JPH06450Y2 - コイル可動式イオンプレ−テイング装置 - Google Patents
コイル可動式イオンプレ−テイング装置Info
- Publication number
- JPH06450Y2 JPH06450Y2 JP12831886U JP12831886U JPH06450Y2 JP H06450 Y2 JPH06450 Y2 JP H06450Y2 JP 12831886 U JP12831886 U JP 12831886U JP 12831886 U JP12831886 U JP 12831886U JP H06450 Y2 JPH06450 Y2 JP H06450Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- crucible
- ion plating
- film
- frequency excitation
- Prior art date
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は高周波励起用コイルが移動可能に構成されたコ
イル可動式イオンプレーティング装置に関する。
イル可動式イオンプレーティング装置に関する。
［従来の技術］ 高周波励起による高周波イオンプレーティング方式はイ
オン化効率が高いこと、被成膜体である基板の温度の上
昇や逆スパッタがないこと、従って反応性イオンプレー
ティングが容易であるなど多くの優れた特徴を有するた
め、近年利用の動きが高まっている。
オン化効率が高いこと、被成膜体である基板の温度の上
昇や逆スパッタがないこと、従って反応性イオンプレー
ティングが容易であるなど多くの優れた特徴を有するた
め、近年利用の動きが高まっている。
［本考案が解決しようとする問題点］ 上記した従来の高周波イオンプレーティングを実施する
装置では、一般的に、高周波励起用コイルが蒸発源ルツ
ボの直上に配置されている。しかし、アルミナ（Ａ２
Ｏ３）等の絶縁物をこの種イオンプレーティング装置で
成膜する場合、成膜プロセス中に高周波励起用コイルに
絶縁物が付着してしまい、異常放電が発生することがあ
る。この異常放電によって、材料蒸発用電源の電子エレ
メントが破損したりして正常な成膜作用が出来なくな
り、良質の膜が得られないという問題がある。
装置では、一般的に、高周波励起用コイルが蒸発源ルツ
ボの直上に配置されている。しかし、アルミナ（Ａ２
Ｏ３）等の絶縁物をこの種イオンプレーティング装置で
成膜する場合、成膜プロセス中に高周波励起用コイルに
絶縁物が付着してしまい、異常放電が発生することがあ
る。この異常放電によって、材料蒸発用電源の電子エレ
メントが破損したりして正常な成膜作用が出来なくな
り、良質の膜が得られないという問題がある。
本考案は上記した問題点がなく、アルミナ（Ａ
２Ｏ３）等の絶縁物を成膜する場合にも良質の成膜が得
られるコイル可動式イオンプレーティング装置を提供す
ることを目的とするものである。
２Ｏ３）等の絶縁物を成膜する場合にも良質の成膜が得
られるコイル可動式イオンプレーティング装置を提供す
ることを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］ 本考案のコイル可動式イオンプレーティング装置は、 吸排気系を有する真空槽と、 該真空槽内に設けられた蒸発源ルツボ、及び該ルツボに
対向する被成膜体用支持台と、 該ルツボと該支持台との間に位置する高周波励起用コイ
ルと、 を有するイオンプレーティング装置において、 前記コイルは、前記ルツボの直上の位置と、該直上の位
置をはずれた位置とを、外部操作により、移動可能に設
置されていることを特徴とするものである。
対向する被成膜体用支持台と、 該ルツボと該支持台との間に位置する高周波励起用コイ
ルと、 を有するイオンプレーティング装置において、 前記コイルは、前記ルツボの直上の位置と、該直上の位
置をはずれた位置とを、外部操作により、移動可能に設
置されていることを特徴とするものである。
［作用］ 本考案のコイル可動式イオンプレーティング装置では、
高周波励起用コイルが蒸発源ルツボの直上位置と、この
直上の位置をはずれた位置とを外部操作により、移動可
能に設置されている。従ってアルミナ（Ａ２Ｏ３）等
の絶縁物を蒸着する際には、前記コイルを外部操作によ
って、蒸発源ルツボ直上からはずれた位置へ移動するよ
うにしてコイルに絶縁物が付着することが防止される。
このとき、薄膜形成の機構は、真空蒸着法による。
高周波励起用コイルが蒸発源ルツボの直上位置と、この
直上の位置をはずれた位置とを外部操作により、移動可
能に設置されている。従ってアルミナ（Ａ２Ｏ３）等
の絶縁物を蒸着する際には、前記コイルを外部操作によ
って、蒸発源ルツボ直上からはずれた位置へ移動するよ
うにしてコイルに絶縁物が付着することが防止される。
このとき、薄膜形成の機構は、真空蒸着法による。
［実施例］ 以下、本考案のコイル可動式イオンプレーティング装置
の１実施例を図面に基づいて説明する。
の１実施例を図面に基づいて説明する。
本実施例のコイル可動式イオンプレーティング装置によ
る導電性材料成膜時の膜式断面図を第１図に、その平面
図を第２図に、また絶縁性材料成膜時の膜式断面図を第
３図に、その平面図を第４図に、それぞれ示す。
る導電性材料成膜時の膜式断面図を第１図に、その平面
図を第２図に、また絶縁性材料成膜時の膜式断面図を第
３図に、その平面図を第４図に、それぞれ示す。
第１図及び第２図に示すように、吸排気系（図示せず）
を有する真空槽１には、被成膜体である基板２を保持す
る回動可能な支持台３（陰極）と、高周波励起用コイル
４と、電子ビーム（ＥＢ）加熱式の蒸発源ルツボ５と、
ＥＢガン６が収納配置されている。なお第２図に示すよ
うにコイル４は回転軸７によって回転可能に支持された
支持アーム８の先端に取付けられている。上記したよう
に第１図及び第２図は導電性材料成膜時の状態を図示す
るもので、高周波励起用コイル４は蒸発源ルツボ５の直
上の位置にて維持される。
を有する真空槽１には、被成膜体である基板２を保持す
る回動可能な支持台３（陰極）と、高周波励起用コイル
４と、電子ビーム（ＥＢ）加熱式の蒸発源ルツボ５と、
ＥＢガン６が収納配置されている。なお第２図に示すよ
うにコイル４は回転軸７によって回転可能に支持された
支持アーム８の先端に取付けられている。上記したよう
に第１図及び第２図は導電性材料成膜時の状態を図示す
るもので、高周波励起用コイル４は蒸発源ルツボ５の直
上の位置にて維持される。
次に絶縁性材料を成膜する際には、第４図に示すよう
に、支持アーム８は回転軸７を支点として回動し高周波
励起用コイル４は、蒸発源ルツボ５の直上の位置からは
ずれた位置へ移動される。コイル４の移動は真空槽１の
外部からの機械的操作（図示せず）或いは電気的スイッ
チ（図示せず）の切換操作により行うことが出来る。
に、支持アーム８は回転軸７を支点として回動し高周波
励起用コイル４は、蒸発源ルツボ５の直上の位置からは
ずれた位置へ移動される。コイル４の移動は真空槽１の
外部からの機械的操作（図示せず）或いは電気的スイッ
チ（図示せず）の切換操作により行うことが出来る。
このように、アルミナ（Ａ２Ｏ３）等絶縁性材料の蒸
着の際に高周波励起用コイル蒸発粒子の通路から出来る
だけ遠ざかった位置におかれるためコイルへ絶縁物が付
着して、異常放電の生じることが防止される。
着の際に高周波励起用コイル蒸発粒子の通路から出来る
だけ遠ざかった位置におかれるためコイルへ絶縁物が付
着して、異常放電の生じることが防止される。
例えば酸化インジウム（ＩＴＯ）（導電物）のに上にア
ルミナ（Ａ２Ｏ３）（絶縁物）を被膜させた透明導電
ガラスを作製する場合には、まず、第１図及び第２図の
ように高周波励起用コイル４を蒸発源ルツボ５の直上に
セットし、真空条件下、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２とを蒸発
材とした真空蒸着法により、酸化インジウム膜（ＩＴ
Ｏ）を成膜する。すなわち、イオンプレーティング装置
の支持台３に基板２をセットし、真空排気を行なう。真
空度が１０−３Ｐａになったら、Ａｒを０．２Ｐａとな
る流量だけ導入する。次に、酸素を導入し、全圧で０．
３Ｐａとする。次に、高周波励起用（ＲＦ）コイル４に
３００Ｗの電力を印加し、コイル４の周りにプラズマを
発生させ、この後ルツボ５に供給してあるＩＴＯ（Ｉｎ
２Ｏ３−５ｗｔ％ＳｎＯ２）にＥＢガン６から電子ビー
ムを照射し、成膜速度が５Å／秒となるようにパワーを
調整させ、全膜厚が２０００Åとなった時点で成膜を終
了させる。次いで、第３図及び第４図に示すようにコイ
ル４をルツボ５の直上位置からはずれた位置へ移動させ
た状態で、Ａｒガス等の不活性ガスの下、アルミナを蒸
発材としたイオンプレーティング法により、アルミナ
（Ａ２Ｏ３）膜を成膜する。
ルミナ（Ａ２Ｏ３）（絶縁物）を被膜させた透明導電
ガラスを作製する場合には、まず、第１図及び第２図の
ように高周波励起用コイル４を蒸発源ルツボ５の直上に
セットし、真空条件下、Ｉｎ２Ｏ３とＳｎＯ２とを蒸発
材とした真空蒸着法により、酸化インジウム膜（ＩＴ
Ｏ）を成膜する。すなわち、イオンプレーティング装置
の支持台３に基板２をセットし、真空排気を行なう。真
空度が１０−３Ｐａになったら、Ａｒを０．２Ｐａとな
る流量だけ導入する。次に、酸素を導入し、全圧で０．
３Ｐａとする。次に、高周波励起用（ＲＦ）コイル４に
３００Ｗの電力を印加し、コイル４の周りにプラズマを
発生させ、この後ルツボ５に供給してあるＩＴＯ（Ｉｎ
２Ｏ３−５ｗｔ％ＳｎＯ２）にＥＢガン６から電子ビー
ムを照射し、成膜速度が５Å／秒となるようにパワーを
調整させ、全膜厚が２０００Åとなった時点で成膜を終
了させる。次いで、第３図及び第４図に示すようにコイ
ル４をルツボ５の直上位置からはずれた位置へ移動させ
た状態で、Ａｒガス等の不活性ガスの下、アルミナを蒸
発材としたイオンプレーティング法により、アルミナ
（Ａ２Ｏ３）膜を成膜する。
また、熱射反射ガラスのように酸化チタン（ＴｉＯ２）
膜と酸化珪素（ＳｉＯ２）膜を積層して多層膜を形成す
るような場合には、上記透明導電ガラスの作製時と同様
に、酸化チタン（ＴｉＯ２）の成膜時には、コイル４を
ルツボ５の直上にセットし、真空条件下、ＴｉＯ２を蒸
発材とした真空蒸着法により成膜を行なう。すなわち、
イオンプレーティング装置の支持台３に基板２をセット
し、真空排気を行なう。真空度が１０−３Ｐａになった
ら、Ａｒを０．２Ｐａとなる流量だけ導入する。次に、
酸素を導入し、全圧で０．３Ｐａとする。次に、ＲＦコ
イル４に３００Ｗの電力を印加し、コイル４の周りにプ
ラズマを発生させ、この後ルツボ５に供給してある金属
ＴｉにＥＢガン６から電子ビームを照射し、成膜速度が
２０Å／秒となるようにパワーを調整させ、全膜厚が９
０ｎｍとなった時点で成膜を終了させる。また、絶縁性
材料である酸化珪素（ＳｉＯ２）膜の成膜時にはコイル
４をルツボ５の直上からはずれた位置へ移動させ、Ａｒ
ガス等の不活性ガスの下、酸化珪素を蒸発材としたイオ
ンプレーティング法により成膜を行なう。このとき、Ｉ
ＴＯ膜は、半導体であり、コイル４に付着しても絶縁膜
とはならないため、異常放電の原因にはならない。ま
た、ＴｉＯ２膜は、蒸発材料として金属Ｔｉを用いるた
め、コイル４に付着するものが主として金属Ｔｉとして
絶縁膜とならず、異常放電の原因にはならない。そし
て、この操作を繰返す。
膜と酸化珪素（ＳｉＯ２）膜を積層して多層膜を形成す
るような場合には、上記透明導電ガラスの作製時と同様
に、酸化チタン（ＴｉＯ２）の成膜時には、コイル４を
ルツボ５の直上にセットし、真空条件下、ＴｉＯ２を蒸
発材とした真空蒸着法により成膜を行なう。すなわち、
イオンプレーティング装置の支持台３に基板２をセット
し、真空排気を行なう。真空度が１０−３Ｐａになった
ら、Ａｒを０．２Ｐａとなる流量だけ導入する。次に、
酸素を導入し、全圧で０．３Ｐａとする。次に、ＲＦコ
イル４に３００Ｗの電力を印加し、コイル４の周りにプ
ラズマを発生させ、この後ルツボ５に供給してある金属
ＴｉにＥＢガン６から電子ビームを照射し、成膜速度が
２０Å／秒となるようにパワーを調整させ、全膜厚が９
０ｎｍとなった時点で成膜を終了させる。また、絶縁性
材料である酸化珪素（ＳｉＯ２）膜の成膜時にはコイル
４をルツボ５の直上からはずれた位置へ移動させ、Ａｒ
ガス等の不活性ガスの下、酸化珪素を蒸発材としたイオ
ンプレーティング法により成膜を行なう。このとき、Ｉ
ＴＯ膜は、半導体であり、コイル４に付着しても絶縁膜
とはならないため、異常放電の原因にはならない。ま
た、ＴｉＯ２膜は、蒸発材料として金属Ｔｉを用いるた
め、コイル４に付着するものが主として金属Ｔｉとして
絶縁膜とならず、異常放電の原因にはならない。そし
て、この操作を繰返す。
［考案の効果］ 本案のコイル可動式イオンプレーティング装置によれ
ば、高周波励起用コイルが蒸発源ルツボの直上位置と、
これからはずれた位置とに自由にセット出来るため、絶
縁物の成膜時にコイルに絶縁物が付着し、異常放電が発
生するといった事態が回避出来る。又、導電物と絶縁物
を連続して成膜する場合にも真空槽の外部のスイッチ又
は機械的操作により迅速にそれぞれの成膜目的に適した
状態にセットすることが可能となり大なる実用的効果を
有する。
ば、高周波励起用コイルが蒸発源ルツボの直上位置と、
これからはずれた位置とに自由にセット出来るため、絶
縁物の成膜時にコイルに絶縁物が付着し、異常放電が発
生するといった事態が回避出来る。又、導電物と絶縁物
を連続して成膜する場合にも真空槽の外部のスイッチ又
は機械的操作により迅速にそれぞれの成膜目的に適した
状態にセットすることが可能となり大なる実用的効果を
有する。
第１図は本考案のコイル可動式イオンプレーティング装
置の１実施例における導電性材料成膜時の状態を示す模
式断面図であり、第２図はその平面図である。第３図は
本案のコイル可動式イオンプレーティング装置の１実施
例における絶縁性材料成膜時の状態を示す模式断面図で
あり、第４図はその平面図である。 １…真空槽 ２…基板（被成膜体） ３…支持台（被成膜体用支持台） ４…高周波励起用コイル
置の１実施例における導電性材料成膜時の状態を示す模
式断面図であり、第２図はその平面図である。第３図は
本案のコイル可動式イオンプレーティング装置の１実施
例における絶縁性材料成膜時の状態を示す模式断面図で
あり、第４図はその平面図である。 １…真空槽 ２…基板（被成膜体） ３…支持台（被成膜体用支持台） ４…高周波励起用コイル
Claims (2)
- 【請求項１】吸排気系を有する真空槽と、 該真空槽内に設けられた蒸発源ルツボ、及び該ルツボに
対向する被成膜体用支持台と、 該ルツボと該支持台との間に位置する高周波励起用コイ
ルと、 を有するイオンプレーティング装置において、 前記コイルは、前記ルツボの直上の位置と、該直上の位
置をはずれた位置とを、外部操作により、移動可能に設
置されていることを特徴とするコイル可動式イオンプレ
ーティング装置。 - 【請求項２】高周波励起用コイルは、被成膜体への絶縁
物成膜時に蒸発源ルツボから外れた位置へ移動される実
用新案登録請求の範囲第１項記載のコイル可動式イオン
プレーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12831886U JPH06450Y2 (ja) | 1986-08-23 | 1986-08-23 | コイル可動式イオンプレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12831886U JPH06450Y2 (ja) | 1986-08-23 | 1986-08-23 | コイル可動式イオンプレ−テイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6334164U JPS6334164U (ja) | 1988-03-04 |
| JPH06450Y2 true JPH06450Y2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=31023878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12831886U Expired - Lifetime JPH06450Y2 (ja) | 1986-08-23 | 1986-08-23 | コイル可動式イオンプレ−テイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06450Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-08-23 JP JP12831886U patent/JPH06450Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6334164U (ja) | 1988-03-04 |
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