JPS59100270A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
- Publication number
- JPS59100270A JPS59100270A JP20929382A JP20929382A JPS59100270A JP S59100270 A JPS59100270 A JP S59100270A JP 20929382 A JP20929382 A JP 20929382A JP 20929382 A JP20929382 A JP 20929382A JP S59100270 A JPS59100270 A JP S59100270A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- thin film
- compsn
- component
- ratio
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は簡便にしてかつ連続的に組成比を制御できる薄
膜形成方法に関するものである。
膜形成方法に関するものである。
従来、スパッタリングによる化合物薄膜の形成には化合
物のターゲットを用いてＡｒなど不活性気体でスパッタ
する方法や、雰囲気中に目的とする元素の気体を入れ化
合物や単元素のターゲットを用いてスパッタし反応させ
て薄膜を形成する方法が用いられている。このような場
合ターゲットの組成比を変えることや、スパッタリング
雰囲気を変えることにより行われていた。
物のターゲットを用いてＡｒなど不活性気体でスパッタ
する方法や、雰囲気中に目的とする元素の気体を入れ化
合物や単元素のターゲットを用いてスパッタし反応させ
て薄膜を形成する方法が用いられている。このような場
合ターゲットの組成比を変えることや、スパッタリング
雰囲気を変えることにより行われていた。
化合物ターゲットの組成比を変える方法では、連続的に
組成比を変えることは不可能である。また、所望の組成
比の化合物薄膜を得るために、所望の組成比の化合物タ
ーゲットを用いてスパッタリングを行なつていても、一
般的に所望の組成比の化合物薄膜を得ることは困難であ
り、種々の組成比のターゲットを製造して組成比を検討
する必要があつた。
組成比を変えることは不可能である。また、所望の組成
比の化合物薄膜を得るために、所望の組成比の化合物タ
ーゲットを用いてスパッタリングを行なつていても、一
般的に所望の組成比の化合物薄膜を得ることは困難であ
り、種々の組成比のターゲットを製造して組成比を検討
する必要があつた。
また、雰囲気中に所望の化合物に含まれる気体を導入し
てスパッタリングを行ない化合物薄膜を形成する方法で
は、連続的に組成比を変えることはできるが、雰囲気中
の不純物残留ガスの影響などにより、再現性に劣る欠点
があつた。
てスパッタリングを行ない化合物薄膜を形成する方法で
は、連続的に組成比を変えることはできるが、雰囲気中
の不純物残留ガスの影響などにより、再現性に劣る欠点
があつた。
本発明は、これらの欠点を解決するため、可動型の調整
用ターゲットを用いて、スパッタリングによる任意の組
成比の化合物薄膜を連続的にしかも再現性よく形成する
ことができるようにした薄膜形成方法を提供するもので
ある。
用ターゲットを用いて、スパッタリングによる任意の組
成比の化合物薄膜を連続的にしかも再現性よく形成する
ことができるようにした薄膜形成方法を提供するもので
ある。
以下図面について詳細に説明する。
第1図は本発明の実施例であつて、サドルフィールド型
の高速原子線源を用いたスパッタ装置の構成図である。
の高速原子線源を用いたスパッタ装置の構成図である。
第1図において、1はカソード、２はアノード、３はグラ
ファイトメッシュ、４はターゲット、５は基板、６はス
パッタ薄膜である。
ファイトメッシュ、４はターゲット、５は基板、６はス
パッタ薄膜である。
これを動作させるには、本装置内を１０−６Ｔｏｒｒ程
度の高真空にした後１０−３〜１０−４Ｔｏｒｒ程度の
不活性気体（例えばＡｒ）で満たし、カソード１とアノ
ード２間に高電圧を印可して、グラファイトメッシュ３
越しに加速した中性の不活性原子（例えばＡｒ原子）を
ターゲット４に入射させ、ターゲット物質を飛散させる
。飛散された粒子は基板５の表面にスパッタ膜６として
付着し薄膜が形成される。
度の高真空にした後１０−３〜１０−４Ｔｏｒｒ程度の
不活性気体（例えばＡｒ）で満たし、カソード１とアノ
ード２間に高電圧を印可して、グラファイトメッシュ３
越しに加速した中性の不活性原子（例えばＡｒ原子）を
ターゲット４に入射させ、ターゲット物質を飛散させる
。飛散された粒子は基板５の表面にスパッタ膜６として
付着し薄膜が形成される。
なお、この実施例では、サドルフィールド方の高速原子
線源を用いているが、本発明はこれに拘束されるもので
はない。
線源を用いているが、本発明はこれに拘束されるもので
はない。
ターゲット５についてさらに詳細に説明する。
所望とする化合物成分をＡ、Ｂとすると、ターゲットを
第２図（ｃ）のように構成する。第２図において、７は
固定のＡターゲット、８は固定のＢターゲット、９は調
節用のもう一つのＢターゲットである。第２図（ｃ）に
示すように、第２図（ａ）に示されるようなターゲット
の上面に調節用ターゲット９を置きこのターゲット９を
適当に回転させて、ターゲット７及び８との重ね合せ角
度を調節することにより、Ａターゲット７とＢターゲッ
ト８の面積比を変化させる。このようにターゲットの面
積比を変化させることにより、所望とする組成比の化合
物薄膜を得ることができる。
第２図（ｃ）のように構成する。第２図において、７は
固定のＡターゲット、８は固定のＢターゲット、９は調
節用のもう一つのＢターゲットである。第２図（ｃ）に
示すように、第２図（ａ）に示されるようなターゲット
の上面に調節用ターゲット９を置きこのターゲット９を
適当に回転させて、ターゲット７及び８との重ね合せ角
度を調節することにより、Ａターゲット７とＢターゲッ
ト８の面積比を変化させる。このようにターゲットの面
積比を変化させることにより、所望とする組成比の化合
物薄膜を得ることができる。
第３図で、もう一つのターゲット構成法を説明する。第
３図において、１０は固定のＢターゲット、１１は固定
のＡターゲット、１２は調節用のもう一つのＡターゲッ
トである。第３図（ｃ）に示すように、Ｂターゲット１
０の上面にＡターゲット１１、１２を置き、調節用のＡ
ターゲット１２を回転させることにより、Ａターゲット
１１との重ね合せ角度を変えて、ＡとＢとの面積比を調
節することにより、所望とする組成比の化合物薄膜を得
ることができる。
３図において、１０は固定のＢターゲット、１１は固定
のＡターゲット、１２は調節用のもう一つのＡターゲッ
トである。第３図（ｃ）に示すように、Ｂターゲット１
０の上面にＡターゲット１１、１２を置き、調節用のＡ
ターゲット１２を回転させることにより、Ａターゲット
１１との重ね合せ角度を変えて、ＡとＢとの面積比を調
節することにより、所望とする組成比の化合物薄膜を得
ることができる。
第４図で、もう一つのターゲット構成法を説明する。第
４図において、１３は固定のＢターゲット、１４は固定
のＡターゲット、１５は調節用のもう一つのＡターゲッ
トである。第４図（ｃ）に示すように、Ｂターゲット１
３の上面に、Ａターゲット１５を置き、調節用のもう一
つのＡターゲット１４を動かして、Ａターゲット１４と
１５との重ね合せ面積を変えてＡターゲットとＢターゲ
ットとの面積比を調節することにより、所望とする組成
比の化合物薄膜を得ることができる。なお、本発明は上
記の実施例に限ることなく、面積比を変えるための調節
用ターゲットを用いるものは全て本発明に含まれる。
４図において、１３は固定のＢターゲット、１４は固定
のＡターゲット、１５は調節用のもう一つのＡターゲッ
トである。第４図（ｃ）に示すように、Ｂターゲット１
３の上面に、Ａターゲット１５を置き、調節用のもう一
つのＡターゲット１４を動かして、Ａターゲット１４と
１５との重ね合せ面積を変えてＡターゲットとＢターゲ
ットとの面積比を調節することにより、所望とする組成
比の化合物薄膜を得ることができる。なお、本発明は上
記の実施例に限ることなく、面積比を変えるための調節
用ターゲットを用いるものは全て本発明に含まれる。
このような構成になつているので、所望の組成比の化合
物薄膜がターゲットを取り換えることなく連続的にしか
も再現性よく形成することができる。
物薄膜がターゲットを取り換えることなく連続的にしか
も再現性よく形成することができる。
以上説明したように、調節用ターゲットを用いて、２種
のターゲットの面積比を再現性よく連続的に変えること
ができるので、所望の組成比の化合物薄膜を簡便に得る
ことができる。
のターゲットの面積比を再現性よく連続的に変えること
ができるので、所望の組成比の化合物薄膜を簡便に得る
ことができる。
本発明は、このように所望の組成比の化合物薄膜を再現
性よく得ることができるので、半導体装置の製造、超伝
導体体装置の製造、機械部品の製造など、あらゆる分野
で応用可能である。
性よく得ることができるので、半導体装置の製造、超伝
導体体装置の製造、機械部品の製造など、あらゆる分野
で応用可能である。
次に、本発明の望ましい使用例をあげる。Ｍｏ６Ｓ８は
超伝導材用であり、ＭｏＳ２は絶縁物質である。
超伝導材用であり、ＭｏＳ２は絶縁物質である。
ＢターゲットをＳ、ＡターゲットをＭｏとして、本発明
を用いてスパッタ装置の外部からＡおよびＢターゲット
の面積比を変えることができるように装置を構成してお
けば、真空を破ることなくＭｏ６Ｓ８−ＭｏＳ２−Ｍｏ
６Ｓ８の３層薄膜構造（ＳＩＳ形構造と呼ばれる）の超
伝導素子を形成することができる。
を用いてスパッタ装置の外部からＡおよびＢターゲット
の面積比を変えることができるように装置を構成してお
けば、真空を破ることなくＭｏ６Ｓ８−ＭｏＳ２−Ｍｏ
６Ｓ８の３層薄膜構造（ＳＩＳ形構造と呼ばれる）の超
伝導素子を形成することができる。
第１図は本発明の一実施例の構成図、第２図、第３図、
第４図は第１図のターゲット部分を拡大した平面図であ
る。 １・・・カソード、２・・・アノード、３・・・グラフ
ァイトメッシュ、４・・・ターゲット、５・・・基板、
６・・・スパッタ薄膜、７・・・固定のＡターゲット、
８・・・固定のＢターゲット、９・・・調節用のもう一
つのＢターゲット、１０・・・固定のＢターゲット、１
１・・・固定のＡターゲット、１２・・・調節用のもう
一つのＡターゲット、１３・・・固定のＢターゲット、
１４・・・固定のＡターゲット、１５・・・調節用のも
う一つのＡターゲット■
第４図は第１図のターゲット部分を拡大した平面図であ
る。 １・・・カソード、２・・・アノード、３・・・グラフ
ァイトメッシュ、４・・・ターゲット、５・・・基板、
６・・・スパッタ薄膜、７・・・固定のＡターゲット、
８・・・固定のＢターゲット、９・・・調節用のもう一
つのＢターゲット、１０・・・固定のＢターゲット、１
１・・・固定のＡターゲット、１２・・・調節用のもう
一つのＡターゲット、１３・・・固定のＢターゲット、
１４・・・固定のＡターゲット、１５・・・調節用のも
う一つのＡターゲット■
Claims (1)
- 固定のターゲットと調節用ターゲットにより、多元素化
合物薄膜の成分組成比を連続的に制御できるターゲット
を用いてスパッタリングを行なうことを特徴とする薄膜
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20929382A JPS59100270A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20929382A JPS59100270A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59100270A true JPS59100270A (ja) | 1984-06-09 |
Family
ID=16570538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20929382A Pending JPS59100270A (ja) | 1982-12-01 | 1982-12-01 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59100270A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050163A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 二硫化モリブデン薄膜の形成方法 |
| JPS60131965A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタ用タ−ゲツト装置 |
| JPS61104068A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 硫化タングステン薄膜の形成方法 |
| JPH086176B2 (ja) * | 1985-05-02 | 1996-01-24 | ヒユ−レット・パッカ−ド・カンパニ− | 磁性層をスパッタ付着するためのターゲット |
| CN109507451A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-03-22 | 西安交通大学 | 一种基于二硫化钼薄膜的加速度传感器芯片及其加工方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS577119B2 (ja) * | 1974-04-18 | 1982-02-08 |
-
1982
- 1982-12-01 JP JP20929382A patent/JPS59100270A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS577119B2 (ja) * | 1974-04-18 | 1982-02-08 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6050163A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 二硫化モリブデン薄膜の形成方法 |
| JPS60131965A (ja) * | 1983-12-19 | 1985-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタ用タ−ゲツト装置 |
| JPS61104068A (ja) * | 1984-10-26 | 1986-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 硫化タングステン薄膜の形成方法 |
| JPS6314063B2 (ja) * | 1984-10-26 | 1988-03-29 | Nippon Telegraph & Telephone | |
| JPH086176B2 (ja) * | 1985-05-02 | 1996-01-24 | ヒユ−レット・パッカ−ド・カンパニ− | 磁性層をスパッタ付着するためのターゲット |
| CN109507451A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-03-22 | 西安交通大学 | 一种基于二硫化钼薄膜的加速度传感器芯片及其加工方法 |
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