JPH08232059A - 炭素−窒素化合物含有膜被覆基体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】高硬度で、靱性に優れ、密着性良好な炭素−窒
素化合物含有膜で被覆された基体を提供する。 【構成】基体Ｓ上にシリコン（Ｓｉ）、クロム（Ｃ
ｒ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）及びジル
コニウム（Ｚｒ）からなる群より選ばれた少なくとも一
種の元素物質からなる膜Ｓｍ１、又はこの元素物質の酸
化物若しくは窒化物からなる膜Ｓｍ２が形成され、その
外側に炭素−窒素化合物含有膜Ｓｆが形成されている
か、或いは基体Ｓの表面部分に窒素イオン注入層Ｓ１を
有し、その外側に膜Ｓｍ１又はＳｍ２と炭素−窒素化合
物含有膜Ｓｆが形成されている炭素−窒素化合物含有膜
被覆基体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、工具、金型、磁気ヘッ
ド或いは各種の摺動部品といった耐摩耗性や耐摺動性等
が要求される物品の基体であって、その性能を向上させ
るために、炭素−窒素化合物含有膜で被覆された基体に
関する。

【０００２】

【従来の技術】炭素−窒素化合物は高硬度であることか
ら、工具、金型、磁気ヘッド或いは各種の摺動部品とい
った物品の耐摩耗性や耐摺動性を向上させるために、こ
れらの物品上への膜形成が試みられている。例えば特開
平５−２８７５０２号公報によると、所定真空度下で基
体上への炭素の蒸着と窒素イオンの照射を同時又は交互
に行うことにより、該基体上に炭素−窒素化合物膜を形
成できることが開示されている。この方法によると、比
較的低温下で炭素−窒素化合物膜を形成できると共に、
窒素イオン照射によって膜形成の初期段階に基体の表層
部に該基体の構成原子と膜構成原子との混合層が形成さ
れるため、良好な膜密着性が得られる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
特開平５−２８７５０２号公報による方法では、形成さ
れた炭素−窒素化合物膜の内部応力が大きくなりがちで
ある。そして、それにより、基体と該膜との混合層が形
成されるにもかかわらず、該膜の基体に対する密着性を
低下させたり、密着性を経時的に低下させたりする傾向
にある。また、内部応力が大きくなりがちであることに
より、該膜の靱性を低下させる傾向にある。そして、そ
の結果、形成された炭素−窒素化合物膜被覆基体を実用
に供した場合、使用中に該膜が一部剥離したり欠けたり
して、該膜の有する高硬度等の特性が必ずしも、十分に
生かされない。

【０００４】そこで本発明は、高硬度で、靱性に優れ、
密着性良好な炭素−窒素化合物含有膜で被覆された基体
を提供することを課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者は前記課題を解
決するために研究を重ね、基体上にシリコン（Ｓｉ）、
クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａ
ｌ）及びジルコニウム（Ｚｒ）からなる群より選ばれた
少なくとも一種の元素物質からなる膜、又は該元素物質
の酸化物若しくは窒化物からなる膜（中間膜）を形成
し、その外側に炭素−窒素化合物含有膜を形成すること
で、基体上に直接炭素−窒素化合物含有膜を形成する場
合に比べて、基体と該中間膜との間及び該中間膜と炭素
−窒素化合物含有膜との間の濡れ性、整合性が良くなる
ことを見出した。また、基体と炭素−窒素化合物含有膜
との間に該中間膜を形成することにより炭素−窒素化合
物含有膜の内部応力が減少することを見出した。そし
て、その結果、靱性に優れた高硬度な炭素−窒素化合物
含有膜が密着性良く被覆された基体を得ることができ
る。

【０００６】また、前記中間膜及び炭素−窒素化合物含
有膜の形成に先立ち、基体の表面部分に窒素イオン注入
層を形成しておくことで、膜全体として基体との密着性
が一層向上するとともに、前記中間膜の硬度が比較的低
いときでもその中間膜形成による膜全体の硬度低下を抑
制できることを見出した。前記知見に基づき本発明の炭
素−窒素化合物含有膜被覆基体は、基体上にＳｉ、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ａｌ及びＺｒからなる群より選ばれた少なく
とも一種の元素物質からなる膜、又は該元素物質の酸化
物若しくは窒化物からなる膜が形成され、その外側に炭
素−窒素化合物含有膜が形成されていることを特徴とす
る。

【０００７】前記中間膜の膜厚は、１０ｎｍ〜１０００
ｎｍ程度であることが考えられる。これは、１０ｎｍよ
り小さいと、その外側に形成する炭素−窒素化合物含有
膜の密着性及び靱性を十分に向上させることができず、
１０００ｎｍより大きいと膜全体の硬度が大きく低下す
るからである。基体の材質は特に限定されず、例えばセ
ラミック、金属、高分子等を用いることができる。

【０００８】前記炭素−窒素化合物含有膜被覆基体の製
法としては、例えば次のものが考えられる。すなわち、
基体を成膜用真空容器内のホルダに支持させ、所定真空
下で、該基体に対してＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ及びＺｒ
のうち少なくとも一種の元素物質を真空蒸着又はスパッ
タ蒸着する。これにより、基体上に前記元素物質からな
る中間膜を形成することができる。このとき、この蒸着
と同時、交互、又はその後に、イオン源から該基体に対
してヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アル
ゴン（Ａｒ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン
（Ｘｅ）ガス等の不活性ガスのイオンを照射してもよ
く、これにより前記中間膜の基体への密着性が向上す
る。

【０００９】また、前記の不活性ガスイオンの照射に代
えて、酸素（Ｏ）イオン又は窒素（Ｎ）イオンを照射す
ると、前記の元素物質の酸化物又は窒化物からなる中間
膜を形成することができる。酸素イオンを照射するため
にイオン源に導入するガスとしては、酸素（Ｏ₂ ）ガス
等を挙げることができ、窒素イオンを照射するこめにイ
オン源に導入するガスとしては、窒素（Ｎ₂ ）ガス、ア
ンモニア（ＮＨ₃ ）等を挙げることができる。

【００１０】次いで、前記中間膜が被覆された基体上へ
炭素を真空蒸着又はスパッタ蒸着し、該蒸着と同時又は
交互に窒素イオン、或いは窒素イオン及び不活性ガスイ
オンを照射して、炭素−窒素化合物含有膜を形成する。
前記の中間膜形成及び炭素−窒素化合物含有膜形成にお
けるイオン照射に当たっては、イオン加速エネルギは
０．１ｋｅＶ以上４０ｋｅＶ以下とすることが考えられ
る。イオン加速エネルギが０．１ｋｅＶより小さいと、
基体と中間膜との界面及び中間膜と炭素−窒素化合物含
有膜との界面で該両者の混合層が十分に形成されないた
め膜密着性が劣り、４０ｋｅＶより大きいと、基体に与
える熱的、機械的損傷が大きくなるので好ましくない。

【００１１】また、前記の炭素−窒素化合物含有膜形成
において、照射イオンとして窒素イオン及び不活性ガス
イオンを用いる場合は、基体上に到達する窒素（Ｎ）イ
オン数と不活性ガス（Ｉ）イオン数の比（Ｎ／Ｉ輸送
比）は０．１以上２０以下とすることが考えられる。Ｎ
／Ｉ輸送比が０．１より小さいと形成される膜が十分に
窒化されず、２０より大きいと不活性ガスイオンの作用
が不十分になり好ましくない。

【００１２】Ｎ／Ｉ輸送比の制御は、イオン源に導入す
る窒素イオンの原料ガスと不活性ガスの流量比を調整す
ることで行える。また、前記の中間膜形成及び炭素−窒
素化合物含有膜形成において、基体上に到達する蒸着原
子（Ｖ）数とイオン（ｉ）数の比（Ｖ／ｉ輸送比）は
０．１以上４０以下とすることが考えられる。Ｖ／ｉ輸
送比が０．１より小さいと照射イオンにるスパッタリン
グ作用のために形成される膜の膜厚が小さくなり過ぎ
る。また、４０より大きいとイオン照射による混合層の
形成が不十分になり、膜密着性が低下する。また、特に
炭素−窒素化合物含有膜形成時には、Ｖ／ｉ輸送比が４
０より大きいと、照射イオンによって蒸着原子が高励起
化され難く、その結果、形成される膜中に高硬度な結晶
構造が生成し難くなり、該膜の硬度が低下する。Ｖ／ｉ
輸送比の制御は、膜厚モニタで蒸着物質の蒸着量をモニ
タし、イオン電流測定器で照射イオン個数をモニタする
ことで行える。

【００１３】なお、ここでは蒸着法又はイオン蒸着薄膜
形成法により中間膜を形成する方法を説明したが、その
他スパッタ法により中間膜を形成することもできる。す
なわち、例えば、イオンビーム、高周波、マグネトロン
等により、不活性ガスのイオンでＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａ
ｌ及びＺｒのうち少なくとも一種の元素物質をスパッタ
することで該元素物質からなる中間膜を形成できる。ま
た、不活性ガスに代えて酸素ガス又は窒素ガス等の活性
ガスのイオンで該元素物質をスパッタする反応性スパッ
タリングによると、該元素物質の酸化物又は窒化物から
なる中間膜を形成できる。

【００１４】また、本発明の炭素−窒素化合物含有膜被
覆基体は、基体の表面部分に窒素イオンが注入された層
を有することが考えられ、これにより、基体と中間膜と
の密着性を一層向上させることができるとともに、中間
膜の硬度が比較的低いときでもその中間膜形成による膜
全体の硬度の低下が抑制される。かかる膜被覆基体の製
法としては、例えば次のものが考えられる。

【００１５】すなわち、基体を成膜用真空容器内のホル
ダに支持させ、所定真空下で、該基体に対して窒素イオ
ンを照射する。これにより基体表面部分に窒素イオン注
入層を形成することができる。次いで、その外側に、前
記の方法で前記中間膜及び炭素−窒素化合物含有膜を形
成する。このイオン照射におけるイオン加速エネルギは
０．１ｋｅＶ以上４０ｋｅＶ以下とすることが考えられ
る。また、イオン照射量は１×１０¹³個／ｃｍ² 以上１
×１０¹⁸個／ｃｍ² 以下とすることが考えられる。イオ
ン加速エネルギが０．１ｋｅＶより小さい場合、又はイ
オン照射量が１×１０¹³個／ｃｍ² より小さい場合は、
基体表面部分の窒化が不十分でその外側に形成される中
間膜の密着性を十分に向上させることができない。ま
た、イオン加速エネルギが４０ｋｅＶより大きい場合、
又はイオン照射量が１×１０¹⁸個／ｃｍ² より大きい場
合は、基体に与える熱的、機械的損傷が大きくなるので
好ましくない。

【００１６】

【作用】本発明の炭素−窒素化合物含有膜被覆基体によ
ると、基体と炭素−窒素化合物含有膜との間にＳｉ、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ａｌ及びＺｒからなる群より選ばれた少なく
とも一種の元素物質からなる中間膜、又は前記元素物質
の酸化物若しくは窒化物からなる中間膜を有している。
基体と中間膜との間及び中間膜と炭素−窒素化合物含有
膜との間の濡れ性、整合性は、基体と炭素−窒素化合物
含有膜との間の濡れ性、整合性より良好であり、また該
中間膜を有することで炭素−窒素化合物含有膜の内部応
力が減少している。これにより、本発明の基体は高硬度
な炭素−窒素化合物含有膜で被覆された基体であって、
該膜は靱性に優れ、基体に対する密着性良好に形成され
たものである。

【００１７】また、本発明の膜被覆基体は、基体の表面
部分に窒素イオンが注入された層を有するときには、基
体表面がイオン照射によるスパッタリングで清浄化され
ており、また前記中間膜との濡れ性、整合性が一層良好
であるため、膜全体の基体に対する密着性は一層良好で
ある。また、基体の表面部分にイオンが注入されること
により、該部分の硬度が向上することから、該中間膜の
硬度が比較的低い場合にも、膜全体の硬度低下が抑制さ
れる。

【００１８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１（Ａ）は本発明の炭素−窒素化合物含有膜被
覆基体の１例の一部の拡大断面図であり、図１（Ｂ）は
本発明の炭素−窒素化合物含有膜被覆基体の他の例の一
部の拡大断面図である。また、図２は本発明基体の製造
に用いる成膜装置の１例の概略構成を示す図である。

【００１９】図２に示す装置は、真空容器１を有し、容
器１内には被成膜基体Ｓを支持するホルダ２、並びにこ
れに対向する位置に、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ及びＺｒ
のうち少なくとも一種の元素物質を蒸発させる蒸発源３
１と炭素を蒸発させる蒸発源３２及びイオン源４が設置
されている。また基体ホルダ２付近には、例えば水晶振
動子式膜厚モニタ等の膜厚モニタ５、及び例えばファラ
デーカップ等のイオン電流測定器６が配置されている。
また容器１には排気装置７が付設されて容器１内を所定
の真空度にすることができる。

【００２０】前記装置を用いて本発明の炭素−窒素化合
物含有膜被覆基体を製造するにあたっては、基体Ｓをホ
ルダ２に支持させた後、真空容器１内を所定の真空度に
する。次いで、基体Ｓに向けて蒸発源３１からＳｉ、Ｃ
ｒ、Ｔｉ、Ａｌ及びＺｒのうち少なくとも一種の元素物
質３１ａを真空蒸着（又はスパッタ蒸着）させる。この
際、該蒸着と同時、交互、又はその後にイオン源４より
不活性ガスイオンを当該蒸着面に照射してもよい。この
ようにして基体Ｓ上にＳｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ及びＺｒ
のうち少なくとも一種の元素物質からなる中間膜を膜厚
１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度に形成する。また、不活性
ガスイオンに代えて、イオン源４より酸素イオン又は窒
素イオンを照射して、前記元素物質の酸化物又は窒化物
からなる中間膜を形成する場合もある。

【００２１】次いで中間膜が形成された基体Ｓに向けて
蒸発源３２から炭素３２ａを真空蒸着（又はスパッタ蒸
着）させ、それと同時、又は交互に、イオン源４より窒
素イオン（又は窒素イオン及び不活性ガスイオン）を当
該蒸着面に照射して任意の膜厚の炭素−窒素化合物含有
膜を形成する。前記中間膜形成及び炭素−窒素化合物含
有膜形成操作において、イオン照射時の加速エネルギは
０．１ｋｅＶ以上４０ｋｅＶ以下とする。また、基体に
到達する蒸着（Ｖ）原子数とイオン（ｉ）数の比（Ｖ／
ｉ輸送比）は０．１以上４０以下とする。また、炭素−
窒素化合物含有膜形成時に窒素イオンに加えて不活性ガ
スイオンを照射する場合の、基体に到達する窒素（Ｎ）
イオン数と不活性ガス（Ｉ）イオン数の比（Ｎ／Ｉ輸送
比）は０．１以上２０以下とする。

【００２２】これにより図１（Ａ）に示すように、基体
Ｓ上に、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｌ及びＺｒのうち少なく
とも一種の元素物質からなる中間膜Ｓｍ１又は該元素物
質の酸化物若しくは窒化物からなる中間膜Ｓｍ２が形成
され、その外側に炭素−窒素化合物含有膜Ｓｆが形成さ
れた炭素−窒素化合物含有膜被覆基体が得られる。基体
Ｓと中間膜Ｓｍ１又はＳｍ２との間、及び中間膜Ｓｍ１
又はＳｍ２と炭素−窒素化合物含有膜Ｓｆとの間は、基
体Ｓと炭素−窒素化合物含有膜Ｓｆとの間に比べて濡れ
性、整合性が良いため、炭素−窒素化合物含有膜Ｓｆの
基体Ｓとの密着性は良好である。また、中間膜Ｓｍ１又
はＳｍ２を有することで炭素−窒素化合物含有膜Ｓｆは
内部応力が減少し、靱性が優れる。

【００２３】また、前記装置を用いて本発明の他の炭素
−窒素化合物含有膜被覆基体を製造するにあたっては、
真空容器１内を所定真空度にした後、中間膜Ｓｍ１又は
Ｓｍ２の形成に先立ち、基体Ｓに向けてイオン源４から
窒素イオンを照射する。このときイオン加速エネルギは
０．１ｋｅＶ以上４０ｋｅＶ以下とし、イオン照射量は
１×１０¹³個／ｃｍ² 以上１×１０¹⁸個／ｃｍ² 以下と
する。

【００２４】このようにして基体Ｓ表面部分に窒素イオ
ン注入層Ｓ１を形成する。さらに前記と同様の操作で、
層Ｓ１の上に中間膜Ｓｍ１又はＳｍ２及び炭素−窒素化
合物含有膜Ｓｆを形成する。これにより、図２（Ｂ）に
示すように、基体Ｓ表面部分に窒素イオン注入層Ｓ１を
有し、その外側に前記中間膜Ｓｍ１又はＳｍ２が形成さ
れ、その外側に炭素−窒素化合物含有膜Ｓｆが形成され
た炭素−窒素化合物含有膜被覆基体が得られる。

【００２５】イオン照射により形成された層Ｓ１はその
表面が清浄化されており、また、窒素イオン注入層Ｓ１
は元の基体Ｓに比べて中間膜Ｓｍ１又はＳｍ２との濡れ
性、整合性が一層良好であるため、膜全体の基体Ｓに対
する密着性は一層良好である。また、窒素イオン注入層
Ｓ１は元の基体Ｓに比べて高硬度であることから、中間
膜Ｓｍ１又はＳｍ２の硬度が比較的低い場合にも、膜全
体の硬度低下が抑制されている。

【００２６】次に、図２に示す装置による本発明の炭素
−窒素化合物含有膜被覆基体の製造の具体例と、それに
よって得られる炭素−窒素化合物含有膜被覆基体につい
て説明する。 実験例１ 図２に示す装置を用いて、高速度工具鋼（ＳＫＨ５１）
よりなる基体Ｓを水冷した基体ホルダ２に設置し、真空
容器１内を１×１０^-6Ｔｏｒｒ以下の真空度とした。次
いで純度９９．９％（３Ｎ）のＳｉペレットを電子ビー
ム蒸発源３１を用いて蒸気化し、基体Ｓ上に成膜した。
それと同時にイオン源４にＡｒガスを容器１内が５×１
０^-5Ｔｏｒｒの真空度になるまで導入し、イオン化さ
せ、１０ｋｅＶの加速エネルギで基体Ｓに対して垂直に
照射した。このときのＶ／ｉ輸送比は５であった。この
ようにして、基体Ｓ上に膜厚約５０ｎｍのＳｉ中間膜Ｓ
ｍ１を形成した。

【００２７】その後、容器１内を再び１×１０^-6Ｔｏｒ
ｒ以下の真空度とし、純度９９．９％（３Ｎ）の炭素ペ
レットを電子ビーム蒸発源３２を用いて蒸気化し、Ｓｉ
中間膜Ｓｍ１上に成膜した。それと同時にイオン源４に
窒素ガスを真空容器１内が５×１０^-5Ｔｏｒｒの真空度
になるまで導入し、イオン化させ、該窒素イオンを１０
ｋｅＶの加速エネルギで基体Ｓに対して垂直に照射し
た。このときのＶ／ｉ輸送比は３であった。このように
してＳｉ中間膜Ｓｍ１上に膜厚約５００ｎｍの炭素−窒
素化合物含有膜Ｓｆを形成した。 実験例２ 実験例１において、中間膜形成に際して、不活性ガスイ
オンに代えて窒素イオンを照射して基体Ｓ上に膜厚約５
０ｎｍの窒化シリコン中間膜Ｓｍ２を形成した。その他
の条件は実験例１と同様とした。 実験例３ 実験例１において、中間膜形成に際して、蒸発物質とし
てＳｉペレットに代えて純度９９．９％（３Ｎ）のＣｒ
ペレットを用い、また不活性ガスイオンに代えて窒素イ
オンを用い、その他の条件は実験例１と同様にして基体
Ｓ上に膜厚約５０ｎｍの窒化クロム中間膜Ｓｍ２を形成
した。

【００２８】その後、容器１内を再び１×１０^-6Ｔｏｒ
ｒ以下の真空度とし、純度９９．９％（３Ｎ）の炭素ペ
レットを電子ビーム蒸発源３２を用いて蒸気化し、窒化
クロム中間膜Ｓｍ２上に成膜した。それと同時にイオン
源４に窒素ガス及びＡｒガスを１：１の流量比で真空容
器１内が１×１０^-5Ｔｏｒｒの真空度になるまで導入
し、イオン化させ、該窒素イオン及びアルゴンイオンを
３ｋｅＶの加速エネルギで、基体Ｓに対して垂直に照射
した。このときのＶ／ｉ輸送比は５であった。このよう
にして、窒化クロム中間膜Ｓｍ２上に膜厚約５００ｎｍ
の炭素−窒素化合物含有膜Ｓｆを形成した。 実験例４ 実験例１において、Ｓｉ中間膜Ｓｍ１及び炭素−窒素化
合物含有膜Ｓｆ形成に先立ち、真空容器１内を１×１０
^-6Ｔｏｒｒ以下の真空度とした後、イオン源４に窒素ガ
スを容器１内が１×１０^-5Ｔｏｒｒになるまで導入し、
イオン化させ、該窒素イオンを５ｋｅＶの加速エネルギ
で１×１０¹⁶個／ｃｍ² を照射した。このようにして基
体Ｓ表面部分に窒素イオン注入層Ｓ１を形成した。その
後、層Ｓ１上にＳｉ中間膜Ｓｍ１及び炭素−窒素化合物
含有膜Ｓｆを形成した。比較例実験例１において、Ｓｉ
中間膜Ｓｍ１を形成せず、その他は実験例１と同様にし
て膜厚約５００ｎｍの炭素−窒素化合物含有膜Ｓｆを形
成した。

【００２９】次に、実験例１、２、３、４及び比較例に
より得られた各炭素−窒素化合物含有膜被覆基体につい
て硬度及び膜密着性を評価した。硬度は１０ｇヌープ硬
度（Ｈｋ）を測定し、密着性はスクラッチ試験器で測定
することで評価した。結果を次表に示す。 ヌープ硬度（kg/mm²） 密着力（Ｎ） 実験例１ ３３００ ２８ 実験例２ ３５００ ２８ 実験例３ ４２００ ２８ 実験例４ ３３００ ３０ 比較例 ３３００ １０ 実験例１、２、３、４による炭素−窒素化合物含有膜被
覆基体は、比較例による炭素−窒素化合物含有膜被覆基
体に比べて、硬度が低下することなく、しかも膜密着性
が優れていた。また、比較例による炭素−窒素化合物含
有膜被覆基体は硬度測定時に表面に圧痕が生じ、また密
着性測定時に表面のスクラッチ痕周辺にクラックが生じ
たが、実験例１、２、３、４による炭素−窒素化合物含
有膜被覆基体ではこのような現象は観察されず、靱性に
も優れていることが分かる。

【００３０】

【発明の効果】本発明によると、高硬度で、靱性に優
れ、密着性良好な炭素−窒素化合物含有膜で被覆された
基体を提供することができる。また、基体の表面部分に
窒素イオンが注入された層を有しているときには、膜全
体の密着性が一層向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】図（Ａ）は本発明の炭素−窒素化合物含有膜被
覆基体の１例の一部の拡大断面図であり、図（Ｂ）は本
発明の炭素−窒素化合物含有膜被覆基体の他の例の一部
の拡大断面図である。

【図２】本発明の炭素−窒素化合物含有膜被覆基体の製
造に用いる成膜装置の１例の概略構成を示す図である。

【符号の説明】

１ 真空容器 ２ 基体ホルダ ３１、３２ 蒸発源 ３１ａ シリコン、クロム、チタン、アルミニウム及び
ジルコニウムからなる群より選ばれた少なくとも一種の
元素物質 ３２ａ 炭素 ４ イオン源 ５ 膜厚モニタ ６ イオン電流測定器 ７ 排気装置 Ｓ 基体 Ｓ１ イオン注入層 Ｓｆ 炭素−窒素化合物含有膜 Ｓｍ１、Ｓｍ２ 中間膜

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基体上にシリコン（Ｓｉ）、クロム（Ｃ
   ｒ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）及びジル
   コニウム（Ｚｒ）からなる群より選ばれた少なくとも一
   種の元素物質からなる膜、又は該元素物質の酸化物若し
   くは窒化物からなる膜が形成され、その外側に炭素−窒
   素化合物含有膜が形成されていることを特徴とする炭素
   −窒素化合物含有膜被覆基体。
2. 【請求項２】 前記基体の表面部分に、窒素イオンが注
   入された層を有している請求項１記載の炭素−窒素化合
   物含有膜被覆基体。