wの下面に向けて処理流体が連続的に吐出される。
未処理の基板Wは、搬送ロボットIR,CRによってキャリヤCから処理ユニット2に搬入され、スピンチャック5に渡される(S1)。そして、複数のチャックピン20が閉状態にされる。これにより、基板Wは、スピンチャック5によって水平に保持される(基板保持工程)。
スピンオフ工程では、電動モータ23が、スピンベース21の回転速度を所定のスピンオフ速度に変更する。スピンオフ速度は、たとえば、300rpm〜1500rpmである。スピンベース21の回転速度は、300rpm〜1500rpmの範囲内で一定に保たれてもよいし、スピンオフ工程の途中で300rpm〜1500rpmの範囲内で適宜変更されてもよい。スピンオフ工程は、たとえば、30秒の間に実行される。
第1加熱工程では、ヒータ昇降ユニット65が、ヒータユニット6を近接位置に配置する。近接位置は、下位置と上位置との間の位置である。ヒータユニット6が近接位置に位置するとき、対向面6aが基板Wの下面に非接触である。ヒータユニット6が近接位置に位置するとき、対向面6aは、基板Wの下面から所定距離(たとえば4mm)だけ下方に離隔している。第1加熱工程は、たとえば、60秒の間で実行される。第1加熱工程では、電動モータ23が、スピンベース21の回転速度を所定の第1加熱時速度に変更する。第1加熱時速度は、たとえば、1000rpmである。
第1処理液は、パーティクル101を保持できる程度に固化または硬化すればよい。第1処理液の溶媒が完全に揮発する必要はない。また、パーティクル保持層100を形成する「溶質成分」とは、第1処理液に含まれる溶質そのものであってもよいし、溶質から導かれるもの、たとえば、化学的な変化の結果として得られるものであってもよい。
DIWは、SC1液よりも、剥離液としての効果は低い。しかし、DIWは、SC1液に先立って供給されて、パーティクル保持層100中に浸透することで、当該パーティクル保持層100中に残留するPGEEの少なくとも一部と置換する。そして、DIWは、次工程で供給されるSC1液の、パーティクル保持層100中への浸透を補助する働きをする。
図5Fを参照して、保持層除去工程の後、基板W上の剥離液をリンス液で置換するリンス工程が実行される(S5)。リンス工程は、たとえば、60秒の間で実行される。
残渣除去工程では、電動モータ23が、スピンベース21の回転速度を所定の残渣除去速度に変更する。残渣除去速度は、たとえば、300rpmである。そして、DIWバルブ52が閉じられる。そして、第3ノズル移動ユニット33が第3移動ノズル18を中央位置に移動させる。そして、IPAバルブ54が開かれる。これにより、回転状態の基板Wの上面に向けて第3移動ノズル18からIPAが供給される。基板Wの上面に供給されたIPAは、遠心力によって、基板Wの上面の全体に行き渡り、基板W上のDIWが置換される。余剰のIPAは、遠心力によって基板Wから径方向外方に排除される。
詳しくは、基板Wの回転を減速して停止させ、基板Wの表面に第2処理液としてのIPAの厚い液膜150が形成される(第2処理液パドル工程)。基板Wの回転は、この例では、残渣除去速度から段階的に減速される(減速工程、漸次減速工程、段階的減速工程)。より具体的には、基板Wの回転速度は、300rpmから、50rpmに減速されて所定時間維持され、その後、10rpmに減速されて所定時間維持され、その後、0rpm(停止)に減速されて所定時間維持される。
気相層形成工程において、ヒータ昇降ユニット65は、ヒータユニット6を上位置まで上昇させる。これによって、基板Wの下面とヒータユニット6の対向面6aとが接触する位置関係になった状態で、ヒータユニット6を用いて基板Wが加熱される(第2加熱工程)。
詳しくは、ヒータユニット6が上位置まで上昇させられる過程で、チャックピン20から対向面6aに基板Wが渡され、対向面6aによって基板Wが支持される(ヒータユニット接近工程、ヒータユニット接触工程)。そして、IPAバルブ54が閉じられて、中心吐出口70からのIPAの吐出が停止される。スピンベース21の回転は停止状態で維持されている。第3移動ノズル18(中心吐出口70)は基板Wの回転中心の上方に位置している。
次に、気相層上で液膜150を移動させることによって、液膜150を構成するIPAを基板Wの上面から排除する液膜排除工程が実行される(S9およびS10)。液膜排除工程では、穴開け工程(図5J参照)と、穴広げ工程(図5K参照)とが実行される。
液膜150の穴開けの直後から(すなわち、ほぼ同時に)、基板Wの急加熱が始まる。それにより、窒素ガスによる穴開けによって液膜150の外方への移動が始まると、基板Wの加熱が速やかに(ほぼ同時に)開始され、それによって、液膜150は止まることなく基板Wの外方へと移動していく。
