JPS61250166A - 多成分薄膜の製造方法 - Google Patents
多成分薄膜の製造方法Info
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- JPS61250166A JPS61250166A JP9004185A JP9004185A JPS61250166A JP S61250166 A JPS61250166 A JP S61250166A JP 9004185 A JP9004185 A JP 9004185A JP 9004185 A JP9004185 A JP 9004185A JP S61250166 A JPS61250166 A JP S61250166A
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- JP
- Japan
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- target
- component
- thin film
- sputtering rate
- sputtering
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はスパッタ蒸着によって多成分からなる薄膜を製
造する方法に関するものである。
造する方法に関するものである。
従来の技術
従来、各種の薄膜を製造する方法としてスパッタ蒸着法
がよく用いられている。これは、放電によって生じたイ
オンをターゲットと呼ばれる原料固体の表面に照射して
スパッタ蒸発させ、基板上に薄膜を形成する方法である
。この方法により多成分からなる薄膜を形成する場合、
各成分の比率を精密に制御したり、また形成中に組成を
変化させるために、各成分をそれぞれ独立したターゲッ
トから印加電力を個別に制御しつつスパッタ蒸発させる
多元スパッタ法が用いられることがある（例えば、第３
１回応用物理学関係連合講演会、講演予稿集（昭５９．
３．２９）、Ｐ、２３６）。
がよく用いられている。これは、放電によって生じたイ
オンをターゲットと呼ばれる原料固体の表面に照射して
スパッタ蒸発させ、基板上に薄膜を形成する方法である
。この方法により多成分からなる薄膜を形成する場合、
各成分の比率を精密に制御したり、また形成中に組成を
変化させるために、各成分をそれぞれ独立したターゲッ
トから印加電力を個別に制御しつつスパッタ蒸発させる
多元スパッタ法が用いられることがある（例えば、第３
１回応用物理学関係連合講演会、講演予稿集（昭５９．
３．２９）、Ｐ、２３６）。
発明が解決しようとする問題点
このような多元スパッタ法において、各成分のスパッタ
率が大きく異なる場合には、スパッタ率の高い成分から
なるターゲットに印加する電力を著しく小さくしなけれ
ばならず、放電が不安定になって組成比の制御性が低下
するという問題点があった。
率が大きく異なる場合には、スパッタ率の高い成分から
なるターゲットに印加する電力を著しく小さくしなけれ
ばならず、放電が不安定になって組成比の制御性が低下
するという問題点があった。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、簡易な構成
によりスパッタ率の大きく異なる成分を含む多成分薄膜
であっても安定に精度よく形成する方法を提供すること
を目的としている。
によりスパッタ率の大きく異なる成分を含む多成分薄膜
であっても安定に精度よく形成する方法を提供すること
を目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、上記の多元スパッ
タ法において、スパッタ率の高い成分からなるターゲッ
トの表面の一部をスパッタ率の低い成分で覆うことによ
り、安定に精度よく多成分薄膜を形成することを可能忙
するものである。
タ法において、スパッタ率の高い成分からなるターゲッ
トの表面の一部をスパッタ率の低い成分で覆うことによ
り、安定に精度よく多成分薄膜を形成することを可能忙
するものである。
作 用
本発明は上記した構成により、スパッタ率の高い成分の
実効的なターゲット面積を減少せしめ、放電を安定に維
持できる程度の電力を印加しても、各成分の蒸発量比が
適切に保たれるという作用にもとづくものである。
実効的なターゲット面積を減少せしめ、放電を安定に維
持できる程度の電力を印加しても、各成分の蒸発量比が
適切に保たれるという作用にもとづくものである。
実施例
第１図は本発明の一実施例において用いられるスパッタ
装置の構成を示す概略図である。第１図において、１お
よび２はそれぞれ異なる成分からなる第１および第２の
ターゲットである。ここで第１ターゲツトの成分は、第
２ターゲツトの成分に比べてスパッタ率が大きいものと
する。この場合、第１ターゲツトの表面の一部は第２タ
ーゲ。
装置の構成を示す概略図である。第１図において、１お
よび２はそれぞれ異なる成分からなる第１および第２の
ターゲットである。ここで第１ターゲツトの成分は、第
２ターゲツトの成分に比べてスパッタ率が大きいものと
する。この場合、第１ターゲツトの表面の一部は第２タ
ーゲ。
トの成分からなる補助ターゲット３で覆われている。ま
た各ターゲットには独立した高圧電源１１および１２が
接続されている。このような構成において、各ターゲラ
）Ｋ適切な電力を印加すると放電により各成分がスパッ
タ蒸発し、基板４の表面に目的とする多成分薄膜が形成
される。この場合、第１ターゲツトの成分のスパッタ率
が著しく高くても、補助ターゲットの面積を十分に大き
くしておくことにより第１ターゲツト成分の蒸発量が適
切に抑制される。その結果、第１ターゲツトに対し放電
を安定に維持し得る十分に大きな電力を印加しても、適
切な成分比を有する薄膜を得ることができる。またこの
ような状態において、各ターゲットに印加する電力の比
を調節することにより、薄膜の成分比を精密に制御する
ことができる。
た各ターゲットには独立した高圧電源１１および１２が
接続されている。このような構成において、各ターゲラ
）Ｋ適切な電力を印加すると放電により各成分がスパッ
タ蒸発し、基板４の表面に目的とする多成分薄膜が形成
される。この場合、第１ターゲツトの成分のスパッタ率
が著しく高くても、補助ターゲットの面積を十分に大き
くしておくことにより第１ターゲツト成分の蒸発量が適
切に抑制される。その結果、第１ターゲツトに対し放電
を安定に維持し得る十分に大きな電力を印加しても、適
切な成分比を有する薄膜を得ることができる。またこの
ような状態において、各ターゲットに印加する電力の比
を調節することにより、薄膜の成分比を精密に制御する
ことができる。
第２図は本発明の他の実施例【おいて用いられるスパッ
タ装置の構成を示す概略図である。本実施例では各ター
ゲットの裏側に磁石２１および２２を備えた、いわゆる
マグネトロン・カソード方式がとられている。この場合
、ターゲット表面付近に集中して°発生する磁界６の付
近に放電が生じるため、スパッタ蒸発も主としてこの磁
界集中領域において生じる。このため、補助ターゲット
３はこの磁界集中領域を覆うように配置されており、そ
の結果第１ターゲツト成分の蒸発量が有効に抑制される
。本実施例でもその作用、効果は前述の実施例と同様で
あり、薄膜の成分比を精密に制御することができる。
タ装置の構成を示す概略図である。本実施例では各ター
ゲットの裏側に磁石２１および２２を備えた、いわゆる
マグネトロン・カソード方式がとられている。この場合
、ターゲット表面付近に集中して°発生する磁界６の付
近に放電が生じるため、スパッタ蒸発も主としてこの磁
界集中領域において生じる。このため、補助ターゲット
３はこの磁界集中領域を覆うように配置されており、そ
の結果第１ターゲツト成分の蒸発量が有効に抑制される
。本実施例でもその作用、効果は前述の実施例と同様で
あり、薄膜の成分比を精密に制御することができる。
以上に述べた実施例では、薄膜の成分が２種類の場合に
ついて示したが、更に多数の成分を含む場合も、成分数
に応じた数のターゲットを用いるとと忙より、同様の効
果を得ることができるのはいうまでもない。
ついて示したが、更に多数の成分を含む場合も、成分数
に応じた数のターゲットを用いるとと忙より、同様の効
果を得ることができるのはいうまでもない。
発明の効果
以上述べたように、本発明たよれば、スパッタ率の大き
く異なる成分を含む多成分薄膜であっても、安定かつ精
密に成分比を制御しつつ形成することができ、実用的に
きわめて有用である。
く異なる成分を含む多成分薄膜であっても、安定かつ精
密に成分比を制御しつつ形成することができ、実用的に
きわめて有用である。
第１図は本発明の一実施例において用いられるスパッタ
装置の構成を示す概略図、第２図は本発明の他の実施例
において用いられるスパッタ装置を示す概略図である。 １・・・・・・第１ターゲツト、２・・・・・・第２タ
ーゲツト、３・・・−・補助ターゲット、４・・・・・
・基板、６・・・・・・磁界、１１ 、１２−−−−−
−高圧電源、２１．２２・・・・・・磁石。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図
装置の構成を示す概略図、第２図は本発明の他の実施例
において用いられるスパッタ装置を示す概略図である。 １・・・・・・第１ターゲツト、２・・・・・・第２タ
ーゲツト、３・・・−・補助ターゲット、４・・・・・
・基板、６・・・・・・磁界、１１ 、１２−−−−−
−高圧電源、２１．２２・・・・・・磁石。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第 ２ 図
Claims (2)
- （１）互いに異なる成分からなる複数のターゲットを用
い、前記ターゲットのうちスパッタ率の高い成分からな
るターゲットの表面の一部をスパッタ率の低い成分で覆
い、各ターゲットに印加する電力を独立に制御しつつス
パッタ蒸着を行なうことを特徴とする多成分薄膜の製造
方法。 - （２）各ターゲットをマグネトロン・カソード上に設け
、スパッタ率の低い成分からなるターゲットの表面のう
ち、前記マグネトロン・カソードによる磁界集中領域の
少なくとも一部を含む部分をスパッタ率の低い成分で覆
うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多成分
薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60090041A JPH0699801B2 (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 多成分薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60090041A JPH0699801B2 (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 多成分薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61250166A true JPS61250166A (ja) | 1986-11-07 |
| JPH0699801B2 JPH0699801B2 (ja) | 1994-12-07 |
Family
ID=13987558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60090041A Expired - Fee Related JPH0699801B2 (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 多成分薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0699801B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6456868A (en) * | 1987-05-12 | 1989-03-03 | Sumitomo Electric Industries | Formation of large-area thin compound film and its device |
| US4956070A (en) * | 1988-04-20 | 1990-09-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Sputtering apparatus |
| KR100329630B1 (ko) * | 1998-06-08 | 2002-08-21 | 한전건 | 고속전도성세라믹/금속복합재료코팅방법 |
| JP2005234209A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びパターン転写方法 |
| JP2006265651A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 複合ペロブスカイト型化合物の膜及びその成膜方法、並びに、それを用いた液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP2008242500A (ja) * | 2008-06-26 | 2008-10-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトフォトマスクの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152963A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-26 | Hitachi Ltd | Sputtering apparatus |
| JPS6050163A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 二硫化モリブデン薄膜の形成方法 |
-
1985
- 1985-04-26 JP JP60090041A patent/JPH0699801B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152963A (en) * | 1980-04-30 | 1981-11-26 | Hitachi Ltd | Sputtering apparatus |
| JPS6050163A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 二硫化モリブデン薄膜の形成方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6456868A (en) * | 1987-05-12 | 1989-03-03 | Sumitomo Electric Industries | Formation of large-area thin compound film and its device |
| US4956070A (en) * | 1988-04-20 | 1990-09-11 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Sputtering apparatus |
| KR100329630B1 (ko) * | 1998-06-08 | 2002-08-21 | 한전건 | 고속전도성세라믹/금속복합재료코팅방법 |
| JP2005234209A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ハーフトーン位相シフトマスクブランクの製造方法、ハーフトーン位相シフトマスクブランク、ハーフトーン位相シフトマスク及びパターン転写方法 |
| JP2006265651A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 複合ペロブスカイト型化合物の膜及びその成膜方法、並びに、それを用いた液体吐出ヘッドの製造方法 |
| JP2008242500A (ja) * | 2008-06-26 | 2008-10-09 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 位相シフトマスクブランクの製造方法及び位相シフトフォトマスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0699801B2 (ja) | 1994-12-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |