JP2003013206A - 斜め蒸着装置および斜め蒸着方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特に大型で薄型の基板であっても、膜厚分布
および蒸着角度分布が均一となるように蒸着膜を形成す
ることができ、しかも同時に複数枚の基板に対して蒸着
処理が可能であり、生産性に優れ、さらに装置の小型化
を図ることができ、メンテナンス性にも優れた斜め蒸着
装置および斜め蒸着方法を提供すること。 【解決手段】 斜め蒸着装置２は、内部に蒸着源８が配
置される蒸着用チャンバ４と、蒸着用チャンバ４内で蒸
着処理される少なくとも一つの基板１０を、蒸着源から
８の蒸気流Ｆ１の中心軸Ｃ１に対して所定距離離れて略
平行に配置する基板ホルダ１２と、を有する。基板ホル
ダ１２は、基板１０と共に、蒸気流Ｆ１の中心軸Ｃ１に
沿って平行に移動させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、斜め蒸着装置およ
び斜め蒸着方法の改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】蒸着装置は、一般に、真空チャンバ（蒸
着チャンバ）内で蒸発源を加熱して蒸気流を形成し、こ
の蒸気流の構成物質を基板上に堆積させて蒸着膜を形成
する装置である。通常の蒸着装置による蒸着方法で基板
の表面に蒸着膜を形成する場合には、蒸着源からの蒸着
流の中心軸に対して略垂直に基板を配置し、基板の表面
に蒸発流を照射させて蒸着膜を形成している。

【０００３】ところが、このような通常の蒸着装置によ
る蒸着方法では、比較的大面積の基板に対して蒸着処理
を行う場合に、基板の中心部分と周辺部分とで蒸着膜の
厚さのばらつきが生じるという課題を有している。

【０００４】そこで、基板を、蒸発流の中心軸に対して
垂直方向に水平移動させるようにした蒸着装置が提案さ
れている。しかしながら、真空チャンバ内で基板を水平
方向に移動させる蒸着装置では、その移動量に対応し
て、チャンバを水平方向に大きくしなければ成らず、装
置の小型化の要請に反している。また、同時に複数の基
板に対して蒸着処理を行うことも不可能である。

【０００５】また、対象となる基板を、蒸発流の中心軸
に対して鋭角度で斜めに配置した斜め蒸着装置および斜
め蒸着方法も提案されている。この従来の斜め蒸着装置
および斜め蒸着方法では、チャンバの水平方向幅を小さ
くすることができる。また、斜め蒸着の場合には、金属
製の蒸着マスク無しで、基板の表面に形成された微小凸
部の頂部にのみ蒸着膜を形成することが可能になる。

【０００６】しかしながら、従来の斜め蒸着装置および
斜め蒸着方法では、真空チャンバの上部において、真空
チャンバの内部に基板を水平状態で搬入し、チャンバの
内部において、基板を、水平状態から、蒸発流の中心軸
に対して約１５度の鋭角となる位置まで回転させ、その
状態で蒸着処理を行っている。

【０００７】そのため、従来の装置では、チャンバの上
部で基板を回転させる機構を必要とし、チャンバ上部が
大きくなり、その高さも高くなり、装置の小型化の要請
に反する。また、基板をチャンバ内へ投入する投入高さ
も高くなり、その投入高さまで、基板を持ち上げる必要
がある。さらに、基板を回転させる機構および基板を保
持する機構が複雑になる。さらにまた、特に大型の薄型
基板の場合に、基板が撓みやすく、蒸着膜の膜厚分布や
蒸着角度分布が悪くなる傾向にある。

【０００８】また、特に大型基板の場合には、基板の両
端で蒸着角度が同じにならず、そのために蒸着膜の膜厚
分布も不均一に成りやすい。さらに、蒸着パターンを金
属製蒸着マスクで形成する場合には、基板の両端で蒸着
角度が同じにならないことを考慮してマスクを設計する
必要があり、そのマスクパターン形状が複雑になるとい
う課題も有する。さらにまた、そのマスクを基板に密着
させて位置決めするための操作も煩雑である。

