JP2005123602A - 半導体製造装置用保持体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体製造装置用保持体は、抵抗発熱体2を有するセラミックス製のウエハ保持部1と、ウエハ保持部1を支持する支持体4とからなり、ウエハ保持部1の外径が支持体4の外径よりも大きく、且つ支持体4の熱伝導率がウエハ保持部1の熱伝導率よりも低い。ウエハ保持部1と支持体4は接合されていないか、接合されている場合はウエハ保持部1と支持体4の熱膨張率差を2.0×10−6/℃以下とする。
【選択図】 図1
Description
窒化アルミニウム(AlN)粉末に、焼結助剤として0.5重量%のイットリア(Y2O3)を加え、更に有機バインダーを添加して分散混合した後、スプレードライにより造粒した。この造粒粉末を、焼結後に直径350mm×厚み5mmとなる寸法に、一軸プレスにより2枚成形した。この成形体を温度800℃の窒素ガス気流中で脱脂し、窒素気流中にて温度1900℃で6時間焼結した。得られたAlN焼結体の熱伝導率は180W/mKであった。2枚の焼結体の表面を、ダイヤモンド砥粒を用いて研磨した。
酸化アルミニウム(Al2O3)粉末に、焼結助剤として2重量%のマグネシア(MgO)を加え、更にバインダーを添加して分散混合し、スプレードライにより造粒した。この造粒粉末を、焼結後に直径350mm×厚み5mmとなる寸法に、一軸プレスにより2枚成形した。
炭化ケイ素(SiC)粉末に、焼結助剤として2重量%の炭化ホウ素(B4C)を加え、更にバインダーを添加して分散混合し、スプレードライにより造粒した。造粒粉末を、焼結後に直径350mm×厚み5mmとなる寸法に、一軸プレスにより2枚成形した。
窒化ケイ素(Si3N4)粉末に、焼結助剤として2重量%の酸化イットリウム(Y2O3)と2重量%の酸化アルミニウム(Al2O3)を加え、更にバインダーを添加して分散混合し、スプレードライにより造粒した。造粒粉末を、焼結後に直径350mm×厚み5mmとなる寸法に、一軸プレスにより2枚成形した。
上記実施例1と同じAlN製のウエハ保持部を、外径100mm×内径90mm×長さ100mmのSUS製の支持体上に、接合することなく載置した。尚、ウエハ保持部の裏面には、実施例1と同様に抵抗発熱体端部の電極端子と引出線を接合した。尚、このSUSの熱伝導率は15W/mKであった。
実施例1でウエハ保持部の作製に用いたAlN粉末に、Al2O3粉末を5重量%添加し、押出し用のバインダーを添加して、焼結後に外径100mm×内径90mm×長さ100mmの円筒形状になるように成形した。これを900℃の窒素気流中で脱脂し、1850℃で6時間焼結し、両端部を研磨加工して支持体とした。このAlN焼結体の熱伝導率は80W/mK、及び熱膨張率は4.6×10−6/℃であった。
実施例1と同じAlN製のウエハ保持部と、ムライト製の支持体とを準備した。支持体の両端部を研磨加工し、片端部にB−Si系のガラスを塗布して、ウエハ保持部に800℃で接合した。尚、上記AlNとムライトの熱膨張率差は0.5×10−6/℃であった。
ムライト(3Al2O3・2SiO2)にAl2O3を添加して熱膨張率が4.5×10−6/℃になるように調整した複合体からなり、外径100mm×内径90mm×長さ100mmの円筒形の支持体を準備した。この支持体の両端部を研磨加工し、片端部にB−Si系のガラスを塗布して、実施例1と同じAlN製のウエハ保持部に800℃で接合した。
実施例1と同じAlN製のウエハ保持部を準備した。また、支持体には実施例8と同じ材料を用い、下記の形状の支持体を作製した。即ち、支持体aは外径350mm×内径330mm×長さ100mmの1本、及び支持体bは外径10mm×内径9mm×長さ100mmのものを2本作製した。
実施例1と同じ方法でAlN製のウエハ保持部を作製した。支持体はウエハ保持体と同じAlN製で、外径100mm×内径90mm×長さ300mmとした。これらのウエハ保持部と支持体の熱伝導率は共に180W/mKであった。支持体の両端部を研磨加工し、片端部にB−Si系のガラスを塗布して、ウエハ保持部に800℃で接合した。
支持体の長さを100mmに短くした以外は、比較例1と同じ方法でウエハ保持部及び支持体を作製した。ウエハ保持部及び支持体ともAlN製であり、熱伝導率は180W/mKであった。この支持体とウエハ保持部を、比較例1と同様に接合した。
比較例1と同じ方法でウエハ保持部及び支持体を作製した。ウエハ保持部及び支持体ともAlN製であり、熱伝導率は180W/mKであった。この支持体上に、ウエハ保持部を接合することなく載置した。
実施例1と同じ方法でAlN製のウエハ保持部を作製した。支持体は、外径100mm×内径90mm×長さ300mmのCu製の支持体を準備した。ウエハ保持部の熱伝導率は180W/mK、支持体の熱伝導率は393W/mKであった。支持体の端部を研磨加工し、その上にウエハ保持部を接合することなく載置して保持体とした。
2 抵抗発熱体
3 引出線
4 支持体
5 チャンバー
Claims (8)
- 抵抗発熱体を有するセラミックス製のウエハ保持部と、ウエハ保持部を支持する支持体とからなり、ウエハ保持部の外径が支持体の外径よりも大きく、且つ支持体の熱伝導率がウエハ保持部の熱伝導率よりも低いことを特徴とする半導体製造装置用保持体。
- 前記ウエハ保持部と支持体が接合されていないか、若しくはウエハ保持部と支持体が接合されていて且つ両者の熱膨張率差が2.0×10−6/℃以下であることを特徴とする、請求項1に記載の半導体製造装置用保持体。
- 前記ウエハ保持部がAlN、Al2O3、SiC、Si3N4から選ばれた少なくとも1種のセラミックスを主成分とすることを特徴とする、請求項1又は2に記載の半導体製造装置用保持体。
- 前記ウエハ保持部がAlNであることを特徴とする、請求項3に記載の半導体製造装置用保持体。
- 前記支持体がムライトを主成分とすることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の半導体製造装置用保持体。
- 前記支持体がムライトとアルミナの複合体であることを特徴とする、請求項5に記載の半導体製造装置用保持体。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の半導体製造装置用保持体を用いた半導体製造装置。
- フォトリソグラフィー用樹脂膜の加熱硬化、又は低誘電率の絶縁膜の加熱焼成に用いられる装置であることを特徴とする、請求項7に記載の半導体製造装置。
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JP2004276335A JP2005123602A (ja) | 2004-09-24 | 2004-09-24 | 半導体製造装置用保持体 |
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JP2004276335A JP2005123602A (ja) | 2004-09-24 | 2004-09-24 | 半導体製造装置用保持体 |
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JP2002111515A Division JP4311910B2 (ja) | 2002-04-15 | 2002-04-15 | 半導体製造装置用保持体 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007053280A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体加熱ヒータ用容器 |
JP2008016396A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Nhk Spring Co Ltd | ヒータユニット |
JP2008117932A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | リフレクターとそれを備えた発光素子収納用パッケージと発光装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04121737U (ja) * | 1991-04-20 | 1992-10-30 | ソニー株式会社 | 基板加熱装置 |
JP2000114355A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Kyocera Corp | 板状セラミック体と筒状セラミック体との接合構造体及びこの接合構造体を用いた加熱装置 |
-
2004
- 2004-09-24 JP JP2004276335A patent/JP2005123602A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04121737U (ja) * | 1991-04-20 | 1992-10-30 | ソニー株式会社 | 基板加熱装置 |
JP2000114355A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Kyocera Corp | 板状セラミック体と筒状セラミック体との接合構造体及びこの接合構造体を用いた加熱装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007053280A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体加熱ヒータ用容器 |
JP2008016396A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Nhk Spring Co Ltd | ヒータユニット |
JP2008117932A (ja) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | リフレクターとそれを備えた発光素子収納用パッケージと発光装置 |
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