そして、図5Lに示すように、マスフローコントローラ56が、線状流吐出口71から吐出される不活性ガスの流量を増量する。これにより、大流量(第2流量。たとえば80リットル/分)の窒素ガスが基板Wの中心に吹き付けられ、液膜150の中央の穴151がさらに広げられる(気体排除工程、液膜移動工程)。流量の増加に応じて、流速も増加する。窒素ガス流量の増加により、基板Wの上面の外周領域まで移動した液膜150がさらに基板W外へと押しやられる。基板Wの回転は停止状態に保持される。
液膜150が排除された後、図5Mに示すように、スピンドライ工程が実行される(S11)。まず、ヒータ昇降ユニット65がヒータユニット6を下位置に配置する。その過程で基板Wがチャックピン20によって支持される。基板Wがチャックピン20に支持されると、チャックピン駆動ユニット25がチャックピン20を閉状態にして、チャックピン20に基板Wを把持させる。そして、マスフローコントローラ56が線状流吐出口71から吐出される不活性ガスの流量を低減する。これにより、中流量(たとえば15リットル/分)の窒素ガスが基板Wの中心に吹き付けられる。その状態で、電動モータ23は、スピンベース21の回転を高速な乾燥回転速度(たとえば800rpm)まで加速される。これにより、遠心力によって、基板Wの表面の液成分を完全に振り切ることができる。
スピンドライ工程では、図5Mに二点鎖線で示すように、第3窒素ガスバルブ55Cを開き、傾斜流吐出口73から窒素ガスを吐出させてもよい。傾斜流吐出口73から吐出される窒素ガスが形成する傾斜気流83は、基板Wの上面にぶつかって、基板Wの上面に平行な外方へと向きを変える。
気相形成工程(S8)では、ヒータユニット6と基板Wとが接触した状態で基板Wが加熱され、第2処理液の沸点(IPAの場合は82.4℃)よりも高い温度(110℃〜150℃)となる。それにより、基板Wの表面に接している第2処理液が蒸発し、第2処理液の気体が発生して、図7Bに示すように、気相層152が形成される。気相層152は、パターン161の内部を満たし、さらに、パターン161の外側に至り、構造体162の上面162Aよりも上方に液膜150との界面155を形成している。この界面155上に液膜150が支持されている。この状態では、有機溶剤の液面がパターン161に接していないので、液膜150の表面張力に起因するパターン倒壊が起こらない。
この実施形態によれば、加熱工程が、保持層形成工程においてヒータユニット6を用いて基板Wを加熱する第1加熱工程と、気相層形成工程においてヒータユニット6を用いて基板Wを加熱する第2加熱工程とを含む。この方法によれば、保持層形成工程および気相層形成工程において共通のヒータユニット6を使用することができる。したがって、基板Wを加熱するためのユニットを複数設ける必要がない。
ヒータユニット6の温度変化に要する時間は、基板Wの温度変化に要する時間と比較して長い。そのため、加熱工程において、ヒータユニット6の温度を変更して基板Wを加熱する場合、ヒータユニット6が所望の温度に変化するまで待たなければ基板Wが所望の温度に達しない。したがって、基板処理に要する時間が長くなるおそれがある。
この方法によれば、保持層形成工程では、第1処理液の温度が変質温度未満の温度になるように基板Wが加熱されてパーティクル保持層100が形成される。そのため、パーティクル保持層100は、SC1液やDIW等の剥離液に対して難溶性ないし不溶性であるものの、剥離液によって剥離が可能である。したがって、保持層除去工程では、基板Wの上面に形成されたパーティクル保持層100を剥離液によって溶解させることなく、パーティクル101を保持した状態のパーティクル保持層100を基板Wの上面から剥離して除去することができる。
この実施形態によれば、保持層形成工程では、基板Wの上面に供給された第1処理液の温度が溶媒の沸点未満になるように基板Wが加熱される。そのため、保持層形成工程の第1加熱工程後のパーティクル保持層100中に溶媒を残留させることができる。そのため、その後の保持層除去工程において、パーティクル保持層100中に残留した溶媒と、供給された剥離液との相互作用によって、パーティクル保持層100を基板Wの上面から剥離しやすくすることができる。すなわち、パーティクル保持層100中に剥離液を浸透させて、基板Wとの界面まで到達させることにより、パーティクル保持層100を基板Wの上面から浮かせて剥離させることができる。
また、第2処理液供給ユニットである第3移動ノズル18が残渣除去液供給ユニットとしても機能する。つまり、液膜形成工程で用いる第3移動ノズル18を、残渣除去工程でも使用することができる。そのため、残渣除去工程と液膜形成工程とで基板Wの上面に液体を供給するユニットを変更することなく、残渣除去工程とその後の液膜形成工程とを連続して実行することができる。
