KR101734821B1 - 전자 디바이스 제조시 기판들을 프로세싱하도록 적응된 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들 - Google Patents

전자 디바이스 제조시 기판들을 프로세싱하도록 적응된 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들 Download PDF

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폴 비. 로이터
에릭 에이. 잉글하르트
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주안카를로스 로카-알바레즈
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

비아 패스-스루 장치가 개시된다. 비아 패스-스루 장치는, 기판 프로세싱 시스템의 제 1 메인프레임 섹션과 제 2 메인프레임 섹션 사이에 커플링되도록 적응된 패스-스루 챔버 ― 상기 패스-스루 챔버는, 각각 슬릿 밸브를 갖는 입구(entry) 및 출구(exit)를 포함함 ―; 및 상기 패스-스루 챔버와 상이한 레벨에 위치되는 비아 프로세스 챔버를 포함하며, 상기 비아 프로세스 챔버는 비아 위치에서 기판 상에 프로세스를 수행하도록 적응된다. 다수의 다른 양태들과 같이, 시스템들 및 시스템을 동작시키는 방법들이 제공된다.

Description

전자 디바이스 제조시 기판들을 프로세싱하도록 적응된 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들{PROCESSING SYSTEMS, APPARATUS, AND METHODS ADAPTED TO PROCESS SUBSTRATES IN ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING}
관련 출원들
[0001] 본 출원은, 2013년 3월 15일자로 출원되고 명칭이 "PROCESSING SYSTEMS, APPARATUS, AND METHODS ADAPTED TO PROCESS SUBSTRATES IN ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING"인 US 가출원 제61/788,825호(대리인 사건 번호 제17989/L호)에 대한 우선권을 주장하며, 이 가출원은 이로써, 모든 목적들을 위해 본원에 포함된다.
[0002] 본 발명은 전자 디바이스 제조에 관한 것이며, 보다 구체적으로 기판들을 프로세싱하도록 적응된 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들에 관한 것이다.
[0003] 종래의 전자 디바이스 제조 시스템들은, 이송 챔버를 둘러싸는 하나 또는 그 초과의 로드 록 챔버들 및 다수의 프로세스 챔버들을 포함할 수 있다. 이러한 시스템들은, 다양한 프로세스 챔버들과 하나 또는 그 초과의 로드 록 챔버들 사이에서 기판들을 운반하도록 적응되는, 이송 챔버 내에 하우징된 이송 로봇을 사용할 수 있다.
[0004] 다른 실시예들에서, 특정 툴(tool) 내에 부가적인 프로세스 성능을 부가하기 위해, 2개의 메인프레임 섹션들이 함께 연결될(linked) 수 있으며, 기판들은 하나 또는 그 초과의 패스-스루 챔버들(pass-through chambers)에 의해 2개의 메인프레임 섹션들 사이에서 통과될 수 있다. 2개의 메인프레임 섹션들은 몇몇 실시예들에서, 2개의 상이한 진공 레벨들에서 동작될 수 있다. 팩토리 인터페이스가 제공되고, 기판들을 하나 또는 그 초과의 로드록 챔버들의 안팎으로 로딩하도록 동작될 수 있다.
[0005] 그러나, 몇몇 경우들에서, 제 2 메인프레임 섹션의 부가에 의해 부가되는 부가적인 프로세싱은, 특정 툴에서 기판 상에 요구되는 프로세싱을 위해 여전히 불충분할 수 있다. 메인프레임 섹션들의 크기를 확대하는 것은 부가되는 플로어 공간 요건들(floor space requirements)을 희생하여 이루어지는데, 이것이 항상 이용가능한 것은 아닐 수 있다. 게다가, 메인프레임의 크기를 확대하는 것은 메인프레임 본체 및 심지어 이송 로봇의 완전한 재설계(redesign)를 필요로 할 수 있다. 따라서, 보다 높은 처리량 및 프로세싱 용량을 가능하게 하는 개선된 프로세싱 시스템들, 장치, 및 방법들이 요구된다.
[0006] 제 1 양태에서, 비아 패스-스루(via pass-through) 장치가 제공된다. 비아 패스-스루 장치는, 제 1 메인프레임 섹션과 제 2 메인프레임 섹션 사이에 커플링되도록 적응된 패스-스루 챔버 ― 패스-스루 챔버는, 각각 슬릿 밸브를 갖는 입구(entry) 및 출구(exit)를 포함함 ―; 및 패스-스루 챔버와 상이한 레벨에 위치되는 비아 프로세스 챔버를 포함하며, 비아 프로세스 챔버는 기판 상에 프로세스를 수행하도록 적응된다.
[0007] 다른 양태에 따르면, 전자 디바이스 프로세싱 시스템이 제공된다. 전자 디바이스 프로세싱 시스템은, 기판들을 이동시키도록 구성된 제 1 로봇을 포함하는 제 1 메인프레임 섹션; 기판들을 이동시키도록 구성된 제 2 로봇을 포함하는 제 2 메인프레임 섹션; 및 제 1 메인프레임과 제 2 메인프레임 사이에 커플링되는 비아 패스-스루 장치를 포함하며, 비아 패스-스루 장치는, 제 1 메인프레임과 제 2 메인프레임 사이에 커플링된 제 1 패스-스루 챔버 ― 제 1 패스-스루 챔버는 제 1 로봇 및 제 2 로봇 모두에 의해 액세스가능함 ―, 및 기판 상에 프로세스를 수행하도록 적응된 비아 프로세스 챔버를 포함하며, 비아 프로세스 챔버는 제 1 패스-스루 챔버와 상이한 레벨에 위치된다.
[0008] 다른 양태에서, 기판들을 프로세싱하는 방법이 제공된다. 이 방법은, 제 1 로봇을 포함하는 제 1 메인프레임 섹션을 제공하는 단계; 제 2 로봇을 포함하는, 제 1 메인프레임 섹션에 인접한 제 2 메인프레임 섹션을 제공하는 단계; 제 1 메인프레임 및 제 2 메인프레임을 커플링시키는 비아 패스-스루 장치를 제공하는 단계; 및 비아 패스-스루 장치의 비아 프로세싱 챔버들에서 하나 또는 그 초과의 기판들 상에 프로세싱을 수행하는 단계를 포함한다.
[0009] 본 발명의 이러한 그리고 다른 양태들에 따라, 다수의 다른 피쳐들이 제공된다. 본 발명의 다른 피쳐들 및 양태들이, 하기의 상세한 설명, 첨부된 청구항들 및 첨부 도면들로부터 보다 충분히 자명해질 것이다.
[00010] 도 1은 실시예들에 따른, 다수의 메인프레임 섹션들을 포함하는 기판 프로세싱 시스템의 개략적 평면도를 도시하며, 이 시스템에서는 비아 위치에서 메인프레임 섹션들 사이에 커플링되는 비아 패스-스루 장치에서 부가적인 프로세싱 성능(capability)이 제공된다.
[00011] 도 2는 실시예들에 따른 제 1 비아 패스-스루 장치의 부분적인 측단면도를 도시한다.
[00012] 도 3은 실시예들에 따른 대안적인 비아 패스-스루 장치의 측단면도를 도시한다.
[00013] 도 4a는 실시예들에 따른 리프트 조립체의 측면도(side plan view)를 도시한다.
[00014] 도 4b는 실시예들에 따른 리프트 조립체의 일부분의 등축도를 도시한다.
[00015] 도 4c는 실시예들에 따른 비아 패스-스루 조립체의 등축도를 도시한다.
[00016] 도 4d는 실시예들에 따른, 도 4c의 4D-4D 단면선을 따라 취한 비아 패스-스루 조립체의 측단면도를 도시한다.
[00017] 도 4e 및 4f는 각각, 실시예들에 따른 페디스털의 등축도 및 등축 단면도를 도시한다.
[00018] 도 5는, 실시예들에 따른 비아 패스-스루 장치를 포함하는 시스템을 동작시키는 방법을 도시하는 흐름도를 도시한다.
[00019] 전자 디바이스 제조는, 다양한 위치들 사이에서의 기판들의 매우 정확하고 신속한 운반을 요구할 뿐 아니라, 고정된 공간 외피(space envelope)(예를 들면, 고정된 플로어 영역) 내에서의 부가적인 프로세싱 성능을 요구할 수 있다. 특히, 많은 기존의 시스템들은, 패스-스루 챔버들에 의해 연결되는 제 1 및 제 2 메인프레임들을 포함한다. 이러한 메임프레임들의 이송 챔버들에 수용되는 로봇들은, 엔드 이펙터들 상에 놓이는 기판들을 기판 프로세싱 시스템의 프로세스 챔버들로 그리고 프로세스 챔버들로부터 운반하도록 적응된 하나 또는 그 초과의 그러한 엔드 이펙터들을 가질 수 있으며, 메인프레임 섹션들 사이의 패스-스루들(pass-throughs)을 통하여 기판들을 이동시키도록 상호작용할 수 있다. 몇몇 경우들에서, 단일 엔드 이펙터들이 사용된다. 그러나, 때때로 "듀얼 블레이드들"로 지칭되는 듀얼 엔드 이펙터들이 로봇의 단부에 부착될 수 있으며, 기판 이송 및 교체(swapping)를 가속시키는데 사용될 수 있다. 종래의 SCARA(selective compliance assembly robot arm) 로봇들이 이용될 수 있거나, 독립적으로 작동되는 부재들을 갖는 로봇들이 이용되어서, 각각의 메인프레임의 오프셋 패싯들(offset facets)로의 액세스를 가능하게 할 수 있다.
[00020] 그러한 2-메인프레임 시스템들에서, 특정 툴에서 프로세싱하기 위해 사용될 수 있으며 그리고 이용가능한 프로세스 챔버들의 개수를 증가시키기 위해서, 메인프레임 섹션들은 함께 연결되었다. 2개의 메인프레임 섹션들 사이의 패스-스루 챔버들은 전형적으로, 양 측면 상에(on either side) 슬릿 밸브들을 가져서, 2개의 메인프레임 섹션들을 격리시키며, 2개의 메인프레임 섹션들은 상이한 진공 레벨들에서 동작될 수 있거나, 분리를 보장하는 상이한 프로세싱을 받을 수 있다.
[00021] 그러나, 제 2 메인프레임 섹션의 부가에도, 프로세스 성능이 제한될 수 있다. 많은 경우들에서, 부가적인 프로세싱 성능이 요구되지만, 메인프레임 섹션들의 크기를 확대하는 것은 전술된 이유들로 인해 어려울 수 있다. 따라서, 플로어 공간 풋프린트 크기를 실질적으로 증가시키지 않으면서 증가된 프로세싱 성능을 갖는 프로세싱 시스템들이 요구된다. 또한, 메인프레임 섹션들은 최소 변형들을 필요로 할 것이 요구된다.
[00022] 본 발명의 하나 또는 그 초과의 실시예들에 따라, 기존의 듀얼 메인프레임 시스템들(때때로 "듀얼 버퍼 시스템들"로서 지칭됨)과 실질적으로 동일한 풋프린트를 갖는 기판 프로세싱 시스템에, 증가된 프로세스 성능을 제공하기 위해서, 개선된 기판 프로세싱 시스템이 제공된다. 개선된 기판 프로세싱 시스템은, 하나 또는 그 초과의 비아 패스-스루들의 물리적 위치에 함께-위치되는(co-located) 부가적인 프로세스 성능을 제공한다. 예를 들면, 비아 프로세싱 챔버들은 비아 패스-스루 챔버들 바로 위에 제공될 수 있다. 그러한 프로세싱 성능을 포함하는 비아 패스-스루 장치가 본원에서 설명된다.
[00023] 본 발명의 다양한 실시예들의 예시적인 실시예들에 대한 추가의 세부사항들이 도 1 내지 5를 참조로 하여 본원에서 설명된다.
[00024] 이제 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 전자 디바이스 프로세싱 시스템(100)의 예가 개시된다. 전자 디바이스 프로세싱 시스템(100)은, 기판(102) 상에 하나 또는 그 초과의 프로세스들을 수행하는데 유용하다. 예를 들면, 기판(102)은, 패터닝된 또는 패터닝되지 않은 반도체 웨이퍼, 유리 플레이트 또는 패널, 폴리머 기판, 레티클, 마스크, 등일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 기판은 실리콘 웨이퍼일 수 있으며, 실리콘 웨이퍼는, 하나 또는 그 초과의 층들, 패턴들, 또는 복수의 미완성(incomplete) 칩들이 상부에 형성된, 미완성 반도체 웨이퍼와 같은 전자 디바이스 프리커서(precursor)일 수 있다.
