KR20230004667A - 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 반송 방법 Download PDF

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KR20230004667A
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KR
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processing
substrate
wafer
processing space
space
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KR1020227040109A
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사토루 가와카미
노부오 마츠키
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

기판을 처리하는 기판 처리 장치이며, 기판 보유 지지부에서 복수의 기판을 일괄 보유 지지해서 반송 가능하게 구성된 기판 반송 기구가, 진공 분위기로 되는 내부의 진공 반송 공간에 마련된 진공 반송실과, 진공 분위기로 되는 처리 공간이 내부에 복수 형성되고, 상기 진공 반송실에 접속된 처리실을 구비하고, 상기 처리실은, 상기 진공 반송 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 반입출구가 상기 진공 반송실측에 마련되고, 상기 처리 공간으로서, 상기 반입출구를 통해서 반입된 기판에 대하여 제1 처리가 행하여지는 제1 처리 공간과, 상기 제1 처리 후의 기판에 대하여 제2 처리가 행하여지는 제2 처리 공간을 갖고, 상기 제1 처리 공간과 상기 제2 처리 공간은, 상기 기판 반송 기구에 의한 상기 반입출구를 통한 기판의 반출입 방향으로 배열되고, 상기 기판 반송 기구의 상기 기판 보유 지지부는, 상기 제1 처리 공간과 상기 제2 처리 공간에 걸쳐질 수 있는 길이를 갖는다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
본 개시는, 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 진공 반송 모듈과, 복수의 진공 처리 장치와, 반출입 포트와, 반출입 모듈을 구비한 진공 처리 시스템이 개시되어 있다. 상기 진공 반송 모듈은, 진공 반송실과, 진공 반송실 내에 배치되어, 기판의 반송을 행하기 위한 기판 보유 지지부가 마련된 기판 반송 기구를 갖는다. 상기 진공 처리 장치는, 진공 분위기의 처리 공간에 배치된 기판에 처리 가스를 공급해서 진공 처리를 행하는 것이며, 상기 진공 반송실에 접속되어, 반입출구를 통해서 상기 진공 반송실과 상기 처리 공간의 사이의 기판 반송이 행하여진다. 상기 반출입 포트는, 처리 대상의 기판을 수용한 반송 용기가 적재되는 것이다. 반출입 모듈은, 상기 반송 용기와 상기 진공 반송 모듈의 사이에서의 기판의 반출입이 행하여지는 것이다.
일본 특허 공개 제2019-220509호 공보
본 개시에 관한 기술은, 기판에 대하여 제1 처리 및 제2 처리를 이 순으로 행하는 기판 처리 장치에 있어서, 제1 처리 후이면서 또한 제2 처리 전의 기판에 의해 진공 반송 공간이 악영향을 받거나, 제1 처리 후이면서 또한 제2 처리 후의 기판이 진공 반송 공간의 분위기에 의해 악영향을 받거나 하는 것을 방지한다.
본 개시의 일 양태는, 기판을 처리하는 기판 처리 장치이며, 기판 보유 지지부에서 복수의 기판을 일괄 보유 지지해서 반송 가능하게 구성된 기판 반송 기구가, 진공 분위기로 되는 내부의 진공 반송 공간에 마련된 진공 반송실과, 진공 분위기로 되는 처리 공간이 내부에 복수 형성되고, 상기 진공 반송실에 접속된 처리실을 구비하고, 상기 처리실은, 상기 진공 반송 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 반입출구가 상기 진공 반송실측에 마련되고, 상기 처리 공간으로서, 상기 반입출구를 통해서 반입된 기판에 대하여 제1 처리가 행하여지는 제1 처리 공간과, 상기 제1 처리 후의 기판에 대하여 제2 처리가 행하여지는 제2 처리 공간을 갖고, 상기 제1 처리 공간과 상기 제2 처리 공간은, 상기 기판 반송 기구에 의한 상기 반입출구를 통한 기판의 반출입 방향으로 배열되고, 상기 기판 반송 기구의 상기 기판 보유 지지부는, 상기 제1 처리 공간과 상기 제2 처리 공간에 걸쳐질 수 있는 길이를 갖는다.
본 개시에 의하면, 기판에 대하여 제1 처리 및 제2 처리를 이 순으로 행하는 기판 처리 장치에 있어서, 제1 처리 후이면서 또한 제2 처리 전의 기판에 의해 진공 반송 공간이 악영향을 받거나, 제1 처리 후이면서 또한 제2 처리 전의 기판이 진공 반송 공간의 분위기에 의해 악영향을 받거나 하는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치로서의 웨이퍼 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리의 각 공정에서의, 웨이퍼 보유 지지부의 상태를 도시하는 도면이다.
도 3은 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리의 각 공정에서의, 웨이퍼 보유 지지부의 상태를 도시하는 도면이다.
도 4는 제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리의 각 공정에서의, 웨이퍼 보유 지지부의 상태를 도시하는 도면이다.
도 5는 제2 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리의 각 공정에서의, 웨이퍼 보유 지지 유닛의 상태를 도시하는 도면이다.
도 6은 제2 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리의 각 공정에서의, 웨이퍼 보유 지지 유닛의 상태를 도시하는 도면이다.
도 7은 제3 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 평면도이다.
도 8은 제3 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리의 각 공정에서의, 웨이퍼 보유 지지부의 상태를 도시하는 도면이다.
도 9는 제3 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리의 각 공정에서의, 웨이퍼 보유 지지부의 상태를 도시하는 도면이다.
도 10은 제3 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리의 각 공정에서의, 웨이퍼 보유 지지부의 상태를 도시하는 도면이다.
도 11은 제4 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리의 각 공정에서의, 웨이퍼 보유 지지 유닛의 상태를 도시하는 도면이다.
도 12는 제4 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리의 각 공정에서의, 웨이퍼 보유 지지 유닛의 상태를 도시하는 도면이다.
반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 예를 들어 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 등의 기판에 대한 성막 처리 등의 각종 처리가, 처리마다 개별 처리 공간 내에서 진공 분위기 하에서 행하여진다. 상술한 성막 처리 등은 1매의 기판에 대하여 필요에 따라 다수 행하여진다. 그 때문에, 스루풋 등의 향상을 목적으로, 각각 서로 다른 처리가 행하여지는 복수의 처리실을, 진공 분위기 하에서 기판을 반송 가능하게 구성된 진공 반송실을 통해서 서로 접속함으로써, 기판을 대기에 노출시키지 않고 각종 처리를 연속적으로 행하도록 한 기판 처리 장치가 알려져 있다.
그러나, 이와 같은 기판 처리 장치에서는, 제1 처리실에서 제1 처리가 행하여진 기판이, 제1 처리 후에 이어지는 제2 처리가 행하여지는 제2 처리실로 반송될 때, 진공 반송실을 통과한다. 따라서, 제1 처리이면서 또한 제2 처리 전의 기판에 의해, 진공 반송 공간이 악영향을 받는 경우가 있다. 구체적으로는, 예를 들어 제1 처리에서 기판 표면에 형성된 막 중으로부터 휘발한 성분이 진공 반송실의 내벽면에 부착되는 경우가 있다. 또한, 제1 처리 후이면서 또한 제2 처리 전의 기판이 진공 반송 공간의 분위기에 의해 악영향을 받는 경우가 있다. 구체적으로는, 예를 들어 제1 처리 후의 기판 표면이, 진공 반송실의 분위기 중의 산소에 의해 산화하는 경우가 있다.
그래서, 본 개시에 관한 기술은, 기판에 대하여 제1 처리 및 제2 처리를 이 순으로 행하는 기판 처리 장치에 있어서, 제1 처리 후이면서 또한 제2 처리 전의 기판에 의해 진공 반송 공간이 악영향을 받거나, 제1 처리 후이면서 또한 제2 처리 전의 기판이 진공 반송 공간의 분위기에 의해 악영향을 받거나 하는 것을 방지한다.
이하, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 장치의 구성에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 대해서는, 동일한 번호를 부여함으로써 중복 설명을 생략한다.
<제1 실시 형태>
도 1은, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 장치로서의 웨이퍼 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 평면도이다. 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 처리 장치(1)가, 기판으로서의 웨이퍼(W)에 대하여, 제1 처리로서의 화학 기상 액체 성막(Chemical Vapor Liquid Deposition) 처리 및 제1 처리에 이어지는 제2 처리로서의 어닐 처리를 행한다. 예를 들어, 웨이퍼(W)는 실리콘제이며, 미세한 오목부를 갖는 패턴이 표면에 형성되어 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이 웨이퍼 처리 장치(1)는, 대기부(10)와 감압부(11)를 갖고, 이들 대기부(10)와 감압부(11)가 일체로 접속된 구성을 갖고 있다. 대기부(10)는, 대기압 분위기 하에서 웨이퍼(W)에 원하는 처리를 행하는 대기 모듈을 구비한다. 감압부(11)는, 감압 분위기 하에서 웨이퍼(W)에 원하는 처리를 행하는 감압 모듈을 구비한다.
본 예에서, 대기부(10)는, 로드 로크실(12)을 내장하고 있다. 이 로드 로크실(12)을 통해서, 대기부(10)와 감압부(11)는 연결되어 있다.
로드 로크실(12)은, 대기부(10)의 후술하는 대기 반송실(20)로부터 반송된 웨이퍼(W)를, 감압부(11)의 후술하는 진공 반송실(40)에 전달하기 위해서, 웨이퍼(W)를 일시적으로 수용하도록 구성되어 있다. 또한, 로드 로크실(12)은, 내부를 대기압 분위기와 감압 분위기로 전환할 수 있도록 구성되어 있다.
로드 로크실(12)은, 복수매(본 예에서는 4매)의 웨이퍼(W)를 수용 가능하게 구성되어 있다. 구체적으로는, 로드 로크실(12)은, 웨이퍼(W)를 지지하는 웨이퍼 지지부(도시하지 않음)가 복수 마련되어 있고, 본 예에서는, 전후 방향(도면의 Y 방향) 및 폭 방향(도면의 X 방향)으로 2개씩 배열되어, 총 4개 마련되어 있다. 또한, 로드 로크실(12) 내에는, 각 웨이퍼 지지부에 대하여, 후술하는 웨이퍼 반송 기구(30)나 웨이퍼 반송 기구(60)와의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달을 위해서, 예를 들어 복수의 리프트 핀이 마련되어 있다.
로드 로크실(12)은, 게이트 밸브가 마련된 반입출구(도시하지 않음)를 통해서, 후술하는 대기 반송실(20)에 접속되어 있다. 또한, 로드 로크실(12)은, 게이트 밸브가 마련된 반입출구(도시하지 않음)를 통해서 후술하는 진공 반송실(40)에 접속되어 있다.
대기부(10)는, 후술하는 웨이퍼 반송 기구(30)를 구비한 대기 반송실(20)과, 풉(21)을 적재하는 로드 포트(22)를 갖고 있다. 풉(21)은, 복수의 웨이퍼(W)를 보관 가능한 용기이다. 또한, 대기 반송실(20)에는, 웨이퍼(W)의 수평 방향의 배향을 조절하는 오리엔타 모듈(도시하지 않음) 등이 인접해서 마련되어 있어도 된다.
대기 반송실(20)은, 평면으로 보아 직사각 형상의 하우징을 갖고, 하우징의 내부는 대기압 분위기로 유지되어 있다. 대기 반송실(20)의 하우징의 전방측(도면의 Y 방향 마이너스측)의 면에는, 복수, 예를 들어 폭 방향 일방측(도면의 X 방향 마이너스측)에 2개, 폭 방향 타방측(도면의 X 방향 플러스측)에 2개, 총 4개의 로드 포트(22)가 병설되어 있다. 대기 반송실(20)의 하우징의 후방측(도면의 Y 방향 플러스측)의 면에서의 폭 방향(도면의 X 방향) 중앙에는, 진공 반송실(40)이 접속되어 있다.
대기 반송실(20)의 내부에서의, 폭 방향 중앙에는, 상술한 로드 로크실(12)이 마련되어 있다. 또한, 대기 반송실(20)의 내부에서의, 폭 방향 일방측(도면의 X 방향 마이너스측)과 폭 방향 타방측(도면의 X 방향 플러스측)에는 각각, 웨이퍼(W)를 반송하는 웨이퍼 반송 기구(30)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(30)는, 로드 포트(22) 상의 풉(21)과 로드 로크실(12)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 것이다.
감압부(11)는, 진공 반송실(40)과 처리실(50)을 갖는다. 진공 반송실(40) 및 처리실(50)의 내부는 각각, 감압 분위기 즉 진공 분위기로 유지된다.
진공 반송실(40)은, 예를 들어 평면으로 보아 직사각 형상의 하우징을 갖고, 상술한 바와 같이 로드 로크실(12)에 접속되어 있다. 진공 반송실(40)은, 로드 로크실(12)에 반입된 웨이퍼(W)를 하나의 처리실(50)에 반송함과 함께, 당해 하나의 처리실(50)에서 화학 기상 액체 성막 처리 및 어닐 처리가 행하여진 웨이퍼(W)를, 로드 로크실(12)을 통해서 대기부(10)에 반출하도록 존재한다.
진공 반송실(40) 내부의, 진공 분위기로 되는 공간, 즉 진공 반송 공간(S1)에는, 기판 반송 기구로서의 웨이퍼 반송 기구(60)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 기구(60)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지해서 반송함으로써, 처리실(50)에 대하여 웨이퍼(W)를 반출입시키는 것이다.
웨이퍼 반송 기구(60)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하는, 기판 보유 지지부로서의 웨이퍼 보유 지지부(70)가 선단에 마련된 다관절 암으로 구성되는 반송 암(61)과, 반송 암(61)의 밑동 부분을 축지지하는 베이스(62)를 갖는다.
웨이퍼 반송 기구(60)는, 웨이퍼 보유 지지부(70)를 한 쌍 갖는다. 이하에서는, 웨이퍼 보유 지지부(70)의 한쪽을 제1 웨이퍼 보유 지지부(71)로서, 다른 쪽을 제2 웨이퍼 보유 지지부(72)로서 설명하는 경우가 있다.
제1 웨이퍼 보유 지지부(71) 및 제2 웨이퍼 보유 지지부(72)는 각각, 수평 방향으로 연장되도록, 가늘고 긴 판상으로 형성되어 있다. 또한, 제1 웨이퍼 보유 지지부(71) 및 제2 웨이퍼 보유 지지부(72)는, 서로 평행해지도록 마련되어 있다. 제1 웨이퍼 보유 지지부(71)의 길이는, 처리실(50)의 후술하는 제1 처리 공간(S21)과 제2 처리 공간(S22)에 걸쳐질 수 있는 길이이며, 제1 웨이퍼 보유 지지부(71)의 긴 변 방향(길이 방향)을 따라 배열된 복수매(본 예에서는 2매)의 웨이퍼(W)를 일괄해서 보유 지지 가능한 길이이다. 또한, 제1 웨이퍼 보유 지지부(71)는, 그 폭(수평면 내에서의 길이 방향에 수직 방향의 길이)이, 예를 들어 웨이퍼(W)의 직경보다 가늘게 형성되어 있다. 제2 웨이퍼 보유 지지부(72)의 길이 및 폭은 제1 웨이퍼 보유 지지부(71)와 마찬가지이다.
상술한 바와 같은 구성에 의해, 웨이퍼 반송 기구(60)는, 웨이퍼 보유 지지부(70)에서 복수매의 웨이퍼(W)를 일괄 보유 지지해서 반송 가능하게 되어 있다.
또한, 진공 반송실(40)의 하우징에는, 처리실(50)이 복수 접속되어 있고, 예를 들어, 진공 반송실(40)의 하우징의 폭 방향 일방측(도면의 X 방향 마이너스측)의 면에 2개, 폭 방향 타방측(도면의 X 방향 플러스측)의 면에 2개, 총 4개의 처리실(50)이 접속되어 있다.
또한, 진공 반송실(40)의 하우징의 전방측(도면의 Y 방향 마이너스측)에는 로드 로크실(12)이 접속되어 있다.
각 처리실(50)은, 평면으로 보아 직사각 형상(도면의 예에서는 평면으로 보아 정사각 형상)의 하우징을 갖고, 하우징의 내부에 처리 공간(S2)이 복수 형성되어 있다. 또한, 각 처리실(50)의 진공 반송실(40)측에는, 진공 반송 공간(S1)과 처리 공간(S2)을 연통시키는 반입출구(51)가 마련되어 있다. 반입출구(51)에는 게이트 밸브(52)가 마련되어 있다.
각 처리실(50)은, 처리 공간(S2)으로서, 웨이퍼(W)에 대하여 화학 기상 액체 성막 처리가 행하여지는 제1 처리 공간(S21)과, 화학 기상 액체 성막 처리가 행하여진 웨이퍼(W)(이하, 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W))에 대하여 어닐 처리가 행하여지는 제2 처리 공간(S22)을 갖는다.
또한, 각 처리실(50)에 있어서, 제1 처리 공간(S21)과 제2 처리 공간(S22)이, 진공 반송실(40)의 웨이퍼 반송 기구(60)의 반입출구(51)를 통한 웨이퍼(W)의 반출입 방향(도면의 X 방향)에 인접해서 배열되도록 형성되어 있다. 구체적으로는, 상기 반출입 방향을 따라, 제1 처리 공간(S21)은, 진공 반송실(40)을 기준으로 한 안쪽측에 위치하고, 제2 처리 공간(S22)은, 진공 반송실(40)을 기준으로 한 앞쪽측에 위치한다.
또한, 각 처리실(50)에 있어서, 제1 처리 공간(S21)과 제2 처리 공간(S22)의 사이에는, 제1 처리 공간(S21)과 제2 처리 공간(S22)을 연통시키는 반입출구(53)가 마련되어 있고, 반입출구(53)에는 게이트 밸브(54)가 마련되어 있다.
또한, 각 처리실(50)에 있어서, 제1 처리 공간(S21)은, 수평면 내에서의 웨이퍼(W)의 상기 반출입 방향과 직교하는 방향(도면의 Y 방향)으로 복수(도면의 예에서는 2개) 배열되도록 마련되어 있다. 이에 의해, 각 처리실(50)에서, 복수매(도면의 예에서는 2매)의 웨이퍼(W)에 대하여 동시에 화학 기상 액체 성막 처리를 행할 수 있다.
마찬가지로, 각 처리실(50)에 있어서, 제2 처리 공간(S22)은, 수평면 내에서의 웨이퍼(W)의 상기 반출입 방향과 직교하는 방향(도면의 Y 방향)으로 제1 처리 공간(S21)과 동일수 배열되도록 마련되어 있다. 이에 의해, 각 처리실(50)에서, 복수매(도면의 예에서는 2매)의 웨이퍼(W)에 대하여 동시에 어닐 처리를 행할 수 있다.
그리고, 상술한 반입출구(51) 및 반입출구(53)는, 제1 처리 공간(S21)마다 마련되어 있다.
또한, 각 처리실(50)에 있어서, 2개 배열된 제1 처리 공간(S21)끼리의 사이, 및 제2 처리 공간(S22)끼리의 사이는, 예를 들어 격벽에 의해 이격되어 있다.
각 제1 처리 공간(S21)의 내부 및 각 제2 처리 공간(S22)의 내부에는, 화학 기상 액체 성막 처리 또는 어닐 처리 중에 웨이퍼(W)를 지지하는, 기판 지지대로서의 스테이지(55)가 마련되어 있다. 각 스테이지(55)에 대해서는, 웨이퍼(W)의 온도를 화학 기상 액체 성막 처리 또는 어닐 처리에 적합한 온도로 조절하기 위해서, 온도 조절 기구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 온도 조절 기구는, 예를 들어 스테이지(55)에 매설된 저항 가열 히터이다.
또한, 각 제1 처리 공간(S21)의 내부 및 각 제2 처리 공간(S22)의 내부에는, 스테이지(55)와 웨이퍼 반송 기구(60)의 사이에서의 웨이퍼(W)의 전달을 위해서, 예를 들어 복수의 리프트 핀(도시하지 않음)이 세워 설치되어 있다.
제1 처리 공간(S21)에서는, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 미세한 오목부를 매립하도록, 화학 기상 액체 성막 처리에 의해, 유동성을 갖는 중간체를 생성한다. 제2 처리 공간(S22)에서는, 웨이퍼(W)를 어닐 처리함으로써, 유동성을 갖는 중간체를 절연막으로 변화시킨다.
화학 기상 액체 성막 처리는, 예를 들어 산소 함유 실리콘 화합물 가스와 비산화성의 수소 함유 가스를, 적어도 수소 함유 가스를 플라스마화한 상태에서 반응시켜, 유동성의 실라놀 컴파운드를 웨이퍼(W) 상에 성막한다.
산소 함유 실리콘 화합물 가스로서는, 예를 들어 테트라메톡시실란(TMOS; Si(OCH3)4), 테트라에톡시실란(TEOS; Si(OC2H5)4) 등이다. 이들 화합물은, 단독으로 사용해도 되고, 2 이상을 조합해서 사용해도 된다.
비산화성의 수소 함유 가스로서는, H2 가스, NH3 가스, SiH4 가스를 들 수 있고, 이들은 단독이어도, 2 이상의 조합이어도 된다.
상술한 화학 기상 액체 성막 처리를 가능하게 하기 위해서, 처리실(50)에는, 산소 함유 실리콘 화합물 가스나 비산화성 수소 함유 가스 등의 처리 가스를 제1 처리 공간(S21)에 공급하는 급기부(도시하지 않음)가 접속되어 있다. 또한, 어닐 처리에 처리 가스가 필요한 경우는, 처리실(50)에는, 어닐 처리용 처리 가스를 제2 처리 공간(S22)에 공급하는 급기부(도시하지 않음)도 접속된다.
또한, 상술한 화학 기상 액체 성막 처리를 가능하게 하기 위해서, 제1 처리 공간(S21) 내에는, 당해 제1 처리 공간(S21) 내에 산소 함유 실리콘 화합물 가스나 비산화성 수소 함유 가스 등의 처리 가스를 도입하는 가스 도입부로서, 가스 샤워 헤드(도시하지 않음)가 마련되어 있다.
또한, 상술한 화학 기상 액체 성막 처리를 가능하게 하기 위해서, 가스 샤워 헤드에는, 플라스마 생성용 고주파 전력을 공급하는 고주파 전원(도시하지 않음)이 접속되어 있다.
또한, 처리실(50)에는, 제1 처리 공간(S21) 및 제2 처리 공간(S22)을 배기하기 위해서 배기부(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 배기부는, 제1 처리 공간(S21)과 제2 처리 공간(S22)의 사이에서 공통이어도 되고, 제1 처리 공간(S21)과 제2 처리 공간(S22)에서 별개로 마련되어도 된다.
또한, 화학 기상 액체 성막 처리 시의 웨이퍼(W)의 온도, 즉 제1 처리 공간(S21) 내의 스테이지(55)의 온도가 낮을수록, 화학 기상 액체 성막 처리에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 형성되는 중간체의 유동성이 높아진다. 또한, 어닐 처리 시의 웨이퍼(W)의 온도, 즉 제2 처리 공간(S22) 내의 스테이지(55)의 온도가 높을수록, 단시간에 상기 중간체를 절연막으로 변화시킬 수 있다.
그 때문에, 제1 처리 공간(S21) 내의 스테이지(55)의 온도는 예를 들어 100℃ 이하로 되고, 제2 처리 공간(S22) 내의 스테이지(55)의 온도는 예를 들어 150 내지 400℃로 된다.
이상과 같이 구성되는 웨이퍼 처리 장치(1)에는, 제어부(U)가 마련되어 있다. 제어부(U)는, 예를 들어 CPU나 메모리 등을 구비한 컴퓨터에 의해 구성되고, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 웨이퍼 반송 기구(30)나, 웨이퍼 반송 기구(60), 게이트 밸브(52, 54) 등을 제어해서 웨이퍼 처리 장치(1)에서의 후술하는 웨이퍼 처리를 실현하기 위한 프로그램 등이 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 당해 기억 매체로부터 제어부(U)에 인스톨된 것이어도 된다. 또한, 프로그램의 일부 또는 모두는 전용 하드웨어(회로 기판)에 의해 실현해도 된다.
이어서, 이상과 같이 구성된 웨이퍼 처리 장치(1)를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리에 대해서, 구체적으로는, 제1 처리 공간(S21)에서의 화학 기상 액체 성막 처리와 제2 처리 공간(S22)에서의 어닐 처리를 실행하고 있을 때부터의 웨이퍼 처리에 대해서, 도 2 내지 도 4를 사용해서 설명한다. 도 2 내지 도 4는, 상기 웨이퍼 처리의 각 공정에서의 웨이퍼 보유 지지부(70)의 상태를 도시하는 도면이다. 또한, 도 2 내지 도 4에서, 개방 상태의 게이트 밸브를 백색으로, 폐쇄 상태의 게이트 밸브를 흑색으로 나타낸다. 또한, 이하의 각 공정은, 제어부(U)의 제어 하에 행하여진다.
(A1: 화학 기상 액체 성막 처리 및 어닐 처리의 실행)
제1 처리 공간(S21)에서의 화학 기상 액체 성막 처리 및 제2 처리 공간(S22)에서의 어닐 처리를 실행 중, 도 2의 (A)에 도시하는 바와 같이, 게이트 밸브(52, 54)는 폐쇄 상태로 된다.
(A2: 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1) 및 어닐 처리 후 웨이퍼(W2)의 수취)
화학 기상 액체 성막 처리 및 어닐 처리가 종료되면, 도 2의 (B)에 도시하는 바와 같이, 게이트 밸브(52, 54)는 개방 상태로 된다. 이어서, 웨이퍼 보유 지지부(70)가, 반출입 방향 일방측(도면의 X 방향 플러스측)으로 이동하여, 진공 반송실(40)로부터 처리실(50) 내에 삽입된다. 이 이동은, 구체적으로는, 웨이퍼 보유 지지부(70)의 선단이 제2 처리 공간(S22)을 통과해서 제1 처리 공간(S21) 내에 이르기까지 행하여진다. 그리고, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)(이하, 「성막 처리 후의 웨이퍼(W1)」라고 생략하는 경우가 있음)와 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)를 동시에 수취한다. 바꾸어 말하면, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 제1 처리 공간(S21) 내에서 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를 수취하는 타이밍에, 제2 처리 공간(S22) 내에서 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)도 수취한다. 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 그 선단 부분에서, 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를 수취하고, 그 밑동 부분에서, 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)를 수취한다.
또한, 제1 처리 공간(S21) 내에서의 웨이퍼 보유 지지부(70)에 의한 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)의 수취는, 예를 들어 이하와 같이 해서 행하여진다. 먼저, 스테이지(55)가 처리 위치로부터 대기 위치로 하강되어, 스테이지(55)로부터 리프트 핀(도시하지 않음)에 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)가 전달된다. 그 후, 웨이퍼 보유 지지부(70)의 이동(삽입)이, 리프트 핀 상의 웨이퍼(W)와 스테이지(55)의 사이에 웨이퍼 보유 지지부(70)가 위치하도록 행하여진다. 그리고, 리프트 핀의 하강이 행하여져, 이에 의해, 리프트 핀 상의 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)가 웨이퍼 보유 지지부(70)에 수취된다.
제2 처리 공간(S22) 내에서의 웨이퍼 보유 지지부(70)에 의한 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)의 수취 방법은, 제1 처리 공간(S21)에서의 웨이퍼 보유 지지부(70)에 의한 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)의 수취 방법과 마찬가지로, 예를 들어 이하와 같이 된다. 먼저, 리프트 핀(도시하지 않음)이 상승되어, 스테이지(55)로부터 리프트 핀(도시하지 않음)에 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)가 전달된다. 그 후, 웨이퍼 보유 지지부(70)의 이동이, 리프트 핀 상의 웨이퍼(W)와 스테이지(55)의 사이에 웨이퍼 보유 지지부(70)가 위치하도록 행하여진다. 그리고, 리프트 핀의 하강이 행하여져, 이에 의해, 리프트 핀 상의 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)가 웨이퍼 보유 지지부(70)에 수취된다.
또한, 후술하는 공정 A7 등에서는, 제2 처리 공간(S22) 내의 스테이지(55) 상에 웨이퍼(W)가 적재된 상태에서, 제2 처리 공간(S22) 내를 웨이퍼 보유 지지부(70)가 이동한다. 그 때문에, 제2 처리 공간(S22) 내의 스테이지(55)는, 웨이퍼 보유 지지부(70)가 이동할 수 있는 공간의 하방에서 고정되는 경우가 있다.
또한, 제1 처리 공간(S21) 및 제2 처리 공간(S22)에서의 웨이퍼 보유 지지부(70)에 의한 웨이퍼(W)의 수취에 필요한, 스테이지(55)의 승강이나 리프트 핀의 승강을 위한 구동력은, 모터 등을 갖는 구동부(도시하지 않음)로부터 공급되고, 또한, 상기 구동부는 제어부(U)에 의해 제어된다.
(A3: 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)의 반송)
이어서, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 반출입 방향(도면의 X 방향)으로 이동하여, 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를, 진공 반송 공간(S1)을 경유하지 않고, 제1 처리 공간(S21)으로부터 제2 처리 공간(S22)으로 반송한다. 구체적으로는, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)와 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2) 양쪽을 보유 지지한 웨이퍼 보유 지지부(70)가, 반출입 방향 타방측(도면의 X 방향 마이너스측)으로 이동한다. 이 이동은, 도 2의 (C)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 보유 지지부(70)에서의, 성막 처리 후의 웨이퍼(W)를 보유 지지한 선단 부분이 제2 처리 공간(S22) 내에 위치하고, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)가 제2 처리 공간(S22) 내의 스테이지(55)의 상방에 위치하게 될 때까지 행하여진다. 즉, 이 공정에서는, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를, 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)도 보유 지지한 웨이퍼 보유 지지부(70)에서 보유 지지하여, 제1 처리 공간(S21)으로부터 제2 처리 공간(S22)으로 반송한다.
또한, 이 공정에서는, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)의 반송(이동)에 수반하여, 웨이퍼 보유 지지부(70)의 밑동 부분에 보유 지지된 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)가 진공 반송실(40)에 반출된다.
성막 처리 후의 웨이퍼(W1)의 이동 및 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)의 반출 후, 게이트 밸브(54)가 폐쇄 상태로 된다. 그와 함께, 제2 처리 공간(S22) 내에서 웨이퍼 보유 지지부(70)로부터의 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)의 전달이 행하여져, 구체적으로는, 예를 들어 제2 처리 공간(S22) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 상승이 행하여져, 리프트 핀 상에 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)가 전달된다.
(A4: 웨이퍼 보유 지지부(70)의 발출)
그 후, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 반출입 방향 타방측(도면의 X 방향 마이너스측)으로 더 이동하여, 도 2의 (D)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 보유 지지부(70) 전체가 처리실(50)로부터 발출된다. 그리고, 게이트 밸브(52)가 폐쇄 상태로 된다. 그와 함께, 제2 처리 공간(S22) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 하강이 행하여져, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)가 제2 처리 공간(S22) 내의 스테이지(55) 상에 적재된다. 그 후, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)에 대한 어닐 처리가 개시된다.
(A5: 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)의 반출)
이어서, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 도 3의 (A)에 도시하는 바와 같이, 로드 로크실(12)에 삽입된다. 그리고, 웨이퍼 보유 지지부(70)의 밑동 부분으로부터의, 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)의 전달이, 로드 로크실(12) 내에서 행하여진다. 구체적으로는, 예를 들어 로드 로크실(12) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 상승이 행하여져, 이 리프트 핀 상에 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)가 전달된다. 리프트 핀에 전달된 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)는, 소정의 타이밍에 로드 로크실(12)로부터 풉(21)에 반송된다.
(A6: 미처리 웨이퍼(W3)의 수취)
계속해서, 도 3의 (B)에 도시하는 바와 같이, 로드 로크실(12) 내에서, 웨이퍼 보유 지지부(70)의 선단 부분에 의한, 화학 기상 액체 성막 처리 전의 웨이퍼(W3), 즉 미처리 웨이퍼(W3)의 수취가 행하여진다. 구체적으로는, 미리 미처리 웨이퍼(W3)를 상단에서 지지한 로드 로크실(12) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 하강이 행하여져, 이에 의해, 리프트 핀 상의 미처리 웨이퍼(W3)가 웨이퍼 보유 지지부(70)의 선단 부분에 전달된다.
(A7: 미처리 웨이퍼(W3)의 반송)
이어서, 도 4의 (A)에 도시하는 바와 같이, 게이트 밸브(52, 54)가 개방 상태로 된다. 그리고, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)가 제2 처리 공간(S22)에 위치한 상태에서, 미처리 웨이퍼(W3)만을 보유 지지한 웨이퍼 보유 지지부(70)가 처리실(50)에 삽입되어, 미처리 웨이퍼(W3)가 제1 처리 공간(S21)에 반송된다. 그 후, 제1 처리 공간(S21) 내에서 웨이퍼 보유 지지부(70)로부터의 미처리 웨이퍼(W3)의 전달이 행하여져, 구체적으로는, 예를 들어 제1 처리 공간(S21) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 상승이 행하여져, 리프트 핀 상에 미처리 웨이퍼(W3)가 전달된다.
(A8: 웨이퍼 보유 지지부(70)의 발출)
그 후, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 반출입 방향 타방측(도면의 X 방향 마이너스측)으로 이동하여, 도 4의 (B)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 보유 지지부(70) 전체가 처리실(50)로부터 발출된다. 그리고, 게이트 밸브(52, 54)가 폐쇄 상태로 된다. 그와 함께, 제1 처리 공간(S21) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 하강이 행하여져, 미처리 웨이퍼(W3)가 제1 처리 공간(S21) 내의 스테이지(55) 상에 적재된다. 그 후, 미처리 웨이퍼(W3)에 대한 화학 기상 액체 성막 처리가 개시된다.
그 후, 상기 공정 A1로 돌아가서, 공정 A1 내지 A8이 반복된다.
이상과 같이, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 처리 장치(1)에 있어서, 제1 처리 공간(S21)과 제2 처리 공간(S22)이, 웨이퍼 반송 기구(60)에 의한 반입출구(51)를 통한 웨이퍼(W)의 반출입 방향으로 배열되어 있다. 그 때문에, 제1 처리 공간(S21) 내에서 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를 웨이퍼 보유 지지부(70)에서 수취한 후, 웨이퍼 보유 지지부(70)를 상기 반출입 방향으로 이동시킴으로써, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를, 진공 반송 공간(S1)을 경유하지 않고, 제2 처리 공간(S22)으로 반송할 수 있다. 따라서, 화학 기상 액체 성막 처리 후이며 어닐 처리 전의 웨이퍼(W1)에 의해, 진공 반송 공간(S1)이 악영향을 받지 않는다. 구체적으로는, 예를 들어 화학 기상 액체 성막 처리에서 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 상기 중간 생성물로부터 휘발한 성분이 진공 반송실(40)의 내벽면에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 화학 기상 액체 성막 처리 후이며 어닐 처리 전의 웨이퍼(W1)가, 진공 반송 공간(S1)의 분위기에 의해 악영향을 받는 것을 억제할 수 있다. 또한, 화학 기상 액체 성막 처리 후이며 어닐 처리 전의 웨이퍼(W1)로부터 대기 분위기 중 등에 유해한 가스가 방출되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 이하의 효과가 있다. 즉, 화학 기상 액체 성막 처리와 어닐 처리 양쪽을 행하는 웨이퍼 처리 장치로서, 본 실시 형태와 달리, 화학 기상 액체 성막 처리가 행하여지는 제1 처리 공간과, 어닐 처리가 행하여지는 제2 처리 공간이 각각 별도의 처리실에 마련되고, 처리실끼리 진공 반송실을 통해서 접속되는 장치를 생각할 수 있다. 이 웨이퍼 처리 장치(이하, 비교 형태의 웨이퍼 처리 장치)에서는, 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼는, 진공 반송실을 통해서 제1 처리 공간으로부터 제2 처리 공간에 반송된다. 그에 반해, 본 실시 형태에서는, 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)는, 진공 반송실(40)을 통하지 않고 제1 처리 공간(S21)으로부터 제2 처리 공간(S22)에 반송할 수 있다. 그 때문에, 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를 제1 처리 공간(S21)으로부터 제2 처리 공간(S22)에 반송하는 시간을 단축할 수 있다. 따라서, 웨이퍼 처리 장치(1)에서의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 구체적으로는, 본 실시 형태에서는, 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를 제1 처리 공간(S21)으로부터 제2 처리 공간(S22)에 반송하는 시간을, 비교 형태의 웨이퍼 처리 장치에 비해서, 적어도 2 내지 3초 정도 단축할 수 있다. 화학 기상 액체 성막 처리에 요하는 시간은 예를 들어 100초 정도이고, 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를 제1 처리 공간(S21)으로부터 제2 처리 공간(S22)에 반송하는 시간을 상술한 바와 같이 2 내지 3초 정도 단축할 수 있는 것은, 웨이퍼 처리 장치(1)에서의 스루풋의 관점에서는 매우 크다.
또한, 본 실시 형태에서는, 웨이퍼 보유 지지부(70)가, 제1 처리 공간(S21)과 제2 처리 공간(S22)에 걸쳐질 수 있는 길이를 갖는다. 그 때문에, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 제1 처리 공간(S21) 내에서 화학 기상 액체 성막 후의 웨이퍼(W1)를 수취하는 타이밍에, 제2 처리 공간(S22) 내에서 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)도 수취할 수 있다. 따라서, 제1 처리 공간(S21) 내에서의 웨이퍼 보유 지지부(70)에 의한 화학 기상 액체 성막 후의 웨이퍼(W1)의 수취 타이밍과, 제2 처리 공간(S22) 내에서의 웨이퍼 보유 지지부(70)에 의한 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)의 수취 타이밍이 다른 경우에 비해서, 웨이퍼 처리 장치(1)에서의 스루풋을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 화학 기상 액체 성막 처리와 어닐 처리를, 각각 별도의 처리 공간에서 행하고 있고, 구체적으로는, 각각 별도의 스테이지(55) 상에서 행하고 있다. 그 때문에, 화학 기상 액체 성막 처리와 어닐 처리의 사이에서 스테이지(55)의 온도 변경의 필요가 없다. 따라서, 화학 기상 액체 성막 처리와 어닐 처리에서 크게 다른 스테이지 온도, 즉 처리 온도를 설정한 경우에도, 화학 기상 액체 성막 처리와 어닐 처리를 포함하는 일련의 처리를 단시간에 행할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치(1)는, 화학 기상 액체 성막 처리보다 어닐 처리쪽이 긴 경우, 즉, 제1 처리보다 제2 처리쪽이 긴 경우에 적합하게 사용된다. 또한, 화학 기상 액체 성막 처리의 시간 길이는, 처리 가스의 유량이나, 플라스마 생성용 고주파 전력의 출력 등으로 조절 가능하다.
<제2 실시 형태>
제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치(1)는, 한 쌍의 웨이퍼 보유 지지부(70)가 웨이퍼 반송 기구(60)에 마련되어 있었다. 바꾸어 말하면, 한 쌍의 웨이퍼 보유 지지부(70)를 갖는 1개의 웨이퍼 보유 지지 유닛이 웨이퍼 반송 기구(60)의 반송 암(61)의 선단에 마련되어 있었다.
그에 반해, 본 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치는, 웨이퍼 반송 기구의 반송 암의 선단에, 한 쌍의 웨이퍼 보유 지지부(70)를 갖는 웨이퍼 보유 지지 유닛이 2개 마련되어 있다. 또한, 이하에서는, 웨이퍼 보유 지지 유닛 중, 한쪽을 웨이퍼 보유 지지 유닛(80), 다른 쪽을 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)으로서 설명한다.
도 5 및 도 6은, 제2 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리의 각 공정에서의, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80, 81)의 상태를 도시하는 도면이다.
(B1: 화학 기상 액체 성막 처리 및 어닐 처리의 실행)
제1 처리 공간(S21)에서의 화학 기상 액체 성막 처리 및 제2 처리 공간(S22)에서의 어닐 처리를 실행 중, 도 5의 (A)에 도시하는 바와 같이, 게이트 밸브(52, 54)는 폐쇄 상태로 된다. 또한, 이때, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)은, 웨이퍼(W)를 보유 지지하고 있지 않지만, 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)은, 미처리 웨이퍼(W3)를 그 선단 부분에 보유 지지하고 있다.
(B2: 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1) 및 어닐 처리 후 웨이퍼(W2)의 수취)
화학 기상 액체 성막 처리 및 어닐 처리가 종료되면, 도 5의 (B)에 도시하는 바와 같이, 게이트 밸브(52, 54)는 개방 상태로 된다. 이어서, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)이, 반출입 방향 일방측(도면의 X 방향 플러스측)으로 이동하여, 진공 반송실(40)로부터 처리실(50) 내에 삽입된다. 이때, 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)은, 진공 반송실(40) 내에 위치한 채 그대로이다. 그리고, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)은, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)와 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)를 동시에 수취한다.
(B3: 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)의 반송)
이어서, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)은, 도 5의 (C)에 도시하는 바와 같이, 반출입 방향 타방측(도면의 X 방향 마이너스측)으로 이동하여, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를, 진공 반송 공간(S1)을 경유하지 않고 제1 처리 공간(S21)으로부터 제2 처리 공간(S22)으로 반송한다. 이때, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)은, 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)도 보유 지지하고 있고, 또한, 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)은, 계속해서 진공 반송실(40) 내에 위치한 채 그대로이다.
성막 처리 후의 웨이퍼(W1)의 제2 처리 공간(S22)으로의 반송 후, 게이트 밸브(54)가 폐쇄 상태로 된다. 그와 함께, 제2 처리 공간(S22) 내에서 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)으로부터의 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)의 전달이 행하여져, 구체적으로는, 예를 들어 제2 처리 공간(S22) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 상승이 행하여져서, 리프트 핀 상에 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)가 전달된다.
(B4: 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)의 발출 및 미처리 웨이퍼(W3)의 반송)
그 후, 도 6의 (A)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80) 전체가 처리실(50)로부터 발출된다. 그리고, 제2 처리 공간(S22) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 하강이 행하여져, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)가 제2 처리 공간(S22) 내의 스테이지(55) 상에 적재된다. 그 후, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)에 대한 어닐 처리가 개시된다.
계속해서, 게이트 밸브(54)가 개방 상태로 된다. 그리고, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)가 제2 처리 공간(S22)에 위치한 상태에서, 미처리 웨이퍼(W3)만을 보유 지지한 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)이 처리실(50)에 삽입되어, 미처리 웨이퍼(W3)가 제1 처리 공간(S21)에 반송된다. 그 후, 제1 처리 공간(S21) 내에서 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)으로부터의 미처리 웨이퍼(W3)의 전달이 행하여져, 구체적으로는, 예를 들어 제1 처리 공간(S21) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 상승이 행하여져, 리프트 핀 상에 미처리 웨이퍼(W3)가 전달된다.
(B5: 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)의 발출)
그 후, 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)은, 반출입 방향 타방측(도면의 X 방향 마이너스측)으로 이동하여, 도 6의 (B)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 보유 지지 유닛(81) 전체가 처리실(50)로부터 발출된다. 그리고, 게이트 밸브(52, 54)가 폐쇄 상태로 된다. 그와 함께, 제1 처리 공간(S21) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 하강이 행하여져, 미처리 웨이퍼(W3)가 제1 처리 공간(S21) 내의 스테이지(55) 상에 적재된다. 그 후, 미처리 웨이퍼(W3)에 대한 화학 기상 액체 성막 처리가 개시된다.
(B6: 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)의 반출)
이어서, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)이 로드 로크실(12)에 삽입된다. 그리고, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)의 밑동 부분으로부터의, 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)의 전달이, 로드 로크실(12) 내에서 행하여진다.
(B7: 미처리 웨이퍼(W3)의 수취)
계속해서, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)은, 로드 로크실(12) 내에서, 미처리 웨이퍼(W3)를 그 선단 부분에서 수취한다.
그 후, 상기 공정 B1로 돌아가서, 공정 B1 내지 B7이 반복된다. 또한, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)과 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)의 동작은, 그 동작이 서로 간섭하지 않는 범위에서 동시에 행하여져도 된다.
본 실시 형태에서도, 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를, 진공 반송 공간(S1)을 경유하지 않고 제2 처리 공간(S22)에 반송할 수 있다. 따라서, 화학 기상 액체 성막 처리 후이며 어닐 처리 전의 웨이퍼(W1)에 의해, 진공 반송 공간(S1)이 악영향을 받지 않고, 또한, 화학 기상 액체 성막 처리 후이며 어닐 처리 전의 웨이퍼(W1)가, 진공 반송 공간(S1)의 분위기에 의해 악영향을 받는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 웨이퍼(W)에 대한 화학 기상 액체 성막 처리 종료 후부터 다음 웨이퍼(W)에 대한 화학 기상 액체 성막 처리 개시까지의 시간을 단축할 수 있어, 스루풋을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치는, 화학 기상 액체 성막 처리에 요하는 시간과, 어닐 처리에 요하는 시간이 가까울 때 적합하게 사용할 수 있다.
<제3 실시 형태>
도 7은, 제3 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치의 구성의 개략을 모식적으로 도시하는 평면도이다.
제1 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치(1)에서는, 반입출구(51)를 통한 웨이퍼(W)의 반출입 방향(도면의 X 방향)을 따라, 제1 처리 공간(S21)은, 진공 반송실(40)을 기준으로 한 안쪽측에 위치하고, 제2 처리 공간(S22)은, 진공 반송실(40)을 기준으로 한 앞쪽측에 위치하고 있었다.
그에 반해, 제3 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치(1a)에서는, 도시한 바와 같이, 반입출구(51)를 통한 웨이퍼(W)의 반출입 방향(도면의 X 방향)을 따라, 제1 처리 공간(S21)은, 진공 반송실(40)을 기준으로 한 앞쪽측에 위치하고, 제2 처리 공간(S22)은, 진공 반송실(40)을 기준으로 한 안쪽측에 위치하고 있다.
도 8 내지 도 10은, 제3 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치(1a)를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리의 각 공정에서의, 웨이퍼 보유 지지부(70)의 상태를 도시하는 도면이다.
(C1: 화학 기상 액체 성막 처리 및 어닐 처리의 실행)
제1 처리 공간(S21)에서의 화학 기상 액체 성막 처리 및 제2 처리 공간(S22)에서의 어닐 처리를 실행 중, 도 8의 (A)에 도시하는 바와 같이, 게이트 밸브(52, 54)는 폐쇄 상태로 된다.
(C2: 어닐 처리 후 웨이퍼(W2)의 수취)
화학 기상 액체 성막 처리 및 어닐 처리가 종료되면, 도 8의 (B)에 도시하는 바와 같이, 게이트 밸브(52, 54)는 개방 상태로 된다. 이어서, 웨이퍼 보유 지지부(70)가, 반출입 방향 일방측(도면의 X 방향 플러스측)으로 이동하여, 진공 반송실(40)로부터 처리실(50) 내에 삽입된다. 이 이동은, 구체적으로는, 웨이퍼 보유 지지부(70)의 선단이 제1 처리 공간(S21)을 통과해서 제2 처리 공간(S22) 내에 이르기까지 행하여진다. 그리고, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)만을, 그 선단 부분에서 수취한다.
(C3: 웨이퍼 보유 지지부(70)의 발출)
그 후, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)만을 보유 지지한 상태에서, 반출입 방향 타방측(도면의 X 방향 마이너스측)으로 이동하여, 도 8의 (C)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 보유 지지부(70) 전체가 처리실(50)로부터 발출된다. 그리고, 게이트 밸브(52, 54)가 폐쇄 상태로 된다.
(C4: 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)의 반출)
이어서, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 도 9의 (A)에 도시하는 바와 같이, 로드 로크실(12)에 삽입된다. 그리고, 웨이퍼 보유 지지부(70)의 선단 부분으로부터의, 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)의 전달이, 로드 로크실(12) 내에서 행하여진다. 구체적으로는, 예를 들어 로드 로크실(12) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 상승이 행하여져, 이 리프트 핀 상에 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)가 전달된다.
(C5: 미처리 웨이퍼(W3)의 수취)
계속해서, 도 9의 (B)에 도시하는 바와 같이, 로드 로크실(12) 내에서, 웨이퍼 보유 지지부(70)의 밑동 부분에 의한, 화학 기상 액체 성막 처리 전의 웨이퍼(W3), 즉 미처리 웨이퍼(W3)의 수취가 행하여진다. 구체적으로는, 미리 미처리 웨이퍼(W3)를 상단에서 지지한 로드 로크실(12) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 하강이 행하여져, 이에 의해, 리프트 핀 상의 미처리 웨이퍼(W3)가 웨이퍼 보유 지지부(70)의 밑동 부분에 전달된다.
(C6: 화학 기상 액체 성막 처리 후 웨이퍼(W1)의 수취)
이어서, 도 10의 (A)에 도시하는 바와 같이, 게이트 밸브(52)가 개방 상태로 됨과 함께, 웨이퍼 보유 지지부(70)의 선단 부분이, 처리실(50)의 제1 처리 공간(S21) 내에 삽입된다. 그리고, 웨이퍼 보유 지지부(70)가, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를 그 선단 부분에서 수취한다. 이때, 웨이퍼 보유 지지부(70)의 밑동 부분에는 미처리 웨이퍼(W3)가 보유 지지되어 있다. 즉, 이 공정에서는, 미처리 웨이퍼(W3)를 보유 지지한 웨이퍼 보유 지지부(70)에서, 제1 처리 공간(S21) 내에서 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를 수취한다.
(C7: 성막 처리 후의 웨이퍼(W1) 및 미처리 웨이퍼(W3)의 반송)
계속해서, 도 10의 (B)에 도시하는 바와 같이, 게이트 밸브(54)가 개방 상태로 됨과 함께, 웨이퍼 보유 지지부(70)가, 반출입 방향 일방측(도면의 X 방향 플러스측)으로 이동한다. 이에 의해, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를, 진공 반송 공간(S1)을 경유하지 않고, 제1 처리 공간(S21)으로부터 제2 처리 공간(S22)으로 반송함과 함께, 미처리 웨이퍼(W3)를 제1 처리 공간(S21)으로 반송한다. 그리고, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)와 미처리 웨이퍼(W3)를 동시에 전달한다. 바꾸어 말하면, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 선단 부분에서 보유 지지한 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를 제2 처리 공간(S22) 내에서 전달하는 타이밍에, 밑동 부분에서 보유 지지한 미처리 웨이퍼(W3)도 제1 처리 공간(S21) 내에서 전달한다. 또한, 제2 처리 공간(S22) 내에서의 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)의 전달에서는, 제2 처리 공간(S22) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 상승이 행하여져, 이 리프트 핀 상에 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)가 전달된다. 또한, 제1 처리 공간(S21) 내에서의 미처리 웨이퍼(W3)의 전달에서는, 제1 처리 공간(S21) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 상승이 행하여져, 이 리프트 핀 상에 미처리 웨이퍼(W3)가 전달된다.
(C8: 웨이퍼 보유 지지부(70)의 발출)
그 후, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 반출입 방향 타방측(도면의 X 방향 마이너스측)으로 이동하여, 도 10의 (C)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 보유 지지부(70) 전체가 처리실(50)로부터 발출된다. 그리고, 게이트 밸브(52, 54)가 폐쇄 상태로 된다. 그와 함께, 제1 처리 공간(S21) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 하강 및 제2 처리 공간(S22) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 하강이 행하여져, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)가 제2 처리 공간(S22) 내의 스테이지(55) 상에 적재됨과 함께, 미처리 웨이퍼(W3)가 제1 처리 공간(S21) 내의 스테이지(55) 상에 적재된다. 그 후, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)에 대한 어닐 처리와 미처리 웨이퍼(W3)에 대한 화학 기상 액체 성막 처리가 개시된다.
그 후, 상기 공정 C1로 돌아가서, 공정 C1 내지 C8이 반복된다.
본 실시 형태에서도, 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를, 진공 반송 공간(S1)을 경유하지 않고 제2 처리 공간(S22)에 반송할 수 있다. 따라서, 화학 기상 액체 성막 처리 후이며 어닐 처리 전의 웨이퍼(W1)에 의해, 진공 반송 공간(S1)이 악영향을 받지 않고, 또한, 화학 기상 액체 성막 처리 후이며 어닐 처리 전의 웨이퍼(W1)가, 진공 반송 공간(S1)의 분위기에 의해 악영향을 받는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 화학 기상 액체 성막 처리 종료부터 어닐 처리 개시까지 시간이 있기 때문에, 이 시간에, 제1 처리 공간(S21) 내에서 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)에 대하여, 플라스마를 사용한 화학 기상 액체 성막 처리 이외의 처리를 행할 수 있다.
<제4 실시 형태>
제4 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치는, 제3 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치와 마찬가지로, 제1 처리 공간(S21)과 제2 처리 공간(S22)이 위치하고 있다. 구체적으로는, 반입출구(51)를 통한 웨이퍼(W)의 반출입 방향(도면의 X 방향)을 따라, 제1 처리 공간(S21)은, 진공 반송실(40)을 기준으로 한 앞쪽측에 위치하고, 제2 처리 공간(S22)은, 진공 반송실(40)을 기준으로 한 안쪽측에 위치하고 있다. 또한, 제4 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치는, 제2 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치와 마찬가지로, 한 쌍의 웨이퍼 보유 지지부(70)를 갖는 2개의 웨이퍼 보유 지지 유닛(웨이퍼 보유 지지 유닛(80, 81))이 마련되어 있다.
도 11 및 도 12는, 제4 실시 형태에 관한 웨이퍼 처리 장치를 사용해서 행하여지는 웨이퍼 처리의 각 공정에서의, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80, 81)의 상태를 도시하는 도면이다.
(D1: 화학 기상 액체 성막 처리 및 어닐 처리의 실행)
제1 처리 공간(S21)에서의 화학 기상 액체 성막 처리 및 제2 처리 공간(S22)에서의 어닐 처리를 실행 중, 도 11의 (A)에 도시하는 바와 같이, 게이트 밸브(52, 54)는 폐쇄 상태로 된다. 또한, 이때, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)은, 웨이퍼(W)를 보유 지지하고 있지 않지만, 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)은, 미처리 웨이퍼(W3)를 그 밑동 부분에 보유 지지하고 있다.
(D2: 어닐 처리 후 웨이퍼(W2)의 수취)
화학 기상 액체 성막 처리 및 어닐 처리가 종료되면, 도 11의 (B)에 도시하는 바와 같이, 게이트 밸브(52, 54)는 개방 상태로 된다. 이어서, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)이, 반출입 방향 일방측(도면의 X 방향 플러스측)으로 이동하여, 진공 반송실(40)로부터 처리실(50) 내에 삽입된다. 이때, 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)은, 진공 반송실(40) 내에 위치한 채 그대로이다. 그리고, 웨이퍼 보유 지지부(70)는, 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)만을 그 선단 부분에서 수취한다.
(D3: 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)의 발출 및 성막 처리 후의 웨이퍼(W)의 수취)
계속해서, 도 11의 (C)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80) 전체가 처리실(50)로부터 발출됨과 함께, 게이트 밸브(54)가 폐쇄 상태로 되고, 또한, 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)의 선단 부분이, 제1 처리 공간(S21) 내에 삽입된다. 그리고, 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)이, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를, 그 선단 부분에서 수취한다. 이때, 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)의 웨이퍼 보유 지지부(70)의 밑동 부분에는 미처리 웨이퍼(W3)가 보유 지지되어 있다.
(D4: 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)의 반송 및 미처리 웨이퍼(W3)의 반송)
계속해서, 도 12의 (A)에 도시하는 바와 같이, 게이트 밸브(54)가 개방 상태로 됨과 함께, 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)이, 반출입 방향 일방측(도면의 X 방향 플러스측)으로 이동한다. 이에 의해, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를, 진공 반송 공간(S1)을 경유하지 않고 제1 처리 공간(S21)으로부터 제2 처리 공간(S22)으로 반송함과 함께, 미처리 웨이퍼(W3)를 제1 처리 공간(S21)으로 반송한다. 그리고, 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)은, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)와 미처리 웨이퍼(W3)를 동시에 전달한다. 또한, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)의 전달에서는, 제2 처리 공간(S22) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 상승이 행하여져, 이 리프트 핀 상에 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)가 전달된다. 또한, 미처리 웨이퍼(W3)의 전달에서는, 제1 처리 공간(S21) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 상승이 행하여져, 이 리프트 핀 상에 미처리 웨이퍼(W3)가 전달된다.
(D5: 웨이퍼 보유 지지 유닛(81)의 발출)
그 후, 도 12의 (B)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼 보유 지지 유닛(81) 전체가 처리실(50)로부터 발출됨과 함께, 게이트 밸브(52, 54)가 폐쇄 상태로 된다. 그와 함께, 제1 처리 공간(S21) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 하강 및 제2 처리 공간(S22) 내의 리프트 핀(도시하지 않음)의 하강이 행하여져, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)가 제2 처리 공간(S22) 내의 스테이지(55) 상에 적재됨과 함께, 미처리 웨이퍼(W3)가 제1 처리 공간(S21) 내의 스테이지(55) 상에 적재된다. 그 후, 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)에 대한 어닐 처리와 미처리 웨이퍼(W3)에 대한 화학 기상 액체 성막 처리가 개시된다.
(D6: 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)의 반출)
이어서, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)이 로드 로크실(12)에 삽입된다. 그리고, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)의 선단 부분으로부터의, 어닐 처리 후의 웨이퍼(W2)의 전달이, 로드 로크실(12) 내에서 행하여진다.
(D7: 미처리 웨이퍼(W3)의 수취)
계속해서, 웨이퍼 보유 지지 유닛(80)은, 로드 로크실(12) 내에서, 미처리 웨이퍼(W3)를 그 밑동 부분에서 수취한다.
그 후, 상기 공정 D1로 돌아가서, 공정 D1 내지 D7이 반복된다.
본 실시 형태에서도, 화학 기상 액체 성막 처리 후의 웨이퍼(W1)를, 진공 반송 공간(S1)을 경유하지 않고 제2 처리 공간(S22)에 반송할 수 있다. 따라서, 화학 기상 액체 성막 처리 후이며 어닐 처리 전의 웨이퍼(W1)에 의해, 진공 반송 공간(S1)이 악영향을 받지 않고, 또한, 화학 기상 액체 성막 처리 후이며 어닐 처리 전의 웨이퍼(W1)가, 진공 반송 공간(S1)의 분위기에 의해 악영향을 받는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제3 실시 형태에 비하여, 화학 기상 액체 성막 처리 종료부터 어닐 처리 개시까지의 시간을 단축할 수 있기 때문에, 스루풋을 높일 수 있다.
<변형예>
이상의 예에서는, 각 처리실(50)에서, 제1 처리 공간(S21) 및 제2 처리 공간(S22)은 각각, 수평면 내에서의 웨이퍼(W)의 반출입 방향과 직교하는 방향(도면의 Y 방향)으로 복수 배열되도록 마련되어 있었다. 이 예에 한정되지 않고, 각 처리실(50)에서 형성되는, 제1 처리 공간(S21) 및 제2 처리 공간의 수는 각각 1개이어도 된다.
또한, 이상의 예에서는, 제2 처리 공간(S22)에서 행하여지는 처리는 어닐 처리만이었지만, 어닐 처리와 병행해서 베벨 에치 처리를 행하도록 해도 된다. 이에 의해, 화학 기상 액체 성막 처리에서 웨이퍼(W)의 베벨부나 이면에 형성된 상술한 중간체를 제거할 수 있어, 이 중간체가, 웨이퍼(W)의 반송에 악영향을 미치게 하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제2 처리 공간(S22)에서 베벨 에치 처리를 행하는 경우, 예를 들어 웨이퍼(W)의 베벨부 주변에 플라스마가 집중되도록, 제2 처리 공간(S22) 내부는 구성된다.
또한, 이상의 예에서는, 웨이퍼(W)의 온도 조절 기구는, 스테이지(55)에 매설된 저항 가열 히터인 것으로 했지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 스테이지(55)에 매설된, 웨이퍼(W)로부터 방열하기 위한 냉매 유로이어도 되고, 스테이지(55)의 상방에 마련된 램프 히터나 LED 히터이어도 된다.
또한, 이상의 예에서는, 제1 처리와 제2 처리의 조합은, 화학 기상 액체 성막 처리와 어닐 처리이었지만, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제1 처리가, Ti막의 성막 처리, 제2 처리가, TiN막의 성막 처리이어도 된다. 또한, 제1 처리가, 웨이퍼(W)의 표면의 자연 산화막이나 유기물의 제거를 하기 위한 클리닝 처리, 제2 처리가, 화학 기상 액체 성막 처리 또는 그 이외의 성막 처리이어도 된다.
금회 개시된 실시 형태는 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 상기 실시 형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하지 않고, 다양한 형태로 생략, 치환, 변경되어도 된다.
1, 1a: 웨이퍼 처리 장치
40: 진공 반송실
50: 처리실
60: 웨이퍼 반송 기구
70: 웨이퍼 보유 지지부
W: 웨이퍼

Claims (19)

  1. 기판을 처리하는 기판 처리 장치이며,
    기판 보유 지지부에서 복수의 기판을 일괄 보유 지지해서 반송 가능하게 구성된 기판 반송 기구가, 진공 분위기로 되는 내부의 진공 반송 공간에 마련된 진공 반송실과,
    진공 분위기로 되는 처리 공간이 내부에 복수 형성되고, 상기 진공 반송실에 접속된 처리실을 구비하고,
    상기 처리실은,
    상기 진공 반송 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 반입출구가 상기 진공 반송실측에 마련되고,
    상기 처리 공간으로서, 상기 반입출구를 통해서 반입된 기판에 대하여 제1 처리가 행하여지는 제1 처리 공간과, 상기 제1 처리 후의 기판에 대하여 제2 처리가 행하여지는 제2 처리 공간을 갖고,
    상기 제1 처리 공간과 상기 제2 처리 공간은, 상기 기판 반송 기구에 의한 상기 반입출구를 통한 기판의 반출입 방향으로 배열되고,
    상기 기판 반송 기구의 상기 기판 보유 지지부는, 상기 제1 처리 공간과 상기 제2 처리 공간과에 걸쳐질 수 있는 길이를 갖는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부는, 상기 제1 처리 후의 기판을 상기 제1 처리 공간 내에서 수취한 후, 당해 기판이 상기 진공 반송 공간을 경유하지 않고 상기 제2 처리 공간으로 반송되도록, 상기 반출입 방향으로 이동하는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 처리 공간 내에서의 상기 기판 보유 지지부와의 사이에서의 기판의 전달, 및 상기 제2 처리 공간 내에서의 상기 기판 보유 지지부와의 사이에서의 기판의 전달은, 동일한 타이밍에 행하여지는, 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 진공 반송실을 기준으로 해서, 상기 제1 처리 공간은 안쪽측에, 상기 제2 처리 공간은 앞쪽측에 위치하는, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부는, 상기 제1 처리 공간으로부터 상기 제2 처리 공간으로의 상기 제1 처리 후의 기판 반송 시에, 상기 제1 처리 후의 기판에 더하여, 상기 제2 처리 후의 기판도 보유 지지하는, 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부는, 상기 제1 처리 공간 내에서 상기 제1 처리 후의 기판을 수취하는 타이밍에, 상기 제2 처리 공간 내에서 상기 제2 처리 후의 기판도 수취하는, 기판 처리 장치.
  7. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 반송 기구는, 상기 제1 처리 후의 기판이 상기 제2 처리 공간에 위치한 상태에서, 상기 제1 처리 전의 기판만을 상기 기판 보유 지지부에서 보유 지지하여, 상기 제1 처리 공간에 반송하는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 진공 반송실을 기준으로 해서, 상기 제1 처리 공간은 앞쪽측에, 상기 제2 처리 공간은 안쪽측에 위치하는, 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 기판 반송 기구는, 상기 제1 처리 전의 기판을 보유 지지한 상기 기판 보유 지지부에서, 상기 제1 처리 공간 내에서 상기 제1 처리 후의 기판을 수취하고, 계속해서, 상기 기판 보유 지지부에서 보유 지지된 상기 제1 처리 후의 기판을 상기 안쪽측으로 이동시켜 상기 제2 처리 공간에 반송하는, 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 기판 보유 지지부는, 상기 제1 처리 공간 내에서 상기 제1 처리 전의 기판을 전달하는 타이밍에, 상기 제2 처리 공간 내에서 상기 제1 처리 후의 기판을 전달하는, 기판 처리 장치.
  11. 기판을 처리하는 기판 처리 장치에서의 기판 반송 방법이며,
    상기 기판 처리 장치는,
    기판 보유 지지부에서 복수의 기판을 일괄 보유 지지해서 반송 가능하게 구성된 기판 반송 기구가, 진공 분위기로 되는 내부의 진공 반송 공간에 마련된 진공 반송실과,
    진공 분위기로 되는 처리 공간이 내부에 복수 형성되고, 상기 진공 반송실에 접속된 처리실을 구비하고,
    상기 처리실은,
    상기 진공 반송 공간과 상기 처리 공간을 연통시키는 반입출구가 상기 진공 반송실측에 마련되고,
    상기 처리 공간으로서, 상기 반입출구를 통해서 반입된 기판에 대하여 제1 처리가 행하여지는 제1 처리 공간과, 상기 제1 처리가 행하여진 기판에 대하여 제2 처리가 행하여지는 제2 처리 공간을 갖고,
    상기 제1 처리 공간과 상기 제2 처리 공간이, 상기 기판 반송 기구에 의한 상기 반입출구를 통한 기판의 반출입 방향으로 배열되고,
    상기 제1 처리 공간 내에서 상기 제1 처리 후의 기판을 상기 기판 보유 지지부에서 수취한 후, 상기 기판 보유 지지부를 상기 반출입 방향으로 이동시켜, 상기 제1 처리 후의 기판을, 상기 진공 반송 공간을 경유하지 않고 상기 제2 처리 공간으로 반송하는 공정을 갖는, 기판 반송 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 처리 공간 내에서의 상기 기판 보유 지지부와의 사이에서의 기판의 전달, 및 상기 제2 처리 공간 내에서의 상기 기판 보유 지지부와의 사이에서의 기판의 전달을, 동일한 타이밍에 행하는 공정을 갖는, 기판 반송 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 진공 반송실을 기준으로 해서, 상기 제1 처리 공간이 안쪽측에, 상기 제2 처리 공간이 앞쪽측에 위치하는, 기판 반송 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제1 처리 후의 기판을, 상기 제2 처리 후의 기판도 보유 지지한 상기 기판 보유 지지부에서 보유 지지하여, 상기 제1 처리 공간으로부터 상기 제2 처리 공간으로 반송하는 공정을 갖는, 기판 반송 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제1 처리 공간 내에서 상기 기판 보유 지지부가 상기 제1 처리 후의 기판을 수취하는 타이밍에, 상기 제2 처리 공간 내에서 상기 기판 보유 지지부가 상기 제2 처리 후의 기판도 수취하는 공정을 갖는, 기판 반송 방법.
  16. 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 처리 후의 기판이 상기 제2 처리 공간에 위치한 상태에서, 상기 제1 처리 전의 기판만을 상기 기판 보유 지지부에서 보유 지지하여, 상기 제1 처리 공간에 반송하는 공정을 갖는, 기판 반송 방법.
  17. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 진공 반송실을 기준으로 해서, 상기 제1 처리 공간이 앞쪽측에, 상기 제2 처리 공간이 안쪽측에 위치하는, 기판 반송 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제1 처리 전의 기판을 보유 지지한 상기 기판 보유 지지부에서, 상기 제1 처리 공간 내에서 상기 제1 처리 후의 기판을 수취하고, 계속해서, 상기 기판 보유 지지부에 보유 지지된 상기 제1 처리 후의 기판을 상기 안쪽측으로 이동시켜 상기 제2 처리 공간에 반송하는, 기판 반송 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제1 처리 공간 내에서 상기 기판 보유 지지부로부터 상기 제1 처리 전의 기판을 전달하는 타이밍에, 상기 제2 처리 공간 내에서 상기 기판 보유 지지부로부터 상기 제1 처리 후의 기판을 전달하는, 기판 반송 방법.
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