たとえば、第1加熱工程における基板Wの加熱温度を、保持層形成工程において形成される予定のパーティクル保持層100の厚さ(膜厚)に応じた温度にするために、距離変更工程において、第1加熱工程における基板Wの下面とヒータユニット6の対向面6aとの間の距離を変更してもよい。
パーティクル保持層100の収縮率は、パーティクルの除去効果に影響する。特に、収縮率が大きいほど、良好なパーティクル除去効果が得られる傾向がある。好適なパーティクル除去効果を得るためには、パーティクル保持層100を所望の収縮率で収縮させる必要がある。加熱温度と収縮率との関係は、膜厚の大きさによって異なるため、所望の収縮率でパーティクル保持層100を収縮させるために必要な加熱温度は、膜厚に応じて異なる。
第1処理液に含まれる溶質として用いられる感熱水溶性樹脂以外の樹脂は、たとえば、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、アクリロニトリルスチレン樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール、変性ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミド等が挙げられる。第1処理液において、これらの樹脂を用いる場合、溶質として用いる樹脂を溶解し得る任意の溶媒を用いることができる。
第1処理液の溶質として感熱水溶性樹脂以外の樹脂を用いる場合、残渣除去液として、いずれかの樹脂に対する溶解性を有する任意の液体を用いることができる。第1処理液の溶質として感熱水溶性樹脂以外の樹脂を用いる場合、残渣除去液としては、たとえばシンナー、トルエン、酢酸エステル類、アルコール類、グリコール類等の有機溶媒、酢酸、蟻酸、ヒドロキシ酢酸等の酸性液を用いることができる。
剥離液としては、水系でない他の剥離液を用いることもできる。その場合には、当該剥離液に難溶性ないし不溶性のパーティクル保持層100を形成する溶質、剥離液に対して相溶性を有し、溶質に対して溶解性を有する溶媒、剥離液に対して相溶性を有し、溶質に対して溶解性を有する残渣除去液等を適宜、組み合わせればよい。
また、上述の実施形態では、第3移動ノズル18から吐出されるIPAを、第2処理液および残渣処理液として用いるとした。つまり、上述の実施形態では、第2処理液として用いられる液体と、残渣処理液として用いられる液体とが、同一の液体であった。しかし、第2処理液として用いられる液体と、残渣処理液として用いられる液体とが、同一の液体でなくても、同種の液体であれば、残渣除去工程および液膜形成工程に要する時間を短縮することができる。同種の液体とは、液体を主に構成する分子が互いに同じである複数の液体のことをいう。つまり、同種の液体とは、互いに純度の異なるIPA等である。
3 :コントローラ
5 :スピンチャック(基板保持ユニット)
6 :ヒータユニット
15 :第1移動ノズル(第1処理液供給ユニット)
16 :第2移動ノズル(剥離液供給ユニット)
17 :固定ノズル(剥離液供給ユニット)
18 :第3移動ノズル(第2処理液供給ユニット、残渣除去液供給ユニット、気体供給ユニット)
65 :ヒータ昇降ユニット
100 :パーティクル保持層
150 :液膜
151 :穴
152 :気相層
W :基板
Claims (22)
- 基板を水平に保持する基板保持工程と、
溶質と揮発性を有する溶媒とを含む第1処理液を、前記基板の上面に供給する第1処理液供給工程と、
前記基板を加熱することにより、前記基板の上面に供給された前記第1処理液から、前記溶媒の少なくとも一部を揮発させることによって、前記第1処理液を固化または硬化させて、前記基板の上面にパーティクル保持層を形成する保持層形成工程と、
前記パーティクル保持層を剥離する剥離液を前記基板の上面に供給することによって、前記パーティクル保持層を前記基板の上面から剥離して除去する保持層除去工程と、
前記パーティクル保持層を前記基板上から除去した後、前記基板の上面に第2処理液を供給することによって、前記基板の上面を覆う前記第2処理液の液膜を形成する液膜形成工程と、
前記基板を加熱して前記基板の上面に接する前記第2処理液を蒸発させることによって前記基板の上面と前記液膜との間に、前記液膜を保持する気相層を形成する気相層形成工程と、
前記気相層上で前記液膜を移動させることによって、前記液膜を構成する前記第2処理液を前記基板の上面から排除する液膜排除工程とを含む、基板処理方法。 - 前記基板の下面に対向するヒータユニットを用いて前記基板を加熱する加熱工程をさらに含み、
前記加熱工程が、前記保持層形成工程において前記溶媒の少なくとも一部を揮発させるために、前記ヒータユニットを用いて前記基板を加熱する第1加熱工程と、前記気相層形成工程において前記気相層を形成するために、前記ヒータユニットを用いて前記基板を加熱する第2加熱工程とを含む、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記加熱工程において前記ヒータユニットの温度が一定であり、
前記加熱工程の実行中に、前記基板の下面と前記ヒータユニットとの間の距離を変更する距離変更工程をさらに含む、請求項2に記載の基板処理方法。 - 前記距離変更工程が、前記第1加熱工程において前記基板の下面と前記ヒータユニットとが離間した位置関係になるように、前記基板の下面と前記ヒータユニットとの間の距離を変更する工程と、前記第2加熱工程において前記基板の下面と前記ヒータユニットとが接触する位置関係になるように、前記基板の下面と前記ヒータユニットとの間の距離を変更する工程とを含む、請求項3に記載の基板処理方法。
- 前記距離変更工程が、前記保持層形成工程で形成される前記パーティクル保持層の膜厚に応じて、前記第1加熱工程における前記基板の下面と前記ヒータユニットとの間の距離を変更する工程をさらに含む、請求項3または4に記載の基板処理方法。
- 前記第1処理液に含まれる前記溶質である溶質成分は、変質温度以上に加熱する前では前記剥離液に対して不溶性であり、かつ、前記変質温度以上に加熱することによって変質し、前記剥離液に対して可溶性になる性質を有し、
前記保持層形成工程では、前記基板の上面に供給された前記第1処理液の温度が前記変質温度未満の温度になるように前記基板が加熱される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記保持層形成工程では、前記基板の上面に供給された前記第1処理液の温度が前記溶媒の沸点未満になるように前記基板が加熱される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記剥離液が、前記溶媒に対する相溶性を有している、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記保持層除去工程の後でかつ前記液膜形成工程の前に、前記パーティクル保持層に含まれる前記溶質である溶質成分に対する溶解性を有する残渣除去液を前記基板の上面に供給することによって、前記パーティクル保持層を除去した後の前記基板の上面に残る残渣を除去する残渣除去工程をさらに含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記残渣除去液が、前記第2処理液と同種の液体である、請求項9に記載の基板処理方法。
- 前記液膜排除工程が、前記気相層が形成された後、前記基板上の前記液膜に気体を吹き付けて前記第2処理液を部分的に排除することによって、前記液膜の中央領域において前記液膜に穴を開ける穴開け工程と、前記穴を前記基板の外周に向かって広げ、前記気相層上で前記液膜を移動させることによって、前記液膜を構成する前記第2処理液を前記基板外に排除する穴広げ工程とを含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板を水平に保持する基板保持ユニットと、
溶質および揮発性を有する溶媒を含む第1処理液であって、前記溶媒の少なくとも一部が揮発することによって固化または硬化して前記基板の上面にパーティクル保持層を形成する前記第1処理液を、前記基板の上面に供給する第1処理液供給ユニットと、
前記基板の下面に対向し、前記基板を加熱するヒータユニットと、
前記基板の上面に、前記パーティクル保持層を剥離する剥離液を供給する剥離液供給ユニットと、
前記基板の上面に第2処理液を供給する第2処理液供給ユニットと、
前記第1処理液供給ユニット、前記ヒータユニット、前記剥離液供給ユニットおよび前記第2処理液供給ユニットを制御するコントローラとを含み、
前記コントローラが、水平に保持された前記基板の上面に、前記第1処理液供給ユニットから前記第1処理液を供給する第1処理液供給工程と、前記ヒータユニットで前記基板を加熱することにより前記基板の上面に供給された前記第1処理液から前記溶媒の少なくとも一部を揮発させることによって、前記第1処理液を固化または硬化させて、前記基板の上面に前記パーティクル保持層を形成する保持層形成工程と、前記剥離液供給ユニットから前記剥離液を前記基板の上面に供給することによって、前記パーティクル保持層を前記基板の上面から剥離して除去する保持層除去工程と、前記パーティクル保持層を前記基板上から除去した後、前記第2処理液供給ユニットから前記基板の上面に前記第2処理液を供給することによって、前記基板の上面を覆う前記第2処理液の液膜を形成する液膜形成工程と、前記ヒータユニットで前記基板を加熱して前記基板の上面に接する前記第2処理液を蒸発させることによって、前記基板の上面と前記液膜との間に、前記液膜を保持する気相層を形成する気相層形成工程と、前記気相層上で前記液膜を移動させることによって、前記液膜を構成する前記第2処理液を前記基板の上面から排除する液膜排除工程とを実行するようにプログラムされている、基板処理装置。 - 前記コントローラが、前記ヒータユニットを用いて前記基板を加熱する加熱工程を実行するようにプログラムされており、
前記加熱工程が、前記保持層形成工程において前記溶媒の少なくとも一部を揮発させるために、前記ヒータユニットを用いて前記基板を加熱する第1加熱工程と、前記気相層形成工程において前記気相層を形成するために、前記ヒータユニットを用いて前記基板を加熱する第2加熱工程とを含む、請求項12に記載の基板処理装置。 - 前記基板の下面と前記ヒータユニットとの間の距離を変更するために前記ヒータユニットを前記基板保持ユニットに対して相対的に昇降させるヒータ昇降ユニットをさらに含み、
前記コントローラが、前記加熱工程において前記ヒータユニットの温度が一定になるように前記ヒータユニットを制御し、かつ、前記加熱工程の実行中に、前記ヒータ昇降ユニットを制御して、前記基板の下面と前記ヒータユニットとの間の距離を変更する距離変更工程を実行するようにプログラムされている、請求項13に記載の基板処理装置。 - 前記距離変更工程が、前記第1加熱工程において前記基板の下面と前記ヒータユニットとが離間した位置関係になるように、前記基板の下面と前記ヒータユニットとの間の距離を変更する工程と、前記第2加熱工程において前記基板の下面と前記ヒータユニットとが接触する位置関係となるように、前記基板の下面と前記ヒータユニットとの間の距離を変更する工程とを含む、請求項14に記載の基板処理装置。
- 前記コントローラが、前記距離変更工程において、前記保持層形成工程で形成される前記パーティクル保持層の膜厚に応じて前記第1加熱工程における前記基板の下面と前記ヒータユニットとの間の距離を変更する工程を、実行するようにプログラムされている、請求項14または15に記載の基板処理装置。
- 前記第1処理液に含まれる前記溶質である溶質成分は、変質温度以上に加熱する前では前記剥離液に対して不溶性であり、かつ、前記変質温度以上に加熱することによって変質し、前記剥離液に対して可溶性になる性質を有し、
前記コントローラが、前記保持層形成工程において、前記基板の上面に供給された前記第1処理液の温度が前記変質温度未満の温度になるように、前記ヒータユニットに前記基板を加熱させるようにプログラムされている、請求項12〜16のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記コントローラが、前記保持層形成工程において、前記基板の上面に供給された前記第1処理液の温度が前記溶媒の沸点未満になるように、前記ヒータユニットに前記基板を加熱させるようにプログラムされている、請求項12〜17のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記剥離液が、前記溶媒に対する相溶性を有している、請求項12〜18のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記パーティクル保持層に含まれる前記溶質である溶質成分に対する溶解性を有する残渣除去液を前記基板の上面に供給する残渣除去液供給ユニットをさらに含み、
前記コントローラが、前記保持層除去工程の後でかつ前記液膜形成工程の前に、前記残渣除去液供給ユニットから、前記基板の上面に前記残渣除去液を供給することによって、前記パーティクル保持層を除去した後の前記基板の上面に残る残渣を除去する残渣除去工程を実行するようにプログラムされている、請求項12〜19のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記第2処理液供給ユニットが前記残渣除去液供給ユニットとして機能する、請求項20に記載の基板処理装置。
- 前記基板の上面に向けて気体を供給する気体供給ユニットをさらに含み、
前記コントローラが、前記気相層が形成された後、前記気体供給ユニットから前記基板に気体を吹き付けて前記基板上の前記液膜の前記第2処理液を部分的に排除することによって、前記液膜に穴を開ける穴開け工程と、前記穴を前記基板の外周に向かって広げ、前記気相層上で前記液膜を移動させることによって、前記液膜を構成する前記第2処理液を前記基板外に排除する穴広げ工程とを前記液膜排除工程において実行するようにプログラムされている、請求項12〜21のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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