JP6704258B2 - 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents
基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6704258B2 JP6704258B2 JP2016018985A JP2016018985A JP6704258B2 JP 6704258 B2 JP6704258 B2 JP 6704258B2 JP 2016018985 A JP2016018985 A JP 2016018985A JP 2016018985 A JP2016018985 A JP 2016018985A JP 6704258 B2 JP6704258 B2 JP 6704258B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- organic solvent
- substrate
- film
- coating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 108
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 61
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 17
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 173
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 173
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 163
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 105
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 59
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 45
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 12
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 12
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 17
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 9
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- ZOMPBXWFMAJRRU-UHFFFAOYSA-N 3-ethyloxiran-2-one Chemical compound CCC1OC1=O ZOMPBXWFMAJRRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYTGFBZJLDLWQG-UHFFFAOYSA-N 5-chloro-1h-indole Chemical compound ClC1=CC=C2NC=CC2=C1 MYTGFBZJLDLWQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 thinner Chemical compound 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
- H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/469—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers
- H01L21/47—Organic layers, e.g. photoresist
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/146—Mixed devices
- H01L2924/1461—MEMS
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
図1に示されるように、基板処理システム1(基板処理装置)は、塗布現像装置2(基板処理装置)と、露光装置3と、コントローラ10(制御部)とを備える。露光装置3は、ウエハW(基板)の表面Wa(図4参照)に形成された感光性レジスト膜の露光処理(パターン露光)を行う。具体的には、液浸露光等の方法により感光性レジスト膜(感光性被膜)の露光対象部分に選択的にエネルギー線を照射する。エネルギー線としては、例えばArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザー、g線、i線、又は極端紫外線(EUV:Extreme Ultraviolet)が挙げられる。
続いて、図4を参照して、塗布ユニットU1についてさらに詳しく説明する。塗布ユニットU1は、図4に示されるように、回転保持部20と、塗布液供給部30と、溶剤供給部40とを備える。
有機溶剤A:シクロヘキサノンとノルマルブチルとが所定割合で混合されたシンナー
有機溶剤B:シクロヘキサノン
有機溶剤C:PGMEとOK73シンナーとが所定割合で混合されたシンナー
コントローラ10は、図5に示されるように、機能モジュールとして、読取部M1と、記憶部M2と、処理部M3と、指示部M4とを有する。これらの機能モジュールは、コントローラ10の機能を便宜上複数のモジュールに区切ったものに過ぎず、コントローラ10を構成するハードウェアがこのようなモジュールに分かれていることを必ずしも意味するものではない。各機能モジュールは、プログラムの実行により実現されるものに限られず、専用の電気回路(例えば論理回路)、又は、これを集積した集積回路(ASIC:Application Specific Integrated Circuit)により実現されるものであってもよい。
続いて、塗布液及び有機溶剤をウエハWに供給してウエハWを処理する方法(基板処理方法)について、図8〜図10を参照して説明する。まず、コントローラ10は、基板処理システム1の各部を制御して、ウエハWをキャリア11から塗布ユニットU1に搬送する(ステップS11)。次に、コントローラ10は、回転保持部20を制御して、ウエハWを保持部22に保持させると共に、所定の回転数でウエハWを回転させる。
ウエハWの周縁から中心部側に2mmの第1の位置でノズル46を30秒静止させることと、
ノズル46を1mm/秒程度の速度でウエハWの周縁から中心部側に1.9mmの第2の位置に移動させることと、
当該第2の位置でノズル46を20秒静止させることと、
ノズル46を1mm/秒程度の速度でウエハWの周縁から中心部側に1.8mmの第3の位置に移動させることと、
当該第3の位置でノズル46を10秒静止させることと、
ノズル46を1mm/秒程度の速度でウエハWの周縁から中心部側に1.5mmの第4の位置に移動させることと、
当該第4の位置でノズル46を10秒静止させることと、
ノズル46を2mm/秒程度の速度でウエハWの周縁の外方まで移動させることと
を順次実行してもよい。
Claims (13)
- 粘度が1000cP以上の塗布液を基板の表面に供給して塗布膜を形成する第1の工程と、
第1の有機溶剤を第1のノズルから吐出して前記塗布膜の周縁部に供給し、当該周縁部のうち凸状に盛り上がったハンプ部を溶かして前記塗布膜のうち他の部分と同程度の厚さに均す第2の工程と、
前記第2の工程の後に前記塗布膜を加熱し、前記塗布膜が固化した固化膜を形成する第3の工程と、
第2の有機溶剤を第2のノズルから吐出して前記固化膜の周縁部に供給し、当該周縁部を溶かして前記基板上から除去する第4の工程とを含む、基板処理方法。 - 前記塗布液はポリイミドである、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記塗布膜の膜厚は5μm〜60μmである、請求項1又は2に記載の基板処理方法。
- 前記第1の有機溶剤における前記塗布膜及び前記固化膜の構成成分に対する溶解性は、前記第2の有機溶剤における前記塗布膜及び前記固化膜の構成成分に対する溶解性と同じかそれよりも高い、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第4の工程では、前記第2のノズルの吐出口を前記基板の表面に対して鉛直下向きにした状態で前記第2の有機溶剤を前記第2のノズルから吐出するか、又は、前記第2のノズルの吐出口を前記基板の中心部から前記周縁部に向かって斜め下方に傾けた状態で前記第2の有機溶剤を前記第2のノズルから吐出する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第2の工程では、
前記第1のノズルから前記第1の有機溶剤を吐出しながら前記第1のノズルを前記基板の周縁から当該周縁よりも中心部側の位置に向けて第1の速度で移動させることと、
前記第1のノズルから前記第1の有機溶剤を吐出しながら前記第1のノズルを前記位置から前記基板の周縁に向けて前記第1の速度よりも遅い第2の速度で移動させることとを含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 粘度が1000cP以上の塗布液を基板の表面に供給するように構成された塗布液供給部と、
前記基板の表面に第1及び第2の有機溶剤を供給するように構成された溶剤供給部と、
前記基板を加熱するように構成された加熱部と、
制御部とを備え、
前記溶剤供給部は、
前記第1の有機溶剤を吐出可能な第1のノズルと、
前記第2の有機溶剤を吐出可能な第2のノズルとを有し、
前記制御部は、
前記塗布液供給部を制御することにより、前記基板の表面に塗布液を供給させて塗布膜を形成する第1の処理と、
前記溶剤供給部を制御することにより、前記第1の有機溶剤を前記第1のノズルから吐出させて前記塗布膜の周縁部に供給し、当該周縁部のうち凸状に盛り上がったハンプ部を溶かして前記塗布膜のうち他の部分と同程度の厚さに均す第2の処理と、
前記第2の処理の後に前記加熱部を制御することにより、前記塗布膜を加熱させ、前記塗布膜が固化した固化膜を形成する第3の処理と、
前記溶剤供給部を制御することにより、前記第2の有機溶剤を前記第2のノズルから吐出させて前記固化膜の周縁部に供給し、当該周縁部を溶かして前記基板上から除去する第4の処理とを実行する、基板処理装置。 - 前記塗布液はポリイミドである、請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記塗布膜の膜厚は5μm〜60μmである、請求項7又は8に記載の基板処理装置。
- 前記第1の有機溶剤における前記塗布膜及び前記固化膜の構成成分に対する溶解性は、前記第2の有機溶剤における前記塗布膜及び前記固化膜の構成成分に対する溶解性と同じかそれよりも高い、請求項7〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記第4の処理において、前記第2のノズルの吐出口を前記基板の表面に対して鉛直下向きにした状態で前記第2の有機溶剤を前記第2のノズルから吐出させるか、又は、前記第2のノズルの吐出口を前記基板の中心部から前記周縁部に向かって斜め下方に傾けた状態で前記第2の有機溶剤を前記第2のノズルから吐出させる、請求項7〜10のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記第2の処理において、
前記第1のノズルから前記第1の有機溶剤を吐出させながら前記第1のノズルを前記基板の周縁から当該周縁よりも中心部側の位置に向けて第1の速度で移動させることと、
前記第1のノズルから前記第1の有機溶剤を吐出させながら前記第1のノズルを前記位置から前記基板の周縁に向けて前記第1の速度よりも遅い第2の速度で移動させることとを実行する、請求項7〜11のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016018985A JP6704258B2 (ja) | 2016-02-03 | 2016-02-03 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
TW106102444A TWI669749B (zh) | 2016-02-03 | 2017-01-23 | 基板處理方法、基板處理裝置及電腦可讀取之記錄媒體 |
KR1020170010151A KR20170092457A (ko) | 2016-02-03 | 2017-01-23 | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체 |
CN201710063642.XA CN107045262B (zh) | 2016-02-03 | 2017-02-03 | 基板处理方法和基板处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016018985A JP6704258B2 (ja) | 2016-02-03 | 2016-02-03 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017139320A JP2017139320A (ja) | 2017-08-10 |
JP6704258B2 true JP6704258B2 (ja) | 2020-06-03 |
Family
ID=59543078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016018985A Active JP6704258B2 (ja) | 2016-02-03 | 2016-02-03 | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6704258B2 (ja) |
KR (1) | KR20170092457A (ja) |
CN (1) | CN107045262B (ja) |
TW (1) | TWI669749B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7007869B2 (ja) * | 2017-11-14 | 2022-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP7008489B2 (ja) * | 2017-12-05 | 2022-01-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7085392B2 (ja) * | 2018-04-11 | 2022-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
TW202137839A (zh) * | 2019-12-17 | 2021-10-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2528413B2 (ja) * | 1992-02-03 | 1996-08-28 | オリジン電気株式会社 | 不要塗膜の剥離方法及び装置 |
JP4105269B2 (ja) * | 1997-01-31 | 2008-06-25 | 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社 | 膜形成方法 |
JPH1116804A (ja) * | 1997-06-19 | 1999-01-22 | Sony Corp | 液処理方法 |
JP3348842B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2002-11-20 | 日本電気株式会社 | 回転塗布膜の形成方法 |
CN1757445B (zh) * | 2004-03-02 | 2010-12-01 | 气体产品与化学公司 | 用于制备含溶剂的低介电材料的组合物 |
JP2006080298A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | フォトレジスト塗布方法 |
US7183181B2 (en) * | 2004-09-27 | 2007-02-27 | Lsi Logic Corporation | Dynamic edge bead removal |
JP2006253207A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Sharp Corp | 塗布膜形成方法,半導体装置の製造方法 |
JP4793927B2 (ja) * | 2005-11-24 | 2011-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及びその装置 |
JP5644192B2 (ja) * | 2010-06-09 | 2014-12-24 | 住友電気工業株式会社 | 積層樹脂膜の形成方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP5807622B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2015-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置、基板処理装置及び記憶媒体 |
JP5988438B2 (ja) * | 2012-08-02 | 2016-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法及び塗布処理装置 |
CN105993061A (zh) * | 2014-02-13 | 2016-10-05 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
TWI546376B (zh) * | 2014-08-25 | 2016-08-21 | 柯伊珊 | 晶圓處理液及使用其移除並平坦晶圓邊緣塗佈薄膜及平坦化光阻表面的設備和方法 |
CN104391435B (zh) * | 2014-12-12 | 2019-02-22 | 通富微电子股份有限公司 | 一种光阻胶边缘清洗装置及方法 |
-
2016
- 2016-02-03 JP JP2016018985A patent/JP6704258B2/ja active Active
-
2017
- 2017-01-23 KR KR1020170010151A patent/KR20170092457A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-01-23 TW TW106102444A patent/TWI669749B/zh active
- 2017-02-03 CN CN201710063642.XA patent/CN107045262B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170092457A (ko) | 2017-08-11 |
JP2017139320A (ja) | 2017-08-10 |
CN107045262B (zh) | 2022-02-25 |
TW201740432A (zh) | 2017-11-16 |
TWI669749B (zh) | 2019-08-21 |
CN107045262A (zh) | 2017-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6704258B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
TWI668729B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
TWI776749B (zh) | 塗佈膜形成方法、塗佈膜形成裝置及電腦可讀取的記錄媒體 | |
JP6148210B2 (ja) | 現像方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP6807162B2 (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
TWI641925B (zh) | 顯影方法、顯影裝置及電腦可讀取之記錄媒體 | |
US11036138B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer-readable recording medium | |
TWI808113B (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及電腦可讀取記錄媒體 | |
JP6504996B2 (ja) | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
US11823918B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP7499652B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP6626734B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP6902404B2 (ja) | 現像処理装置、現像処理方法及び記憶媒体 | |
WO2017145840A1 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2017157860A (ja) | 現像方法、現像装置、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20181127 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191015 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200414 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200512 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6704258 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |