CN115831803A - 电子组件制造过程 - Google Patents

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CN115831803A CN202111438414.9A CN202111438414A CN115831803A CN 115831803 A CN115831803 A CN 115831803A CN 202111438414 A CN202111438414 A CN 202111438414A CN 115831803 A CN115831803 A CN 115831803A
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Abstract

本发明提供一种电子组件制造过程，其包括以下步骤：将反应部件置于预反应腔体内；对置于预反应腔体内的反应部件进行预反应；进行预反应之后，将反应部件从预反应腔体传送至反应腔体；将工艺组件置于具有反应部件置于其内的反应腔体内；以及对置于反应腔体内的工艺组件进行工艺反应。

Description

电子组件制造过程
技术领域
本发明涉及一种组件制造过程，尤其涉及一种电子组件制造过程。
背景技术
在半导体的制造过程中，将需要将工艺组件置于装置的腔体(chamber)内进行对应的反应。腔体内通常具有对应于前述反应所需要的部件(parts)。而为了在对进行工艺组件进行反应时，可以使腔体内环境具有良好的氛围，通常都会先对腔体内的部件进行预反应。
发明内容
本发明是针对一种电子组件制造过程，其在电子组件的工艺中或对应装置的使用率上可以较为有效率。
根据本发明的实施例，电子组件制造过程包括以下步骤：将反应部件置于预反应腔体内；对置于预反应腔体内的反应部件进行预反应；进行预反应之后，将反应部件从预反应腔体传送至反应腔体；将第一工艺组件置于具有反应部件置于其内的反应腔体内；以及对置于反应腔体内的第一工艺组件进行第一工艺反应。
在根据本发明的一实施例中，电子组件制造过程还包括以下步骤：进行第一工艺反应之后，将第一工艺组件从具有反应部件置于其内的反应腔体取出；于将第一工艺组件从反应腔体取出之后，将第二工艺组件置于具有反应部件置于其内的反应腔体内；以及对置于反应腔体内的第二工艺组件进行第二工艺反应。
在根据本发明的一实施例中，第一工艺反应与第二工艺反应为相同反应。
在根据本发明的一实施例中，于将第一工艺组件从反应腔体取出的步骤与将第二工艺组件置于反应腔体内的步骤之间，反应部件未从反应腔体取出。
在根据本发明的一实施例中，于反应腔体内的反应部件构成反应空间。
在根据本发明的一实施例中，反应部件的数量为多个，且多个的反应部件构成反应空间。
在根据本发明的一实施例中，于将第一工艺组件置于反应腔体内的步骤中，第一工艺组件被置于反应部件所构成的反应空间内。
在根据本发明的一实施例中，电子组件制造过程还包括以下步骤：进行第一工艺反应之后，将第一工艺组件从具有反应部件置于其内的反应腔体取出；以及于将第一工艺组件从反应腔体取出之后，将反应部件从反应腔体取出。
在根据本发明的一实施例中，电子组件制造过程还包括以下步骤：于将反应部件从反应腔体取出的步骤之后或于将反应部件置于预反应腔体内之前，对反应部件进行预保养。
在根据本发明的一实施例中，电子组件制造过程还包括以下步骤：于将第一工艺组件从反应腔体取出之后，将第二工艺组件置于具有反应部件置于其内的反应腔体内；对置于反应腔体内的第二工艺组件进行第二工艺反应；以及进行第二工艺反应之后，将第二工艺组件从具有反应部件置于其内的反应腔体取出，其中将反应部件从反应腔体取出的步骤更于将第二工艺组件从反应腔体取出的步骤之后。
基于上述，本发明的电子组件制造过程，在电子组件的工艺中或对应装置的使用率上可以较为有效率。
附图说明
图1是依照本发明的一实施例的一种电子组件的制作方法的部分流程示意图。
图2是依照本发明的一实施例的一种用于电子组件的制作的装置的部分上视示意图。
图3是依照本发明的一实施例的一种用于电子组件的制作的装置用于电子组件制作时的部分侧视透视示意图。
图4是依照本发明的一实施例的一种用于电子组件的制作的装置用于电子组件制作时的部分侧视透视示意图。
图5是依照本发明的一实施例的一种用于电子组件的制作的装置用于电子组件制作时的部分侧视透视示意图。
图6是依照本发明的一实施例的一种用于电子组件的制作的装置用于电子组件制作时的部分侧视透视示意图。
附图标记说明
S01、S02、S03、S04、S05、S06、S07、S08、S09、S10：步骤；
100：装置；
109：阀门；
110、111、112：预反应腔体；
P11、P12：部件；
P13：组件；
R1：预反应空间；
130：反应腔体；
P31、P32：反应部件；
P33：反应组件；
R3：反应空间；
140：其他腔体；
150：连接腔体；
270：承载/运送物；
271：第一工艺组件；
272：第二工艺组件。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。
本发明的构思可以由不同的形式体现并不应视为受限于在此提出的示例性实施方式。也就是说，实施方式的说明及对应的图式内容是要尽可能地说明本发明的构思，但不是用于限制本发明为所揭露的特定形式。因此，本发明构思将涵盖落入本发明构思的精神和范围内的所有修改、等同物和替代物。
只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。在图式中，为了使本发明构思清楚，可能放大或缩小了部分的尺寸。在图式中，可以根据制造技术及/或公差期望地修改示出的形状。因此，示例性实施方式不应视为受限于示出的区域的特定的形状。
除非有特殊目的或特别说明，数量的描述用语仅为示例性地描述实施方式的，而并非意在限制本发明构思。举例而言，除非有特殊目的或特别说明，单数形式的“一”在技术理解上也可能包括多数形式。
应当理解，“第一”或“第二”等术语是用于描述不同的元素，但这些元素不应被这些术语限制。这些术语仅用于将元素彼此区分。例如，第一元素可以被称为第二元素。类似地，第二元素可以被称为第一元素而不背离本发明构思的保护范围。
除非有特殊目的或特别说明，当一示例性的实施方式可不同地实施时，特定的工艺流程可以以与在此所描述顺序不同的顺序进行。例如，两个先后描述的工艺可以基本同时进行，或可以以相反的顺序进行。
除非有特殊目的或特别说明，所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属技术领域中具有通常知识者通常理解相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通常使用的字典中定义的那些)应解释为具有与在相关技术背景中的含义一致的含义，并不应以理想化或过于正式的意义解释，除非在此明确这样定义。
在电子产品的制造过程中，可能改变对象(如：工艺中的中间物)的形状、厚度、图案或尺寸。而上述的改变可为本发明所属技术领域中具有通常知识者合理理解。故于说明书和各图式中不加以赘述。
请参照图1，电子组件的制造过程至少包括以下步骤。步骤S01：将反应部件置于预反应腔体内。步骤S02：对置于前述的预反应腔体内的前述的反应部件进行预反应。步骤S03：进行前述的预反应(如：步骤S02中所述)之后，将前述的反应部件从前述的预反应腔体传送至反应腔体。步骤S04：将第一工艺组件置于具有前述的反应部件置于其内的前述的反应腔体内。步骤S05：对置于前述的反应腔体内的前述的第一工艺组件进行第一工艺反应。
为了更清楚地说明电子组件的制造过程，在后述的说明中将示例性采用一种装置进行说明。但值得注意的是，可用于制作电子组件的装置或可进行电子组件制造过程的装置并不以后述说明中的装置100为限。举例而言，图2的装置100例如可以被称为多腔式设备(cluster tool)。在一未绘示的实施例中，本发明的电子组件的制造过程也可适用于单机式反应器反应器(stand-alone reactor)。
请参照图2，装置100可以包括多个腔体(chamber)。一腔体与另一腔体之间可以经由适当的构件(如：阀门109)予以分隔彼此的空间。举例而言，装置100可以包括多个反应腔体(如：一个或多个的预反应腔体110及/或一个或多个的反应腔体130)。适当的设备可以经由适当的管路或线路连接于反应腔体，以于反应腔体内进行适当的工艺或反应。举例而言，气体设备(如：进气设备及/或抽气设备)可以经由适当的气体管路连接于反应腔体，以将适当的气体充入反应腔体内及/或将反应腔体内的气体抽出。举例而言，液体设备(如：进液设备及/或抽液设备)可以经由适当的液体管路连接于反应腔体，以将适当的液体注入反应腔体内及/或将反应腔体内的液体排出。举例而言，供电设备可以经由适当的电力线接于反应腔体内的组件(如：加热器、电浆产生器、发光组件、马达或其他适当的组件)，以适于将反应腔体内空间(如：后述的反应空间)调整至适当的氛围。另外，前述的管路或线路可以经由对应的阀、闸、开关或侦测器进行调控，于本发明并不加以限制。
在一实施例中，装置100可以包括其他腔体140。其他腔体140可以包括加热腔体(heating chamber)、冷却腔体(cooling chamber)、排队腔体(queuing chamber)、适于使工艺组件自外界(如：晶片传送盒(Front Opening Unified Pod；FOUP)，但不限)传入或将工艺组件传出的装载腔体(load-lock chamber)，但本发明不限于此。其他腔体140也可以相同或相似于预反应腔体110或反应腔体130。
在本实施例中，多个反应腔体之间可以包括连接腔体150，但本发明不限于此。物件(如：后述的反应部件P31、反应部件P32、第一工艺组件271或第二工艺组件272，但不限)可以经由传送机构(未绘示；如：机械手臂、传送盘/传送轮，但不限)，而从一腔体(如：一反应腔体，但不限)经由连接腔体150而被传送至另一腔体(如：另一反应腔体，但不限)，但本发明不限于此。在一未绘示的实施例中，对象可以从一腔体(如：一反应腔体，但不限)直接被传送至另一腔体(如：另一反应腔体，但不限)。
在一实施例中，于外界(如：异于装置100的物)中适于承载或运送工艺组件的承载/运送物(如：晶片传送盒(FOUP)，但不限)也可以直接地或间接地连接于连接腔体150。
请参照图1、图2及图3，将一反应部件P31(process part/process parts)置于一预反应腔体111(预反应腔体110的其中之一)内。并且，对置于预反应腔体111内的反应部件P31进行预反应。
请参照图1、图2及图4，将另一反应部件P32置于另一预反应腔体112内。并且，对置于预反应腔体112内的反应部件P32进行预反应。
在本实施例中，反应部件P31与反应部件P32可以是不同的构件，但本发明不限于此。以沉积反应(deposition reaction)反应或磊晶反应(epitaxial reaction)为例，反应部件P31可以包括基座(susceptor)，且/或反应部件P32可以包括顶板(ceiling)或进气件(injector)。
在一实施例中，被进行预反应的反应部件P31及/或反应部件P32可以是新品(newparts)或已完成预保养(preventive maintenance；PM)后的良品(good parts)。
在本实施例中，反应部件P31与反应部件P32可以是分别被置于不同的预反应腔体110(如：预反应腔体111及预反应腔体112)内，以分别地被进行预反应，但本发明不限于此。在一实施例中，反应部件P31与反应部件P32被进行预反应的时序(timing)可以重迭。如此一来，可能可以提升装置100的使用效率。
在一实施例中，可以先将反应部件P31置于一预反应腔体(如：预反应腔体110的其中之一)内，以先对置于前述预反应腔体内的反应部件P31进行预反应；然后，在对反应部件P31进行预反应之后，将反应部件P31从前述预反应腔体传出；之后，才将反应部件P32置于同一预反应腔体内，而后对置于前述预反应腔体内的反应部件P32进行预反应。
在本实施例中，预反应腔体110内的组件或部件可以相同或相似于后述的反应腔体130内的组件或部件。如此一来，可以使预反应腔体110内进行预反应时的环境氛围相同或相似于反应腔体130内进行反应时的环境氛围。举例而言，预反应腔体110内可以包括对应的部件P11、部件P12及/或组件P13。部件P11可以相同或相似于反应部件P31。部件P12可以相同或相似于反应部件P32。部件P11及部件P13可以构成对应的预反应空间R1。组件P13可以相同或相似于后续反应腔体130内的反应组件P33。组件P13及/或反应组件P33可以包括但不限于加热器或感应组件。
请参照图1、图2及图5，在完成对反应部件P31、P32进行的预反应之后，可以将反应部件P31、P32从预反应腔体110传出，而后传送至反应腔体130。反应部件P31、P32可以经由适当的方式组装及/或固定，以在反应腔体130内构成适于反应的反应空间。依据对应的反应或工艺，前述的反应空间可以为开放空间(open space)、半开放空间(semi-open space)或密闭空间(enclosed space)。以图5为例，反应部件P31、P32与反应部件P31、P32可以于反应腔体130内相对地设置，以构成位于其之间的半开放式的反应空间R3。
请继续参照图1、图2及图5，将第一工艺组件271置于具有反应部件P31、P32置于其内的反应腔体130内；然后，对置于反应腔体130内的第一工艺组件271进行第一工艺反应。举例而言，可以经由适宜的传送机构，以将第一工艺组件271置于反应部件P31、P32所构成的反应空间R3内。
在一实施例中，工艺组件(如：第一工艺组件271或后续的第二工艺组件272；但不限)可以包括基板；或是，基板及位于基板上的膜、层或组件。举例而言，基板可包括晶片(如：硅晶片、氮化镓(GaN)晶片或其他适宜的晶片)、玻璃或聚合物板，但本发明不限于此。又举例而言，基板上可以具有图案化或未图案化的导电层、绝缘层、半导体层或上述的组合。
在本实施例中，工艺反应(如：第一工艺反应或后述的第二工艺反应)可以依据需求而加以调整，于本发明并不加以限定。举例而言，工艺反应可以包括但不限于成膜反应(film-forming reaction)或成层反应(layer-forming reaction)(如：包括但不限于沉积反应、磊晶反应、镀覆反应、涂布反应)、移除反应(removing reaction)(如：包括但不限于蚀刻反应、研磨反应)或其他电子组件(如：包括但不限于半导体组件、发光二极管组件、电子封装组件)的制造过程中常见或可能进行的反应。另外，前述的预反应可以与工艺反应相对应。以沉积反应为例，所对应的预反应可以包括预沉积反应(pre-depositionreaction)。以清洗反应为例，所对应的预反应可以包括预清洗反应(pre-cleanreaction)。以清洗反应或湿蚀刻为例，所对应的预反应可以包括预清洗反应(pre-cleanreaction)或预冲洗(pre-rinse reaction)。
请继续参照图1、图2以及图5至图6，在完成对第一工艺组件271进行的第一工艺反应之后，可以将第一工艺组件271从具有反应部件P31、P32置于其内的反应腔体130中取出；然后，将第二工艺组件272置于具有反应部件P31、P32置于其内的反应腔体130内；之后，对置于反应腔体130内的第二工艺组件272进行第二工艺反应。举例而言，可以经由适宜的传送机构，以将第二工艺组件272置于反应部件P31、P32所构成的反应空间R3内。
在本实施例中，第一工艺反应与第二工艺反应为相同反应或同质反应。举例而言，第一工艺反应的工艺参数(recipe)可以与第二工艺反应的工艺参数相同或部分相同。又举例而言，第一工艺反应与第二工艺反应可以同为成膜反应/成层反应；或是，第一工艺反应与第二工艺反应可以同为移除反应。
在本实施例中，将第一工艺组件271从反应腔体130中取出的步骤与将第二工艺组件272置于反应腔体130内的步骤之间，反应部件P31、P32未从反应腔体130中取出。
在一实施例中，在完成对第二工艺组件272进行的第二工艺反应之后，可以将第二工艺组件272从具有反应部件P31、P32置于其内的反应腔体130中取出；然后，将反应部件P31、P32从反应腔体130中取出；之后，取出的反应部件P31、P32进行预保养。
在一实施例中，从反应腔体130中取出的第一工艺组件271及/或第二工艺组件272可以再经由适当的工艺(如：适当的半导体工艺；但不限)，以形成对应的电子组件。也就是说，从反应腔体130中取出的第一工艺组件271及/或第二工艺组件272可以被视为另一种形式的工艺组件；然后，前述另一种形式的工艺组件可以再经由适当的工艺以形成对应的电子组件。在一实施例中，从反应腔体130中取出的第一工艺组件271及/或第二工艺组件272也可以被直接视为电子组件。
综上所述，在本发明中，可以先经由将反应部件先在一腔体进行预反应后，再将其传送至另一腔体，而后将工艺组件置于具有反应部件置于其内的另一腔体内进行对应的工艺反应。如此一来，可以使电子组件制造过程或对应装置的使用率上可以较为有效率。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种电子组件制造过程，其特征在于，包括：
将反应部件置于预反应腔体内；
对置于所述预反应腔体内的所述反应部件进行预反应；
进行所述预反应之后，将所述反应部件从所述预反应腔体传送至反应腔体；
将第一工艺组件置于具有所述反应部件置于其内的所述反应腔体内；以及
对置于所述反应腔体内的所述第一工艺组件进行第一工艺反应。
2.根据权利要求1所述的电子组件制造过程，其特征在于，还包括：
进行所述第一工艺反应之后，将所述第一工艺组件从具有所述反应部件置于其内的所述反应腔体取出；
于将所述第一工艺组件从所述反应腔体取出之后，将第二工艺组件置于具有所述反应部件置于其内的所述反应腔体内；以及
对置于所述反应腔体内的所述第二工艺组件进行第二工艺反应。
3.根据权利要求2所述的电子组件制造过程，其特征在于，所述第一工艺反应与所述第二工艺反应为相同反应。
4.根据权利要求2所述的电子组件制造过程，其特征在于，于将所述第一工艺组件从所述反应腔体取出的步骤与将所述第二工艺组件置于所述反应腔体内的步骤之间，所述反应部件未从所述反应腔体取出。
5.根据权利要求1所述的电子组件制造过程，其特征在于，于所述反应腔体内的所述反应部件构成反应空间。
6.根据权利要求5所述的电子组件制造过程，其特征在于，所述反应部件的数量为多个，且多个的所述反应部件构成所述反应空间。
7.根据权利要求5所述的电子组件制造过程，其特征在于，于将所述第一工艺组件置于所述反应腔体内的步骤中，所述第一工艺组件被置于所述反应部件所构成的所述反应空间内。
8.根据权利要求1所述的电子组件制造过程，其特征在于，还包括：
进行所述第一工艺反应之后，将所述第一工艺组件从具有所述反应部件置于其内的所述反应腔体取出；以及
于将所述第一工艺组件从所述反应腔体取出之后，将所述反应部件从所述反应腔体取出。
9.根据权利要求8所述的电子组件制造过程，其特征在于，还包括：
于将所述反应部件从所述反应腔体取出的步骤之后或于将所述反应部件置于预反应腔体内之前，对所述反应部件进行预保养。
10.根据权利要求8所述的电子组件制造过程，其特征在于，还包括：
于将所述第一工艺组件从所述反应腔体取出之后，将第二工艺组件置于具有所述反应部件置于其内的所述反应腔体内；
对置于所述反应腔体内的所述第二工艺组件进行第二工艺反应；以及
进行所述第二工艺反应之后，将所述第二工艺组件从具有所述反应部件置于其内的所述反应腔体取出，其中：
将所述反应部件从所述反应腔体取出的步骤更于将所述第二工艺组件从所述反应腔体取出的步骤之后。
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