KR102630782B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 내부 공간을 제공하는 공정 챔버, 상기 내부 공간에 배치되어 상기 기판을 지지하는 지지 유닛 및 상기 내부 공간으로 플라즈마를 발생시키는 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은 상면에 상기 기판이 놓이는 베이스, 상기 베이스 내에 배치된 히터 및 상기 베이스의 상기 상면에 형성된 코팅막을 포함한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 기술은, 물리적 방식을 이용하는 물리 기상 증착(Physical Vapor Deposition: PVD) 방법과 화학적 방식을 이용한 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 방법으로 분류될 수 있다.
화학 기상 증착 방법에 따르면, 소스 물질의 화학 반응을 이용하여 웨이퍼 표면상에 단결정의 반도체 박막이나 절연막 등을 형성한다. 화학 기상 증착 방법은 공정 챔버 내의 압력에 따라 저압 화학 기상 증착 방법(LPCVD), 상압 화학 기상 증착 방법(APCVD), 플라스마 증대 화학 기상 증착 방법(PECVD) 및 고압 화학 기상 증착 방법(HPCVD) 등으로 구분된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 증착 두께를 제어할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 내부 공간을 제공하는 공정 챔버, 상기 내부 공간에 배치되어 상기 기판을 지지하는 지지 유닛 및 상기 내부 공간으로 플라즈마를 발생시키는 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되, 상기 지지 유닛은 상면에 상기 기판이 놓이는 베이스, 상기 베이스 내에 배치된 히터 및 상기 베이스의 상기 상면에 형성된 코팅막을 포함한다.
상기 해결하고자 하는 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 공정 챔버 및 상기 공정 챔버 내에 배치되어 상면에 상기 기판이 놓이고, 내부에 히터를 포함하는 지지 유닛을 갖되, 상기 지지 유닛은 코팅막이 형성된 코팅 영역 및 상기 코팅막이 형성되지 않은 비코팅 영역을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 지지 유닛 상에 코팅막을 선택적으로 형성함으로써, 열 전도율을 영역별로 제어할 수 있다. 기판 상에 온도 편차가 발생하는 경우, 기판 상에 증착되는 증착막의 두께에도 영향을 미친다. 본 발명의 실시예에 따르면, 코팅막의 형성 여부 및/또는 그 두께를 제어하여 영역별 열 전도율 차이를 보상할 수 있다. 이에 따라, 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 있다.
본 발명의 효과는 상술한 효과들로 제한되지 않는다. 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 지지 유닛의 확대도이다.
도 3은 도 2의 지지 유닛의 평면도이다.
도 4는 비교예 및 본 발명의 실시예들에 따른 따른 증착율을 보여주는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 유닛의 확대도이다.
도 6은 도 5의 지지 유닛의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 유닛의 확대도이다.
도 8은 도 7의 지지 유닛의 평면도이다.
도 9는 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명하는 플로우차트이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)를 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(100), 지지 유닛(200), 그리고 가스 공급 유닛(300)을 가진다. 기판 처리 장치(1)는 플라즈마를 이용하여 기판(10)을 처리한다. 일 예로, 기판 처리 장치(1)는 플라즈마를 이용하여, 기판에 증착 공정을 수행할 수 있다. 그러나 본 발명의 기술적 특징은 이에 한정되지 않고, 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 다양한 종류의 공정에 적용될 수 있다.
공정 챔버(100)는 내부에 공정 수행을 위한 내부 공간(110)을 가진다. 도시하지 않았으나, 공정 챔버(100)의 일측에는 내부 공간(110)으로 기판(10)이 유출입되는 개구 및 공정 과정에서 발생한 반응 부산물 및 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 잔류 가스를 배기하는 배기 홀 등이 제공될 수 있다.
내부 공간(110)에는 지지 유닛(200)이 위치한다. 지지 유닛(200)에 기판(W)이 놓여질 수 있다. 지지 유닛(200)은 베이스(210), 코팅막(220), 지지부(230), 그리고 히터(240)를 포함할 수 있다. 베이스(210)의 상면에 기판(10)이 놓일 수 있다. 베이스(210)의 크기는 기판(10)의 크기와 동일하게 제공될 수 있다. 지지부(230)는 베이스(210)를 고정할 수 있다. 일 예로, 지지부(230)는 지지축(I)을 중심으로 베이스(210)와 고정 결합될 수 있다. 지지축(I)은 베이스(210)의 중심축일 수 있다.
도 2는 도 1의 지지 유닛(200)의 확대도이다. 도 3은 도 2의 지지 유닛(200)을 바라본 평면도이다. 도 2 및 도 3은 설명의 간이화를 위해 확대된 도면들로서, 실제 비율과 상이할 수 있다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 지지 유닛(200)은 코팅막(220)을 포함할 수 있다. 일 예로, 베이스(210)의 상면에 코팅막(220)이 형성될 수 있다. 코팅막(220)은 베이스(210) 상의 전 영역에 형성될 수 있다. 코팅막(220)은 베이스(210)의 열 전도율보다 낮은 열 전도율을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 코팅막(220) 상에 놓인 기판(10)으로의 열전도량은 작아질 수 있다. 일 예로, 베이스(210)는 AlN 또는 Al을 포함하고, 코팅막(220)은 Y2O3 또는 ZrO2를 포함할 수 있다. 일 예로, AlN의 열 전도율은 약 319 [W/mK], Al의 열 전도율은 약 204 [W/mK], Y2O3의 열 전도율은 약 10 [W/mK], 그리고 ZrO2의 열 전도율은 약 3 [W/mK]이다.
코팅막(220)은 제 1 두께(T1)를 갖도록 형성될 수 있다. 제 1 두께(T1)는 약 1 um 내지 약 10 um일 수 있다. 보다 바람직하게, 제 1 두께(T1)는 5 um일 수 있다. 베이스(210)에는 히터(240)가 제공될 수 있다. 일 예로, 히터(240)는 베이스(210) 내에 제공될 수 있다. 히터(240)는 코일 형상으로 배치된 열선일 수 있다. 히터(240)는 베이스(210) 내에서 방사형으로 배치될 수 있다. 히터(240)는 베이스(210) 내에서 단위 면적 당 동일한 밀도를 갖도록 배치될 수 있으나 이에 제한되지 않고, 베이스(210)의 영역 별로 다른 밀도를 갖도록 배치될 수 있다.
도 4는 비교예 및 본 발명의 실시예들에 따른 따른 증착율을 보여주는 그래프이다. 즉, 도 4는 코팅막(220)의 형성 여부 및 두께에 따른 증착율(deposition rate)을 보여준다. 도 4는 비교예(CE: Comparative embodiment), 제 1 실시예(E1), 및 제 2 실시예(E2)에 따른 증착율을 보여준다. 비교예(CE)는 지지 유닛(200)에 코팅막(220)이 형성되지 않은 상태의 증착율을 보여주고, 제 1 실시예(E1)는 약 3 um, 제 2 실시예(E2)는 약 5 um의 코팅막(220)이 각각 형성되었을 때의 증착율을 나타낸다. 비교예(CE)와 제 1 실시예(E1)에 따른 증착율의 차이(d1)는 약 15 내지 25 [Å/min], 비교예(CE)와 제 2 실시예(E2)에 따른 증착율의 차이(d2)는 약 30 내지 40 [Å/min]일 수 있다. 보다 구체적으로, 비교예(CE)와 제 1 실시예(E1)에 따른 증착율의 차이(d1)는 약 20 [Å/min], 비교예(CE)와 제 2 실시예(E2)에 따른 증착율의 차이(d2)는 약 35 [Å/min]일 수 있다. 증착율 차이의 구체적인 수치는 공정 가스의 종류 등의 공정 조건에 따라 상이할 수 있으나, 코팅막(220)의 형성 여부 및 코팅막(220)의 두께에 따라 증착율에 영향을 미치는 것을 확인할 수 있다. 여기서, 제 1 및 제 2 실시예들은 서로 다른 실시예들을 구분하기 위해 편의상 명명한 것으로, 실시예들을 한정하거나 더 바람직한 실시예를 의미하는 것은 아니다.
다시 도 1을 참조하면, 가스 공급 유닛(300)은 내부 공간(110)으로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 저장부(310), 가스 공급 라인(320), 가스 유입 포트(330), 그리고 샤워 헤드(340)를 포함한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)와 가스 유입 포트(330)를 연결한다. 가스 공급 라인(320)은 가스 저장부(310)에 저장된 공정 가스를 가스 유입 포트(330)에 공급한다. 가스 공급 라인(320)에는 그 통로를 개폐하거나, 그 통로를 흐르는 유체의 유량을 조절하는 밸브(322)가 설치될 수 있다. 샤워 헤드(340)는 지지 유닛(200)과 대향되게 위치되고, 지지 유닛(200)보다 큰 직경으로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(340)에는 가스를 분사하는 홀들(342)이 형성된다. 일 예에 의하면, 샤워 헤드(340)는 실리콘으로 제공될 수 있다. 선택적으로 샤워 헤드(340)는 금속 재질로 제공될 수 있다.
도시되지 않았으나, 공정 챔버(100) 내에는 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛을 더 포함할 수 있다. 플라즈마 생성 유닛(미도시)은 용량 결합형 플라즈마(capacitive coupled plasma) 소스 또는 유도 결합형 플라즈마(induced coupled plasma) 소스를 가질 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 유닛(200a)의 확대도이다. 도 6은 도 5의 지지 유닛(200a)을 바라본 평면도이다. 도 5 및 도 6은 설명의 간이화를 위해 확대된 도면들로서, 실제 비율과 상이할 수 있다. 도 2 내지 도 3을 참조하여 설명한 지지 유닛(200)과 실질적으로 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조번호가 제공되고, 설명의 간소화를 위하여 중복되는 설명은 생략될 수 있다. 지지 유닛(200a)은, 상술한 지지 유닛(200)과 마찬가지로, 히터(240)를 포함할 수 있으나, 도면의 간이화를 위해 도시를 생략하였다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 지지 유닛(200a)의 코팅막(220a)은 베이스(210)의 일부 영역 상에 형성될 수 있다. 다시 말해서, 지지 유닛(200a)은 코팅 영역(220a) 및 코팅막이 형성되지 않은 비코팅 영역(215)을 포함할 수 있다. 일 예로, 코팅 영역(220a)은 베이스(210)의 에지 영역이고, 비코팅 영역(215)은 베이스(210)의 센터 영역일 수 있으나, 영역들(220a,215)의 형상은 이에 제한되지 않는다. 도면에는 코팅 영역(220a)과 비코팅 영역(215)의 폭들(W,NW)이 서로 동일한 것을 예로 들어 도시하였으나, 코팅 영역(220a)과 비코팅 영역(215)의 폭들(W,NW)은 이에 제한되지 않는다.
코팅 영역(220a)은 제 1 두께(T1)를 가질 수 있다. 제 1 두께(T1)는 약 1 um 내지 약 10 um일 수 있다. 보다 바람직하게, 제 1 두께(T1)는 5 um일 수 있다. 코팅 영역(220a)은 비코팅 영역(215)에 비해 열 전도율이 작으므로, 코팅 영역(220a) 상의 기판(10)의 일 영역은 비코팅 영역(215) 상의 기판(10)의 다른 영역에 비해 온도 변화량이 작을 수 있다. 지지 유닛(200a)의 상면의 일부 영역에만 코팅 영역(220a)이 형성되어도, 코팅 영역의 두께가 미세하기 때문에, 기판(10)의 로딩/언로딩 및 공정 수행에는 영향을 미치지 않을 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 지지 유닛(200b)의 확대도이다. 도 8은 도 7의 지지 유닛(200b)을 바라본 평면도이다. 도 7 및 도 8은 설명의 간이화를 위해 확대된 도면들로서, 실제 비율과 상이할 수 있다. 도 5 내지 도 6을 참조하여 설명한 지지 유닛(200a)과 실질적으로 동일한 구성에 대하여는 동일한 참조번호가 제공되고, 설명의 간소화를 위하여 중복되는 설명은 생략될 수 있다. 지지 유닛(200b)은, 상술한 지지 유닛(200)과 마찬가지로, 히터(240)를 포함할 수 있으나, 도면의 간이화를 위해 도시를 생략하였다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 지지 유닛(200b)의 코팅 영역(220b)은 제 1 코팅 영역(222) 및 제 2 코팅 영역(224)을 포함할 수 있다. 일 예로, 제 1 코팅 영역(222)은 베이스(210)의 에지 영역이고, 비코팅 영역(215)은 베이스(210)의 센터 영역이며, 제 2 코팅 영역(224)은 제 1 코팅 영역(222)과 비코팅 영역(215) 사이의 영역일 수 있으나, 영역들(222,224,215)의 형상은 이에 제한되지 않는다. 도면에는 제 1 및 제 2 코팅 영역들(222,224)과 비코팅 영역(215)의 폭들(W1,W2,NW)이 서로 동일한 것을 예로 들어 도시하였으나, 제 1 및 제 2 코팅 영역들(222,224)과 비코팅 영역(215)의 폭들(W1,W2,NW)은 이에 제한되지 않는다.
제 1 코팅 영역(222)은 제 1 두께(T1)를 갖고, 제 2 코팅 영역(224)은 제 1 두께(T1)와 상이한 제 2 두께(T2)를 가질 수 있다. 일 예로, 제 2 두께(T2)는 제 1 두께(T1)보다 얇을 수 있다. 일 예로, 제 1 두께(T1)는 약 4 um 내지 약 10 um이고, 제 2 두께(T2)는 약 1 um 내지 약 4 um일 수 있다. 보다 바람직하게, 제 1 두께(T1)는 5 um이고, 제 2 두께(T2)는 3 um일 수 있다. 제 1 및 제 2 코팅 영역들(222,224)은 비코팅 영역(215)에 비해 열 전도율이 작아, 제 1 및 제 2 코팅 영역들(222,224) 상의 기판(10)의 일 영역들은 비코팅 영역(215) 상의 기판(10)의 다른 영역에 비해 온도 변화량이 작을 수 있다. 또한, 제 1 코팅 영역(222)의 두께는 제 2 코팅 영역(224)의 두께보다 두꺼우므로, 제 1 코팅 영역(222) 상의 기판(10)의 일 영역은 제 2 코팅 영역(224) 상의 기판(10)의 또 다른 영역에 비해 온도 변화량이 작을 수 있다. 지지 유닛(200b)의 상면의 일부 영역에만 코팅 영역(220b)이 형성되어도, 코팅 영역의 두께가 미세하기 때문에, 기판(10)의 로딩/언로딩 및 공정 수행에는 영향을 미치지 않을 수 있다.
도 9는 도 1의 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명하는 플로우차트이다. 이 때, 기판 처리 장치(1)의 지지 유닛은 상술한 지지 유닛들(200,200a,200b) 중 어느 하나일 수 있다. 설명의 편의를 위해, 기판 처리 장치(1)가 도 5 및 도 6의 지지 유닛(200a)을 포함하는 것을 예로 들어 설명한다.
먼저, 공정 챔버(100) 내의 지지 유닛(200a) 상에 제 1 기판이 로딩될 수 있다(S10). 일 예로, 제 1 기판은 테스트용 테스트 기판일 수 있다. 제 1 기판에 대해, 증착 공정이 수행될 수 있다(S20). 증착 공정이 완료된 후에, 제 1 기판 상에 증착된 증착막의 두께를 측정할 수 있다(S30). 증착막의 두께는 제 1 기판 상의 영역별로 측정할 수 있다. 일 예로, 증착막의 두께 측정 공정은 광학 검사 장치를 이용하여 측정할 수 있으나, 측정 방법은 이에 제한되지 않는다. 제 1 기판을 이용하여 증착막의 두께를 측정한 이후에, 획득한 영역별 두께에 따라 지지 유닛(200a) 상에 코팅막을 형성할 수 있다(S40). 즉, 획득한 영역별 두께에 대한 정보들을 피드백함으로써, 지지 유닛(200a) 상의 코팅막 형성 여부를 설계할 수 있다. 마스크를 이용하여 지지 유닛(200a) 상의 일부 영역에 선택적으로 코팅막(220a)을 형성할 수 있다. 일 예로, 측정된 증착막의 두께가 제 1 기판의 에지 영역이 센터 영역에 비해 두꺼운 경우, 상술한 바와 같이, 베이스(210)의 에지 영역에만 코팅막(220a)을 형성할 수 있다. 이후, 코팅막(220a)이 형성된 지지 유닛(200a) 상에 제 2 기판이 로딩될 수 있다(S50). 공정 챔버(100)는 제 2 기판에 대해 증착 공정을 수행할 수 있다(S60). 도 9에서는 증착 공정을 예로 들어 설명하였으나, 상술한 바와 같이, 증착 공정이 아닌 다양한 플라즈마 처리 공정에 적용될 수 있다.
이와 같이, 측정된 증착막의 두께가 상대적으로 두꺼운 영역에는 열 전도율을 차단하기 위해, 측정된 증착막의 두께가 상대적으로 얇은 영역에 비해 코팅막을 얇게 형성할 수 있다. 또는 이와 달리, 측정된 증착막의 두께가 상대적으로 두꺼운 영역에는 열 전도율을 차단하기 위해 코팅막을 형성하고, 측정된 증착막의 두께가 상대적으로 얇은 영역에는 코팅막을 형성하지 않을 수 있다. 기판 상에 형성된 증착막의 두께 편차를 파악하여 지지 유닛 상의 코팅막을 선택적으로 형성함으로써, 이후 형성될 증착막의 두께 편차를 줄일 수 있다.
또한, 상술한 기판 처리 장치(1)에는 코팅막을 단일 물질로 형성하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이와 달리, 공정 조건 및 설계 디자인에 따라, 지지 유닛 상에 서로 다른 물질들을 증착할 수 있다. 또한, 예로 들어 설명한 코팅 영역들(220a,220b)의 형상은 예시에 불과하며, 기판(10) 상에 형성된 증착막의 영역별 두께에 따라 다양한 위치 및 크기를 갖는 코팅 영역들을 형성할 수 있다. 일 예로, 기판(10) 상에 형성된 증착막의 두께가 센터 영역이 에지 영역보다 두꺼운 경우, 지지 유닛의 센터 영역에만 코팅막이 형성되고, 지지 유닛의 에지 영역에는 코팅막이 형성되지 않을 수 있다.
본 발명의 개념에 따르면, 지지 유닛 상에 코팅막을 선택적으로 형성함으로써, 기판으로의 열 전도율을 영역별로 제어할 수 있다.
일반적으로 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 공정의 경우, 지지 유닛 상에 지지된 기판으로 전달되는 온도에 편차가 발생할 수 있다. 일 예로, 공정 챔버 내의 공정 가스 흐름의 불균일성, 공정 챔버 내 국소적인 데드 존(dead zone) 형성, 또는 지지 유닛의 영역별 온도 편차 등에 의해, 기판 상에 공급되는 온도 편차가 발생할 수 있다. 기판 상에 온도 편차가 발생하는 경우, 기판 상에 증착되는 증착막의 두께에도 영향을 미친다. 본 발명의 실시예에 따르면, 코팅막의 형성 여부 및/또는 그 두께를 제어하여 영역별 온도 편차를 보상할 수 있다. 이에 따라, 기판 상에 균일한 박막을 형성할 수 있다.
이상의 실시 예들은 본 발명의 이해를 돕기 위하여 제시된 것으로, 본 발명의 범위를 제한하지 않으며, 이로부터 다양한 변형 가능한 실시 예들도 본 발명의 범위에 속하는 것임을 이해하여야 한다. 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이며, 본 발명의 기술적 보호범위는 특허청구범위의 문언적 기재 그 자체로 한정되는 것이 아니라 실질적으로는 기술적 가치가 균등한 범주의 발명에 대하여까지 미치는 것임을 이해하여야 한다.

Claims (10)

  1. 기판을 처리하는 내부 공간을 제공하는 공정 챔버;
    상기 내부 공간에 배치되어 상기 기판을 지지하는 지지 유닛; 및
    상기 내부 공간으로 플라즈마를 발생시키는 공정 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하되,
    상기 지지 유닛은:
    상면에 상기 기판이 놓이는 베이스;
    상기 베이스 내에 배치된 히터; 및
    상기 베이스의 상기 상면에 형성된 코팅막을 포함하되,
    상기 베이스의 상기 상면은:
    제1 코팅 영역 및 상기 제1 코팅 영역 내에 위치하는 제2 코팅 영역을 포함하는 코팅 영역; 및
    상기 제1 코팅 영역 및 상기 제2 코팅 영역 내에 위치하는 비코팅 영역을 포함하며,
    상기 코팅막은:
    상기 제1 코팅 영역에 위치하고 제1 두께를 갖는 제1 코팅막; 및
    상기 제2 코팅 영역에 위치하고 상기 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 갖는 제2 코팅막을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 코팅막은 상기 베이스의 열 전도율보다 낮은 열 전도율을 갖는 물질을 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 비코팅 영역의 폭, 상기 제1 코팅 영역의 폭 및 상기 제2 코팅 영역의 폭의 길이는 동일한 것을 포함하는 기판 처리 장치.

  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 코팅 영역은 상기 베이스의 에지 영역이고, 상기 비코팅 영역은 상기 베이스의 센터 영역인 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 코팅막은 1 um 내지 10 um의 두께를 갖는 기판 처리 장치.

  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 코팅 영역은 상기 베이스의 에지 영역이고, 상기 비코팅 영역은 상기 베이스의 센터 영역이며, 상기 제 2 코팅 영역은 상기 제 1 코팅 영역과 상기 비코팅 영역 사이의 영역인 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 두께는 4 um 내지 10 um이고, 상기 제 2 두께는 1 um 내지 4 um 인 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 코팅막은 Y2O3 또는 ZrO2를 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지 유닛은 AlN 또는 Al을 포함하는 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102685462B1 (ko) * 2023-05-08 2024-07-15 박상문 반도체용 세라믹히터

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100397891B1 (ko) 2001-07-25 2003-09-19 삼성전자주식회사 반도체 장치 식각설비의 척 조립체
JP2004104114A (ja) 2002-08-23 2004-04-02 Asml Netherlands Bv チャック、リソグラフィ装置、およびデバイスの製造方法
US20080029032A1 (en) * 2006-08-01 2008-02-07 Sun Jennifer Y Substrate support with protective layer for plasma resistance
JP2008066707A (ja) 2006-08-10 2008-03-21 Tokyo Electron Ltd 静電吸着電極、基板処理装置および静電吸着電極の製造方法
US20150376780A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-31 Applied Materials, Inc. Plasma corrosion resistive heater for high temperature processing

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6002109A (en) 1995-07-10 1999-12-14 Mattson Technology, Inc. System and method for thermal processing of a semiconductor substrate
US5881208A (en) 1995-12-20 1999-03-09 Sematech, Inc. Heater and temperature sensor array for rapid thermal processing thermal core
US20030019858A1 (en) 2001-07-27 2003-01-30 Applied Materials, Inc. Ceramic heater with thermal pipe for improving temperature uniformity, efficiency and robustness and manufacturing method
JP3791432B2 (ja) 2002-02-27 2006-06-28 住友電気工業株式会社 半導体製造用加熱装置
JP3982402B2 (ja) 2002-02-28 2007-09-26 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP2006179859A (ja) 2004-11-29 2006-07-06 Clean Technology Kk 基板加熱装置
US20080006204A1 (en) * 2006-07-06 2008-01-10 General Electric Company Corrosion resistant wafer processing apparatus and method for making thereof
KR20100090559A (ko) * 2009-02-06 2010-08-16 이지스코 주식회사 에어로졸 코팅층을 갖는 정전척 및 그 제조방법
US8552346B2 (en) 2011-05-20 2013-10-08 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling temperature of a multi-zone heater in an process chamber
US20140034242A1 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 Lam Research Corporation Edge ring assembly for plasma processing chamber and method of manufacture thereof
US9916998B2 (en) * 2012-12-04 2018-03-13 Applied Materials, Inc. Substrate support assembly having a plasma resistant protective layer
US9711334B2 (en) * 2013-07-19 2017-07-18 Applied Materials, Inc. Ion assisted deposition for rare-earth oxide based thin film coatings on process rings

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100397891B1 (ko) 2001-07-25 2003-09-19 삼성전자주식회사 반도체 장치 식각설비의 척 조립체
JP2004104114A (ja) 2002-08-23 2004-04-02 Asml Netherlands Bv チャック、リソグラフィ装置、およびデバイスの製造方法
US20080029032A1 (en) * 2006-08-01 2008-02-07 Sun Jennifer Y Substrate support with protective layer for plasma resistance
JP2008066707A (ja) 2006-08-10 2008-03-21 Tokyo Electron Ltd 静電吸着電極、基板処理装置および静電吸着電極の製造方法
US20150376780A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-31 Applied Materials, Inc. Plasma corrosion resistive heater for high temperature processing

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