KR20190066561A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190066561A
KR20190066561A KR1020180149769A KR20180149769A KR20190066561A KR 20190066561 A KR20190066561 A KR 20190066561A KR 1020180149769 A KR1020180149769 A KR 1020180149769A KR 20180149769 A KR20180149769 A KR 20180149769A KR 20190066561 A KR20190066561 A KR 20190066561A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
liquid
holding layer
heating
heater unit
Prior art date
Application number
KR1020180149769A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102130903B1 (ko
Inventor
유키후미 요시다
마나부 오쿠타니
히로시 아베
슈이치 야스다
야스노리 가네마쓰
히토시 나카이
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20190066561A publication Critical patent/KR20190066561A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102130903B1 publication Critical patent/KR102130903B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022—Cleaning travelling work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0014—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by incorporation in a layer which is removed with the contaminants
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/04—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by a combination of operations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

기판 처리 방법은, 제1 처리액을, 상기 기판의 상면에 공급하는 제1 처리액 공급 공정과, 상기 제1 처리액을 고화 또는 경화시켜, 상기 기판의 상면에 파티클 유지층을 형성하는 유지층 형성 공정과, 상기 파티클 유지층을 상기 기판의 상면으로부터 박리하여 제거하는 유지층 제거 공정과, 상기 파티클 유지층을 상기 기판 상으로부터 제거한 후, 제2 처리액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 기판의 상면과 상기 액막 사이에, 상기 액막을 유지하는 기상층을 형성하는 기상층 형성 공정과, 상기 기상층 상에서 상기 액막을 이동시킴으로써, 상기 제2 처리액을 상기 기판의 상면으로부터 배제하는 액막 배제 공정을 포함한다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
관련 출원에 대한 교차 참조
이 출원은, 2017년 12월 5일에 제출된 일본국 특허출원 2017-233600호에 의거한 우선권을 주장하고 있으며, 이 출원의 전체 내용은 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.
이 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 유기 EL(Electroluminescence) 표시 장치 등의 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등의 기판이 포함된다.
매엽식의 기판 처리 장치에 의한 기판 처리에서는, 기판이 1장씩 처리된다. 상세하게는, 스핀 척에 의해서 기판이 거의 수평으로 유지된다. 그리고, 기판의 상면을 세정하는 세정 공정이 실행된 후, 기판의 상면을 건조하기 위해서 기판을 고속 회전시키는 스핀 드라이 공정이 행해진다.
세정 공정에서는, 기판에 부착된 각종 오염물, 전 공정에서 사용한 처리액이나 레지스트 등의 잔사, 혹은 각종 파티클 등(이하 「파티클」로 총칭하는 경우가 있다)이 제거된다. 구체적으로는, 세정 공정에서는, 탈이온수(DIW) 등의 세정액을 기판에 공급함으로써, 파티클이 물리적으로 제거되거나, 파티클과 화학적으로 반응하는 약액을 기판에 공급함으로써, 당해 파티클이 화학적으로 제거된다.
그러나, 기판 상에 형성되는 패턴의 미세화 및 복잡화가 진행되고 있기 때문에, 파티클을 물리적, 혹은 화학적으로 제거하는 것이 용이하지 않게 되어가고 있다.
그래서, 기판의 상면에, 용질 및 휘발성을 갖는 용매를 포함하는 처리액을 공급하고, 당해 처리액을 고화 또는 경화시킨 막(이하 「파티클 유지층」이라고 한다)을 형성한 후, 당해 파티클 유지층을 제거하는 수법이 제안되어 있다(일본국 특허공개 2014-197717호 공보).
그런데, 일본국 특허공개 2014-197717호 공보의 방법에서는, 용해 처리액을 기판의 상면에 공급함으로써, 파티클 유지층을 기판 위에서 용해시키기 때문에, 용해되어 가고 있는 파티클 유지층으로부터 파티클이 탈락하여, 기판에 재부착될 우려가 있다. 그로 인해, 파티클 제거율이, 기대한만큼 높아지지 않는다.
게다가, 파티클의 제거를 위해서 이용한 용해 처리액이나 용해 처리액을 씻어 내기 위한 린스액은, 패턴 내부에 파고들어가므로, 패턴 내부에 파고들어간 액체를 스핀 드라이 공정에 있어서 충분히 제거할 수 없는 경우는, 표면장력이 패턴에 작용한다. 이 표면장력에 의해, 패턴이 도괴할 우려가 있다.
상세하게는, 패턴 내부에 파고들어간 린스액의 액면(공기와 액체의 계면)은, 패턴 내에 형성된다. 그로 인해, 액면과 패턴의 접촉 위치에, 액체의 표면장력이 작용한다. 이 표면장력이 큰 경우에는, 패턴의 도괴가 일어나기 쉽다. 전형적인 린스액인 물은, 표면장력이 크기 때문에, 스핀 드라이 공정에 있어서의 패턴의 도괴를 무시할 수 없다.
그래서, 물보다 표면장력이 낮은 저표면장력 액체인 이소프로필알코올(Isopropyl Alcohol:IPA)을 이용하는 수법이 제안되어 있다(예를 들어, 일본국 특허공개 2016-21597호 공보를 참조). 구체적으로는, 기판의 상면에 IPA를 공급함으로써, 패턴의 내부에 파고들어간 물을 IPA로 치환하고, 그 후에 IPA를 제거함으로써 기판의 상면을 건조시킨다. 그러나, 패턴 내부에 파고들어간 물을 치환한 IPA의 표면장력이 패턴에 작용하는 시간이 긴 경우나 패턴의 강도가 낮은 경우는 패턴의 도괴가 일어날 수 있다.
그래서, 이 발명의 하나의 목적은, 기판의 상면으로부터 파티클을 양호하게 제거할 수 있고, 또한, 기판의 상면을 양호하게 건조시킬 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
이 발명의 일실시 형태는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 공정과, 용질과 휘발성을 갖는 용매를 포함하는 제1 처리액을, 상기 기판의 상면에 공급하는 제1 처리액 공급 공정과, 상기 기판을 가열함으로써, 상기 기판의 상면에 공급된 상기 제1 처리액으로부터, 상기 용매의 적어도 일부를 휘발시킴으로써, 상기 제1 처리액을 고화 또는 경화시켜, 상기 기판의 상면에 파티클 유지층을 형성하는 유지층 형성 공정과, 상기 파티클 유지층을 박리하는 박리액을 상기 기판의 상면에 공급함으로써, 상기 파티클 유지층을 상기 기판의 상면으로부터 박리하여 제거하는 유지층 제거 공정과, 상기 파티클 유지층을 상기 기판 상으로부터 제거한 후, 상기 기판의 상면에 제2 처리액을 공급함으로써, 상기 기판의 상면을 덮는 상기 제2 처리액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 기판을 가열하여 상기 기판의 상면에 접하는 상기 제2 처리액을 증발시킴으로써 상기 기판의 상면과 상기 액막 사이에, 상기 액막을 유지하는 기상층을 형성하는 기상층 형성 공정과, 상기 기상층 상에서 상기 액막을 이동시킴으로써, 상기 액막을 구성하는 상기 제2 처리액을 상기 기판의 상면으로부터 배제하는 액막 배제 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
이 방법에 의하면, 유지층 형성 공정에 있어서, 제1 처리액이 고화 또는 경화됨으로써, 파티클 유지층이 기판의 상면에 형성된다. 제1 처리액이 고화 또는 경화될 때에, 파티클이 기판으로부터 떼어진다. 떼어진 파티클은 파티클 유지층 중에 유지된다. 그로 인해, 유지층 제거 공정에 있어서, 기판의 상면에 박리액을 공급함으로써, 파티클을 유지한 상태의 파티클 유지층을 기판의 상면으로부터 박리하여 제거할 수 있다.
또, 이 방법에 의하면, 액막 형성 공정에 있어서 기판의 상면을 덮는 제2 처리액의 액막이 형성된다. 그리고, 기상층 형성 공정에 있어서, 기판을 가열함으로써, 그 액막과 기판의 상면 사이에 제2 처리액이 증발한 기체로 이루어지는 기상층이 형성된다. 이 기상층 상에 제2 처리액의 액막이 유지된다. 이 상태에서 제2 처리액의 액막을 배제함으로써, 제2 처리액의 표면장력에 의한 기판의 상면의 패턴의 도괴를 억제 또는 방지할 수 있다. 기상층은, 제2 처리액과의 계면이 기판의 상면의 패턴 밖에 위치하도록 형성되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 기판의 상면의 패턴에 제2 처리액의 표면장력이 작용하는 것을 회피할 수 있고, 표면장력이 작용하지 않은 상태로 제2 처리액의 액막을 기판 밖으로 배제할 수 있다.
이상에 의해, 기판의 상면으로부터 파티클을 양호하게 제거할 수 있고, 또한, 기판의 상면을 양호하게 건조시킬 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 기판 처리 방법이, 상기 기판의 하면에 대향하는 히터 유닛을 이용하여 상기 기판을 가열하는 가열 공정을 더 포함한다. 그리고, 상기 가열 공정이, 상기 유지층 형성 공정에 있어서 상기 용매의 적어도 일부를 휘발시키기 위해서, 상기 히터 유닛을 이용하여 상기 기판을 가열하는 제1 가열 공정과, 상기 기상층 형성 공정에 있어서 상기 기상층을 형성하기 위해서, 상기 히터 유닛을 이용하여 상기 기판을 가열하는 제2 가열 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 유지층 형성 공정 및 기상층 형성 공정에 있어서 공통의 히터 유닛을 사용할 수 있다. 따라서, 기판을 가열하기 위한 유닛을 복수 설치할 필요가 없다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 가열 공정에 있어서 상기 히터 유닛의 온도가 일정하다. 그리고, 상기 기판 처리 방법이, 상기 가열 공정의 실행 중에, 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하는 거리 변경 공정을 더 포함한다.
히터 유닛의 온도 변화에 필요로 하는 시간은, 기판의 온도 변화에 필요로 하는 시간에 비해 길다. 그로 인해, 가열 공정에 있어서, 히터 유닛의 온도를 변경하여 기판을 가열하는 경우, 히터 유닛이 희망하는 온도로 변화할 때까지 기다리지 않으면 기판이 희망하는 온도에 도달하지 않는다. 따라서, 기판 처리에 필요로 하는 시간이 길어질 우려가 있다.
히터 유닛으로부터 기판에 전달되는 열량은, 기판의 하면과 히터 유닛 사이의 거리에 따라 변화한다. 그래서, 히터 유닛의 온도를 일정하게 유지한 상태로, 기판의 하면과 히터 유닛 사이의 거리를 변경함으로써, 기판의 온도를 희망하는 온도로 변화시킬 수 있다. 따라서, 히터 유닛의 온도 변화에 필요로 하는 시간을 삭감할 수 있다. 나아가서는, 기판 처리에 필요로 하는 시간을 삭감할 수 있다.
기판의 하면과 히터 유닛 사이의 거리가 짧을수록, 기판에 전달되는 열량이 커지고, 기판의 온도 상승의 정도가 커진다. 예를 들어, 제1 가열 공정에서는, 기판의 하면과 히터 유닛이 이격한 위치 관계가 되도록 기판의 하면과 히터 유닛 사이의 거리를 변경하고, 제2 가열 공정에서는, 기판의 하면과 히터 유닛이 접촉하는 위치 관계가 되도록 기판의 하면과 히터 유닛의 거리를 변경하면, 제2 가열 공정에 있어서의 기판의 온도를 제1 가열 공정에 있어서의 기판의 온도보다 높게 설정할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 거리 변경 공정이, 상기 유지층 형성 공정으로 형성되는 상기 파티클 유지층의 막두께에 따라, 상기 제1 가열 공정에 있어서의 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하는 공정을 더 포함한다.
제1 가열 공정에서는, 가열에 의해서 용매가 휘발하여, 파티클 유지층이 수축한다. 기판 상으로부터 파티클을 양호하게 제거하기 위해서는, 제1 가열 공정에 있어서, 파티클 유지층을 희망하는 수축률로 수축시키는 것이 바람직하다. 파티클 유지층의 수축률이란, 제1 가열 공정 개시 직전의 기판 상의 제1 처리액의 두께에 대한 제1 가열 공정 후의 파티클 유지층의 두께의 비율이다. 파티클 유지층을 희망하는 수축률로 수축시키기 위해서 필요한 가열 온도는, 파티클 유지층의 막두께에 의해서 상이하다. 그래서, 유지층 형성 공정으로 형성될 예정의 파티클 유지층의 막두께에 따라 기판의 하면과 히터 유닛 사이의 거리를 변경함으로써, 가열 온도를 파티클 유지층의 막두께에 따른 온도로 조정할 수 있다. 그것에 의해, 파티클 유지층의 막두께에 관계없이, 파티클 유지층이 희망하는 수축률로 수축시킬 수 있다. 그 결과, 파티클을 양호하게 제거할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 제1 처리액에 포함되는 상기 용질인 용질 성분이, 변질 온도 이상으로 가열하기 전에는 상기 박리액에 대해서 불용성이고, 또한, 상기 변질 온도 이상으로 가열함으로써 변질되어, 상기 박리액에 대해서 가용성이 되는 성질을 갖는다. 그리고, 상기 유지층 형성 공정에서는, 상기 기판의 상면에 공급된 상기 제1 처리액의 온도가 상기 변질 온도 미만의 온도가 되도록 상기 기판이 가열된다.
이 방법에 의하면, 유지층 형성 공정에서는, 제1 처리액의 온도가 변질 온도 미만의 온도가 되도록 기판이 가열되어 파티클 유지층이 형성된다. 그로 인해, 파티클 유지층은, 박리액에 대해서 난용성 내지 불용성이지만, 당해 박리액에 의해서 박리가 가능하다. 따라서, 유지층 제거 공정에서는, 당해 기판의 상면에 형성된 파티클 유지층을, 박리액에 의해서 용해시키지 않고, 파티클을 유지한 상태의 파티클 유지층을, 기판의 상면으로부터 박리하여 제거할 수 있다.
그 결과, 파티클을 유지한 상태의 파티클 유지층을 기판의 상면으로부터 박리함으로써, 파티클을 높은 제거율로 제거할 수 있다. 또한, 파티클 유지층의 잔사가 기판의 상면에 남거나 재부착되는 것을 억제할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 유지층 형성 공정에서는, 상기 기판의 상면에 공급된 상기 제1 처리액의 온도가 상기 용매의 비점 미만이 되도록 상기 기판이 가열된다.
이 방법에 의하면, 유지층 형성 공정에 있어서의 가열 후의 파티클 유지층 중에 용매를 잔류시킬 수 있다. 그로 인해, 그 후의 유지층 제거 공정에 있어서, 파티클 유지층 중에 잔류한 용매와, 공급된 박리액의 상호 작용에 의해서, 파티클 유지층을 기판의 상면으로부터 박리하기 쉽게 할 수 있다. 즉, 파티클 유지층 중에 박리액을 침투시켜, 기판과의 계면까지 도달시킴으로써, 파티클 유지층을 기판의 상면으로부터 띄워 박리시킬 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 박리액이 상기 용매에 대한 상용성을 갖고 있어도 된다. 유지층 형성 공정에 있어서, 파티클 유지층 중에 용매를 적절히 잔류시켜 두면, 당해 용매에 대해서 상용성의 박리액이 파티클 유지층 중에 침투하여, 기판과의 계면에까지 도달할 수 있다. 그것에 의해, 파티클 유지층을 기판의 상면으로부터 띄워 박리시킬 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 기판 처리 방법이, 상기 유지층 제거 공정의 후이고 또한 상기 액막 형성 공정의 전에, 상기 파티클 유지층에 포함되는 상기 용질인 용질 성분에 대한 용해성을 갖는 잔사 제거액을 상기 기판의 상면에 공급함으로써, 상기 파티클 유지층을 제거한 후의 상기 기판의 상면에 남는 잔사를 제거하는 잔사 제거 공정을 더 포함한다.
이 방법에 의하면, 잔사 제거액이, 파티클 유지층을 형성하는 용질 성분을 용해시키는 성질을 갖는다. 그로 인해, 파티클 유지층의 잔사를 잔사 제거액에 용해시켜, 기판의 상면으로부터 제거할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 잔사 제거액이, 상기 제2 처리액과 동종의 액체이다. 그로 인해, 액막 형성 공정에 있어서, 기판의 상면에 잔사 처리액을 제2 처리액으로 치환하는 시간을 삭감할 수 있다. 따라서, 기판 처리에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 액막 배제 공정이, 상기 기상층이 형성된 후, 상기 기판 상의 상기 액막에 기체를 내뿜어 상기 제2 처리액을 부분적으로 배제함으로써, 상기 액막의 중앙 영역에 있어서 상기 액막에 구멍을 형성하는 구멍 형성 공정과, 상기 구멍을 상기 기판의 외주를 향해 확장하고, 상기 기상층 상에서 상기 액막을 이동시킴으로써, 상기 액막을 구성하는 상기 제2 처리액을 상기 기판 밖으로 배제하는 구멍 확장 공정을 포함한다.
이 방법에 의하면, 액막의 중앙 영역에 형성된 구멍을 기판의 외주를 향해 확장시킴으로써, 기판 상으로부터 액막이 배제된다. 그로 인해, 제2 처리액의 액적이 기판 상에 잔류하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 따라서, 기판의 상면을 양호하게 건조시킬 수 있다.
이 발명의 일실시 형태는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 용질 및 휘발성을 갖는 용매를 포함하는 제1 처리액이며, 상기 용매의 적어도 일부가 휘발함으로써 고화 또는 경화하여 상기 기판의 상면에 파티클 유지층을 형성하는 상기 제1 처리액을, 상기 기판의 상면에 공급하는 제1 처리액 공급 유닛과, 상기 기판의 하면에 대향하며, 상기 기판을 가열하는 히터 유닛과, 상기 기판의 상면에, 상기 파티클 유지층을 박리하는 박리액을 공급하는 박리액 공급 유닛과, 상기 기판의 상면에 제2 처리액을 공급하는 제2 처리액 공급 유닛과, 상기 제1 처리액 공급 유닛, 상기 히터 유닛, 상기 박리액 공급 유닛 및 상기 제2 처리액 공급 유닛을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.
그리고, 상기 컨트롤러가, 수평으로 유지된 상기 기판의 상면에, 상기 제1 처리액 공급 유닛으로부터 상기 제1 처리액을 공급하는 제1 처리액 공급 공정과, 상기 히터 유닛으로 상기 기판을 가열함으로써 상기 기판의 상면에 공급된 상기 제1 처리액으로부터 상기 용매의 적어도 일부를 휘발시킴으로써, 상기 제1 처리액을 고화 또는 경화시켜, 상기 기판의 상면에 상기 파티클 유지층을 형성하는 유지층 형성 공정과, 상기 박리액 공급 유닛으로부터 상기 박리액을 상기 기판의 상면에 공급함으로써, 상기 파티클 유지층을 상기 기판의 상면으로부터 박리하여 제거하는 유지층 제거 공정과, 상기 파티클 유지층을 상기 기판 상으로부터 제거한 후, 상기 제2 처리액 공급 유닛으로부터 상기 기판의 상면에 상기 제2 처리액을 공급함으로써, 상기 기판의 상면을 덮는 상기 제2 처리액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 히터 유닛으로 상기 기판을 가열하여 상기 기판의 상면에 접하는 상기 제2 처리액을 증발시킴으로써, 상기 기판의 상면과 상기 액막 사이에, 상기 액막을 유지하는 기상층을 형성하는 기상층 형성 공정과, 상기 기상층 상에서 상기 액막을 이동시킴으로써, 상기 액막을 구성하는 상기 제2 처리액을 상기 기판 상면으로부터 배제하는 액막 배제 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다.
이 구성에 의하면, 유지층 형성 공정에 있어서, 제1 처리액이 고화 또는 경화됨으로써, 파티클 유지층이 기판의 상면에 형성된다. 제1 처리액이 고화 또는 경화될 때에, 파티클이 기판으로부터 떼어진다. 떼어진 파티클은 파티클 유지층 중에 유지된다. 그로 인해, 유지층 제거 공정에 있어서, 기판의 상면에 박리액을 공급함으로써, 파티클을 유지한 상태의 파티클 유지층을, 기판의 상면으로부터 박리하여 제거할 수 있다.
또, 이 구성에 의하면, 액막 형성 공정에 있어서 기판의 상면을 덮는 제2 처리액의 액막이 형성된다. 그리고, 기상층 형성 공정에 있어서, 기판을 가열함으로써, 그 액막과 기판의 상면 사이에 제2 처리액이 증발한 기체로 이루어지는 기상층이 형성된다. 이 기상층 상에 제2 처리액의 액막이 유지된다. 이 상태에서 제2 처리액의 액막을 배제함으로써, 제2 처리액의 표면장력에 의한 기판의 상면의 패턴의 도괴를 억제 또는 방지할 수 있다. 기상층은, 제2 처리액과의 계면이 기판의 상면의 패턴 밖에 위치하도록 형성되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 기판의 상면의 패턴에 제2 처리액의 표면장력이 작용하는 것을 회피할 수 있고, 표면장력이 작용하지 않은 상태로 제2 처리액의 액막을 기판 밖으로 배제할 수 있다.
이상에 의해, 기판의 상면으로부터 파티클을 양호하게 제거할 수 있고, 또한, 기판의 상면을 양호하게 건조시킬 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 컨트롤러가, 상기 히터 유닛을 이용하여 상기 기판을 가열하는 가열 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다. 그리고, 상기 가열 공정이, 상기 유지층 형성 공정에 있어서 상기 용매의 적어도 일부를 휘발시키기 위해서, 상기 히터 유닛을 이용하여 상기 기판을 가열하는 제1 가열 공정과, 상기 기상층 형성 공정에 있어서 상기 기상층을 형성하기 위해서, 상기 히터 유닛을 이용하여 상기 기판을 가열하는 제2 가열 공정을 포함한다.
이 구성에 의하면, 유지층 형성 공정 및 기상층 형성 공정에 있어서 공통의 히터 유닛을 사용할 수 있다. 따라서, 기판을 가열하기 위한 유닛을 복수 설치할 필요가 없다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하기 위해서 상기 히터 유닛을 상기 기판 유지 유닛에 대해서 상대적으로 승강시키는 히터 승강 유닛을 더 포함한다. 그리고, 상기 컨트롤러가, 상기 가열 공정에 있어서 상기 히터 유닛의 온도가 일정해지도록 상기 히터 유닛을 제어하며, 또한, 상기 가열 공정의 실행 중에, 상기 히터 승강 유닛을 제어하여, 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하는 거리 변경 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다.
히터 유닛의 온도 변화에 필요로 하는 시간은, 기판의 온도 변화에 필요로 하는 시간에 비해 길다. 그로 인해, 가열 공정에 있어서, 히터 유닛의 온도를 변경하여 기판을 가열하는 경우, 히터 유닛이 희망하는 온도로 변화할 때까지 기다리지 않으면 기판이 희망하는 온도에 도달하지 않는다. 따라서, 기판 처리에 필요로 하는 시간이 길어질 우려가 있다.
히터 유닛으로부터 기판에 전달되는 열량은, 기판의 하면과 히터 유닛 사이의 거리에 따라 변화한다. 그래서, 히터 유닛의 온도를 일정하게 유지한 상태로, 기판의 하면과 히터 유닛 사이의 거리를 변경함으로써, 기판의 온도를 희망하는 온도로 변화시킬 수 있다. 따라서, 히터 유닛의 온도 변화에 필요로 하는 시간을 삭감할 수 있다. 나아가서는, 기판 처리에 필요로 하는 시간을 삭감할 수 있다.
기판의 하면과 히터 유닛 사이의 거리가 짧을수록, 기판에 전달되는 열량이 커지고, 기판의 온도 상승의 정도가 커진다. 예를 들어, 제1 가열 공정에서는, 기판의 하면과 히터 유닛이 이격한 위치 관계가 되도록 기판의 하면과 히터 유닛 사이의 거리를 변경하고, 제2 가열 공정에서는, 기판의 하면과 히터 유닛이 접촉하는 위치 관계가 되도록 기판의 하면과 히터 유닛의 거리를 변경하면, 제2 가열 공정에 있어서의 기판의 온도를 제1 가열 공정에 있어서의 기판의 온도보다 높게 설정할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 컨트롤러가, 상기 거리 변경 공정에 있어서, 상기 유지층 형성 공정으로 형성되는 상기 파티클 유지층의 막두께에 따라 상기 제1 가열 공정에 있어서의 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하는 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다.
제1 가열 공정에서는, 가열에 의해서 용매가 휘발하여, 파티클 유지층이 수축한다. 기판 상으로부터 파티클을 양호하게 제거하기 위해서는, 제1 가열 공정에 있어서, 파티클 유지층을 희망하는 수축률로 수축시키는 것이 바람직하다. 파티클 유지층의 수축률이란, 제1 가열 공정 개시 직전의 기판 상의 제1 처리액의 두께에 대한 제1 가열 공정 후의 파티클 유지층의 두께의 비율이다. 파티클 유지층을 희망하는 수축률로 수축시키기 위해서 필요한 가열 온도는, 파티클 유지층의 막두께에 의해서 상이하다. 그래서, 유지층 형성 공정으로 형성될 예정의 파티클 유지층의 막두께에 따라 기판의 하면과 히터 유닛 사이의 거리를 변경함으로써, 가열 온도를 파티클 유지층의 막두께에 따른 온도로 조정할 수 있다. 그것에 의해, 파티클 유지층의 막두께에 관계없이, 파티클 유지층이 희망하는 수축률로 수축시킬 수 있다. 그 결과, 파티클을 양호하게 제거할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 제1 처리액에 포함되는 상기 용질인 용질 성분은, 변질 온도 이상으로 가열하기 전에는 상기 박리액에 대해서 불용성이고, 또한, 상기 변질 온도 이상으로 가열함으로써 변질되어, 상기 박리액에 대해서 가용성이 되는 성질을 갖는다. 그리고, 상기 컨트롤러가, 상기 유지층 형성 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 공급된 상기 제1 처리액의 온도가 상기 변질 온도 미만의 온도가 되도록, 상기 히터 유닛으로 하여금 상기 기판을 가열하게 하도록 프로그램되어 있다.
이 구성에 의하면, 유지층 형성 공정에서는, 제1 처리액의 온도가 변질 온도 미만의 온도가 되도록 기판이 가열되어 파티클층이 형성된다. 그로 인해, 파티클 유지층은, 박리액에 대해서 난용성 내지 불용성이지만, 당해 박리액에 의해서 박리가 가능하다. 따라서, 유지층 제거 공정에서는, 당해 기판의 상면에 형성된 파티클 유지층을, 박리액에 의해서 용해시키지 않고, 파티클을 유지한 상태의 파티클 유지층을, 기판의 상면으로부터 박리하여 제거할 수 있다.
그 결과, 파티클을 유지한 상태의 파티클 유지층을, 기판의 상면으로부터 박리함으로써, 파티클을 높은 제거율로 제거할 수 있다. 또한, 파티클 유지층의 잔사가 기판의 상면에 남거나 재부착되는 것을 억제할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 컨트롤러가, 상기 유지층 형성 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 공급된 상기 제1 처리액의 온도가 상기 용매의 비점 미만이 되도록, 상기 히터 유닛으로 하여금 상기 기판을 가열하게 하도록 프로그램되어 있다.
이 구성에 의하면, 유지층 형성 공정에 있어서의 가열 후의 파티클 유지층 중에 용매를 잔류시킬 수 있다. 그로 인해, 그 후의 유지층 제거 공정에 있어서, 파티클 유지층 중에 잔류한 용매와, 공급된 박리액의 상호 작용에 의해서, 파티클 유지층을 기판의 상면으로부터 박리하기 쉽게 할 수 있다. 즉, 파티클 유지층 중에 박리액을 침투시켜, 기판과의 계면까지 도달시킴으로써, 파티클 유지층을 기판의 상면으로부터 띄워 박리시킬 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 박리액이 상기 용매에 대한 상용성을 갖고 있고 있다. 유지층 형성 공정에 있어서 파티클 유지층 중에 용매를 적절히 잔류시켜 두면, 당해 용매에 대해서 상용성의 박리액이 파티클 유지층 중에 침투하여, 기판과의 계면에 도달할 수 있다. 그것에 의해, 파티클 유지층을 기판의 상면으로부터 띄워 박리시킬 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 파티클 유지층에 포함되는 상기 용질인 용질 성분에 대한 용해성을 갖는 잔사 제거액을 상기 기판의 상면에 공급하는 잔사 제거액 공급 유닛을 더 포함한다. 그리고, 상기 컨트롤러가, 상기 유지층 제거 공정의 후이고 또한 상기 액막 형성 공정의 전에, 상기 잔사 제거액 공급 유닛으로부터, 상기 기판의 상면에 상기 잔사 제거액을 공급함으로써, 상기 파티클 유지층을 제거한 후의 상기 기판의 상면에 남는 잔사를 제거하는 잔사 제거 공정을 실행하도록 프로그램되어 있다.
이 구성에 의하면, 잔사 제거액이, 당해 파티클 유지층을 형성하는 용질 성분을 용해시키는 성질을 갖는다. 그로 인해, 파티클 유지층의 잔사를 잔사 제거액에 용해시켜, 기판의 상면으로부터 제거할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 제2 처리액 공급 유닛이 상기 잔사 제거액 공급 유닛으로서 기능한다. 이 구성에 의하면, 액막 형성 공정에서 이용하는 제2 처리액 공급 유닛을, 잔사 제거 공정에서도 사용할 수 있다. 그로 인해, 잔사 제거 공정과 액막 형성 공정에서 기판의 상면에 액체를 공급하는 유닛을 변경하지 않고, 잔사 제거 공정과 그 후의 액막 형성 공정을 연속하여 실행할 수 있다. 따라서, 기판 처리에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 기판 처리 장치가, 상기 기판의 상면을 향해서 기체를 공급하는 기체 공급 유닛을 더 포함한다. 그리고, 상기 컨트롤러가, 상기 기상층이 형성된 후, 상기 기체 공급 유닛으로부터 상기 기판에 기체를 내뿜어 상기 기판 상의 상기 액막의 상기 제2 처리액을 부분적으로 배제함으로써, 상기 액막에 구멍을 형성하는 구멍 형성 공정과, 상기 구멍을 상기 기판의 외주를 향해 확장하고, 상기 기상층 상에서 상기 액막을 이동시킴으로써, 상기 액막을 구성하는 상기 제2 처리액을 상기 기판 밖으로 배제하는 구멍 확장 공정을 상기 액막 배제 공정에 있어서 실행하도록 프로그램되어 있다.
이 구성에 의하면, 액막의 중앙 영역에 형성된 구멍을 기판의 외주를 향해 확장함으로써, 기판 상으로부터 액막이 배제된다. 그로 인해, 제2 처리액의 액적이 기판 상에 잔류하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 따라서, 기판의 상면을 양호하게 건조시킬 수 있다.
본 발명에 있어서의 상기 서술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시 형태의 설명에 의해 밝혀진다.
도 1은, 이 발명의 일실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다.
도 2는, 상기 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 모식도이다.
도 3은, 상기 기판 처리 장치의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블럭도이다.
도 4는, 상기 기판 처리 장치에 의한 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5a~도 5m은, 상기 기판 처리를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는, 상기 기판 처리에 있어서의 파티클 유지층의 모습을 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 7a~도 7c는, 상기 건조 공정에 있어서 기판 상으로부터 액막이 배제될 때의 기판의 상면의 주변의 모식적인 단면도이다.
도 1은, 이 발명의 일실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1)의 내부의 레이아웃을 설명하기 위한 모식적인 평면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 실리콘 웨이퍼 등의 기판(W)을 한 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 도 1을 참조하여, 기판 처리 장치(1)는, 처리 유체로 기판(W)을 처리하는 복수의 처리 유닛(2)과, 처리 유닛(2)으로 처리되는 복수 장의 기판(W)을 수용하는 캐리어(C)가 올려놓여지는 로드 포트(LP)와, 로드 포트(LP)와 처리 유닛(2) 사이에서 기판(W)을 반송하는 반송 로봇(IR 및 CR)과, 기판 처리 장치(1)를 제어하는 컨트롤러(3)를 포함한다.
반송 로봇(IR)은, 캐리어(C)와 반송 로봇(CR) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(CR)은, 반송 로봇(IR)과 처리 유닛(2) 사이에서 기판(W)을 반송한다. 복수의 처리 유닛(2)은, 예를 들어, 동일한 구성을 갖고 있다. 처리 유체에는, 후술하는, 제1 처리액, 제2 처리액, 린스액, 박리액, 잔사 제거액 등의 액체나 불활성 가스 등의 기체가 포함된다.
도 2는, 처리 유닛(2)의 구성예를 설명하기 위한 모식도이다. 처리 유닛(2)은, 스핀 척(5)과, 처리 컵(8)과, 제1 이동 노즐(15)과, 제2 이동 노즐(16)과, 고정 노즐(17)과, 제3 이동 노즐(18)과, 하면 노즐(19)과, 히터 유닛(6)을 포함한다.
스핀 척(5)은, 기판(W)을 수평으로 유지하면서 기판(W)의 중앙부를 통과하는 연직인 회전축선(A1) 둘레로 회전시킨다. 스핀 척(5)은, 기판(W)을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛의 일례이다. 기판 유지 유닛은, 기판 홀더라고도 한다. 스핀 척(5)은, 복수의 척 핀(20)과, 스핀 베이스(21)와, 회전축(22)과, 전동 모터(23)를 포함한다.
스핀 베이스(21)는, 수평 방향을 따르는 원판 형을 갖고 있다. 스핀 베이스(21)의 상면에는, 복수의 척 핀(20)이 둘레 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. 복수의 척 핀(20)은, 기판(W)의 둘레단에 접촉하여 기판(W)을 파지하는 닫힘 상태와, 기판(W)의 둘레단으로부터 퇴피한 열림 상태 사이에서 개폐 가능하다. 또, 열림 상태에 있어서, 복수의 척 핀(20)은, 기판(W)의 둘레단으로부터 이격하여 파지를 해제하는 한편, 기판(W)의 주연부의 하면에 접촉하여, 기판(W)을 하방으로부터 지지한다.
처리 유닛(2)은, 복수의 척 핀(20)을 개폐 구동하는 척 핀 구동 유닛(25)을 더 포함한다. 척 핀 구동 유닛(25)은, 예를 들어, 스핀 베이스(21)에 내장된 링크 기구(27)와, 스핀 베이스(21) 밖에 배치된 구동원(28)을 포함한다. 구동원(28)은, 예를 들어, 볼나사 기구와, 그것에 구동력을 주는 전동 모터를 포함한다.
회전축(22)은, 회전축선(A1)을 따라서 연직 방향으로 연장되어 있다. 회전축(22)의 상단부는, 스핀 베이스(21)의 하면 중앙에 결합되어 있다. 평면에서 봤을 때의 스핀 베이스(21)의 중앙 영역에는, 스핀 베이스(21)를 상하에 관통하는 관통 구멍(21a)이 형성되어 있다. 관통 구멍(21a)은, 회전축(22)의 내부 공간(22a)과 연통되어 있다.
전동 모터(23)는, 회전축(22)에 회전력을 준다. 전동 모터(23)에 의해서 회전축(22)이 회전됨으로써, 스핀 베이스(21)가 회전된다. 이것에 의해, 기판(W)이 회전축선(A1)의 둘레로 회전된다. 이하에서는, 회전축선(A1)을 중심으로 한 지름 방향의 내방을 단순히 「지름 방향 내방」이라고 하고, 회전축선(A1)을 중심으로 한 지름 방향의 외방을 단순히 「지름 방향 외방」이라고 한다. 전동 모터(23)는, 기판(W)을 회전축선(A1)의 둘레로 회전시키는 기판 회전 유닛에 포함된다.
처리 컵(8)은, 스핀 척(5)에 유지된 기판(W)으로부터 외방으로 비산하는 액체를 받아들이는 복수의 가드(11)와, 복수의 가드(11)에 의해서 하방으로 안내된 액체를 받아들이는 복수의 컵(12)과, 복수의 가드(11)와 복수의 컵(12)을 둘러싸는 원통형의 외벽 부재(13)를 포함한다. 이 실시 형태에서는, 2개의 가드(11)(제1 가드(11A) 및 제2 가드(11B))와, 2개의 컵(12)(제1 컵(12A) 및 제2 컵(12B))이 설치되어 있는 예를 개시하고 있다.
제1 컵(12A) 및 제2 컵(12B)의 각각은, 상향으로 개방된 홈형의 형태를 갖고 있다. 제1 가드(11A)는, 스핀 베이스(21)를 둘러싼다. 제2 가드(11B)는, 제1 가드(11A)보다 지름 방향 외방에서 스핀 베이스(21)를 둘러싼다. 제1 컵(12A)은, 제1 가드(11A)에 의해서 하방으로 안내된 액체를 받아들인다. 제2 컵(12B)은, 제1 가드(11A)와 일체로 형성되어 있고, 제2 가드(11B)에 의해서 하방으로 안내된 액체를 받아들인다.
도 1을 다시 참조하여, 처리 컵(8)은, 챔버(4) 내에 수용되어 있다. 챔버(4)에는, 챔버(4) 내에 기판(W)을 반입하거나, 챔버(4) 내로부터 기판(W)을 반출하기 위한 출입구(도시 생략)가 형성되어 있다. 챔버(4)에는, 이 출입구를 개폐하는 셔터 유닛(도시 생략)이 구비되어 있다.
도 2를 다시 참조하여, 제1 이동 노즐(15)은, 기판(W)의 상면을 향해서 제1 처리액을 공급(토출)하는 제1 처리액 공급 유닛의 일례이다. 제1 이동 노즐(15)로부터 토출되는 제1 처리액은, 용질과, 휘발성을 갖는 용매를 포함한다. 제1 처리액은, 용매의 적어도 일부가 휘발하여 고화 또는 경화함으로써, 기판(W)의 상면에 부착되어 있던 파티클을 당해 기판(W)으로부터 떼어 유지하는 파티클 유지층을 형성한다.
여기서 「고화」란, 예를 들어, 용매의 휘발에 수반하여, 분자간이나 원자간에 작용하는 힘 등에 의해서 용질이 굳어지는 것을 가리킨다. 「경화」란, 예를 들어, 중합이나 가교 등의 화학적인 변화에 의해서, 용질이 굳어지는 것을 가리킨다. 따라서, 「고화 또는 경화」란, 여러 가지 요인에 의해서 용질의 「굳어짐」을 나타내고 있다.
제1 처리액의 용질로서 이용되는 수지는, 예를 들어, 소정의 변질 온도 이상으로 가열 전은 물에 대해서 난용성 내지 불용성이고, 변질 온도 이상으로 가열함으로써 변질되어 수용성이 되는 성질을 갖는 수지(이하 「감열 수용성 수지」로 기재하는 경우가 있다)이다.
감열 수용성 수지는, 예를 들어, 소정의 변질 온도 이상(예를 들어, 200℃ 이상)으로 가열함으로써 분해되어, 극성을 갖는 관능기를 노출시킴으로써, 수용성을 발현한다.
제1 처리액의 용매로는, 변질 전의 감열 수용성 수지에 대한 용해성을 갖고, 또한 휘발성을 갖는 용매를 이용할 수 있다. 여기서 「휘발성을 갖는다」란, 물에 비해서 휘발성이 높은 것을 의미한다. 제1 처리액의 용매로는, 예를 들어, PGEE(프로필렌글리콜모노에틸에테르)가 이용된다.
제1 이동 노즐(15)은, 제1 처리액을 안내하는 제1 처리액 배관(40)에 접속되어 있다. 제1 처리액 배관(40)에 끼워 설치된 제1 처리액 밸브(50)가 열리면, 제1 처리액이, 제1 이동 노즐(15)의 토출구로부터 하방으로 연속적으로 토출된다.
제1 이동 노즐(15)은, 제1 노즐 이동 유닛(31)에 의해서, 수평 방향 및 연직 방향으로 이동된다. 제1 이동 노즐(15)은, 중심 위치와, 홈 위치(퇴피 위치) 사이에서 이동할 수 있다. 제1 이동 노즐(15)은, 중심 위치에 위치할 때, 기판(W)의 상면의 회전 중심에 대향한다. 기판(W)의 상면의 회전 중심이란, 기판(W)의 상면에 있어서의 회전축선(A1)과의 교차 위치이다. 제1 이동 노즐(15)은, 홈 위치에 위치할 때, 기판(W)의 상면에는 대향하지 않고, 평면에서 볼 때, 처리 컵(8)의 외방에 위치한다. 제1 이동 노즐(15)은, 연직 방향으로의 이동에 의해서, 기판(W)의 상면에 접근하거나, 기판(W)의 상면으로부터 상방으로 퇴피할 수 있다.
제1 노즐 이동 유닛(31)은, 예를 들어, 연직 방향을 따르는 회동축과, 회동 축에 결합되어 수평으로 연장되는 아암과, 회동축을 승강시키거나 회동시키는 회동축 구동 유닛을 포함한다. 회동축 구동 유닛은, 회동축을 연직인 회동축선 둘레로 회동시킴으로써 아암을 요동시킨다. 또한, 회동축 구동 유닛은, 회동축을 연직 방향을 따라서 승강함으로써, 아암을 상하 이동시킨다. 제1 이동 노즐(15)은 아암에 고정된다. 아암의 요동 및 승강에 따라, 제1 이동 노즐(15)이 수평 방향 및 연직 방향으로 이동한다.
제2 이동 노즐(16)은, 기판(W)의 상면을 향해서 박리액을 공급(토출)하는 박리액 공급 유닛의 일례이다. 박리액은, 제1 처리액이 형성하는 파티클 유지층을 기판(W)의 상면으로부터 박리하기 위한 액이다. 박리액은, 제1 처리액에 포함되는 용매와의 상용성을 갖는 액체를 이용하는 것이 바람직하다.
박리액은, 예를 들어, 수계의 박리액이다. 수계의 박리액으로는, DIW에는 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 및 희석 농도(예를 들어, 10ppm~100ppm 정도)의 염산수, 알칼리 수용액 등을 들 수 있다. 알칼리 수용액으로는, SC1액(암모니아 과산화수소수 혼합액), 암모니아 수용액, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 등의 4급 수산화 암모늄의 수용액, 콜린 수용액 등을 들 수 있다.
이 실시 형태에서는, 제2 이동 노즐(16)은, SC1액을 안내하는 SC1액 배관(41)에 접속되어 있다. SC1액 배관(41)에 끼워 설치된 SC1액 밸브(51)가 열리면, 박리액으로서의 SC1액이, 제2 이동 노즐(16)의 토출구로부터 하방으로 연속적으로 토출된다.
제2 이동 노즐(16)은, 제2 노즐 이동 유닛(32)에 의해서, 수평 방향 및 연직 방향으로 이동된다. 제2 이동 노즐(16)은, 중심 위치와, 홈 위치(퇴피 위치) 사이에서 이동할 수 있다. 제2 이동 노즐(16)은, 중심 위치에 위치할 때, 기판(W)의 상면의 회전 중심에 대향한다. 제2 이동 노즐(16)은, 홈 위치에 위치할 때, 기판(W)의 상면에는 대향하지 않고, 평면에서 볼 때, 처리 컵(8)의 외방에 위치한다. 제2 이동 노즐(16)은, 연직 방향으로의 이동에 의해서, 기판(W)의 상면에 접근하거나, 기판(W)의 상면으로부터 상방으로 퇴피할 수 있다.
제2 노즐 이동 유닛(32)은, 제1 노즐 이동 유닛(31)과 동일한 구성을 갖고 있다. 즉, 제2 노즐 이동 유닛(32)은, 예를 들어, 연직 방향을 따르는 회동축과, 회동축 및 제2 이동 노즐(16)에 결합되어 수평으로 연장되는 아암과, 회동축을 승강시키거나 회동시키는 회동축 구동 유닛을 포함한다.
고정 노즐(17)은, 기판(W)의 상면을 향해서 린스액을 공급(토출)하는 린스액 공급 유닛으로서의 일례이다.
린스액은, 예를 들어, DIW이다. 린스액으로는, DIW 이외에도, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 암모니아수 및 희석 농도(예를 들어, 10ppm~100ppm 정도)의 염산수 등을 들 수 있다.
이 실시 형태에서는, 고정 노즐(17)은, DIW를 안내하는 DIW 배관(42)에 접속되어 있다. DIW 배관(42)에 끼워 설치된 DIW 밸브(52)가 열리면, DIW가, 고정 노즐(17)의 토출구로부터 하방으로 연속적으로 토출된다. 상기 서술한 바와 같이, DIW는 박리액으로서도 기능하기 때문에, 고정 노즐(17)은, 기판(W)의 상면을 향해서 박리액을 공급(토출)하는 박리액 공급 유닛으로서도 기능한다.
제3 이동 노즐(18)은, 기판(W)의 상면을 향해서 제2 처리액을 공급(토출)하는 제2 처리액 공급 유닛으로서의 기능과, 기판(W)의 상면을 향해서 질소 가스(N2 가스) 등의 기체를 공급(토출)하는 기체 공급 유닛으로서의 기능을 갖는다.
제2 처리액은, 예를 들어, 물보다 표면장력이 낮은 저표면장력 액체이다. 저표면장력 액체로는, 기판(W)의 상면 및 기판(W)에 형성된 패턴과 화학 반응하지 않는(반응성이 부족한) 유기용제를 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는, IPA, HFE(하이드로플루오로에테르), 메탄올, 에탄올, 아세톤 및 Trans-1,2-디클로로에틸렌 중 적어도 1개를 포함하는 액을 저표면장력 액체로서 이용할 수 있다. 또, 저표면장력 액체는, 단체 성분만으로 이루어질 필요는 없고, 다른 성분과 혼합된 액체여도 된다. 예를 들어, IPA액과 순수의 혼합액이어도 되고, IPA액과 HFE액의 혼합액이어도 된다.
제3 이동 노즐(18)로부터 토출되는 기체는, 불활성 가스인 것이 바람직하다. 불활성 가스는, 기판(W)의 상면 및 패턴에 대해서 불활성인 가스이고, 예를 들어 아르곤 등의 희가스류여도 된다. 제3 이동 노즐(18)로부터 토출되는 기체는, 공기여도 된다.
제3 이동 노즐(18)은, 연직 방향을 따라서 제2 처리액을 토출하는 중심 토출구(70)를 갖고 있다. 제3 이동 노즐(18)은, 연직 방향을 따라서 직선형의 기체를 토출하는 선형류 토출구(71)를 갖고 있다. 또한, 제3 이동 노즐(18)은, 수평 방향을 따라서 제3 이동 노즐(18)의 주위에 방사형으로 기체를 토출하는 수평류 토출구(72)를 갖고 있다. 또, 제3 이동 노즐(18)은, 비스듬하게 아래 방향을 따라서, 제3 이동 노즐(18)의 주위에 방사형으로 기체를 토출하는 경사류 토출구(73)를 갖고 있다.
선형류 토출구(71)로부터 토출된 기체는, 기판(W)의 상면에 수직으로 입사하는 선형 기류를 형성한다. 수평류 토출구(72)로부터 토출된 기체는, 기판(W)의 상면에 평행하고, 또한 기판(W)의 상면을 덮는 수평 기류를 형성한다. 경사류 토출구(73)로부터 토출된 기체는, 기판(W)의 상면에 대해서 비스듬하게 입사하는 원뿔형 프로파일의 경사 기류를 형성한다.
제3 이동 노즐(18)에는, IPA 배관(44) 및 복수의 질소 가스 배관(45A, 45B, 45C)이 접속되어 있다. IPA 배관(44)에 끼워 설치된 IPA 밸브(54)가 열리면, IPA가, 제3 이동 노즐(18)의 중심 토출구(70)로부터 하방으로 연속적으로 토출된다.
제1 질소 가스 배관(45A)에 끼워 설치된 제1 질소 가스 밸브(55A)가 열리면, 제3 이동 노즐(18)의 선형류 토출구(71)로부터 하방으로 질소 가스가 연속적으로 토출된다. 제2 질소 가스 배관(45B)에 끼워 설치된 제2 질소 가스 밸브(55B)가 열리면, 제3 이동 노즐(18)의 수평류 토출구(72)로부터 수평 방향으로 질소 가스가 연속적으로 토출된다. 제3 질소 가스 배관(45C)에 끼워 설치된 제3 질소 가스 밸브(55C)가 열리면, 제3 이동 노즐(18)의 경사류 토출구(73)로부터 비스듬하게 아래 방향으로 질소 가스가 연속적으로 토출된다.
제1 질소 가스 배관(45A)에는, 제1 질소 가스 배관(45A) 내를 흐르는 질소 가스의 유량을 정확하게 조절하기 위한 매스 플로우 컨트롤러(56)가 끼워 설치되어 있다. 매스 플로우 컨트롤러(56)는, 유량 제어 밸브를 갖고 있다. 또, 제2 질소 가스 배관(45B)에는, 제2 질소 가스 배관(45B) 내를 흐르는 질소 가스의 유량을 조절하기 위한 유량 가변 밸브(57B)가 끼워 설치되어 있다. 또, 제3 질소 가스 배관(45C)에는, 제3 질소 가스 배관(45C) 내를 흐르는 질소 가스의 유량을 조절하기 위한 유량 가변 밸브(57C)가 끼워 설치되어 있다. 또한, 질소 가스 배관(45A, 45B, 45C)에는, 각각, 이물을 제거하기 위한 필터(58A, 58B, 58C)가 끼워 설치되어 있다.
제3 이동 노즐(18)의 중심 토출구(70)로부터 토출되는 IPA는, 제2 처리액(저표면장력 액체)이기도 하고, 잔사 제거액이기도 하다. 잔사 제거액이란, 제1 처리액의 용질에 대한 용해성을 갖는 액체이다. 그로 인해, 제3 이동 노즐(18)은, 기판(W)의 상면을 향해서 잔사 제거액을 공급(토출)하는 잔사 처리액 공급 유닛으로서도 기능한다.
제1 처리액의 용질로서 감열 수용성 수지를 이용하는 경우, 잔사 제거액으로서, 변질 전의 감열 수용성 수지에 대한 용해성을 갖는 액체를 이용할 수 있다. 제1 처리액의 용질로서 감열 수용성 수지를 이용하는 경우, 잔사 제거액으로서 이용되는 액체는, 예를 들어 IPA이다. 잔사 제거액은, 수계의 박리액과의 상용성을 갖는 액체인 것이 바람직하다.
제3 이동 노즐(18)은, 제3 노즐 이동 유닛(33)에 의해서, 수평 방향 및 연직 방향으로 이동된다. 제3 이동 노즐(18)은, 중심 위치와, 홈 위치(퇴피 위치) 사이에서 이동할 수 있다. 제3 이동 노즐(18)은, 중심 위치에 위치할 때, 기판(W)의 상면의 회전 중심에 대향한다. 제3 이동 노즐(18)은, 홈 위치에 위치할 때, 기판(W)의 상면에는 대향하지 않고, 평면에서 볼 때, 처리 컵(8)의 외방에 위치한다. 보다 구체적으로는, 제3 이동 노즐(18)은, 연직 방향으로의 이동에 의해서, 기판(W)의 상면에 접근하거나, 기판(W)의 상면으로부터 상방으로 퇴피할 수 있다.
제3 노즐 이동 유닛(33)은, 제1 노즐 이동 유닛(31)과 동일한 구성을 갖고 있다. 즉, 제3 노즐 이동 유닛(33)은, 예를 들어, 연직 방향을 따르는 회동축과, 회동축 및 제3 이동 노즐(18)에 결합되어 수평으로 연장되는 아암과, 회동축을 승강시키거나 회동시키는 회동축 구동 유닛을 포함한다.
히터 유닛(6)은, 원판형의 핫 플레이트의 형태를 갖고 있다. 히터 유닛(6)은, 기판(W)의 하면에 하방으로부터 대향하는 대향면(6a)을 갖는다.
히터 유닛(6)은, 플레이트 본체(60)와, 복수의 지지 핀(61)과, 히터(62)를 포함한다. 플레이트 본체(60)는, 평면에서 볼 때, 기판(W)보다 아주 약간 작다. 복수의 지지 핀(61)은, 플레이트 본체(60)의 상면으로부터 돌출되어 있다. 플레이트 본체(60)의 상면과, 복수의 지지 핀(61)의 표면에 의해서 대향면(6a)이 구성되어 있다. 히터(62)는, 플레이트 본체(60)에 내장되어 있는 저항체여도 된다. 히터(62)에 통전함으로써, 대향면(6a)이 가열된다. 그리고, 히터(62)에는, 급전선(63)을 통해, 히터 통전 유닛(64)으로부터 전력이 공급된다.
히터 유닛(6)은, 스핀 베이스(21)의 상방에 배치되어 있다. 처리 유닛(2)은, 히터 유닛(6)을 스핀 베이스(21)에 대해서 상대적으로 승강시키는 히터 승강 유닛(65)을 포함한다. 히터 승강 유닛(65)은, 예를 들어, 볼나사 기구와, 그것에 구동력을 주는 전동 모터를 포함한다. 히터 승강 유닛(65)은 히터 리프터라고도 한다.
히터 유닛(6)의 하면에는, 회전축선(A1)을 따라서 연직 방향으로 연장되는 승강축(30)이 결합되어 있다. 승강축(30)은, 스핀 베이스(21)의 중앙부에 형성된 관통 구멍(21a)과, 중공의 회전축(22)을 삽입 통과하고 있다. 승강축(30) 내에는, 급전선(63)이 통과하고 있다. 히터 승강 유닛(65)은, 승강축(30)을 통해 히터 유닛(6)을 승강시킴으로써, 하측 위치 및 상측 위치 사이의 임의의 중간 위치에 히터 유닛(6)을 배치할 수 있다. 히터 유닛(6)이 하측 위치에 위치할 때, 대향면(6a)과 기판(W)의 하면 사이의 거리는, 예를 들어, 15mm이다.
히터 유닛(6)은, 스핀 베이스(21)에 대해서 상대적으로 승강(이동)하므로, 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6)의 상면 사이의 거리가 변화한다. 즉, 히터 승강 유닛(65)은, 거리 변경 유닛으로서 기능한다.
하면 노즐(19)은, 중공의 승강축(30)을 삽입 통과하고, 또한, 히터 유닛(6)을 관통하고 있다. 하면 노즐(19)은, 기판(W)의 하면 중앙을 향하는 토출구를 상단에 갖고 있다. 하면 노즐(19)에는 유체 배관(43)이 접속되어 있다. 유체 배관(43)에 끼워 설치된 유체 밸브(53)가 열리면, 기판(W)의 하면을 향해서 처리 유체가 연속적으로 토출된다.
도 3은, 기판 처리 장치(1)의 주요부의 전기적 구성을 설명하기 위한 블럭도이다. 컨트롤러(3)는, 마이크로 컴퓨터를 구비하고 있고, 소정의 프로그램에 따라서, 기판 처리 장치(1)에 구비된 제어 대상을 제어한다. 보다 구체적으로는, 컨트롤러(3)는, 프로세서(CPU)(3A)와, 프로그램이 저장된 메모리(3B)를 포함하고, 프로세서(3A)가 프로그램을 실행함으로써, 기판 처리를 위한 여러가지 제어를 실행하도록 구성되어 있다.
특히, 컨트롤러(3)는, 반송 로봇(IR), 반송 로봇(CR), 전동 모터(23), 제1 노즐 이동 유닛(31), 제2 노즐 이동 유닛(32), 제3 노즐 이동 유닛(33), 히터 통전 유닛(64), 히터 승강 유닛(65), 척 핀 구동 유닛(25), 제1 처리액 밸브(50), SC1액 밸브(51), DIW 밸브(52), 유체 밸브(53), IPA 밸브(54), 제1 질소 가스 밸브(55A), 제2 질소 가스 밸브(55B), 제3 질소 가스 밸브(55C), 매스 플로우 컨트롤러(56), 유량 가변 밸브(57B) 및 유량 가변 밸브(57C) 등의 동작을 제어한다. 제1 처리액 밸브(50), SC1액 밸브(51), DIW 밸브(52), 유체 밸브(53), IPA 밸브(54), 제1 질소 가스 밸브(55A), 제2 질소 가스 밸브(55B), 제3 질소 가스 밸브(55C), 매스 플로우 컨트롤러(56), 유량 가변 밸브(57B) 및 유량 가변 밸브(57C)가 제어됨으로써, 대응하는 노즐로부터의 유체의 토출의 유무나 토출 유량이 제어된다.
도 4는, 기판 처리 장치(1)에 의한 기판 처리의 일례를 설명하기 위한 흐름도이며, 주로, 컨트롤러(3)가 프로그램을 실행함으로써 실현되는 처리가 도시되어 있다. 도 5a~도 5m은, 상기 기판 처리를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
미처리의 기판(W)은, 반송 로봇(IR, CR)에 의해서 캐리어(C)로부터 처리 유닛(2)에 반입되고, 스핀 척(5)에 전달된다(S1). 그리고, 복수의 척 핀(20)이 닫힘 상태가 된다. 이것에 의해, 기판(W)은, 스핀 척(5)에 의해서 수평으로 유지된다(기판 유지 공정).
그리고, 히터 승강 유닛(65)이, 히터 유닛(6)을 하측 위치에 배치한다. 히터 통전 유닛(64)은, 기판 처리하는 동안, 상시, 통전되고 있다. 그로 인해, 기판(W)은, 반송 로봇(CR)에 의해서 반출되는 동안, 히터 유닛(6)에 의해서 계속 가열된다(가열 공정). 또, 가열 공정에 있어서, 히터 유닛(6)의 온도는 일정(예를 들어 195℃)하게 유지된다. 가열 공정의 실행 중에 히터 승강 유닛(65)이 히터 유닛(6)을 승강시킴으로써, 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6)의 대향면(6a) 사이의 거리가 변경된다(거리 변경 공정).
다음으로, 도 5a를 참조하여, 제1 처리액 공급 공정이 실행된다(S2). 제1 처리액 공급 공정은, 예를 들어, 2.4초 동안 실행된다. 제1 처리액 공급 공정에서는, 우선, 전동 모터(23)(도 2 참조)가 스핀 베이스(21)를 회전시킨다. 이것에 의해, 기판(W)이 회전된다. 제1 처리액 공급 공정에서는, 스핀 베이스(21)는, 소정의 제1 처리액 공급 속도로 회전된다. 제1 처리액 공급 속도는, 예를 들어, 10rpm이다.
그리고, 제1 노즐 이동 유닛(31)이 제1 이동 노즐(15)을, 중앙 위치에 배치한다. 그리고, 제1 처리액 밸브(50)가 열린다. 이것에 의해, 회전 상태의 기판(W)의 상면을 향해서, 제1 이동 노즐(15)로부터 제1 처리액이 공급된다. 기판(W)의 상면에 공급된 제1 처리액은, 원심력에 의해서, 기판(W)의 상면의 전체에 널리 퍼진다. 잉여의 제1 처리액은, 원심력에 의해서 기판(W)으로부터 지름 방향 외방으로 배제된다.
기판(W)에 제1 처리액을 일정 시간 공급한 후, 제1 처리액을 고화 또는 경화시켜, 기판(W)의 상면에 파티클 유지층(100)(도 5c 참조)을 형성하는 유지층 형성 공정이 실행된다(S3). 유지층 형성 공정에서는, 우선, 제1 처리액 밸브(50)가 닫힌다. 이것에 의해, 제1 이동 노즐(15)로부터의 제1 처리액의 공급이 정지된다. 그리고, 제1 노즐 이동 유닛(31)에 의해서 제1 이동 노즐(15)이 퇴피 위치로 이동된다.
도 5b를 참조하여, 유지층 형성 공정에서는, 우선, 기판(W) 상의 제1 처리액의 액막의 두께를 적절한 두께로 하기 위해서, 원심력에 의해서 기판(W)의 상면으로부터 제1 처리액의 일부를 배제하는 스핀오프 공정이 실행된다.
스핀오프 공정에서는, 전동 모터(23)가, 스핀 베이스(21)의 회전 속도를 소정의 스핀오프 속도로 변경한다. 스핀오프 속도는, 예를 들어, 300rpm~1500rpm이다. 스핀 베이스(21)의 회전 속도는, 300rpm~1500rpm의 범위 내에서 일정하게 유지되어도 되고, 스핀오프 공정의 도중에서 300rpm~1500rpm의 범위 내에서 적당히 변경되어도 된다. 스핀오프 공정은, 예를 들어, 30초 동안 실행된다.
도 5c를 참조하여, 유지층 형성 공정에서는, 스핀오프 공정 후에, 기판(W) 상의 제1 처리액의 용매의 일부를 휘발시키기 위해서, 기판(W)을 가열하는(기판(W)에 대한 가열을 강하게 하는) 제1 가열 공정이 실행된다.
제1 가열 공정에서는, 히터 승강 유닛(65)이, 히터 유닛(6)을 근접 위치에 배치한다. 근접 위치는, 하측 위치와 상측 위치 사이의 위치이다. 히터 유닛(6)이 근접 위치에 위치할 때, 대향면(6a)이 기판(W)의 하면에 비접촉이다. 히터 유닛(6)이 근접 위치에 위치할 때, 대향면(6a)은, 기판(W)의 하면으로부터 소정 거리(예를 들어 4mm)만큼 하방으로 이격하고 있다. 제1 가열 공정은, 예를 들어, 60초 동안 실행된다. 제1 가열 공정에서는, 전동 모터(23)가, 스핀 베이스(21)의 회전 속도를 소정의 제1 가열시 속도로 변경한다. 제1 가열시 속도는, 예를 들어, 1000rpm이다.
제1 가열 공정에서는, 기판(W) 상의 제1 처리액의 온도가 용매의 비점 미만이 되도록, 기판(W)이 가열되는 것이 바람직하다. 제1 처리액을, 용매의 비점 미만의 온도로 가열함으로써, 먼저 설명한 바와 같이, 파티클 유지층(100) 중에 용매를 잔류시킬 수 있다. 그리고, 파티클 유지층(100) 중에 잔류한 용매와, 박리액의 상호 작용에 의해서, 당해 파티클 유지층(100)을, 기판(W)의 상면으로부터 박리하기 쉽게 할 수 있다.
제1 가열 공정에서는, 기판(W) 상의 제1 처리액의 온도가 용매의 비점 미만이 되는 것에 더해, 기판(W) 상의 제1 처리액의 온도가 감열 수용성 수지의 변질 온도 미만이 되도록, 기판(W)이 가열되는 것이 바람직하다. 제1 처리액을 변질 온도 미만의 온도로 가열함으로써, 당해 감열 수용성 수지를 수용성으로 변질시키지 않고, 기판(W)의 상면에, 수계의 박리액에 대해서 난용성 내지 불용성의 파티클 유지층(100)을 형성할 수 있다.
제1 가열 공정이 실행됨으로써, 제1 처리액이 고화 또는 경화되어, 기판(W) 상에 파티클 유지층(100)이 형성된다. 도 6a에 도시한 바와 같이, 파티클 유지층(100)이 형성될 때에, 기판(W)의 상면에 부착되어 있던 파티클(101)이, 당해 기판(W)으로부터 떼어지고, 파티클 유지층(100) 중에 유지된다.
제1 처리액은, 파티클(101)을 유지할 수 있을 정도로 고화 또는 경화하면 된다. 제1 처리액의 용매가 완전히 휘발할 필요는 없다. 또, 파티클 유지층(100)을 형성하는 「용질 성분」이란, 제1 처리액에 포함되는 용질 그 자체여도 되고, 용질로부터 이끌어지는 것, 예를 들어, 화학적인 변화의 결과로서 얻어지는 것이어도 된다.
도 5d 및 도 5e에 도시한 바와 같이, 유지층 형성 공정 후, 기판(W)의 상면에 박리액을 공급함으로써 기판(W)의 상면으로부터, 파티클 유지층(100)을 박리하여 제거하는 유지층 제거 공정이 실행된다(S4). 유지층 제거 공정에서는, 제1 박리액으로서 DIW가 기판(W)의 상면에 공급되는 제1 박리액 공급 공정과, 제2 박리액으로서 SC1액이 공급되는 제2 박리액 공급 공정이 실행된다.
도 5d를 참조하여, 제1 박리액 공급 공정에서는, 전동 모터(23)가, 스핀 베이스(21)의 회전 속도를 소정의 제1 박리액 속도로 변경한다. 제1 박리액 속도는, 예를 들어, 800rpm이다. 그리고, 히터 승강 유닛(65)이, 히터 유닛(6)을 하측 위치로 이동시킨다. 그리고, DIW 밸브(52)가 열린다. 이것에 의해, 회전 상태의 기판(W)의 상면을 향해서 고정 노즐(17)로부터 DIW가 공급된다. 기판(W)의 상면에 공급된 DIW는, 원심력에 의해서, 기판(W)의 상면의 전체에 널리 퍼진다. 잉여의 DIW는, 원심력에 의해서 기판(W)으로부터 지름 방향 외방으로 배제된다. 제1 박리액 공급 공정은, 예를 들어, 60초간 계속된다.
도 5e를 참조하여, 제2 박리액 공급 공정에서는, 전동 모터(23)가, 스핀 베이스(21)의 회전 속도를 소정의 제2 박리액 속도로 변경한다. 제2 박리액 속도는, 예를 들어, 800rpm이다. 그로 인해, 제2 박리액 공급 공정에서는, 제1 박리액 공급 공정에 있어서의 기판(W)의 회전 속도가 유지된다. 그리고, 제2 노즐 이동 유닛(32)이, 제2 이동 노즐(16)을 중앙 위치에 이동시킨다. 그리고, DIW 밸브(52)가 닫히고, 그 한편, SC1액 밸브(51)가 열린다. 이것에 의해, 회전 상태의 기판(W)의 상면을 향해서 제2 이동 노즐(16)로부터 SC1액이 공급된다. 기판(W)의 상면에 공급된 SC1액은, 원심력에 의해서, 기판(W)의 상면의 전체에 널리 퍼지고, 기판(W) 상의 DIW를 치환한다. 잉여의 SC1액은, 원심력에 의해서, 기판(W)으로부터 지름 방향 외방으로 배제된다. 제2 박리액 공급 공정에서는, 히터 유닛(6)은 하측 위치에 유지되어 있다.
DIW 및 SC1액은, 모두, 용매로서의 PGEE와의 상용성을 갖는다. 게다가, 감열 수용성 수지를 그 변질 온도 미만으로 가열하여 형성된 파티클 유지층(100)은, 상기 서술한 바와 같이, 수계의 박리액인 DIW나 SC1액에 대해서 난용성 내지 불용성이다. 그로 인해, 이들 박리액은, 파티클 유지층(100) 중에 잔류하는 PGEE와의 상호 작용에 의해서, 당해 파티클 유지층(100)을 형성하는 용질 성분을 용해시키지 않고, 파티클 유지층(100) 중에 침투한다. 그리고, 박리액은, 기판(W)과의 계면에 도달한다. 이것에 의해, 도 6b에 도시한 바와 같이, 파티클(101)을 유지한 채의 파티클 유지층(100)이, 기판(W)의 상면으로부터 떠올라 박리된다.
기판(W)의 상면으로부터 박리된 파티클 유지층(100)은, 기판(W)의 회전에 의한 원심력의 작용에 의해서, 박리액과 함께, 기판(W)의 상면의 둘레 가장자리로부터 배출된다. 즉, 기판(W)의 상면으로부터, 박리된 파티클 유지층(100)이 제거된다.
DIW는, SC1액보다, 박리액으로서의 효과는 낮다. 그러나, DIW는, SC1액에 앞서 공급되어, 파티클 유지층(100) 중에 침투함으로써, 당해 파티클 유지층(100) 중에 잔류하는 PGEE의 적어도 일부와 치환한다. 그리고, DIW는, 다음 공정에서 공급되는 SC1액의, 파티클 유지층(100) 중으로의 침투를 보조하는 작용을 한다.
그로 인해, 박리액으로는, SC1액의 공급에 앞서, DIW를 공급하는 것이 바람직하나, DIW의 공급(제1 박리액 공급 공정)은, 생략되어도 된다. 즉, 박리액으로는, SC1액만을 이용해도 된다.
도 5f를 참조하여, 유지층 제거 공정 후, 기판(W) 상의 박리액을 린스액으로 치환하는 린스 공정이 실행된다(S5). 린스 공정은, 예를 들어, 60초 동안 실행된다.
린스 공정에서는, 전동 모터(23)가, 스핀 베이스(21)의 회전 속도를 소정의 린스 속도로 변경한다. 린스 속도는, 예를 들어, 800rpm이다. 그로 인해, 린스 공정에서는, 제2 박리액 공급 공정에 있어서의 기판(W)의 회전 속도가 유지된다. 그리고, SC1액 밸브(51)가 닫히고, 제2 노즐 이동 유닛(32)이 제2 이동 노즐(16)을 퇴피 위치로 이동시킨다. 그리고, DIW 밸브(52)가 다시 열린다. 이것에 의해, 회전 상태의 기판(W)의 상면을 향해서 고정 노즐(17)로부터 DIW가 공급된다. 기판(W)의 상면에 공급된 DIW는, 원심력에 의해서, 기판(W)의 상면의 전체에 널리 퍼져, 기판(W) 상의 SC1액이 치환된다. 잉여의 DIW는, 원심력에 의해서 기판(W)으로부터 지름 방향 외방으로 배제된다.
도 5g를 참조하여, 린스 공정 후에 잔사 제거액으로서의 IPA를 기판(W) 상에 공급함으로써, 파티클 유지층(100)을 제거한 후의 기판(W)의 상면에 남는 잔사를 제거하는 잔사 제거 공정이 실행된다(S6). 잔사 제거 공정은, 예를 들어, 60초 동안 실행된다.
잔사 제거 공정에서는, 전동 모터(23)가, 스핀 베이스(21)의 회전 속도를 소정의 잔사 제거 속도로 변경한다. 잔사 제거 속도는, 예를 들어, 300rpm이다. 그리고, DIW 밸브(52)가 닫힌다. 그리고, 제3 노즐 이동 유닛(33)이 제3 이동 노즐(18)을 중앙 위치에 이동시킨다. 그리고, IPA 밸브(54)가 열린다. 이것에 의해, 회전 상태의 기판(W)의 상면을 향해서 제3 이동 노즐(18)로부터 IPA가 공급된다. 기판(W)의 상면에 공급된 IPA는, 원심력에 의해서, 기판(W)의 상면의 전체에 널리 퍼져, 기판(W) 상의 DIW가 치환된다. 잉여의 IPA는, 원심력에 의해서 기판(W)으로부터 지름 방향 외방으로 배제된다.
잔사 제거 공정에서는, 히터 승강 유닛(65)은, 히터 유닛(6)을 근접 위치에 배치한다. 이것에 의해, DIW로부터 IPA로의 치환 효율이 향상된다. 잔사 제거 공정에서는, 제2 질소 가스 밸브(55B)도 열린다. 이것에 의해, 제3 이동 노즐(18)의 수평류 토출구(72)로부터 질소 가스 등의 기체가 방사형으로 토출되고, 기판(W)의 상면이 수평 기류(82)로 덮인다(상면 피복 공정). 수평류 토출구(72)로부터의 질소 가스의 토출은, 중심 토출구(70)로부터의 IPA의 토출보다 먼저 개시되는 것이 바람직하다. 수평류 토출구(72)로부터의 질소 가스의 토출량은, 예를 들어 100리터/분 정도이다. 기판(W)의 상면이 질소 가스의 수평 기류(82)로 덮여 있으므로, 챔버(4)의 내벽으로부터 튀어오른 액적이나 분위기 중의 미스트 등이 기판(W)의 상면에 부착되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
도 5h를 참조하여, 잔사 제거 공정 후, 기판(W)의 상면으로의 제2 처리액(저표면장력 액체)으로서의 IPA의 공급이 계속됨으로써, IPA의 액막(150)이 형성되는 액막 형성 공정이 실행된다(S7). 액막 형성 공정은, 예를 들어, 15.4초 동안 실행된다.
상세하게는, 기판(W)의 회전을 감속하여 정지시키고, 기판(W)의 상면에 제2 처리액으로서의 IPA의 두꺼운 액막(150)이 형성된다(제2 처리액 패들 공정). 기판(W)의 회전은, 이 예에서는, 잔사 제거 속도로부터 단계적으로 감속된다(감속 공정, 점차 감속 공정, 단계적 감속 공정). 보다 구체적으로는, 기판(W)의 회전 속도는, 300rpm으로부터 50rpm으로 감속되어 소정 시간 유지되고, 그 후, 10rpm으로 감속되어 소정 시간 유지되며, 그 후, 0rpm(정지)으로 감속되어 소정 시간 유지된다.
한편, 제3 이동 노즐(18)은, 회전축선(A1) 상에 유지되고, 계속해서, 기판(W)의 상면의 회전 중심을 향해서 중심 토출구(70)로부터 제2 처리액으로서의 IPA를 토출하며, 또한 수평류 토출구(72)로부터 불활성 가스를 토출하여 수평 기류(82)를 형성한다. 중심 토출구(70)로부터의 IPA의 토출은, 액막 형성 공정의 전체 기간에 있어서 계속된다. 즉, 기판(W)의 회전이 정지해도, 유기용제의 토출이 계속된다. 이와 같이, 기판(W)의 회전의 감속으로부터 정지에 이르는 전체 기간에 있어서 IPA의 공급이 계속됨으로써, 기판(W)의 상면 도처에서 IPA가 없어질 일이 없다. 또, 기판(W)의 회전이 정지한 후도 IPA의 공급이 계속됨으로써, 기판(W)의 상면에 두꺼운 액막(150)을 형성할 수 있다.
히터 유닛(6)의 위치는, 잔사 제거 공정(S6)시와 동일한 위치이며, 예를 들어, 근접 위치이다. 이것에 의해, 기판(W)은, 대향면(6a)으로부터의 복사열에 의해서 예열된다(기판 예열 공정). 척 핀(20)은, 기판(W)의 회전이 정지한 후, 그 정지 상태가 유지되고 있는 동안에, 닫힘 상태로부터 열림 상태로 완전히 교체된다. 그것에 의해, 척 핀(20)이, 기판(W)의 주연부 하면을 하방으로부터 지지하여, 기판(W)의 상면 주연부로부터 떨어진 상태가 되므로, 기판(W)의 상면 전역이 개방된다.
다음으로, 도 5i를 참조하여, 히터 유닛(6)으로 기판(W)을 들어올린 상태로, 즉, 대향면(6a)을 기판(W)의 하면에 접촉시킨 상태로, 기판(W)을 가열함으로써, 액막(150)과 기판(W)의 상면 사이에 기상층을 형성하는 기상층 형성 공정이 실행된다(S9). 기상층 형성 공정은, 예를 들어, 20초 동안 실행된다.
기상층 형성 공정에 있어서, 히터 승강 유닛(65)은, 히터 유닛(6)을 상측 위치까지 상승시킨다. 이것에 의해서, 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6)의 대향면(6a)이 접촉하는 위치 관계가 된 상태로, 히터 유닛(6)을 이용하여 기판(W)이 가열된다(제2 가열 공정). 상세하게는, 히터 유닛(6)이 상측 위치까지 상승되는 과정에서, 척 핀(20)으로부터 대향면(6a)에 기판(W)이 전달되고, 대향면(6a)에 의해서 기판(W)이 지지된다(히터 유닛 접근 공정, 히터 유닛 접촉 공정). 그리고, IPA 밸브(54)가 닫히고, 중심 토출구(70)로부터의 IPA의 토출이 정지된다. 스핀 베이스(21)의 회전은 정지 상태로 유지되어 있다. 제3 이동 노즐(18)(중심 토출구(70))은 기판(W)의 회전 중심의 상방에 위치하고 있다.
기판(W)의 상면으로부터의 열을 받은 액막(150)에서는, 기판(W)의 상면과의 계면에 있어서 증발이 생긴다. 그것에 의해, 기판(W)의 상면과 액막(150) 사이에, IPA의 기체로 이루어지는 기상층이 생긴다. 따라서, 액막(150)은, 기판(W)의 상면의 전역에 있어서, 기상층 상에 지지된 상태가 된다.
다음으로, 기상층 상에서 액막(150)을 이동시킴으로써, 액막(150)을 구성하는 IPA를 기판(W)의 상면으로부터 배제하는 액막 배제 공정이 실행된다(S9 및 S10). 액막 배제 공정에서는, 구멍 형성 공정(도 5j 참조)과, 구멍 확장 공정(도 5k 참조)이 실행된다.
우선, 도 5j를 참조하여, 액막 배제 공정에서는, 제1 이동 노즐(15)의 선형류 토출구(71)로부터 기판(W)의 중심을 향해 수직으로 소(小)유량(제1 유량. 예를 들어 5리터/분)으로 기체(예를 들어 질소 가스)의 선형 기류(81)를 내뿜으로써, 액막(150)의 중앙 영역에 작은 구멍(151)을 형성하는 구멍 형성 공정이 실행된다(S9). 선형 기류(81)는 소유량이기 때문에, 액막(150)에 작은 구멍(151)을 형성할 때에 액막(150)에서의 액 튀어오름을 방지 또는 억제할 수 있다. 기판(W)의 회전은 정지 상태인 채이며, 따라서, 정지 상태의 기판(W) 상의 액막(150)에 대해서 구멍 형성 공정이 행해진다.
다음으로, 도 5k를 참조하여, 액막 배제 공정에서는, 구멍(151)을 기판(W)의 외주를 향해 확장하고, 기상층 상에서 액막(150)을 이동시킴으로써, 액막(150)을 구성하는 제2 처리액을 기판(W) 밖으로 배제하는 구멍 확장 공정이 실행된다(S10).
액막(150)의 구멍 형성의 직후부터(즉, 거의 동시에), 기판(W)의 급가열이 시작된다. 그것에 의해, 질소 가스에 의한 구멍 형성에 의해서 액막(150)의 외방으로의 이동이 시작되면, 기판(W)의 가열이 신속하게(거의 동시에) 개시되고, 그것에 의해, 액막(150)은 멈추지 않고 기판(W)의 외방으로 이동해 나간다.
보다 구체적으로는, 구멍이 형성되어 액막(150)이 없어진 중앙 영역에서는, 액막(150)이 존재하고 있는 그 주위의 영역과 비교하여, 기판(W)의 온도가 신속하게 상승한다. 그것에 의해, 구멍(151)의 둘레 가장자리에 있어서 기판(W) 내에 큰 온도 구배가 생긴다. 즉, 구멍(151)의 둘레 가장자리의 내측이 고온이고, 그 외측이 저온이 된다. 이 온도 구배에 의해서, 기상층 상에 지지되어 있는 액막(150)이 저온측, 즉, 외방을 향해 이동을 시작하고, 그것에 의해, 액막(150)의 중앙의 구멍(151)이 확대해 간다.
이렇게 하여, 기판(W)의 가열에 의해 생기는 온도 구배를 이용하여, 기판(W) 상의 액막(150)을 기판(W) 밖으로 배제할 수 있다(가열 배제 공정). 보다 구체적으로는, 기판(W)의 상면에 있어서, 패턴이 형성된 영역 내의 액막(150)은, 온도 구배에 의한 IPA의 이동에 의해서 배제할 수 있다.
그리고, 도 5l에 도시한 바와 같이, 매스 플로우 컨트롤러(56)가, 선형류 토출구(71)로부터 토출되는 불활성 가스의 유량을 증량한다. 이것에 의해, 대(大)유량(제2 유량. 예를 들어 80리터/분)의 질소 가스가 기판(W)의 중심에 내뿜어져, 액막(150)의 중앙의 구멍(151)을 더욱 확장할 수 있다(기체 배제 공정, 액막 이동 공정). 유량의 증가에 따라, 유속도 증가한다. 질소 가스 유량의 증가에 의해, 기판(W)의 상면의 외주 영역까지 이동한 액막(150)이 더욱 기판(W) 밖으로 밀린다. 기판(W)의 회전은 정지 상태로 유지된다.
구체적으로는, 온도 구배에 의해서 구멍(151)이 확장되어 가는 과정에서, 질소 가스의 유량을 증가시킴으로써, 액막(150)의 이동이 정지하는 것을 회피하여, 액막(150)의 기판(W) 외방을 향하는 이동을 계속시킬 수 있다. 온도 구배를 이용하는 액막(150)의 이동만으로는, 기판(W)의 상면의 둘레 가장자리 영역에서 액막(150)의 이동이 멈추어 버릴 우려가 있다. 그래서, 질소 가스의 유량을 증가시킴으로써, 액막(150)의 이동을 어시스트할 수 있고, 그것에 의해, 기판(W)의 상면의 전역으로부터 액막(150)을 배제할 수 있다.
제2 질소 가스 밸브(55B)는 열림 상태로 유지되어 있다. 그로 인해, 기판(W)의 상면은, 수평류 토출구(72)로부터 토출되는 질소 가스가 형성되는 수평 기류(82)로 덮여 있다. 따라서, 기판(W)의 상면에 액적이나 미스트 등의 이물이 부착되는 것을 억제 또는 방지하면서, 기판(W) 상의 액막(150)을 배제할 수 있다.
액막(150)이 배제된 후, 도 5m에 도시한 바와 같이, 스핀 드라이 공정이 실행된다(S11). 우선, 히터 승강 유닛(65)이 히터 유닛(6)을 하측 위치에 배치한다. 그 과정에서 기판(W)이 척 핀(20)에 의해서 지지된다. 기판(W)이 척 핀(20)에 지지되면, 척 핀 구동 유닛(25)이 척 핀(20)을 닫힘 상태로 하여, 척 핀(20)에 기판(W)을 파지시킨다. 그리고, 매스 플로우 컨트롤러(56)가 선형류 토출구(71)로부터 토출되는 불활성 가스의 유량을 저감시킨다. 이것에 의해, 중(中)유량(예를 들어 15리터/분)의 질소 가스가 기판(W)의 중심에 내뿜어진다. 그 상태로, 전동 모터(23)는, 스핀 베이스(21)의 회전을 고속의 건조 회전 속도(예를 들어 800rpm)까지 가속된다. 이것에 의해, 원심력에 의해서, 기판(W)의 표면의 액 성분을 완전히 뿌리칠 수 있다.
스핀 드라이 공정에서는, 수평 기류(82)의 형성이 계속되고 있다. 그로 인해, 기판(W)의 상면은 질소 가스 기류에 의해서 덮여 있으므로, 주위에 흩날려 튀어오른 액적이나 주위의 미스트가 기판(W)의 상면에 부착되는 것을 회피할 수 있다.
스핀 드라이 공정에서는, 도 5m에 이점쇄선으로 나타낸 바와 같이, 제3 질소 가스 밸브(55C)를 열어, 경사류 토출구(73)로부터 질소 가스를 토출시켜도 된다. 경사류 토출구(73)로부터 토출되는 질소 가스가 형성하는 경사 기류(83)는, 기판(W)의 상면에 부딪혀, 기판(W)의 상면에 평행한 외방으로 방향을 바꾼다.
스핀 드라이 공정 후는, 스핀 베이스(21)의 회전이 정지되고, 제1 질소 가스 밸브(55A), 제2 질소 가스 밸브(55B) 및 제3 질소 가스 밸브(55C)가 닫혀, 제3 이동 노즐(18)로부터의 질소 가스의 토출이 정지된다. 그리고, 제3 노즐 이동 유닛(33)은, 제3 이동 노즐(18)을 퇴피시킨다. 또한, 척 핀 구동 유닛(25)은, 척 핀(20)을 열림 상태로 한다. 이것에 의해, 기판(W)은, 척 핀(20)에 올려놓여진 상태가 된다. 그 후, 반송 로봇(CR)이, 처리 유닛(2)에 진입하고, 스핀 척(5)으로부터 처리 완료된 기판(W)을 건져 올리고, 처리 유닛(2) 밖으로 반출하는 기판 반출 공정이 실행된다(S12). 그 기판(W)은, 반송 로봇(CR)으로부터 반송 로봇(IR)에 전달되고, 반송 로봇(IR)에 의해서, 캐리어(C)에 수납된다.
도 7a 및 도 7b는, 기판(W)의 상면에 있어서의 기상층(152)의 형성을 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 기판(W)의 상면에는, 미세한 패턴(161)이 형성되어 있다. 패턴(161)은, 기판(W)의 상면에 형성된 미세한 볼록형의 구조체(162)를 포함한다. 구조체(162)는, 절연체막을 포함하고 있어도 되고, 도체막을 포함하고 있어도 된다. 또, 구조체(162)는, 복수의 막을 적층한 적층막이어도 된다. 라인형의 구조체(162)가 인접하는 경우에는, 그들의 사이에 홈이 형성된다. 이 경우, 구조체(162)의 폭(W1)은 10nm~45nm 정도, 구조체(162)들의 간격(W2)은 10nm~수μm 정도여도 된다. 구조체(162)의 높이(T)는, 예를 들어 50nm~5μm 정도여도 된다. 구조체(162)가 통형인 경우에는, 그 내방에 구멍이 형성되게 된다.
액막 형성 공정(S7)에서는, 도 7a에 도시한 바와 같이, 기판(W)의 상면에 형성된 액막(150)은, 패턴(161)의 내부(인접하는 구조체(162) 사이의 공간 또는 통형의 구조체(162)의 내부 공간)를 채우고 있다.
기상 형성 공정(S8)에서는, 히터 유닛(6)과 기판(W)이 접촉한 상태로 기판(W)이 가열되고, 제2 처리액의 비점(IPA의 경우는 82.4℃)보다 높은 온도(110℃~150℃)가 된다. 그것에 의해, 기판(W)의 상면에 접하고 있는 제2 처리액이 증발하여, 제2 처리액의 기체가 발생하고, 도 7b에 도시한 바와 같이, 기상층(152)이 형성된다. 기상층(152)은, 패턴(161)의 내부를 채우고, 또한, 패턴(161)의 외측에 이르러, 구조체(162)의 상면(162A)보다 상방에 액막(150)과의 계면(155)을 형성하고 있다. 이 계면(155) 상에 액막(150)이 지지되어 있다. 이 상태에서는, 유기용제의 액면이 패턴(161)에 접하지 않으므로, 액막(150)의 표면장력에 기인하는 패턴 도괴가 일어나지 않는다.
기판(W)의 가열에 의해서 유기용제가 증발할 때, 액상의 유기용제는 패턴(161) 내로부터 순간적으로 배출된다. 그리고, 형성된 기상층(152) 상에 액상의 유기용제가 지지되고, 패턴(161)으로부터 이격된다. 이렇게 하여, 유기용제의 기상층(152)은, 패턴(161)의 상면(구조체(162)의 상면(162A))과 액막(150) 사이에 개재하여, 액막(150)을 지지한다.
도 7c에 도시한 바와 같이, 기판(W)의 상면으로부터 부상되어 있는 액막(150)에 균열(153)이 생기면, 건조 후에 워터마크 등의 결함의 원인이 된다. 그래서, 이 실시 형태에서는, 기판(W)의 회전을 정지한 후에 유기용제의 공급을 정지하고, 기판(W) 상에 두꺼운 액막(150)을 형성하여, 균열의 발생을 회피하고 있다. 히터 유닛(6)을 기판(W)에 접촉시킬 때에는, 기판(W)의 회전이 정지하고 있으므로, 액막(150)이 원심력에 의해서 분열하지 않으며, 따라서, 액막(150)에 균열이 생기는 것을 회피할 수 있다. 또한, 히터 유닛(6)의 출력 및 기판(W)과의 접촉 시간을 조절하여, 유기용제의 증기가 액막(150)을 찢어 내뿜지 않게 하여, 그것에 의해, 균열의 발생을 회피해도 된다. 보다 구체적으로는, 히터 유닛(6)을 기판(W)으로부터 이격시킴으로써 기판(W)의 과열을 회피하고, 그것에 의해, 액막(150)에 균열이 생기는 것을 회피해도 된다.
기상층(152) 상에 액막(150)이 지지되어 있는 상태에서는, 액막(150)에 작용하는 마찰 저항은, 제로로 간주할 수 있을 만큼 작다. 그로 인해, 기판(W)의 상면에 평행한 방향의 힘이 액막(150)에 더해지면, 액막(150)은 간단히 이동한다. 이 실시 형태에서는, 액막(150)의 중앙에 구멍을 형성하고, 그것에 의해, 구멍(151)의 가장자리에서의 온도차에 의해서 IPA의 흐름을 일으켜, 기상층(152) 상에 지지된 액막(150)을 이동시켜 배제하고 있다.
이 실시 형태의 기판 처리에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 처리액 공급 공정과, 유지층 형성 공정과, 유지층 제거 공정과, 액막 형성 공정과, 기상층 형성 공정과, 액막 배제 공정이 이 차례로 실행된다. 유지층 형성 공정에 있어서, 제1 처리액이 고화 또는 경화됨으로써, 파티클 유지층(100)이 기판(W)의 상면에 형성된다. 제1 처리액이 고화 또는 경화될 때에, 파티클(101)이 기판(W)으로부터 떼어진다. 떼어진 파티클(101)은 파티클 유지층(100) 중에 유지된다. 그로 인해, 유지층 제거 공정에 있어서, 기판(W)의 상면에 박리액을 공급함으로써, 파티클(101)을 유지한 상태의 파티클 유지층(100)을 기판(W)의 상면으로부터 박리하여 제거할 수 있다.
또, 액막 형성 공정에 있어서 기판(W)의 상면을 덮는 IPA(제2 처리액)의 액막(150)이 형성된다. 그리고, 기상층 형성 공정에 있어서, 기판(W)을 가열함으로써, 그 액막(150)과 기판(W)의 상면 사이에 제2 처리액이 증발한 기체로 이루어지는 기상층(152)이 형성된다. 이 기상층(152) 상에 제2 처리액의 액막(150)이 유지된다. 이 상태에서 제2 처리액의 액막(150)을 배제함으로써, 제2 처리액의 표면장력에 의한 기판(W)의 상면의 패턴(161)의 도괴를 억제 또는 방지할 수 있다. 기상층(152)은, 제2 처리액과의 계면이 기판(W)의 상면의 패턴(161) 밖에 위치하도록 형성되는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 기판(W)의 상면의 패턴(161)에 제2 처리액의 표면장력이 작용하는 것을 회피할 수 있고, 표면장력이 작용하지 않는 상태로 제2 처리액의 액막(150)을 기판(W) 밖으로 배제할 수 있다.
이상에 의해, 기판(W)의 상면으로부터 파티클을 양호하게 제거할 수 있고, 또한, 기판(W)의 상면을 양호하게 건조시킬 수 있다.
이 실시 형태에 의하면, 가열 공정이, 유지층 형성 공정에 있어서 히터 유닛(6)을 이용하여 기판(W)을 가열하는 제1 가열 공정과, 기상층 형성 공정에 있어서 히터 유닛(6)을 이용하여 기판(W)을 가열하는 제2 가열 공정을 포함한다. 이 방법에 의하면, 유지층 형성 공정 및 기상층 형성 공정에 있어서 공통의 히터 유닛(6)을 사용할 수 있다. 따라서, 기판(W)을 가열하기 위한 유닛을 복수 설치할 필요가 없다.
이 실시 형태에 의하면, 가열 공정에 있어서 히터 유닛(6)의 온도가 일정하다. 그리고, 가열 공정의 실행 중에, 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6)의 대향면(6a) 사이의 거리가 변경된다(거리 변경 공정).
히터 유닛(6)의 온도 변화에 필요로 하는 시간은, 기판(W)의 온도 변화에 필요로 하는 시간에 비해 길다. 그로 인해, 가열 공정에 있어서, 히터 유닛(6)의 온도를 변경하여 기판(W)을 가열하는 경우, 히터 유닛(6)이 희망하는 온도로 변화할 때까지 기다리지 않으면 기판(W)이 희망하는 온도에 도달하지 않는다. 따라서, 기판 처리에 필요로 하는 시간이 길어질 우려가 있다.
히터 유닛(6)으로부터 기판(W)에 전달되는 열량은, 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6) 사이의 거리에 따라 변화한다. 그래서, 히터 유닛(6)의 온도를 일정하게 유지한 상태로, 기판(W)의 하면과 히터 유닛 사이의 거리를 변경함으로써, 기판의 온도를 희망하는 온도로 변화시킬 수 있다. 따라서, 히터 유닛(6)의 온도 변화에 필요로 하는 시간을 삭감할 수 있다. 나아가서는, 기판 처리에 필요로 하는 시간을 삭감할 수 있다.
기판(W)의 하면과 히터 유닛(6) 사이의 거리가 짧을수록, 기판(W)에 전달되는 열량이 커지고, 기판(W)의 온도 상승의 정도가 커진다. 예를 들어, 제1 가열 공정에서는, 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6)이 이격한 위치 관계가 되도록 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6) 사이의 거리를 변경하고, 제2 가열 공정에서는, 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6)이 접촉하는 위치 관계가 되도록 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6)의 거리를 변경하면, 제2 가열 공정에 있어서의 기판(W)의 온도를 제1 가열 공정에 있어서의 기판(W)의 온도보다 높게 설정할 수 있다.
이 실시 형태에 의하면, 제1 처리액에 포함되는 용질은, 감열 수용성 수지이다. 유지층 형성 공정의 제1 가열 공정에서는, 기판(W)의 상면에 공급된 제1 처리액의 온도가 변질 온도 미만의 온도가 되도록 기판(W)이 가열된다.
이 방법에 의하면, 유지층 형성 공정에서는, 제1 처리액의 온도가 변질 온도 미만의 온도가 되도록 기판(W)이 가열되어 파티클 유지층(100)이 형성된다. 그로 인해, 파티클 유지층(100)은, SC1액이나 DIW 등의 박리액에 대해서 난용성 내지 불용성이지만, 박리액에 의해서 박리가 가능하다. 따라서, 유지층 제거 공정에서는, 기판(W)의 상면에 형성된 파티클 유지층(100)을 박리액에 의해서 용해시키지 않으며, 파티클(101)을 유지한 상태의 파티클 유지층(100)을 기판(W)의 상면으로부터 박리하여 제거할 수 있다.
그 결과, 파티클(101)을 유지한 상태의 파티클 유지층(100)을 기판(W)의 상면으로부터 박리함으로써, 파티클(101)을 높은 제거율로 제거할 수 있다. 또한, 파티클 유지층(100)의 잔사가 기판(W)의 상면에 남거나 재부착되는 것을 억제할 수 있다.
이 실시 형태에 의하면, 유지층 형성 공정에서는, 기판(W)의 상면에 공급된 제1 처리액의 온도가 용매의 비점 미만이 되도록 기판(W)이 가열된다. 그로 인해, 유지층 형성 공정의 제1 가열 공정 후의 파티클 유지층(100) 중에 용매를 잔류시킬 수 있다. 그로 인해, 그 후의 유지층 제거 공정에 있어서, 파티클 유지층(100) 중에 잔류한 용매와, 공급된 박리액의 상호 작용에 의해서, 파티클 유지층(100)을 기판(W)의 상면으로부터 박리하기 쉽게 할 수 있다. 즉, 파티클 유지층(100) 중에 박리액을 침투시켜, 기판(W)과의 계면까지 도달시킴으로써, 파티클 유지층(100)을 기판(W)의 상면으로부터 띄워 박리시킬 수 있다.
이 실시 형태에서는, 박리액이 SC1액 또는 DIW이며, 제1 처리액의 용매가 PGEE이기 때문에, 박리액이 용매에 대한 상용성을 갖고 있다. 유지층 형성 공정에 있어서, 파티클 유지층(100) 중에 용매를 적절히 잔류시켜 두면, 당해 용매에 대해서 상용성의 박리액이 파티클 유지층(100) 중에 침투하여, 기판(W)과의 계면에까지 도달할 수 있다. 그것에 의해, 파티클 유지층(100)을 기판(W)의 상면으로부터 띄워 박리시킬 수 있다.
이 실시 형태에 의하면, 유지층 제거 공정의 후이고 또한 액막 형성 공정의 전에, IPA 등의 잔사 제거액을 기판(W)의 상면에 공급함으로써, 파티클 유지층(100)을 제거한 후의 기판(W)의 상면에 남는 잔사가 제거된다(잔사 제거 공정). 잔사 제거액은, 파티클 유지층(100)을 형성하는 용질 성분을 용해시키는 성질을 갖는다. 그로 인해, 액막 형성 공정의 전에, 파티클 유지층(100)의 잔사를 잔사 제거액에 용해시켜, 기판(W)의 상면으로부터 제거할 수 있다.
이 실시 형태에 의하면, 잔사 제거액이, 제2 처리액과 동일한 액체이다. 그로 인해, 액막 형성 공정에 있어서, 기판(W)의 상면에 잔사 처리액을 제2 처리액으로 치환하는 시간을 삭감할 수 있다. 따라서, 기판 처리에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다.
또, 제2 처리액 공급 유닛인 제3 이동 노즐(18)이 잔사 제거액 공급 유닛으로서도 기능한다. 즉, 액막 형성 공정에서 이용하는 제3 이동 노즐(18)을, 잔사 제거 공정에서도 사용할 수 있다. 그로 인해, 잔사 제거 공정과 액막 형성 공정에서 기판(W)의 상면에 액체를 공급하는 유닛을 변경하지 않고, 잔사 제거 공정과 그 후의 액막 형성 공정을 연속하여 실행할 수 있다.
이 실시 형태에 의하면, 액막 배제 공정이, 구멍 형성 공정과, 구멍 확장 공정을 포함한다. 그로 인해, 액막 배제 공정에 있어서, 액막(150)의 중앙 영역에 형성된 구멍(151)을 외주를 향해 확장함으로써, 기판(W) 상으로부터 액막이 배제된다. 그로 인해, 제2 처리액의 액적이 기판(W) 상에 잔류하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 따라서, 기판의 상면을 양호하게 건조시킬 수 있다.
이 발명은, 이상으로 설명한 실시 형태에 한정되는 것이 아니며, 또 다른 형태로 실시할 수 있다.
예를 들어, 제1 가열 공정에 있어서의 기판(W)의 가열 온도를, 유지층 형성 공정에 있어서 형성될 예정의 파티클 유지층(100)의 두께(막두께)에 따른 온도로 하기 위해서, 거리 변경 공정에 있어서, 제1 가열 공정에 있어서의 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6)의 대향면(6a) 사이의 거리를 변경해도 된다.
파티클 유지층(100)의 막두께는, 기판(W)의 상면에 형성된 패턴의 종류(높이)에 따라 설정된다. 파티클 유지층(100)의 막두께는, 처리액 공급 공정에 있어서의 기판 회전 속도를 변경하여 기판(W) 상의 제1 처리액의 두께를 변경함으로써, 조정할 수 있다. 상세하게는, 기판(W) 상의 제1 처리액의 두께는, 기판 회전 속도가 빠를수록 얇아지기 때문에, 파티클 유지층(100)의 막두께도, 기판 회전 속도가 빠를수록 얇아진다.
또, 제1 가열 공정에서는, 기판(W) 상의 제1 처리액이 가열됨으로써 용매가 휘발하고, 그것에 의해, 파티클 유지층(100)이 형성된다. 용매의 휘발에 의해서 파티클 유지층(100)이 수축하기 때문에, 파티클 유지층(100)의 막두께는, 제1 가열 공정 개시 직전의 기판(W) 상의 제1 처리액의 두께보다 얇아진다. 제1 가열 공정 개시시의 기판(W) 상의 제1 처리액의 액막의 두께에 대한 제1 가열 공정 후의 파티클 유지층(100)의 두께의 비율을, 파티클 유지층(100)의 수축률이라고 한다.
기판(W)의 회전에 의해서 기판(W)의 상면의 제1 처리액이 얇아지면, 제1 가열 공정의 개시 전에 기판(W) 상에 파티클 유지층(100)이 형성되는 경우가 있다. 이 경우, 수축률은, 제1 가열 공정 개시시의 기판(W) 상의 파티클 유지층(100)의 두께에 대한 제1 가열 공정 후의 파티클 유지층(100)의 두께의 비율이다.
파티클 유지층(100)의 수축률은, 파티클의 제거 효과에 영향을 준다. 특히, 수축률이 높을수록, 양호한 파티클 제거 효과가 얻어지는 경향이 있다. 적절한 파티클 제거 효과를 얻기 위해서는, 파티클 유지층(100)을 희망하는 수축률로 수축시킬 필요가 있다. 가열 온도와 수축률의 관계는, 막두께의 크기에 의해서 상이하기 때문에, 희망하는 수축률로 파티클 유지층(100)을 수축시키기 위해서 필요한 가열 온도는, 막두께에 따라 상이하다.
그래서, 유지층 형성 공정에 있어서 형성될 예정의 파티클 유지층(100)의 막두께에 따른 온도로 기판(W)이 가열되도록, 제1 가열 공정에 있어서의 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6)의 대향면(6a) 사이의 거리가 미리 설정되면 된다(거리 설정 공정). 거리 변경 공정에 있어서, 제1 가열 공정에 있어서의 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6)의 대향면(6a) 사이의 거리가, 거리 설정 공정에서 미리 설정된 거리로 변경됨으로써, 용매의 휘발에 의해 형성된 파티클 유지층(100)이 소정의 가열 온도로 가열된다. 이것에 의해, 파티클 유지층(100)을 희망하는 수축률로 수축시킬 수 있으므로, 기판(W) 상으로부터 파티클을 양호하게 제거할 수 있다.
예를 들어, 기판(W) 상에 형성되는 파티클 유지층(100)의 두께가 제1 층두께(예를 들어 30nm)가 되는 회전 속도로, 제1 처리액 공급 공정에 있어서 기판(W)이 회전되는 경우, 본 실시 형태와 같이, 제1 가열 공정에 있어서의 히터 유닛(6)의 위치가 근접 위치에 설정된다. 기판(W) 상에 형성되는 파티클 유지층(100)의 두께가 제2 층두께(예를 들어 75nm)가 되는 회전 속도로, 제1 처리액 공급 공정에 있어서 기판(W)이 회전되는 경우, 본 실시 형태와는 상이하게, 제1 가열 공정에 있어서의 히터 유닛(6)의 위치가 하측 위치에 설정된다.
히터 유닛(6)의 온도가 195℃인 경우, 기판(W)은, 하측 위치에 위치하는 히터 유닛(6)에 의해서 90℃까지 가열된다. 히터 유닛(6)의 온도가 195℃인 경우, 기판(W)은, 근접 위치에 위치하는 히터 유닛(6)에 의해서 110℃까지 가열된다. 제1 처리액의 용질로서 이용되는 감열 수용성 수지의 변질 온도는, 200℃이며, 제1 처리액의 용매로서 이용되는 PGEE의 비점은, 132℃이다. 그로 인해, 히터 유닛(6)의 온도가 195℃인 경우, 제1 가열 위치가 하측 위치 및 근접 위치, 및 이들 사이의 임의의 위치에 설정되면, 제1 가열 공정에 있어서, 기판(W) 상의 제1 처리액의 온도가 용매의 비점 미만이 되고, 또한, 기판(W) 상의 제1 처리액의 온도가 감열 수용성 수지의 변질 온도 미만이 되도록, 기판(W)을 가열할 수 있다.
또, 이 양태면, 히터 유닛(6)의 온도를 195℃ 등의 일정 온도로 유지하면서, 제1 가열 위치를 적당히 변경함으로써, 기판(W)의 가열 온도를 변경할 수 있다. 히터 유닛(6)의 온도 자체를 변경하는 경우, 변경 도중의 온도는, 설정 온도보다 고온이 되는 오버 슛 등이 일어나기 때문에, 히터 유닛(6)의 온도가 설정 온도가 되어 안정되기까지 필요로 하는 시간이 장기화할 수 있다. 그래서, 히터 유닛(6)을 일정한 온도로 유지함으로써, 히터 유닛(6)의 온도 변경에 필요로 하는 시간을 저감시킬 수 있고, 보다 안정적으로 가열 처리를 행할 수 있다.
또, 상기 서술한 실시 형태에서는, 제1 처리액의 용질로서, 감열 수용성 수지를 이용하고 있다. 그러나, 제1 처리액의 용질로서 이용되는 수지는, 감열 수용성 수지 이외의 수지여도 된다.
제1 처리액에 포함되는 용질로서 이용되는 감열 수용성 수지 이외의 수지는, 예를 들어, 아크릴 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 요소 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 알키드 수지, 폴리우레탄, 폴리이미드, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리스티렌, 폴리아세트산 비닐, 폴리테트라플루오로에틸렌, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌 수지, 아크릴로니트릴스티렌 수지, 폴리아미드, 폴리아세탈, 폴리카보네이트, 폴리비닐알코올, 변성 폴리페닐렌에테르, 폴리부틸렌텔레프탈레이트, 폴리에틸렌텔레프탈레이트, 폴리페닐렌설파이드, 폴리설폰, 폴리에테르에테르케톤, 폴리아미드이미드 등을 들 수 있다. 제1 처리액에 있어서, 이들 수지를 이용하는 경우, 용질로서 이용하는 수지를 용해할 수 있는 임의의 용매를 이용할 수 있다.
제1 처리액의 용질로서 감열 수용성 수지 이외의 수지는 변질 온도를 가지지 않으므로, 파티클 유지층 형성 공정의 제1 가열 공정에서는, 제1 처리액의 용질로서 감열 수용성 수지를 이용한 경우와는 달리, 제1 처리액의 온도가 감열 수용성 수지의 변질 온도 미만이 될 필요는 없고, 기판(W) 상의 제1 처리액의 온도가 용매의 비점 미만이 되도록 기판(W)이 가열되면 된다.
제1 처리액의 용질로서 감열 수용성 수지 이외의 수지를 이용하는 경우, 잔사 제거액으로서, 어느 한 수지에 대한 용해성을 갖는 임의의 액체를 이용할 수 있다. 제1 처리액의 용질로서 감열 수용성 수지 이외의 수지를 이용하는 경우, 잔사 제거액으로는, 예를 들어 시너, 톨루엔, 아세트산 에스테르류, 알코올류, 글리콜류 등의 유기용매, 아세트산, 포름산, 하이드록시아세트산 등의 산성액을 이용할 수 있다.
제1 처리액의 용질로는, 상기 서술한 각종 수지 이외에도, 예를 들어, 수지 이외의 유기 화합물이나, 유기 화합물과 다른 혼합물을 이용해도 된다. 혹은, 유기 화합물 이외의 화합물이어도 된다.
박리액으로는, 수계가 아닌 다른 박리액을 이용할 수도 있다. 그 경우에는, 당해 박리액에 난용성 내지 불용성의 파티클 유지층(100)을 형성하는 용질, 박리액에 대해서 상용성을 갖고, 용질을 용해시키는 성질을 갖는 용매, 박리액에 대해서 상용성을 가지며, 용질을 용해시키는 성질을 갖는 잔사 제거액 등을 적당히 조합하면 된다.
또, 상기 서술한 실시 형태에서는, 제2 처리액은, 물보다 표면장력이 낮은 저표면장력 액체이다. 그러나, 제2 처리액은, 저표면장력 액체에 한정되지 않고, DIW여도 된다.
또, 상기 서술한 실시 형태에서는, 제3 이동 노즐(18)로부터 토출되는 IPA를, 제2 처리액 및 잔사 처리액으로서 이용하고 있다. 즉, 상기 서술한 실시 형태에서는, 제2 처리액으로서 이용되는 액체와, 잔사 처리액으로서 이용되는 액체가, 동일한 액체이다. 그러나, 제2 처리액으로서 이용되는 액체와, 잔사 처리액으로서 이용되는 액체가, 동일한 액체가 아니어도, 동종의 액체이면, 잔사 제거 공정 및 액막 형성 공정에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다. 동종의 액체란, 액체를 주로 구성하는 분자가 서로 동일한 복수의 액체를 말한다. 즉, 동종의 액체란, 서로 순도가 상이한 IPA 등이다.
상기 서술한 실시 형태에서는, 기판(W)을 유지하는 스핀 척(5)에 대해서 히터 유닛(6)을 승강시킴으로써, 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6)의 대향면(6a) 사이의 거리를 변경한다고 했다. 상기 서술한 실시 형태와는 상이하게, 히터 유닛(6)에 대해서 스핀 척(5)을 승강시킴으로써, 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6)의 대향면(6a) 사이의 거리를 변경하는 구성이어도 되고, 히터 유닛(6)과 스핀 척(5)을 상대적으로 상하 이동시킴으로써, 기판(W)의 하면과 히터 유닛(6)의 대향면(6a) 사이의 거리를 변경하는 구성이어도 된다.
본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명해 왔으나, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해서 이용된 구체적인 예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예에 한정하여 해석되어야 하는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해서만 한정된다.

Claims (22)

  1. 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 공정과,
    용질과 휘발성을 갖는 용매를 포함하는 제1 처리액을, 상기 기판의 상면에 공급하는 제1 처리액 공급 공정과,
    상기 기판을 가열함으로써, 상기 기판의 상면에 공급된 상기 제1 처리액으로부터, 상기 용매의 적어도 일부를 휘발시킴으로써, 상기 제1 처리액을 고화 또는 경화시켜, 상기 기판의 상면에 파티클 유지층을 형성하는 유지층 형성 공정과,
    상기 파티클 유지층을 박리하는 박리액을 상기 기판의 상면에 공급함으로써, 상기 파티클 유지층을 상기 기판의 상면으로부터 박리하여 제거하는 유지층 제거 공정과,
    상기 파티클 유지층을 상기 기판 상으로부터 제거한 후, 상기 기판의 상면에 제2 처리액을 공급함으로써, 상기 기판의 상면을 덮는 상기 제2 처리액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과,
    상기 기판을 가열하여 상기 기판의 상면에 접하는 상기 제2 처리액을 증발시킴으로써 상기 기판의 상면과 상기 액막 사이에, 상기 액막을 유지하는 기상층을 형성하는 기상층 형성 공정과,
    상기 기상층 상에서 상기 액막을 이동시킴으로써, 상기 액막을 구성하는 상기 제2 처리액을 상기 기판의 상면으로부터 배제하는 액막 배제 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판의 하면에 대향하는 히터 유닛을 이용하여 상기 기판을 가열하는 가열 공정을 더 포함하고,
    상기 가열 공정이, 상기 유지층 형성 공정에 있어서 상기 용매의 적어도 일부를 휘발시키기 위해서, 상기 히터 유닛을 이용하여 상기 기판을 가열하는 제1 가열 공정과, 상기 기상층 형성 공정에 있어서 상기 기상층을 형성하기 위해서, 상기 히터 유닛을 이용하여 상기 기판을 가열하는 제2 가열 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 가열 공정에 있어서 상기 히터 유닛의 온도가 일정하고,
    상기 가열 공정의 실행 중에, 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하는 거리 변경 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 거리 변경 공정이, 상기 제1 가열 공정에 있어서 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛이 이격한 위치 관계가 되도록, 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하는 공정과, 상기 제2 가열 공정에 있어서 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛이 접촉하는 위치 관계가 되도록, 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  5. 청구항 3 또는 청구항 4에 있어서,
    상기 거리 변경 공정이, 상기 유지층 형성 공정으로 형성되는 상기 파티클 유지층의 막두께에 따라, 상기 제1 가열 공정에 있어서의 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하는 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 제1 처리액에 포함되는 상기 용질인 용질 성분은, 변질 온도 이상으로 가열하기 전에는 상기 박리액에 대해서 불용성이고, 또한, 상기 변질 온도 이상으로 가열함으로써 변질되어, 상기 박리액에 대해서 가용성이 되는 성질을 가지며,
    상기 유지층 형성 공정에서는, 상기 기판의 상면에 공급된 상기 제1 처리액의 온도가 상기 변질 온도 미만의 온도가 되도록 상기 기판이 가열되는, 기판 처리 방법.
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 유지층 형성 공정에서는, 상기 기판의 상면에 공급된 상기 제1 처리액의 온도가 상기 용매의 비점 미만이 되도록 상기 기판이 가열되는, 기판 처리 방법.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 박리액이 상기 용매에 대한 상용성을 갖고 있는, 기판 처리 방법.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 유지층 제거 공정의 후이고 또한 상기 액막 형성 공정의 전에, 상기 파티클 유지층에 포함되는 상기 용질인 용질 성분에 대한 용해성을 갖는 잔사 제거액을 상기 기판의 상면에 공급함으로써, 상기 파티클 유지층을 제거한 후의 상기 기판의 상면에 남는 잔사를 제거하는 잔사 제거 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 잔사 제거액이 상기 제2 처리액과 동종의 액체인, 기판 처리 방법.
  11. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 액막 배제 공정이, 상기 기상층이 형성된 후, 상기 기판 상의 상기 액막에 기체를 내뿜어 상기 제2 처리액을 부분적으로 배제함으로써, 상기 액막의 중앙 영역에 있어서 상기 액막에 구멍을 형성하는 구멍 형성 공정과, 상기 구멍을 상기 기판의 외주를 향해 확장하고, 상기 기상층 상에서 상기 액막을 이동시킴으로써, 상기 액막을 구성하는 상기 제2 처리액을 상기 기판 밖으로 배제하는 구멍 확장 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  12. 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과,
    용질 및 휘발성을 갖는 용매를 포함하는 제1 처리액이며, 상기 용매의 적어도 일부가 휘발함으로써 고화 또는 경화하여 상기 기판의 상면에 파티클 유지층을 형성하는 상기 제1 처리액을, 상기 기판의 상면에 공급하는 제1 처리액 공급 유닛과,
    상기 기판의 하면에 대향하며, 상기 기판을 가열하는 히터 유닛과,
    상기 기판의 상면에, 상기 파티클 유지층을 박리하는 박리액을 공급하는 박리액 공급 유닛과,
    상기 기판의 상면에 제2 처리액을 공급하는 제2 처리액 공급 유닛과,
    상기 제1 처리액 공급 유닛, 상기 히터 유닛, 상기 박리액 공급 유닛 및 상기 제2 처리액 공급 유닛을 제어하는 컨트롤러를 포함하고,
    상기 컨트롤러가, 수평으로 유지된 상기 기판의 상면에, 상기 제1 처리액 공급 유닛으로부터 상기 제1 처리액을 공급하는 제1 처리액 공급 공정과, 상기 히터 유닛으로 상기 기판을 가열함으로써 상기 기판의 상면에 공급된 상기 제1 처리액으로부터 상기 용매의 적어도 일부를 휘발시킴으로써, 상기 제1 처리액을 고화 또는 경화시켜, 상기 기판의 상면에 상기 파티클 유지층을 형성하는 유지층 형성 공정과, 상기 박리액 공급 유닛으로부터 상기 박리액을 상기 기판의 상면에 공급함으로써, 상기 파티클 유지층을 상기 기판의 상면으로부터 박리하여 제거하는 유지층 제거 공정과, 상기 파티클 유지층을 상기 기판 상으로부터 제거한 후, 상기 제2 처리액 공급 유닛으로부터 상기 기판의 상면에 상기 제2 처리액을 공급함으로써, 상기 기판의 상면을 덮는 상기 제2 처리액의 액막을 형성하는 액막 형성 공정과, 상기 히터 유닛으로 상기 기판을 가열하여 상기 기판의 상면에 접하는 상기 제2 처리액을 증발시킴으로써, 상기 기판의 상면과 상기 액막 사이에, 상기 액막을 유지하는 기상층을 형성하는 기상층 형성 공정과, 상기 기상층 상에서 상기 액막을 이동시킴으로써, 상기 액막을 구성하는 상기 제2 처리액을 상기 기판의 상면으로부터 배제하는 액막 배제 공정을 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 컨트롤러가, 상기 히터 유닛을 이용하여 상기 기판을 가열하는 가열 공정을 실행하도록 프로그램되어 있고,
    상기 가열 공정이, 상기 유지층 형성 공정에 있어서 상기 용매의 적어도 일부를 휘발시키기 위해서, 상기 히터 유닛을 이용하여 상기 기판을 가열하는 제1 가열 공정과, 상기 기상층 형성 공정에 있어서 상기 기상층을 형성하기 위해서, 상기 히터 유닛을 이용하여 상기 기판을 가열하는 제2 가열 공정을 포함하는, 기판 처리 장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하기 위해서 상기 히터 유닛을 상기 기판 유지 유닛에 대해서 상대적으로 승강시키는 히터 승강 유닛을 더 포함하고,
    상기 컨트롤러가, 상기 가열 공정에 있어서 상기 히터 유닛의 온도가 일정해지도록 상기 히터 유닛을 제어하며, 또한, 상기 가열 공정의 실행 중에, 상기 히터 승강 유닛을 제어하여, 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하는 거리 변경 공정을 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 거리 변경 공정이, 상기 제1 가열 공정에 있어서 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛이 이격한 위치 관계가 되도록, 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하는 공정과, 상기 제2 가열 공정에 있어서 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛이 접촉하는 위치 관계가 되도록, 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하는 공정을 포함하는, 기판 처리 장치.
  16. 청구항 14 또는 청구항 15에 있어서,
    상기 컨트롤러가, 상기 거리 변경 공정에 있어서, 상기 유지층 형성 공정으로 형성되는 상기 파티클 유지층의 막두께에 따라 상기 제1 가열 공정에 있어서의 상기 기판의 하면과 상기 히터 유닛 사이의 거리를 변경하는 공정을 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  17. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 처리액에 포함되는 상기 용질인 용질 성분은, 변질 온도 이상으로 가열하기 전에는 상기 박리액에 대해서 불용성이고, 또한, 상기 변질 온도 이상으로 가열함으로써 변질되어, 상기 박리액에 대해서 가용성이 되는 성질을 가지며,
    상기 컨트롤러가, 상기 유지층 형성 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 공급된 상기 제1 처리액의 온도가 상기 변질 온도 미만의 온도가 되도록, 상기 히터 유닛으로 하여금 상기 기판을 가열하게 하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  18. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
    상기 컨트롤러가, 상기 유지층 형성 공정에 있어서, 상기 기판의 상면에 공급된 상기 제1 처리액의 온도가 상기 용매의 비점 미만이 되도록, 상기 히터 유닛으로 하여금 상기 기판을 가열하게 하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  19. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
    상기 박리액이 상기 용매에 대한 상용성을 갖고 있는, 기판 처리 장치.
  20. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
    상기 파티클 유지층에 포함되는 상기 용질인 용질 성분에 대한 용해성을 갖는 잔사 제거액을 상기 기판의 상면에 공급하는 잔사 제거액 공급 유닛을 더 포함하고,
    상기 컨트롤러가, 상기 유지층 제거 공정의 후이고 또한 상기 액막 형성 공정의 전에, 상기 잔사 제거액 공급 유닛으로부터, 상기 기판의 상면에 상기 잔사 제거액을 공급함으로써, 상기 파티클 유지층을 제거한 후의 상기 기판의 상면에 남는 잔사를 제거하는 잔사 제거 공정을 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 제2 처리액 공급 유닛이 상기 잔사 제거액 공급 유닛으로서 기능하는, 기판 처리 장치.
  22. 청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
    상기 기판의 상면을 향해서 기체를 공급하는 기체 공급 유닛을 더 포함하고,
    상기 컨트롤러가, 상기 기상층이 형성된 후, 상기 기체 공급 유닛으로부터 상기 기판에 기체를 내뿜어 상기 기판 상의 상기 액막의 상기 제2 처리액을 부분적으로 배제함으로써, 상기 액막에 구멍을 형성하는 구멍 형성 공정과, 상기 구멍을 상기 기판의 외주를 향해 확장하고, 상기 기상층 상에서 상기 액막을 이동시킴으로써, 상기 액막을 구성하는 상기 제2 처리액을 상기 기판 밖으로 배제하는 구멍 확장 공정을 상기 액막 배제 공정에 있어서 실행하도록 프로그램되어 있는, 기판 처리 장치.
KR1020180149769A 2017-12-05 2018-11-28 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 KR102130903B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2017-233600 2017-12-05
JP2017233600A JP7008489B2 (ja) 2017-12-05 2017-12-05 基板処理方法および基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190066561A true KR20190066561A (ko) 2019-06-13
KR102130903B1 KR102130903B1 (ko) 2020-07-08

Family

ID=66659507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180149769A KR102130903B1 (ko) 2017-12-05 2018-11-28 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11404292B2 (ko)
JP (1) JP7008489B2 (ko)
KR (1) KR102130903B1 (ko)
CN (1) CN109872960B (ko)
TW (1) TWI696218B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220095023A (ko) * 2020-12-29 2022-07-06 세메스 주식회사 기판 처리 방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7008489B2 (ja) * 2017-12-05 2022-01-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7116676B2 (ja) * 2018-12-14 2022-08-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7301662B2 (ja) * 2019-07-29 2023-07-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN111009457A (zh) * 2019-11-19 2020-04-14 江苏英锐半导体有限公司 一种扩散前处理方法
CN112885719A (zh) * 2019-11-29 2021-06-01 株式会社斯库林集团 基板处理方法、基板处理装置以及配方选择方法
KR20220060020A (ko) * 2020-11-02 2022-05-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
JP7451595B2 (ja) 2022-05-09 2024-03-18 セメス カンパニー，リミテッド 基板処理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014197717A (ja) * 2012-08-07 2014-10-16 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
KR20150111316A (ko) * 2014-03-25 2015-10-05 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20160091281A (ko) * 2015-01-23 2016-08-02 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 그리고 유체 노즐

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7205093B2 (en) * 2005-06-03 2007-04-17 International Business Machines Corporation Topcoats for use in immersion lithography
JP5622675B2 (ja) * 2011-07-05 2014-11-12 株式会社東芝 基板処理方法及び基板処理装置
JP5586734B2 (ja) * 2012-08-07 2014-09-10 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
JP6131162B2 (ja) 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6000822B2 (ja) * 2012-11-26 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法および基板洗浄システム
JP6308910B2 (ja) 2013-11-13 2018-04-11 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体
JP6371253B2 (ja) 2014-07-31 2018-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
JP6426936B2 (ja) 2014-07-31 2018-11-21 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法および記憶媒体
JP6461621B2 (ja) 2015-01-23 2019-01-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6566414B2 (ja) 2015-02-27 2019-08-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置ならびに流体ノズル
JP6721837B2 (ja) 2015-09-30 2020-07-15 Jsr株式会社 半導体基板洗浄用膜形成組成物及び半導体基板の洗浄方法
JP6046225B2 (ja) 2015-10-05 2016-12-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、この基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体、および基板処理装置
JP6704258B2 (ja) * 2016-02-03 2020-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7008489B2 (ja) * 2017-12-05 2022-01-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014197717A (ja) * 2012-08-07 2014-10-16 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
KR20150111316A (ko) * 2014-03-25 2015-10-05 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20160091281A (ko) * 2015-01-23 2016-08-02 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 그리고 유체 노즐

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220095023A (ko) * 2020-12-29 2022-07-06 세메스 주식회사 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR102130903B1 (ko) 2020-07-08
TWI696218B (zh) 2020-06-11
TW201929077A (zh) 2019-07-16
US20220331845A1 (en) 2022-10-20
US11404292B2 (en) 2022-08-02
CN109872960B (zh) 2023-06-30
JP2019102698A (ja) 2019-06-24
CN109872960A (zh) 2019-06-11
JP7008489B2 (ja) 2022-01-25
US20190172733A1 (en) 2019-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102130903B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN107871691B (zh) 基板处理方法和基板处理装置
KR102063405B1 (ko) 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
KR20190034109A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102189396B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102301798B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN112640057B (zh) 衬底处理方法及衬底处理装置
JP6982478B2 (ja) 基板洗浄方法および基板洗浄装置
TW202015198A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
JP7144975B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
TWI743585B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TWI667076B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR102504972B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN111489955A (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
JP2019186388A (ja) 基板処理方法および基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant