JP5472765B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は基板処置装置に関し、より詳細にはクラスター（ｃｌｕｓｔｅｒ）構造の基板処理装置に関する。
半導体素子は、シリコンウエハー等の基板を様々な段階の工程で処理し、基板の上に回路パタ−ンを形成して製造される。
一般的に半導体素子は、基板の上に薄い酸化膜を形成する酸化工程（ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）、感光液を塗布する塗布工程（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｐｒｏｃｅｓｓ）、基板の上に回路パターンに対応する光を照射する露光工程（ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｐｒｏｃｅｓｓ）、光が照射された部分の膜を現像する現像工程（ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｐｒｏｃｅｓｓ）、必要が無い部分を選択的に除去して回路パタ−ンを形成する蝕刻工程（ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、回路パターンに連結された部分の基板の内部に不純物を注入する注入工程（ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）、ガス等の化学物質を基板表面に蒸着させて絶縁膜や伝導性膜を形成する化学気相蒸着工程（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）、基板表面に形成された回路に配線を連結する金属配線工程（ｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）等を経て製造されるが、このような工程は各々の工程を遂行するチャンバーで処理される。
近年は、半導体素子が微細化及び高集積化されることに伴って、複合工程を処理するための多様なチャンバーが要求されている。このような情勢の中で半導体素子の処理率（ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）を向上させ、半導体製造工程をより効率的に処理するために半導体製造設備でチャンバー間のレイアウトが重要な技術として浮上している。その代表的な例として、特許文献１に開示されたクラスター構造を有する半導体製造設備が挙げられる。
韓国特許第１０−０８３９９１１号公報
本発明の一課題は、半導体素子の処理率を向上させる基板処理装置を提供することである。
本発明の一課題は、所定の空間に処理工程を遂行するチャンバーがより多く配置される基板処理装置を提供することにある。
本発明の一課題は、基板の移送経路が短縮される基板処理装置を提供することである。
本発明が解決しようとする課題は上述した課題に限定されなく、言及されなかった課題は、本明細書及び添付図面から当業者であれば明確に理解され得る。
本発明は基板処理装置を提供する。
基板処理装置の一実施形態は、基板が収納される容器が置かれるロードポートと、前記基板を処理する処理モジュールと、前記容器と前記処理モジュールとの間で前記基板を搬送するロボットが提供される移送モジュールと、を含み、前記処理モジュールは、前記基板を搬送するロボットが提供されるトランスファーチャンバー、前記トランスファーチャンバーと前記移送モジュールとの間に配置されるロードロックチャンバー、前記トランスファーチャンバーの周囲に前記移送モジュールと離隔配置されて第１処理工程を遂行する第１処理チャンバー、及び前記トランスファーチャンバーの周囲のうち前記トランスファーチャンバーと前記移送モジュールとの間に配置されて第２処理工程を遂行する第２処理チャンバーを有する。
前記第２処理チャンバーは、前記トランスファーチャンバーと対向する側面に第１開口が形成され、前記移送モジュールと対向する側面に第２開口が形成されたハウジングと、前記第１開口を開閉する第１ドアと、前記第２開口を開閉する第２ドアと、前記ハウジング内部を減圧する減圧部材と、前記ハウジング内に位置されて前記基板を支持する支持部材と、前記支持部材に置かれる基板を加熱する加熱部材と、プラズマを生成するプラズマソースと、前記生成されたプラズマを前記ハウジング内部に供給する供給管と、を有する。前記第２処理チャンバーが前記ロードロックチャンバーの下部に配置されて、前記ロードロックチャンバーと前記第２処理チャンバーが互いに積層され、前記ロードロックチャンバーの下部に前記ハウジングが配置され、前記ロードロックチャンバーの上部に前記プラズマソースが配置され、前記ロードロックチャンバーの外壁の内部に前記供給管が埋め込まれて設置される。
前記ロードロックチャンバーは、バッファ空間を提供し、前記トランスファーチャンバーと対向する側面に第１開口が形成され、前記移送モジュールと対向する側面に第２開口が形成されたハウジング、前記第１開口を開閉する第１ドア、前記第２開口を開閉する第２ドア及び前記バッファ空間に前記基板が置かれるように前記基板を支持する少なくとも１つのバッファスロットを包含できる。
前記処理モジュールは、前記第２処理チャンバーを複数個具備することができる。
前記複数の第２処理チャンバーが側方向に並べて配置され得る。
本発明によると、半導体素子の処理率が向上され得る。
本発明によると、第２処理チャンバーが移送モジュールとトランスファーモジュールとの間に配置されることによって、基板処理装置に処理チャンバーがさらに多く提供され得る。
本発明によると、第２処理チャンバーが積層されて配置されることによって、基板処理装置に処理チャンバーがさらに多く提供され得る。
本発明によると、第２処理チャンバーから移送モジュールへ基板が直ちに搬送されるので、基板の移送経路が短縮され得る。
なお、本発明の効果は上述した効果に限定されない。言及されなかった効果は、本明細書及び添付図面から当業者であれば明確に理解され得る。
図１は本発明による基板処理装置の一実施形態を示す平面図である。 図１のロードロックチャンバーを示す断面図である。 図１のロードロックチャンバーを示す断面図である。 図１の第２処理チャンバーを示す断面図である。 図１の第２処理チャンバーを示す断面図である。 図１のロードロックチャンバーと第２処理チャンバーとの配置を示す斜視図である。 図１のロードロックチャンバーと第２処理チャンバーとの配置を示す斜視図である。 図１のロードロックチャンバーと第２処理チャンバーとの配置を示す斜視図である。 図１のロードロックチャンバーと第２処理チャンバーとの配置を示す断面図である。 図１のプラズマソースの連結関係を示す図面である。 図１のプラズマソースの連結関係を示す図面である。 互いに積層された第２処理チャンバーの配置を示す斜視図である。 他のチャンバーと積層されなかった第２処理チャンバーを示す斜視図である。 第１処理チャンバーと第２処理チャンバーとが積層された基板処理装置を示す平面図である。 第１処理チャンバーと第２処理チャンバーとの配置を示す斜視図である。 移送モジュールと基板を交換しない第２処理チャンバーの断面図である。 本発明による基板処理方法の第１実施形態を示す順序図である。 本発明による基板処理方法の第１実施形態で基板の移動経路を示す図面である。 本発明による基板処理方法の第２実施形態を示す順序図である。 本発明による基板処理方法の第２実施形態で基板の移動経路を示す図面である。
本明細書に記載された実施形態は、当業者に本発明の思想を明確に説明するためのものであり、本発明はこれら実施形態によって限定されない。本発明の範囲は、本発明の思想を逸脱しない修正例又は変形例を含むものである。
また、本明細書で使用される用語や添付図面は本発明を容易に説明するためのものであり、本発明がこれら用語や添付図面によって限定されるものではない。
また、本発明を説明するにおいて、関連する公知の構成や機能に対する具体的な説明が本発明の要旨を曇らせ得る場合には、その詳細な説明は省略する。
以下においては、本発明による基板処理装置１０００に関して説明する。
基板処理装置１０００は外部から基板Ｓを搬送して工程を遂行した後、再び外部へ搬送する装置である。
ここで、基板Ｓは、シリコンウエハーを含む多様なウエハー、ガラス基板、有機基板、グラフィーム（ｇｒａｐｈｅｍｅ）等を含むことは勿論、上述した例以外にも半導体素子、ディスプレイ、及びその他の薄膜に回路が形成された物の製造に利用される全ての基板を含む包括的な概念である。
以下においては、本発明による基板処理装置１０００の一実施形態に関して説明する。
図１は本発明による基板処理装置１０００の一実施形態を示す平面図である。
基板処理装置１０００は、ロードポート１１００、移送モジュール１２００、及び処理モジュール１３００を含む。ロードポート１１００には基板Ｓが収納される容器Ｃが置かれる。移送モジュール１２００は容器Ｃと処理モジュール１３００との間で基板Ｓを搬送する。処理モジュール１３００では基板に対する工程が遂行される。
ロードポート１１００には基板Ｓが収納される容器Ｃが置かれる。
容器Ｃには１つ又は複数の基板Ｓが収納され得る。例えば、容器Ｃには２５枚の基板Ｓが収容され得る。
容器Ｃの内部空間は外部と隔離されて密閉され得る。例えば、容器Ｃは密閉形容器である前面開放一体式ポッド（ｆｒｏｎｔｏｐｅｎ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）が使用される。このように容器Ｃの内部空間が密閉されることによって、内部に収納された基板Ｓが汚染されることが防止される。
容器Ｃは外部から搬送されてロードポート１１００にローディングされるか、或いはロードポート１１００からアンローディングされて外部へ搬送される。
例えば、容器Ｃはオーバーヘッドトランスファー（ｏｖｅｒｈｅａｄ ｔｒａｎｓｆｅｒ）等の搬送装置によって他の基板処理装置から搬送されてロードポート１１００にローディングされるか、又はロードポート１１００からアンローディングされて他の基板処理装置へ搬送される。
容器Ｃの搬送、ローディング、及びアンローディングはオーバーヘッドトランスファー以外に、自動案内車両（ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｇｕｉｄｅｄ ｖｅｈｉｃｌｅ）、レール案内車輌（ｒａｉｌ ｇｕｉｄｅｄ ｖｅｈｉｃｌｅ）等の他の搬送装置や作業者によって遂行されることもあり得る。
基板処理装置１０００には１つ又は複数のロードポート１１００が提供され、ロードポート１１００は移送モジュール１２００の一側に配置される。ロードポート１１００が複数である場合には複数のロードポート１１００は互いに密接に配置され得る。例えば、図１に示すように、３つのロードポート１１００が、移送モジュール１２００の処理モジュール１３００と対向する一側とは反対側に、移送モジュール１２００の長さ方向ｘに沿って並設される。ロードポート１１００の数や配置はこれと異なってもよい。
移送モジュール１２００は容器Ｃと処理モジュール１３００との間で基板Ｓを搬送する。例えば、移送モジュール１２００は容器Ｃから基板Ｓを引き出して処理モジュール１３００へ搬送するか、或いは処理モジュール１３００から基板Ｓを引き出して容器Ｃへ搬送することができる。
移送モジュール１２００はハウジング１２１０と搬送ロボット１２２０とを含む。
ハウジング１２１０は外部と隔離される内部空間を提供する。ハウジング１２１０は直六面体状の概略形状を有するが、ハウジング１２１０の形状はこれと異なってもよい。
ハウジング１２１０の一側はロードポート１１００と対向する。前記一側には基板Ｓが出入する開口が形成され、前記開口を開閉するドアＤが設けられる。ハウジング１２１０の他の一側は処理モジュール１３００と対向する。前記他の一側には基板Ｓが出入する開口が形成され、前記開口を開閉するドアＤが提供される。前記一側と前記他の一側は互いに反対側である。
ハウジング１２１０の上面にはハウジング１２１０の内部空間の空気を整流するファンフィルターユニットが提供され得る。これによってハウジング１２１０の内部空間で整流された空気が上から下方向に流れるようになり、ハウジング１２１０の内部空間が外部より清浄に維持される。
ハウジング１２１０の内部には容器Ｃを開閉する容器オープナが設けられる。容器オープナによって容器Ｃが開かれれば、搬送ロボット１２２０が容器Ｃから基板Ｓを引き出す。あるいは、搬送ロボット１２１０によって基板Ｓが搬送されて容器Ｃに収容されれば、容器オープナが容器Ｃを閉める。
搬送ロボット１２２０はロードポート１１００に置かれる容器Ｃと処理モジュール１３００との間で基板Ｓを搬送する。
搬送ロボット１２２０はハウジング１２１０の内部に位置する。例えば、搬送ロボット１２２０はハウジング１２１０の中央部に固定されて位置する。他の例として、搬送ロボット１２２０を、移送モジュール１２００の長さ方向ｘに沿ってハウジング１２１０に形成した搬送レールに沿って移動するように設けてもよい。
搬送ロボット１２２０は垂直方向に移動でき、水平面上で前進、後進又は回転するハンド１２２５を有する。搬送ロボット１２２０のハンド１２２５は１つ又は複数であり得る。
処理モジュール１３００は基板Ｓに対して処理工程を遂行する。
処理モジュール１３００は、ロードロックチャンバー１３１０、トランスファーチャンバー１３２０、第１処理チャンバー１３３０、及び第２処理チャンバー１３４０を含む。ロードロックチャンバー１３１０はトランスファーチャンバー１３２０と移送モジュール１２００との間に配置されて２つのモジュールの間で基板Ｓが交換されるバッファ空間Ｂを提供する。トランスファーチャンバー１３２０は基板Ｓを搬送するロボットを含んで容器Ｃと処理モジュール１３００との間で基板Ｓを搬送する。第１処理チャンバー１３３０はトランスファーチャンバー１３２０の周囲に配置されて第１処理工程を遂行する。第２処理チャンバー１３４０は移送モジュール１２００とトランスファーチャンバー１３２０との間に配置されて第２処理工程を遂行する。
以下では処理モジュール１３００の構成に関して説明する。上述した構成要素は全てが必須ではなく、処理モジュール１３００は上述した構成要素の一部を選択的に包含できる。
ロードロックチャンバー１３１０は容器Ｃと処理モジュール１３００との間で搬送される基板Ｓが置かれるバッファ空間Ｂを提供する。バッファ空間Ｂはロードロックチャンバー１３１０の外壁を形成するハウジングによって外部と隔離される。バッファ空間Ｂには容器Ｃと処理モジュール１３００との間で搬送される基板Ｓが一時的に留まり得る。
ロードロックチャンバー１３１０は移送モジュール１２００とトランスファーチャンバー１３２０との間に配置される。
処理モジュール１３００には少なくとも１つのロードロックチャンバー１３１０が設けられる。ロードロックチャンバー１３１０が複数である場合には、ロードロックチャンバー１３１０は側方向、即ち移送モジュール１２００の長さ方向ｘに沿って並べて配置されるか、互いに積層されるか、又はこれらの組合によって配置され得る。例えば、図１に図示されたように、２つのロードロックチャンバー１３１０が、その一側は移送モジュール１２００と対向し、他の一側はトランスファーチャンバー１３２０と対向するように配置され得る。
図２及び図３は図１のロードロックチャンバー１３１０を示す断面図である。図２は図１のＡ−Ａ方向の断面図であり、図３は図１のＢ−Ｂ方向の断面図である。
ロードロックチャンバー１３１０の前記一側には移送モジュール１２００との間で基板Ｓを交換する開口が形成され、前記開口を開閉するドアＤが設けられる。ロードロックチャンバー１３１０の前記他の一側にはトランスファーチャンバー１３２０との間で基板Ｓを交換する開口が形成され、前記開口を開閉するドアＤが設けられる。前記一側と前記他の一側は互いに反対側である。
ロードロックチャンバー１３１０の内部には基板Ｓが置かれる少なくとも１つのバッファスロット１３１１が設けられる。バッファスロット１３１１は複数であり得る。例えば、ロードロックチャンバー１３１０には４つのバッファスロット１３１１が提供されている。
複数のバッファスロット１３１１は互いに垂直方向に離隔されてロードロックチャンバー１３１０の内壁に形成されている。バッファスロット１３１１は基板Ｓの縁部分を支持するように離隔されたプレート形状を有する。移送モジュール１２００とトランスファーチャンバー１３２０の搬送ロボット１２２０、１３２５のハンド１２２５、１３２６は、バッファスロット１３１１間の離隔された空間に沿って垂直方向に移動してバッファスロット１３１１に基板Ｓに置くか、或いはバッファスロット１３１１に置かれる基板Ｓを取り上げる。これによって、ロードロックチャンバー１３１０を通じて移送モジュール１２００及び処理モジュール１３００の間で基板Ｓが搬送される。
ロードロックチャンバー１３１０はロードロックチャンバー１３１０の内部圧力を制御する減圧部材１３１５を含む。減圧部材１３１５はバッファ空間の圧力を制御する。減圧部材１３１５は減圧ポンプ１３１６とポンプライン１３１７とによって構成される。減圧ポンプ１３１６は外部電源を利用して空気を吸入する。ポンプライン１３１７は減圧ポンプ１３１６をロードロックチャンバー１３１０内部に連結する。ポンプライン１３１７には空気の流れを制御するバルブＶが提供され得る。
一般的に、処理モジュール１３００の内部圧力は、基板Ｓに対する工程の遂行に適切な環境を提供するために予め設定された圧力で維持されるが、これによって移送モジュール１２００と処理モジュール１３００とは、互いに異なる内部圧力を有するようになる。例えば、移送モジュール１２００の内部は大気圧であり、処理モジュール１３００の内部は真空状態であり得る。勿論、移送モジュール１２００と処理モジュール１３００との内部圧力が必ず異なる必要は無く、移送モジュール１２００と処理モジュール１３００とが同一の内部圧力を有することもある。
減圧部材１３１５は、移送モジュール１２００と処理モジュール１３００との間で基板Ｓが搬送される過程で、ロードロックチャンバー１３１０を通じて移送モジュール１２００から処理モジュール１３００へ空気が流入することを防止するために、ロードロックチャンバー１３１０の内部圧力を制御することができる。例えば、大気圧である移送モジュール１２００からロードロックチャンバー１３１０へ基板Ｓが入った後、真空状態であるトランスファーチャンバー１３２０へ基板Ｓを搬出する前に、減圧部材１３１５はバッファ空間を真空状態に減圧することができる。これによって処理モジュール１３００の内部圧力が維持され得る。
トランスファーチャンバー１３２０は周囲に配置されたチャンバーとの間で基板Ｓを搬送する。トランスファーチャンバー１３２０は多角形の形状を有することができる。トランスファーチャンバー１３２０の周囲にはロードロックチャンバー１３１０、第１処理チャンバー１３３０、及び第２処理チャンバー１３４０が配置される。例えば、図１に図すように、処理モジュール１３００の中央部に六角形形状のトランスファーチャンバー１３２０が配置され、周囲にロードロックチャンバー１３１０、第１処理チャンバー１３３０及び第２処理チャンバー１３４０が配置され得る。但し、トランスファーチャンバー１３２０の形状及び配置はこれと異なってもよい。
トランスファーチャンバー１３２０は基板Ｓを搬送する搬送ロボット１３２５を有する。トランスファーチャンバー１３２０は、搬送ロボット１３２５を利用してその周囲に配置されたチャンバー間で基板Ｓを搬送する。
搬送ロボット１３２５はトランスファーチャンバー１３２０の内部に位置する。搬送ロボット１３２５はトランスファーチャンバー１３２０の中央部に固定されて位置することができる。また、搬送ロボット１３２５は、垂直方向に移動でき、水平面上で前進、後進、又は回転するハンド１３２６を有する。搬送ロボット１３２５のハンド１３２６は１つ又は複数であり得る。
第１処理チャンバー１３３０は第１処理工程を遂行する。例えば、第１処理工程は蝕刻工程、剥離工程、アッシング工程、ストリップ工程、又は蒸着工程であり得る。但し、第１処理工程は上述した例に限定されない。
処理モジュール１３００には１つ又は複数の第１処理チャンバー１３３０が提供される。第１処理チャンバー１３３０が複数である場合には、複数の第１処理チャンバー１３３０の一部又は全部は互いに同一な工程を遂行することができる。あるいは、複数
の第１処理チャンバー１３３０の一部又は全部が互いに異なる工程を遂行することもできる。
第１処理チャンバー１３３０はトランスファーチャンバー１３２０の周囲に配置される。この時、第１処理チャンバー１３３０は移送モジュール１２００と離隔された位置に配置され得る。
第１処理チャンバー１３３０の内部圧力は、第１処理工程の遂行に適切な環境を提供するために予め設定された圧力で維持されるが、例えば、大気圧より低い圧力や真空状態に維持され得る。
第１処理チャンバー１３３０は、上述した第１工程を遂行するために提供される一般的な公知の構成及び構造を有することができる。第２処理チャンバー１３４０は第２処理工程を遂行する。例えば、第２処理工程は洗浄工程、クリーニング工程、ストリップ工程、アッシング工程、加熱工程、ベーキング工程であり得る。大体に第２処理工程は、第１処理工程が処理された後に、遂行される後続工程、又は第１処理工程の前に遂行される先行工程であり得る。例えば、第２処理工程は第１処理工程で蝕刻工程が遂行された場合、それに伴って基板に発生した不純物を除去する洗浄工程、残存する感光膜を除去するストリップ工程、アッシング工程、又はベーキング工程であり得る。ここで、このような工程はプラズマＰを利用して遂行され得る。例えば、第１処理工程が蝕刻工程である場合、第２処理工程はその前に感光膜の接着力を高くするか、或いは感光膜を固くするアドヒージョン工程又はソフトベーキング工程等であり得る。勿論、第２処理工程は上述した例のみに限定されない。
処理モジュール１３００には少なくとも１つの第２処理チャンバー１３４０が提供される。第２処理チャンバー１３４０が複数である場合には、複数の第２処理チャンバー１３４０は互いに同一な工程を遂行することができる。
第２処理チャンバー１３４０はトランスファーチャンバー１３２０と移送モジュール１２００との間に配置される。第２処理チャンバー１３４０はロードロックチャンバー１３１０と同一又は類似な位置に配置され得るが、その構成は互いに異なる。
トランスファーチャンバー１３２０と移送モジュール１２００との間に配置された第２処理チャンバー１３４０は移送モジュール１２００と処理モジュール１３００との間で基板Ｓが搬送されるようにすることができる。
第２処理チャンバー１３４０は第２処理工程を遂行した後に移送モジュール１２００へ直接基板Ｓを搬送することができる。例えば、第２処理チャンバー１３４０はトランスファーチャンバー１３２０の搬送ロボット１３２５によって第２処理チャンバー１３４０へ搬送された基板Ｓに対して第２処理工程を遂行し、第２処理工程が行われた基板Ｓは第２処理チャンバー１３４０から直接移送モジュール１２００へ搬送され得る。移送モジュール１２００の搬送ロボット１２２０は第２処理チャンバー１３４０から基板Ｓを引き出して容器Ｃに収納することができる。
以下においては、本発明による基板処理装置１０００の一実施形態の第２処理チャンバー１３４０の構成について説明する。
図４及び図５は図１の第２処理チャンバー１３４０を示す断面図である。
第２処理チャンバー１３４０はハウジング１３４１、支持部材１３４２、加熱部材１３４３、減圧部材１３４５、プラズマソース１３４８、及び供給管１３４９を含む。但し、上述した構成要素は全てが必須の構成要素ではなく、第２処理チャンバー１３４０は上述した構成要素の全部又は一部を選択的に包含できる。第２処理チャンバー１３４０が複数である場合には、各第２処理チャンバー１３４０の構成は互いに同一であってもよいし、互いに相異してもよい。
ハウジング１３４１は外部と隔離される内部空間を提供する。
ハウジング１３４１は一側がトランスファーチャンバー１３２０と対向するように提供される。前記一側には基板Ｓが出入する開口が形成され、前記開口を開閉するドアＤが提供される。ハウジング１３４１は他の一側が移送モジュール１２００と対向するように提供される。前記他の一側には基板Ｓが出入する開口が形成され、前記開口を開閉するドアＤが提供される。前記一側と前記他の一側は互いに反対側であり得る。
支持部材１３４２はハウジング１３４１の内部に位置して基板Ｓを支持する。支持部材１３４２の上面には基板Ｓがローディングされる。支持部材１３４２の上面は基板Ｓより大きい面積を有し、基板Ｓと類似な形状を有する。支持部材１３４２には基板Ｓが安着される前に基板Ｓが置かれるリフトピンが設けられ、リフトピンに基板Ｓが置かれれば、上下に移動して基板Ｓが支持部材１３４２に安着される。
加熱部材１３４３は支持部材１３４２にローディングされた基板Ｓを加熱する。例えば、加熱部材１３４３は外部電源を受けて熱を発生させる発熱体又は基板Ｓに加熱された流体やガスを噴射する装置である。但し、加熱部材１３４３は上述した例に限定されず、第２処理工程を遂行するにおいて基板Ｓを加熱する必要が無い場合には、第２処理チャンバー１３４０が加熱部材１３４３を包含しないこともあり得る。
加熱部材１３４３は支持部材１３４２の内部に設置される。加熱部材１３４３は熱を発生させ、支持部材１３４２を通じて基板Ｓに熱を伝達して基板Ｓを所定の温度に加熱することができる。支持部材１３４２は熱伝導率が高くて熱変形が小さい材質で形成される。
減圧部材１３４５は第２処理チャンバー１３４０の内部圧力を制御する。減圧部材１３４５は減圧ポンプ１３４６及びポンプライン１３４７を有する。減圧ポンプ１３４６は外部電源によって空気を吸入し、ポンプライン１３４７は減圧ポンプ１３４６と第２処理チャンバー１３４０とを連結する。
減圧部材１３４５は、第２処理チャンバー１３４０を通じて移送モジュール１２００と処理モジュール１３００との間で基板Ｓが搬送される過程において処理モジュール１３００の圧力が変わることを防止するために、第２処理チャンバー１３４０の内部圧力を制御することができる。
例えば、減圧部材１３４５は、大気圧である移送モジュール１２００から基板Ｓを搬出した後、真空状態であるトランスファーチャンバー１３２０へ基板Ｓを搬入する前に、第２処理チャンバー１３４０の内部に真空圧を印加することができる。これによって処理モジュール１３００の内部圧力が真空状態に維持され得る。
プラズマソース１３４８はハウジング１３４１の外部に位置してプラズマＰを生成する。
プラズマソース１３４８はガス供給部及びプラズマ発生器を含む。ガス供給部はガスを供給し、プラズマ発生器は供給されたガスを利用してプラズマＰを発生させる。プラズマ発生器はリモートプラズマ発生器（ｒｅｍｏｔｅ ｐｌａｓｍａ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）である。
供給管１３４９はプラズマソース１３４８で生成されたプラズマＰをハウジング１３４１内部へ供給する。供給管１３４９に沿ってハウジング１３４１へ供給されるプラズマＰはシャワーヘッドを通じて噴射される。
但し、プラズマソース１３４８が必ずハウジング１３４１の外部に位置しなくてもよい。例えば、ハウジング１３４１内部にガスが供給され、ハウジング１３４１の内部に容量性結合形プラズマ発生器（ＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）又は誘導結合形プラズマ発生器（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）が設置されて供給されたガスを利用してハウジング１３４１の内部で直接プラズマＰを生成することもあり得る。
これによって第２処理チャンバー１３４０はプラズマＰを受けてプラズマＰを利用する第２処理工程を遂行できる。例えば、第２処理チャンバー１３４０はプラズマＰを利用してクリーニング工程を遂行することができる。
但し、第２処理工程を遂行するのにおいてプラズマＰを利用する必要が無い場合には、第２処理チャンバー１３４０がプラズマソース１３４８及び供給管１３４９を包含しないこともあり得る。第２処理工程を遂行するにおいて必要な他の構成要素がプラズマソース１３４８や供給管１３４９の替わりに備えられることもある。例えば、第２処理チャンバー１３４０がケミカルを利用してクリーニング工程を遂行する場合には、プラズマソース１３４８の代わりにケミカルを供給するケミカル供給部を有することができる。図５には、第２処理チャンバー１３４０がプラズマソース１３４８及び供給管１３４９を有しない場合を示している。
以下においては、本発明による基板処理装置１０００の一実施形態の第２処理チャンバー１３４０の配置に関して説明する。
図６乃至図８は図１のロードロックチャンバー１３１０と第２処理チャンバー１３４０との配置を示す斜視図である。
第２処理チャンバー１３４０はロードロックチャンバー１３１０と共に配置されて提供される。
第２処理チャンバー１３４０とロードロックチャンバー１３１０とは上下に積層されて配置される。但し、ロードロックチャンバー１３１０と第２処理チャンバー１３４０との配置はこれに限らない。
この第２処理チャンバー１３４０は、ロードロックチャンバー１３１０の下部に配置されている。図６に示すように、１つの第２処理チャンバー１３４０がロードロックチャンバー１３１０の下部に配置されて積層され、移送モジュール１２００の横方向ｘに並ぶ箇所では、他のロードロックチャンバー１３１０が互いに積層されている。
一方、処理モジュール１３００には少なくとも１つの第２処理チャンバー１３４０が提供され、第２処理チャンバー１３４０が複数である場合には、移送モジュール１２００の横方向ｘに並んで提供され得る。図７に示すように、２つの第２処理チャンバー１３４０が各々ロードロックチャンバー１３１０の下部に配置されて積層され得る。
また、第２処理チャンバー１３４０がロードロックチャンバー１３１０の上部に配置されて積層されてもよい。この時、下部にロードロックチャンバー１３１０、ロードロックチャンバー１３１０の上部に第２処理チャンバー１３４０のハウジング１３４１、第２処理チャンバー１３４０のハウジング１３４１の上部にプラズマソース１３４８が積層されて配置され得る。図８に示すように、２つの第２処理チャンバー１３４０が各々のロードロックチャンバー１３１０の上部に配置されて積層され得る。
第２処理チャンバー１３４０の一部がロードロックチャンバー１３１０の上部に配置され、他の一部がロードロックチャンバー１３１０の下部に配置されて積層され得る。例えば、ロードロックチャンバー１３１０を介してロードロックチャンバー１３１０の上部又は下部に第２処理チャンバー１３４０のハウジング１３４１が配置され、反対側に第２処理チャンバー１３４０のプラズマソース１３４８が配置されて積層され得る。
図９はロードロックチャンバー１３１０と第２処理チャンバー１３４０との配置を示す断面図である。図９に示すように、第２処理チャンバー１３４０のハウジング１３４１がロードロックチャンバー１３１０の下部に配置され、プラズマソース１３４８はロードロックチャンバー１３１０の上部に配置されている。また、供給管１３４９はプラズマソース１３４８からロードロックチャンバー１３１０の外壁の内部に埋め込まれて第２処理チャンバー１３４０の内部に結ぶように設けられる。但し、プラズマソース１３４８の位置と供給管１３４９との関係はこれと異なってもよい。例えば、プラズマソース１３４８はロードロックチャンバー１３１０の側面や下部に位置されてもよく、供給管１３４９は外壁に沿って設置されてもよい。
互いに積層された第２処理チャンバー１３４０とロードロックチャンバー１３１０とは減圧部材１３１５、１３４５を共有することができる。ロードロックチャンバー１３１０と第２処理チャンバー１３４０は各々別の減圧ポンプ１３１６、１３４６を有するか、又は１つの減圧ポンプ１３１６、１３４６を共有することができる。減圧ポンプ１３１６、１３４６を共有する場合にはポンプライン１３１７、１３４７が減圧ポンプ１３１６、１３４６から延長されるとともに中間で分岐され、ロードロックチャンバー１３１０と第２処理チャンバー１３４０とに各々連結される。分岐されたポンプライン１３１７、１３４７には各々空気の流れを制御するバルブＶが設置される。
また、上述したように、処理モジュール１３００には少なくとも１つの第２処理チャンバー１３４０が提供され得るが、第２処理チャンバー１３４０が複数である場合には各々プラズマソース１３４８を有するか、又はプラズマソース１３４８を共有することができる。
図１０及び図１１は図１のプラズマソース１３４８の連結関係を示す図面である。
例えば、複数の第２処理チャンバー１３４０は各々プラズマソース１３４８を有することができる。図１０に示すように、２つの第２処理チャンバー１３４０が各々別個のプラズマソース１３４８を有し、互いに異なる供給管１３４９を通じて各々のプラズマソース１３４８と連結され得る。
他の例では、複数の第２処理チャンバー１３４０がプラズマソース１３４８を共有することができる。図１１に示すように、２つの第２処理チャンバー１３４０が１つのプラズマソース１３４８を共有し、供給管１３４９がプラズマソース１３４８から延長されるとともに中間で分岐されて各々の第２処理チャンバー１３４０に連結され得る。分岐された供給管１３４９には各々プラズマＰの流れを制御するバルブＶが設置される。例えば、プラズマソース１３４８の一側からメーン供給管が延長されて中間に各々１つの第２処理チャンバー１３４０へプラズマＰを供給する第１分岐管、他の第２処理チャンバー１３４０へプラズマＰを供給する第２分岐管が分岐され、各々の分岐管にはバルブＶが具備され得る。このようなバルブＶによって複数の第２処理チャンバー１３４０の中で第２処理工程が遂行されるチャンバーにプラズマＰが選択的に提供され得る。
第２処理チャンバー１３４０が複数である場合には、減圧部材１３４５もプラズマソース１３４８と類似の形態で提供され得る。複数の第２処理チャンバー１３４０は各々別の減圧ポンプ１３４６を有するか、又は減圧ポンプ１３４６を共有することができる。減圧ポンプ１３４６を共有する場合にはポンプライン１３４７が減圧ポンプ１３４６から延長されるとともに中間で分岐され、各々の第２処理チャンバー１３４０に連結され得る。分岐されたポンプライン１３４７には各々空気の流れを制御するバルブＶが設置される。
ここまでは、プラズマソース１３４８と供給管１３４９が第２処理チャンバー１３４０に含まれるものとして説明したが、プラズマソース１３４８が必ずしも第２処理チャンバー１３４０の構成要素に含まれなくてもよく、プラズマソース１３４８や供給管１３４９は第２処理チャンバー１３４０の外部に処理モジュール１３００の構成要素として提供され得る。
上述した本発明による基板処理装置１０００の一実施形態によれば、第２処理チャンバー１３４０がロードロックチャンバー１３１０と積層されて移送モジュール１２００とトランスファーチャンバー１３２０との間に配置されることによって、トランスファーチャンバー１３２０の周囲にさらに多くの第１処理チャンバー１３３０が提供され得る。
また、第２処理チャンバー１３４０が移送モジュール１２００とトランスファーチャンバー１３２０との間に配置されて直接移送モジュール１２００へ基板Ｓを搬送することによって、基板Ｓの移送経路が短縮され得る。
そして、基板処理装置１０００にさらに多くの第１処理チャンバー１３３０が提供され、基板Ｓの不必要な搬送が減らされることによって、基板Ｓの処理率が向上される。
以下では本発明による基板処理装置１０００の変形例に関して説明する。
上述した本発明による基板処理装置１０００の一実施形態によれば、第２処理チャンバー１３４０はロードロックチャンバー１３１０に積層されて、移送モジュール１２００とトランスファーチャンバー１３２０との間に配置される。
しかし、移送モジュール１２００とトランスファーチャンバー１３２０との間に配置される第２処理チャンバー１３４０は必ずしもロードロックチャンバー１３１０に積層されなくてもよい。
図１２は互いに積層された第２処理チャンバー１３４０の配置を示す斜視図である。
処理モジュール１３００に複数の第２処理チャンバー１３４０が提供される場合には、第２処理チャンバー１３４０は他の第２処理チャンバー１３４０と積層されて移送モジュール１２００とトランスファーチャンバー１３２０との間に配置され得る。図１２に示すように、２つの第２処理チャンバー１３４０が互いに積層されて配置され、２つのロードロックチャンバー１３１０が互いに積層されて配置され得る。
第２処理チャンバー１３４０が互いに積層された場合には、各々減圧部材１３４５やプラズマソース１３４８を有するか、又は減圧部材１３４５やプラズマソース１３４８を共有することができる。
また、移送モジュール１２００とトランスファーチャンバー１３２０との間に配置される第２処理チャンバー１３４０は、必ずしも他のチャンバーと積層されて配置されなくてもよい。
図１３は他のチャンバーと積層されなかった第２処理チャンバー１３４０を示す斜視図である。
図１３に示すように、１つの第２処理チャンバー１３４０が単独で移送モジュール１２００とトランスファーチャンバー１３２０との間に位置し、移送モジュール１２００の横方向ｘに並んだ箇所で、互いに積層された２つのロードロックチャンバー１３１０が配置され得る。
また、第２処理チャンバー１３４０は必ずしも移送モジュール１２００とトランスファーチャンバー１３２０との間に配置されなくてもよく、トランスファーチャンバー１３２０の周囲に移送モジュール１２００とは離隔されて配置されてもよい。例えば、第２処理チャンバー１３４０は第１処理チャンバー１３３０に積層されて配置され得る。
図１４は第１処理チャンバー１３３０と第２処理チャンバー１３４０とが積層された基板処理装置１０００を示す平面図であり、図１５は第１処理チャンバー１３３０と第２処理チャンバー１３４０との配置を示す斜視図である。図１４及び図１５に示すように、第２処理チャンバー１３４０が第１処理チャンバー１３３０の上部に積層されて配置され得る。
また、上述した本発明による基板処理装置１０００の一実施形態によれば、第２処理チャンバー１３４０は直接移送モジュール１２００へ基板Ｓを搬送する。
しかし、第２処理チャンバー１３４０が必ずしも直接基板Ｓを移送モジュール１２００へ搬送しなくてもよく、第２処理チャンバー１３４０が移送モジュール１２００との間で基板Ｓを交換しないこともあり得る。
図１６は移送モジュール１２００との間で基板Ｓを交換しない第２処理チャンバー１３４０の断面図である。
第２処理チャンバー１３４０のトランスファーチャンバー１３２０と対向するハウジング１３４１の一側には開口が形成され、前記開口を開閉するドアＤが形成される。
しかし、第２処理チャンバー１３４０のハウジング１３４１の前記一側を除く他の一側の全てには開口とドアＤが無く、ブロッキングされる。
これによって第２処理チャンバー１３４０はトランスファーチャンバー１３２０のみとの間で基板Ｓを交換し、移送モジュール１２００との間では基板Ｓを交換しない。
第２処理チャンバー１３４０は移送モジュール１２００と基板Ｓを交換しない場合には移送モジュール１２００との基板Ｓの交換による処理モジュール１３００の内部圧力の変化は発生しない。したがって、第２処理チャンバー１３４０は減圧部材１３４５を包含しないこともあり得る。
第２処理チャンバー１３４０は移送モジュール１２００へ直接基板Ｓを搬送できないので、第２処理チャンバー１３４０で第２処理工程が遂行された基板Ｓは、トランスファーチャンバー１３２０の搬送ロボット１３２５によって第２処理チャンバー１３４０から引き出されてロードロックチャンバー１３１０へ搬送され、ロードロックチャンバー１３１０へ入った基板Ｓは再び移送モジュール１２００の搬送ロボット１２２０によって引き出されて容器Ｃに収納される。
このように、トランスファーチャンバー１３２０と対向する一側のみに開口が形成され、他の一側は全てブロッキングされた第２処理チャンバー１３４０は、移送モジュール１２００とトランスファーチャンバー１３２０との間に配置されるか又は移送モジュール１２００と離隔されてトランスファーチャンバー１３２０の周囲に配置される。
以下では、本発明による基板処理方法に関して、本発明による基板処理装置１０００を利用して説明する。
本発明の基板処理方法を説明するにおいて、本発明の基板処理装置１０００を利用することは説明を容易にするために過ぎず、本発明の基板処理方法が上述の基板処理装置１０００により限定されることはない。
つまり、本発明の基板処理方法は、本発明の基板処理装置１０００以外にもこれと同一又は類似な機能を遂行する他の基板処理装置を利用して遂行することのできるものである。
図１７及び図１８は本発明による基板処理方法の第１実施形態の順序図及び基板Ｓの移動経路を示す図面である。
本発明による基板処理方法の第１実施形態は、図１７に図示されたように、移送モジュール１２００がロードポート１１００に置かれる容器Ｃに収納された基板Ｓを処理モジュール１３００へ搬送する段階（Ｓ１１０）、トランスファーチャンバー１３２０が第１処理チャンバー１３３０へ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ１２０）、第１処理チャンバー１３３０が第１処理工程を遂行する段階（Ｓ１３０）、トランスファーチャンバー１３２０が基板Ｓを第２処理チャンバー１３４０へ搬送する段階（Ｓ１４０）、第２処理チャンバー１３４０が第２処理工程を遂行する段階（Ｓ１５０）、及び基板Ｓが第２処理チャンバー１３４０から直接移送モジュール１２００へ搬送される段階（Ｓ１６０）を包含する。
つまり、移送モジュール１２００はロードポート１１００に置かれる容器Ｃに収納された基板Ｓを処理モジュール１３００へ搬送する（Ｓ１１０）。
移送モジュール１２００は容器Ｃから収納された基板Ｓを引き出す。
移送モジュール１２００の容器オープナが容器Ｃを開き、移送モジュール１２００の搬送ロボット１２２０が容器Ｃから基板Ｓを引き出す。搬送ロボット１２２０が複数のハンド１２２５を有する場合には同時に複数個の基板Ｓを引き出すことができる。
移送モジュール１２００は引き出された基板Ｓをロードロックチャンバー１３１０へ搬送する。
ロードロックチャンバー１３１０の移送モジュール１２００と対向する一側に形成された開口が開かれれば、移送モジュール１２００の搬送ロボット１２２０がロードロックチャンバー１３１０へ基板Ｓを搬送する。
ロードロックチャンバー１３１０の内部に基板Ｓが搬入されれば、基板Ｓはバッファスロット１３１１に安着される。ロードロックチャンバー１３１０のバッファスロット１３１１が複数である場合には複数の基板Ｓがロードロックチャンバー１３１０のバッファスロット１３１１の各々に安着され得る。
基板Ｓが安着されれば、ロードロックチャンバー１３１０のドアＤによって開口が閉められてロードロックチャンバー１３１０内部のバッファ空間Ｂが外部と隔離される。
処理モジュール１３００の内部圧力と移送モジュール１２００の内部圧力とが異なる場合には、ロードロックチャンバー１３１０の減圧部材１３１５がロードロックチャンバー１３１０の内部圧力を処理モジュール１３００の内部圧力に制御する。例えば、移送モジュール１２００のハウジング１２１０の内部が大気圧であり、トランスファーチャンバー１３２０、第１処理チャンバー１３３０及び第２処理チャンバー１３４０が真空状態である場合、ロードロックチャンバー１３１０は基板Ｓが搬入された後、ドアＤを閉め、減圧部材１３１５が内部を真空に減圧することができる。
減圧が十分に行われれば、ロードロックチャンバー１３１０はトランスファーチャンバー１３２０と対向する他の一側に形成された開口を開いて基板Ｓがトランスファーチャンバー１３２０へ搬送されるようにする。
トランスファーチャンバー１３２０が第１処理チャンバー１３３０へ基板Ｓを搬送する（Ｓ１２０）。
ロードロックチャンバー１３１０の前記一側の開口が開かれれば、トランスファーチャンバー１３２０の搬送ロボット１３２５がロードロックチャンバー１３１０から第１処理チャンバー１３３０へ基板Ｓを搬送する。搬送ロボット１３２５のハンド１３２６と第１処理チャンバー１３３０が複数である場合には同時に複数の基板Ｓを搬送することもあり得る。また、工程レシピにしたがって基板Ｓに対して複数の第１処理工程を遂行することが要求される場合には、工程レシピにしたがって複数の第１処理チャンバー１３３０に順次的に基板Ｓが搬送されることもあり得る。
第１処理チャンバー１３３０が第１処理工程を遂行する（Ｓ１３０）。
基板Ｓが第１処理チャンバー１３３０内に搬入されれば、第１処理チャンバー１３３０は基板Ｓに対して第１処理工程を遂行する。第１処理工程に関しては本発明による基板処理装置１０００の一実施形態で上述した。
トランスファーチャンバー１３２０が基板Ｓを第２処理チャンバー１３４０へ搬送する（Ｓ１４０）。
基板Ｓに対して第１処理工程が遂行されれば、トランスファーチャンバー１３２０の搬送ロボット１３２５が基板Ｓを第２処理チャンバー１３４０へ搬送する。
搬送ロボット１３２５のハンド１３２６が複数であり、第２処理チャンバー１３４０が複数であるか、又は１つの第２処理チャンバー１３４０が複数の基板Ｓを収容できる場合には、同時に複数の基板Ｓを搬送することもあり得る。
第２処理チャンバー１３４０へ基板Ｓが搬入される前に第２処理チャンバー１３４０の減圧部材１３４５が内部圧力を制御することができる。
上述したように、処理モジュール１３００と移送モジュール１２００とはその内部圧力が互いに相違し得る。後述するように、第２処理チャンバー１３４０は移送モジュール１２００との間で直接基板Ｓを交換するに際して、この過程で移送モジュール１２００から第２処理チャンバー１３４０へ空気が流入され得る。したがって、第２処理チャンバー１３４０の減圧部材１３４５はトランスファーチャンバー１３２０との間で基板Ｓを交換する前にトランスファーチャンバー１３２０を含む処理モジュール１３００の内部圧力を維持するために第２処理チャンバー１３４０の内部を減圧することができる。例えば、減圧部材１３４５は第２処理チャンバー１３４０の内部へ真空圧を印加することができる。
第２処理チャンバー１３４０が第２処理工程を遂行する（Ｓ１５０）。
基板Ｓが第２処理チャンバー１３４０内へ搬入されれば、第２処理チャンバー１３４０は基板Ｓに対して第２処理工程を遂行する。第２処理工程に関しては本発明による基板処理装置１０００の一実施形態で上述した。
基板Ｓが第２処理チャンバー１３４０のハウジング１３４１へ搬入されれば、基板Ｓは支持部材１３４２に安着される。
基板Ｓが支持部材１３４２に安着されれば、第２処理チャンバー１３４０が第２処理工程を遂行する。
例えば、第２処理チャンバー１３４０はプラズマＰを利用してクリーニング工程を遂行できる。基板Ｓが支持部材１３４２に安着されれば、加熱部材１３４３は基板Ｓを所定の温度に加熱する。基板Ｓが十分に加熱されれば、プラズマソース１３４８で生成されたプラズマＰが供給管１３４９を通じてハウジング１３４１内部に供給され、プラズマＰによって基板Ｓの上の汚染物質乃至不純物が除去されて基板Ｓが洗浄される。
基板Ｓが第２処理チャンバー１３４０から直接移送モジュール１２００へ搬送され得る（Ｓ１６０）。
第２処理工程が遂行された後、第２処理チャンバー１３４０は直接基板Ｓを移送モジュール１２００へ搬送する。
第２処理工程が終了されれば、第２処理チャンバー１３４０のハウジング１３４１の移送モジュール１２００と対向する一側に形成された開口が開き、移送モジュール１２００の搬送ロボット１２２０が第２処理チャンバー１３４０から基板Ｓを引き出す。
第２処理チャンバー１３４０から引き出された基板Ｓは、移送モジュール１２００の搬送ロボット１２２０によって容器Ｃに収容される。
上述した本発明による基板処理方法の第１実施形態によれば、基板Ｓに対して第２処理工程が処理された後、基板Ｓが第２処理工程から直接移送モジュール１２００へ搬送されることによって不必要に第２処理チャンバー１３４０からロードロックチャンバー１３１０へ、ロードロックチャンバー１３１０から移送モジュール１２００へ搬送される過程を経ないので、基板Ｓの処理率が向上される。
また、第２処理チャンバー１３４０がロードロックチャンバー１３１０に積層された形態で提供されることにより、トランスファーチャンバー１３２０の周囲にさらに多くの第１処理チャンバー１３３０を配置することができる。第１処理チャンバー１３３０で遂行される第１処理工程を遂行するのに最も多い時間が所要され得るが、この場合には基板Ｓの全体処理率は第１処理工程の個数が増加することによって向上される。したがって、処理モジュール１３００がさらに多くの第１処理チャンバー１３３０を有することによって、基板Ｓの全体処理率が向上される。
図１９及び図２０は本発明による基板処理方法の第２実施形態の順序図及び基板Ｓの移動経路を示す図面である。
本発明による基板処理方法の第２実施形態は、図１９に示すように、移送モジュール１２００がロードポート１１００に置かれる容器Ｃに収納された基板Ｓをロードロックチャンバー１３１０へ搬送する段階（Ｓ２１０）、トランスファーチャンバー１３２０が第１処理チャンバー１３３０へ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ２２０）、第１処理チャンバー１３３０が第１処理工程を遂行する段階（Ｓ２３０）、トランスファーチャンバー１３２０が基板Ｓを第２処理チャンバー１３４０へ搬送する段階（Ｓ２４０）、第２処理チャンバー１３４０が第２処理工程を遂行する段階（Ｓ２５０）、トランスファーチャンバー１３２０がロードロックチャンバー１３１０へ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ２６０）及び基板Ｓが移送モジュール１２００へ搬送される段階（Ｓ２７０）を包含する。
移送モジュール１２００がロードポート１１００に置かれる容器Ｃに収納された基板Ｓをロードロックチャンバー１３１０へ搬送する段階（Ｓ２１０）、トランスファーチャンバー１３２０が第１処理チャンバー１３３０へ基板Ｓを搬送する段階（Ｓ２２０）、第１処理チャンバー１３３０が第１処理工程を遂行する段階（Ｓ２３０）は、本発明による基板処理方法の第１実施形態で上述した内容と同一又は類似の内容で遂行することができる。
トランスファーチャンバー１３２０が基板Ｓを第２処理チャンバー１３４０へ搬送する（Ｓ２４０）。
第１処理チャンバー１３３０で第１処理工程が遂行されれば、トランスファーチャンバー１３２０の搬送ロボット１３２５が基板Ｓを第１処理チャンバー１３３０から第２処理チャンバー１３４０へ搬送する。この時、第２処理チャンバー１３４０は、トランスファーチャンバー１３２０と移送モジュール１２００との間に配置されており、トランスファーチャンバー１３２０と対向するハウジング１３４１の一側には開口が形成されているが、移送モジュール１２００と対向する一側は開口が無く、ブロッキングされている。
後述するように、本発明による基板処理方法の第２実施形態では、基板Ｓが第２処理チャンバー１３４０と移送モジュール１２００との間で直接的に交換されないので、減圧部材１３４５がハウジング１３４１内部を減圧しないこともあり得る。
第２処理チャンバー１３４０が第２処理工程を遂行する（Ｓ２５０）。第２処理チャンバー１３４０は、本発明による基板処理方法の第１実施形態と同一又は類似の内容で第２処理工程を遂行することができる。
トランスファーチャンバー１３２０がロードロックチャンバー１３１０へ基板Ｓを搬送する（Ｓ２６０）。
第２処理工程が遂行された後、トランスファーチャンバー１３２０の移送ロボット１３２５は第２処理チャンバー１３４０から基板Ｓを引き出す。移送ロボット１３２５は引き出した基板Ｓをロードロックチャンバー１３１０へ搬送する。一方、基板Ｓがロードロックチャンバー１３１０へ搬送されるようにロードロックチャンバー１３１０の移送モジュール１２００と対向する一側のドアＤが開く前に、ロードロックチャンバー１３１０の減圧部材１３１５がロードロックチャンバー１３１０の内部圧力を制御することができる。
基板Ｓが移送モジュール１２００へ搬送される（Ｓ２６０）。
基板Ｓは移送モジュール１２００の搬送ロボット１２２０によって引き出される。これによって基板Ｓはロードロックチャンバー１３１０から移送モジュール１２００へ搬送され、搬送ロボット１２２０は基板Ｓを再び容器Ｃに収容することができる。基板Ｓが容器Ｃに収納されれば、容器Ｃはオーバーヘッドトランスファー等の装備によって外部へ搬送され得る。
上述した本発明による基板処理方法の第１実施形態及び第２実施形態では第１処理工程が第２処理工程より先に遂行されている。この時、第２処理工程は第１処理工程に対する後続工程であり得る。例えば、第２処理工程が蝕刻工程である場合、第２処理工程は洗浄工程、ストリップ工程、又はアッシング工程であり得る。
しかし、第１処理工程が必ず第２処理工程より先に遂行されることではない。例えば、第２処理工程は第１処理工程の先行工程であり得る。例えば、第１処理工程が蝕刻工程である場合、第２処理工程はソフトベーキング工程、洗浄工程、アドヒージョン工程等であり得る。
このように、第１処理工程の先行工程として第２処理工程が遂行されなければならない場合には、本発明による基板処理方法が上述した第１、第２実施形態から変形されて適用され得る。
先ず第１実施形態は次のように変形されて適用され得る。
段階Ｓ１１０で容器Ｃに収納された基板Ｓがロードロックチャンバー１３１０の代わりに第２処理チャンバー１３４０を通じて処理モジュール１３００へ搬送され得る。
この過程の中で第２処理チャンバー１３４０では第２処理工程が遂行される。即ち、段階Ｓ１５０が段階Ｓ１１０以後に直ちに遂行される。これによって、ロードロックチャンバー１３１０を経なく、移送モジュール１２００から直接第２処理チャンバー１３４０へ基板Ｓが進入して直ちに第２処理工程が遂行されて基板Ｓの移送経路が短縮され、移送経路の上で処理工程が進行されて基板Ｓの処理率が向上され得る。
第２処理工程が遂行されれば、基板Ｓは第２処理チャンバー１３４０から第１処理チャンバー１３３０へ搬送される。即ち、段階Ｓ１２０で基板Ｓがロードロックチャンバー１３１０の代わりに第２処理チャンバー１３４０から第１処理チャンバー１３３０へ搬送されることである。以後、段階Ｓ１３０が遂行される。
段階Ｓ１４０では基板Ｓが第１処理チャンバー１３３０から第２処理チャンバー１３４０の代わりにロードロックチャンバー１３１０へ移送される。
段階Ｓ１５０は既に遂行されたので、直ちに段階Ｓ１６０が遂行されるが、この時、基板Ｓは第２処理チャンバー１３４０の代わりにロードロックチャンバー１３１０から移送モジュール１２００へ基板Ｓが搬送される。
次に第２実施形態は次のように変形されて適用され得る。
段階Ｓ２１０はそのまま遂行される。段階Ｓ２２０の代わりに段階Ｓ２４０が遂行される。即ち、ロードロックチャンバー１３１０から第１処理チャンバー１３３０の代わりに第２処理チャンバー１３４０へ基板Ｓが搬送されることである。続いて段階Ｓ２５０が遂行される。
第２処理工程が遂行されれば、Ｓ２２０を遂行する。即ち、ロードロックチャンバー１３１０の代わりに第２処理チャンバー１３４０から第１処理チャンバー１３３０へ基板Ｓが移送されることである。続いて段階Ｓ２３０が遂行される。
処理工程が終了されれば、段階Ｓ２６０と段階Ｓ２７０が遂行される。ここで、段階Ｓ２６０では基板Ｓが第２処理チャンバー１３４０の代わりに第１処理チャンバー１３３０からロードロックチャンバー１３１０へ搬送される。
上述した第１実施形態と第２実施形態の変形例によって、第１処理工程の先行工程で第２処理工程が遂行できる。
上述した本発明による基板処理方法において、各実施形態を構成する段階は必須的なことではなく、したがって各実施形態は上述した段階を選択的に包含できる。さらに、各実施形態は互いに個別的に又は組合されて利用されてもよく、各実施形態を構成する段階も他の実施形態を構成する段階と個別的に又は組合されて利用され得る。
また、各実施形態を構成する各段階は必ず説明された順序にしたがって遂行されなくてもよく、後に説明された段階が先ず説明された段階よりも先に遂行されることもあり得る。
また、本発明による基板処理方法は、これを遂行するコード又はプログラムの形態としてコンピューター読出し可能な記録媒体に格納され得る。
以上で説明した本発明は、当業者であれば本発明の本質的な特性から逸脱しない範囲で多様な修正及び変形が可能であり、上述した実施形態及び添付図面によって限定されない。また、本明細書で説明した実施形態に限定されるものではなく、多様な変形が行われるように各実施形態の全て又は一部を選択的に組合わせて構成することもあり得る。
１０００ 基板処理装置
１１００ ロードポート
１２００ 移送モジュール
１２１０ ハウジング
１２２０ 搬送ロボット
１２２５ ハンド
１３００ 処理モジュール
１３１０ ロードロックチャンバー
１３１１ バッファスロット
１３１５ 減圧部材
１３１６ 減圧ポンプ
１３１７ ポンプライン
１３２０ トランスファーチャンバー
１３２５ 搬送ロボット
１３２６ ハンド
１３３０ 第１処理チャンバー
１３４０ 第２処理チャンバー
１３４１ ハウジング
１３４２ 支持部材
１３４３ 加熱部材
１３４５ 減圧部材
１３４６ 減圧ポンプ
１３４７ ポンプライン
１３４８ プラズマソース
１３４９ 供給管
Ｃ 容器
ｘ 移送モジュールの横方向
Ｄ ドア
Ｓ 基板
Ｂ バッファ空間
Ｐ プラズマ
Ｖ バルブ

Claims (4)

  1. 基板が収納される容器が置かれるロードポートと、
    前記基板を処理する処理モジュールと、
    前記容器と前記処理モジュールとの間で前記基板を搬送するロボットが提供される移送モジュールと、を含み、
    前記処理モジュールは、
    前記基板を搬送するロボットが提供されるトランスファーチャンバーと、
    前記トランスファーチャンバーと前記移送モジュールとの間に配置されるロードロックチャンバーと、
    前記トランスファーチャンバーの周囲に前記移送モジュールと離隔配置されて第１処理工程を遂行する第１処理チャンバーと、
    前記トランスファーチャンバーの周囲のうち前記トランスファーチャンバーと前記移送モジュールとの間に配置されて第２処理工程を遂行する第２処理チャンバーと、を有し、
    前記第２処理チャンバーは、
    前記トランスファーチャンバーと対向する側面に第１開口が形成され、前記移送モジュールと対向する側面に第２開口が形成されたハウジングと、
    前記第１開口を開閉する第１ドアと、
    前記第２開口を開閉する第２ドアと、
    前記ハウジング内部を減圧する減圧部材と、
    前記ハウジング内に位置されて前記基板を支持する支持部材と、
    前記支持部材に置かれた基板を加熱する加熱部材と、
    プラズマを生成するプラズマソースと、
    前記生成されたプラズマを前記ハウジング内部に供給する供給管と、を有し、
    前記第２処理チャンバーが前記ロードロックチャンバーの下部に配置されて、前記ロードロックチャンバーと前記第２処理チャンバーとが互いに積層され、
    前記ロードロックチャンバーの下部に前記ハウジングが配置され、
    前記ロードロックチャンバーの上部に前記プラズマソースが配置され、
    前記ロードロックチャンバーの外壁の内部に前記供給管が埋め込まれて設置される基板処理装置。
  2. 前記ロードロックチャンバーは、
    バッファ空間を提供し、前記トランスファーチャンバーと対向する側面に第１開口が形成され、前記移送モジュールと対向する側面に第２開口が形成されたハウジングと、
    前記第１開口を開閉する第１ドアと、
    前記第２開口を開閉する第２ドアと、
    前記バッファ空間に前記基板が置かれるように前記基板を支持する少なくとも１つのバッファスロットと、を含む請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記処理モジュールは、前記第２処理チャンバーを複数個具備する請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記複数の第２処理チャンバーが側方向に並べて配置される請求項３に記載の基板処理装置。
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