JPS6050163A - 二硫化モリブデン薄膜の形成方法 - Google Patents

二硫化モリブデン薄膜の形成方法

Info

Publication number
JPS6050163A
JPS6050163A JP15598183A JP15598183A JPS6050163A JP S6050163 A JPS6050163 A JP S6050163A JP 15598183 A JP15598183 A JP 15598183A JP 15598183 A JP15598183 A JP 15598183A JP S6050163 A JPS6050163 A JP S6050163A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
thin film
mos2
sputtering
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP15598183A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroki Kuwano
博喜 桑野
Kazutoshi Nagai
一敏 長井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP15598183A priority Critical patent/JPS6050163A/ja
Publication of JPS6050163A publication Critical patent/JPS6050163A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0623Sulfides, selenides or tellurides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はK(W係数が小さく、耐久性に優れる二硫化モ
リブデン薄膜の形成方法に関する。
従来、二硫化モリブデン(MoS2)の薄膜の形成Kf
d、、M o S 2ターゲツトを用いて直流放電を利
用する直流二極スパッタリング法や高周波放電を利用す
るRFスパッタリング法などが用いられている しかしながら、このような方法で得られたMO82薄膜
は、SとMOのスパッタ率の違いやSおよびMOと残留
ガスとの反応などの要因によシ、ターゲットとその組成
のずれを生じ、S成分が不足する不都合があった。この
ため、スパッタリング雰囲気中にH2Sなどを混入して
S成分を補充することも考えられるが、H2Sは有毒か
つ腐蝕性が高く、装置を損傷するので、一般KtIi使
用し得ない、。
よって、MO82ターゲットを用いてスパッタリングし
て得られたMo S 2薄脱は、S成分の不足によって
摩擦係数や耐久性に問題があった。
本発明は上記事情に@みて役されたもので、摩擦係数が
小さく、耐久性に優れ、高い潤滑性を発揮するMO82
薄膜の形成方法を提供することを目的とするものである
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第7図は本発明の薄膜の形成方法に用いられるスパッタ
リング装置の一例を示し、ザドルフィールド型の高速原
子線源を用いたスパッタリング装置である。第7図にお
いて、符号1はカソード、2はアノード、3はクラファ
イトメツシュ、4はターゲット、5は基板、6はスパン
タ薄膜であるこれを動作させるには、装置内を10 ”
”6T orr程度の高真空にした後10−3〜10−
’ T orr程度の不活性気体(例えばAr)で満た
し、カン−)”1.!−7/−)’2間に高電圧を印加
して、グラファイトメツシュ3越しに加速した中性の不
活性原ヂ例えばA r uX子)をターゲット4に入射
させ、ターゲット物質を飛散させる。飛散された粒子は
基板50表面にスパッタ膜6として付着し薄膜が形成さ
れる。なお、この例ではサドルフィールド型の高速原子
線源を用いているが、本発明は、これに拘束されるもの
ではない1、 つぎに、第2図を参照してターゲット4についてさらに
詳しく説明する。この例においては、第2図(a) K
示すような円板状のSのターゲット7と、第2図ら)に
示すような中心角がりooの扇形状のj&のr+4 o
のターゲット8.9とヲ用いる。5(7)ターゲット7
0半径と、MOのターゲット8.9の半径とは相等しく
されている。そして、これらのターゲット7.8.9は
、ら’l、i図(c)K示ずようにその中心を一致させ
て市ね合せて用いられ、コ枚のMoのターゲット8.9
のうち、最表部のMOのターゲット9を回転させること
によシ、固定されたMOのターゲット8との重ね合せ角
度を変え、これによってターゲット4内でのSとMOと
の面積比が変えられるようKなっているーすなわち、可
動のM Oのターゲット9を回転してM Oの固定のタ
ーゲット8から位置をずらせば、2枚のMOのターゲッ
ト8.9で形成される中心角αは、900〜/ 、r 
00の範囲で変化し、ターゲット4内でのS : M 
oの面積比はり:ノル4t:、2の範囲で変化する。
したがって、可動のMOのターゲット9を回転し位置を
ずらしてスパッタリングすれば、SとMOとの原子比が
4t=7〜グ:2の範囲で変化したモリブデンの硫化物
の薄膜6が基板5上に得られることになる。
第3図に示したグラフは、このようにスパッタリングし
