JP3791432B2

JP3791432B2 - 半導体製造用加熱装置

Info

Publication number: JP3791432B2
Application number: JP2002050628A
Authority: JP
Inventors: 啓柊平; 益宏夏原; 博彦仲田
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 2002-02-27
Filing date: 2002-02-27
Publication date: 2006-06-28
Anticipated expiration: 2022-02-27
Also published as: JP2003257809A; WO2003073483A1; CN100339951C; CN1579007A; TW200305227A; EP1480259A1; US20040238520A1; KR20040083052A; US7999210B2; KR100877042B1; TWI248135B

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造用加熱装置に関するものであり、特に均熱性が要求されるコータディベロッパの加熱装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
半導体製造において、シリコンウエハ上のＡｌ回路やＣｕ回路はＡｌスパッタやＣｕメッキ等によって形成するが、近年の半導体素子の高集積化や小型化に伴って配線幅及び配線間幅（間隔）は年々細くなってきている。
【０００３】
Ａｌ回路やＣｕ回路の配線パターンはフォトリングラフィー技術により形成される。例えばＡｌ膜上に樹脂を均一に塗布した後、ステッパと呼ばれる露光装置で樹脂膜にパターンが刷り込まれ、樹脂膜を加熱硬化させて不要部分を除去することにより、配線用のＡｌ膜上に抜きパターンの樹脂膜を形成する。その後、エッチング装置で抜きパターン部分に沿ってＡｌ膜をエッチングし、樹脂膜を除去することでパターン化されたＡｌ配線が得られる。
【０００４】
また、配線同士が近づくと配線間の信号の相互作用が生じるため、配線間や積層した層間は低誘電率の絶縁材料で埋めることにより、配線間の相互作用を無くすことが必要である。従来このための絶縁材料として酸化ケイ素が用いられていたが、更に誘電率の低い絶縁膜としてＬｏｗ−ｋと呼ばれる材料が用いられるようになってきた。Ｌｏｗ−ｋの絶縁膜は、その材料を溶いてスラリー状にし、これをスピンコートして均一膜を形成し、上記と同様にフォトリングラフィー技術によりパターン形成した後、ヒータで加熱焼成して固化させる方法によって形成されている。
【０００５】
上記のようなフォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化や、Ｌｏｗ−ｋ膜のような低誘電率の絶縁膜の加熱焼成は、コータディベロッパと呼ばれる装置において行われるが、そのヒータとして例えば抵抗発熱体であるＳＵＳ箔を石英板でサンドイッチしたヒータが使用されていた。しかし、このヒータは均熱性や耐久性に問題があるため、均熱性に優れ且つ耐久性の高いヒータを備えた加熱装置の提供が望まれていた。
【０００６】
一方、各種薄膜の形成に用いるＣＶＤ装置においては、高熱伝導率で高耐食性のＡｌＮやＳｉ_３Ｎ_４中にＭｏコイルをホットプレス焼結にて埋設したセラミックス製ヒータが使用されている。このセラミックス製ヒータは、そのウエハ保持面の裏側に筒状のセラミックス製支持部材の一端を接合し、他端をチャンバ−にＯ−リング封止して支持される。耐腐食性の低い電極端子や電極供給用の引出線は、チャンバー内で用いる腐食性ガスに曝されないように、筒状の支持部材の内側に収納される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
近年、半導体製造におけるコスト低減のためＳｉウエハの大型化が進められており、８インチから１２インチへと移行している。そのため、フォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化や、Ｌｏｗ−ｋのような低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いるコータディベロッパにおいて、ヒータの均熱性に対する要求が高まってきている。具体的には、ヒータのウエハ保持面における均熱性は±１.０％以内、望ましくは±０.５％以内とすることが要求されている。
【０００８】
一般的には、熱伝導率の高いセラミックス中に抵抗発熱体を埋設したヒータを用いることで、抵抗発熱体で発生した熱がセラミックス内で拡散し、ウエハ保持面において均熱性が確保できる。更に、セラミックスに耐熱性の高い材料を用いることにより、耐久性の優れたヒータが得られる。
【０００９】
例えば、ＣＶＤ装置に用いられているＡｌＮ製のセラミックスヒータと同様の構成とする場合、ウエハ保持面の裏側面中央に筒状のＡｌＮ製支持部材の一端を接合し、他端をチャンバーに接合することによって支持すると共に、電極端子や電力供給用の引出線は筒状のＡｌＮ支持部材の内側に収納する。
【００１０】
しかしながら、セラミックスヒータを支持する筒状の支持部材は、その両端が気密封止され、内部がチャンバー内と隔離されるため、外周側は減圧のチャンバー内雰囲気に曝され、内周側は大気圧の空気雰囲気に曝されることになる。この場合、大気圧の空気の方が気体を介した熱伝導が大きいため、支持部材の内周部の方が外周部よりも温度が低くなり、その影響がウエハ保持面にも現れる結果、要求されている±１.０％以内の均熱性を達成することは困難であった。
【００１１】
また、筒状の支持部材の内部をチャンバーと完全に隔離して気密シールするように接合した場合、セラミックスヒータと支持部材の熱膨張率が異なると冷却過程で熱収縮率の違いにより熱応力が発生し、脆性材料であるセラミックスに割れが発生しやすい。これを防ぐにためは、支持部材をセラミックスヒータと同じ高熱伝導率の材料で作製する必要があるが、その場合にはセラミックスヒータで発生した熱は支持部材を介して逃げやすくなり、セラミックスヒータの温度が接合部分で大きく下がるため、均一性を維持することが困難であった。
【００１２】
本発明は、このような従来の事情に鑑み、ウエハなどの被処理物を均一に加熱することができる半導体製造用加熱装置、特にコータディベロッパにおけるフォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化や低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いられ、被処理物保持表面で±１.０％以内の均熱性が得られる加熱装置を提供することを目的とし、望むらくは±０.５％以内の均熱性が得られる加熱装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明が提供する半導体製造用加熱装置は、内部に抵抗発熱体が埋設され、被処理物を表面上に保持して加熱する板状のセラミックス製保持体と、セラミックス製保持体をその被処理物保持表面以外で支える筒状の支持部材と、セラミックス製保持体及び支持部材を収容するチャンバーとを備え、筒状の支持部材内に形成された空間の雰囲気がチャンバー内の雰囲気と実質的に同じに維持されていることを特徴とする。
【００１４】
上記本発明の半導体製造用加熱装置においては、前記支持部材がセラミックス製保持体に対して気密封止されていないことを特徴とする。また、前記支持部材がセラミックス製保持体に接して支持する面積が、セラミックス製保持体の総面積の１／５以下であることを特徴とする。更に、前記支持部材が、側面に複数の開孔を有する筒状、若しくは骨組み状であることを特徴とする。更にまた、前記支持部材の熱伝導率が、セラミックス製保持体の熱伝導率よりも低いことを特徴とする。
【００１５】
上記本発明の半導体製造用加熱装置において、前記支持部材がＡｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、石英、ムライト、フォルステライト、スピネルの少なくとも１種を主成分とすることを特徴とする。また、前記支持部材がステンレス若しくはニクロム、又はＴｉ、Ｖ、Ｚｒの少なくとも１種を主成分とすることを特徴とする。更に、前記支持部材はステンレスからなることが好ましい。
【００１６】
また、本発明においては、上記半導体製造用加熱装置が、フォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化、又は低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いられるコータディベロッパの加熱装置であることを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体製造装置用の加熱装置においては、ウエハなどの被処理物を加熱するため内部に抵抗発熱体が埋設したセラミックス製保持体を用い、その被処理物保持表面以外で、例えば裏面で支持部材によりチャンバー内に支持する。そのうえで、支持部材の外周側も内周側も実質的に同じガス種、同じガス圧力の雰囲気とすることにより、セラミックス製保持体から支持部材の外周側と内周側の気体を介した熱伝導による熱の逃げが等しくなるので、セラミックス製保持体の被処理物保持表面における均熱性を向上させることができる。
【００１８】
しかも、半導体製造におけるコータディベロッパ用の加熱装置は、フォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化や低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いるものであるから、ハロゲン元素を含む腐食性ガスを用いるＣＶＤ装置やエッチング装置とは異なり、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ_２、Ｈ_２等を雰囲気として用いるため、電極や電力供給用引出線を収納した支持部材の内部をチャンバー内と同じ雰囲気にしても、ＷやＭｏ等を主成分とする電極や電力供給用引出線が腐食されることがない。
【００１９】
筒状の支持部材内に形成された空間の雰囲気をチャンバー内の雰囲気と実質的に同じに維持するには、支持部材とセラミックス製保持体とを気密シール接合せず、両者の隙間を通して支持部材内部とチャンバー内部の雰囲気が流通するように構成すれば良い。また、支持部材とセラミックス製保持体とを気密シール接合する場合には、支持部材内部とチャンバー内部との間でガス導入−排気を調整して、同じ雰囲気にすることも可能である。コスト面からは、気密シールせず且つ位置ずれ防止だけ施して、セラミックス製保持体を支持部材上に載置する前者の方法が好ましい。
【００２０】
また、支持部材とセラミックス製保持体を気密シール接合すると、その接合面を介した熱伝達により熱が支持部材側に逃げていくため、セラミックス製保持体に温度勾配が生じ、被処理物保持表面の均熱性が低下する。これに対して、支持部材とセラミックス製保持体を気密シール接合しない構成とすれば、支持部材を通じた熱伝達を抑制することができるため、被処理物保持表面における温度低下が少なくなり、均熱性を一層向上させることができる。
【００２１】
セラミックス製保持体から支持部材への熱の伝わりを更に効果的に抑えるためには、支持部材がセラミックス製保持体に接して支持する面積を、セラミックス製保持体の総面積の１／５以下とすることが好ましい。加えて、支持部材の形状を、側面に複数の開孔を有する筒状、若しくは骨組み状とすれば、支持部材における熱の伝達が阻害されてセラミックス製保持体における均熱性が向上する。しかも、チャンバー内を真空引きした際に支持部材の内部と外部の圧力差を生じず、支持部材やセラミックス製保持体に損傷を与えることがないので好ましい。
【００２２】
支持部材を介した熱の逃げを更に小さくするためには、支持部材を構成する材料の熱伝導率を、セラミックス製保持体を構成するセラミックスの熱伝導率よりも小さくすることが有効である。支持部材を構成する材料としては、支持部材をセラミックス製保持体に接合する場合には両者の熱膨張率の同一又は近似した材料が望ましいが、接合しない場合には熱膨張率に関する制約はなく、製品に悪影響を及ぼさない材料で且つ使用温度に耐える材料なら何でも良い。
【００２３】
支持部材を構成する材料の具体例としては、熱伝導率が低く且つ耐久性に優れた材料として、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、石英、ムライト、フォルステライト、スピネルのいずれかを主成分とする材料がある。また、熱伝導率が低く且つ靭性や材料コストの観点から好ましい材料として、ステンレス、ニクロム、あるいはＴｉ、Ｖ、Ｚｒのいずれかを主成分とする材料がある。これらの中では、熱伝導率が低く、靭性や材料コスト、及び加工性を考慮すると、ステンレスが最も好ましい。
【００２４】
尚、セラミックス製保持体を構成するセラミックスは、耐熱性、熱伝導率、耐久性等の点から、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム、石英等が好ましいが、特に制約は無い。また、抵抗発熱体としては、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＳＵＳ等、セラミックス製保持体中に埋設でき、耐熱性と適度な抵抗値を有する材料なら何でも良い。
【００２５】
このような本発明による半導体製造用加熱装置は、フォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化、又はＬｏｗ−ｋ膜のような低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いられるコータディベロッパの加熱装置として特に好適である。
【００２６】
【実施例】
実施例１
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末に、焼結助剤として０.５重量％のイットリア（Ｙ_２Ｏ_３）を加え、更に有機バインダーを添加して分散混合した後、スプレードライにより造粒した。この造粒粉末を、焼結後に直径３５０ｍｍ×厚さ５ｍｍとなる寸法に一軸プレスにより２枚成形した後、温度８００℃の窒素気流中で脱脂し、窒素気流中にて温度１９００℃で２時間燒結した。得られた２枚の焼結体の表面を、ダイヤモンド砥粒を用いて研磨した。
【００２７】
片方の焼結体上に、Ｗ粉末に焼結助剤とエチルセルロース系のバインダーを添加混錬したＷスラリーを用いて抵抗発熱体回路を印刷し、９００℃の窒素気流中で脱脂した後、１８５０℃で１時間加熱して焼き付けた。残りの焼結体上には、接合用のガラスにエチルセルロース系のバインダーを添加混錬したスラリーを塗布し、９００℃の窒素気流中で脱脂した。
【００２８】
この焼結体の接合用ガラス面と片方の焼結体の抵抗発熱体面とを重ね合わせ、ずれ防止のため５０ｇ／ｃｍ^２の荷重を掛けた状態で、１８００℃で２時間加熱して接合することにより、図１に示すように、内部に抵抗発熱体２が埋設されたセラミックス製保持体１を作製した。
【００２９】
このセラミックス製保持体１の裏面に、抵抗発熱体２に接続される電極端子（図示せず）を接合し、更に系外の電源に電気的に接続される電力供給用引出線３を接合した。尚、セラミックス製保持体１を構成するＡｌＮの熱伝導率は、１８０Ｗ／ｍＫであった。
【００３０】
更に、外径１００ｍｍ、内径９０ｍｍ、長さ１００ｍｍの熱伝導率８０Ｗ／ｍＫのＳＵＳ製パイプからなり、両端にフランジを設けた円筒状の支持部材４を作製した。この円筒状の支持部材４の一端側に設けたフランジをチャンバー５にクランプ固定し、他端側のフランジ上にセラミックス製保持体１を接合することなく載置した。
【００３１】
支持部材４がセラミックス製保持体１に接して支持する面積Ｓ_１と、セラミックス製保持体１の総面積Ｓ_０の比（Ｓ_１／Ｓ_０）は１／６４であった。尚、電力供給用引出線３は円筒状の支持部材４の内部を通して系外に導出した。
【００３２】
チャンバー５内をＮ_２雰囲気で０.１ｔｏｒｒの減圧にし、系外から抵抗発熱体２に電力を供給してセラミックス製保持体１を５００℃に加熱した。そのとき、ウエハ６を載置すべき被処理物保持表面の全面の均熱性を、熱電対７を用いて測定したところ、セラミックス製保持体１の被処理物保持表面の均熱性は５００℃±０.４％であった。
【００３３】
実施例２
上記実施例１と同じ方法でセラミックス製保持体と支持部材を作製したが、支持部材がセラミックス製保持体に接して支持する面積Ｓ_１と、セラミックス製保持体の総面積Ｓ_０の比（Ｓ_１／Ｓ_０）を変化させた。それぞれセラミックス製保持体と支持部材を実施例１と同様に組立て、実施例１と同じ方法でセラミックス製保持体の均熱性を評価した。
その結果、上記Ｓ_１／Ｓ_０の比が１／１５の場合、均熱性は５００℃±０.４５％であった。Ｓ_１／Ｓ_０の比が１／５の場合、均熱性は５００℃±０.５％であった。Ｓ_１／Ｓ_０の比が１／４の場合、均熱性は５００℃±０.６％であった。Ｓ_１／Ｓ_０の比が１／２の場合、均熱性は５００℃±０.９５％であった。
【００３４】
実施例３
支持部材の材質を酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）に代えた以外、上記実施例１と同様に実施した。即ち、Ａｌ_２Ｏ_３粉末に焼結助剤として２重量％のマグネシア（ＭｇＯ）を加え、更に有機バインダーを添加して分散混合し、スプレードライにより造粒した。
【００３５】
この造粒粉末を、焼結後に外径１００ｍｍ、内径９０ｍｍ、長さ１００ｍｍで、両端にフランジを有する形状となるように、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）により成形した。この成形体を大気中にて１５００℃で３時間焼結した後、表面をダイヤモンド砥粒で研磨して、熱伝導率３０Ｗ／ｍＫのＡｌ_２Ｏ_３からなる円筒状の支持部材を得た。
【００３６】
このＡｌ_２Ｏ_３製支持部材の一端側のフランジをチャンバー内にクランプ固定し、他端側のフランジ上に上記実施例１と同じセラミックス製保持体（ＡｌＮ製、熱伝導率１８０Ｗ／ｍＫ）を接合することなく載置した。実施例１と同じ条件にて測定したセラミックス製保持体の被処理物保持表面の均熱性は５００℃±０.４５％であった。
【００３７】
実施例４
支持部材の材質を窒化アルミニウムに代えた以外、上記実施例１と同様に実施した。即ち、上記実施例１と同じ条件でＡｌＮの造粒粉を作製した。この造粒粉末を、焼結後に外径１００ｍｍ、内径９０ｍｍ、長さ１００ｍｍで、両端にフランジを有する形状となるように、ＣＩＰにより成形した。この成形体を８００℃の窒素気流中で脱脂し、窒素気流中にて１９００℃で２時間焼結した後、表面をダイヤモンド砥粒で研磨して、熱伝導率１８０Ｗ／ｍＫのＡｌＮからなる円筒状の支持部材を得た。
【００３８】
このＡｌＮ製支持部材の一端側のフランジをチャンバー内にクランプ固定し、他端側のフランジ上に上記実施例１と同じセラミックス製保持体（ＡｌＮ製、熱伝導率１８０Ｗ／ｍＫ）を接合することなく載置した。実施例１と同じ条件にて測定したセラミックス製保持体の被処理物保持表面の均熱性は５００℃±０.７％であった。
【００３９】
実施例５
支持部材をセラミックス製保持体の裏面に接合した以外、上記実施例３と同様に実施した。即ち、上記実施例３と同じ条件で製造したＡｌＮからなる支持部材の一端側のフランジ面に接合ペーストを塗布し、上記実施例１と同じ条件で製造したＡｌＮからなるセラミックス製保持体の裏面とを重ね合わせ、窒素中１７００℃で２時間加熱することにより接合した。
【００４０】
この支持部材の一端側のフランジをチャンバー内にクランプ固定し、抵抗発熱体の電極端子に接続した電力供給用引出線を円筒状の支持部材内部を通して系外に引き出した。支持部材内部とチャンバー内部との間でガスの導入−排気を調整することにより、チャンバー内部と支持部材内部のＮ_２雰囲気を０.１ｔｏｒｒの同じ減圧雰囲気に維持した。
【００４１】
ＡｌＮ製支持部材に接合されたセラミックス製保持体（ＡｌＮ製、熱伝導率１８０Ｗ／ｍＫ）を５００℃に加熱し、実施例１と同じ条件にて測定したセラミックス製保持体の被処理物保持表面の均熱性は５００℃±０.９％であった。
【００４２】
実施例６
抵抗発熱体を形成する際に、Ｗペーストを塗布して焼き付ける代わりに、所定形状にエッチングしたＷ箔を２枚のＡｌＮ焼結体に挟み込んで接合した以外は、抵抗発熱体のパターン形状も含め上記実施例１と同じ条件でセラミックス製保持体を製造した。
【００４３】
上記実施例３と同じ条件で製造したＡｌＮからなる支持部材の一端側のフランジをチャンバーにクランプ固定し、他端側のフランジ上に上記セラミックス製保持体を載置すると共に、支持部材内部を通して電極端子に接続した引出線を系外に引き出した。尚、セラミックス製保持体及び支持部材を構成するＡｌＮの熱伝導率は１８０Ｗ／ｍＫであった。
【００４４】
チャンバー内部と支持部材内部をＮ_２雰囲気で０.１ｔｏｒｒに減圧し、セラミックス製保持体を５００℃に加熱した。このとき、実施例１と同じ条件にて測定したセラミックス製保持体の被処理物保持表面の均熱性は５００℃±０.６％であった。
【００４５】
実施例７
上記実施例１と同じ条件で製造したＡｌＮからなる成形体２枚に、幅４.５ｍｍで深さ２.５ｍｍの溝を掘り、８００℃の窒素気流中で脱脂した。溝内にＭｏコイルを這わせた後、２枚の成形体を重ね合わせ、窒素気流中で圧力１００ｋｇｆ／ｃｍ^２、温度１９００℃で２時間焼結すると同時に接合して、セラミックス製保持体を作製した。
【００４６】
このセラミックス製保持体の表面をダイヤモンド砥粒で研磨し、その裏面に抵抗発熱体に接続される電極端子を接合し、更に系外の電源に電気的に接続される電力供給用引出線を接合した。
【００４７】
上記実施例３と同じ条件でＡｌＮからなる円筒状の支持部材を製造し、その一端側のフランジをチャンバー内にクランプ固定し、他端側のフランジ上に上記セラミックス製保持体を接合することなく載置した。尚、セラミックス製保持体及び支持部材を構成するＡｌＮの熱伝導率は１８０Ｗ／ｍＫであった。
【００４８】
チャンバー内部と支持部材内部をＮ_２雰囲気で０.１ｔｏｒｒに減圧し、セラミックス製保持体を５００℃に加熱した。このとき、実施例１と同じ条件にて測定したセラミックス製保持体の被処理物保持表面の均熱性は５００℃±０.８％であった。
【００４９】
比較例１
上記実施例４と同じ条件で、共にＡｌＮからなるセラミックス製保持体と支持部材とを接合し、その裏面に設けた電極端子と電力供給用引出線の接続部分に耐酸化シールを施した。この支持部材の一端側のフランジを、チャンバーにクランプ固定した。尚、セラミックス製保持体及び支持部材を構成するＡｌＮの熱伝導率は１８０Ｗ／ｍＫであった。
【００５０】
チャンバー内部をＮ_２雰囲気で０.１ｔｏｒｒに減圧する一方、円筒状の支持部材内部は大気圧の空気で満たした。このとき、実施例１と同じ条件にて測定したセラミックス製保持体の被処理物保持表面の均熱性は５００℃±１.５％であり、±１.０％以内の要求を満たすことができなかった。
【００５１】
比較例２
上記実施例１と同じパターンを有するＳＵＳ製の抵抗発熱体をエッチングにより形成した。直径３５０ｍｍ×厚さ５ｍｍの石英からなる２枚のプレートに接合用ガラスを塗布し、上記ＳＵＳ製の抵抗発熱体を挟み込んだ後、８００℃に加熱して接合することにより、従来と同様の構成の保持体を作製した。
【００５２】
この保持体の裏面に、上記実施例１の支持部材と同じ寸法の石英からなる支持部材を接合用ガラスにより接合した。この円筒状の支持部材の一端側をチャンバーにクランプ固定すると共に、抵抗発熱体の電極端子の接続された引出線は支持部材内部を通して系外に引き出した。尚、セラミックス製保持体及び支持部材を構成する石英の熱伝導率は１５Ｗ／ｍＫであった。
【００５３】
チャンバー内部をＮ_２雰囲気で０.１ｔｏｒｒに減圧する一方、円筒状の支持部材内部は大気圧の空気で満たした。このとき、実施例１と同じ条件にて測定したセラミックス製保持体の被処理物保持表面の均熱性は５００℃±１.８％であり、±１.０％以内の要求を満たすことができなかった。
【００５４】
【発明の効果】
本発明によれば、ウエハなどの被処理物を均一に加熱することができる半導体製造用加熱装置を提供することができる。この加熱装置は、コータディベロッパにおけるフォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化や低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いられる加熱装置として特に好適であり、被処理物保持表面で±１.０％以内の均熱性を達成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体製造用加熱装置の一具体例を示す概略の断面図である。
【符号の説明】
１セラミックス製保持体
２抵抗発熱体
３電力供給用引出線
４支持部材
５チャンバー
６ウエハ
７熱電対

Claims

内部に抵抗発熱体が埋設され、被処理物を表面上に保持して加熱する板状のセラミックス製保持体と、セラミックス製保持体をその被処理物保持表面以外で支える筒状の支持部材と、セラミックス製保持体及び支持部材を収容するチャンバーとを備え、筒状の支持部材内に形成された空間の雰囲気がチャンバー内の雰囲気と実質的に同じに維持されていることを特徴とする半導体製造用加熱装置。
前記支持部材がセラミックス製保持体に対して気密封止されていないことを特徴とする、請求項１に記載の半導体製造用加熱装置。
前記支持部材がセラミックス製保持体に接して支持する面積が、セラミックス製保持体の総面積の１／５以下であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体製造用加熱装置。
前記支持部材が、側面に複数の開孔を有する筒状、若しくは骨組み状であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体製造用加熱装置。
前記支持部材の熱伝導率がセラミックス製保持体の熱伝導率よりも低いことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体製造用加熱装置。
前記支持部材がＡｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、石英、ムライト、フォルステライト、スピネルの少なくとも１種を主成分とすることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体製造用加熱装置。
前記支持部材がステンレス若しくはニクロム、又はＴｉ、Ｖ、Ｚｒの少なくとも１種を主成分とすることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体製造用加熱装置。
前記支持部材がステンレスからなることを特徴とする、請求項７に記載の半導体製造用加熱装置。
フォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化、又は低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いられるコータディベロッパの加熱装置であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載の半導体製造用加熱装置。