JP4354377B2

JP4354377B2 - 半導体装置

Info

Publication number: JP4354377B2
Application number: JP2004281100A
Authority: JP
Inventors: 弘西堀; 利彰篠原; 健治吉田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2004-09-28
Filing date: 2004-09-28
Publication date: 2009-10-28
Anticipated expiration: 2024-09-28
Also published as: CN100399552C; CN1755918A; JP2006100320A

Description

本発明は、半導体装置に関し、特に半導体装置の加熱組み立て時に生じるベース板のそりを低減する技術に関する。

従来の半導体装置では、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックス基板（絶縁基板）が金属層と半田を介してベース板に固定されているため、各材料の熱膨張の差から接合面にクラックが生じる欠点があった。

そこで、特許文献１には、アルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金を真空又は不活性ガス中で溶解して溶融体を得た後、該溶融体を真空又は不活性ガス中で鋳型内において絶縁基板と接触させ、その際該溶融体と絶縁基板とがそれらの界面に金属表面の酸化膜を介在させずに直接接触するようにして保持冷却することによって、絶縁基板に強固に接合したベース板及び回路パターンを一体に形成することで、各接合面でのクラックを防止する技術が開示されている。

特開２００２−７６５５１号公報（第８項、第１図，第４図）

しかしながら、絶縁基板に回路パターン及びベース板が一体に形成された一体型ベース板は、線膨張係数の異なる２つの材料（Ａｌ：約２３ｐｐｍ／℃、ＡｌＮ：約４ｐｐｍ／℃）が半田等のバッファとなる材料を介さず直接接合されているため、加熱すると裏面を凸とするそりが生じ易くなる。

そして、加熱時にそりが生じると、以下のような問題を生じる。一体型ベース板とケースの組み立て時には、絶縁基板上に形成された電極と外部電極とを半田により接合する必要がある。この工程は、ベース板をホットプレート上で加熱して半田を融解させることにより行われる加熱工程である。

前述したように、一体型ベース板を加熱するとそりが生じるので、一体型ベース板の中央部寄りに配置された電極と、外周部寄りに配置された電極とで外部電極と接続する際の半田の溶解度が異なるという問題を生じる。

この問題を解決するため、外周部の半田を溶解させるべくホットプレートの温度を必要以上に上げると、各部材の熱劣化やさらなる一体型ベース板の熱変形を伴う。また、ホットプレートによる加熱方式をやめて、外表面から加熱できるエアリフローによる加熱方式の採用も考えられる。しかし、エアリフロー用の装置を導入するには多大な費用が生じることになる他、一体型ベース板にそり等の大きな熱変形が生じることに変わりない。さらに、ベース板の厚みを４ｍｍｔから例えば５ｍｍｔに厚くすると、そりは減少するが半田の溶解度をベース板全面で均一にするには不十分である。そして、４ｍｍｔの厚みのベース板を用いた半導体装置との互換性がくずれることにもなる。

そこで本発明の目的は、半導体装置の組み立て時に、加熱工程で生じるベース板のそりや変形を低減する技術を提供することである。

請求項１に記載の発明は、ベース板と、前記ベース板上に接合された絶縁基板と、前記絶縁基板上に接合された回路パターンと、前記回路パターン上に接合された半導体素子と、前記半導体素子を囲うように、前記ベース板上に形成されたケースと、を備える半導体装置であって、前記ベース板は、その内部に、前記ベース板の他の部位よりも線膨張係数の低い補強体を備え、前記補強体は、前記ベース板の他の部位よりも大きな熱伝導率を有することを特徴とする。
また請求項２に記載の発明は、ベース板と、前記ベース板上に接合された絶縁基板と、前記絶縁基板上に接合された回路パターンと、前記回路パターン上に接合された半導体素子と、前記半導体素子を囲うように、前記ベース板上に形成されたケースと、を備える半導体装置であって、前記ベース板は、その内部に、前記ベース板の他の部位よりも線膨張係数の低い補強体を備え、前記補強体は、開口部を有し、当該補強体の端部若しくは前記開口部の内周の少なくとも一方に折り返しつば部を備えることを特徴とする。

