KR20130113437A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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센쇼 고바야시
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 처리의 고효율화가 가능한 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 웨이퍼(W)를 수납하는 수납부(1)와, 웨이퍼(W)를 기밀 상태 하에서 처리하는 복수의 챔버(42, 43)가 주위에 연결되어 있고, 챔버(42, 43)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A41)을 내부에 갖는 반송실(41)과, 챔버(52, 53)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 아암(A51)을 내부에 갖는 반송실(51)을 구비하며, 반송실(41)로 웨이퍼(W)를, 제1 개구부(410)를 통해 반입하는 기판 처리 장치에 있어서, 제1 개구부(410)와는 상이한 위치에 마련된 제2 개구부(60)로부터 배출된 웨이퍼(W)를 반송 아암(A6), 수평 이동부(X6), 상하 이동부(Z6) 및 평행 이동부(63)를 이용하여 수납부(1)로 반출하는 반출실(6)을 구비한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 처리의 고효율화가 가능한 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치에 관한 것이다.
복수의 기판 처리부를 연결하고, 기판 처리부 사이에서 기판을 반송하는 기판 처리 장치가 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이러한 기판 처리 장치로서, 반송실과 반송실 주위에 연결된 복수의 챔버로 이루어진 클러스터를 구비하고, 반송실 내에 갖는 반송 아암이 기판을 각 챔버로 반송하여 각 챔버 내에서 기판을 처리하는 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치가 있다. 또한, 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치로서, 복수의 클러스터를 직렬로 연결하고, 클러스터 사이에서 기판을 전달함으로써 각 클러스터로 기판을 반송하는 멀티 클러스터 방식의 기판 처리 장치가 있다(예컨대, 특허문헌 2 참조).
도 11은 종래 기술의 기판 처리 장치의 예를 나타낸 모식적 평면도이다. 도 11은 기판이 반입되는 제1 클러스터(400)와, 제1 클러스터(400)에 직렬로 연결되어 있는 제2 클러스터(500)를 구비하는 멀티 클러스터 방식의 기판 처리 장치의 예를 나타내고 있다. 제1 클러스터(400)는, 반송 아암(A401)을 갖는 반송실(401)과, 반송실(401)의 주위에 연결되어 있는 챔버(402, 403)를 구비한다. 제2 클러스터(500)는, 반송 아암(A501)을 갖는 반송실(501)과, 반송실(501)의 주위에 연결되어 있는 챔버(502, 503)를 구비한다.
제1 클러스터(400)의 일단에는 로드록실(300)이 연결되어 있고, 타단에는 중계부(401a)를 구비한다. 제1 클러스터(400) 및 제2 클러스터(500) 내에서의 처리가 완료된 기판은, 로드록실(300)을 통해 제1 클러스터(400)로부터 반출된다. 제1 클러스터(400)는, 중계부(401a)를 통해 제2 클러스터(500)와 연결된다. 로드록실(300)에는, 대기압 상태 하에서 기판을 각 수납부(100)와의 사이에서 반송하는 대기 반송부(200)가 연결되어 있다.
또한, 로드록실(300)에는, 내부를 반송실(401) 내의 압력으로 감압하기 위한 배기부(301)와, 내부를 대기 반송부(200) 내의 대기압으로 되돌리기 위한 개방부(302)가 밸브(V301)를 통해 접속되어 있다. 대기 반송부(200)는, 내부에 기판을 반송하는 반송 아암(A200)을 갖는다. 각 수납부(100)에는, 기판이 되는 웨이퍼(W0)가 복수 수납되어 있다. 다음에 도 1에 도시된 종래 기술의 멀티 클러스터 방식의 기판 처리 장치가 각 수납부(100)에 수납되어 있는 웨이퍼(W0)에 대하여 처리를 행하는 절차를 설명한다.
반송 아암(A200)은, 각 수납부(100)로부터, 처리를 행할 1장의 웨이퍼(W0)를 꺼내어 로드록실(300)로 반송하여 보관해 둔다. 반송 아암(A401)은 로드록실(300) 내의 웨이퍼(W0)를 수취하여 반송실(401) 내에 반입한다. 반송실(401)에 반입된 웨이퍼(W0)에 대하여, 예컨대 챔버(403) 내에서 처리를 행하는 경우, 반송 아암(A401)에 의해 반송실(401) 내의 웨이퍼(W0)가 챔버(403) 내로 반송된다. 챔버(403) 내에서 처리가 완료된 경우, 반송 아암(A401)에 의해 챔버(403) 내의 웨이퍼(W0)가 반송실(401) 내로 반송되고, 로드록실(300) 내로 반송되어 보관된다.
반송 아암(A200)은, 로드록실(300) 내의 웨이퍼(W0)를 수취하여 수납부(100)로 반출한다. 반송실(401) 내로 반입된 웨이퍼(W0)에 대하여, 예컨대 제2 클러스터(500)가 갖는 챔버(502) 내에서 처리를 행하는 경우, 반송 아암(A401)에 의해 중계부(401a)로 웨이퍼(W0)가 반송되어 보관된다. 반송 아암(A501)은, 중계부(401a) 내의 웨이퍼(W0)를 수취하여 반송실(501)로 반송한다. 반송 아암(A501)은, 반송실(501) 내의 웨이퍼(W0)를 챔버(502)로 반송한다.
챔버(502) 내에서 처리가 완료된 경우, 반송 아암(A501)에 의해 챔버(502) 내의 웨이퍼(W0)가 반송실(501) 내로 반송되고, 중계부(401a)로 더 반송되어 보관된다. 반송 아암(A401)은, 중계부(401a) 내의 웨이퍼(W0)를 수취하여 반송실(401) 내로 반입한다. 반송실(401) 내의 웨이퍼(W0)는, 반송 아암(A401 및 A200)에 의해 로드록실(300)을 통해 각 수납부(100)로 반출된다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2007-149973호 공보 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 평성 제10-144765호 공보
그러나, 종래 기술에서는, 기판의 반출이 가능한 반출측의 클러스터[제1 클러스터(400)]에 직렬로 연결된 다른 클러스터[제2 클러스터(500)]로부터 기판을 반출하는 경우, 반출측의 클러스터[제1 클러스터(400)]와의 사이에서 기판을 전달하는 절차가 필요하게 되어 처리의 효율이 저하된다고 하는 문제가 있었다.