[00025] 전자 디바이스 프로세싱 시스템(100)은, 제 2 메인프레임 섹션(104) 근처에 제공된 제 1 메인프레임 섹션(103)을 포함한다. 각각의 메인프레임 섹션(103, 104)은 각각, 섹션 하우징(106, 108)을 포함하고, 각각의 메인프레임 섹션은 이송 챔버(110, 112)를 내부에 포함한다. 섹션 하우징들(106, 108)은 다수의 수직 측벽들을 포함할 수 있고, 수직 측벽들은 챔버 패싯들뿐 아니라, 최상부 및 바닥 벽들에 의해 정의될 수 있다. 도시된 실시예에서, 섹션 하우징들(106, 108)은 짝을 이룬(twinned) 패싯들을 포함하며, 각각의 측벽 상의 패싯들은 서로 실질적으로 평행하며, 즉 패싯들에 커플링된 각각의 짝을 이룬 챔버들 내로의 입구 방향들은 다소 각을 이룰 수 있지만, 실질적으로 서로 평행할 수 있다. 이송 챔버들(110, 112)의 각각은 이송 챔버들의 측벽들뿐 아니라 최상부 및 바닥 벽들에 의해 정의되며, 예를 들면, 진공으로 유지될 수 있다. 각각의 이송 챔버(110, 112)에 대한 진공 레벨은 동일하거나 상이할 수 있다.
[00026] 제 1 및 제 2 로봇들(114, 116)은 각각의 제 1 및 제 2 이송 챔버들(110, 112)에 수용되며, 각각의 로봇은, 아암들 및 아암들 상에서 기판들(102)을 지지하고 운반하도록 동작가능하도록 적응되는 하나 또는 그 초과의 엔드 이펙터들을 포함한다. 제 1 및 제 2 로봇들(114, 116)은 기판들(102)(예를 들면, 실선 원들로서 도 1에 도시된 "반도체 웨이퍼")을 목적지에 또는 목적지로부터 피킹 또는 배치하도록(pick or place) 적응될 수 있다. 목적지는 제 1 또는 제 2 이송 챔버들(110, 112)에 커플링되는 임의의 챔버일 수 있다. 예를 들면, 목적지는, 제 1 이송 챔버(110)로부터 액세싱가능하며 제 1 하우징(106)에 커플링되는, 하나 또는 그 초과의 제 1 프로세스 챔버들(117) 또는 제 2 프로세스 챔버들(118), 제 2 이송 챔버(112)로부터 액세싱 가능하며 제 2 하우징(108)에 모두 커플링되는, 하나 또는 그 초과의 제 3 프로세스 챔버들(119), 제 4 프로세스 챔버들(120), 또는 제 5 프로세스 챔버들(121), 제 1 이송 챔버(110)로부터 액세싱 가능하고 제 1 하우징(106)에 커플링될 수 있는 하나 또는 그 초과의 로드록 챔버들(125), 및 비아 패스-스루 장치(124)일 수 있다. 비아 패스-스루 장치(124)는 하기에서 보다 상세히 설명될 것이지만, "비아 위치(via location)"에서 패스-스루 성능과 프로세싱 성능의 조합을 포함한다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "비아 위치"는, 로봇들(114, 116) 모두에 의해 액세스가능한, 제 1 메인프레임 섹션(103)과 제 2 메인프레임 섹션(104) 사이의 위치를 의미한다.
[00027] 프로세스 챔버들(117-121), 및 비아 패스-스루 장치(124)의 프로세스 챔버들은, 기판들(102) 상에 임의의 수의 프로세스들 또는 프로세스 단계들, 이를테면 증착, 산화, 산화물 제거, 질화, 에칭, 세정, 저감(abatement), 등을 수행하도록 적응될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 실시예들에서, 저감은 할로겐화물(halide) 제거를 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 산화물 제거는 구리 산화물 제거일 수 있다. 상기 프로세스들 중 임의의 프로세스는 비아 패스-스루 장치(124) 내에서 수행될 수 있다.
[00028] 하나 또는 그 초과의 로드록 챔버들(125)이 팩토리 인터페이스(126)와 인터페이싱하도록 적응될 수 있으며, 팩토리 인터페이스는 팩토리 인터페이스(126)의 로드 포트들(129)에 도킹될 수 있는 기판 캐리어들(128)(예를 들면, FOUP들(Front Opening Unified Pods))로부터 기판들(102)을 수용할 수 있다. 로드/언로드 로봇(130)(점선으로 도시됨)이 이용되어서, 화살표들로 도시된 바와 같이, 로드록 챔버들(125)과 기판 캐리어들(128) 사이에서 기판들(102)을 이송할 수 있다. 이송들은 임의의 순서 또는 방향으로 수행될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 종래의 슬릿 밸브들(132)은, 각각의 프로세스 챔버(117-121), 로드록 챔버들(125), 및 비아 패스-스루 장치(124)에 대한 입구에 제공될 수 있다.
[00029] 다시 도 1을 참조하면, 각각의 로봇(114, 116)은, 이송 챔버들(110, 112)의 일부를 형성하는 각각의 제 1 및 제 2 하우징(106, 108)의 벽(예를 들면, 바닥 플로어)에 부착되도록 적응되는 베이스를 포함할 수 있다. 각각의 로봇(114, 116)은, 하나 또는 그 초과의 로드록 챔버들(125)과 메인프레임 섹션들(103, 104) 사이에서 기판들(102)을 운반하도록 적응되는 임의의 적합한 멀티-아암 구성을 포함할 수 있다. 예를 들면, 로봇들(114, 116)은 다수의 아암들을 포함할 수 있으며, 동일할 수 있다. 로봇들(114, 116)은 상부 아암(134)을 포함할 수 있으며, 상부 아암은 도시된 실시예에서, 실질적으로 강성의 캔틸레버 비임(rigid cantilever beam)일 수 있다. 상부 아암(134)은, 시계 또는 반시계 회전 방향으로 숄더 회전 축(shoulder rotational axis)을 중심으로 독립적으로 회전되도록 적응될 수 있다. 숄더 회전 축을 중심으로 하는 회전은, 이를테면 각각의 이송 챔버(110, 112)의 외부에 위치되는 모터 하우징(미도시)에 수용될 수 있는 상부 아암 구동 모터와 같은, 임의의 적합한 동기 부재(motive member), 이를테면 바닥 플로어 아래에 장착되는 종래의 가변 릴럭턴스(reluctance) 또는 영구 자석 전기 모터에 의해 제공될 수 있다. 상부 아암들(134)의 회전은, 제어기(135)로부터 상부 아암 구동 모터로의 적합한 명령들에 의해 제어될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 모터 하우징 및 베이스는, 서로 일체로(integral) 제조될 수 있다. 다른 실시예들에서, 베이스는 이송 챔버(110, 112)의 바닥 플로어와 일체로 제조될 수 있다.
[00030] 숄더 회전 축으로부터 이격된 방사상 위치에서, 상부 아암(134)의 선외 단부(outboard end)에 포어아암(136)이 장착되고 회전식으로 커플링된다. 포어아암(136)은, 상부 아암(134)에 대한 X-Y 평면에서, 엘보우 회전 축을 중심으로 방사상 위치로 회전되도록 적응될 수 있다. 포어아암(136)은, 포어아암 구동 모터(미도시)에 의해 상부 아암(134) 및 베이스에 대한 X-Y 평면에서 독립적으로 회전가능할 수 있으며, 포어아암 구동 모터는 모터 하우징(또한 미도시) 내에 제공될 수 있다.
[00031] 엘보우 회전 축으로부터 이격된 위치에서 포어아암(136)의 선외 단부 상에 하나 또는 그 초과의 리스트 부재들(138A, 138B)이 위치될 수 있다. 리스트 부재들(138A, 138B)은 각각, 포어아암(136)에 대한 X-Y 평면에서 리스트 회전 축을 중심으로 독립적으로 회전하도록 적응될 수 있다. 더욱이, 리스트 부재들(138A, 138B)은 각각 엔드 이펙터들(140A, 140B)(다른 방식으로 "블레이드들"로 지칭됨)에 커플링될 수 있으며, 엔드 이펙터들(140A, 140B)은 각각 피킹 및/또는 배치(place) 동작들 동안, 기판(102)을 운반하고 이송하도록 적응된다. 엔드 이펙터들(140A, 140B)은 임의의 적합한 종래의 구성으로 될 수 있다. 엔드 이펙터들(140A, 140B)은 수동일 수 있거나, 기계적 클램프 또는 정전 성능(electrostatic capability)과 같은, 기판(102)을 유지하기 위한 몇몇 능동적인 수단을 포함할 수 있다. 엔드 이펙터들(140A, 140B)은, 기계적 체결(fastening), 접착, 클램핑, 등과 같은 임의의 적합한 수단에 의해 리스트 부재들(138A, 138B)에 커플링될 수 있다. 선택적으로, 각각의 리스트 부재들(138A, 138B) 및 엔드 이펙터들(140A, 140B)은, 하나의 일체형 단편으로서 형성됨으로써 서로 커플링될 수 있다. 각각의 리스트 부재(138A, 138B)의 회전은, 이송 챔버들(110, 112)의 외부에 있을 수 있는 모터 하우징(미도시) 내에 위치될 수 있는 각각의 리스트 구동 모터들에 의해 제공될(imparted) 수 있다.
[00032] 도시된 실시예에서, 엔드 이펙터들(140A, 140B)은 각각의 프로세스 챔버(117-121), 하나 또는 그 초과의 비아 패스-스루 챔버들(122, 123)의 각각, 및 비아 패스-스루 장치(124)의 각각의 챔버 내로 삽입될 수 있다. 삽입은 일반적으로 일직선 방식으로(straight-on manner) 될 수 있으며, 즉 각각의 챔버의 패싯에 대해 실질적으로 수직한 방향으로 삽입될 수 있지만, 약간의 다소 각을 이룬 오프셋이 또한 허용될 수 있다. 평행하게 패싯팅된(faceted)(예를 들면, 짝을 이룬) 챔버들에 액세스할 수 있는 이러한 능력은, 본원에서 탈-축 성능(off-axis capability)으로서 지칭되는데, 이는 삽입 및 수축시 엔드 이펙터들(140A, 140B)의 작용선이, 각각의 로봇(114, 116)의 숄더 축으로부터 수평하게 오프셋되기 때문이다.
[00033] Maydan 등의 US 특허 제5,855,681호에서 교시된 로봇과 같은 다른 유형들의 로봇들이, 탈-축 또는 짝을 이룬 챔버들을 서비스하는데 사용될 수 있다. 도시된 실시예에서, 하나 또는 그 초과의 비아 패스-스루 챔버들(122, 123)은, 비아 패스-스루 장치(124)로부터 수평하게 대향하는 제 1 메인프레임 섹션(103)의 측부 상에서, 제 1 메인프레임 섹션(103)에 커플링된다. 패스-스루 장치(124)는 개별적인 컴포넌트로서 구성될 수 있으며, 각각의 메인프레임 섹션(103, 104)에 부착가능한 공통 본체(142)를 포함할 수 있다.
[00034] 도 2는 실시예들에 따른 대표적인 비아 패스-스루 장치(124)의 세부사항들을 도시한다. 비아 패스-스루 장치(124)는, 제 1 측부 상에서 제 1 메인프레임 섹션(103)의 제 1 하우징(106)에 그리고 타 측부상에서 제 2 메인프레임 섹션(104)의 제 2 하우징(108)에 연결가능한 강성 물질(예를 들면, 알루미늄)로 된 공통 본체(242)를 포함한다. 연결은, 이를테면 체결(예를 들면, 볼트연결(bolting)), 등에 의한 기계적 연결에 의해 이루어질 수 있으며, 제 1 및 제 2 하우징들(106, 108)과의 연결 인터페이스들은 몇몇 실시예들에서 적합하게 밀봉될 수 있다.
[00035] 비아 장치(124)는 패스-스루 챔버(244)를 포함하며, 패스-스루 챔버는, 제 1 메인프레임 섹션(103)과 제 2 메인프레임 섹션(104) 사이에 커플링되며 그리고 이송 챔버들(110, 112) 사이에서 기판들(102)이 통과될 수 있게 하도록 적응된다. 패스-스루 챔버(244)는 입구(246) 및 출구(248)를 포함하며, 이들은 각각 슬릿 밸브(132)를 갖는다. 본원에서 사용되는 바와 같은 입구 및 출구는 방향을 확정적으로 나타내지 않으며, 입구(246)는 때때로 출구로서 기능할 수 있다. 마찬가지로, 출구(248)는 때때로 입구로서 기능할 수 있다. 따라서, 기판들(102)은 어느 방향으로도(in either direction) 패스-스루 챔버(244)를 통과(pass-through)할 수 있다. 슬릿 밸브들(132)은, US 특허 제6,173,938호; 제6,347,918호; 및 제7,007,919호에서 교시된 바와 같은 임의의 적합한 슬릿 밸브 구성일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 슬릿 밸브들(132)은, 예를 들면 L-모션 슬릿 밸브들(L-motion slit valves)일 수 있다.
