JP6054343B2 - 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 - Google Patents
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Description
<基板洗浄システムの概略構成>
まず、第1の実施形態に係る基板洗浄システムの概略構成について図1を用いて説明する。図1は、第1の実施形態に係る基板洗浄システムの概略構成を示す図である。
次に、第1の実施形態に係る基板洗浄装置5が行う基板洗浄方法の内容について図2A〜図2Cを用いて説明する。図2A〜図2Cは、基板洗浄方法の説明図である。
次に、第1の実施形態に係る基板洗浄装置5の構成および動作について具体的に説明する。図3は、第1の実施形態に係る基板洗浄装置5の構成を示す模式図である。なお、図3では、基板洗浄装置5の特徴を説明するために必要な構成要素のみを示しており、一般的な構成要素についての記載を省略している。
ここで、物理力を用いた洗浄方法である2流体洗浄と、第1の実施形態に係る基板洗浄方法(以下、「本洗浄方法」と記載する)との比較結果について説明する。まず、比較条件について図12Aおよび図12Bを参照して説明する。図12Aおよび図12Bは、本洗浄方法と2流体洗浄との比較条件の説明図である。
次に、化学的作用を用いた洗浄方法であるSC1(アンモニア過水)による薬液洗浄と、本洗浄方法との比較について説明する。図14および図15は、本洗浄方法と薬液洗浄との比較結果を示す図である。図14にはパーティクル除去率の比較結果を、図15にはフィルムロスの比較結果をそれぞれ示している。フィルムロスとは、ウェハ上に形成された下地膜である熱酸化膜の侵食深さのことである。
ところで、上述してきた第1の実施形態では、トップコート液を加熱したり、チャンバ10内の湿度を低下させたり、チャンバ10内を減圧状態にしたりすることによって、トップコート液に含まれる揮発成分の揮発を促進することとした。しかし、揮発促進処理は、第1の実施形態において説明したものに限ったものではない。以下では、揮発促進処理の他の例について図6を用いて説明する。図6は、第2の実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
基板洗浄装置の構成は、上述してきた各実施形態において示した構成に限定されない。そこで、以下では、基板洗浄装置の他の構成について図7を用いて説明する。図7は、第3の実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
次に、第4の実施形態に係る基板洗浄装置について図9を用いて説明する。図9は、第4の実施形態に係る基板洗浄装置の構成を示す模式図である。
次に、第5の実施形態に係る基板洗浄装置について説明する。図10Aおよび図10Bは、第5の実施形態に係る回転保持機構の構成を示す模式図である。
ところで、上述してきた各実施形態では、回転保持機構が、ウェハWの周縁部を保持するメカニカルチャックである場合の例について示した。しかし、回転保持機構は、メカニカルチャックに限らず、ウェハWを吸着保持するバキュームチャックであってもよい。
5 基板洗浄装置
6 制御装置
9 減圧装置
10 チャンバ
11 排気口
20 基板保持部
21 回転保持機構
22 気体供給部
30A,30B 液供給部
31A〜31E ノズル
40 回収カップ
41 排液口
42 排気口
50 気流形成ユニット
100 基板洗浄システム
Claims (25)
- 揮発成分と固化または硬化する際に体積が収縮する性質を有する合成樹脂とを含み基板上に膜を形成するための処理液を前記基板へ供給する第1の液供給部と、
前記第1の液供給部によって前記基板に供給され、前記揮発成分が揮発することによって前記基板上で固化または硬化した処理液に対して該処理液の全てを溶解させる除去液を供給し、前記基板上に残存する前記溶解した処理液及び前記除去液を前記基板上から除去するリンス液を前記基板へ供給する第2の液供給部と
を備え、
前記第1の液供給部より供給されて前記基板上のパターンを覆った処理液が固化または硬化するときの前記合成樹脂の体積収縮により生じる歪みによって、前記パターンに付着したパーティクルを前記パターンから引き離すこと
を特徴とする基板洗浄装置。 - 前記基板を保持する基板保持部と、
前記第1の液供給部、前記第2の液供給部および前記基板保持部を収容するチャンバと
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。 - 前記基板保持部は、前記基板の周縁部を保持する保持機構を備えており、
前記保持機構に対して前記除去液を供給する第3の液供給部
をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の基板洗浄装置。 - 前記基板保持部は、
前記基板を保持する第1の保持部と、前記第1の保持部と独立して動作可能な第2の保持部とを備えることを特徴とする請求項2に記載の基板洗浄装置。 - 前記基板保持部は、
前記基板を吸着保持する吸着保持部であり、吸着保持した前記基板を加熱する加熱機構を備えることを特徴とする請求項2に記載の基板洗浄装置。 - 前記第1の液供給部によって供給される処理液と親和性のある溶剤を前記基板へ供給する溶剤供給部
をさらに備えることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 前記処理液に含まれる合成樹脂は、アクリル樹脂であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。
- 前記処理液は、トップコート液であることを特徴とする請求項7に記載の基板洗浄装置。
- 前記処理液に含まれる合成樹脂は、フェノール樹脂であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。
- 前記処理液は、レジスト液であることを特徴とする請求項9に記載の基板洗浄装置。
- 前記処理液は、
前記基板、前記基板上に構成される材料または前記基板上に付着する異物を溶解する所定の薬液をさらに含むことを特徴とする請求項7〜10のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 前記除去液は、アルカリ性の液体であること
を特徴とする請求項1〜11のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 前記除去液は、アンモニア、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン水溶液の少なくとも一つを含むこと
を特徴とする請求項12に記載の基板洗浄装置。 - 前記除去液は、有機溶剤であること
を特徴とする請求項1〜11のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 前記処理液に含まれる揮発成分の揮発を促進させる揮発促進部
をさらに備えることを特徴とする請求項1〜14のいずれか一つに記載の基板洗浄装置。 - 前記揮発促進部は、前記処理液を加熱することによって前記揮発成分の揮発を促進させること
を特徴とする請求項15に記載の基板洗浄装置。 - 前記揮発促進部は、高温の流体を前記基板の下面に供給することによって前記基板を加熱して前記揮発成分の揮発を促進させること
を特徴とする請求項16に記載の基板洗浄装置。 - 前記揮発促進部は、装置内部を減圧することによって前記揮発成分の揮発を促進させること
を特徴とする請求項15に記載の基板洗浄装置。 - 前記揮発促進部は、装置内部の湿度を低下させることによって前記揮発成分の揮発を促進させること
を特徴とする請求項15に記載の基板洗浄装置。 - 前記揮発促進部は、前記処理液に対して紫外線を照射することによって前記揮発成分の揮発を促進させること
を特徴とする請求項15に記載の基板洗浄装置。 - 基板を洗浄する基板洗浄装置と、
前記基板洗浄装置を制御する制御部と
を備え、
前記基板洗浄装置は、
揮発成分と固化または硬化する際に体積が収縮する性質を有する合成樹脂とを含み基板上に膜を形成するための処理液を前記基板へ供給する第1の液供給部と、
前記第1の液供給部によって前記基板に供給され、前記揮発成分が揮発することによって前記基板上で固化または硬化した処理液に対して該処理液の全てを溶解させる除去液を供給し、前記基板上に残存する前記溶解した処理液及び前記除去液を前記基板上から除去するリンス液を前記基板へ供給する第2の液供給部と
を備え、
前記第1の液供給部より供給されて前記基板上のパターンを覆った処理液が固化または硬化するときの前記合成樹脂の体積収縮により生じる歪みによって、前記パターンに付着したパーティクルを前記パターンから引き離すこと
を特徴とする基板洗浄システム。 - 揮発成分と固化または硬化する際に体積が収縮する性質を有する合成樹脂と含み基板上に膜を形成するための処理液を前記基板へ供給する第1の液供給工程と、
前記第1の液供給工程において前記基板に供給され、前記揮発成分が揮発することによって前記基板上で固化または硬化した処理液に対して該処理液の全てを溶解させる除去液を供給し、前記基板上に残存する前記溶解した処理液及び前記除去液を前記基板上から除去するリンス液を前記基板へ供給する第2の液供給工程と
を含み、
前記第1の液供給工程において供給されて前記基板上のパターンを覆った処理液が固化または硬化するときの前記合成樹脂の体積収縮により生じる歪みによって、前記パターンに付着したパーティクルを前記パターンから引き離すこと
を特徴とする基板洗浄方法。 - 前記処理液に含まれる合成樹脂は、アクリル樹脂であることを特徴とする請求項22に記載の基板洗浄方法。
- 前記処理液に含まれる合成樹脂は、フェノール樹脂であることを特徴とする請求項22に記載の基板洗浄方法。
- コンピュータ上で動作し、基板洗浄装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項22〜24のいずれか一つに記載の基板洗浄方法が行われるように、コンピュータに前記基板洗浄装置を制御させること
を特徴とする記憶媒体。
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