본원은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이다. 그 목적은, 처리의 고효율화가 가능해지는 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
본원에 개시된 기판 처리 장치는, 기판을 수납하는 수납부와, 기판을 기밀 상태 하에서 처리하는 복수의 기밀 용기가 주위에 연결되어 있고, 상기 기밀 용기와의 사이에서 기판을 반송하는 반송 기구를 내부에 갖는 반송실과, 이 반송실에 마련된 제1 개구부를 통해 기판을 상기 반송실로 반입하는 반입부와, 상기 반송실의 상기 제1 개구부와는 상이한 제2 개구부로부터 배출된 기판을, 상기 반송실로 되돌리지 않고 상기 수납부로 반출하는 반출부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본원에 있어서는, 반송실의 일단측에 마련된 반입부에 의해, 기판이 수납부로부터 반송실 내로 반입된다. 제1 개구부를 통해 반송실에 반입된 기판은, 각 기밀 용기에 반송되어 처리가 행해진다. 처리가 행해진 기판은, 제1 개구부와는 상이한 제2 개구부로부터 반출부로 배출된다. 반출부는 기판을 반송실로 되돌리지 않고 수납부로 반출한다.
본원에 개시된 기판 처리 장치는, 상기 반출부를 내부에 갖는 반출실을 구비하고, 이 반출실은, 내부의 압력을 조정하는 압력 조정부를 구비하며, 상기 반출부는, 상기 압력 조정부에 의해 내부의 압력을 상기 반송실의 압력과 거의 일치시켜 기판을 상기 반송실로부터 반입하고, 상기 압력 조정부에 의해 내부의 압력을 상기 수납부의 압력과 거의 일치시켜 상기 기판을 상기 수납부로 반출하도록 되어 있는 것을 특징으로 한다.
본원에 있어서는, 반출실은, 로드록실로서 기능하며, 압력 조정부에 의해 내부를 반송실 내의 압력으로 감압시킨 후에, 반출부에 의해 반송실로부터 반출실 내로 기판을 반입한다. 그리고, 압력 조정부에 의해 내부를 수납부의 예컨대 대기압 등의 압력으로 가압한 후에, 반출부에 의해 반송실로부터 수납부로 기판을 반출한다.
본원에 개시된 기판 처리 장치는, 상기 반출부와 상기 반송실 사이에 설치되는 압력 조정실과, 상기 반송실로부터 상기 압력 조정실로 기판이 배출되기 전에 상기 압력 조정실의 압력을 진공 상태로 조정하고, 상기 기판이 상기 압력 조정실로부터 상기 반출부로 반출되기 전에 상기 압력 조정실의 압력을 대기압 상태로 조정하는 압력 조정부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본원에 있어서는, 반출부와 상기 반송실 사이에 압력 조정실을 설치한다. 압력 조정부는, 반송실로부터 압력 조정실로 기판이 배출되기 전에 압력 조정실의 압력을 진공 상태로 조정한다. 또한, 압력 조정부는, 기판이 압력 조정실로부터 반출부로 반출되기 전에 압력 조정실의 압력을 대기압 상태로 조정한다.
본원에 개시된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 반송실은, 직렬로 복수 연결되어 반송실 사이에서 기판을 반송 가능하게 되어 있고, 상기 반입부는, 끝에 배치되어 있는 반송실로 기판을 반입하도록 되어 있는 것을 특징으로 한다.
본원에 있어서는, 직렬로 연결되어 있는 복수의 반송실 중, 끝의 반송실로 반입부에 의해 수납실로부터 기판이 반입된다. 끝의 반송실로 반입된 기판은, 직렬로 연결되어 있는 반송실 사이에서 반송되며, 보다 최후미측의 반송실로 이동한다. 최후미의 반송실에 마련된 반출부에 의해 기판은 수납부로 반출된다.
본원에 개시된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 반송실은, 거의 수평 방향을 따라 연결되어 있고, 상기 반출부는, 상기 반송실로부터 반입된 기판을 상기 반송실의 상측 또는 하측으로 이동시키는 상하 이동부와, 상기 반송실의 상측 또는 하측에 배치되어 있으며, 상기 상하 이동부에 의해 이동된 상기 기판을 상기 반송실의 연결 방향과 거의 평행하게 상기 수납부로 이동하는 평행 이동부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본원에 있어서는, 끝의 반송실로 반입된 기판은, 수평 방향을 따라 연결되어 있는 복수의 반송실을 통해 안쪽의 반송실로 반송된다. 안쪽의 반송실로 반송된 기판은, 수평 방향을 따라 연결된 복수의 반송실의 상측 또는 하측을 향해 반송되고, 수평 방향을 따라 복수의 반송실의 상측 또는 하측으로 더 반송되어 수납부로 반출된다.
본원에 개시된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 반출부는, 기판을 가열하는 가열부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본원에 있어서는, 기밀 용기 내에서 처리가 행해진 기판에 대하여 반출부에 의해 가열 처리가 더 행해져 수납부로 반출된다.
본원에 개시된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 반출부는, 기판을 냉각시키는 냉각부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본원에 있어서는, 기밀 용기 내에서 처리가 행해진 기판에 대하여 반출부에 의해 냉각 처리가 더 행해져 수납부로 반출된다.
본원에 개시된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 반출부는, 기판을 세정하는 세정부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본원에 있어서는, 기밀 용기 내에서 처리가 행해진 기판에 대하여 반출부에 의해 세정 처리가 더 행해져 수납부로 반출된다.
상기 장치의 일 관점에 따르면, 반송실로부터 수납부로 기판을 반출하는 반출부를 구비함으로써, 처리의 고효율화가 가능해진다.
