JP2004080053A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004080053A
JP2004080053A JP2003377750A JP2003377750A JP2004080053A JP 2004080053 A JP2004080053 A JP 2004080053A JP 2003377750 A JP2003377750 A JP 2003377750A JP 2003377750 A JP2003377750 A JP 2003377750A JP 2004080053 A JP2004080053 A JP 2004080053A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chamber
wafers
transfer
cassette
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003377750A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiro Shino
示野 和弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2003377750A priority Critical patent/JP2004080053A/ja
Publication of JP2004080053A publication Critical patent/JP2004080053A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【目的】半導体製造設備に於いて、ウェーハの搬送時間を短縮し、スループットの向上を
図るものである。
【構成】ウェーハ搬送ロボット17を有する搬送室1にウェーハ処理室4,5及びロード
ロック室21,22を連設し、該ロードロック室に所要枚数のウェーハ20を保持するバ
ッファ棚23を設け、或は更にロードロック室に対向させウェーハ移載ロボット28,2
9を設け、該ウェーハ移載ロボットに対峙させウェーハカセット12を受載可能なカセッ
トエレベータ30,31を設け、ウェーハの処理の前後でウェーハをロードロック室に待
機させ、或は更にウェーハカセットとロードロック室間のウェーハの移載をウェーハ移載
ロボットによって行う。
 【選択図】 図1

Description

本発明は、IC、LSI等、半導体素子を製造する半導体製造装置、特に製造工程の1つ
であるシリコンウェーハ等の被処理物を、加熱、酸化、拡散処理、成膜処理する為の半導
体製造装置に関するものである。
従来の半導体製造装置について図4、図5、図6により説明する。
図中1は搬送室であり、該搬送室1の周囲に放射状に第1ロードロック室2、第1冷却室
3、第1処理室4、第2処理室5、第2冷却室6、第2ロードロック室7が設けられ、前
記搬送室1と第1ロードロック室2、第1処理室4、第2処理室5、第2ロードロック室
7間にはそれぞれゲートバルブ8,9,10,11が設けられ、又前記第1ロードロック
室2、第2ロードロック室7には外部からウェーハカセット12を搬入搬出する為のゲー
トバルブ13、ゲートバルブ14が設けられている。又前記各室は気密構造となっている
前記第1ロードロック室2にはカセットエレベータ15が設けられ、該カセットエレベー
タ15の昇降台16には前記ウェーハカセット12が乗置される様になっている。又、前
記搬送室1にはウェーハ搬送ロボット17が設けられている。該ウェーハ搬送ロボット1
7は2組の独立して駆動される搬送アーム18,19を具備している。前記第1冷却室3
、第2冷却室6には特に図示しないがウェーハ20が載置される載置台が設けられ、前記
第1処理室4、第2処理室5はそれぞれ、2枚のウェーハ20を載置し得る処理ステージ
(図示せず)を有し、ウェーハ20を2枚一括して処理可能となっている。
前記ゲートバルブ13を介してウェーハカセット12が第1ロードロック室2内に搬入さ
れ、前記昇降台16に乗置される。前記ウェーハ搬送ロボット17の搬送アームをゲート
バルブ8を介して前記第1ロードロック室2内に挿入し、前記ウェーハカセット12のウ
ェーハ20を前記ゲートバルブ9を介して前記第1処理室4内に搬入する。
ウェーハ20の処理が完了すると、前記ウェーハ搬送ロボット17により搬送アームを前
記ゲートバルブ9を介して前記第1処理室4内に挿入し、処理済みのウェーハ20を保持
する(図5参照)。第1処理室4からウェーハを搬出後、前記第1ロードロック室2に前
記ゲートバルブ8を介して戻していた。
又、ウェーハの処理でウェーハが高温になる場合は、前記第1ロードロック室2に戻す前
に、前記第1冷却室3で一旦冷却し、冷却後前記第1ロードロック室2に戻していた。
更に、第1処理室4の様に一度に2枚のウェーハ処理が可能な処理室では、前記ウェーハ
搬送ロボット17は2つの搬送アーム18,19で一度にウェーハ20を保持し、搬出す
る。更に、該ウェーハ搬送ロボット17でウェーハ20を前記ウェーハカセット12に戻
す。
通常は第1処理室4内に載置されてるウェーハ20の上下方向のピッチと前記ウェーハカ
セット12のウェーハピッチとは異なっており、前記ウェーハ搬送ロボット17は第1処
理室4からウェーハを取出し後直ちにウェーハ20を前記ウェーハカセット12に挿入す
る訳には行かず、前記搬送アーム18,19の各搬送アームを個別に駆動して1枚ずつ戻
している。
上記した様に、ウェーハを冷却する必要がある場合は冷却室で一旦冷却することから搬送
経路が長くなり、時間が掛かり、又処理室が2枚のウェーハを同時に処理することができ
ても処理済ウェーハをウェーハカセットに戻す場合は1枚ずつとなる為、ウェーハの搬送
時間に要する時間が長くなり、スループットが上がらないという問題があった。
本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハの搬送時間を短縮し、スループットの向上を図るも
のである。
本発明は、搬送室と、前記搬送室と開口を介して気密に連通した処理室と、前記搬送室と
開口を介して気密に連通した気密室と、前記それぞれの開口を気密に閉じるゲートバルブ
と、前記処理室内に設けられ、複数のウェーハを載置する第1の載置手段と、前記気密室
内に設けられ、複数のウェーハを載置する第2の載置手段と、前記搬送室に設けられた第
1のウェーハ搬送ロボットであって、前記第1のウェーハ搬送ロボットは1つの搬送アー
ムと、複数のウェーハを保持可能な前記搬送アームのウェーハ保持部とを有し、前記第1
の載置手段と前記第2の載置手段との間で複数のウェーハを前記それぞれの開口を介して
略水平な方向で移動させる前記第1のウェーハ搬送ロボットと、前記気密室の外にあるカ
セットと前記第2の載置手段との間でウェーハを1枚ずつ搬送する第2の搬送ロボットと
を具備することを特徴とする半導体製造装置に係わり、又、前記第1の載置手段に載置さ
れるウェーハの数と、前記第1のウェーハ搬送ロボットが保持できるウェーハの数とが等
しい半導体製造装置に係わり、又、前記第1の載置手段に載置されるウェーハの保持間隔
と、前記第2の載置手段に載置されるウェーハの保持間隔とが同一の保持間隔である半導
体製造装置に係わるものである。
 又、本発明は、搬送室に気密に連設された処理室、気密室と、前記処理室内で複数のウ
ェーハを載置する第1の載置手段と、前記気密室内に設けられ、前記第1の載置手段に載
置されるウェーハ同士間の位置関係と同様な位置関係で複数のウェーハを載置する第2の
載置手段と、前記搬送室に設けられ、1つの搬送アームと前記搬送アームのウェーハ保持
部が複数のウェーハを保持可能であり、前記第1の載置手段と前記第2の載置手段との間
で複数のウェーハを移動する第1のウェーハ搬送ロボットと、前記気密室の外にあるカセ
ットと前記第2の載置手段との間でウェーハを1枚ずつ搬送する第2の搬送ロボットとを
具備することを特徴とする半導体製造装置に係わり、又、前記第1の載置手段に載置され
るウェーハの数と、前記第1のウェーハ搬送ロボットが保持できるウェーハの数とが等し
い半導体製造装置に係わるものである。
気密室がバッファ機能を有し、処理前、処理後のウェーハを保持するので、ウェーハ搬送
ロボットが搬送する場合の待ち時間が解消され、更に処理後高温のウェーハは気密室で待
機させる間に冷却を行う。又、ウェーハ移載ロボットを別途設けて、ウェーハカセットか
ら気密室にウェーハ搬送ロボットの搬送とは独立してウェーハの移載を行うようにすれば
、処理室と気密室間のウェーハの移載を能率よく行うことができる。
以上述べた如く本発明によれば、気密室にバッファ機能を持たせているので、ウェーハを
気密室待機中に冷却することができ、冷却室を省略することができると共に冷却時間と他
のウェーハ搬送とを重複させることができるので総合的な搬送時間を短縮でき、更に又、
ウェーハ移載ロボットを別途設けて、ウェーハカセットから気密室にウェーハ搬送ロボッ
トの搬送とは独立してウェーハの移載を行うようにすれば、処理室と気密室間のウェーハ
の移載を複数枚一括して行うことができ搬送効率が増してスループットの向上が図れ、更
に移送ロボット、移送ロボットに対して設けたカセットエレベータを気密なカセット収納
室内に収納すればウェーハカセットに保持されたウェーハのパーティクルからの汚染、自
然酸化を防止でき、より高品質なウェーハ処理を行え、品質の向上、歩留まり向上が図れ
るという優れた効果を発揮する。
以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。
図1に於いて、図4中で示したものと同様の構成要素には同符号を付してある。
外形6角形状の搬送室1の隣接する2側壁に第1処理室4、第2処理室5をそれぞれゲー
トバルブ9、ゲートバルブ10を介して気密に連設する。前記搬送室1のウェーハ搬送ロ
ボット17は2組の独立して駆動される搬送アーム18,19を具備し、2枚のウェーハ
20を一括して搬送可能であり、前記第1処理室4、第2処理室5はそれぞれ、2枚のウ
ェーハ20を載置し得る処理ステージ(図示せず)を有し、ウェーハ20を2枚一括して
処理可能である。図示しない処理ステージのウェーハ20の上下方向の保持間隔と前記搬
送アーム18,19のウェーハ保持間隔とは同一にしてある。
前記搬送室1の前記第1処理室4、第2処理室5に対向する2側壁にゲートバルブ8、ゲ
ートバルブ11を介して第1ロードロック室21、第2ロードロック室22を気密に連設
する。該第1ロードロック室21、第2ロードロック室22にはそれぞれバッファ棚23
が設けられ、該バッファ棚23は前記搬送アーム18,19のウェーハ保持間隔と同一ピ
ッチで所要枚数のウェーハを保持可能であり、又前記バッファ棚23はバッファ棚エレベ
ータ24に載置されウェーハの保持ピッチで間欠的に昇降可能である。
前記第1ロードロック室21、第2ロードロック室22に掛渡りカセット収納室25を設
け、該カセット収納室25と前記第1ロードロック室21とをゲート弁26を介して連通
し、前記カセット収納室25と前記第2ロードロック室22とをゲート弁27を介して連
通する。又、前記カセット収納室25にはウェーハカセット12を搬入搬出する為のゲー
ト弁32,33を設ける。
前記カセット収納室25内に前記第1ロードロック室21に対峙させ、1組の搬送アーム
を有するウェーハ移載ロボット28を設け、該ウェーハ移載ロボット28と同様な構成の
ウェーハ移載ロボット29を前記第2ロードロック室22に対峙させ設ける。更に、前記
カセット収納室25内に前記ウェーハ移載ロボット28に対峙させカセットエレベータ3
0を設け、前記第2ロードロック室22に対峙させカセットエレベータ31を設け、前記
カセットエレベータ30、カセットエレベータ31にはそれぞれウェーハカセット12が
乗置可能である。該カセットエレベータ30,31は前記ウェーハカセット12をウェー
ハの保持ピッチで間欠的に昇降可能である。
以下、作動を説明する。
前記搬送室1、第1処理室4、第2処理室5、第1ロードロック室21、第2ロードロッ
ク室22を真空状態とし、前記ゲート弁32、ゲート弁33を開き、前記カセットエレベ
ータ30、カセットエレベータ31にウェーハ20が装填されたウェーハカセット12を
乗置する。前記ゲート弁32、ゲート弁33を閉じ、カセット収納室25を真空状態とす
る。
前記ゲート弁26を開いて前記ウェーハ移載ロボット28によりカセットエレベータ30
のウェーハカセット12から全てのウェーハ20を1枚ずつ前記バッファ棚23に移載す
る。同様に、カセットエレベータ31のウェーハカセット12のウェーハ20を前記ウェ
ーハ移載ロボット29により前記バッファ棚23に移載する。
以下は前記第1ロードロック室21について説明する。
前記ゲートバルブ8、ゲートバルブ11、又前記ゲートバルブ9、ゲートバルブ10を開
き前記ウェーハ搬送ロボット17の2本の搬送アーム18,19によりウェーハ20を2
枚一括で前記バッファ棚23から受取り、前記第1処理室4、第2処理室5のいずれか、
例えば第1処理室4に搬入する。ゲートバルブ9を閉じ第1処理室4でウェーハ20の処
理を行う。
ウェーハの処理が完了すると、前記ゲートバルブ9を開き、前記ウェーハ搬送ロボット1
7の搬送アーム18,19により2枚一括でウェーハ20を受取り、前記バッファ棚23
に移載する。該バッファ棚23はバッファ棚23の全てのウェーハの処理が完了するまで
処理済みのウェーハ20を保管する。而して、保管している間にウェーハは冷却され、ウ
ェーハ冷却の為のタイムロスはない。
全てのウェーハ20の処理が完了すると、前記ゲート弁26、ゲート弁27を閉じ、前記
ゲート弁32、ゲート弁33を開いて前記カセットエレベータ30,31のウェーハカセ
ット12を取出し、未処理ウェーハが装填されたウェーハカセット12を再び前記カセッ
トエレベータ30,31に乗置し、処理を続行する。
而して、第1処理室4、第2処理室5、ウェーハ搬送ロボット17、バッファ棚23のそ
れぞれのウェーハ保持ピッチを同一としてあるので、処理室とバッファ棚間でのウェーハ
の2枚一括搬送を行え、又ウェーハカセット12とバッファ棚23間のウェーハの移載は
ウェーハ移載ロボット28、ウェーハ移載ロボット29により1枚ずつ行っているので、
ウェーハカセット12とバッファ棚23のウェーハ保持ピッチが異なっていても支障なく
ウェーハの移載が行える。
尚、上記実施例中、カセット収納室25は省略することも可能であり、更に処理室の数、
ロードロック室の数は適宜変更することが可能であることは言う迄もなく、複数のロード
ロック室に対して1つのウェーハ移載ロボットの構成とし、前記ウェーハカセット12を
カセットエレベータに上下に積上げる構成にする、或は又ウェーハ搬送ロボット17に3
以上の搬送アームを設けると共に処理室が3以上のウェーハを同時に処理可能とし、3枚
以上のウェーハを一括して搬送する様にしてもよい、或は搬送アームを1つとし、該搬送
アームのウェーハ保持部が2以上のウェーハを保持可能な構造とする等、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々変更を加え得ることは勿論である。
本発明の一実施例を示す平面説明図である。 本発明の一実施例を示す立断面説明図である。 本発明の一実施例を示す立断面説明図である。 従来例を示す平面説明図である。 従来例を示す立断面説明図である。 従来例を示す立断面説明図である。
符号の説明
1 搬送室
4 第1処理室
12 ウェーハカセット
17 ウェーハ搬送ロボット
18 搬送アーム
19 搬送アーム
20 ウェーハ
21 第1ロードロック室
22 第2ロードロック室
23 バッファ棚
25 カセット収納室
28 ウェーハ移載ロボット
29 ウェーハ移載ロボット
30 カセットエレベータ

Claims (3)

  1. 搬送室と、
    前記搬送室と開口を介して気密に連通した処理室と、
    前記搬送室と開口を介して気密に連通した気密室と、
    前記それぞれの開口を気密に閉じるゲートバルブと、
    前記処理室内に設けられ、複数のウェーハを載置する第1の載置手段と、
    前記気密室内に設けられ、複数のウェーハを載置する第2の載置手段と、
    前記搬送室に設けられた第1のウェーハ搬送ロボットであって、前記第1のウェーハ搬送
    ロボットは1つの搬送アームと、複数のウェーハを保持可能な前記搬送アームのウェーハ
    保持部とを有し、前記第1の載置手段と前記第2の載置手段との間で複数のウェーハを前
    記それぞれの開口を介して略水平な方向で移動させる前記第1のウェーハ搬送ロボットと

    前記気密室の外にあるカセットと前記第2の載置手段との間でウェーハを1枚ずつ搬送す
    る第2の搬送ロボットと
    を具備することを特徴とする半導体製造装置。
  2. 前記第1の載置手段に載置されるウェーハの数と、前記第1のウェーハ搬送ロボットが保
    持できるウェーハの数とが等しい請求項1記載の半導体製造装置。
  3. 前記第1の載置手段に載置されるウェーハの保持間隔と、前記第2の載置手段に載置され
    るウェーハの保持間隔とが同一の保持間隔であること
    を特徴とする請求項1、2に記載の基板処理装置。
JP2003377750A 2003-11-07 2003-11-07 半導体製造装置 Pending JP2004080053A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003377750A JP2004080053A (ja) 2003-11-07 2003-11-07 半導体製造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003377750A JP2004080053A (ja) 2003-11-07 2003-11-07 半導体製造装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19799093A Division JP3522796B2 (ja) 1993-07-15 1993-07-15 半導体製造装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004080053A true JP2004080053A (ja) 2004-03-11

Family

ID=32025937

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003377750A Pending JP2004080053A (ja) 2003-11-07 2003-11-07 半導体製造装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2004080053A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056286A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板処理システム
CN104008945A (zh) * 2013-02-22 2014-08-27 中微半导体设备(上海)有限公司 用于等离子体处理装置的基片制程方法
WO2014143662A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc Substrate deposition systems, robot transfer apparatus, and methods for electronic device manufacturing
US8919756B2 (en) 2008-08-28 2014-12-30 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Substrate processing system, carrying device, and coating device
US9214372B2 (en) 2008-08-28 2015-12-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Substrate processing system, carrying device and coating device
JP2018538691A (ja) * 2015-12-01 2018-12-27 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG 堆積チャンバでエピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する方法、エピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する装置、およびエピタキシャル層を有する半導体ウエハ

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9214372B2 (en) 2008-08-28 2015-12-15 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Substrate processing system, carrying device and coating device
JP2010056286A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板処理システム
US8919756B2 (en) 2008-08-28 2014-12-30 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Substrate processing system, carrying device, and coating device
CN104008945A (zh) * 2013-02-22 2014-08-27 中微半导体设备(上海)有限公司 用于等离子体处理装置的基片制程方法
CN105164799A (zh) * 2013-03-15 2015-12-16 应用材料公司 基板沉积系统、机械手移送设备及用于电子装置制造的方法
KR20150131117A (ko) * 2013-03-15 2015-11-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 증착 시스템, 로봇 이송 장치, 및 전자 디바이스 제조 방법
WO2014143662A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc Substrate deposition systems, robot transfer apparatus, and methods for electronic device manufacturing
JP2016512398A (ja) * 2013-03-15 2016-04-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 基板堆積システム、ロボット移送装置、及び電子デバイス製造のための方法
US10427303B2 (en) 2013-03-15 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Substrate deposition systems, robot transfer apparatus, and methods for electronic device manufacturing
CN111489987A (zh) * 2013-03-15 2020-08-04 应用材料公司 基板沉积系统、机械手移送设备及用于电子装置制造的方法
KR102214394B1 (ko) * 2013-03-15 2021-02-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 증착 시스템, 로봇 이송 장치, 및 전자 디바이스 제조 방법
JP2018538691A (ja) * 2015-12-01 2018-12-27 ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトSiltronic AG 堆積チャンバでエピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する方法、エピタキシャル層を有する半導体ウエハを製造する装置、およびエピタキシャル層を有する半導体ウエハ
US10597795B2 (en) 2015-12-01 2020-03-24 Siltronic Ag Method for producing a semiconductor wafer with epitaxial layer in a deposition chamber, apparatus for producing a semiconductor wafer with epitaxial layer, and semiconductor wafer with epitaxial layer

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6582676B2 (ja) ロードロック装置、及び基板処理システム
JP5872153B2 (ja) 真空処理装置及び真空処理装置の運転方法
JPH04229633A (ja) 真空ウェハ搬送処理装置及び方法
JP2007149973A (ja) 基板処理装置
KR20010034036A (ko) 2-웨이퍼 로드록 웨이퍼 처리장치 및 그 로딩 및 언로딩방법
JP2003077974A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2011124565A (ja) 半導体被処理基板の真空処理システム及び半導体被処理基板の真空処理方法
KR101106803B1 (ko) 반도체 웨이퍼 처리용 반도체 제조 시스템, 대기중 로봇핸들링 장비 및 반도체 웨이퍼의 반송 방법
US11600503B2 (en) High-throughput, multi-chamber substrate processing system
JP2003124284A (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP3522796B2 (ja) 半導体製造装置
WO2018016257A1 (ja) 基板処理装置
JP2010147250A (ja) 基板処理装置
JP4494523B2 (ja) インライン型ウェハ搬送装置および基板搬送方法
JPH01251734A (ja) マルチチャンバ型cvd装置
JP2004080053A (ja) 半導体製造装置
US9966286B2 (en) Substrate processing apparatus
JP2005259858A (ja) 基板処理装置
JP4383636B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP4359109B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2020145329A (ja) 基板収容装置
JP2000323549A (ja) 真空処理装置
JP2004128383A (ja) 基板処理装置
JP2003163252A (ja) 基板処理装置
JP2005197543A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040830

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050105