JP2004087206A - 面状セラミックスヒーター - Google Patents
面状セラミックスヒーター Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004087206A JP2004087206A JP2002244308A JP2002244308A JP2004087206A JP 2004087206 A JP2004087206 A JP 2004087206A JP 2002244308 A JP2002244308 A JP 2002244308A JP 2002244308 A JP2002244308 A JP 2002244308A JP 2004087206 A JP2004087206 A JP 2004087206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- corrosion
- ceramic heater
- ceramic
- ceramic base
- planar
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Surface Heating Bodies (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
ハロゲン系腐食性ガスやハロゲン系プラズマ活性種に対する耐食性に優れ、かつパッティクル発生が抑制され、常時、安定した発熱・放熱が得られる耐久性の優れた面状セラミックスヒーターの提供。
【解決手段】一主面が放熱・発熱面5をなす面状のセラミックス基材1と、前記セラミックス基材1に埋め込み・配置された抵抗発熱体2と、前記抵抗発熱体2に一端が接続し他端側がセラミックス基材1の他主面側に導出された電力供給端子3と、前記セラミックス基材1の一主面周縁部及び側面を嵌合的に被覆する耐食性材料部材4とを有することを特徴とする面状セラミックスヒーターである。
【選択図】 図1
【解決手段】一主面が放熱・発熱面5をなす面状のセラミックス基材1と、前記セラミックス基材1に埋め込み・配置された抵抗発熱体2と、前記抵抗発熱体2に一端が接続し他端側がセラミックス基材1の他主面側に導出された電力供給端子3と、前記セラミックス基材1の一主面周縁部及び側面を嵌合的に被覆する耐食性材料部材4とを有することを特徴とする面状セラミックスヒーターである。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面状セラミックスヒーターに係り、さらに詳しくは耐食性の優れた面状セラミックスヒーターに関する。
【0002】
たとえば半導体の製造に当たっては、半導体ウェハーに対するPVD、プラズマCVD、プラズマエッチング、光エッチングなどの成膜加工処理が施される。また、これらの加工処理は、一般的に、面状セラミックスヒーター(発熱体)面上に被加工体を配置し、被加工体に加熱を施しながら行われる。すなわち、ClF3などのノンプラズマクリーニングガスや、NF3ガスなどをプラズマ励起させたハロゲン系をエッチング剤とし、不要領域の膜を選択的に除去する工程が採られている。そして、高性能ないし高信頼性を有する半導体を歩留まりよく、しかも量産的に得るためには、加熱処理が一つの重要なファクターとなる。
【0003】
図2は、従来この種の加工処理に使用されている面状セラミックスヒーターの構成例を断面的に示したもので、緻密でガスタイトなセラミックス焼結体(セラミックス基材)1の内部に、タングステン線やモリブデン線などの抵抗発熱線(もしくはコイル)2を、たとえば螺旋状やジグザグ状に埋設したものである。そして、抵抗発熱体2に対する電力供給端子(たとえばタングステン、モリブデン、ニッケル製)3をセラミックス基材1外に導出させた構造を採っている。なお、セラミックス基材1は、たとえばアルミナ系やシリカ系、窒化アルミニウム系、窒化ケイ素系、あるいはサイアロンなどが挙げられるが、特に、窒化アルミニウム系が熱伝導性や耐食性などの点で注目されている。
【0004】
そして、この種の面状セラミックヒーターは、一般的に、次のような手段で製造されている。第1の手段は、セラミックベース用基材(グリーンシート)の一主面に、前記抵抗発熱線で形成した抵抗発熱体を配置し、その抵抗発熱体面にヒーターカバーシートを積層する一方、電力供給端子をカバーシートに貫挿・組み込んだ後、所定の条件での脱脂、及び所要温度でのホットプレス処理などを施して焼結・一体化させて製作する方法である。
【0005】
第2の手段は、予め、放熱・発熱面を成す板状のセラミック基材、及びヒーターカバーを成す板状のセラミック基材をそれぞれ作製し、このセラミック基材面間に、前記抵抗発熱線で形成した抵抗発熱体を配置する一方、接合剤層を介挿して接合一体化させて製作する方法である。ここで、ヒーターカバーを成す板状のセラミック基材には、抵抗発熱体の被接続部に対応させた孔が穿設されており、この穿設孔に電力供給端子を装着し、かつ導電性ペーストを充填して電気的な接続を行っている。なお、第1及び第2のいずれの手段においても、抵抗発熱体の形成は、抵抗発熱体用のペーストのスクリーン印刷、タングステン板のレーザー加工やパンチ型打ち抜き加工などでも行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体の製造工程における加熱処理では、加工稼働率や低コスト化などの点から、熱源として使用する面状セラミックスヒーターの耐久性及び良好な歩留まりの確保が前提となる。つまり、面状セラミックスヒーターにおいては、安定した放熱・発熱容量の維持、及び面内温度分布の一様性、長寿命などが要求される。しかし、従来の面状セラミックスヒーターは、成膜加工で使用されるハロゲン系ガスによって、面状セラミックスヒーターの腐食・劣化が起こり易く、耐久性及び安定した放熱・発熱などの点で問題がある。
【0007】
すなわち、上記面状セラミックスヒーターは、半導体ウェハーを載置・処理するために雰囲気を適宜調整できる処理室内に装着配置し、ハロゲン系ガス雰囲気下で半導体ウェハーに成膜加工を施した場合、ハロゲン系ガスに曝露する載置面の外周縁部及び側面が同時に腐食作用を受け易い状況にある。特に、配線パターンの微細化、半導体ウェハーの大形化などに伴う成膜温度の高温化、プラズマの高密度化が進められている現状では、腐食作用を受け易さので、由々しい問題の提起と言える。つまり、成膜温度の高温化やプラズマの高密度化は、セラミックス基材1の腐食速度を増大させる一方、パーティクルの発生増大となって、加工製品の品質低下を招来する。また、極端な場合は、セラミックスヒーターの抵抗発熱体2の露出を招来し、被加工体である半導体ウェハーとの間でスパークを発生して、半導体ウェハーの破壊などを引き起こし、製造歩留まりの低下となる恐れもある。
【0008】
上記耐食性の改善策として、セラミックスヒーターの表面をMgFなどの耐食性材料膜で被覆する手段が知られている。すなわち、セラミックスヒーター表面に、厚さ数μm〜10数μm程度の耐食性材料膜をコーティング形成し、ハロゲン系プラズマなどによる腐食を防止し(耐食性向上)、結果的に、パーティクル発生などの不具合の解消・低減を図る試みもなされている。しかし、この耐食性材のコーティング手段は、セラミックスヒーターの昇降温に伴うサーマルショックによって、耐食性材料膜がセラミックス基材から剥離し易く、耐食性材料膜自体がパーティクルの発生源になる場合がある。
【0009】
上記面状セラミックスヒーターの不具合は、セラミックスヒーターの清浄化処理・交換装着など保守操作を要するので、結果的に、加工処理装置の稼動停止を招来し、生産性などを損なうことになるので、製造コストの観点からも有効な解決策が期待される。つまり、信頼性の高い半導体ウェハーの生産性や歩留まり向上の観点から、使用する面状セラミックスヒーターについて、耐久的、かつ安定的な放熱・加熱機能などに対する有効な改善策が待たれている。
【0010】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ハロゲン系腐食性ガスやハロゲン系プラズマ活性種に対する耐食性に優れ、かつパッティクル発生が抑制され、常時、安定した発熱・放熱が得られる耐久性の優れた面状セラミックスヒーターの提供を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一主面が放熱・発熱面をなす面状のセラミックス基材と、前記セラミックス基材に埋め込み・配置された抵抗発熱体と、前記抵抗発熱体に一端が接続し他端側がセラミックス基材の他主面側に導出された電力供給端子と、前記セラミックス基材の一主面周縁部及び側面を嵌合的に被覆する耐食性材料部材とを有することを特徴とする面状セラミックスヒーターである。
【0012】
上記第1の本発明の面状セラミックスヒーターにおいて、耐食性材料部材がイットリウムを含む酸化物であることが好ましい。
さらに本発明の面状セラミックスヒーターにおいて、耐食性材料部材のセラミック基材に対する対接面が鏡面的に加工されていることが好ましい。
【0013】
上記本発明は、面状のセラミックス基材に抵抗発熱体が埋め込み・配置され、この抵抗発熱体に一端が接続する電力供給端子の他端側をセラミックス基材外に導出させた面状セラミックスヒーターの構成において、被加工体を載置する面の周縁部及び側面を、高耐食性材料を素材とした断面逆L字形のリング状部材の嵌合的な装着で被覆した構成を採ったことを骨子とする。すなわち、ハロゲン系ガスなどの腐食性ガスに曝され、かつ腐食性ガスによって腐食され易い面状のセラミックス基材の放熱面周縁部、及びセラミックス基材の外周側面を、選択的に、高耐食性材料製のリング状部材で嵌合的に被覆し、腐食性ガスによる腐食を防止・抑制して、パーティクルの発生などを解消する一方、安定した発熱・放熱性の確保ないし耐久性の付与を図ったものである。
【0014】
また上記本発明において、面状のセラミックス基材は、たとえばアルミナ系やシリカ系、窒化アルミニウム系、窒化ケイ素系、あるいはサイアロンなどが挙げられるが、特に、窒化アルミニウム系が昇降温速度を左右する耐熱衝撃性、熱伝導性、耐食性などの点で好ましい。また、セラミックス基材中に埋設・配置される抵抗発熱体は、たとえばタングステン線、モリブデン線、ニクロム線などの抵抗発熱線(もしくはコイル)を、螺旋状やジグザグ状に形成したものである。さらに、セラミックス基材外に導出させた構造を採る電力供給端子は、たとえばタングステン、モリブデン、ニッケル、インコネル、コバール、スーパーインバーなどを素材としたものである。
【0015】
さらに上記本発明において、面状のセラミックス基材の放熱面(一主面)周縁部及び外側面(外周面)を嵌合的に被覆する耐食性材料部材は、たとえば断面逆L字形のリング状に構成されている。つまり、耐食性材料部材は、被加工体を載置(セット)したとき、その載置面の周縁露出部及び外側面を被覆できる嵌合形の断面逆L字形リング状である。ここで、断面逆L字形のリング状部材(耐食性材料部材)は、取扱操作上の機械的な強度など考慮すると、たとえば肉厚1〜5mm程度でよい。また、面状のセラミックス基材面に対して摺動的、かつ嵌合・装着されるように、対接する面をたとえば鏡面仕上げなどしておくことが望ましい。
【0016】
ここで、耐食性材料部材は、たとえばZrO2,Y2O3を主とした希土類酸化物類,イットリウムアルミニウムガーネットなど、ハロゲン系ガスやハロゲン系プラズマなどに優れた耐腐食性を有する材料である。特に、Y2O3、イットリウムアルミニウムガーネットは、より優れた耐食性を呈すること、熱膨張率がセラミックスヒーター基材に近似することなどから好ましい。なお、これらの場合、他の希土類酸化物類を少量添加配合しておくと、焼結性の向上によってより緻密質で、耐食性が改善された耐食性材料部材を歩留まりよく得られる。
【0017】
上記本発明において、抵抗発熱体を埋め込み・内蔵するセラミックス系焼結体は、一般的に、次のような手段で得られる。たとえば窒化アルミニウム系焼結体は、平均粒径0.01〜5μm程度の窒化アルミニウム粉末に、焼結助剤およびバインダーを添加・混合して得たスラリーから造粒し、これを所要の形状寸法の成形体に成形し、有機成分を熱脱脂処理後、1800℃以上の高温不活性雰囲気中で焼結することにより作製される。
【0018】
ここで、焼結助剤としては、酸化イットリウムなどが例示され、また、バインダーとしては、ポリビニルブチラールなどが例示される。なお、高温焼結に先立って、成形体の一主面に、抵抗発熱体の配置・埋め込み用の溝などを予め設けておくことが望ましい。
【0019】
また、窒化アルミニウム系基材に対する抵抗発熱体の埋め込みは、組み合わせる窒化アルミニウム系部材の対向面間に、抵抗発熱素子を位置決め配置する一方、前記窒化アルミニウム系部材の対向する面に、たとえば窒化アルミニウム−酸化イットリウム−酸化リチウム系ペーストなどの接合剤を印刷や塗布して接合層を設け、不活性雰囲気中もしくは減圧雰囲気下で、1550〜1750℃程度の温度で加熱することにより行われる。なお、セラミックス基材の外周縁部に嵌合的に装着する耐食性部材の製作も、上記セラミックス基材の製作手段に準じた操作で行える。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図1を参照して実施例を説明する。
【0021】
図1は、第1の実施例に係る面状セラミックスヒーターの要部構成を拡大して示す断面図である。図1において、1は径230mm、厚さ10mmの窒化アルミニウム系基材で、一主面が放熱・発熱面を成す窒化アルミニウム系基材層1aと、電力供給端子3を他主面側に導出する窒化アルミニウム系基材層1bとの接合剤層(図示省略)を介したホットプレスで、接合・一体に構成されている。また、2は径0.4mmのタングステン線を素材とした抵抗発熱体で、前記窒化アルミニウム系基材層1a、1b間に埋め込まれており、その被接続端子部に対応する電力供給端子3が接続している。なお、セラミックスヒーター表面は、研削加工してある。
【0022】
さらに、4は前記窒化アルミニウム系基材1の放熱面側5の周縁部及び側面を嵌合的に被覆する断面逆L字形のリング状耐食性部材である。ここで、リング状耐食性部材4は、たとえばイットリウムアルミニウムガーネット系製で、円筒部の内径232mm、リング状の内径210mm、約厚さ1mm程度に設定されている。
【0023】
つまり、この面状セラミックスヒーターの構成においては、たとえばSiウェハーなどの被加工体を載置する面側5の周縁部及び側面に、断面逆L字形のリング状耐食性部材4を嵌合的に装着した構成と成っている。さらに言及すると、面状セラミックスヒーターの放熱面側5に被加工体を載置し、腐食性ガスによってエッチング加工を行うとき、面状セラミックスヒーターの腐食性ガスに曝される領域の腐食を防止・低減するため、断面逆L字形のリング状耐食性部材4で対応する部分を選択的に被覆した構成を採っている。
【0024】
次に、上記構成の面状セラミックスヒーターを、半導体製造用装置の成膜処理室内に位置決め装着し、この面状セラミックスヒーターの放熱面(被加工体載置面)5に、径8インチの窒化アルミニウム製のダミーウェハーをセットした。その後、面状セラミックスヒーターに電力を供給して、処理室内温度を500℃に保持設定する一方、NF3ガスをプラズマ化したラジカルエッチング処理を10時間行った。
【0025】
このエッチング処理後、ダミーウェハー及びリング状耐食性部材4を取り除き、面状セラミックスヒーターの周縁部(リング状耐食性部材4の被嵌合部)の表面粗さを測定した。ここで、表面粗さの測定は、ダイヤモンドカンチレバーの接触式であり、5箇所について行い、エッチング処理前後の表面粗さの変化を比較した結果を表に示す。なお、セラミックスヒーター(セラミックス基材1)表面は、当初、研削加工したものである。
【0026】
【表1】
【0027】
上記第1の実施例において、リング状耐食性部材4をY2O3製とした他は、同一条件として面状セラミックスヒーター(第2の実施例)を作成した。そして、この面状セラミックスヒーターについて、第1の実施例の場合と同一条件でエッチング処理試験を行って、エッチング処理前後での表面粗さを測定し、その変化を比較した結果を表に併せて示す。
【0028】
また、上記第1の実施例において、リング状耐食性部材4を嵌合・配置しなかった他は、同一条件として面状セラミックスヒーター(比較例…図2参照)を作成した。この面状セラミックスヒーターについて、第1の実施例の場合と同一条件でエッチング処理試験を行って、エッチング処理前後での表面粗さを測定し、その変化を比較した結果を表に併せて示す。
【0029】
上記面状セラミックスヒーターの実装動作において、実施例に係る面状セラミックスヒーターの場合は、比較例の面状セラミックスヒーターに較べ、腐食性ガスに曝される前後において、その腐食性ガス曝露による表面粗さ状態の変化が極めて少なく、プラズマ性ガスなどによる腐食が効果的に防止・抑制されている。つまり、腐食製ガスに曝露される使用状態において、その曝露面に耐食性部材4が嵌合・配置されているため、腐食製ガスによる腐食・損傷が抑えられ、パーティクルの発生も抑止されので、被加工体の汚染などの現象も回避される。また、耐食性部材4は、セラミックス基材(ヒーター本体)1に対して嵌合的配置で、熱サイクルによる剥離現象の発生もないため、耐久・耐食性が優れ、かつ安定した放熱・発熱を容易に確保できる。
【0030】
本発明は、上記実施例に限定されるものでなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形を採ることができる。たとえば、抵抗発熱体の形状・材質、入力電力端子の材質、あるいはセラミックス系基材の材質、形状・寸法など用途に応じて選択・設定できる。その他、静電チャックや電極内蔵形のサセプターなどの構成にも適用できる。
【0031】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体ウェハーなどの成膜加工を腐食性ガスのエッチング作用で行う際の加熱維持において、腐食性ガスに曝される放熱面周縁部及び側面が、耐食性に優れたリング状部材の嵌合で被覆されている。したがって、腐食によるセラミックスヒーターの損傷・パーティクル発生などが解消されので、信頼性の高い半導体の製作加工に適する耐久性の優れた面状セラミックスヒーターを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例に係る面状セラミックスヒーターの要部構成を示す断面図。
【図2】従来の面状セラミックスヒーターの要部構成を示す断面図。
【符号の説明】
1……セラミックス基材
1a,1b……セラミックス基材層
2……抵抗発熱体
3……電力供給端子
4……リング状耐食性部材
5……放熱面側
【発明の属する技術分野】
本発明は、面状セラミックスヒーターに係り、さらに詳しくは耐食性の優れた面状セラミックスヒーターに関する。
【0002】
たとえば半導体の製造に当たっては、半導体ウェハーに対するPVD、プラズマCVD、プラズマエッチング、光エッチングなどの成膜加工処理が施される。また、これらの加工処理は、一般的に、面状セラミックスヒーター(発熱体)面上に被加工体を配置し、被加工体に加熱を施しながら行われる。すなわち、ClF3などのノンプラズマクリーニングガスや、NF3ガスなどをプラズマ励起させたハロゲン系をエッチング剤とし、不要領域の膜を選択的に除去する工程が採られている。そして、高性能ないし高信頼性を有する半導体を歩留まりよく、しかも量産的に得るためには、加熱処理が一つの重要なファクターとなる。
【0003】
図2は、従来この種の加工処理に使用されている面状セラミックスヒーターの構成例を断面的に示したもので、緻密でガスタイトなセラミックス焼結体(セラミックス基材)1の内部に、タングステン線やモリブデン線などの抵抗発熱線(もしくはコイル)2を、たとえば螺旋状やジグザグ状に埋設したものである。そして、抵抗発熱体2に対する電力供給端子(たとえばタングステン、モリブデン、ニッケル製)3をセラミックス基材1外に導出させた構造を採っている。なお、セラミックス基材1は、たとえばアルミナ系やシリカ系、窒化アルミニウム系、窒化ケイ素系、あるいはサイアロンなどが挙げられるが、特に、窒化アルミニウム系が熱伝導性や耐食性などの点で注目されている。
【0004】
そして、この種の面状セラミックヒーターは、一般的に、次のような手段で製造されている。第1の手段は、セラミックベース用基材(グリーンシート)の一主面に、前記抵抗発熱線で形成した抵抗発熱体を配置し、その抵抗発熱体面にヒーターカバーシートを積層する一方、電力供給端子をカバーシートに貫挿・組み込んだ後、所定の条件での脱脂、及び所要温度でのホットプレス処理などを施して焼結・一体化させて製作する方法である。
【0005】
第2の手段は、予め、放熱・発熱面を成す板状のセラミック基材、及びヒーターカバーを成す板状のセラミック基材をそれぞれ作製し、このセラミック基材面間に、前記抵抗発熱線で形成した抵抗発熱体を配置する一方、接合剤層を介挿して接合一体化させて製作する方法である。ここで、ヒーターカバーを成す板状のセラミック基材には、抵抗発熱体の被接続部に対応させた孔が穿設されており、この穿設孔に電力供給端子を装着し、かつ導電性ペーストを充填して電気的な接続を行っている。なお、第1及び第2のいずれの手段においても、抵抗発熱体の形成は、抵抗発熱体用のペーストのスクリーン印刷、タングステン板のレーザー加工やパンチ型打ち抜き加工などでも行われる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体の製造工程における加熱処理では、加工稼働率や低コスト化などの点から、熱源として使用する面状セラミックスヒーターの耐久性及び良好な歩留まりの確保が前提となる。つまり、面状セラミックスヒーターにおいては、安定した放熱・発熱容量の維持、及び面内温度分布の一様性、長寿命などが要求される。しかし、従来の面状セラミックスヒーターは、成膜加工で使用されるハロゲン系ガスによって、面状セラミックスヒーターの腐食・劣化が起こり易く、耐久性及び安定した放熱・発熱などの点で問題がある。
【0007】
すなわち、上記面状セラミックスヒーターは、半導体ウェハーを載置・処理するために雰囲気を適宜調整できる処理室内に装着配置し、ハロゲン系ガス雰囲気下で半導体ウェハーに成膜加工を施した場合、ハロゲン系ガスに曝露する載置面の外周縁部及び側面が同時に腐食作用を受け易い状況にある。特に、配線パターンの微細化、半導体ウェハーの大形化などに伴う成膜温度の高温化、プラズマの高密度化が進められている現状では、腐食作用を受け易さので、由々しい問題の提起と言える。つまり、成膜温度の高温化やプラズマの高密度化は、セラミックス基材1の腐食速度を増大させる一方、パーティクルの発生増大となって、加工製品の品質低下を招来する。また、極端な場合は、セラミックスヒーターの抵抗発熱体2の露出を招来し、被加工体である半導体ウェハーとの間でスパークを発生して、半導体ウェハーの破壊などを引き起こし、製造歩留まりの低下となる恐れもある。
【0008】
上記耐食性の改善策として、セラミックスヒーターの表面をMgFなどの耐食性材料膜で被覆する手段が知られている。すなわち、セラミックスヒーター表面に、厚さ数μm〜10数μm程度の耐食性材料膜をコーティング形成し、ハロゲン系プラズマなどによる腐食を防止し(耐食性向上)、結果的に、パーティクル発生などの不具合の解消・低減を図る試みもなされている。しかし、この耐食性材のコーティング手段は、セラミックスヒーターの昇降温に伴うサーマルショックによって、耐食性材料膜がセラミックス基材から剥離し易く、耐食性材料膜自体がパーティクルの発生源になる場合がある。
【0009】
上記面状セラミックスヒーターの不具合は、セラミックスヒーターの清浄化処理・交換装着など保守操作を要するので、結果的に、加工処理装置の稼動停止を招来し、生産性などを損なうことになるので、製造コストの観点からも有効な解決策が期待される。つまり、信頼性の高い半導体ウェハーの生産性や歩留まり向上の観点から、使用する面状セラミックスヒーターについて、耐久的、かつ安定的な放熱・加熱機能などに対する有効な改善策が待たれている。
【0010】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ハロゲン系腐食性ガスやハロゲン系プラズマ活性種に対する耐食性に優れ、かつパッティクル発生が抑制され、常時、安定した発熱・放熱が得られる耐久性の優れた面状セラミックスヒーターの提供を目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、一主面が放熱・発熱面をなす面状のセラミックス基材と、前記セラミックス基材に埋め込み・配置された抵抗発熱体と、前記抵抗発熱体に一端が接続し他端側がセラミックス基材の他主面側に導出された電力供給端子と、前記セラミックス基材の一主面周縁部及び側面を嵌合的に被覆する耐食性材料部材とを有することを特徴とする面状セラミックスヒーターである。
【0012】
上記第1の本発明の面状セラミックスヒーターにおいて、耐食性材料部材がイットリウムを含む酸化物であることが好ましい。
さらに本発明の面状セラミックスヒーターにおいて、耐食性材料部材のセラミック基材に対する対接面が鏡面的に加工されていることが好ましい。
【0013】
上記本発明は、面状のセラミックス基材に抵抗発熱体が埋め込み・配置され、この抵抗発熱体に一端が接続する電力供給端子の他端側をセラミックス基材外に導出させた面状セラミックスヒーターの構成において、被加工体を載置する面の周縁部及び側面を、高耐食性材料を素材とした断面逆L字形のリング状部材の嵌合的な装着で被覆した構成を採ったことを骨子とする。すなわち、ハロゲン系ガスなどの腐食性ガスに曝され、かつ腐食性ガスによって腐食され易い面状のセラミックス基材の放熱面周縁部、及びセラミックス基材の外周側面を、選択的に、高耐食性材料製のリング状部材で嵌合的に被覆し、腐食性ガスによる腐食を防止・抑制して、パーティクルの発生などを解消する一方、安定した発熱・放熱性の確保ないし耐久性の付与を図ったものである。
【0014】
また上記本発明において、面状のセラミックス基材は、たとえばアルミナ系やシリカ系、窒化アルミニウム系、窒化ケイ素系、あるいはサイアロンなどが挙げられるが、特に、窒化アルミニウム系が昇降温速度を左右する耐熱衝撃性、熱伝導性、耐食性などの点で好ましい。また、セラミックス基材中に埋設・配置される抵抗発熱体は、たとえばタングステン線、モリブデン線、ニクロム線などの抵抗発熱線(もしくはコイル)を、螺旋状やジグザグ状に形成したものである。さらに、セラミックス基材外に導出させた構造を採る電力供給端子は、たとえばタングステン、モリブデン、ニッケル、インコネル、コバール、スーパーインバーなどを素材としたものである。
【0015】
さらに上記本発明において、面状のセラミックス基材の放熱面(一主面)周縁部及び外側面(外周面)を嵌合的に被覆する耐食性材料部材は、たとえば断面逆L字形のリング状に構成されている。つまり、耐食性材料部材は、被加工体を載置(セット)したとき、その載置面の周縁露出部及び外側面を被覆できる嵌合形の断面逆L字形リング状である。ここで、断面逆L字形のリング状部材(耐食性材料部材)は、取扱操作上の機械的な強度など考慮すると、たとえば肉厚1〜5mm程度でよい。また、面状のセラミックス基材面に対して摺動的、かつ嵌合・装着されるように、対接する面をたとえば鏡面仕上げなどしておくことが望ましい。
【0016】
ここで、耐食性材料部材は、たとえばZrO2,Y2O3を主とした希土類酸化物類,イットリウムアルミニウムガーネットなど、ハロゲン系ガスやハロゲン系プラズマなどに優れた耐腐食性を有する材料である。特に、Y2O3、イットリウムアルミニウムガーネットは、より優れた耐食性を呈すること、熱膨張率がセラミックスヒーター基材に近似することなどから好ましい。なお、これらの場合、他の希土類酸化物類を少量添加配合しておくと、焼結性の向上によってより緻密質で、耐食性が改善された耐食性材料部材を歩留まりよく得られる。
【0017】
上記本発明において、抵抗発熱体を埋め込み・内蔵するセラミックス系焼結体は、一般的に、次のような手段で得られる。たとえば窒化アルミニウム系焼結体は、平均粒径0.01〜5μm程度の窒化アルミニウム粉末に、焼結助剤およびバインダーを添加・混合して得たスラリーから造粒し、これを所要の形状寸法の成形体に成形し、有機成分を熱脱脂処理後、1800℃以上の高温不活性雰囲気中で焼結することにより作製される。
【0018】
ここで、焼結助剤としては、酸化イットリウムなどが例示され、また、バインダーとしては、ポリビニルブチラールなどが例示される。なお、高温焼結に先立って、成形体の一主面に、抵抗発熱体の配置・埋め込み用の溝などを予め設けておくことが望ましい。
【0019】
また、窒化アルミニウム系基材に対する抵抗発熱体の埋め込みは、組み合わせる窒化アルミニウム系部材の対向面間に、抵抗発熱素子を位置決め配置する一方、前記窒化アルミニウム系部材の対向する面に、たとえば窒化アルミニウム−酸化イットリウム−酸化リチウム系ペーストなどの接合剤を印刷や塗布して接合層を設け、不活性雰囲気中もしくは減圧雰囲気下で、1550〜1750℃程度の温度で加熱することにより行われる。なお、セラミックス基材の外周縁部に嵌合的に装着する耐食性部材の製作も、上記セラミックス基材の製作手段に準じた操作で行える。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、図1を参照して実施例を説明する。
【0021】
図1は、第1の実施例に係る面状セラミックスヒーターの要部構成を拡大して示す断面図である。図1において、1は径230mm、厚さ10mmの窒化アルミニウム系基材で、一主面が放熱・発熱面を成す窒化アルミニウム系基材層1aと、電力供給端子3を他主面側に導出する窒化アルミニウム系基材層1bとの接合剤層(図示省略)を介したホットプレスで、接合・一体に構成されている。また、2は径0.4mmのタングステン線を素材とした抵抗発熱体で、前記窒化アルミニウム系基材層1a、1b間に埋め込まれており、その被接続端子部に対応する電力供給端子3が接続している。なお、セラミックスヒーター表面は、研削加工してある。
【0022】
さらに、4は前記窒化アルミニウム系基材1の放熱面側5の周縁部及び側面を嵌合的に被覆する断面逆L字形のリング状耐食性部材である。ここで、リング状耐食性部材4は、たとえばイットリウムアルミニウムガーネット系製で、円筒部の内径232mm、リング状の内径210mm、約厚さ1mm程度に設定されている。
【0023】
つまり、この面状セラミックスヒーターの構成においては、たとえばSiウェハーなどの被加工体を載置する面側5の周縁部及び側面に、断面逆L字形のリング状耐食性部材4を嵌合的に装着した構成と成っている。さらに言及すると、面状セラミックスヒーターの放熱面側5に被加工体を載置し、腐食性ガスによってエッチング加工を行うとき、面状セラミックスヒーターの腐食性ガスに曝される領域の腐食を防止・低減するため、断面逆L字形のリング状耐食性部材4で対応する部分を選択的に被覆した構成を採っている。
【0024】
次に、上記構成の面状セラミックスヒーターを、半導体製造用装置の成膜処理室内に位置決め装着し、この面状セラミックスヒーターの放熱面(被加工体載置面)5に、径8インチの窒化アルミニウム製のダミーウェハーをセットした。その後、面状セラミックスヒーターに電力を供給して、処理室内温度を500℃に保持設定する一方、NF3ガスをプラズマ化したラジカルエッチング処理を10時間行った。
【0025】
このエッチング処理後、ダミーウェハー及びリング状耐食性部材4を取り除き、面状セラミックスヒーターの周縁部(リング状耐食性部材4の被嵌合部)の表面粗さを測定した。ここで、表面粗さの測定は、ダイヤモンドカンチレバーの接触式であり、5箇所について行い、エッチング処理前後の表面粗さの変化を比較した結果を表に示す。なお、セラミックスヒーター(セラミックス基材1)表面は、当初、研削加工したものである。
【0026】
【表1】
【0027】
上記第1の実施例において、リング状耐食性部材4をY2O3製とした他は、同一条件として面状セラミックスヒーター(第2の実施例)を作成した。そして、この面状セラミックスヒーターについて、第1の実施例の場合と同一条件でエッチング処理試験を行って、エッチング処理前後での表面粗さを測定し、その変化を比較した結果を表に併せて示す。
【0028】
また、上記第1の実施例において、リング状耐食性部材4を嵌合・配置しなかった他は、同一条件として面状セラミックスヒーター(比較例…図2参照)を作成した。この面状セラミックスヒーターについて、第1の実施例の場合と同一条件でエッチング処理試験を行って、エッチング処理前後での表面粗さを測定し、その変化を比較した結果を表に併せて示す。
【0029】
上記面状セラミックスヒーターの実装動作において、実施例に係る面状セラミックスヒーターの場合は、比較例の面状セラミックスヒーターに較べ、腐食性ガスに曝される前後において、その腐食性ガス曝露による表面粗さ状態の変化が極めて少なく、プラズマ性ガスなどによる腐食が効果的に防止・抑制されている。つまり、腐食製ガスに曝露される使用状態において、その曝露面に耐食性部材4が嵌合・配置されているため、腐食製ガスによる腐食・損傷が抑えられ、パーティクルの発生も抑止されので、被加工体の汚染などの現象も回避される。また、耐食性部材4は、セラミックス基材(ヒーター本体)1に対して嵌合的配置で、熱サイクルによる剥離現象の発生もないため、耐久・耐食性が優れ、かつ安定した放熱・発熱を容易に確保できる。
【0030】
本発明は、上記実施例に限定されるものでなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形を採ることができる。たとえば、抵抗発熱体の形状・材質、入力電力端子の材質、あるいはセラミックス系基材の材質、形状・寸法など用途に応じて選択・設定できる。その他、静電チャックや電極内蔵形のサセプターなどの構成にも適用できる。
【0031】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体ウェハーなどの成膜加工を腐食性ガスのエッチング作用で行う際の加熱維持において、腐食性ガスに曝される放熱面周縁部及び側面が、耐食性に優れたリング状部材の嵌合で被覆されている。したがって、腐食によるセラミックスヒーターの損傷・パーティクル発生などが解消されので、信頼性の高い半導体の製作加工に適する耐久性の優れた面状セラミックスヒーターを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例に係る面状セラミックスヒーターの要部構成を示す断面図。
【図2】従来の面状セラミックスヒーターの要部構成を示す断面図。
【符号の説明】
1……セラミックス基材
1a,1b……セラミックス基材層
2……抵抗発熱体
3……電力供給端子
4……リング状耐食性部材
5……放熱面側
Claims (3)
- 一主面が放熱・発熱面をなす面状のセラミックス基材と、前記セラミックス基材に埋め込み・配置された抵抗発熱体と、前記抵抗発熱体に一端が接続し他端側がセラミックス基材の他主面側に導出された電力供給端子と、前記セラミックス基材の一主面周縁部及び側面を嵌合的に被覆する耐食性材料部材とを有することを特徴とする面状セラミックスヒーター。
- 耐食性材料部材がイットリウムを含む酸化物製であることを特徴とする請求項1記載の面状セラミックスヒーター。
- 耐食性材料部材のセラミックス基材に対する対接面が鏡面的に加工されていることを特徴とする請求項1もしくは請求項2記載の面状セラミックスヒーター。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002244308A JP2004087206A (ja) | 2002-08-23 | 2002-08-23 | 面状セラミックスヒーター |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002244308A JP2004087206A (ja) | 2002-08-23 | 2002-08-23 | 面状セラミックスヒーター |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004087206A true JP2004087206A (ja) | 2004-03-18 |
Family
ID=32052825
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002244308A Pending JP2004087206A (ja) | 2002-08-23 | 2002-08-23 | 面状セラミックスヒーター |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004087206A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101371004B1 (ko) * | 2006-04-13 | 2014-03-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 가열소자 |
-
2002
- 2002-08-23 JP JP2002244308A patent/JP2004087206A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101371004B1 (ko) * | 2006-04-13 | 2014-03-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 가열소자 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2326575C (en) | Wafer holder for semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing apparatus using the same | |
JP4744855B2 (ja) | 静電チャック | |
KR100420456B1 (ko) | 반도체 제조 장치용 웨이퍼 지지체와 그 제조 방법 및반도체 제조 장치 | |
JP5174582B2 (ja) | 接合構造体 | |
JP2002313781A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2002313899A (ja) | 基板保持構造体および基板処理装置 | |
JP2006005095A (ja) | 基板加熱装置とその製造方法 | |
JP3145664B2 (ja) | ウエハ加熱装置 | |
EP1484787A1 (en) | Holder for semiconductor production system | |
JP2005235672A (ja) | ヒータユニット及びそれを搭載した装置 | |
JP2005109169A (ja) | 基板加熱装置とその製造方法 | |
JPH11339939A (ja) | セラミックヒータ | |
US7414823B2 (en) | Holder for use in semiconductor or liquid-crystal manufacturing device and semiconductor or liquid-crystal manufacturing device in which the holder is installed | |
JP2004071647A (ja) | 複合ヒータ | |
JP3767719B2 (ja) | 静電吸着装置 | |
JP2003086519A (ja) | 被処理物保持体およびその製造方法ならびに処理装置 | |
JP3426845B2 (ja) | 静電チャック | |
JP2005032842A (ja) | 電極構造およびセラミック接合体 | |
JP2004128232A (ja) | セラミックス接合体、ウエハ保持体及び半導体製造装置 | |
JP2004087206A (ja) | 面状セラミックスヒーター | |
JP4439102B2 (ja) | 静電チャック | |
JP2001077185A (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
JP3568194B2 (ja) | 半導体熱処理用セラミックヒーター | |
JP3821075B2 (ja) | セラミックスヒータ及びその製造方法 | |
JP2007142456A (ja) | 静電チャック |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD15 | Notification of revocation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7435 Effective date: 20040630 |
|
RD14 | Notification of resignation of power of sub attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7434 Effective date: 20050804 |