TWI557826B - Substrate processing device - Google Patents

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Description

基板處理裝置
本發明係關於一種可將處理高效率化之多腔室方式的基板處理裝置。
有一種基板處理裝置，係連結複數基板處理部而在基板處理部之間搬送基板(例如參看專利文獻1)。此般基板處理裝置係具備有連結於搬送室與搬送室周圍之複數腔室所構成之叢集，而為搬送室內所具有之搬送臂將基板搬送至各腔室來在各腔室內對基板進行處理之多腔室方式的基板處理裝置。又，多腔室方式之基板處理裝置有一種將複數叢集串聯連結，並在叢集間收授基板來將基板搬送至各叢集之多叢集方式的基板處理裝置(例如參看專利文獻2)。
圖11係概略顯示習知技術之基板處理裝置範例的上視圖。圖11係顯示具備有搬入有基板之第1叢集400、串聯地連結於第1叢集400之第2叢集500之多叢集方式的基板處理裝置範例。第1叢集400係具備有具有搬送臂A401之搬送室401以及連結於搬送室401周圍之腔室402、403。第2叢集500則具備有具有搬送臂A501之搬送室501以及連結於搬送室501周圍之腔室502、503。
第1叢集400一端係連結有裝載室300，另端則具有轉運部401a。結束於第1叢集400及第2叢集500內之處理的基板會透過裝載室300從第1叢集400搬出。第1叢集400係透過轉運部401a與第2叢集500連結。裝載室300係連結有在大氣壓狀態下將各基板搬送於各收納部100之間的大氣搬送部200。
又，裝載室300係透過閥體V301連接有將內部朝搬送室內401之壓力減壓用之排氣部301與將內部回復至大氣搬送部200內之大氣壓用之開放部302。大氣搬送部200係具有於內部搬送基板之搬送臂A200。各收納部100係收納有複數成為基板之晶圓W0。接著，說明圖11所示習知技術之多叢集方式的基板處理裝置對各收納部100所收納之晶圓W0進行處理之順序。
搬送臂A200會從各收納部100將進行處理之一片晶圓W0取出，並搬送至裝載室300而留置。搬送臂A401會收取裝載室300內之晶圓W0而搬入至搬送室401內。針對搬入搬送室401內之晶圓W0，例如在腔室403內進行處理的情況，係藉由搬送臂A401將搬送室401內之晶圓W0搬送至腔室403內。在腔室403內結束處理的情況，係藉由搬送臂A401將腔室403內之晶圓W0朝搬送室401搬送，進一步地朝裝載室300內搬送並留置。
搬送臂A200會收取裝載室300內之晶圓W0並朝收納部100搬出。以例如在第2叢集200所具有之腔室502內對被搬入至搬送室401內之晶圓W0進行處理的情況，係藉由搬送臂A401將晶圓W0搬送至轉運部401a並留置。搬送臂A501會收取轉運部401a內之晶圓W0並朝搬送室501搬送。搬送臂A501會將搬送室501內之晶圓 W0搬送至腔室502。
在腔室502內結束處理的情況，係藉由搬送臂A501將腔室502內之晶圓W0朝搬送室501搬送，進一步地朝轉運部401a搬送並留置。搬送臂A401會收取轉運部401a內之晶圓W0並朝搬送室401內搬送。搬送室401內之晶圓W0係介由搬送臂A401及A200透過裝載室300朝各收納部100搬出。
專利文獻
(專利文獻1)：日本特開2007-149973號公報
(專利文獻2)：日本特開平10-144765號公報
然而，習知技術在從可將基板搬出之搬出側的叢集(第1叢集400)串聯地連結其他叢集(第2叢集500)來搬出基板的情況，與搬出側之叢集(第1叢集400)之間便必須要有基板收授的順序，而具有處理效率降低之問題。
本發明有鑑於相關情事，其目的在於提供一種可將處理高效率化之多腔室方式的基板處理裝置。
本發明所揭示之基板處理裝置特徵在於係具備有：收納部，係收納基板；複數搬送室，係於周圍連結有在氣密狀態下處理基板之複數氣密容器，並於內部具有在各氣密容器之間搬送基板之搬送機構，且在相互間透過可搬送基板之中繼部而沿水平方向串聯地連結；搬入部，係將該收納部內之基板朝該搬送室搬入；搬出室，係於內部具有將從該搬送室所排出之基板朝該收納部搬出之搬出部； 配置於一端側之搬送室係透過該搬入部連結至該收納部；配置於另端側之搬送室係透過該搬出室連結至該收納部；該搬出部係具備有：上下移動部，係將該搬出室內之基板朝上側或下側移動；以及平行移動部，係將藉由該上下移動部所移動之基板，於該搬送室之上側或下側，平行於該搬送室之連結方向而朝該收納部移動。
本發明係將基板從收納部朝一端側之搬送室內搬入，並且基板會被搬送至分別連結於搬送室之各氣密容器來進行處理。進行處理後之基板係從另端側之搬送室朝搬出室排出，藉由該搬出室內之搬出部的動作以不會將基板通過其他搬送室，而朝收納部搬出。搬出部具有上下移動部及平行移動部，搬出室可將另端側之搬送室不與沿水平方向連結之剩餘搬送室干涉而連結至收納部。
本發明所揭示之基板處理裝置特徵在於該搬出室具備有調整內部壓力之壓力調整部，該搬出部係將基板朝藉由該壓力調整部使內部壓力一致於該搬送室之壓力的搬出部搬入，並將基板從藉由該壓力調整部使內部壓力一致於該收納部之壓力的搬出室搬出。
本發明搬出室具備有作為裝載室功能，藉由壓力調整部將內部朝搬送室內之壓力減壓後，藉由搬出部將基板從搬送室朝搬出室內搬入。然後，藉由壓力調整部將內部加壓至收納部之例如大氣壓等壓力後，藉由搬出部將基板從搬送室朝收納部搬出。
本發明所揭示之基板處理裝置特徵在於具備有：壓力 調整室，係設置在該搬出室與該搬送室之間；以及壓力調整部，係在基板被從該搬送室朝該壓力調整室排出前，將該壓力調整室之壓力調整為真空狀態，在該基板被從該壓力調整室朝該搬出室搬出前，將該壓力調整室之壓力調整為大氣壓狀態。
本發明係在搬出室與搬送室之間設置壓力調整室。壓力調整室係在基板從搬送室被排出前，將壓力調整室之壓力調整為真空狀態。又，壓力調整部會在基板朝搬出室被搬出前，將壓力調整室之壓力調整為大氣壓狀態。
本發明所揭示之基板處理裝置，其中該搬出室係具備有加熱基板之加熱部。
本發明係對在氣密容器內進行處理後之基板藉由搬出室所設置之加熱部來進一步地進行加熱處理而朝收納部搬出。
本發明所揭示之基板處理裝置，其中該搬出室係具備有冷卻基板之冷卻部。
本發明係對在氣密容器內進行處理後之基板藉由搬出室所設置之冷卻部來進一步地進行冷卻處理而朝收納部搬出。
本發明所揭示之基板處理裝置，其中該搬出室係具備有洗淨基板之洗淨部。
本發明係對在氣密容器內進行處理後之基板藉由搬出室所設置之洗淨部來進一步地進行洗淨處理而朝收納部搬出。
藉由該裝置之一觀點，係藉由將基板從搬送室朝收納部搬出之搬出部而可將處理高效率化。
實施形態1
以下便參看圖式具體地說明實施形態。本發明基板處理裝置係針對矽晶圓、玻璃基板或塑膠基板等基板在例如真空狀態下或氣氛狀態下進行薄膜形成等之處理。基板處理裝置係具備具有搬送室以及連結於搬送室周圍之複數腔室(氣密容器)的叢集。搬送室內之基板係被搬送至各腔室而在各腔室內進行各種處理。又，連結於搬送室之腔室不限於在內部處理基板之腔室，亦可以是為了在真空狀態下檢查基板，而設置為作為例如電子顯微鏡及各種分光器等之試料室的腔室。基板處理裝置具有一個或串聯連結之複數個叢集。本實施形態係例舉具有串聯連結之2個叢集的縱列型基板處理裝置為例作說明。又，基板係例舉晶圓為例。
圖1及圖2分別係概略顯示基板處理裝置範例之上視圖及側視圖。基板處理裝置係具備有：收納部1、1，係收納晶圓W；大氣搬送部2，係在大氣狀態下搬送晶圓W；裝載室(搬入部)3，係可調整內部壓力；第1叢集4及第2叢集5，係於內部處理基板；以及搬出室6，係於內部具有將晶圓搬出的後述之搬出部6。第1叢集4及第2叢集5係串聯連結，透過第1叢集4而可將基板朝第2叢集5搬送。各收納部1係收納有複數成為基板之晶圓W。另 外，申請專利範圍之收納部係包含有收納部1、1與大氣搬送部2。
大氣搬送部2係具有可旋轉及伸縮之搬送臂A2、分別將搬送臂A2於水平方向及上下方向移動之水平移動部X2及上下移動部Z2。大氣搬送部2係透過閘閥G3連結於裝載室3一端所設置之開口部。裝載室3另端所設置之開口部則透過閘閥G41而連接有第1叢集4一端所設置之第1開口部410。裝載室3係藉由封閉閘閥G3、G41而成為氣密狀態。
又，裝載室3係透過閥體V31連接有用將內部減壓之排氣部31及用以將內部回復至大氣壓之開放部32。開放部32係藉由將氮氣或氬氣等非活性氣體慢慢地導入裝載室3來使裝載室3內成為大氣壓狀態。閥體V31係將排氣部31及開放部32任一者連結於裝載室3之切換閥。第1叢集4係具備有：搬送室41，係具有可旋轉及伸縮之搬送臂A41；以及腔室42、43，係配置於搬送室41周圍。搬送臂A2及裝載室3係具有作為將晶圓W朝搬送室41搬入之搬入部功能。
搬送室41側面所設置之各開口部與腔室42、43所分別設置之開口部係透過閘閥G42、G43加以連結。第1叢集4係具備有轉運部41a，轉運部41a所設置之開口部與第2叢集5一端所設置之開口部係透過閘閥G51加以連結。第2叢集5係具備有：搬送室51，係具有可旋轉及伸縮之搬送臂A51；以及腔室52、53，係配置於搬送室 51周圍。搬送室51側面所設置之各開口部與腔室52、53所設置之開口部係透過閘閥G52、53加以連結。
搬送室51另端具有管狀之搬出室6，其係從搬送室51之另端朝第1叢集4及第2叢集5之下側延伸、彎曲而略平行於第1叢集4及第2叢集5之連結方向延伸於第1叢集4及第2叢集5之下側並連結至大氣搬送部2。搬送室51另端所設置之第2開口部60係透過閘閥G6而連結於搬出室6一端所設置之開口部。將結束在第1叢集4及第2叢集5之成膜處理的晶圓W排出之第2開口部60係設置於為了在第1叢集4及第2叢集5進行成膜處理而將晶圓W搬入用之第1開口部410的對向位置。另外，本實施形態中，雖例舉第1開口部410與第2開口部60係設置於對向位置處，但不限於此。只要第1開口部410與第2開口部60存在於不同位置，亦可以為其他位置。搬出室6另端所設置之開口部係設有閘閥G2，並透過閘閥G2連結於大氣搬送部2。搬出室6係藉由封閉閘閥G6、G2而成為氣密狀態。
搬出室6係具備有：可旋轉及伸縮之搬送臂A6；將搬送臂A6朝水平方向及上下方向分別移動之水平移動部X6及上下移動部Z6；平行移動部63，係將晶圓W略平行於第1叢集4及第2叢集5的連結方向而朝大氣搬送部2移動。搬送臂A6、水平移動部X6、上下移動部Z6以及平行移動部63具有作為將晶圓W從搬送室51朝連結有各收納部1之大氣搬送部2搬出之搬出部功能。平行移 動部63係例如藉由馬達旋轉之滾珠螺桿或使用直線移動之線性馬達的移動台，來移動載置之晶圓W。又，平行移動部63亦可為輸送帶。
搬出室6係透過閥體V61連接有將內部減壓用之排氣部61及將內部回復至大氣壓用之開放部62。閥體V61係將排氣部61及開放部62任一者連結於搬出室6之切換閥。開放部62係藉由將氮氣或氬氣等非活性氣體慢慢地導入搬出室6來使搬出室6內成為大氣壓狀態。排氣部61與開放部62係具有作為調整搬出室6內之壓力的壓力調整部功能。搬送臂A2係具有於一端保持晶圓W之叉型保持部，並旋轉使得保持部對向於收納部1、位於該收納部1相反側之裝載室3或搬出室6。然後，搬送臂A2會伸長而將藉由保持部保持之晶圓W搬送至既定位置，解除晶圓W之保持而收縮並結束搬送。
搬送臂A41係具有於兩端各自保持晶圓W之叉型保持部，並旋轉使得保持部對向於裝載室3、腔室42、43及轉運部41a。然後，搬送臂A41會伸長而將藉由保持部所保持之晶圓W移動至既定位置，藉由解除晶圓W的保持而收縮來將晶圓W朝既定位置搬送。搬送臂A51係具有於兩端各自保持晶圓W之叉型保持部，並旋轉使得保持部對向於轉運部41a、腔室52、53及搬出室6來同樣地將晶圓W朝既定位置搬送。搬送臂A6係具有於一端保持晶圓W之叉型保持部，並伸長來收取搬送臂A51所保持之晶圓W，再收縮而搬入至搬出室6內。接著，說明基板 處理裝置之各收納部1所收納的晶圓搬送順序。
圖3至圖7係說明搬送順序之說明圖。開放部32藉由閥體V31連結於裝載室3，藉由開放部32將裝載室3內部成為大氣壓狀態。藉由搬送臂A2從各收納部1來保持一片晶圓W。開啟閘閥G3，藉由搬送臂A2將晶圓W朝大氣壓狀態之裝載室3搬入，並封閉閘閥G3(參看圖3)。
排氣部31藉由閥體V31連結於裝載室3，藉由排氣部31將裝載室3內減壓至略相同於搬送室41之真空狀態，開啟閘閥G41。藉由搬送臂A41將裝載室3內之晶圓W搬入至第1叢集4之搬送室41內，封閉閘閥G41。對被搬入至搬送室41之晶圓W，例如在腔室43內進行處理的情況，係將閘閥G43開啟，藉由搬送臂A41將晶圓W朝腔室43搬送，封閉閘閥G43。
對腔室43內之晶圓W進行處理後的情況，係開啟閘閥G43，藉由搬送臂A41將晶圓W回復至搬送室41內，封閉閘閥G43。對晶圓W進行既定的所有處理後之情況，係開啟閘閥G41，藉由搬送臂A41將晶圓W朝真空狀態之裝載室3內搬送，封閉閘閥G41。開放部32係藉由閥體V31連結於裝載室3，藉由開放部32將裝載室3內部回復至大氣壓狀態。將閘閥G3開啟，藉由搬送臂A2將晶圓W回復至各收納部1，封閉閘閥G3。
對從各收納部1搬送至裝載室3之晶圓W進一步地於例如第2叢集5所具有之腔室52內進行處理的情況，係藉由搬送臂A41將晶圓W從裝載室3搬送至搬送室 41，進一步地朝轉運部41a搬送並留置(參看圖4)。又，對在第1叢集4所具有之腔室42、43內進行處理而回復至搬送室41後的晶圓W進一步地在例如第2叢集5所具有之腔室52內進行處理的情況，也是藉由搬送臂A41將晶圓W朝轉運部41a搬送並留置。將閘閥G51開啟，藉由搬送臂A51收取轉運部41a所留置之晶圓W。
藉由收取晶圓W後之搬送臂A51將晶圓W朝叢集5所具有之搬送室51搬送，封閉閘閥G51。朝搬送室51搬送後之晶圓W同樣地係藉由搬送臂A51搬送至腔室52而進行處理(參看圖5)。結束腔室52內之處理的情況，係開啟閘閥G6，藉由搬送臂A6將搬送室51內之晶圓W朝內部為真空狀態之搬出室6搬入，封閉閘閥G6(參看圖6)。開放部62係藉由閥體V61連結於搬出室6，藉由開放部62開始將使搬出室6內部回復至大氣壓狀態的氣體導入搬出室6。
保持晶圓W之搬送臂A6係藉由水平移動部X6及上下移動部Z6朝平行移動部63水平移動並下降。晶圓W係藉由搬送臂A6朝平行移動部63搬送並載置。平行移動部63係將晶圓W朝閘閥G2移動，而停止於閘閥G2前。搬出室6內部達到大氣狀態後的情況，係開啟閘閥G2，藉由搬送臂A2將平行移動部63所載置之晶圓W回復至各收納部1。
本實施形態1中，在將透過第1叢集4搬送至第2叢集5後之晶圓W回復至各收納部1的情況，係藉由通過 搬出室6內來搬出而省去回復至第1叢集4之順序以可將處理高效率化。又，搬出室6係在內部壓力減壓至真空狀態後將晶圓W從搬送室51搬入，並在內部壓力成為大氣壓狀態後朝大氣搬送部2搬出而具有裝載功能，因此沒有使用裝載室3來將晶圓W搬出的必要。藉此，便可使用裝載室3來將晶圓W依序朝搬送室41搬入，而可將處理高高效率化。搬出室6由於係延伸於第1叢集4及第2叢集5之下側而連結於大氣搬送部2，因此可以抑制設置搬出室6所導致之基板處理裝置設置面積的增大。
搬出室6不限於具有藉由水平移動部X6及上下移動部Z6移動之搬送臂A6的情況，亦可取代搬送臂A6而具有朝平行移動部63斜下方移動之移動台。收納有平行移動部63之搬出室6部分並不限於配置在第1叢集4及第2叢集5之下側空間的情況(參看圖7)，亦可配置於第1叢集4及第2叢集5的上側空間。此情況下，搬出室6係朝第1叢集4及第2叢集5的上方延伸、彎曲而延伸於第1叢集4及第2叢集5之上側空間內並連結至大氣搬送部2。然後，保持晶圓W之搬送臂A6係藉由水平移動部X6及上下移動部Z6朝平行移動部63水平移動並上升即可。
平行移動部63只要朝大氣搬送部2移動晶圓W即可，並不限於略平行於第1叢集4及第2叢集5之連結方向而移動之情況。例如，平行移動部63亦可相對於第1叢集4及第2叢集5之連結方向而具有既定角度，並在第1叢集4及第2叢集5之間朝遠離方向或接近方向移動而 將晶圓W朝大氣搬送部2移動。又，例如平行移動部63亦可朝上方或下方移動而將晶圓W朝大氣搬送部2移動。
搬出室6亦可從搬送室51另端朝第1叢集4及第2叢集5之側面略水平地延伸、彎曲而略平行於第1叢集4及第2叢集5的連結方向延伸於第1叢集4及第2叢集5之側面並連結至大氣搬送部2。此情況下，保持晶圓W之搬送臂A6可藉由水平移動部X6朝平行移動部63水平移動，而不設置上下移動部Z6。藉此，可抑制因設置搬出室6而在第1叢集4及第2叢集之上側及下側之佔有體積的增大。
本實施形態1中，雖係例舉連結有2個叢集之基板處理裝置為例，但不限於此，亦可以為連結有3個以上叢集之基板處理裝置。此情況下，搬出室設置在最後端的叢集即可。又，將在各叢集結束處理後之晶圓W回復至收納部的情況，從各叢集選擇較近位置的搬出室或裝載室3，透過所選擇之搬出室或裝載室3來將晶圓W朝各收納部搬出即可。
不限於連結有複數叢集之基板處理裝置，亦可以為具有1個叢集之基板處理裝置，藉此，由於可不用將處理完畢之晶圓再回復至裝載室3而通過搬出室6朝收納部1搬出，故可有效率地處理多數的晶圓W。
實施形態2
實施形態2相較於實施形態1之搬出室6係具有裝載室功能，係關於進一步地具有加熱功能、冷卻功能及洗淨 功能之搬出室。圖8係概略顯示搬出室之其他範例之側面圖。圖中白色箭頭係顯示晶圓W的移動方向。搬出室7係含有加熱部74、供應冷卻氣體之冷卻氣體供應部(冷卻部)75、供應洗淨氣體之洗淨氣體供應部76，以及回收洗淨氣體之洗淨氣體回收部77。洗淨氣體供應部76係透過閥體V76連結至突出於搬出室7之噴出管(洗淨部)T76。
洗淨氣體回收部77係透過閥體V77連結於突出至搬出室7內部之吸入管T77。搬出室7之其他各部係與實施形態1相同，故保留記載符號不同者。搬出室7係包含有排氣部61、開放部62、閥體V61、搬送臂A6、水平移動部X6、上下移動部Z6及平行移動部63。加熱部74係沿著平行移動部63而設置於平行移動部63正下方位置之發熱線所構成的線形加熱器或紅外線燈管，以加熱平行移動部63所載置移動之晶圓W。另外，雖係例舉將加熱部74設置於平行移動部63的正下方位置為例，但不限於此。加熱部74亦可配置於平行移動部63之正上方、一側邊或正下方位置。再者，加熱部74亦可設置於平行移動部63之正上及正下或兩側邊等周圍複數位置。基板處理裝置在加熱第1叢集4或第2叢集5所結束處理後之晶圓W的情況，係在搬出室7內藉由加熱部74在朝大氣搬出部2搬出其間加熱晶圓W。加熱部74會加熱藉由水平移動部X6或上下移動部Z6進行水平或上下移動之晶圓W，可沿著水平移動部X6或上下移動部Z6來加以設置。
冷卻氣體供應部75係配置於較開放部62更靠水平移 動部X6側，將作為冷卻氣體之氮氣或氬氣等之非活性氣體供應至搬出室7。冷卻氣體會沿著晶圓W的移動方向而流動於搬出室7內，並從開放部62排出。流動於搬出室7內之冷卻氣體會冷卻藉由平行移動部63移動之晶圓W。基板處理裝置在冷卻於第1叢集4或第2叢集5內結束處理後之晶圓W的情況，係開啟閥體V75，在搬出室7內於搬出至大氣搬送部2其間冷卻晶圓W。冷卻氣體供應部75不限於配置在於內部具有平行移動部63之搬出室7的一部份之情況，亦可在藉由水平移動部X6及上下移動部Z6來於水平方向及上下方向移動晶圓之情況，配置於閘閥G6附近之搬出室7的一部份來進行冷卻。
洗淨氣體供應部76係將作為洗淨氣體之分解晶圓W表面附著物之活性氣體供應至搬出室7。例如，晶圓W附著物為CF系(碳氟系)聚合物的情況，使用含有能分解CF系聚合物之氧或臭氧的氣體即可。又，亦可設置分解附著物之紫外線燈管來提升洗淨氣體之洗淨效率。圖9係說明洗淨方法之說明圖。圖中白色箭頭係顯示載置有晶圓W之台座S的移動方向。圖中箭頭係顯示從噴出管T76噴出而朝吸入管T77被吸入之洗淨氣體的流動方向。噴出管T76及吸入管T77係相對於晶圓W而有間隙，並設置為軸向係略垂直於晶圓之移動方向，且軸向係略平行於晶圓W表面。
又，噴出管T76係沿著軸向設置有複數噴出孔，各噴出孔之噴出方向係略垂直於軸向且在剖視4點到5點方向 上交叉地設置於噴出管T76。吸入管T77係沿著軸向設置有複數吸入孔，各吸入孔之吸入方向係略垂直於軸向且在剖視7點到8點方向上交叉地設置於吸入管T77。從噴出管T76之噴出孔噴出的洗淨氣體會接觸至晶圓W表面，於表面彈回而朝吸入管T77之吸入孔被吸入。伴隨著晶圓W的移動而藉由與洗淨氣體的接觸來洗淨晶圓W表面整體。噴出管T76與吸入管T77會洗淨藉由水平移動部X6或上下移動部Z6而水平或上下移動之晶圓W，故亦可沿著水平移動部X6或上下移動部Z6設置。
藉由本實施形態，可以藉由搬出室7對在第1叢集4或第2叢集5內結束處理之晶圓W進一步地進行加熱處理、冷卻處理及洗淨處理而回到各收納部1。又，本實施形態中，雖係例示搬出室7具有進行加熱處理、冷卻處理及洗淨處理之所有處理的必要結構，但不限於此。只要具有對在搬出室7移動之晶圓W進行加熱處理、冷卻處理或洗淨處理之任一者的必要結構即可。
實施形態3
實施形態3係關於搬出室6包含有壓力調整室與為大氣壓狀態之輔助搬出室之兩者的形態。圖10係概略顯示實施形態3相關之基板處理裝置範例的上視圖。搬出室6係包含有調整從真空狀態至大氣壓狀態、或從大氣壓狀態至真空狀態之壓力的壓力調整室6V，以及在大氣壓狀態下將從壓力調整室6V被搬出之晶圓W朝收納部1搬出之輔助搬出室6A。壓力調整室6V除了閘閥G6及閘閥G7 外，尚具備有作為壓力調整部之排氣部61、閥體V61及開放部62。壓力調整室6V係透過第2開口部60及閘閥G6而連結於搬送室51。
將內部減壓用之排氣部61與將內部回復為大氣壓用之開放部62係透過閥體V61而連接於壓力調整室6V。開放部62係藉由慢慢導入氮氣或氬氣等非活性氣體至壓力調整室6V來使壓力調整室6V內為大氣壓狀態。閥體V61係將排氣部61及開放部62任一者連結於壓力調整室6V之切換閥。於閘閥G6及閘閥G7封閉狀態下，在藉由閥體V61將排氣部61連結於壓力調整室6V之情況，壓力調整室6V內係藉由排氣部61的排氣來減壓至略相同於搬送室51之真空狀態。另外，壓力調整室6V亦可設有輸送帶或搬送自動機等未圖示之搬送機構，而將晶圓W從搬送室51朝輔助搬出室6A搬送。
輔助搬出室6A俯視呈L字型，一端係連結於壓力調整室6V之閘閥G7，下游之另端則連結於大氣搬送部2之閘閥G2。輔助搬出室6A係包含有實施形態1所述作為搬送部之上下移動部Z6、水平移動部X6及平行移動部63。另外，輔助搬出室6A亦可包含有實施形態2所述之線形加熱器74、冷卻氣體供應部75、洗淨氣體供應部76或洗淨氣體回收部77。以下說明晶圓W的搬出順序。壓力調整室6V在閘閥G6及閘閥G7封閉狀態下，係藉由排氣部61進行排氣，而減壓至略相同於搬送室51之真空狀態。壓力調整室6V減壓後會開啟閘閥G6。搬送臂A51 會透過第2開口部60將晶圓W朝壓力調整室6V搬送。壓力調整室6V在晶圓W搬出後，會再度封閉閘閥G6。之後，開放部62會將壓力調整室6C內之壓力朝大氣壓狀態調整。壓力調整室6V回復大氣壓後，會開啟閘閥G7。搬送臂A6則將晶圓W從壓力調整室6V朝輔助搬出室6A搬送。
壓力調整室6V在晶圓W搬出後，會封閉閘閥G7。輔助搬出室6A會使用上下移動部Z6、水平移動部X6及平行移動部63來將晶圓W朝大氣搬送部2搬出。透過閘閥G2朝大氣搬送部2被搬出之處理完畢的晶圓W最後會朝收納部1被搬送。藉由本實施形態，在朝真空狀態或大氣壓狀態之壓力調整需要時間時，由於可將搬出室6分為壓力調整用之壓力調整室6V與搬出用之輔助搬出室6A兩者，故可更加提升晶圓W的搬出效率。
本實施形態3如上述，其他之結構及作用則相同於實施形態1或2，故對應的部分便賦予相同元件符號並省略其詳細說明。
1、100‧‧‧收納部
2、200‧‧‧大氣搬送部
3、300‧‧‧裝載室(搬入部)
4、400‧‧‧第1叢集
5、500‧‧‧第2叢集
6、7‧‧‧搬出室
6V‧‧‧壓力調整室
6A‧‧‧輔助搬出室
W、W0‧‧‧晶圓(基板)
31、61、301‧‧‧排氣部(壓力調整部)
32、62、302‧‧‧開放部(壓力調整部)
V31、V61、V75~V77、V301‧‧‧閥體
41、51、401、501‧‧‧搬送室
41a、401a‧‧‧轉運部
A2‧‧‧搬送臂(搬入部)
A41、A51、A401、A501‧‧‧搬送臂
A6‧‧‧搬送臂(搬出部)
42、43、52、53、402、403、502、503‧‧‧腔室(氣密容器)
60‧‧‧第2開口部
63‧‧‧平行移動部(搬出部)
74‧‧‧加熱部
75‧‧‧冷卻氣體供應部(冷卻部)
76‧‧‧洗淨氣體供應部
77‧‧‧洗淨氣體回收部
410‧‧‧第1開口部
T76‧‧‧噴出管(洗淨部)
T77‧‧‧吸入管
G2、G3、G7、G41~G43、G51~G53、G6‧‧‧閘閥
X2‧‧‧水平移動部
X6‧‧‧水平移動部(搬出部)
Z2‧‧‧上下移動部
Z6‧‧‧上下移動部(搬出部)
圖1係概略顯示基板處理裝置範例之上視圖。
圖2係概略顯示基板處理裝置範例之側視圖。
圖3係說明搬送順序之說明圖。
圖4係說明搬送順序之說明圖。
圖5係說明搬送順序之說明圖。
圖6係說明搬送順序之說明圖。
圖7係說明搬送順序之說明圖。
圖8係概略顯示搬出室之其他範例之側面圖。
圖9係說明洗淨方法之說明圖。
圖10係概略顯示實施形態3相關之基板處理裝置範例的上視圖。
圖11係概略顯示習知技術之基板處理裝置範例的上視圖。
1．．．收納部
2．．．大氣搬送部
3．．．裝載室(搬入部)
4．．．第1叢集
5．．．第2叢集
6．．．搬出室
6V．．．壓力調整室
6A．．．輔助搬出室
W．．．晶圓(基板)
31、61．．．排氣部(壓力調整部)
32、62．．．開放部(壓力調整部)
V31、V61．．．閥體
41、51．．．搬送室
41a．．．轉運部
A2．．．搬送臂(搬入部)
A41、A51．．．搬送臂
A6．．．搬送臂(搬出部)
42、43、52、53．．．腔室(氣密容器)
60．．．第2開口部
63．．．平行移動部(搬出部)
75．．．冷卻氣體供應部(冷卻部)
410．．．第1開口部
G2、G3、G7、G41~G43、G51~G53、G6．．．閘閥
X2．．．水平移動部
X6．．．水平移動部(搬出部)
Z2．．．上下移動部
Z6．．．上下移動部(搬出部)

Claims (6)

  1. 一種基板處理裝置，係具備有：收納部，係收納基板；複數搬送室，係於周圍連結有在氣密狀態下處理基板之複數氣密容器，並於內部具有在各氣密容器之間搬送基板之搬送機構，且在相互間透過可搬送基板之中繼部而沿水平方向串聯地連結；搬入部，係將該收納部內之基板朝該搬送室搬入；搬出室，係於內部具有將從該搬送室所排出之基板朝該收納部搬出之搬出部；配置於一端側之搬送室係透過該搬入部連結至該收納部；配置於另端側之搬送室係透過該搬出室連結至該收納部；該搬出部係具備有：上下移動部，係將該搬出室內之基板朝上側或下側移動；以及平行移動部，係將藉由該上下移動部所移動之基板，於該搬送室之上側或下側，平行於該搬送室之連結方向而朝該收納部移動。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中該搬出室具備有調整內部壓力之壓力調整部，該搬出部係將基板朝藉由該壓力調整部使內部壓力一致於該搬送室之壓力的搬出室搬入，並將基板從藉由該壓力調整部使內部壓力一致於該收納部之壓力的搬出室搬出。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其具備有： 壓力調整室，係設置在該搬出室與該搬送室之間；以及壓力調整部，係在基板被從該搬送室朝該壓力調整室排出前，將該壓力調整室之壓力調整為真空狀態，在該基板被從該壓力調整室朝該搬出室搬出前，將該壓力調整室之壓力調整為大氣壓狀態。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中該搬出室係具備有加熱基板之加熱部。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中該搬出室係具備有冷卻基板之冷卻部。
  6. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中該搬出室係具備有洗淨基板之洗淨部。
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