て得られた薄膜において、上記中心角αとMllへのS
と;VI Oとの原子比(S / M o )との関係
を示したものであυ、中心角αを変化させれば、上述の
ように原子比(S / M o )を変化させ得ること
が確認された。そして、第2図に示したターゲラ)7,
8.9を用いた場合、中心角αを//j0とすれば、原
子比(S/Mo)が正確vc’dのMoS2薄膜が得ら
ノすることかわかる。
上述のようにして得られたMoS2薄膜6は、引続いて
熱処理が施される。この熱処理は、上記M、 OS 2
薄膜を真空もしくはアルゴンガス、キセノンガス雰囲気
などの不活性雰囲気中でよ00〜弘jθ0Cで数時間加
熱するものである。この熱処理によって、MO82蒸着
薄膜の結晶性が改善されるとともに、基板5をなす物質
とM o S 2とが拡散し合うことにより基板5とM
oS2薄膜6との密着性が向上し、NI O82薄膜6
の耐久性が大きく改善される。
第μ図は結晶性改善の効果を示す奄子線回析写真で、第
≠図(a)は、熱処理をしないM OS 2薄膜の、(
b)は、200′Cコ時間の真空熱処理を施したものの
、(C)は弘00℃、一時間の真空熱処理を施したもの
の写真である。γ・5処理+itJは(a)のように7
10−を早し、アモルファス状であるが、200℃、2
時間の真空熱処理によって不明瞭ではあるが、リングパ
ターンらしきものが観察され、1l−OO℃λ時間の真
空熱処理によって面瞭なリングパターンが観察されるに
至シ、多結晶薄膜となっていることが確認された。
なお、MoS2薄膜を室温にて長時開放1にすると、結
晶化が進行せず、Sが析出、凝縮する弊害がある。
第5図は、上記熱処理を施したM O82M膜の耐久性
の改善効果を示すグラフであるー〜1082薄膜はSl
ウェハー上に約、2oooAの厚さで形成されたもので
あり、夕θ02の荷重をかけた抹圧子により往復の繰返
し7摩擦を行った時の繰返し数と摩擦係数との関係を示
している。第5図中人はS1ウエハー、Bは熱処P11
彦しのへ4O82薄膜、Cは真空中、to℃、2時間熱
処理したM o S 2薄117A、 DFi真空中、
コOθ℃、2時間熱処理したM o S 2 A’i膜
、Eii真窒中300℃、x時間熱処理したMo32薄
膜、Fは、A、空中、<t、oo℃、2時間熱処理した
I’vIoS2薄膜についての曲線をそれぞれ示す。こ
れから明らかなように、60℃、一時間の1c空雰囲気
中熱処理でも、薄膜の耐久性の改善の効果は明らかであ
シ、熱処理温度が高いほど改善効果が大きくなる傾向が
認められる。
以上部2.明したように、この発明のM’oS2薄膜の
形成方法は、ターゲットをSとM oとに分割し、Sと
Moとの面HrH比を変えてスパックリングし、得られ
た薄膜を熱処理するものであるので、スパッタリングさ
れた薄膜はその原子比(S / M o )力への、S
成分が不足しない純正なMo52薄膜となり、また熱処
理によって結晶性と基板との密M性とが改善されるので
摩擦係数が小さく、かつ耐久性に優れたhi o S 
2薄膜が得られる7、よって、本発明の形成方法によっ
て得られたM o S 2薄膜は、hios2が本来布
している優れた潤滑特性を十分発押し、固体側滑性薄膜
として極めて有用なものとなる。
【図面の簡単な説明】
第7図は本発明の形成方法に用いられるスパッタリング
装置の一仔jとしての高速原子綜温を用いたサドルフィ
ールド型スパッタリング装置の概略構成図、第一図は、
第7図の装置1りに用いられるターゲットを示す概略第
1り成M1@3図は、蒸着膜の原子比(S / M o
 )と中心角αのl′l;J係を示すグラフ、第1LL
図は、熱処理前後の薄膜の結晶+j4造を示す電子線回
折写真、第5図は、1\4082″m膜の繰υ返し摩擦
と摩擦係数との関係を示すグラフである。 4・・・・・・ターゲット、5・・・・・・基板、6・
・・・・・薄膜、7・・・・・・Sのターゲット、8・
・・・・・固定のIIV、J−0ツタ−ゲット、9・・
・・・・可動のMOのターゲット。 出願人 日本電信“電話公社 第1図 第3図 0((0J 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. スパッタリング蒸着法によって基板上に二硫化モリブデ
    ン薄膜を形成する際に、ターゲットをモリブデン部と硫
    黄部とに分割し、モリブデン部と硫黄部との面積比を変
    えてスパッタリングし、ついで得られた薄膜を熱処理す
    ることを%徴とする二硫化モリブデン薄膜の形成方法。
JP15598183A 1983-08-26 1983-08-26 二硫化モリブデン薄膜の形成方法 Pending JPS6050163A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15598183A JPS6050163A (ja) 1983-08-26 1983-08-26 二硫化モリブデン薄膜の形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP15598183A JPS6050163A (ja) 1983-08-26 1983-08-26 二硫化モリブデン薄膜の形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6050163A true JPS6050163A (ja) 1985-03-19

Family

ID=15617743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP15598183A Pending JPS6050163A (ja) 1983-08-26 1983-08-26 二硫化モリブデン薄膜の形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6050163A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61250166A (ja) * 1985-04-26 1986-11-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多成分薄膜の製造方法
JP2007231402A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Kazuhito Sagara 固体潤滑膜及びその製造方法
CN108059459A (zh) * 2017-11-03 2018-05-22 北京安泰六九新材料科技有限公司 一种MoS2陶瓷靶材的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59100270A (ja) * 1982-12-01 1984-06-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形成方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59100270A (ja) * 1982-12-01 1984-06-09 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜形成方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61250166A (ja) * 1985-04-26 1986-11-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 多成分薄膜の製造方法
JP2007231402A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Kazuhito Sagara 固体潤滑膜及びその製造方法
CN108059459A (zh) * 2017-11-03 2018-05-22 北京安泰六九新材料科技有限公司 一种MoS2陶瓷靶材的制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5738917A (en) Process for in-situ deposition of a Ti/TiN/Ti aluminum underlayer
US5405458A (en) Method of producing hard film of Ti-Si-N composite material
Anitha et al. Study of sputtered molybdenum nitride as a diffusion barrier
CN110541153A (zh) 一种沉积制备膜的方法及镀膜机
CN109763099B (zh) 一种二硫化钼薄膜的制备方法
JPS6050163A (ja) 二硫化モリブデン薄膜の形成方法
Dutta et al. Crystal growth and orientations in vacuum-condensed silver films and their systematic dependance on the residual air pressure, film thickness, rate of deposition and substrate temperature
JPS63224116A (ja) 薄膜超電導体の製造方法
US4448854A (en) Coherent multilayer crystals and method of making
TW202223121A (zh) 沉積方法
JPS60213058A (ja) シリサイド膜を有する構造体およびその製造方法
JPH05343299A (ja) X線マスク及びx線マスクの製造方法
US20050155675A1 (en) Amorphous ferrosilicide film exhibiting semiconductor characteristics and method of for producing the same
TW202108789A (zh) 用於控制經鍍濺之AlXSc1-XN膜中之缺陷密度及組織之方法
JPS6376321A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS59100270A (ja) 薄膜形成方法
JPH05263219A (ja) セレン化銅インジウム薄膜の製造方法
JPH0365502A (ja) 超電導薄膜の作製方法
JPH05279846A (ja) スパッタ用ターゲット及びスパッタTiON膜成膜方法
JPH0314904B2 (ja)
JPH02137323A (ja) 低応力薄膜の形成方法
JPS6314063B2 (ja)
JPH05166726A (ja) 化合物薄膜の製造方法
JPS61201772A (ja) 薄膜形成方法および装置
JPH0725698A (ja) 希土類金属酸化物の単結晶薄膜の製造方法