請求項５に記載の発明は、ベース板と、前記ベース板上に接合された絶縁基板と、前記絶縁基板上に接合された回路パターンと、前記回路パターン上に接合された半導体素子と、前記半導体素子を囲うように、前記ベース板上に形成されたケースと、を備える半導体装置であって、前記ケース内部に充填された封止樹脂をさらに備え、前記封止樹脂は、前記ベース板の曲げ剛性と略等しい曲げ剛性を有することを特徴とする。

請求項１に記載の発明によれば、ベース板は、前記ベース板の他の部位よりも線膨張係数の低い補強体を内部に有しているので、みかけの線膨張係数を下げることができる。その結果、ベース板の線膨張係数と、絶縁基板の線膨張係数との差が小さくなり、半導体装置の加熱組み立て時に生じるベース板のそりを低減することができる。また補強版が、ベース板の他の部位よりも大きな熱伝導率を有するので、熱抵抗を小さくすることができる。
また請求項２に記載の発明によれば、補強体が、端部若しくは開口部の内周の少なくとも一方に折り返しつば部を備えるので、さらに曲げ剛性を向上することができる。

請求項５に記載の発明によれば、ケース内部に充填された封止樹脂の曲げ剛性と、ベース板の曲げ剛性が略等しいので、熱ストレス下で生じるベース板の変形が封止樹脂によって抑えられ、ベース板の変形を低減することができる。

＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。ベース板１上に絶縁基板２が溶湯法により接合されている。ベース板１は、厚さ３〜５ｍｍｔのＡｌ又はＡｌ合金により形成されている。また、絶縁基板２は、厚さ０．３〜１．５ｍｍｔの窒化アルミニウム、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、若しくは窒化珪素（Ｓｉ₃Ｎ₄）等により形成されている。

絶縁基板２上には、回路パターン３１，３２が溶湯法により接合されている。回路パターン３１上には半田層５を介して半導体素子４が接合されている。そして、半導体素子４の上部電極（図示せず）と電極パターン３２がＡｌワイヤ６によって電気的に接続されている。半導体素子４は、例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor ）である。

ここで、ベース板１、絶縁基板２及び回路パターン３１，３２は、溶融法によって一体に接合され、一体型ベース板を構成している。

ベース板１上には、半導体素子４を囲うようにパッケージケース（ケース）７が接着剤１０を介して接合されている。そしてケース７の内部は封止樹脂１２により充填されている。回路パターン３１，３２には、外部電極８１，８２の一端が半田９１，９２によりそれぞれ接続されている。そして外部電極８１，８２の他端はケース７の外部に引き出されている。

ケース７内側の側面には、側面溝（溝）１５が形成されている。また、ベース板１の表主面上には、凹凸部１４が絶縁基板２の周囲を取り囲むように形成されている。言い換えると、ベース板１は、ケース７内に臨む表面に凹凸部１４を有している。ベース板１内部の中央部には、補強板（補強体）１３が埋め込まれている。補強板１３は、ベース板１の溶湯法による形成時に、ベース板１の内部に鋳込まれる。

補強板１３は、Ｃｕ（銅）又はＣｕ合金、Ｆｅ（鉄）又はＦｅ合金から形成されている。図２に示すように、補強板１３は任意の場所に開口部１３ａを有している。そして、開口部１３ａ内部にはベース板１の材料であるＡｌが埋め込まれている。また、補強板１３は折り返しつば部１３ｂを有している。

次に本実施の形態に係る一体型ベース板の製造方法について説明する。

まず、下層から順に、回路パターン３１，３２、絶縁基板２、及びベース板１の型が形成された鋳型に、絶縁基板２の表主面を下にして設置する。さらに、折り返しつば部１３ｂの先端がベース板１の鋳型上に接するように補強板１３を設置する。そうして、溶融したＡｌを鋳型に流し込んだ後、Ａｌを凝固して回路パターン３１，３２及びベース板１を同時に形成する。

ここで、鋳型には、回路パターン３１，３２側にも溶融体が流し込めるように、別に溶融体の流し込み口が形成されており、ベース板１の形成時に回路パターン３１，３２も同時に形成できる構成になっている。

なお、必ずしも補強板１３に折り返しつば部１３ｂを形成する必要はない。例えば、補強板１３をベース板１の中央部に作成するために、Ｃｕ等により形成された保持台を補強板１３とベース板１の鋳型の間に挟んで補強板１３を中空に保持するように設置した後、溶湯を流し込むようにしてもよい。保持台は、絶縁基板２上に設置してもよい。

また、回路パターン３１，３２とベース板１は同時に形成する必要はない。回路パターン３１，３２とベース板１の型が形成された鋳型をそれぞれ用意して、回路パターン３１，３２及びベース板１を別々に作り込むようにしてもよい。

次に本実施の形態に係る半導体装置の効果について説明する。

図３は、従来の半導体装置をホットプレート２０で加熱した場合に生じる一体型ベース板のそりを示す図である。図３に示すように、従来の半導体装置は、パッケージケース７内部にシリコンゲル１１が充填されている。そして、パッケージケース７の最表面を封止樹脂１２により充填している。従来の半導体装置は、ホットプレート２０上で加熱することにより、そり２４を生じる。

図４は、ホットプレート２０で半導体装置を常温から１２５℃までの加熱を繰り返すヒートサイクル（Ｈ／Ｃ）に対するそり量を示す図である。ここで、そり量は一体型ベース板の裏面の端部の高さを０として、端部の点の高さと略中心部の点での高さとの差で定義される量である。

図４に示すように、ホットプレート２０で加熱すると、一体型ベース板はそりを生じる。実際の組立工程では約２６０℃に昇温されるので、図４に示したそりの約２倍のそりが生じることになる。ベース板１の厚みを３ｍｍｔから厚くする毎にそり量は低減するが、十分に低減できてはない。

また図５は、放熱プレート２１上にベース板１を４本のベース板締付ネジ２２によって締め付けた状態で、−４０℃〜＋１２５℃のヒートサイクル（Ｈ／Ｃ）を１００サイクル実施した後に生じるスキを示した図である。

そして図６は、放熱プレート２１とベース板１の間のスキを実測（実測値をスキＳとする）した図である。ここで、縦軸のスキＳは、放熱プレート２１とベース板１との間に隙間ゲージを挿入し、挿入が可能となった隙間ゲージの値で表される量である。スキは、放熱プレート２１にベース板１が４本のベース板締付ネジ２２で固定されていることから、温度変化に伴うベース板１の変形が変則的になり、図５に示すように塑性変形を生じた結果発生したものと考えられる。また、図６からスキの大きさは、ベース板１の厚みが薄い程大きい。

スキが生じると、ベース板１と放熱プレート２１との密着性が悪くなり、半導体素子４の熱放散性の悪化を伴う。そのため、半導体素子４下の半田層５の劣化やクラック、ひいては半導体素子４の熱破壊につながる可能性を有している。

スキの改善策としては、Ａｌをより合金化してＡｌの純度を低下させて硬度や強度を高める方法がある。しかし、溶湯接合されるセラミックスの絶縁基板にクラックが生じ易く、信頼性が低下するという弊害を生じる。

本実施の形態に係るベース板１はＣｕ若しくはＦｅを材料とする補強板１３を内部に有している。図７は、Ｃｕ，Ｆｅ，Ａｌの概略物性値を示す表である。図７に示すように補強板１３の線膨張係数は、Ｃｕの場合は約１８ｐｐｍ／℃、Ｆｅの場合は約１１ｐｐｍ／℃である。Ｃｕ，Ｆｅの線膨張係数はＡｌの線膨張係数（約２３ｐｐｍ／℃）より小さい。そのため、Ｃｕ若しくはＦｅを組み込んだベース板１は、みかけの線膨張係数が小さくなる。すなわち、ベース板１は、ベース板１の他の部位よりも線膨張係数の低い補強板１３を備えているため、みかけの線膨張係数が小さくなる。その結果、絶縁基板２とベース板１の線膨張係数の差が小さくなり、加熱を必要とする半導体装置の組立工程において、ベース板１の裏面を凸とするそりが低減される。

さらに、各部材の熱伝導率は、Ｃｕが約４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）、Ｆｅが約８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、Ａｌが約２３５Ｗ／（ｍ・Ｋ）となっている。そのため、補強板１３にＣｕ又はＣｕ合金の材質を用いた場合は、半導体素子４からベース板１の下主面に至る熱抵抗が小さくなる。すなわち、前記ベース板の他の部位よりも大きな熱伝導率を有する補強板を用いることで、熱抵抗を小さくすることができる。その結果、より信頼性を向上することができる。

補強板１３にＦｅ又はＦｅ合金の材質を用いた場合は、熱抵抗が増大する傾向にある。しかし、補強板１３に設けられた円形又は矩形の開口部１３ａ内部はＡｌによって埋め込まれるので、熱抵抗の増大が抑制される。

以上から、補強板１３の材質にＣｕを用いるかＦｅを用いるか、又は開口部１３ａを設けるか否かは、そりの低減量の度合いと熱伝導性向上の要否により選択すればよい。

また曲げ弾性率は、図７から、Ｃｕが約１１８ＧＰａ、Ｆｅが約２１０ＧＰａ、Ａｌが約７０ＧＰａである。そのため、Ｃｕ又はＦｅの補強板１３を用いることにより、曲げ剛性が向上する。すなわち、前記ベース板の他の部位よりも大きな曲げ弾性率を有する補強板１３を用いることでベース板１の曲げ剛性が向上し、ベース板１のそりを低減することができる。

さらに、本実施の形態においては、パッケージケース７内部が封止樹脂１２によって充填されている。封止樹脂１２は、例えば低応力のエポキシ樹脂を材料としており、線膨張係数がＡｌと同等の約２３ｐｐｍ／℃、曲げ弾性率は、Ａｌの約１／７の約１０ＧＰａに選択されている。

ここで封止樹脂１２は、ベース板１の厚みの４ｍｍの約２〜３倍となる約８〜１２ｍｍ形成される。曲げ剛性の指標となる断面係数が厚み比の２乗に比例するので、曲げ剛性は、厚みの４〜９倍となり、ベース板１の剛性と略同等の値になる。

従って、高温・低温の熱ストレスを受けた場合のそりが、ベース板１と封止樹脂１２とで相殺され、ヒートサイクルによるベース板１の塑性変形が大幅に減少する。

さらにまた、パッケージケース７内に封止樹脂１２を充填することにより、半導体素子４下の半田層５の歪みが低減され、半田クラックを抑制することができる。さらに、パッケージケース７内に封止樹脂１２が充填されることによって、Ａｌワイヤ６と回路パターン３１，３２の接合部が補強され、接合部分の信頼性を向上することができる。

以上説明したように、本実施の形態においては、ベース板１が内部に補強板１３を有している。そしてさらにパッケージケース７内部を封止樹脂１２で充填しているので、図４、６（「改善品」のライン）に示すように一体型ベース板に生じるそり、及びスキを低減することができる。

本実施の形態においては、ベース板１の主表面上に凹凸部１４を有し、さらにパッケージケース７側面には側面溝１５が形成されている。凹凸部１４は、ベース板１を形成するための鋳型に形成されており、溶湯成形時にベース板１と同時に形成される。そのため、改めて凹凸部１４を形成するための機械加工は不要となる。また、パッケージケース７側面に形成される側面溝１５も、パッケージケース７形成時に同時に形成される。

これらの凹凸部１４や側面溝１５は、パッケージケース７内に充填される封止樹脂１２と、ベース板１あるいはケース７との密着性を向上を図る効果を有する。すなわち、凹凸部１４や側面溝１５に封止樹脂１２が侵入し、封止樹脂１２とケース７及びベース板１とがより強固に一体化し、密着性が向上できる。

図８〜１１は、凹凸部１４が形成された領域の構成を示す図である。また図９は、図８のＢ−Ｂ線断面図に対応している。絶縁基板２の周囲に溶湯成形時に配置される外周溝１４ａは、単列でも複列でもよく、また連続溝でも断続溝でも同様の効果が得られる。図８は、外周溝１４ａが２列の連続溝の例を示している。そして、外周連続凸部１４ｂが外周溝１４ａに挟まれて形成されている。

図１０は、凹凸部１４として、２列の外周断続凸部１４ｃが形成された場合を示している。また、図１１は、図１０のＣ−Ｃ線断面図を示している。このように、外周断続凸部１４ｃを形成することによっても、封止樹脂１２とベース板１の密着性を高めることができる。

なお、外周連続凸部１４ｂ、外周断続凸部１４ｃは、凹状に形成しても同様の効果が得られる。

次に、外部電極がケース７内部に埋め込まれる構造のケースにおいて、封止樹脂１２とケース７の密着性を高める方法について説明する。

図１２は、外部電極をケース７内部に埋め込んだケース埋込電極８３を有する半導体装置の部分断面図を示している。ケース埋込電極８３を有する半導体装置は、パッケージケース７内側の下部に傾斜部１６を形成することができる。傾斜部１６により、封止樹脂１２とケース７の密着性をさらに向上することができる。

凹凸部１４、パッケージケース７側面に配置される側面溝１５、及びパッケージケース７内側の下部に設けられた傾斜部１６は、必ずしも絶対必要条件ではない。しかし、封止樹脂１２とベース板１及びケース７との密着性が向上することにより、半導体装置の長期信頼性を向上できる。

＜実施の形態２＞
本実施の形態に係る半導体装置では、補強板１３の開口部１３ａの内周にも折り返しつば部１３ｂが形成されている。その他の構成は、実施の形態１と同様であり、実施の形態１と同一の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

図１３は、本実施の形態に係る補強板１３の構成を示す上面図である。また、図１４は、図１３のＤ−Ｄ線断面図を示している。さらに図１５は、図１３のＥ−Ｅ線断面図を示している。図１３〜１５に示すように、開口部１３ａの内周には折り返しつば部１３ｂが形成されている。折り返しつば部１３ｂは、例えば打ち抜きプレス法などを用いて容易に形成することができる。

開口部１３ａの内周に折り返しつば部１３ｂを設けることでさらに曲げ剛性を向上することができる。その結果、補強板１３として薄い板を用いた場合であっても、十分な曲げ剛性を得ることができる。

また、開口部１３ａは、円形の形状である必要はなく、矩形の形状であってもよい。図１６は、矩形状の開口部１３ｃ，１３ｄが形成された補強板１３の構成を示す上面図である。また、図１７は図１６のＦ−Ｆ線断面図を表し、図１８は図１６のＧ−Ｇ線断面図を表している。

図１６は補強板１３は、複数の箇所（図１６の例では３箇所）に長方形状の開口部１３ｃが形成され、開口部１３ｃの長辺が補強板１３の長手方向に沿って配置されている。また開口部１３ｃの内縁のうち、長辺側には折り返しつば部１３ｂが形成されている。

さらに、開口部１３ｃ間の複数箇所（図１６の例では、開口部１３ｃで挟まれた２つの領域に４箇所ずつ計８箇所）に長方形状の開口部１３ｄが形成されている。開口部１３ｄは、長辺が補強板１３の短手方向に沿って配置されている。また開口部１３ｄの内縁のうち、長辺側には折り返しつば部１３ｂが形成されている。そして、補強板１３の外周には折り返しつば部１３ｂがさらに形成されている。このような補強板１３を用いても、曲げ剛性を向上させることができる。

＜実施の形態３＞
図１９は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。本実施の形態に係る半導体装置は、図１９に示すように、ベース板１に補強板１３を形成しない半導体装置に対応している。その他の構成は実施の形態１と同様であり、同一の構成には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

本実施の形態は、以上のように構成されているので、パッケージケース７内部に充填される封止樹脂１２によってベース板１のそりを改善することができる。そのため、比較的一体型ベース板１のサイズが小さくそりの程度が小さい場合に、実施の形態１に比べて簡単な構成でそりを改善することができる。

また、パッケージケース７内に封止樹脂１２を充填することにより、半導体素子４下の半田層５の歪みが低減され、半田クラックを抑制することができる。さらに、パッケージケース７内に封止樹脂１２が充填されることによって、Ａｌワイヤ６と回路パターン３１，３２の接合部が補強され、接合部分の信頼性を向上することができる。

＜実施の形態４＞
図２０は、本実施の形態に係る半導体装置の構成を示す断面図である。本実施の形態は、パッケージケース７内部を封止樹脂１２により充填せず、従来技術と同様にシリコンゲル１１により充填している。そして、パッケージケース７の最表面（シリコンゲル１１の表面）を封止樹脂１２により充填している。その他の構成は実施の形態１と同様であり、同一の構成には同一符号を付し重複する説明は省略する。

本実施の形態は、以上のように構成されているので、ベース板１内部に一体に形成された補強板１３のみでベース板１のそりを改善することができる。そのため、一体型ベース板１のサイズが比較的小さく、そりの程度が小さい場合に、実施の形態１に比べて簡単な構成でそりを改善することができる。

実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す断面図である。実施の形態１に係る半導体装置に用いられる補強板の上面図である。組立工程時に、従来の半導体装置に生じるそりを説明するための断面図である。加熱温度と、一体型ベース板のそり量との相間を示す図である。ヒートサイクル後における従来の一体型ベース板の状態を示す断面図である。ヒートサイクル後に一体型ベース板に生じるスキＳを示す図である。Ｃｕ，Ｆｅ，Ａｌの概略物性値を示す図である。実施の形態１に係る一体型ベース板に配置される凹凸部の構成を示す上面図である。実施の形態１に係る一体型ベース板に配置される凹凸部の構成を示す断面図である。実施の形態１に係る一体型ベース板に配置される凹凸部の構成を示す上面図である。実施の形態１に係る一体型ベース板に配置される凹凸部の構成を示す断面図である。実施の形態１に係るパッケージケースに形成される傾斜部を示す断面図である。実施の形態２に係る補強板の上面図である。実施の形態２に係る補強板の断面図である。実施の形態２に係る補強板の断面図である。実施の形態２に係る補強板の上面図である。実施の形態２に係る補強板の断面図である。実施の形態２に係る補強板の断面図である。実施の形態３に係る半導体装置の構成を示す断面図である。実施の形態４に係る半導体装置の構成を示す断面図である。

符号の説明

１ベース板、２絶縁基板、４半導体素子、７パッケージケース、１２封止樹脂、１３補強板、１３ｂ折り返しつば部、１４凹凸部、１５側面溝、１６傾斜部、２１放熱プレート、３１，３２回路パターン。

Claims

ベース板と、
前記ベース板上に接合された絶縁基板と、
前記絶縁基板上に接合された回路パターンと、
前記回路パターン上に接合された半導体素子と、
前記半導体素子を囲うように、前記ベース板上に形成されたケースと、
を備える半導体装置であって、
前記ベース板は、その内部に、前記ベース板の他の部位よりも線膨張係数の低い補強体を備え、
前記補強体は、前記ベース板の他の部位よりも大きな熱伝導率を有することを特徴とする半導体装置。
ベース板と、
前記ベース板上に接合された絶縁基板と、
前記絶縁基板上に接合された回路パターンと、
前記回路パターン上に接合された半導体素子と、
前記半導体素子を囲うように、前記ベース板上に形成されたケースと、
を備える半導体装置であって、
前記ベース板は、その内部に、前記ベース板の他の部位よりも線膨張係数の低い補強体を備え、
前記補強体は、開口部を有し、当該補強体の端部若しくは前記開口部の内周の少なくとも一方に折り返しつば部を備えることを特徴とする半導体装置。
前記補強体は、前記ベース板の他の部位よりも大きな曲げ弾性率を有することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
前記ケース内部に充填された封止樹脂をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記ベース板の曲げ剛性と略等しい曲げ剛性を有することを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の半導体装置。
ベース板と、
前記ベース板上に接合された絶縁基板と、
前記絶縁基板上に接合された回路パターンと、
前記回路パターン上に接合された半導体素子と、
前記半導体素子を囲うように、前記ベース板上に形成されたケースと、
を備える半導体装置であって、
前記ケース内部に充填された封止樹脂をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記ベース板の曲げ剛性と略等しい曲げ剛性を有することを特徴とする半導体装置。
前記ケースは、前記ケース内側の側面に形成された溝を備えることを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の半導体装置。
前記ケースは、前記ケース内側の下部に傾斜部を備えることを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の半導体装置。
前記ベース板は、前記ケース内に臨む表面に凹凸部を有することを特徴とする請求項１から７の何れかに記載の半導体装置。