【０００９】また、従来の斜め蒸着装置では、一つの真
空チャンバー内で１枚の基板しか処理できない構造にな
っていたため、蒸着材料の使用効率が数％以下程度に非
常に悪い。その不要な蒸着材料は、チャンバーの内壁面
や防着板に多量に付着し、ゴミやダストなどの問題を引
き起こすと共に、装置のメンテナンスが煩雑である。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
実状に鑑みてなされ、特に大型で薄型の基板であって
も、膜厚分布および蒸着角度分布が均一となるように蒸
着膜を形成することができ、しかも同時に複数枚の基板
に対して蒸着処理が可能であり、生産性に優れ、さらに
装置の小型化を図ることができ、メンテナンス性にも優
れた斜め蒸着装置および斜め蒸着方法を提供することを
目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る斜め蒸着装置は、内部に蒸着源が配置
される蒸着用チャンバと、前記蒸着用チャンバ内で蒸着
処理される少なくとも一つの基板を、前記蒸着源からの
蒸気流の中心軸に対して所定距離離れて略平行に配置す
る基板ホルダと、を有する。

【００１２】好ましくは、本発明の装置は、前記基板ホ
ルダを、前記蒸気流の中心軸に沿って平行に移動させる
移動機構をさらに有する。

【００１３】好ましくは、前記蒸着用チャンバ内には、
前記蒸着源からの蒸気流を構成する物質が前記基板以外
のチャンバの内壁に付着することを防止する固定防着板
が配置してあり、前記基板が、前記固定防着板の外部で
あって前記チャンバの内部に配置され、前記蒸着源から
の蒸気流は、前記固定防着板に形成してある開口部を通
過して、前記基板の表面に照射されるようになってい
る。

【００１４】好ましくは、前記固定防着板の開口部に
は、当該開口部の開度を制御するための移動防着板が装
着してある。

【００１５】好ましくは、前記移動防着板は、前記基板
の移動に同期して移動する。

【００１６】好ましくは、前記開口部の下端縁と前記蒸
着源の中心とを結ぶ線と、前記蒸気流の中心軸との成す
角度が、鋭角である。その角度は、特に限定されない
が、好ましくは、１０〜２０度、さらに好ましくは１５
度程度である。

【００１７】好ましくは、前記蒸気流の中心軸の周囲に
複数の基板が配置されるように、前記基板ホルダが配置
してある。

【００１８】本発明に係る蒸着方法は、蒸着用チャンバ
内で蒸着処理される少なくとも一つの基板を、蒸着源か
らの蒸気流の中心軸に対して所定距離離れて略平行に配
置し、蒸着処理を行うことを特徴とする。

【００１９】好ましくは、前記基板を、前記蒸気流の中
心軸に沿って平行に移動させながら、蒸着処理を行う。

【００２０】好ましくは、前記蒸着用チャンバ内に、前
記蒸着源からの蒸気流を構成する物質が前記基板以外の
チャンバの内壁に付着することを防止するように、固定
防着板を配置し、前記基板を、前記固定防着板の外部で
あって前記チャンバの内部に配置し、前記蒸着源からの
蒸気流を、前記固定防着板に形成してある開口部を通過
して、前記基板の表面に照射させる。

【００２１】好ましくは、前記固定防着板の開口部に、
移動防着板を取り付け、前記基板を移動させながら、そ
の基板の移動に同期させて前記移動防着板を移動させ、
前記開口部の開度を制御しながら、蒸着を行う。

【００２２】好ましくは、前記開口部の下端縁と前記蒸
着源の中心とを結ぶ線と、前記蒸気流の中心軸との成す
角度が鋭角となるように、前記蒸着源および開口部を配
置し、蒸着処理を行う。

【００２３】好ましくは、前記蒸気流の中心軸の周囲に
複数の基板を配置し、蒸着処理を行う。

【００２４】好ましくは、前記基板における蒸着処理予
定表面には、複数の微小凸部が形成してあり、これらの
微小凸部の頂部に、蒸着膜を形成する。

【００２５】好ましくは、前記基板における蒸着処理予
定表面には、所定パターンの蒸着マスクが位置決めさ
れ、その蒸着マスクで覆われていない前記基板の表面に
蒸着膜を形成する。

