JPS60131966A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS60131966A JPS60131966A JP24021583A JP24021583A JPS60131966A JP S60131966 A JPS60131966 A JP S60131966A JP 24021583 A JP24021583 A JP 24021583A JP 24021583 A JP24021583 A JP 24021583A JP S60131966 A JPS60131966 A JP S60131966A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- ratio
- target
- compsn
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は減圧下の放電によって発生したイオンを用いて
所定の基板上に所定の材料の薄膜を形成するスパッタ装
置、特に合金薄膜を形成するスパッタ装置に関するもの
である。
所定の基板上に所定の材料の薄膜を形成するスパッタ装
置、特に合金薄膜を形成するスパッタ装置に関するもの
である。
従来例の構成およびその問題点
一般にスパッタ装置は半導体デバイスや薄膜ヘッド等の
成膜プロセスには欠かせない重要な役割を果たすように
なっている。特に後者のプロセスにおいては合金スパッ
タ膜が膜の特性の良好な点で広く利用される。
成膜プロセスには欠かせない重要な役割を果たすように
なっている。特に後者のプロセスにおいては合金スパッ
タ膜が膜の特性の良好な点で広く利用される。
従来のスパッタ装置は第１図にその具体例を示すように
グランドシールドを兼ねるペルジャー１の内部に陰極２
と基板保持電極３とが納められる構造を有し、その陰極
２上には基板４に堆積させる材料からなるターゲット６
が設置される。ターゲット材料からなる薄膜を形成すべ
き基板４は、基板保持電極３の陰極２と対向する面上に
設置されている。前記のような従来のスパッタ装置を用
いて合金薄膜を形成する際には、その合金薄膜と同一組
成のターゲットを用いる必要があった。このため合金薄
膜の組成を簡単に調節できないという欠点を有している
。また、最近注目を集めている光ディスクのように堆積
膜の膜厚方向に組成を変えなければいけない合金薄膜の
形成は不可能であるという欠点も有する。
グランドシールドを兼ねるペルジャー１の内部に陰極２
と基板保持電極３とが納められる構造を有し、その陰極
２上には基板４に堆積させる材料からなるターゲット６
が設置される。ターゲット材料からなる薄膜を形成すべ
き基板４は、基板保持電極３の陰極２と対向する面上に
設置されている。前記のような従来のスパッタ装置を用
いて合金薄膜を形成する際には、その合金薄膜と同一組
成のターゲットを用いる必要があった。このため合金薄
膜の組成を簡単に調節できないという欠点を有している
。また、最近注目を集めている光ディスクのように堆積
膜の膜厚方向に組成を変えなければいけない合金薄膜の
形成は不可能であるという欠点も有する。
発明の目的
本発明は上記欠点を解消するために堆積膜の組成を任意
にしかも簡単に変えることができる装置を提供するもの
である。
にしかも簡単に変えることができる装置を提供するもの
である。
発明の構成
本発明のスパッタ装置は、少くとも１個の陰極および少
くとも１個の基板保持電極と開口面積が自由に変更でき
るターゲットカバーから構成されており、合金薄膜を形
成する場合に、簡単に合金組成を変更でき、著るしい効
果を奏する。
くとも１個の基板保持電極と開口面積が自由に変更でき
るターゲットカバーから構成されており、合金薄膜を形
成する場合に、簡単に合金組成を変更でき、著るしい効
果を奏する。
実施例の説明
以下に本発明の一実施例を第２〜３図にもとづいて説明
する。図において、７はグランドシールドされたペルジ
ャー、８はペルジャー９内に設けられた陰極、９はペル
ジャー９内部に陰極８と対向して設置された基板保持電
極である。１ｏは薄膜を形成すべき基板で、基板保持電
極９の、陰極８と対向する電極面上に設置されている。
する。図において、７はグランドシールドされたペルジ
ャー、８はペルジャー９内に設けられた陰極、９はペル
ジャー９内部に陰極８と対向して設置された基板保持電
極である。１ｏは薄膜を形成すべき基板で、基板保持電
極９の、陰極８と対向する電極面上に設置されている。
陰極８上に設置される円形ターゲットは、２分割されて
おり、１１ａ・１１ｂはそれぞれ半円形ターゲットであ
る。１１ａはニッケルターゲットであシ、１１ｂはクロ
ムターゲットで、両者が１個の円形ターゲットを構成す
る。１２はペルジャー８内部に取り付けられターゲット
１１ａ・１１ｂの上面および側面をシールドするターゲ
ットカバーで基板１０対向面に、半円形の開口部を有す
る。１３は、ターゲットカバー１２の上面中央に陰極８
と垂直に取り付けちれた回転可能な軸で、１４はターゲ
ットカバー１２の開口部を覆うことができる大きさを有
し軸１０に固定された半円形シャッタである。そして１
６は駆動ベルト１６を介して軸１３を回転させる駆動源
、１７は駆動源１６を制御する制御装置である。
おり、１１ａ・１１ｂはそれぞれ半円形ターゲットであ
る。１１ａはニッケルターゲットであシ、１１ｂはクロ
ムターゲットで、両者が１個の円形ターゲットを構成す
る。１２はペルジャー８内部に取り付けられターゲット
１１ａ・１１ｂの上面および側面をシールドするターゲ
ットカバーで基板１０対向面に、半円形の開口部を有す
る。１３は、ターゲットカバー１２の上面中央に陰極８
と垂直に取り付けちれた回転可能な軸で、１４はターゲ
ットカバー１２の開口部を覆うことができる大きさを有
し軸１０に固定された半円形シャッタである。そして１
６は駆動ベルト１６を介して軸１３を回転させる駆動源
、１７は駆動源１６を制御する制御装置である。
上記のように構成されたスパッタ装置について以下その
動作を説明する。
動作を説明する。
ペルジャー９内の減圧放電によって発生したイオンが、
ターゲットカバー１２の開口部より入射して、ターゲラ
）１１ａ・１１ｂの表面をスパッタし、スパッタ蒸発し
たターゲット分子を基板８上に堆積させ薄、膜を形成す
る。この際シャッター１４を回転させると、ターゲット
カバー１２の開口面積が変動し、ターゲラ）１１’ａ・
１１ｂへの入射イオンスパッタ領域の面積比すなわち分
子蒸発量比が変わり、堆積膜の組成が変わる。すなわち
シャッタ１４の回転角を調節することにより堆積膜の組
成を簡単に変更できる。また、ターゲットカバー１２の
開口部が全開するようにシャッタ１４を回転させた吉き
に、ターゲット１１ａ・１１ｂのスパッタされる面積比
を１対１になるように陰極８に取り付けてスパッタを行
うと合金組成がニッケルとクロムで１対１となる合金薄
膜が形成できる。そして、そのままの状態でシャッタを
回転させ、ターゲットカバー１２の開口面積を％にする
と、ニッケル・クロムの組成比が１対３である合金薄膜
が形成できる。さらに、シャッタ１４を回転させ、ター
ゲットカバー１２の開口部面積を％にするとクロム単体
の薄膜が形成できる。
ターゲットカバー１２の開口部より入射して、ターゲラ
）１１ａ・１１ｂの表面をスパッタし、スパッタ蒸発し
たターゲット分子を基板８上に堆積させ薄、膜を形成す
る。この際シャッター１４を回転させると、ターゲット
カバー１２の開口面積が変動し、ターゲラ）１１’ａ・
１１ｂへの入射イオンスパッタ領域の面積比すなわち分
子蒸発量比が変わり、堆積膜の組成が変わる。すなわち
シャッタ１４の回転角を調節することにより堆積膜の組
成を簡単に変更できる。また、ターゲットカバー１２の
開口部が全開するようにシャッタ１４を回転させた吉き
に、ターゲット１１ａ・１１ｂのスパッタされる面積比
を１対１になるように陰極８に取り付けてスパッタを行
うと合金組成がニッケルとクロムで１対１となる合金薄
膜が形成できる。そして、そのままの状態でシャッタを
回転させ、ターゲットカバー１２の開口面積を％にする
と、ニッケル・クロムの組成比が１対３である合金薄膜
が形成できる。さらに、シャッタ１４を回転させ、ター
ゲットカバー１２の開口部面積を％にするとクロム単体
の薄膜が形成できる。
また、スパッタ中にシャッタ回転角を変えることにより
堆積膜の膜厚方向に対し組成が変化した合金薄膜が形成
可能である。
堆積膜の膜厚方向に対し組成が変化した合金薄膜が形成
可能である。
スパッタを行う際は、基板７上に形成される堆積膜の膜
厚が均一となるよう基板保持電極９は常に回転させる。
厚が均一となるよう基板保持電極９は常に回転させる。
なお実施例において、ターゲットカバー１２の開口部お
よびシャッタ１４の形状は半円形としたが、ターゲット
カバー１２の開口部およびシャッタ１４の形状は、扇形
等の他の形状でもよい。また実施例においてターゲラ）
１１ａ・１１ｂの組成はそれぞれニッケルとクロムとし
たが、ターゲット組成はそれに限らず自由であり、また
、２元以上の多元合金を用いてもよいことは言うまでも
ない。次に軸１３と駆動源１６との動力伝達に駆動ベル
ト１４を用いたが、これに限られることなく歯車等の他
の動力伝達装置を用いてもよい。
よびシャッタ１４の形状は半円形としたが、ターゲット
カバー１２の開口部およびシャッタ１４の形状は、扇形
等の他の形状でもよい。また実施例においてターゲラ）
１１ａ・１１ｂの組成はそれぞれニッケルとクロムとし
たが、ターゲット組成はそれに限らず自由であり、また
、２元以上の多元合金を用いてもよいことは言うまでも
ない。次に軸１３と駆動源１６との動力伝達に駆動ベル
ト１４を用いたが、これに限られることなく歯車等の他
の動力伝達装置を用いてもよい。
発明の効果
以上のように本発明は、開口部を持つターゲットカバー
と回転可能なシャッタを設けることにより、任意組成比
の合金薄膜が簡単に形成できるとくシ とも膜厚方向に組成が変化した合金薄膜が形成でき、そ
の実用効果は犬なるものである。
と回転可能なシャッタを設けることにより、任意組成比
の合金薄膜が簡単に形成できるとくシ とも膜厚方向に組成が変化した合金薄膜が形成でき、そ
の実用効果は犬なるものである。
第１図は従来のスパッタ装置の概略の断面図、第２図は
本発明の一実施例におけるスパッタ装置７・・・・・・
ペルジャー、８・・・・・・陰極、９・・・・・・基板
保持電極、１０・・・・・・基板、１’１ａ・・・・・
・ニッケルターゲット、１１ｂ・・・・・・クロムター
ゲット、１２・・・・・・ターゲットカバー、１４・・
・・・・シャッター。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 弔３図 ３
本発明の一実施例におけるスパッタ装置７・・・・・・
ペルジャー、８・・・・・・陰極、９・・・・・・基板
保持電極、１０・・・・・・基板、１’１ａ・・・・・
・ニッケルターゲット、１１ｂ・・・・・・クロムター
ゲット、１２・・・・・・ターゲットカバー、１４・・
・・・・シャッター。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 弔３図 ３
Claims (1)
- ペルジャーの内部に設置され、基板に堆積させる材料か
らなるターゲットが少なくとも１個の陰極と、前記陰極
と対向して設けられた少なくとも１個の基板保持電極と
、少なくとも１個の前記陰極上に取り付けられた前記タ
ーゲットの上面および側面を覆うターゲットカバーとか
らなり、このターゲットカバーは、前記ターゲットの前
記基板保持対向面近傍に開口部を有し、前記ターゲット
と垂直な軸を中心に回転可能なシャッタにより前記開口
部が覆われ、シャッタの回転によりその開口面積が変化
するよう構成されたスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24021583A JPS60131966A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24021583A JPS60131966A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60131966A true JPS60131966A (ja) | 1985-07-13 |
Family
ID=17056158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24021583A Pending JPS60131966A (ja) | 1983-12-20 | 1983-12-20 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60131966A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115966A (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-24 | Shimadzu Corp | スパツタリング装置 |
| JP2000178728A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-27 | Olympus Optical Co Ltd | 光学薄膜の製造装置及び光学薄膜の製造方法 |
| US20130270104A1 (en) * | 2012-04-11 | 2013-10-17 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial processing using mosaic sputtering targets |
| JP6456010B1 (ja) * | 2017-09-07 | 2019-01-23 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| WO2019049472A1 (ja) * | 2017-09-07 | 2019-03-14 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| WO2022122095A1 (de) * | 2020-12-07 | 2022-06-16 | Solayer Gmbh | Blendenanordnung zur begrenzung des beschichtungsbereichs einer sputterquelle und sputtervorrichtung |
-
1983
- 1983-12-20 JP JP24021583A patent/JPS60131966A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6115966A (ja) * | 1984-06-30 | 1986-01-24 | Shimadzu Corp | スパツタリング装置 |
| JP2000178728A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-27 | Olympus Optical Co Ltd | 光学薄膜の製造装置及び光学薄膜の製造方法 |
| US20130270104A1 (en) * | 2012-04-11 | 2013-10-17 | Intermolecular, Inc. | Combinatorial processing using mosaic sputtering targets |
| JP6456010B1 (ja) * | 2017-09-07 | 2019-01-23 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| WO2019049472A1 (ja) * | 2017-09-07 | 2019-03-14 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置 |
| KR20200044892A (ko) * | 2017-09-07 | 2020-04-29 | 가부시키가이샤 알박 | 스퍼터링 장치 |
| US11286554B2 (en) | 2017-09-07 | 2022-03-29 | Ulvac, Inc. | Sputtering apparatus |
| WO2022122095A1 (de) * | 2020-12-07 | 2022-06-16 | Solayer Gmbh | Blendenanordnung zur begrenzung des beschichtungsbereichs einer sputterquelle und sputtervorrichtung |
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