도 1은 기판 처리 장치의 예를 나타낸 모식적 평면도이다.
도 2는 기판 처리 장치의 예를 나타낸 모식적 측면도이다.
도 3은 반송 절차를 설명하기 위한 설명도이다.
도 4는 반송 절차를 설명하기 위한 설명도이다.
도 5는 반송 절차를 설명하기 위한 설명도이다.
도 6은 반송 절차를 설명하기 위한 설명도이다.
도 7은 반송 절차를 설명하기 위한 설명도이다.
도 8은 반출실의 다른 예를 나타낸 모식적 측면도이다.
도 9는 세정 방법을 설명하기 위한 설명도이다.
도 10은 실시형태 3에 따른 기판 처리 장치의 예를 나타낸 모식적 평면도이다.
도 11은 종래 기술의 기판 처리 장치의 예를 나타낸 모식적 평면도이다.
실시형태 1
이하, 실시형태를 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다. 본원에 따른 기판 처리 장치는, 실리콘 웨이퍼, 유리 기판 또는 플라스틱 기판 등의 기판에 대하여, 예컨대 진공 상태 하에서 또는 분위기 상태 하에서 박막 형성 등의 처리를 행한다. 기판 처리 장치는, 반송실과, 반송실의 주위에 연결된 복수의 챔버(기밀 용기)를 갖는 클러스터를 구비한다. 반송실 내의 기판은, 각 챔버로 반송되어 각 챔버 내에서 각종 처리가 행해진다. 또한, 반송실에 연결된 챔버는, 내부에서 기판을 처리하는 챔버에 한정되지 않고, 기판을 진공 상태 하에서 검사하기 위해서, 예컨대 전자현미경 및 각종 분광기 등의 시료실로서 설치된 챔버여도 좋다. 기판 처리 장치는, 1개 또는 직렬로 연결된 복수의 클러스터를 갖는다. 본 실시형태에서는, 직렬로 연결된 2개의 클러스터를 갖는 탠덤형의 기판 처리 장치를 예를 들어 설명한다. 또한, 기판으로서 웨이퍼를 예를 든다.
도 1 및 도 2 각각은 기판 처리 장치의 예를 나타낸 모식적 평면도 및 모식적 측면도이다. 기판 처리 장치는, 웨이퍼(W)를 수납하는 수납부(1, 1)와, 웨이퍼(W)를 대기 상태 하에서 반송하는 대기 반송부(2)와, 내부의 압력을 조정하는 로드록실(3)과, 내부에서 기판을 처리하는 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)와, 웨이퍼(W)를 반출하는 후술하는 반출부를 내부에 갖는 반출실(6)을 구비한다. 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)는, 직렬로 연결되며, 제1 클러스터(4)를 통해 제2 클러스터(5)로 기판이 반송 가능하게 되어 있다. 각 수납부(1)에는, 기판이 되는 웨이퍼(W)가 복수 수납되어 있다.
대기 반송부(2)는, 선회 및 신축 가능한 반송 아암(A2)과, 반송 아암(A2)을 수평 방향 및 상하 방향으로 각각 이동시키는 수평 이동부(X2) 및 상하 이동부(Z2)를 갖는다. 대기 반송부(2)는, 로드록실(3)의 일단에 마련된 개구부에 게이트 밸브(G3)를 통해 연결되어 있다. 로드록실(3)의 타단에 마련된 개구부에는, 제1 클러스터(4)의 일단에 마련된 제1 개구부(410)가 게이트 밸브(G41)를 통해 연결되어 있다. 로드록실(3)은 게이트 밸브(G3, G41)를 폐쇄함으로써, 기밀 상태가 된다.
또한, 로드록실(3)에는, 내부를 감압하기 위한 배기부(31)와, 내부를 대기압으로 되돌리기 위한 개방부(32)가 밸브(V31)를 통해 접속되어 있다. 개방부(32)는, 질소 가스 또는 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 서서히 로드록실(3)에 도입함으로써 로드록실(3) 내부를 대기압 상태로 한다. 밸브(V31)는, 배기부(31) 및 개방부(32) 중 어느 하나를 로드록실(3)에 연결하는 전환 밸브이다. 제1 클러스터(4)는, 선회 및 신축 가능한 반송 아암(A41)을 갖는 반송실(41)과, 반송실(41)의 주위에 배치된 챔버(42, 43)를 구비한다. 반송 아암(A2) 및 로드록실(3)은 웨이퍼(W)를 반송실(41)로 반입하는 반입부로서 기능한다.
반송실(41)의 측면에 마련된 각 개구부와, 챔버(42, 43) 각각에 마련된 개구부는, 게이트 밸브(G42, G43)를 통해 연결되어 있다. 제1 클러스터(4)는, 중계부(41a)를 구비하고, 중계부(41a)에 마련된 개구부와, 제2 클러스터(5)의 일단에 마련된 개구부가 게이트 밸브(G51)를 통해 연결되어 있다. 제2 클러스터(5)는, 선회 및 신축 가능한 반송 아암(A51)을 갖는 반송실(51)과, 반송실(51)의 주위에 배치된 챔버(52, 53)를 갖는다. 반송실(51)의 측면에 마련된 각 개구부와, 챔버(52, 53) 각각에 마련된 개구부는 게이트 밸브(G52, G53)를 통해 연결되어 있다.
반송실(51)의 타단에는, 반송실(51)의 타단으로부터 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 하측을 향해 연장되고, 굴곡하여 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 연결 방향과 거의 평행하게 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 하측에서 연장되어 대기 반송부(2)에 연결되는 관상(管狀)의 반출실(6)을 갖는다. 반송실(51)의 타단에 마련된 제2 개구부(60)는, 게이트 밸브(G6)를 통해 반출실(6)의 일단에 마련된 개구부에 연결되어 있다. 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)에서의 성막 처리를 끝낸 웨이퍼(W)가 배출되는 제2 개구부(60)는, 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)에서의 성막 처리를 위해 웨이퍼(W)가 반입되는 제1 개구부(410)와 대향하는 위치에 마련되어 있다. 또한, 본 실시형태에서는 제1 개구부(410)와 제2 개구부(60)를 대향하는 위치에 마련하는 예를 들었지만 이것에 한정되지 않는다. 제1 개구부(410)와 제2 개구부(60)가 상이한 위치에 존재하면, 다른 위치여도 좋다. 반출실(6)의 타단에 마련된 개구부에는, 게이트 밸브(G2)가 설치되고, 게이트 밸브(G2)를 통해 대기 반송부(2)에 연결되어 있다. 반출실(6)은, 게이트 밸브(G6, G2)를 폐쇄함으로써, 기밀 상태가 된다.
반출실(6)은, 선회 및 신축 가능한 반송 아암(A6)과, 반송 아암(A6)을 수평 방향 및 상하 방향으로 각각 이동시키는 수평 이동부(X6) 및 상하 이동부(Z6)와, 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 연결 방향과 거의 평행하게 웨이퍼(W)를 대기 반송부(2)를 향해 이동시키는 평행 이동부(63)를 갖는다. 반송 아암(A6), 수평 이동부(X6), 상하 이동부(Z6) 및 평행 이동부(63)는, 웨이퍼(W)를 반송실(51)로부터 각 수납부(1)가 연결된 대기 반송부(2)로 반출하는 반출부로서 기능한다. 평행 이동부(63)는, 예컨대 모터에 의해 회전되는 볼나사 또는 직선 이동하는 리니어 모터를 이용한 이동 스테이지로서, 배치된 웨이퍼(W)를 이동시킨다. 또한, 평행 이동부(63)는 벨트 컨베이어라도 좋다.
반출실(6)에는, 내부를 감압하기 위한 배기부(61)와, 내부를 대기압으로 되돌리기 위한 개방부(62)가 밸브(V61)를 통해 접속되어 있다. 밸브(V61)는, 배기부(61) 및 개방부(62) 중 어느 하나를 반출실(6)에 연결하는 전환 밸브이다. 개방부(62)는, 질소 가스 또는 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 서서히 반출실(6)에 도입함으로써 반출실(6) 내부를 대기압 상태로 한다. 배기부(61) 및 개방부(62)는, 반출실(6) 내의 압력을 조정하는 압력 조정부로서 기능한다. 반송 아암(A2)은, 일단에 웨이퍼(W)를 유지하는 포크형의 유지부를 가지며, 선회하여 유지부가 수납부(1)와, 이 수납부(1)의 반대측에 위치하는 로드록실(3) 또는 반출실(6)에 대향한다. 그리고, 반송 아암(A2)은, 신장하여 유지부에 의해 유지되어 있는 웨이퍼(W)를 정해진 위치로 반송하고, 웨이퍼(W)의 유지를 해제하여 수축하며, 반송을 완료한다.
반송 아암(A41)은, 양단에 웨이퍼(W)를 각각 유지하는 포크형의 유지부를 가지며, 선회하여 유지부가 로드록실(3)과, 챔버(42, 43)와, 중계부(41a)에 대향한다. 그리고, 반송 아암(A41)은, 신장하여 유지부에 의해 유지되어 있는 웨이퍼(W)를 정해진 위치로 이동시키고, 웨이퍼(W)의 유지를 해제하여 수축함으로써 웨이퍼(W)를 정해진 위치로 반송한다. 반송 아암(A51)은, 양단에 웨이퍼(W)를 각각 유지하는 포크형의 유지부를 가지며, 선회하여 유지부가 중계부(41a)와, 챔버(52, 53)와, 반출실(6)에 대향함으로써 동일하게 웨이퍼(W)를 정해진 위치로 반송한다. 반송 아암(A6)은, 일단에 웨이퍼(W)를 유지하는 포크형의 유지부를 가지며, 신장하여 반송 아암(A51)이 유지하는 웨이퍼(W)를 수취하고, 수축하여 반출실(6) 내로 반입한다. 다음에 기판 처리 장치가 각 수납부(1)에 수납되어 있는 웨이퍼(W)를 반송하는 절차를 설명한다.
도 3 내지 도 7은 반송 절차를 설명하기 위한 설명도이다. 밸브(V31)에 의해 개방부(32)가 로드록실(3)에 연결되고, 로드록실(3)의 내부가 개방부(32)에 의해 대기압 상태가 된다. 각 수납부(1)로부터, 1장의 웨이퍼(W)가 반송 아암(A2)에 의해 유지된다. 게이트 밸브(G3)가 개방되고, 반송 아암(A2)에 의해 웨이퍼(W)가 대기압 상태의 로드록실(3) 내로 반입되며, 게이트 밸브(G3)가 폐쇄된다(도 3 참조).
밸브(V31)에 의해 배기부(31)가 로드록실(3)에 연결되고, 배기부(31)에 의해 로드록실(3) 내가 반송실(41)의 진공 상태와 거의 동일해지도록 감압되며, 게이트 밸브(G41)가 개방된다. 반송 아암(A41)에 의해 로드록실(3) 내의 웨이퍼(W)가, 제1 클러스터(4)의 반송실(41) 내로 반입되고, 게이트 밸브(G41)가 폐쇄된다. 반송실(41)에 반입된 웨이퍼(W)에 대하여, 예컨대 챔버(43) 내에서 처리를 행하는 경우, 게이트 밸브(G43)가 개방되고, 반송 아암(A41)에 의해 웨이퍼(W)가 챔버(43)로 반송되며, 게이트 밸브(G43)가 폐쇄된다.
챔버(43) 내의 웨이퍼(W)에 대하여 처리가 행해진 경우, 게이트 밸브(G43)가 개방되고, 반송 아암(A41)에 의해 웨이퍼(W)가 반송실(41) 내로 되돌려지며, 게이트 밸브(G43)가 폐쇄된다. 웨이퍼(W)에 정해진 모든 처리를 행한 경우, 게이트 밸브(G41)가 개방되고, 반송 아암(A41)에 의해 웨이퍼(W)가 진공 상태의 로드록실(3) 내로 반송되며, 게이트 밸브(G41)가 폐쇄된다. 밸브(V31)에 의해 개방부(32)가 로드록실(3)에 연결되고, 로드록실(3)의 내부가 개방부(32)에 의해 대기압 상태로 되돌려진다. 게이트 밸브(G3)가 개방되고, 반송 아암(A2)에 의해 웨이퍼(W)가 각 수납부(1)로 되돌려지며, 게이트 밸브(G3)가 폐쇄된다.
각 수납부(1)로부터 로드록실(3)로 반송된 웨이퍼(W)에 대하여, 예컨대 제2 클러스터(5)가 갖는 챔버(52) 내에서 처리를 더 행한 경우, 반송 아암(A41)에 의해 로드록실(3)로부터 반송실(41)로 웨이퍼(W)가 반송되고, 중계부(41a)로 더 반송되어 보관된다(도 4 참조). 또한, 제1 클러스터(4)가 갖는 챔버(42, 43) 내에서 처리가 행해져 반송실(41)로 되돌려진 웨이퍼(W)에 대하여, 예컨대 제2 클러스터(5)가 갖는 챔버(52) 내에서 처리를 더 행하는 경우에도, 반송 아암(A41)에 의해 웨이퍼(W)가 중계부(41a)로 반송되어 보관된다. 게이트 밸브(G51)가 개방되고, 반송 아암(A51)에 의해 중계부(41a)에 보관된 웨이퍼(W)가 수취된다.
웨이퍼(W)를 수취한 반송 아암(A51)에 의해 웨이퍼(W)가 클러스터(5)가 갖는 반송실(51)로 반송되고, 게이트 밸브(G51)가 폐쇄된다. 반송실(51)로 반송된 웨이퍼(W)는, 마찬가지로 반송 아암(A51)에 의해 챔버(52)에 반송되어 처리가 행해진다(도 5 참조). 챔버(52) 내의 처리가 완료된 경우, 게이트 밸브(G6)가 개방되고, 반송 아암(A6)에 의해 반송실(51) 내의 웨이퍼(W)가, 내부가 진공 상태인 반출실(6)로 반입되며, 게이트 밸브(G6)가 폐쇄된다(도 6 참조). 밸브(V61)에 의해 개방부(62)가 반출실(6)에 연결되고, 반출실(6)의 내부를 대기압 상태로 하기 위해 개방부(62)에 의해 반출실(6) 내로의 가스의 도입이 시작된다.
웨이퍼(W)를 유지하는 반송 아암(A6)은, 수평 이동부(X6) 및 상하 이동부(Z6)에 의해 평행 이동부(63)를 향해 수평 이동함과 함께 하강한다. 웨이퍼(W)는, 반송 아암(A6)에 의해 평행 이동부(63)로 반송되어 배치된다. 평행 이동부(63)는, 웨이퍼(W)를 게이트 밸브(G2)를 향해 이동시키고, 게이트 밸브(G2)의 바로 앞에서 정지한다. 반출실(6)의 내부가 대기 상태에 도달한 경우, 게이트 밸브(G2)가 개방되고, 반송 아암(A2)에 의해, 평행 이동부(63)에 배치되어 있는 웨이퍼(W)가 각 수납부(1)로 되돌려진다.
본 실시형태 1에서는, 제1 클러스터(4)를 통해 제2 클러스터(5)에 반송된 웨이퍼(W)를 각 수납부(1)로 되돌리는 경우, 반출실(6) 내부를 통과하여 반출함으로써, 제1 클러스터(4)로 되돌리는 절차를 생략하여 처리의 고효율화가 가능해진다. 또한, 반출실(6)은, 내부의 압력을 진공 상태로 감압한 후에 웨이퍼(W)를 반송실(51)로부터 반입하고, 내부의 압력을 대기압 상태로 한 후에 대기 반송부(2)로 반출하는 로드록 기능을 가짐으로써, 로드록실(3)을 이용하여 웨이퍼(W)를 반출할 필요가 없다. 이에 따라, 로드록실(3)을 이용하여 웨이퍼(W)를 반송실(41)로 순차 반입하는 것이 가능해져 처리의 고효율화를 얻을 수 있다. 반출실(6)은, 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 하측에서 연장되어 대기 반송부(2)에 연결되기 때문에, 반출실(6)을 설치함에 따른 기판 처리 장치의 설치 면적의 증대를 억제하는 것이 가능해진다.
반출실(6)은, 수평 이동부(X6) 및 상하 이동부(Z6)에 의해 이동하는 반송 아암(A6)을 갖는 경우에 한정되지 않고, 반송 아암(A6) 대신에 평행 이동부(63)를 향해 비스듬하게 아래쪽으로 이동하는 이동 스테이지를 갖고 있어도 좋다. 평행 이동부(63)가 수납된 반출실(6) 부분은, 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 하측 공간에 배치되는 경우로 한정되지 않고(도 7 참조), 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 상측 공간에 배치되어도 좋다. 이 경우, 반출실(6)은, 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 위쪽을 향해 연장되고, 굴곡하여 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 상측 공간 내에서 연장되어 대기 반송부(2)에 연결된다. 그리고, 웨이퍼(W)를 유지하는 반송 아암(A6)은, 수평 이동부(X6) 및 상하 이동부(Z6)에 의해 평행 이동부(63)를 향해 수평 이동함과 함께 상승하면 좋다.
평행 이동부(63)는, 대기 반송부(2)를 향해 웨이퍼(W)를 이동시키면 좋고, 제1, 제2 클러스터(4, 5)의 연결 방향과 거의 평행하게 이동하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대, 평행 이동부(63)는, 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 연결 방향에 대하여 정해진 각도를 가지며, 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)와의 사이에서 이격되는 방향 또는 접근하는 방향으로 이동하면서 웨이퍼(W)를 대기 반송부(2)를 향해 이동시켜도 좋다. 또한, 예컨대, 평행 이동부(63)는, 위쪽 또는 아래쪽으로 이동하면서 웨이퍼(W)를 대기 반송부(2)를 향해 이동시켜도 좋다.
반출실(6)은, 반송실(51)의 타단으로부터 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 측면을 향해 거의 수평으로 연장되고, 굴곡하여 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 연결 방향과 거의 평행하게 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 측면에서 연장되어 대기 반송부(2)에 연결되어도 좋다. 이 경우, 웨이퍼(W)를 유지하는 반송 아암(A6)은 수평 이동부(X6)에 의해 평행 이동부(63)를 향해 수평 이동하면 좋고, 상하 이동부(Z6)를 마련하지 않아도 좋다. 이에 따라, 반출실(6)을 설치함에 따른 제1 클러스터(4) 및 제2 클러스터(5)의 상측 및 하측 공간에 대해서, 점유 체적의 증대를 억제하는 것이 가능해진다.
본 실시형태 1에서는, 2개의 클러스터가 연결된 기판 처리 장치를 예를 들었지만 이것에 한정되지 않고, 3개 이상의 클러스터가 연결된 기판 처리 장치여도 좋다. 이 경우, 반출실은, 최후미의 클러스터에 설치하면 좋다. 또한, 각 클러스터에서 처리를 완료한 웨이퍼(W)를 수납부로 되돌리는 경우, 각 클러스터로부터 보다 가까운 위치에 있는 반출실 또는 로드록실(3)을 선택하고, 선택한 반출실 또는 로드록실(3)을 통해 웨이퍼(W)를 각 수납부로 반출하면 좋다.
복수의 클러스터가 연결된 기판 처리 장치에 한정되지 않고, 1개의 클러스터를 갖는 기판 처리 장치여도 좋다. 이에 따라, 처리를 완료한 웨이퍼(W)를 로드록실(3)로 다시 되돌리지 않고 반출실(6)을 통해 수납부(1)로 반출할 수 있기 때문에, 수많은 웨이퍼(W)를 효율적으로 처리하는 것이 가능해진다.
실시형태 2
실시형태 2는, 실시형태 1의 반출실(6)이 로드록 기능을 갖는 데 반하여, 가열 기능, 냉각 기능 및 세정 기능을 더 갖는 반출실에 관한 것이다. 도 8은 반출실의 다른 예를 나타내는 모식적 측면도이다. 도면 중 흰색 화살표는 웨이퍼(W)의 이동 방향을 나타낸다. 반출실(7)은, 가열부(74)와, 냉각 가스를 공급하는 냉각 가스 공급부(냉각부)(75)와, 세정 가스를 공급하는 세정 가스 공급부(76)와, 세정 가스를 회수하는 세정 가스 회수부(77)를 포함한다. 세정 가스 공급부(76)는, 반출실(7)의 내부로 돌출되는 토출관(세정부)(T76)에 밸브(V76)를 통해 연결되어 있다.
세정 가스 회수부(77)는, 반출실(7)의 내부로 돌출되는 흡입관(T77)에 밸브(V77)를 통해 연결되어 있다. 반출실(7)의 그 밖의 각 부분은 실시형태 1과 동일하기 때문에 부호가 다른 것을 기재하는 것에 그친다. 반출실(7)은, 배기부(61)와, 개방부(62)와, 밸브(V61)와, 반송 아암(A6)과, 수평 이동부(X6)와, 상하 이동부(Z6)와, 평행 이동부(63)를 포함한다. 가열부(74)는, 평행 이동부(63)를 따라 평행 이동부(63)의 바로 아래의 위치에 마련된 발열선으로 이루어진 라인 히터 또는 적외선 램프 등이며, 평행 이동부(63)에 배치되어 이동하는 웨이퍼(W)를 가열한다. 또한, 가열부(74)를 평행 이동부(63)의 바로 아래의 위치에 마련한 예를 나타내었지만, 이것에 한정되지 않는다. 가열부(74)는 평행 이동부(63)의 바로 위, 일측방, 또는 바로 아래의 위치에 배치되어도 좋다. 또한, 가열부(74)는 평행 이동부(63)의 바로 위 및 바로 아래 또는 양측방 등의 주위 복수 개소에 마련되어도 좋다. 기판 처리 장치는, 제1 클러스터(4) 또는 제2 클러스터(5)에 의한 처리가 완료된 웨이퍼(W)를 가열하는 경우, 반출실(7) 내에서 웨이퍼(W)를 대기 반송부(2)로 반출하는 동안에 가열부(74)에 의해 가열한다. 가열부(74)는, 수평 이동부(X6) 또는 상하 이동부(Z6)에 의해 수평 또는 상하로 이동하는 웨이퍼(W)를 가열하기 위해 수평 이동부(X6) 또는 상하 이동부(Z6)를 따라 마련하여도 좋다.
냉각 가스 공급부(75)는, 개방부(62)보다도 수평 이동부(X6)측에 배치되어 있고, 질소 가스 또는 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 냉각 가스로서 반출실(7)에 공급한다. 냉각 가스는, 반출실(7) 내에서 웨이퍼(W)의 이동 방향을 따라 흘러 개방부(62)로부터 배출된다. 반출실(7) 내에서 흐르는 냉각 가스는, 평행 이동부(63)에 의해 이동하는 웨이퍼(W)를 냉각시킨다. 기판 처리 장치는, 제1 클러스터(4) 또는 제2 클러스터(5) 내에서 처리가 완료된 웨이퍼(W)를 냉각시키는 경우, 밸브(V75)를 개방하고, 반출실(7) 내에서 웨이퍼(W)를 대기 반송부(2)로 반출하는 동안에 냉각시킨다. 냉각 가스 공급부(75)는, 평행 이동부(63)를 내부에 갖는 반출실(7)의 일부에 배치되는 경우로 한정되지 않고, 게이트 밸브(G6) 부근의 반출실(7)의 일부에 배치되어 수평 이동부(X6) 및 상하 이동부(Z6)에 의해 수평 방향 및 상하 방향으로 웨이퍼(W)가 이동하고 있는 경우에도 냉각하여도 좋다.
세정 가스 공급부(76)는, 웨이퍼(W) 표면의 부착물을 분해하는 활성 가스를 세정 가스로서 반출실(7)에 공급한다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 부착물이 CF계(플루오로카본계) 폴리머인 경우, CF계 폴리머를 분해하는 산소 또는 오존을 포함한 가스를 이용하면 좋다. 또한, 부착물을 분해하는 자외선 램프를 설치하여 세정 가스에 의한 세정 효율을 향상시켜도 좋다. 도 9는 세정 방법을 설명하기 위한 설명도이다. 도면 중 흰색 화살표는, 웨이퍼(W)가 배치된 스테이지(S)의 이동 방향을 나타낸다. 도면 중 화살표는, 토출관(T76)으로부터 토출되고, 흡입관(T77)으로 흡인되는 세정 가스가 흐르는 방향을 나타낸다. 토출관(T76) 및 흡입관(T77)은 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 간극을 가지며, 축 방향이 웨이퍼(W)의 이동 방향으로 거의 수직이며, 또한 축 방향이 웨이퍼(W)의 표면에 거의 평행해지도록 설치되어 있다.
또한, 토출관(T76)에는, 복수의 토출 구멍이 축 방향을 따라 형성되어 있고, 각 토출 구멍의 토출 방향이 축 방향과 거의 직교하는 단면에서 보아 4시∼5시 방향에서 토출관(T76)에 교차하도록 배치되어 있다. 흡입관(T77)에는 복수의 흡입 구멍이 축 방향을 따라 형성되어 있고, 각 흡입 구멍의 흡입 방향이 축 방향과 거의 직교하는 단면에서 보아 7시∼8시 방향에서 흡입관(T77)에 교차하도록 배치되어 있다. 토출관(T76)의 토출 구멍으로부터 토출된 세정 가스는, 웨이퍼(W)의 표면에 접촉하고, 표면에서 리바운드되어 흡입관(T77)의 흡입 구멍으로 흡입된다. 웨이퍼(W)의 이동에 따라 웨이퍼(W)의 표면 전체가 세정 가스와의 접촉에 의해 세정된다. 토출관(T76) 및 흡입관(T77)은, 수평 이동부(X6) 또는 상하 이동부(Z6)에 의해 수평 또는 상하로 이동하는 웨이퍼(W)를 세정하도록, 수평 이동부(X6) 또는 상하 이동부(Z6)를 따라 설치하여도 좋다.
본 실시형태에 의해, 제1 클러스터(4) 또는 제2 클러스터(5) 내에서 처리를 완료한 웨이퍼(W)에 대하여 반출실(7)에 의해 가열 처리, 냉각 처리 및 세정 처리를 더 행하여 각 수납부(1)로 되돌리는 것이 가능해진다. 또한, 본 실시형태에서는, 반출실(7)이 가열 처리, 냉각 처리 및 세정 처리의 모든 처리에 필요한 구성을 갖는 경우를 나타내었지만 이것에 한정되지 않는다. 반출실(7) 내부를 이동하는 웨이퍼(W)에 대하여 가열 처리, 냉각 처리 또는 세정 처리 중 어느 하나에 필요한 구성을 갖고 있으면 좋다.
실시형태 3
실시형태 3은 반출실(6)이 압력 조정실과 대기압 상태에 있는 보조 반출실의 2개를 포함하는 형태에 관한 것이다. 도 10은 실시형태 3에 따른 기판 처리 장치의 예를 나타낸 모식적 평면도이다. 반출실(6)은 진공 상태에서 대기압 상태로, 또는 대기압 상태에서 진공 상태로 압력을 조정하는 압력 조정실(6V) 및 대기압 상태 하에서 압력 조정실(6V)로부터 반출된 웨이퍼(W)를 수납부(1)로 반출하는 보조 반출실(6A)을 포함한다. 압력 조정실(6V)은 게이트 밸브(G6) 및 게이트 밸브(G7) 이외에 압력 조정부로서의 배기부(61), 밸브(V61) 및 개방부(62)를 구비한다. 압력 조정실(6V)은 제2 개구부(60) 및 게이트 밸브(G6)를 통해 반송실(51)에 연결되어 있다.
내부를 감압하기 위한 배기부(61)와, 내부를 대기압으로 되돌리기 위한 개방부(62)가 밸브(V61)를 통해 압력 조정실(6V)에 접속되어 있다. 개방부(62)는, 질소 가스 또는 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 서서히 압력 조정실(6V)에 도입함으로써 압력 조정실(6V) 내부를 대기압 상태로 한다. 밸브(V61)는, 배기부(61) 및 개방부(62) 중 어느 하나를 압력 조정실(6V)에 연결하는 전환 밸브이다. 게이트 밸브(G6) 및 게이트 밸브(G7)를 폐쇄한 상태에서 밸브(V61)에 의해 배기부(61)를 압력 조정실(6V)에 연결한 경우, 배기부(61)의 배기에 의해 압력 조정실(6V) 내부는 반송실(51)의 진공 상태와 거의 동일해지도록 감압된다. 또한, 압력 조정실(6V)에 벨트 컨베이어 또는 반송 로봇 등의 도시하지 않은 반송 기구를 설치하여 웨이퍼(W)를 반송실(51)로부터 보조 반출실(6A)로 반송하여도 좋다.
보조 반출실(6A)은 평면에서 보아 L자형이며, 일단은 압력 조정실(6V)의 게이트 밸브(G7)에 연결되고, 하류인 타단은 대기 반송부(2)의 게이트 밸브(G2)에 연결되어 있다. 보조 반출실(6A)은 실시형태 1에서 설명한 반송부로서의 상하 이동부(Z6), 수평 이동부(X6) 및 평행 이동부(63)를 포함한다. 또한, 보조 반출실(6A)은 실시형태 2에서 설명한 라인 히터(74), 냉각 가스 공급부(75), 세정 가스 공급부(76) 또는 세정 가스 회수부(77)를 포함하고 있어도 좋다. 이하 웨이퍼(W)의 반출 절차를 설명한다. 압력 조정실(6V)은 게이트 밸브(G6) 및 게이트 밸브(G7)를 폐쇄한 상태에서 배기부(61)에 의해 배기를 행하고, 반송실(51)의 진공 상태와 거의 동일해지도록 감압한다. 압력 조정실(6V)은 감압 후 게이트 밸브(G6)를 개방한다. 반송 아암(A51)은 제2 개구부(60)를 통해 웨이퍼(W)를 압력 조정실(6V)로 반송한다. 압력 조정실(6V)은 웨이퍼(W)를 반출한 후, 다시 게이트 밸브(G6)를 폐쇄한다. 그 후, 개방부(62)는 압력 조정실(6V) 내의 압력을 대기압 상태로 조정한다. 압력 조정실(6V)은 대기압으로 되돌린 후, 게이트 밸브(G7)를 개방한다. 반송 아암(A6)은 웨이퍼(W)를 압력 조정실(6V)로부터 보조 반출실(6A)로 반송한다.
압력 조정실(6V)은 웨이퍼(W)를 반출한 후, 게이트 밸브(G7)를 폐쇄한다. 보조 반출실(6A)은 상하 이동부(Z6), 수평 이동부(X6) 및 평행 이동부(63)를 이용하여 웨이퍼(W)를 대기 반송부(2)로 반출한다. 게이트 밸브(G2)를 통해 대기 반송부(2)로 반출된 처리를 완료한 웨이퍼(W)는, 수납부(1)로 최종적으로 반송된다. 본 실시형태에 따르면 진공 상태 또는 대기압 상태로 압력을 조정하는 데 시간을 필요로 하여, 반출실(6)을 압력 조정용 압력 조정실(6V)과 반출용 보조 반출실(6A)의 2개로 나누었기 때문에, 웨이퍼(W)의 반출 효율을 보다 향상시킬 수 있게 된다.
본 실시형태 3은 이상과 같으며, 그 밖의 구성 및 작용은 실시형태 1 또는 2와 동일하기 때문에, 대응하는 부분에는 동일한 참조 번호를 붙이고 그 상세한 설명을 생략한다.
1, 100 : 수납부
2, 200 : 대기 반송부
3, 300 : 로드록실(반입부)
4, 400 : 제1 클러스터
5, 500 : 제2 클러스터
6, 7 : 반출실
6V : 압력 조정실
6A : 보조 반출실
W, W0 : 웨이퍼(기판)
31, 61, 301 : 배기부(압력 조정부)
32, 62, 302 : 개방부(압력 조정부)
V31, V61, V75∼V77, V301 : 밸브
41, 51, 401, 501 : 반송실
41a, 401a : 중계부
A2 : 반송 아암(반입부)
A41, A51, A401, A501 : 반송 아암
A6 : 반송 아암(반출부)
42, 43, 52, 53, 402, 403, 503, 503 : 챔버(기밀 용기)
60 : 제2 개구부
63 : 평행 이동부(반출부)
74 : 가열부
75 : 냉각 가스 공급부(냉각부)
76 : 세정 가스 공급부
77 : 세정 가스 회수부
410 : 제1 개구부
T76 : 토출관(세정부)
T77 : 흡입관
G2, G3, G7, G41∼G43, G51∼G53, G6 : 게이트 밸브
X2 : 수평 이동부
X6 : 수평 이동부(반출부)
Z2 : 상하 이동부
Z6 : 상하 이동부(반출부)

Claims (8)

  1. 기판을 수납하는 수납부와,
    기판을 기밀 상태 하에서 처리하는 복수의 기밀 용기가 주위에 연결되어 있고, 상기 기밀 용기와의 사이에서 기판을 반송하는 반송 기구를 내부에 갖는 반송실과,
    이 반송실에 마련된 제1 개구부를 통해 기판을 상기 반송실로 반입하는 반입부와,
    상기 반송실의 상기 제1 개구부와는 상이한 제2 개구부로부터 배출된 기판을, 상기 반송실로 되돌리지 않고 상기 수납부로 반출하는 반출부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반출부를 내부에 갖는 반출실을 구비하고,
    이 반출실은, 내부의 압력을 조정하는 압력 조정부를 구비하며,
    상기 반출부는, 상기 압력 조정부에 의해 내부의 압력을 상기 반송실의 압력과 거의 일치시켜 기판을 상기 반송실로부터 반입하고, 상기 압력 조정부에 의해 내부의 압력을 상기 수납부의 압력과 거의 일치시켜 상기 기판을 상기 수납부로 반출하도록 되어 있는 것을 특징으로 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반출부와 상기 반송실 사이에 설치되는 압력 조정실과,
    상기 반송실로부터 상기 압력 조정실로 기판이 배출되기 전에 상기 압력 조정실의 압력을 진공 상태로 조정하고, 상기 기판이 상기 압력 조정실로부터 상기 반출부로 반출되기 전에 상기 압력 조정실의 압력을 대기압 상태로 조정하는 압력 조정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반송실은, 직렬로 복수 연결되어 반송실 사이에서 기판을 반송 가능하게 되어 있고,
    상기 반입부는, 끝에 배치되어 있는 반송실로 기판을 반입하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 반송실은, 거의 수평 방향을 따라 연결되어 있고,
    상기 반출부는,
    상기 반송실로부터 반입된 기판을 상기 반송실의 상측 또는 하측으로 이동시키는 상하 이동부와,
    상기 반송실의 상측 또는 하측에 배치되어 있고, 상기 상하 이동부에 의해 이동된 상기 기판을 상기 반송실의 연결 방향과 거의 평행하게 상기 수납부로 이동시키는 평행 이동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반출부는, 기판을 가열하는 가열부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반출부는, 기판을 냉각시키는 냉각부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반출부는, 기판을 세정하는 세정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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