【００２６】

【作用】本発明に係る斜め蒸着装置および斜め蒸着方法
によれば、単一のチャンバ内で蒸気流の中心軸の周囲に
複数（たとえば２〜６枚、好ましくは４枚）の基板を配
置することが可能になり、同時に複数枚の基板の蒸着処
理が可能になる。その結果、生産性が向上する。また、
このように複数枚の基板に対して同時に蒸着処理を行う
ことから、蒸着源における蒸着材料の使用効率が、同時
処理できる基板の枚数に対応する数の倍数で向上する。
その結果、防着板やチャンバ内壁に付着する不要な蒸着
材料の量も少なくなり、装置のメンテナンスの頻度を少
なくすることができる。さらに、蒸着処理のスループッ
トが向上するために、蒸着装置の電力消費を低減するこ
ともできる。

【００２７】さらに、本発明に係る蒸着装置および蒸着
方法では、チャンバの上部において基板を回転させる機
構を必要としないため、装置全体のサイズをコンパクト
化することができる。

【００２８】さらにまた、チャンバの内部で、基板は、
蒸発流の中心軸と平行な鉛直位置方向に沿って配置され
ることから、基板が薄い場合でも、基板のたわみを最小
限にすることができる。その結果、基板の表面に対して
均一な膜厚の蒸着膜を形成することができる。

【００２９】本発明において、基板を、蒸気流の中心軸
に沿って平行に移動させながら、蒸着処理を行うこと
で、基板の全表面にわたり、蒸着角度が均一な状態で蒸
着処理を行うことが可能になり、この点でも、蒸着膜の
膜厚も均一になる。なお、本発明において、蒸着角度と
は、基板の表面における蒸着膜が形成されるべき所定位
置に向けて蒸着源から照射される蒸気流の直線と、基板
の基準表面との成す角度である。

【００３０】また、基板の全表面にわたり、蒸着角度が
均一な状態で蒸着処理を行うことが可能になるため、基
板の表面に位置決めされて密着されるマスクのパターン
設計が容易になると共に、マスクのパターン通りに精度
の高い蒸着が可能になる。さらに、マスクの構造もシン
プルになり、基板の表面に対する位置決めおよび密着が
容易になる。

【００３１】なお、蒸気流の中心軸は、一般には、チャ
ンバの垂直軸と一致するので、基板を、蒸気流の中心軸
に沿って平行に移動自在にすることで、チャンバにおけ
る比較的に低い位置で、基板の受け渡しが可能になる。
その結果、チャンバ内への基板の投入高さを、一般的な
薄膜形成装置における基板の投入高さと同程度に低くす
ることができ、基板の搬送が容易になる。

【００３２】本発明において、基板の移動に同期させて
移動防着板を移動させ、開口部の開度を制御しながら、
蒸着を行うことで、開口部を通してチャンバの内壁に向
かう蒸気流を移動防着板で遮断することができる。その
結果、チャンバの内壁に対する不要な蒸着物質の付着を
少なくすることができる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。図１は本発明の一実施形態に係
る斜め蒸着装置の概略縦断面図、図２は図１に示すII−
II線に沿う横断面図、図３は図１に示す基板の動きを示
す要部断面図、図４（Ａ）は本発明の斜め蒸着方法の一
例を示す要部断面図、図４（Ｂ）は従来の斜め蒸着方法
の一例を示す要部断面図、図５は本発明の蒸着方法で用
いるマスクの平面図、図６（Ａ）は本発明の斜め蒸着方
法の他の例を示す要部断面図、図６（Ｂ）は従来の斜め
蒸着方法の他の例を示す要部断面図、図７は本発明の他
の実施形態に係る蒸着装置の概略横断面図である。

【００３４】図１および図２に示すように、本発明の一
実施形態に係る斜め蒸着装置２は、縦長円筒状の真空チ
ャンバ（蒸着用チャンバ）４を有する。真空チャンバ４
には、図示省略してある排気装置が接続してあり、チャ
ンバ４の内部において真空蒸着が可能な程度の真空度に
成るようにしてある。

