JPS6050163A - 二硫化モリブデン薄膜の形成方法 - Google Patents
二硫化モリブデン薄膜の形成方法Info
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- JPS6050163A JPS6050163A JP15598183A JP15598183A JPS6050163A JP S6050163 A JPS6050163 A JP S6050163A JP 15598183 A JP15598183 A JP 15598183A JP 15598183 A JP15598183 A JP 15598183A JP S6050163 A JPS6050163 A JP S6050163A
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- Japan
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- thin film
- mos2
- sputtering
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はK(W係数が小さく、耐久性に優れる二硫化モ
リブデン薄膜の形成方法に関する。
リブデン薄膜の形成方法に関する。
従来、二硫化モリブデン(MoS2)の薄膜の形成Kf
d、、M o S 2ターゲツトを用いて直流放電を利
用する直流二極スパッタリング法や高周波放電を利用す
るRFスパッタリング法などが用いられている しかしながら、このような方法で得られたMO82薄膜
は、SとMOのスパッタ率の違いやSおよびMOと残留
ガスとの反応などの要因によシ、ターゲットとその組成
のずれを生じ、S成分が不足する不都合があった。この
ため、スパッタリング雰囲気中にH2Sなどを混入して
S成分を補充することも考えられるが、H2Sは有毒か
つ腐蝕性が高く、装置を損傷するので、一般KtIi使
用し得ない、。
d、、M o S 2ターゲツトを用いて直流放電を利
用する直流二極スパッタリング法や高周波放電を利用す
るRFスパッタリング法などが用いられている しかしながら、このような方法で得られたMO82薄膜
は、SとMOのスパッタ率の違いやSおよびMOと残留
ガスとの反応などの要因によシ、ターゲットとその組成
のずれを生じ、S成分が不足する不都合があった。この
ため、スパッタリング雰囲気中にH2Sなどを混入して
S成分を補充することも考えられるが、H2Sは有毒か
つ腐蝕性が高く、装置を損傷するので、一般KtIi使
用し得ない、。
よって、MO82ターゲットを用いてスパッタリングし
て得られたMo S 2薄脱は、S成分の不足によって
摩擦係数や耐久性に問題があった。
て得られたMo S 2薄脱は、S成分の不足によって
摩擦係数や耐久性に問題があった。
本発明は上記事情に@みて役されたもので、摩擦係数が
小さく、耐久性に優れ、高い潤滑性を発揮するMO82
薄膜の形成方法を提供することを目的とするものである
。
小さく、耐久性に優れ、高い潤滑性を発揮するMO82
薄膜の形成方法を提供することを目的とするものである
。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第7図は本発明の薄膜の形成方法に用いられるスパッタ
リング装置の一例を示し、ザドルフィールド型の高速原
子線源を用いたスパッタリング装置である。第7図にお
いて、符号1はカソード、2はアノード、3はクラファ
イトメツシュ、4はターゲット、5は基板、6はスパン
タ薄膜であるこれを動作させるには、装置内を10 ”
”6T orr程度の高真空にした後10−3〜10−
’ T orr程度の不活性気体(例えばAr)で満た
し、カン−)”1.!−7/−)’2間に高電圧を印加
して、グラファイトメツシュ3越しに加速した中性の不
活性原ヂ例えばA r uX子)をターゲット4に入射
させ、ターゲット物質を飛散させる。飛散された粒子は
基板50表面にスパッタ膜6として付着し薄膜が形成さ
れる。なお、この例ではサドルフィールド型の高速原子
線源を用いているが、本発明は、これに拘束されるもの
ではない1、 つぎに、第2図を参照してターゲット4についてさらに
詳しく説明する。この例においては、第2図(a) K
示すような円板状のSのターゲット7と、第2図ら)に
示すような中心角がりooの扇形状のj&のr+4 o
のターゲット8.9とヲ用いる。5(7)ターゲット7
0半径と、MOのターゲット8.9の半径とは相等しく
されている。そして、これらのターゲット7.8.9は
、ら’l、i図(c)K示ずようにその中心を一致させ
て市ね合せて用いられ、コ枚のMoのターゲット8.9
のうち、最表部のMOのターゲット9を回転させること
によシ、固定されたMOのターゲット8との重ね合せ角
度を変え、これによってターゲット4内でのSとMOと
の面積比が変えられるようKなっているーすなわち、可
動のM Oのターゲット9を回転してM Oの固定のタ
ーゲット8から位置をずらせば、2枚のMOのターゲッ
ト8.9で形成される中心角αは、900〜/ 、r
00の範囲で変化し、ターゲット4内でのS : M
oの面積比はり:ノル4t:、2の範囲で変化する。
リング装置の一例を示し、ザドルフィールド型の高速原
子線源を用いたスパッタリング装置である。第7図にお
いて、符号1はカソード、2はアノード、3はクラファ
イトメツシュ、4はターゲット、5は基板、6はスパン
タ薄膜であるこれを動作させるには、装置内を10 ”
”6T orr程度の高真空にした後10−3〜10−
’ T orr程度の不活性気体(例えばAr)で満た
し、カン−)”1.!−7/−)’2間に高電圧を印加
して、グラファイトメツシュ3越しに加速した中性の不
活性原ヂ例えばA r uX子)をターゲット4に入射
させ、ターゲット物質を飛散させる。飛散された粒子は
基板50表面にスパッタ膜6として付着し薄膜が形成さ
れる。なお、この例ではサドルフィールド型の高速原子
線源を用いているが、本発明は、これに拘束されるもの
ではない1、 つぎに、第2図を参照してターゲット4についてさらに
詳しく説明する。この例においては、第2図(a) K
示すような円板状のSのターゲット7と、第2図ら)に
示すような中心角がりooの扇形状のj&のr+4 o
のターゲット8.9とヲ用いる。5(7)ターゲット7
0半径と、MOのターゲット8.9の半径とは相等しく
されている。そして、これらのターゲット7.8.9は
、ら’l、i図(c)K示ずようにその中心を一致させ
て市ね合せて用いられ、コ枚のMoのターゲット8.9
のうち、最表部のMOのターゲット9を回転させること
によシ、固定されたMOのターゲット8との重ね合せ角
度を変え、これによってターゲット4内でのSとMOと
の面積比が変えられるようKなっているーすなわち、可
動のM Oのターゲット9を回転してM Oの固定のタ
ーゲット8から位置をずらせば、2枚のMOのターゲッ
ト8.9で形成される中心角αは、900〜/ 、r
00の範囲で変化し、ターゲット4内でのS : M
oの面積比はり:ノル4t:、2の範囲で変化する。
したがって、可動のMOのターゲット9を回転し位置を
ずらしてスパッタリングすれば、SとMOとの原子比が
4t=7〜グ:2の範囲で変化したモリブデンの硫化物
の薄膜6が基板5上に得られることになる。
ずらしてスパッタリングすれば、SとMOとの原子比が
4t=7〜グ:2の範囲で変化したモリブデンの硫化物
の薄膜6が基板5上に得られることになる。
第3図に示したグラフは、このようにスパッタリングし
て得られた薄膜において、上記中心角αとMllへのS
と;VI Oとの原子比(S / M o )との関係
を示したものであυ、中心角αを変化させれば、上述の
ように原子比(S / M o )を変化させ得ること
が確認された。そして、第2図に示したターゲラ)7,
8.9を用いた場合、中心角αを//j0とすれば、原
子比(S/Mo)が正確vc’dのMoS2薄膜が得ら
ノすることかわかる。
て得られた薄膜において、上記中心角αとMllへのS
と;VI Oとの原子比(S / M o )との関係
を示したものであυ、中心角αを変化させれば、上述の
ように原子比(S / M o )を変化させ得ること
が確認された。そして、第2図に示したターゲラ)7,
8.9を用いた場合、中心角αを//j0とすれば、原
子比(S/Mo)が正確vc’dのMoS2薄膜が得ら
ノすることかわかる。
上述のようにして得られたMoS2薄膜6は、引続いて
熱処理が施される。この熱処理は、上記M、 OS 2
薄膜を真空もしくはアルゴンガス、キセノンガス雰囲気
などの不活性雰囲気中でよ00〜弘jθ0Cで数時間加
熱するものである。この熱処理によって、MO82蒸着
薄膜の結晶性が改善されるとともに、基板5をなす物質
とM o S 2とが拡散し合うことにより基板5とM
oS2薄膜6との密着性が向上し、NI O82薄膜6
の耐久性が大きく改善される。
熱処理が施される。この熱処理は、上記M、 OS 2
薄膜を真空もしくはアルゴンガス、キセノンガス雰囲気
などの不活性雰囲気中でよ00〜弘jθ0Cで数時間加
熱するものである。この熱処理によって、MO82蒸着
薄膜の結晶性が改善されるとともに、基板5をなす物質
とM o S 2とが拡散し合うことにより基板5とM
oS2薄膜6との密着性が向上し、NI O82薄膜6
の耐久性が大きく改善される。
第μ図は結晶性改善の効果を示す奄子線回析写真で、第
≠図(a)は、熱処理をしないM OS 2薄膜の、(
b)は、200′Cコ時間の真空熱処理を施したものの
、(C)は弘00℃、一時間の真空熱処理を施したもの
の写真である。γ・5処理+itJは(a)のように7
10−を早し、アモルファス状であるが、200℃、2
時間の真空熱処理によって不明瞭ではあるが、リングパ
ターンらしきものが観察され、1l−OO℃λ時間の真
空熱処理によって面瞭なリングパターンが観察されるに
至シ、多結晶薄膜となっていることが確認された。
≠図(a)は、熱処理をしないM OS 2薄膜の、(
b)は、200′Cコ時間の真空熱処理を施したものの
、(C)は弘00℃、一時間の真空熱処理を施したもの
の写真である。γ・5処理+itJは(a)のように7
10−を早し、アモルファス状であるが、200℃、2
時間の真空熱処理によって不明瞭ではあるが、リングパ
ターンらしきものが観察され、1l−OO℃λ時間の真
空熱処理によって面瞭なリングパターンが観察されるに
至シ、多結晶薄膜となっていることが確認された。
なお、MoS2薄膜を室温にて長時開放1にすると、結
晶化が進行せず、Sが析出、凝縮する弊害がある。
晶化が進行せず、Sが析出、凝縮する弊害がある。
第5図は、上記熱処理を施したM O82M膜の耐久性
の改善効果を示すグラフであるー〜1082薄膜はSl
ウェハー上に約、2oooAの厚さで形成されたもので
あり、夕θ02の荷重をかけた抹圧子により往復の繰返
し7摩擦を行った時の繰返し数と摩擦係数との関係を示
している。第5図中人はS1ウエハー、Bは熱処P11
彦しのへ4O82薄膜、Cは真空中、to℃、2時間熱
処理したM o S 2薄117A、 DFi真空中、
コOθ℃、2時間熱処理したM o S 2 A’i膜
、Eii真窒中300℃、x時間熱処理したMo32薄
膜、Fは、A、空中、<t、oo℃、2時間熱処理した
I’vIoS2薄膜についての曲線をそれぞれ示す。こ
れから明らかなように、60℃、一時間の1c空雰囲気
中熱処理でも、薄膜の耐久性の改善の効果は明らかであ
シ、熱処理温度が高いほど改善効果が大きくなる傾向が
認められる。
の改善効果を示すグラフであるー〜1082薄膜はSl
ウェハー上に約、2oooAの厚さで形成されたもので
あり、夕θ02の荷重をかけた抹圧子により往復の繰返
し7摩擦を行った時の繰返し数と摩擦係数との関係を示
している。第5図中人はS1ウエハー、Bは熱処P11
彦しのへ4O82薄膜、Cは真空中、to℃、2時間熱
処理したM o S 2薄117A、 DFi真空中、
コOθ℃、2時間熱処理したM o S 2 A’i膜
、Eii真窒中300℃、x時間熱処理したMo32薄
膜、Fは、A、空中、<t、oo℃、2時間熱処理した
I’vIoS2薄膜についての曲線をそれぞれ示す。こ
れから明らかなように、60℃、一時間の1c空雰囲気
中熱処理でも、薄膜の耐久性の改善の効果は明らかであ
シ、熱処理温度が高いほど改善効果が大きくなる傾向が
認められる。
以上部2.明したように、この発明のM’oS2薄膜の
形成方法は、ターゲットをSとM oとに分割し、Sと
Moとの面HrH比を変えてスパックリングし、得られ
た薄膜を熱処理するものであるので、スパッタリングさ
れた薄膜はその原子比(S / M o )力への、S
成分が不足しない純正なMo52薄膜となり、また熱処
理によって結晶性と基板との密M性とが改善されるので
摩擦係数が小さく、かつ耐久性に優れたhi o S
2薄膜が得られる7、よって、本発明の形成方法によっ
て得られたM o S 2薄膜は、hios2が本来布
している優れた潤滑特性を十分発押し、固体側滑性薄膜
として極めて有用なものとなる。
形成方法は、ターゲットをSとM oとに分割し、Sと
Moとの面HrH比を変えてスパックリングし、得られ
た薄膜を熱処理するものであるので、スパッタリングさ
れた薄膜はその原子比(S / M o )力への、S
成分が不足しない純正なMo52薄膜となり、また熱処
理によって結晶性と基板との密M性とが改善されるので
摩擦係数が小さく、かつ耐久性に優れたhi o S
2薄膜が得られる7、よって、本発明の形成方法によっ
て得られたM o S 2薄膜は、hios2が本来布
している優れた潤滑特性を十分発押し、固体側滑性薄膜
として極めて有用なものとなる。
第7図は本発明の形成方法に用いられるスパッタリング
装置の一仔jとしての高速原子綜温を用いたサドルフィ
ールド型スパッタリング装置の概略構成図、第一図は、
第7図の装置1りに用いられるターゲットを示す概略第
1り成M1@3図は、蒸着膜の原子比(S / M o
)と中心角αのl′l;J係を示すグラフ、第1LL
図は、熱処理前後の薄膜の結晶+j4造を示す電子線回
折写真、第5図は、1\4082″m膜の繰υ返し摩擦
と摩擦係数との関係を示すグラフである。 4・・・・・・ターゲット、5・・・・・・基板、6・
・・・・・薄膜、7・・・・・・Sのターゲット、8・
・・・・・固定のIIV、J−0ツタ−ゲット、9・・
・・・・可動のMOのターゲット。 出願人 日本電信“電話公社 第1図 第3図 0((0J 第4図
装置の一仔jとしての高速原子綜温を用いたサドルフィ
ールド型スパッタリング装置の概略構成図、第一図は、
第7図の装置1りに用いられるターゲットを示す概略第
1り成M1@3図は、蒸着膜の原子比(S / M o
)と中心角αのl′l;J係を示すグラフ、第1LL
図は、熱処理前後の薄膜の結晶+j4造を示す電子線回
折写真、第5図は、1\4082″m膜の繰υ返し摩擦
と摩擦係数との関係を示すグラフである。 4・・・・・・ターゲット、5・・・・・・基板、6・
・・・・・薄膜、7・・・・・・Sのターゲット、8・
・・・・・固定のIIV、J−0ツタ−ゲット、9・・
・・・・可動のMOのターゲット。 出願人 日本電信“電話公社 第1図 第3図 0((0J 第4図
Claims (1)
- スパッタリング蒸着法によって基板上に二硫化モリブデ
ン薄膜を形成する際に、ターゲットをモリブデン部と硫
黄部とに分割し、モリブデン部と硫黄部との面積比を変
えてスパッタリングし、ついで得られた薄膜を熱処理す
ることを%徴とする二硫化モリブデン薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15598183A JPS6050163A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 二硫化モリブデン薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15598183A JPS6050163A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 二硫化モリブデン薄膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6050163A true JPS6050163A (ja) | 1985-03-19 |
Family
ID=15617743
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15598183A Pending JPS6050163A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 二硫化モリブデン薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6050163A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61250166A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多成分薄膜の製造方法 |
JP2007231402A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Kazuhito Sagara | 固体潤滑膜及びその製造方法 |
CN108059459A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-05-22 | 北京安泰六九新材料科技有限公司 | 一种MoS2陶瓷靶材的制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59100270A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成方法 |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP15598183A patent/JPS6050163A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59100270A (ja) * | 1982-12-01 | 1984-06-09 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61250166A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多成分薄膜の製造方法 |
JP2007231402A (ja) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Kazuhito Sagara | 固体潤滑膜及びその製造方法 |
CN108059459A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-05-22 | 北京安泰六九新材料科技有限公司 | 一种MoS2陶瓷靶材的制备方法 |
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