JPH0676658B2 - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPH0676658B2 JPH0676658B2 JP59135516A JP13551684A JPH0676658B2 JP H0676658 B2 JPH0676658 B2 JP H0676658B2 JP 59135516 A JP59135516 A JP 59135516A JP 13551684 A JP13551684 A JP 13551684A JP H0676658 B2 JPH0676658 B2 JP H0676658B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- shutter
- target
- opening
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、種々の基板（金属、セラミック、ガラス、プ
ラスチック等）の表面に製膜するためのスパッタリング
装置に関するものである。
ラスチック等）の表面に製膜するためのスパッタリング
装置に関するものである。
［従来の技術］ スパッタリングによる製膜は、真空チャンバ内をまず真
空排気し次いでアルゴンガスのような導入ガスを封入し
た状態で、第６図に示すように、該真空チャンバａ内に
近接して対向配置してあるターゲット（陰極）ｂと基板
（陽極）ｃとにスパッタ電源ｄで電圧を印加してグロー
放電させ、ターゲットｂからガスイオンの衝突でスパッ
タされたスパッタ粒子（ターゲット原子）を基板ｃに付
着させ該基板ｃの表面に薄膜を生成せしめることにより
行なわれる。
空排気し次いでアルゴンガスのような導入ガスを封入し
た状態で、第６図に示すように、該真空チャンバａ内に
近接して対向配置してあるターゲット（陰極）ｂと基板
（陽極）ｃとにスパッタ電源ｄで電圧を印加してグロー
放電させ、ターゲットｂからガスイオンの衝突でスパッ
タされたスパッタ粒子（ターゲット原子）を基板ｃに付
着させ該基板ｃの表面に薄膜を生成せしめることにより
行なわれる。
しかして、従来のスパッタリング装置では、第６図のよ
うに、ターゲットｂと基板ｃとを対向させて、基板ｃの
表面に全面的にスパッタ粒子を付着させ乍ら製膜して行
くようにしている。しかし、このようにして得られたも
のでは、基板ｃの表面に生成された薄膜の膜厚にバラツ
キを生じ、膜厚分布を均一化できないという欠点があ
る。また、スパッタリング時には、ターゲットｂからAr
イオンでスパッタされたスパッタ粒子のみならず、プラ
ズマ中で生じた様々の荷電粒子や中性粒子等が基板ｃに
衝突し、これが基板ｃの温度を上昇（100〜150℃程度）
させることになるが、従来のように全面的にスパッタリ
ングさせると基板ｃが蓄熱して、例えば樹脂材料のよう
な耐熱温度の低いものの場合では、基板材料にとって致
命的な過熱状態を引き起こすことがある。更に、基板を
チャンバ等に挿入する段階では該チャンバ内は大気にさ
らされているため、その後にチャンバ内を真空排気して
もターゲットの表面に付着異物が残っている場合があ
る。そして、その付着異物が、スパッタリング開始と同
時にスパッタされてターゲット材とともに基板に達し、
膜中に混入して膜質を低下させるという問題もある。
うに、ターゲットｂと基板ｃとを対向させて、基板ｃの
表面に全面的にスパッタ粒子を付着させ乍ら製膜して行
くようにしている。しかし、このようにして得られたも
のでは、基板ｃの表面に生成された薄膜の膜厚にバラツ
キを生じ、膜厚分布を均一化できないという欠点があ
る。また、スパッタリング時には、ターゲットｂからAr
イオンでスパッタされたスパッタ粒子のみならず、プラ
ズマ中で生じた様々の荷電粒子や中性粒子等が基板ｃに
衝突し、これが基板ｃの温度を上昇（100〜150℃程度）
させることになるが、従来のように全面的にスパッタリ
ングさせると基板ｃが蓄熱して、例えば樹脂材料のよう
な耐熱温度の低いものの場合では、基板材料にとって致
命的な過熱状態を引き起こすことがある。更に、基板を
チャンバ等に挿入する段階では該チャンバ内は大気にさ
らされているため、その後にチャンバ内を真空排気して
もターゲットの表面に付着異物が残っている場合があ
る。そして、その付着異物が、スパッタリング開始と同
時にスパッタされてターゲット材とともに基板に達し、
膜中に混入して膜質を低下させるという問題もある。
［発明が解決しようとする問題点］ 本発明は、このような従来技術の欠点乃至問題点に着目
してなされたものであって、基板上に生成される薄膜の
膜厚分布の調整が容易に可能であると同時に、膜質も簡
単に向上させることができ、更にスパッタリング時にお
ける基板の加熱が最小限に抑えられるスパッタリング装
置を提供せんとするものである。
してなされたものであって、基板上に生成される薄膜の
膜厚分布の調整が容易に可能であると同時に、膜質も簡
単に向上させることができ、更にスパッタリング時にお
ける基板の加熱が最小限に抑えられるスパッタリング装
置を提供せんとするものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明のスパッタリング装置は、従来の問題点を克服し
所期の目的を達成するために、真空チャンバ内で、基板
の一部の領域にターゲットを対向配置するとともに、こ
のターゲットと基板との間であって基板に近接した位置
に基板全体を覆い前記ターゲットの位置および大きさに
対応した扇形の開口部を有するシャッタを前記基板と相
対回転可能に配設し、開口部を介してスパッタ成膜され
る基板上の領域が基板とシャッタの相対回転に伴って移
動するように構成するとともに、前記開口部を全閉・全
開にする可動シャッタを設けたことを特徴としている。
所期の目的を達成するために、真空チャンバ内で、基板
の一部の領域にターゲットを対向配置するとともに、こ
のターゲットと基板との間であって基板に近接した位置
に基板全体を覆い前記ターゲットの位置および大きさに
対応した扇形の開口部を有するシャッタを前記基板と相
対回転可能に配設し、開口部を介してスパッタ成膜され
る基板上の領域が基板とシャッタの相対回転に伴って移
動するように構成するとともに、前記開口部を全閉・全
開にする可動シャッタを設けたことを特徴としている。
［作用］ 本発明のスパッタリング装置では、ターゲットから飛び
出したスパッタ粒子は、ターゲットと基板との間に介入
してあるシャッタで遮蔽させ、その開口部に対応する部
分でのみ基板上に到達し付着されることになる。そし
て、シャッタと基板とは相対回転されるから、基板上で
製膜される部分がその円周方向で連続的に移り変わるこ
とになるのである。特に、本発明は、大きな基板を覆う
シャッタを設け、そのシャッタに扇形の開口部を設けて
成膜領域を制限しているため、膜圧分布の調整が容易で
あり、基板に対する加熱も最小限に抑えられる効果が奏
される。また、ターゲットをシャッタ開口部の位置およ
び大きさに対応して基板の一部の領域にのみ対向するも
のにしているため、ターゲットが小さくて済む効果も奏
される。さらに、可動シャッタにより開口部を全閉にし
てターゲットをプレスパッタリングできるため、ターゲ
ットに付着している異物を予め除去して質の高いスパッ
タリングを開始することができるし、可動シャッタを全
閉と全開の間の適宜の位置に保持すれば、開口部の面積
の調整にも利用できるものとなる。
出したスパッタ粒子は、ターゲットと基板との間に介入
してあるシャッタで遮蔽させ、その開口部に対応する部
分でのみ基板上に到達し付着されることになる。そし
て、シャッタと基板とは相対回転されるから、基板上で
製膜される部分がその円周方向で連続的に移り変わるこ
とになるのである。特に、本発明は、大きな基板を覆う
シャッタを設け、そのシャッタに扇形の開口部を設けて
成膜領域を制限しているため、膜圧分布の調整が容易で
あり、基板に対する加熱も最小限に抑えられる効果が奏
される。また、ターゲットをシャッタ開口部の位置およ
び大きさに対応して基板の一部の領域にのみ対向するも
のにしているため、ターゲットが小さくて済む効果も奏
される。さらに、可動シャッタにより開口部を全閉にし
てターゲットをプレスパッタリングできるため、ターゲ
ットに付着している異物を予め除去して質の高いスパッ
タリングを開始することができるし、可動シャッタを全
閉と全開の間の適宜の位置に保持すれば、開口部の面積
の調整にも利用できるものとなる。
［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第１図と第２図は一実施例を示し、所要の排気系および
ガス導入系を省略して図示する真空チャンバ１内で、タ
ーゲット２と基板３とを各々ホルダ2a、3aに支持させて
対向配置している。前記ターゲット２は、基板３に対し
略その片側域のみで対面する偏心位置に配置してあると
ともに、後述するシャッタ開口部の大きさに合わせてそ
の面積を小さくしている。一方、基板３は図示省略した
モータ等の駆動手段を備えてその中心Ｏまわりに回転可
能に配置している。そして、このターゲット２と基板３
とはグロー放電に必要なスパッタ電源４に結線してあ
る。
ガス導入系を省略して図示する真空チャンバ１内で、タ
ーゲット２と基板３とを各々ホルダ2a、3aに支持させて
対向配置している。前記ターゲット２は、基板３に対し
略その片側域のみで対面する偏心位置に配置してあると
ともに、後述するシャッタ開口部の大きさに合わせてそ
の面積を小さくしている。一方、基板３は図示省略した
モータ等の駆動手段を備えてその中心Ｏまわりに回転可
能に配置している。そして、このターゲット２と基板３
とはグロー放電に必要なスパッタ電源４に結線してあ
る。
前記ターゲット２と基板３との間に（基板３側に近接し
て）プレスパッタ用シャッタを兼ねてシャッタ５を配設
している。このシャッタ５は、ターゲット２と基板３と
が対向する部位で、予めスパッタ粒子の付着分布傾向に
応じてその形状、大きさを調整してある開口部（図例で
扇状スリット様）Ａを有する。そして、このシャッタ５
とターゲット２との間に（シャッタ５側に近接して）該
シャッタ５全閉用の可動シャッタ６を配設している。こ
の可動シャッタ６は、第２図に示す如く、旋回アーム７
に支持されて前記開口部Ａを開閉自在なものとしてい
る。
て）プレスパッタ用シャッタを兼ねてシャッタ５を配設
している。このシャッタ５は、ターゲット２と基板３と
が対向する部位で、予めスパッタ粒子の付着分布傾向に
応じてその形状、大きさを調整してある開口部（図例で
扇状スリット様）Ａを有する。そして、このシャッタ５
とターゲット２との間に（シャッタ５側に近接して）該
シャッタ５全閉用の可動シャッタ６を配設している。こ
の可動シャッタ６は、第２図に示す如く、旋回アーム７
に支持されて前記開口部Ａを開閉自在なものとしてい
る。
このようなスパッタリング装置による基板２の製膜工程
を説明すると、まず、可動シャッタ６でシャッタ５を全
閉状態（第２図実線状態）とし、この状態でターゲット
２をプレスパッタリングし、その表面の付着異物等を除
去してターゲット材を清浄化する（なお、必要ならば基
板３についてもその表面をプレスパッタリングして清浄
化しておくことができる） 次に可動シャッタ６を退避させ（第２図仮想線状態）、
シャッタ５の開口部Ａ全開状態で基板３の回転下に前記
スパッタ電源４でターゲット２と基板３とに電圧を印加
しグロー放電する。すると、ターゲット２からのスパッ
タ粒子はシャッタ５で遮蔽されその扇形の開口部Ａの部
分でのみ基板３面に到達する。しかるに、基板３はシャ
ッタ５即ち開口部Ａに対しその中心Ｏまわり回転してい
るから、基板３はその付着位置を円周方向に変え乍ら部
分的かつ周期的にスパッタ粒子を堆積することになる。
したがって、予めシャッタ５の開口部Ａの形状等を基板
３の回転速度などの条件を加味して適宜のものに調整さ
えしておけば、基板３には均一の膜厚分布を有する薄膜
を生成したものが簡単確実に得られる。そして又、この
ようにして製膜するようにすれば、基板３には開口部Ａ
に臨んでスパッタ粒子が付着される時を除き、プラズマ
中からスパッタ粒子、その他の荷電粒子、中性粒子等の
余分な粒子の到達がシャッタ５により遮断され、その故
基板３の加熱昇温を最小限に抑えることができる。
を説明すると、まず、可動シャッタ６でシャッタ５を全
閉状態（第２図実線状態）とし、この状態でターゲット
２をプレスパッタリングし、その表面の付着異物等を除
去してターゲット材を清浄化する（なお、必要ならば基
板３についてもその表面をプレスパッタリングして清浄
化しておくことができる） 次に可動シャッタ６を退避させ（第２図仮想線状態）、
シャッタ５の開口部Ａ全開状態で基板３の回転下に前記
スパッタ電源４でターゲット２と基板３とに電圧を印加
しグロー放電する。すると、ターゲット２からのスパッ
タ粒子はシャッタ５で遮蔽されその扇形の開口部Ａの部
分でのみ基板３面に到達する。しかるに、基板３はシャ
ッタ５即ち開口部Ａに対しその中心Ｏまわり回転してい
るから、基板３はその付着位置を円周方向に変え乍ら部
分的かつ周期的にスパッタ粒子を堆積することになる。
したがって、予めシャッタ５の開口部Ａの形状等を基板
３の回転速度などの条件を加味して適宜のものに調整さ
えしておけば、基板３には均一の膜厚分布を有する薄膜
を生成したものが簡単確実に得られる。そして又、この
ようにして製膜するようにすれば、基板３には開口部Ａ
に臨んでスパッタ粒子が付着される時を除き、プラズマ
中からスパッタ粒子、その他の荷電粒子、中性粒子等の
余分な粒子の到達がシャッタ５により遮断され、その故
基板３の加熱昇温を最小限に抑えることができる。
なお、この実施例の装置のものにおいては、別にシャッ
タ５の開口部Ａを開閉する可動シャッタ６を備えている
ので、シャッタ５をターゲット２のプレスパッタ用シャ
ッタとして兼用できる利点をもっている。また、基板３
面のスパッタリング面積をシャッタ５で絞るようにして
も、その開口部Ａの大きさに対応してターゲット２の面
積を小さくしているからターゲット材の無駄も少なくて
済む。
タ５の開口部Ａを開閉する可動シャッタ６を備えている
ので、シャッタ５をターゲット２のプレスパッタ用シャ
ッタとして兼用できる利点をもっている。また、基板３
面のスパッタリング面積をシャッタ５で絞るようにして
も、その開口部Ａの大きさに対応してターゲット２の面
積を小さくしているからターゲット材の無駄も少なくて
済む。
次に、他の実施例乃至変形実施例について説明する。
前記実施例では、開口部Ａを有するシャッタ５に対し基
板３を回転するようにしているが、これはシャッタ５を
基板３と同心の中心Ｏのまわりに回転しても同効であ
る。例えば、第３図に示すように、シャッタ５の外周縁
に歯車８を設け、これと噛合う外接歯車９をその中心
Ｏ′まわりに回転駆動するなどすればよい。但し、この
ようにすると、ターゲット２は基板３と全面的に対向す
る大きさのものにしなければならない。
板３を回転するようにしているが、これはシャッタ５を
基板３と同心の中心Ｏのまわりに回転しても同効であ
る。例えば、第３図に示すように、シャッタ５の外周縁
に歯車８を設け、これと噛合う外接歯車９をその中心
Ｏ′まわりに回転駆動するなどすればよい。但し、この
ようにすると、ターゲット２は基板３と全面的に対向す
る大きさのものにしなければならない。
また、前記実施例ではシャッタ５に設ける開口部Ａを一
様のものとして設ける場合を説明したが、開口部Ａの形
状等はスパッタリングの目的、条件に応じて変更する必
要を生じる場合があるから、その形状等を調整可能にし
て設けることができる。このためには、例えば、第４図
に示すように、シャッタ５の開口部両側縁に図示矢印の
ように円周方向に移動調整自在にして一対の可動シャッ
タ10、10を設け、この会合式の可動シャッタ10、10の開
閉角で開口部Ａのスリット巾を調整するようにしてもよ
い。可動シャッタ10、10は、片方だけのものでもよい
し、膜厚分布等の関係から任意の形状のものでもよい。
また、例えば第５図に示すように、各開口部Ａを有する
シャッタ5aおよび可動シャッタ5bを重ね合せた構造のも
のとし、それらにやはり図示矢印のような相対回転可能
な機構を付与して、開口部Ａのスリット巾を調整するよ
うにしてもよい。
様のものとして設ける場合を説明したが、開口部Ａの形
状等はスパッタリングの目的、条件に応じて変更する必
要を生じる場合があるから、その形状等を調整可能にし
て設けることができる。このためには、例えば、第４図
に示すように、シャッタ５の開口部両側縁に図示矢印の
ように円周方向に移動調整自在にして一対の可動シャッ
タ10、10を設け、この会合式の可動シャッタ10、10の開
閉角で開口部Ａのスリット巾を調整するようにしてもよ
い。可動シャッタ10、10は、片方だけのものでもよい
し、膜厚分布等の関係から任意の形状のものでもよい。
また、例えば第５図に示すように、各開口部Ａを有する
シャッタ5aおよび可動シャッタ5bを重ね合せた構造のも
のとし、それらにやはり図示矢印のような相対回転可能
な機構を付与して、開口部Ａのスリット巾を調整するよ
うにしてもよい。
［発明の効果］ 以上述べたように、本発明のスパッタリング装置では、
ターゲットと基板との間であって基板に近接した位置に
基板全体を覆い扇形の開口部を有するシャッタを配設
し、基板と相対回転されるシャッタの開口部を通して基
板上のスパッタ成膜される領域を移動させ、部分的且つ
周期的にスパッタ粒子を付着させるようにしたものであ
るから、基板上に生成される薄膜の膜厚分布を容易に調
整でき、好ましい均一な膜厚分布の下に製膜することが
可能となる。また同時に、基板に対するスパッタ粒子の
付着が局部的に限定され、しかも基板に対する余分な荷
電粒子等の衝突もシャッタで遮蔽されることになるか
ら、従来の装置による場合に比較して基板の温度上昇を
遥かに低く抑えることが可能である。すなわち、本発明
は、大きな基板を覆うシャッタを設け、そのシャッタに
扇形の開口部を設けて成膜領域を制限しているため、基
板に対する加熱が最小限に抑えられる効果が奏される。
また、ターゲットをシャッタ開口部の位置および大きさ
に対応して基板の一部の領域にのみ対向するものにして
いるため、ターゲットが小さくて済む効果も奏される。
その上、前記開口部は可動シャッタによって全閉・全開
にされるから、プレスパッタリングを実施してターゲッ
トの純度を高め膜質を更に向上させる効果が得られ、そ
の他に、可動シャッタを全閉と全開の間の適宜位置に保
持することによって開口部の面積を調節する等の利用に
供することもできるものとなる。
ターゲットと基板との間であって基板に近接した位置に
基板全体を覆い扇形の開口部を有するシャッタを配設
し、基板と相対回転されるシャッタの開口部を通して基
板上のスパッタ成膜される領域を移動させ、部分的且つ
周期的にスパッタ粒子を付着させるようにしたものであ
るから、基板上に生成される薄膜の膜厚分布を容易に調
整でき、好ましい均一な膜厚分布の下に製膜することが
可能となる。また同時に、基板に対するスパッタ粒子の
付着が局部的に限定され、しかも基板に対する余分な荷
電粒子等の衝突もシャッタで遮蔽されることになるか
ら、従来の装置による場合に比較して基板の温度上昇を
遥かに低く抑えることが可能である。すなわち、本発明
は、大きな基板を覆うシャッタを設け、そのシャッタに
扇形の開口部を設けて成膜領域を制限しているため、基
板に対する加熱が最小限に抑えられる効果が奏される。
また、ターゲットをシャッタ開口部の位置および大きさ
に対応して基板の一部の領域にのみ対向するものにして
いるため、ターゲットが小さくて済む効果も奏される。
その上、前記開口部は可動シャッタによって全閉・全開
にされるから、プレスパッタリングを実施してターゲッ
トの純度を高め膜質を更に向上させる効果が得られ、そ
の他に、可動シャッタを全閉と全開の間の適宜位置に保
持することによって開口部の面積を調節する等の利用に
供することもできるものとなる。
第１図は、本発明の一実施例を示すスパッタリング装置
の概略断面図であり、第２図は第１図のＸ−Ｘ線矢視図
である。第３図は、他の実施例を示すスパッタリング装
置の一部概略断面図である。第４図と第５図は、要部変
形例を示すシャッタの概略的平面図である。第６図は、
従来のスパッタリング装置を示す概略断面図である。 １……真空チャンバ ２……ターゲット ３……基板 ４……スパッタ電源 ５、5a、5b……シャッタ ６……可動シャッタ 10、10……可動シャッタ Ａ……開口部
の概略断面図であり、第２図は第１図のＸ−Ｘ線矢視図
である。第３図は、他の実施例を示すスパッタリング装
置の一部概略断面図である。第４図と第５図は、要部変
形例を示すシャッタの概略的平面図である。第６図は、
従来のスパッタリング装置を示す概略断面図である。 １……真空チャンバ ２……ターゲット ３……基板 ４……スパッタ電源 ５、5a、5b……シャッタ ６……可動シャッタ 10、10……可動シャッタ Ａ……開口部
Claims (1)
- 【請求項１】真空チャンバ内で、基板の一部の領域にタ
ーゲットを対向配置するとともに、このターゲットと基
板との間であって基板に近接した位置に基板全体を覆い
前記ターゲットの位置および大きさに対応した扇形の開
口部を有するシャッタを前記基板と相対回転可能に配設
し、開口部を介してスパッタ成膜される基板上の領域が
基板とシャッタの相対回転に伴って移動するように構成
するとともに、前記開口部を全閉・全開にする可動シャ
ッタを設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59135516A JPH0676658B2 (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59135516A JPH0676658B2 (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | スパツタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6115966A JPS6115966A (ja) | 1986-01-24 |
| JPH0676658B2 true JPH0676658B2 (ja) | 1994-09-28 |
Family
ID=15153586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59135516A Expired - Lifetime JPH0676658B2 (ja) | 1984-06-30 | 1984-06-30 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0676658B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0796706B2 (ja) * | 1987-05-22 | 1995-10-18 | 株式会社日立製作所 | 膜形成装置のシヤツタ機構 |
| JPS63186765U (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-30 | ||
| JP2692724B2 (ja) * | 1993-04-12 | 1997-12-17 | 工業技術院長 | 金属系材料の表面蒸着方法 |
| JP2002090978A (ja) | 2000-09-12 | 2002-03-27 | Hoya Corp | 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置 |
| JP4783585B2 (ja) * | 2005-05-02 | 2011-09-28 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
| JP4734020B2 (ja) * | 2005-05-02 | 2011-07-27 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
| JP2007084862A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Shibaura Mechatronics Corp | 真空処理装置 |
| JP5513529B2 (ja) * | 2010-01-26 | 2014-06-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜方法、成膜装置、および該成膜装置の制御装置 |
| CN113249699B (zh) * | 2021-05-13 | 2022-11-04 | 沈阳仪表科学研究院有限公司 | 基于磁控溅射技术制备高精密波长渐变滤光片的方法及其采用的装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5993878A (ja) * | 1982-11-20 | 1984-05-30 | Hiroshi Yamamoto | スパツタ装置 |
| JPS60131966A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパツタ装置 |
-
1984
- 1984-06-30 JP JP59135516A patent/JPH0676658B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6115966A (ja) | 1986-01-24 |
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