【００３５】この真空チャンバ４の内部には、垂直方向
に細長い中空四角柱状の固定防着板１４が配置してあ
る。この固定防着板１４の底部中央部に、蒸着源８が装
着してある。蒸着源８は、蒸着物質の発生源であり、た
とえば電子ビームにより加熱され、蒸発分子から成る蒸
気流Ｆ１を発生するようになっている。本実施形態で
は、蒸気流Ｆ１の中心軸Ｃ１は、チャンバ４の中心軸お
よび固定防着板１４の中心軸とも一致し、鉛直方向に延
びている。

【００３６】チャンバ４の内部であって、固定防着板４
の四方外周上部には、中心軸Ｃ１と略平行に４つの基板
ホルダ１２が配置してある。基板ホルダ１２には、それ
ぞれ蒸着処理が成されるべき基板１０が保持してある。
基板ホルダ１２は、基板１０と共に、チャンバ４の内部
において、図示省略してある第１垂直移動機構により、
図３に示すように、中心軸Ｃ１と平行な鉛直方向Ｖ１に
往復移動可能になっている。第１垂直移動機構として
は、特に限定されず、駆動モータ、駆動アクチュエー
タ、駆動リンク、駆動ワイヤなどが用いられる。４つの
基板ホルダ１２は、全て同期して移動し、同じ垂直方向
位置を保持するようになっている。

【００３７】固定防着板１４には、その上部四方に４つ
の開口部１６が形成してある。各開口部１６の横幅は、
図２に示すように、蒸着源８からの蒸気流Ｆ１が基板１
０における蒸着予定表面の全域を照射し、且つチャンバ
４の内壁に向かわないように決定される。また、各開口
部１６の下端縁１６ａは、図１に示すように、基板１０
が基板ホルダ１２と共に、チャンバ４の内部で鉛直方向
の最上部に位置する状態で、蒸着源８からの蒸気流Ｆ１
が、基板１０における蒸着予定表面の最下端までを照射
し、且つチャンバ４の内壁に向かわないように決定され
る。また、各開口部１６の下端縁１６ａは、その下端縁
１６ａと蒸着源８の中心とを結ぶ線と、蒸気流Ｆ１の中
心軸Ｃ１との成す角度θ１が、約１５度となるように決
定される。なお、基板１０の表面から蒸着源８の中心ま
での水平距離Ｈ１（図３に示す）は、特に限定されない
が、本実施形態では、２００〜８００mm、好ましくは５
００mm前後である。

【００３８】また、各開口部１６の上端縁１６ｂは、基
板１０が基板ホルダ１２と共に、チャンバ４の内部で鉛
直方向の最上部に位置する状態で、蒸着源８からの蒸気
流Ｆ１が、基板１０における蒸着予定表面の最上端まで
を照射し、且つチャンバ４の内壁に向かわないように決
定される。

【００３９】各開口部１６には、移動防着板１８が、図
３に示すように、固定防着板１４に対して鉛直方向Ｖ２
に沿って往復移動自在に装着してある。各移動防着板１
８は、基板ホルダ１２を垂直方向Ｖ１に沿って移動させ
るための第１垂直移動機構と同様な第２垂直移動機構
（図示省略）により駆動される。これらの第１垂直移動
機構と第２垂直移動機構とは、電気的あるいは機械的に
接続され、同期して駆動されることが可能になってい
る。

【００４０】すなわち、図３に示すように、基板１０が
基板ホルダ１２と共に、垂直方向Ｖ１に移動する動作に
同期して、移動防着板１８も、垂直方向Ｖ２に移動し、
開口部１６の開口度を制御し、蒸着源８からの蒸気流Ｆ
１が基板１０の表面から外れてチャンバ４の内壁に向か
わないようにしてある。これらの固定防着板１４および
移動防着板１８は、チャンバ４の内壁に対する不要な蒸
着物質の付着を少なくする目的で装着される。

【００４１】図１および図２に示すように、真空チャン
バ４の鉛直方向の途中位置には、ロードロック室６が接
続してある。ロードロック室６とチャンバ４との接続部
分には、開閉自在な扉またはシャッタが具備してあり、
扉またはシャッタが開いた状態で、チャンバ４とロード
ロック室６との間で、基板１０および基板ホルダ１２の
出し入れが可能になっている。また、チャンバ４内で蒸
着処理が行われる場合には、扉またはシャッタが閉ま
り、チャンバ４の内部が密封されるようになっている。
ロードロック室６には、外部との間で基板１０およびホ
ルダ１２の出し入れが可能な扉またはシャッタが装着し
てある。

【００４２】チャンバ４に対してロードロック室６が取
り付けられる鉛直方向位置は、チャンバ４の内部におい
て、基板１０および基板ホルダ１２が第１垂直移動機構
により最下限位置にまで移動した状態で、その第１垂直
移動機構から基板１０および基板ホルダ１２をロードロ
ック室６との間で受け渡しが可能となる位置である。な
お、基板１０の表面に金属製の蒸着マスクが取り付けら
れた状態で、蒸着が行われる場合には、そのマスクは、
ロードロック室６の内部で基板の表面に位置決めされて
取り付けられることが好ましい。

【００４３】ロードロック室６とチャンバ４との間での
基板１０および基板ホルダ１２の受け渡しは、ロボット
ハンドあるいはその他の機構により自動的に行われるこ
とが好ましい。また、チャンバ４の内部で四方に配置さ
れる４枚の基板１０（基板ホルダを含む）の受け渡し
を、単一のロードロック室６で行うために、固定防着板
１４を、移動防着板１８および基板ホルダ１２と共に、
中心軸Ｃ１の回りにインデックス回転させるインデック
ス回転機構がチャンバ４に装着してあることが好まし
い。

【００４４】なお、本発明では、図７に示すように、チ
ャンバ４の周囲に二つのロードロック室６を接続し、一
方のロードロック室６で基板１０の排出を行い、他方の
ロードロック室６で基板１０の投入を行うことで、基板
の投入および排出を同時に行うこともできる。

【００４５】本実施形態に係る斜め蒸着装置２を用いて
蒸着を行えば、単一のチャンバ４内で同時に４枚の基板
１０の蒸着処理が可能になる。その結果、生産性が向上
する。また、このように４枚の基板１０に対して同時に
蒸着処理を行うことから、蒸着源８における蒸着材料の
使用効率が、同時処理できる基板１０の枚数に対応する
数の４倍で向上する。その結果、防着板１４，１８やチ
ャンバ４の内壁に付着する不要な蒸着材料の量も少なく
なり、装置２のメンテナンスの頻度を少なくすることが
できる。さらに、蒸着処理のスループットが向上するた
めに、蒸着装置２の電力消費を低減することもできる。

【００４６】この蒸着装置２を用いる蒸着方法では、チ
ャンバ４の上部において基板を回転させる機構を必要と
しないため、装置２全体のサイズをコンパクト化するこ
とができる。

【００４７】また、チャンバ４の内部で、基板１０は、
蒸発流の中心軸Ｃ１と平行な鉛直位置方向Ｖ１に沿って
配置されることから、基板１０が薄い場合でも、基板１
０のたわみを最小限にすることができる。その結果、基
板１０の表面に対して均一な膜厚の蒸着膜を形成するこ
とができる。

【００４８】また、本実施形態では、４枚の基板１０
を、蒸気流Ｆ１の中心軸Ｃ１に沿って平行に移動させな
がら、蒸着処理を行うので、基板１０の全表面にわた
り、図４（Ａ）に示すように、蒸着角度θ２が均一な状
態で蒸着処理を行うことが可能になり、この点でも、蒸
着膜の膜厚も均一になる。なお、蒸着角度θ２とは、基
板１０の表面における蒸着膜が形成されるべき所定位置
に向けて蒸着源８から照射される蒸気流Ｆ１の直線と、
基板１０の基準表面との成す角度である。

【００４９】また、基板１０の全表面にわたり、蒸着角
度θ２が均一な状態で蒸着処理を行うことが可能になる
ため、図４（Ａ）に示すように、基板１０の表面に位置
決めされて密着されるマスク３０のパターン設計が容易
になると共に、たとえば図５に示すマスク３０のパター
ン通りに精度の高い蒸着が可能になる。さらに、マスク
３０の構造もシンプルになり、基板１０の表面に対する
マスク３０の位置決めおよび密着が容易になる。

【００５０】なお、従来では、特に大型基板では、図４
（Ｂ）に示すように、基板１０の位置により、蒸着角度
θ２およびθ３が異なることから、マスク３０により蒸
発流Ｆ１の影になる部分の長さＳ１，Ｓ２が異なり、そ
の点を考慮してマスク３０のパターンを設計する必要が
あった。また、従来の方法では、蒸発流Ｆ１の影になる
部分の長さＳ１，Ｓ２を可能な限り同じにするために
は、マスク３０の厚みをできる限り薄くする必要があ
り、マスク３０の強度が不足し、基板１０への密着が困
難であった。基板１０の表面に対するマスク３０の密着
が不完全であると、正確なパターンでの蒸着が不可能に
なる。

【００５１】これに対して本実施形態によれば、図４
（Ａ）に示すように、特に大型基板であっても、基板１
０の位置により、蒸着角度θ２が同じになることから、
マスク３０により蒸発流Ｆ１の影になる部分の長さＳ１
が同じになり、マスク３０のパターンの設計が容易にな
る。また、本実施形態の方法では、蒸発流Ｆ１の影にな
る部分の長さＳ１が基板表面の位置によらず同じになる
ため、マスク３０の厚みを十分に厚く設計するすること
が可能になり、マスクの強度が十分なものとなり、基板
１０への密着および位置決めが容易になる。

【００５２】また、本実施形態の蒸着装置２を用いて、
マスク３０を用いずに、図６（Ａ）に示すように、基板
１０における蒸着処理予定表面に形成された複数の微小
凸部１０ａの頂部に、蒸着膜を２０を形成する場合に
は、基板１０の表面位置によらず、均一なパターンで、
蒸着膜２０を形成することが可能になる。

【００５３】これに対して、従来の方法では、蒸着角度
が基板表面の位置で変わることから、図６（Ｂ）に示す
ように、複数の微小凸部１０ａの頂部に、均一なパター
ンで、蒸着膜２０ａを形成することが困難であった。

【００５４】また、本実施形態の蒸着装置２では、ロー
ドロック室６を、チャンバ４における比較的に低い位置
でチャンバ４に接続してあるので、チャンバ４内への基
板の投入高さを、一般的な薄膜形成装置における基板の
投入高さと同程度に低くすることができ、基板１０の搬
送が容易になる。

【００５５】さらに、本実施形態の装置２では、基板１
０の表面に形成される蒸着膜の膜厚は、基板１０および
基板ホルダ１２の鉛直方向Ｖ１の往復移動の移動速度お
よび回数などに応じて制御することもできる。

【００５６】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変する
ことができる。たとえば、上述した実施形態では、チャ
ンバ４の内部に、４枚の基板１０を配置してあるが、基
板の枚数は、特に限定されず、２枚〜８枚であっても良
い。

【００５７】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、特に大型で薄型の基板であっても、膜厚分布および
蒸着角度分布が均一となるように蒸着膜を形成すること
ができ、しかも同時に複数枚の基板に対して蒸着処理が
可能であり、生産性に優れ、さらに装置の小型化を図る
ことができ、メンテナンス性にも優れた斜め蒸着装置お
よび斜め蒸着方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は本発明の一実施形態に係る斜め蒸着装
置の概略縦断面図である。

【図２】 図２は図１に示すII−II線に沿う横断面図で
ある。

【図３】 図３は図１に示す基板の動きを示す要部断面
図である。

【図４】 図４（Ａ）は本発明の斜め蒸着方法の一例を
示す要部断面図、図４（Ｂ）は従来の斜め蒸着方法の一
例を示す要部断面図である。

【図５】 図５は本発明の蒸着方法で用いるマスクの平
面図である。

【図６】 図６（Ａ）は本発明の斜め蒸着方法の他の例
を示す要部断面図、図６（Ｂ）は従来の斜め蒸着方法の
他の例を示す要部断面図である。

【図７】 図７は本発明の他の実施形態に係る蒸着装置
の概略横断面図である。

【符号の説明】

２… 斜め蒸着装置 ４… チャンバ ６… ロードロック室 ８… 蒸着源 １０… 基板 １０ａ… 微小凸部 １２… 基板ホルダ １４… 固定防着板 １６… 開口部 ２０… 蒸着膜 ３０… マスク

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 内部に蒸着源が配置される蒸着用チャン
   バと、 前記蒸着用チャンバ内で蒸着処理される少なくとも一つ
   の基板を、前記蒸着源からの蒸気流の中心軸に対して所
   定距離離れて略平行に配置する基板ホルダと、を有する
   斜め蒸着装置。
2. 【請求項２】 前記基板ホルダを、前記蒸気流の中心軸
   に沿って平行に移動させる移動機構をさらに有する請求
   項１に記載の斜め蒸着装置。
3. 【請求項３】 前記蒸着用チャンバ内には、前記蒸着源
   からの蒸気流を構成する物質が前記基板以外のチャンバ
   の内壁に付着することを防止する固定防着板が配置して
   あり、 前記基板が、前記固定防着板の外部であって前記チャン
   バの内部に配置され、前記蒸着源からの蒸気流は、前記
   固定防着板に形成してある開口部を通過して、前記基板
   の表面に照射されるようになっていることを特徴とする
   請求項１または２に記載の斜め蒸着装置。
4. 【請求項４】 前記固定防着板の開口部には、当該開口
   部の開度を制御するための移動防着板が装着してある請
   求項３に記載の斜め蒸着装置。
5. 【請求項５】 前記移動防着板は、前記基板の移動に同
   期して移動することを特徴とする請求項４に記載の斜め
   蒸着装置。
6. 【請求項６】 前記開口部の下端縁と前記蒸着源の中心
   とを結ぶ線と、前記蒸気流の中心軸との成す角度が、鋭
   角であることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記
   載の斜め蒸着装置。
7. 【請求項７】 前記蒸気流の中心軸の周囲に複数の基板
   が配置されるように、前記基板ホルダが配置してあるこ
   とを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の斜め蒸
   着装置。
8. 【請求項８】 蒸着用チャンバ内で蒸着処理される少な
   くとも一つの基板を、蒸着源からの蒸気流の中心軸に対
   して所定距離離れて略平行に配置し、蒸着処理を行うこ
   とを特徴とする斜め蒸着方法。
9. 【請求項９】 前記基板を、前記蒸気流の中心軸に沿っ
   て平行に移動させながら、蒸着処理を行うことを特徴と
   する斜め請求項８に記載の斜め蒸着方法。
10. 【請求項１０】 前記蒸着用チャンバ内に、前記蒸着源
    からの蒸気流を構成する物質が前記基板以外のチャンバ
    の内壁に付着することを防止するように、固定防着板を
    配置し、 前記基板を、前記固定防着板の外部であって前記チャン
    バの内部に配置し、前記蒸着源からの蒸気流を、前記固
    定防着板に形成してある開口部を通過して、前記基板の
    表面に照射させることを特徴とする請求項８または９に
    記載の斜め蒸着方法。
11. 【請求項１１】 前記固定防着板の開口部に、移動防着
    板を取り付け、 前記基板を移動させながら、その基板の移動に同期させ
    て前記移動防着板を移動させ、前記開口部の開度を制御
    しながら、蒸着を行うことを特徴とする請求項１０に記
    載の斜め蒸着方法。
12. 【請求項１２】 前記開口部の下端縁と前記蒸着源の中
    心とを結ぶ線と、前記蒸気流の中心軸との成す角度が鋭
    角となるように、前記蒸着源および開口部を配置し、蒸
    着処理を行うことを特徴とする請求項１０または１１に
    記載の斜め蒸着方法。
13. 【請求項１３】 前記蒸気流の中心軸の周囲に複数の基
    板を配置し、蒸着処理を行うことを特徴とする請求項８
    〜１２のいずれかに記載の斜め蒸着方法。
14. 【請求項１４】 前記基板における蒸着処理予定表面に
    は、複数の微小凸部が形成してあり、これらの微小凸部
    の頂部に、蒸着膜を形成することを特徴とする請求項８
    〜１３のいずれかに記載の斜め蒸着方法。
15. 【請求項１５】 前記基板における蒸着処理予定表面に
    は、所定パターンの蒸着マスクが位置決めされ、その蒸
    着マスクで覆われていない前記基板の表面に蒸着膜を形
    成することを特徴とする請求項８〜１４のいずれかに記
    載の斜め蒸着方法。