[00036] 패스-스루 챔버(244)는 종래의 구성일 수 있으며, 하나 또는 그 초과의 지지부들(250)을 포함할 수 있으며, 지지부들은 하나 또는 그 초과의 기판들(102)(하나가 점선으로 도시됨)이 지지부들 상에 배치되고 지지될 수 있도록 적응된다. 하나 또는 그 초과의 지지부들(250) 상에 배치되는 기판들(102)은, 각각의 입구(246) 및 출구(248)를 통해 엔드 이펙터들(140A, 140B)을 연장시킴으로써, 각각의 로봇(114, 116)에 의해 액세스가능하다. 지지부들(250)은, 핀들, 페디스털들, 슬롯들, 탭들, 플랫폼들, 등과 같은 임의의 적합한 구성으로 제조될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 리프트 액츄에이터(243)가 이용되어 하나 또는 그 초과의 지지부들(250)을 들어올릴 수 있다.
[00037] 비아 패스-스루 장치(124)는 비아 프로세스 챔버(252)를 더 포함한다. 비아 프로세스 챔버(252)는 패스-스루 챔버(244)와 상이한 수직 레벨에 위치된다. 비아 프로세스 챔버(252)는, 비아 프로세스 챔버 내에 배치되는 기판(102) 상에 프로세스를 수행하도록 적응된다. 이러한 방식으로, 기판 프로세싱 시스템(100)에 대한 부가적인 프로세싱 성능이 비아 위치에 제공된다. 도시된 실시예에서, 챔버들(244, 252)의 적어도 일부들은 공통 본체(242) 내에 형성된다. 도시된 실시예에서, Z-축 성능이 로봇들(114, 116) 상에 제공될 수 있어서, 2개의 수직한 레벨들에 위치된 비아 프로세스 챔버(252)와 패스-스루 챔버(244)를 서비스한다. Z-축 성능은 약 200 mm까지일 수 있다. 쿨 다운(244C) 상으로 기판(102)을 낮춤으로써 패스-스루 챔버(244) 내에서 냉각이 일어날 수 있다. 비아 패스-스루 챔버(244)에 제공되는 진공은 전용 진공 펌프(미도시)에 의해 제공될 수 있다.
[00038] 도시된 실시예에서, 비아 프로세스 챔버(252)는 패스-스루 챔버(244) 위에(예를 들면, 바로 위에) 수직으로 위치되고 배열된다. 도시된 실시예에서, 프로세스 챔버(252) 내로의 입구(entryway)는, 제 2 메인프레임 섹션(104)의 제 2 이송 챔버(112)와 통신하는 개구(254)를 통한다. 개구(254)에 슬릿 밸브(234)가 제공될 수 있다. 비아 패스-스루 장치(124)는 몇몇 실시예들에서, 비아 프로세스 챔버(252) 내로의 단일한 개구(254)를 가질 수 있다.
[00039] 도 3의 실시예는, 비아 패스-스루 장치(324)의 대안적인 실시예를 제공하며, 비아 패스-스루 장치(324)는 패스-스루 챔버(344) 및 패스-스루 챔버(344) 위에 수직하게 위치되고 배치되는 비아 프로세스 챔버(352)를 갖지만, 이 경우 다수의 개구들(354A, 354B)이 비아 프로세스 챔버(352) 내로 제공된다. 슬릿 밸브들(132, 234, 334)이 각각의 개구(354A, 354B) 및 입구(246) 및 출구(248)에 제공될 수 있다. 따라서, 이송 챔버들(110, 112) 사이를 통하여 기판들(102)을 통과시키고 이송시키도록, 개구들(354A 및 354B) 및 입구(246)와 출구(248)가 각각 이용될 수 있다. 따라서, 이 실시예에서 비아 프로세스 챔버(352)를 통해 패스-스루 성능이 제공된다. 비아 프로세스 챔버(352)는, 제 1 메인프레임 섹션(103)의 제 1 이송 챔버(110)에 커플링되고 제 1 이송 챔버로부터 액세스가능하도록 적응된 제 1 개구(354A), 및 제 2 메인프레임 섹션(104)의 제 2 이송 챔버(112)에 커플링되고 제 2 이송 챔버로부터 액세스가능하도록 적응된 제 2 개구(354B)를 갖는다.
[00040] 이제 도 2와 도 3을 모두 참조하면, 비아 프로세스 챔버들(252, 352)은 각각 페디스털(253)을 포함할 수 있으며, 프로세싱될 기판(102)이 프로세싱 동안 페디스털 상에 지지될 수 있다. 페디스털(253)은 정지식(예를 들면, 고정식(immovable)) 페디스털일 수 있으며, 이를테면 종래의 저항 히터를 페디스털 내부에 포함함으로써, 몇몇 실시예들에서 가열될 수 있다. 히터는 기판(102)을 미리정해진 온도로, 이를테면 약 0℃ 내지 300℃, 몇몇 실시예들에서는 약 250℃ 초과, 및 추가의 실시예들에서는 약 280℃ 내지 약 300℃로 가열하도록 기능할 수 있다. 패스-스루 장치(124, 324)는, 비아 패스-스루 장치(124, 324)의 비아 프로세스 챔버들(252, 352)에서 기판(102) 상에 프로세스를 수행할 수 있다. 특히, 비아 프로세스 챔버들(252, 352)에서 수행되는 프로세스는, 증착 프로세스, 산화 프로세스, 질화 프로세스, 어닐링 프로세스, 에칭 프로세스, 세정 프로세스, 또는 저감 프로세스로 이루어진 프로세스들의 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 프로세스일 수 있다. 일 실시예에서, 프로세스는, 예를 들면, 구리 산화물(CuO)을 제거하도록 적응되는, 산화물 제거 또는 산화물 에칭 프로세스일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 프로세스는 플라즈마-보조 프로세스일 수 있다.
[00041] 다른 실시예들에서, 비아 프로세스 챔버들(252, 352)에서 수행되는 프로세스는, 기판(102)으로부터 할로겐 성분을 제거하도록 적응된 저감 프로세스일 수 있다. 예를 들면, 할로겐-함유 잔류물들의 제거를 위한 저감 프로세스가 비아 프로세스 챔버들(252, 352)에서 일어날 수 있다. 저감은, 수소 브롬화물(HBr), 염소(Cl2), 또는 탄소 테트라플루오라이드(CF4) 중 하나 또는 그 초과를 제거하도록 수행될 수 있다. 할로겐-함유 잔류물들의 제거에 적합한 저감 프로세스는, 예를 들면, US 제8,293,016호에서 교시된다. 다른 처리-후 잔류물들(post-processing residues)이 비아 프로세스 챔버들(252, 352)에서 제거될 수 있다. 예를 들면, 기판들(102)은 프로세스 챔버들(예를 들면, 117-121) 중 하나에서 프로세스를 받은 뒤, 잔류물 제거 프로세스 또는 다른 가스 저감 프로세스를 위해, 각각의 로봇(114, 116)에 의해 비아 프로세스 챔버들(252, 352)에 운반될 수 있다.
[00042] 비아 프로세스 챔버들(252, 352) 내의 진공 압력은, 커플링되는 진공 펌프(255)에 의해서, 비아 프로세스 챔버들에서 희망 프로세스를 수행하기에 적합한 진공 범위로 제어될 수 있다. 진공 펌프(255)는 터보 펌프 또는 다른 적합한 펌프일 수 있으며, 공통 본체(242, 342) 내부의 하나 또는 그 초과의 통로들(256)에 의해 각각의 챔버들(252, 352)에 커플링될 수 있다. 펌프(255)는 각각의 프로세스 챔버(252, 352)에 대한 진공을 제공하도록 동작할 수 있다.
[00043] 희망 프로세스를 수행하기 위해, 하나 또는 그 초과의 가스들이 공통의 원격 플라즈마 소스(258, 257, 357) 내로의 가스 유입구(257)를 거쳐서, 비아 프로세스 챔버들(252, 352)에 공급될 수 있다. 예를 들면, 질소(N2), 아르곤(Ar), 헬륨(He), 수소(H2), 산소(O2), 오존(O3), 등과 같은 가스들이 종래의 가스 공급 시스템들(미도시)에 의해 비아 프로세스 챔버들(252, 352)에 공급될 수 있다. 그러한 가스 공급 시스템들은, 예를 들면 가스 공급 용기들(vessels), 질량 유동 제어기들 및 밸브들을 포함할 수 있다.
[00044] 다른 실시예에서, 구리 산화물 제거 프로세스가 비아 프로세스 챔버들(252, 352)에서 일어날 수 있다. 적합한 구리 산화물 제거 프로세스는, 예를 들면, US 특허들 제6,734,102호 및 제6,946,401호에서 설명된다. 다른 구리 산화물 제거 프로세스들이 이용될 수 있다. 몇몇 프로세스들에서, 도시된 공통의 원격 플라즈마 소스와 같은 플라즈마 소스(258)가 제공되고, 비아 프로세스 챔버들(252, 352)에 커플링될 수 있다.
[00045] 또한, 프로세스 챔버들(252, 352) 내에서 기판(102)을 들어올리기 위해, 리프트 조립체(272)가 제공될 수 있다. 도 4a에 가장 잘 도시되어 있는 바와 같은 리프트 조립체(272)는 리프트 프레임(473)을 포함하며, 리프트 프레임은 알루미늄 물질로 된 고리(hoop)-형상 프레임일 수 있다. 핑거들(471)은 리프트 프레임(473)에 커플링되며, 나사들 또는 볼트들과 같은 적합한 체결구들에 의해 부착될 수 있거나 리프트 프레임(473)과 일체로 제조될 수 있다. 핑거들(471)은 기판(102)을 지지하고, 리프트 액츄에이터(482)가 수직관 부분(riser portion)(470)에 의해 상부 위치로 작동될 때; 이는, 로봇(112)의 엔드 이펙터(140A)가 프로세스 챔버(252)로부터 기판(102)을 꺼낼 수 있게 하도록 기판(102)을 위치시킨다.
[00046] 석영 또는 알루미나 링일 수 있는 격납 링(containment ring; 475)이 프레임(473) 내에 장착된다. 격납 링(475)은 프로세스 챔버(252, 352, 452A, 452B) 내에서 일어나는 플라즈마 프로세스에 대한 슬릿 밸브 개구들(254, 354A, 354B, 454A, 454B)의 충격을 감소시키도록 기능할 수 있다. 격납 링(475)은 페디스털(253)과 면판(259) 사이에서 연장하며, 페디스털과 면판 사이의 수직 갭을 채운다. 격납 링(475)의 내경과 페디스털(253)의 주변부 사이에 약 3 mm의 방사상 갭이 제공될 수 있다. 다른 갭들이 이용될 수 있다. 격납 링(475)은 형상이 환형일 수 있으며, 리프트 프레임(473)에 형성된 포켓(pocket) 내에 놓일 수 있다.
[00047] 도 4d에서 볼 수 있는 바와 같이, 격납 링(475)은, 챔버(452A) 내에서 플라즈마-보조 프로세스가 일어나는 경우, 프로세스 챔버(452A)를 실질적으로 둘러싼다. 동일한 격납 링(475)이 프로세스 챔버(452B)에 제공될 수 있다. 리프트 액츄에이터(482)에 의해 작동되는 것에 의해, 수직관 부분(470)의 작용(action)을 통해 리프트 프레임(473)이 들어올려지는 경우, 링(475)은 이동하며, 샤워헤드(247)로부터 방사상 외측의 환형 형상 상부 포켓(478) 내에 수용된다. 따라서, 링(475)은 이동가능한 격납 링을 포함한다.
[00048] 도 4d는, 프로세스 챔버들(452A, 452B) 및 로드록 챔버들(444A, 444B) 및 다른 컴포넌트들을 도시하는 비아 패스-스루 장치(424)의 대표적인 단면을 도시한다. 챔버(452B) 상에서, 리프트 조립체(272)는 교환을 위한 상부 위치에 위치되는 상태로 도시된다. 격납 링(475)은, 프로세스 챔버(452B)로부터 기판(102)을 교환하는 것을 방해하지 않도록, 슬릿 밸브 개구(454B) 위로 들어 올려지는 것에 주목한다. 좌측 챔버(452A)는, 핑거들(471)이 핑거 리세스들(464)을 통해 수용되는 하부 위치에서의 리프트 조립체(272)를 도시한다. 하부 리프트 조립체들(467)은 또한, 벨로우즈(466), 하부 리프트 액츄에이터들(243), 지지부들(450), 및 쿨 다운 플랫폼들(444C)을 포함하는 상태로 도시된다.
[00049] 도 1의 전자 디바이스 프로세싱 시스템(100)은, 나란한 배열로 배열되는 패스-스루 챔버들(122, 123)을 갖는 비아 패스-스루 장치(124)를 포함한다. 비아 패스-스루 장치(124)의 패스-스루 챔버들(122, 123)은 실질적으로 동일할 수 있으며, 비아 패스-스루 장치(124, 324)의 구성에 의해 교체되고(substituted) 대체될(replaced) 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 도 2에 도시된 비아 패스-스루 장치(124)의 유형의 조합이 하나의 비아 위치에 제공될 수 있으며, 도 3에 도시된 비아 패스-스루 장치(324)의 유형이 하나의 비아 위치로부터 수평으로 오프셋된 다른 비아 위치에 제공될 수 있다.
[00050] 이제 도 4c 및 4d를 참조하면, 패스-스루 장치(424)의 실시예의 등축도 및 단면도가 도시된다. 비아 패스-스루 장치(424)는 패스-스루 챔버들(444A, 444B)에 커플링되는 입구들(446A, 446B)을 갖는 공통 본체 (442)를 포함하며, 패스-스루 챔버들(444A, 444B)은 제 1 이송 챔버(110)로부터 액세스가능하며 제 1 이송 챔버에 커플링된다. 출구들이 타측에 제공되며 제 2 이송 챔버(112)에 커플링될 수 있다. 전술된 바와 같이, 비아 프로세스 챔버들(452A, 452B)은 패스-스루 챔버들(444A, 444B) 위에 위치된다.
[00051] 도 4c에 도시된 바와 같이, 공통의 플라즈마 소스(458)가 매니폴드(460)에 의해 프로세스 챔버(452A, 452B)의 각각에 커플링될 수 있다. 도시된 실시예에서, 비아 패스-스루 장치(424)는, 비아 프로세스 챔버들(452A, 452B)의 각각에 커플링되는 공통의 원격 플라즈마 소스(458)를 포함한다. 플라즈마 소스(458)는, 비아 프로세스 챔버들(452A, 452B)의 각각에 플라즈마를 생성하는 점에서 공통적인 것으로 언급된다. 분배 채널들(461A, 461B)은 각각의 비아 프로세스 챔버(452A, 452B)의 각각을 공통의 원격 플라즈마 소스(458)에 커플링시킨다. 적합한 진공 펌프(455)가 공통 본체(442) 아래에 제공될 수 있으며, 다양한 프로세스 챔버들(452A, 452B) 내에 진공을 발생시키도록 이용될 수 있다.
[00052] 도 4d에 가장 잘 도시된 바와 같이, 프로세스 챔버들(452A, 452B) 및 로드록 챔버들(444A, 444B) 및 다른 컴포넌트들을 도시하는 비아 패스-스루 장치(424)의 대표적인 단면이 도시된다. 프로세스 챔버(452B) 상에서, 리프트 조립체(472)는 기판(102)의 교환을 위한 상부 위치에 위치되는 상태로 도시된다. 격납 링(475)은, 챔버(452B)에서의 기판 교환을 방해하지 않도록, 슬릿 밸브 개구(454B) 위로 들어 올려짐에 주목한다. 프로세스 챔버(452A)는, 핑거들(471)이 핑거 리세스들(464)을 통해 수용되는 하부 위치에 위치되는 리프트 조립체(472)를 도시한다. 하부 리프트 조립체들(467A, 467B)은 또한, 벨로우즈(466), 하부 리프트 액츄에이터들(243), 지지부들(250), 및 쿨 다운 플랫폼들(444C)을 포함하는 상태로 도시된다. 도 4d에는 또한, 매니폴드(460)에 의해 비아 프로세스 챔버(452A) 및 비아 프로세스 챔버(452B)에 커플링되는 공통의 원격 플라즈마 소스(458)가 도시된다. 매니폴드(460) 내의 채널들(461A, 461B)은, 가스 박스들(462)에 그리고 샤워헤드(247) 및 면판(259)을 통하여 플라즈마를 전달한다. 하나 또는 그 초과의 가스들이 유입구(257)에서 도입될 수 있다. 보조 가스 유입구들은 가스 박스(462)(유입구들은 도시되지 않음)에 제공될 수 있다.
[00053] 이제 도 4e 및 4f를 참조하면, 페디스털(253)이 상세히 도시된다. 페디스털(253)은 최상부 플레이트(468)를 포함하며, 최상부 플레이트는 기판(102)과 접촉하도록 적응되는 알루미늄 물질일 수 있다. 페디스털(253)은 최상부 플레이트(468) 아래에 지지부(476)(또한 알루미늄일 수 있음)를 포함할 수 있으며, 지지부는 지지부(476) 내의 그루브들에 놓이는 저항성 엘리먼트들을 갖는 내부 저항성 히터를 포함할 수 있다. 히터는 기판(102)을 적합한 프로세싱 온도, 이를테면 약 0℃ 내지 약 300℃, 또는 그 초과로 가열할 수 있다. 히터로의 전력 입력 케이블들이 채널(477) 내에서 수평하게 연장할 수 있으며, 그 후 공통 본체(442) 내에 형성된 히터 포트를 통해 수직하게 아래쪽으로 연장할 수 있다. 히터 포트는 최상부 플레이트(468)의 중심으로부터 오프셋된다. 적합한, 밀봉된 전기 패스-스루(480)가 히터 포트를 기밀 밀봉할 수 있다. 최상부 플레이트(468) 내에는, 다수의 핑거 리세스들(464)이 도시되며, 핑거 리세스들은 핑거 리세스의 표면 아래에 핑거들(471)(예를 들면, 3개의 핑거들)을 수용하도록 적응되고 구성된다. 리프트 조립체(472)(도 4a-4b)의 핑거들(471)은, 로봇(116)을 이용해 기판을 교환하는 동안, 기판(102)과 접촉하고 기판을 들어올리도록 적응된다. 핑거들(471)은, 예를 들면 개수가 3개 또는 그 초과일 수 있다. 핑거들은 리프트 프레임(473)과 같은 연결 부분으로부터 연장할 수 있으며, 이러한 연결 부분은 연결 플랜지(469)에 의해 수직관 부분(470)에 연결된다. 핑거들은 기판(102) 아래에서 수평하게 연장할 수 있다. 핑거들(471)은, 기판(102)을 지지하지만 엔드 이펙터(140A)가 기판(102)에 액세스하는 것을 방해하지 않도록, 적절한 방사상 간격들로 이격되어 있을 수 있다.
[00054] 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, 기판들(예를 들면, 기판들(102))을 프로세싱하는 방법(500)이 제공된다. 이 방법(500)은, 502에서, 제 1 로봇(예를 들면, 제 1 로봇(114))을 포함하는 제 1 메인프레임 섹션(예를 들면, 제 1 메인프레임 섹션(103))을 제공하는 단계, 그리고 504에서, 제 2 로봇(예를 들면, 제 2 로봇(116))을 포함하며 제 1 메인프레임 섹션에 인접하는 제 2 메인프레임 섹션(예를 들면, 제 2 메인프레임 섹션(104))을 제공하는 단계를 포함한다. 이 방법(500)은, 506에서, 제 1 메인프레임 및 제 2 메인프레임을 커플링하는 비아 패스-스루 장치(예를 들면, 비아 패스-스루 장치(124, 324, 424))를 제공하는 단계, 그리고 508에서, 비아 패스-스루 장치의 하나 또는 그 초과의 비아 프로세싱 챔버들(예를 들면, 비아 프로세싱 챔버들(252, 352, 452A, 452B))에서 하나 또는 그 초과의 기판들 상에 프로세싱을 수행하는 단계를 더 포함한다.
[00055] 전술한 설명은 본 발명의 단지 예시적인 실시예들을 개시한다. 본 발명의 범위 내에 속하는 상기 개시된 시스템들, 장치, 및 방법들의 변형들은 당업자들에게 쉽게 자명해질 것이다. 따라서, 본 발명이 본 발명의 예시적인 실시예들과 관련하여 개시되었지만, 다른 실시예들이 하기의 청구항들에 의해 정의되는 바와 같은, 본 발명의 범위 내에 속할 수 있음이 이해되어야 한다.

Claims (15)

  1. 전자 디바이스 프로세싱 시스템으로서,
    제 1 이송 챔버를 형성하는 제 1 하우징 및 상기 제 1 하우징에 커플링된(coupled) 하나 또는 둘 이상의 프로세스 챔버들을 포함하며, 기판을 이동시키도록 구성된 제 1 로봇을 포함하는 제 1 메인프레임 섹션;
    제 2 이송 챔버를 형성하는 제 2 하우징 및 상기 제 2 하우징에 커플링된 하나 또는 그 초과의 프로세스 챔버들을 포함하며, 기판을 이동시키도록 구성된 제 2 로봇을 포함하는 제 2 메인프레임 섹션;
    상기 제 1 메인프레임과 상기 제 2 메인프레임 사이에 커플링된 비아 패스-스루 장치(via pass-through apparatus)로서, 상기 제 2 메인프레임 섹션으로의 유일한 입구 및 상기 제 2 메인프레임 섹션으로부터의 유일한 출구를 제공하는 상기 비아 패스-스루 장치는,
    상기 제 1 메인프레임과 상기 제 2 메인프레임 사이에 커플링된 제 1 패스-스루 챔버 - 상기 제 1 패스-스루 챔버는 상기 제 1 로봇과 상기 제 2 로봇 모두에 의해 액세스가능함 - , 및
    기판 상에 프로세스를 수행하도록 구성된 비아 프로세스 챔버 - 상기 비아 프로세스 챔버는 상기 제 1 패스-스루 챔버와 상이한 레벨에 위치되며, 상기 비아 프로세스 챔버는 상기 비아 프로세스 챔버 내에서 기판을 들어올리기 위한 리프트 조립체를 포함하며, 상기 리프트 조립체는 고리(hoop) 형상의 리프트 프레임, 상기 리프트 프레임에 커플링되며 아래에 위치되는 리프트 액츄에이터, 그리고 상기 리프트 프레임의 주위에 커플링되며 상기 기판을 지지하기 위하여 상기 리프트 프레임의 아래로 연장하는 복수의 핑거들을 포함함 - 를 포함하는,
    비아 패스-스루 장치; 및
    상기 비아 패스-스루 장치에 대향하는 상기 제 1 메인프레임 섹션의 측부 상에서 상기 제 1 메인프레임 섹션의 상기 제 1 하우징에 커플링된 하나 또는 둘 이상의 로드 록 챔버들을 포함하는
    전자 디바이스 프로세싱 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세스는, 증착 프로세스, 산화 프로세스, 산화물 제거 프로세스, 질화 프로세스(nitration process), 에칭 프로세스, 어닐링 프로세스, 및 세정 프로세스로부터 선택되는 하나 이상의 프로세스를 포함하는
    전자 디바이스 프로세싱 시스템.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 프로세스는 저감 프로세스(abatement process)를 포함하는
    전자 디바이스 프로세싱 시스템.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 비아 패스-스루 장치는 제 2 패스-스루 챔버를 포함하며, 상기 제 1 패스-스루 챔버는 상기 제 2 패스-스루 챔버와 나란한 배열(side-by-side arrangement)로 배열되는
    전자 디바이스 프로세싱 시스템.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 비아 패스-스루 장치는 상기 비아 프로세스 챔버 내로의 단일한 입구만을 포함하는
    전자 디바이스 프로세싱 시스템.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 비아 패스-스루 장치는,
    상기 제 1 메인프레임으로부터 상기 비아 프로세스 챔버 내로의 제 1 입구, 및
    상기 제 2 메인프레임으로부터 상기 비아 프로세스 챔버 내로의 제 2 입구를 포함하는
    전자 디바이스 프로세싱 시스템.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 프레임 내에 격납 링이 장착되는
    전자 디바이스 프로세싱 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 격납 링은 환형 형상을 가지며, 상기 리프트 프레임에 형성된 포켓 내에 놓이며, 그리고 상기 비아 프로세스 챔버의 내부 용적(interior volume)을 둘러싸는
    전자 디바이스 프로세싱 시스템.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 비아 프로세스 챔버는 상기 제 1 메인프레임 섹션 또는 상기 제 2 메인프레임 섹션 중 하나에 커플링되도록 구성되는 하나의 개구만을 포함하는
    전자 디바이스 프로세싱 시스템.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 비아 프로세스 챔버와 나란한 배열(side-by-side arrangement)로 배열되는 제 2 비아 프로세스 챔버를 포함하는
    전자 디바이스 프로세싱 시스템.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 비아 프로세스 챔버 및 제 2 비아 프로세스 챔버에 커플링된 공통의 원격 플라즈마 소스를 포함하는
    전자 디바이스 프로세싱 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 비아 프로세스 챔버 및 제 2 비아 프로세스 챔버에 커플링된 상기 공통의 원격 플라즈마 소스를 커플링하는 분배 채널들을 포함하는
    전자 디바이스 프로세싱 시스템.
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