KR101342990B1 - 배치식 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

배치식 기판 처리 장치는 공정 챔버, 공정 챔버 내부에 상호 평행하게 배치되며, 복수의 기판들의 이면들과 각각 접촉하여 기판들을 각각 지지하며, 복수의 관통홀들이 각각 형성된 복수의 척들 및 복수의 관통홀들을 각각 관통하며, 척들에 의하여 지지되는 기판들의 각각을 상하로 이동키는 복수의 서포터들을 포함한다. 따라서, 배치식 기판 처리 장치가 복수의 기판을 동시에 처리할 수 있다.

Description

배치식 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법{BATCH TYPE APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATES AND METHOD OF PROCESSING THE SUBSTRATE USING THE SAME}
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 도 1의 배치식 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 상태를 도시한 평면도이다.
도 3은 도 1의 배치식 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 상태를 도시한 단면도이다.
도 4는 도 1의 공간 분할 부재를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 분할 부재를 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 공간 분할 부재를 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100 : 배치식 기판 처리 장치 101 : 공정 챔버
110 : 척들 115 : 관통홀들
117 : 가열 부재 120 : 서포터들
140 : 공간 분할 부재 141, 148 : 절연막
143, 147 : 도전막 146 : 단열막
145 :유체 경로
본 발명은 배치식 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법에 관한 것으로써, 보다 상세하게는 복수의 기판들을 하나의 챔버 내에서 동시에 처리하는 배치식 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 기판을 처리하는 기판 처리 장치는 공정 처리 능력을 향상시키기 위하여 내부에 반도체 기판을 복수로 로딩하여 복수의 기판을 동시에 처리하는 배치식 기판 처리 장치 및 한 장의 반도체 기판을 챔버 내부로 로딩하여 한 장마다 기판을 처리하는 매엽식 기판 처리 장치로 구분된다. 특히, 매엽식 기판 처리 장치를 이용하여 고온 상태에 기판을 처리하는 고온 공정에 있어서, 챔버 내의 공정 온도를 상승시키고 하강시키는 데 필요한 시간이 많은 시간이 요구된다. 따라서, 상기 고온 공정에서는 배치식 기판 처리 장치가 일반적으로 이용되어 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
하지만, 배치식 기판 처리 장치에서 반도체 기판 상에 박막을 적층할 때 반도체 기판의 이면에도 불필요하게 상기 박막이 적층되는 상황이 빈번하게 발생한다. 여기서, 상기 반도체 기판의 가장자리 부분이나 이면에 적층된 박막은 이물질로써 상기 반도체 기판 상에 박막을 적층한 후, 상기 박막을 패터닝하기 위한 식각 공정에서 오염원으로 작용한다.
본 발명의 일 목적은 기판의 이면에 이물질의 발생을 억제할 수 있고 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있는 배치식 기판 처리 장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 배치식 기판 처리 장치를 사용하여 기판의 이면에 이물질의 발생을 억제할 수 있고 기판 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 방법을 제공하는 데 있다.
상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판 처리 장치는, 공정 챔버, 상기 공정 챔버 내부에 상호 평행하게 배치되며, 복수의 기판들의 이면들과 각각 접촉하여 상기 기판들을 각각 지지하며, 복수의 관통홀들이 각각 형성된 복수의 척들 및 상기 복수의 관통홀들을 각각 관통하며, 상기 척들에 의하여 지지되는 상기 기판들의 각각을 상하로 이동키는 복수의 서포터들을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판 처리 장치는 상기 복수의 척들의 사이에 배치되며, 상기 기판을 개별적으로 처리하기 위한 상기 공정 챔버의 공정 공간을 분할하는 공간 분할 부재를 더 포함한다. 여기서, 상기 복수의 척들은 각각 상기 기판들의 이면을 전체적으로 접촉하여 상기 기판들을 각각 지지할 수 있다. 또한, 상기 복수의 척들은 동시에 상하로 이동하여, 각각의 상기 기판들과 이격되거나 접촉될 수 있다. 나아가, 상기 척들은 그 내부에 배치되며 상기 기판들을 각각 가열시키는 가열 부재를 포함할 수 있다. 한편, 상기 공간 분할 부재는 상기 서포터들의 단부와 접촉하여 상기 복수의 서포터들을 상하로 이동시킬 수 있다. 상기 공간 분할 부재에 고주파 에너지가 인가될 수 있도록 전도성물질을 포함할 수 있다. 상기 공간 분할 부재는 상기 척들보다 큰 직경을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 복수의 척들을 동시에 상하로 이동시키는 제1 구동 부재를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제1 구동 부재는 상기 공정 챔버의 측벽과 평행한 제1 몸체부 및 상기 몸체부로부터 상기 척들을 향하여 돌출되며, 각각의 상기 척들의 이면을 부분적으로 지지하는 복수의 제1 지지부들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 공간 분할 부재를 상하로 이동시키는 제2 구동 부재를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제2 구동 부재는, 상기 공정 챔버의 측벽과 평행한 제2 몸체부 및 상기 몸체부로부터 상기 공간 분할 부재를 향하여 돌출되며, 상기 공간 분할 부재의 이면을 부분적으로 지지하는 복수의 제2 지지부들을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 공간 분할 부재에는 공정 가스가 유동할 수 있는 복수의 홀들이 형성될 수 있다. 여기서, 상기 홀들은 각각 0.05mm 내지 5mm의 직경을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 공간 분할 부재는 알루미늄, 탄탈륨, 티타늄 및 은으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 여기서, 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 상기 공간 분할 부재는 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 공간 분할 부재는 다중막 구조를 가질 수 있다. 여기서, 상기 공간 분할 부재는 상부에 형성된 제1 절연막 및 하부에 형성된 제1 도전막을 포함할 수 있다. 또한, 상기 공간 분할 부재는 상부에 형성된 단열막, 하부에 형성된 제2 도전막 및 상기 단열막과 상기 제2 도전막 사이에 개재된 제2 절연막을 포함할 수 있다. 나아가, 상기 공간 분할 부재의 내부에는 냉각 유체가 흐를 수 있는 유체 경로가 형성될 수 있다.
상기 일 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 공정 챔버 내부에 상호 평행하게 배치되며 복수의 관통홀들이 각각 형성된 복수의 척들의 상면에 기판들을 상기 기판들의 이면과 접촉한 상태로 각각 로딩한 후, 상기 기판들의 상부에 공정 가스를 이용하여 상기 기판들을 처리한다. 이후, 상기 복수의 관통홀들을 각각 관통하는 서포터를 상부로 리프트시켜, 상기 기판들을 상기 척들로부터 이격시킨 후, 상기 척들로부터 이격된 상기 기판들을 언로딩한다.
상술한 본 발명에 따르면, 배치식 기판 처리 장치는 복수의 기판들을 하나의 챔버 내에 동시에 처리하는 동시에 기판들의 이면을 전체적으로 접촉한 상태에서 상기 기판들을 지지하는 척들이 구비된다. 그러므로, 배치식 기판 처리 장치는 기판의 이면에 대한 불필요한 박막이 형성되는 것을 억제하는 동시에 복수의 기판을 동시에 처리함으로써, 기판 처리 공정에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있고, 그 결과 반도체 소자의 제조에 따른 생산성의 향상을 기대할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 아울러, 도면들에 있어서, 공정 챔버, 척, 서포터, 공간 분할 부재 등은 그 명확성을 기하기 위하여 다소 과장되어진 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다. 또한, 본 발명의 실시예에서는 반도체 기판을 대상으로 한정하고 있지만, 유리 기판 등에도 본 발명의 실시예를 확장시킬 수도 있다.
배치식 기판 처리 장치
도 1 은 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다. 도 2는 도 1의 배치식 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 상태를 도시한 평면도이다. 도 3은 도 1의 배치식 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 상태를 도시한 단면도이다. 본 발명의 실시예들에 있어서, 기판은 박막이 형성될 제1 면 및 제1 면에 대향하는 제2 면을 갖는다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 배치식 기판 처리 장치(100)는 공정 챔버(101), 복수의 척들(110), 복수의 서포터들(120) 및 공간 분할 부재(140)를 포함한다.
공정 챔버(100)는 복수의 기판들(W)을 처리하기 위한 공정 공간을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 공정 챔버(100)의 측벽에는 공정 챔버(100)의 내부 온도를 조절하기 위한 가열 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 상기 가열 부재는 예를 들면, 퍼니스 히터를 포함할 수 있다.
복수의 척들(110)은 공정 챔버(101)의 내부에 상호 평행하게 수직으로 적층되어 상호 이격되도록 배치된다. 복수의 척들(110)은 디스크 형상을 가질 수 있다. 복수의 척들(110)은 복수의 기판들(W)의 이면과 각각 접촉하여 기판 처리 공정이 진행되는 동안 기판들(W)을 지지한다. 따라서, 상기 기판 처리 공정이 진행되는 동안 기판들(W)의 이면은 전체적으로 복수의 척들(110)과 각각 접촉함으로써, 기판의 이면에 대한 예기치 않은 박막 형성이 억제될 수 있다.
복수의 척들(110)에는 각각의 복수의 관통홀(115)이 형성된다. 복수의 관통홀(115)을 통하여 후술하는 복수의 서포터들(120)이 관통한다. 복수의 관통홀(115)은 복수의 서포터들(120)의 개수에 대응되도록 형성된다. 예를 들면, 서포터들(120)이 세 개가 배치될 경우 관통홀(115)도 세 개가 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 복수의 척들(110)의 내부에는 가열 부재(117)가 형성된다. 가열 부재(117)는, 예를 들면 사행 구조를 갖도록 배치될 수 있다. 가열 부재(117)에는 소정의 전압이 인가되어 열을 발생한다. 따라서, 복수의 척들(110)의 상부에 배치되는 복수의 기판들(W)이 가열되어, 가열 부재(117)는 기판들(W)에 일정한 공정 온도를 유지시킨다.
도시되지 않았지만, 복수의 척들(110)의 내부에는 척들(110)의 온도를 측정하는 열전대(thermocouple)(미도시)가 배치될 수 있다. 또한, 복수의 척들 내부에 척들을 각각 접지시키기 위하여 파워 연결선(미도시)이 배치될 수 있다.
서포터들(120)은 척들(110)의 내부에 형성된 관통홀들(115)을 관통하도록 배치된다. 서포터들(120)은 척(110) 마다 두 개 이상이 배치된다. 예를 들면, 서포터들(120)은 세 개가 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 서포터들(120)은 몸체부, 상기 몸체의 일단부에 형성되며 후술하는 공간 분할 부재(140)와 접촉하는 접촉부 및 기판(W)의 이 면의 일부를 지지하는 지지부를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 후술하는 공간 분할 부재(140)가 상승할 경우 상기 지지부는 기판(W)을 상승시켜, 기판(W)을 척(110)으로부터 이격시킨다. 따라서, 기판(W) 및 척(110) 사이의 이격 공간에 이송 유닛(미도시)이 삽입되어 기판을 이송하게 된다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 척(110)이 하강할 때 서포터(120)의 지지부가 기판(W)을 지지하면서 기판(W)은 척(110)으로부터 이격된다. 따라서, 기판(W) 및 척(110) 사이의 이격 공간에 이송 유닛(미도시)이 삽입되어 기판을 이송하게 된다.
공간 분할 부재(140)는 복수의 척들(110) 사이에 배치된다. 공간 분할 부재(140)는, 예를 들면, 디스크 형상을 가질 수 있다. 공간 분할 부재(140)는 복수의 기판들(W)을 각각 개별적으로 처리하기 위하여 공정 챔버(101) 내부의 공정 공간을 분할한다. 따라서, 공정 챔버(101) 내부의 공정 공간은 제1 공간 및 제2 공간으로 구분된다.
다시 도 1을 참조하면, 공정 공간은 제1 공간 및 제2 공간으로 두 장의 기판을 동시에 처리하는 구분되도록 도시하였다. 그러나, 공정 공간은 세 개 이상의 공간으로 구분하여 세 장 이상의 기판(W)을 수직으로 적층하여 동시에 기판을 처리할 수 있음은 자명하다.
한편, 공간 분할 부재(140)는 서포터(120)의 상기 접촉부와 접촉한다. 따라서, 공간 분할 부재(140)가 상하로 이동할 경우, 공간 분할 부재(140)와 접촉하는 복수의 서포터들(120)이 상하로 이동한다. 따라서, 서포터들(120)이 상하로 이동할 경우, 기판들(W)이 척(110)으로부터 이격되거나 척(110)에 의하여 지지된다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 배치식 기판 처리 장치(100)는 플라즈마 상태의 공정 가스를 이용하여 기판들(W)을 처리할 수 있다. 이 경우, 공간 분할 부재(140)는 고주파 파워(radio frequency power)가 인가될 수 있도록 전도성 물질로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 공간 분할 부재(140)는 척(110)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 공간 분할 부재(140)가 척(110)보다 큰 직경을 가질 경우, 상기 제1 공간에서 기판을 처리할 때 발생하는 이물질이 기판 및 척의 상부로 낙하하여 상기 제2 공간에서 처리되는 기판에 공정 불량이 발생하는 현상이 억제될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 배치식 기판 처리 장치(100)는 제1 구동 부재(150) 및 제2 구동 부재(160)를 더 포함할 수 있다.
제1 구동 부재(150)는 공정 챔버(101) 내부에 공정 챔버(101)의 측벽과 평행하게 배치된다. 제1 구동 부재(150)는 복수의 척들(110)을 동시에 상하로 이동시킨다.
제1 구동 부재(150)는 기둥 형상을 갖는 제1 몸체부(151) 및 제1 몸체부(151)로부터 척들(110)을 향하여 돌출되며, 각각의 상기 척들(110)의 이면을 부분적으로 지지하는 복수의 제1 지지부(153)를 포함한다.
제2 구동 부재(160)는 제1 구동 부재(150)와 소정 간격 이격되어 제1 구동 부재(150)와 상호 이격되게 배치된다. 제2 구동 부재(160)는 공간 분할 부재(140) 를 상하로 이동시킨다.
제2 구동 부재(160)는 기둥 형상을 갖는 제2 몸체부(161) 및 제2 몸체부(161)로부터 공간 분할 부재(140)를 향하여 돌출되며, 공간 분할 부재(140)의 이면을 부분적으로 지지하는 제2 지지부(163)를 포함한다.
공간 분할 부재(140)가 복수로 상호 평행하게 척들(110)의 사이에 배치될 경우, 제2 몸체부(161) 및 제2 지지부(163)는 복수로 형성되어 복수의 공간 분할 부재(140)들을 각각 지지할 수 있다.
이하, 공간 분할 부재(140)에 대하여 도 4 내지 도 6을 참조하여 보다 상세히 기술하기로 한다.
도 4는 도 1의 공간 분할 부재를 도시한 평면도이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 공간 분할 부재를 설명하기 위한 단면도이다. 도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 공간 분할 부재를 설명하기 위한 단면도이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 공간 분할 부재(140)에는 공정 가스가 유동할 수 있는 복수의 홀들(145)이 형성된다. 이 경우, 공간 분할 부재(140)가 서포터들(120)과 접촉하는 서포터 접촉부(141)에는 홀들(145)이 형성되지 않는 것이 바람직하다. 예를 들면, 복수의 홀들(145)은 각각 약 0.05mm 내지 약 5mm의 직경을 가질 수 있다. 0.05mm 미만의 직경을 갖도록 복수의 홀들(145)을 형성하는 것은 공정 가스의 유동 효과가 낮아지는 반면에 5mm 초과의 직경을 갖도록 복수의 홀들(145)을 형성하는 것은 상기 제1 공간에 발생한 이물질이 하부의 제2 공간으로 낙하하는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 배치식 기판 처리 장치(100)는 공정가스를 플라즈마 상태로 여기하여 기판을 처리할 수 있다. 이때, 공간 분할 부재(140)는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 도전성 물질의 예로는 알루미늄, 탄탈륨, 티타늄, 은 및 이들의 합금을 들 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 있어서, 배치식 기판 처리 장치(100)는 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기할 필요없이 공정 가스를 이용하여 기판을 처리할 수 있다. 이때, 공간 분할 부재(140)는 절연성 물질을 포함할 수 있다. 절연성 물질의 예로는 알루미늄 산화물과 같은 금속 산화물 및 알루미늄 질화물과 같은 금속 질화물을 들 수 있다.
공간 분할 부재(140)는 다중막 구조를 가질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 공간 분할 부재(140)는 상부에 형성된 제1 절연막 및 하부에 형성된 제1 도전막을 포함할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 공간 분할 부재(140)는 상부에 형성된 단열막, 하부에 형성된 제2 도전막 및 단열막 및 제2 도전막 사이에 개재된 제2 절연막을 포함할 수 있다.
한편, 공간 분할 부재(140)의 내부에는 냉각 유체가 흐를 수 있는 유체 경로(145)가 형성될 수 있다. 유체 경로(145)를 통하여 유입된 냉각 유체는 공정 챔버(101) 내부의 온도를 하강시켜 기판(W)을 냉각시킨다. 냉각 유체의 예로는 탈이온수를 들 수 있다.
기판 처리 방법
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 1 및 도 7을 참조하면, 공정 챔버(101) 내부에 상호 평행하게 배치되며 복수의 관통홀들(115)이 각각 형성된 복수의 척들(110)의 상면에 기판들(W)의 이면과 접촉한 상태로 상기 기판들(W)을 각각 로딩한다.(S10)
이어서, 기판들(W)의 상부에 공정 가스를 이용하여 기판들을 처리한다.(S20) 이때, 공정 가스는 플라즈마 상태로 여기될 수 있다. 또한, 기판들(W)을 처리하기 위한 공정 조건들, 예를 들면, 온도, 압력, 진공도 등이 조절된다.
복수의 관통홀(115)들을 각각 관통하는 서포터(120)를 상부로 리프트시켜, 기판들(W)을 상기 척들(110)로부터 이격시킨다.(S30) 따라서, 척들(110)과 기판들(W) 사이에는 이격 공간이 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 공간 분할 부재(140)가 상승하여 공간 분할 부재(140)와 접촉하는 서포트(120)가 상승한다. 따라서, 기판들(W)이 상기 척들(110)로부터 이격된다. 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 척들(110)이 하강하여 기판들(W)이 상기 척들(110)로부터 이격된다.
상기 척들로부터 이격된 상기 기판들을 언로딩한다.(S40) 이때, 척들(110)과 기판들(W) 사이에는 이격 공간 사이에 이송 로봇과 같은 이송 유닛(미도시)이 삽입되어 기판을 척으로부터 언로딩한다.
따라서, 복수의 기판(W)을 하나의 공정 챔버(101) 내에서 동시에 처리하는 기판 처리 공정이 완료된다.
언급한 바와 같이, 배치식 기판 처리 장치는 복수의 기판들을 하나의 챔버 내에 동시에 처리하는 동시에 기판들의 이면을 전체적으로 접촉한 상태에서 상기 기판들을 지지하는 척들이 구비된다. 그러므로, 배치식 기판 처리 장치는 기판의 이면에 대한 불필요한 박막이 형성되는 것을 억제하는 동시에 복수의 기판을 동시에 처리함으로써, 기판 처리 공정에 소요되는 시간을 단축시킬 수 있고, 그 결과 반도체 소자의 제조에 따른 생산성의 향상을 기대할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (23)

  1. 공정 챔버;
    상기 공정 챔버 내부에 상호 평행하게 배치되며, 복수의 기판들의 이면들과 각각 접촉하여 상기 기판들을 각각 지지하며, 복수의 관통홀들이 각각 형성된 복수의 척들;
    상기 복수의 관통홀들을 각각 관통하며, 상기 척들에 의하여 지지되는 상기 기판들의 각각을 상하로 이동키는 복수의 서포터들; 및
    공정 가스가 유동할 수 있는 복수의 홀들이 형성되고, 상기 복수의 척들의 사이에 배치되며, 상기 기판을 개별적으로 처리하기 위한 상기 공정 챔버의 공정 공간을 분할하는 공간 분할 부재;를 포함하는 배치식 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수의 척들은 각각 상기 기판들의 이면을 전체적으로 접촉하여 상기 기판들을 각각 지지하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복수의 척들은 상하로 이동하여, 각각의 상기 기판들과 이격되거나 접촉되는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 척들은 그 내부에 배치되며 상기 기판들을 각각 가열시키는 가열 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 복수의 척들을 동시에 상하로 이동시키는 제1 구동 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 구동 부재는,
    상기 공정 챔버의 측벽과 평행한 제1 몸체부; 및
    상기 몸체부로부터 상기 척들을 향하여 돌출되며, 각각의 상기 척들의 이면을 부분적으로 지지하는 복수의 제1 지지부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서, 상기 공간 분할 부재는 상기 서포터들의 단부와 접촉하여 상기 복수의 서포터들을 상하로 이동시키는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 공간 분할 부재는 플라즈마를 발생시키거나 접지되기 위하여 전도성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 공간 분할 부재는 상기 척들보다 큰 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 공간 분할 부재를 상하로 이동시키는 제2 구동 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2 구동 부재는,
    상기 공정 챔버의 측벽과 평행한 제2 몸체부; 및
    상기 몸체부로부터 상기 공간 분할 부재를 향하여 돌출되며, 상기 공간 분할 부재의 이면을 부분적으로 지지하는 복수의 제2 지지부들을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  13. 삭제
  14. 제1항에 있어서, 상기 홀들은 각각 0.05mm 내지 5mm의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  15. 제1항에 있어서, 상기 공간 분할 부재는 알루미늄, 탄탈륨, 티타늄 및 은으로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 공간 분할 부재는 금속 산화물 또는 금속 질화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 공간 분할 부재는 다중막 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  18. 제1항 또는 제17항에 있어서, 상기 공간 분할 부재는 상부에 형성된 제1 절연막 및 하부에 형성된 제1 도전막을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  19. 제1항 또는 제17항에 있어서, 상기 공간 분할 부재는 상부에 형성된 단열막, 하부에 형성된 제2 도전막 및 상기 단열막과 상기 제2 도전막 사이에 개재된 제2 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  20. 제1항에 있어서, 상기 공간 분할 부재의 내부에는 냉각 유체가 흐를 수 있는 유체 경로가 형성된 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  21. 제1항에 있어서, 상기 척들은 플라즈마를 발생시키거나 접지되기 위하여 전도성 물질을 각각 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  22. 제1항에 있어서, 상기 공정 챔버의 측벽에 배치되고, 상기 공정 챔버의 내부의 온도를 유지시키기 위한 가열 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배치식 기판 처리 장치.
  23. 삭제
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