JPH02173261A - 真空成膜装置 - Google Patents
真空成膜装置Info
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- JPH02173261A JPH02173261A JP32595788A JP32595788A JPH02173261A JP H02173261 A JPH02173261 A JP H02173261A JP 32595788 A JP32595788 A JP 32595788A JP 32595788 A JP32595788 A JP 32595788A JP H02173261 A JPH02173261 A JP H02173261A
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
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- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 4
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、所望のパターンをもつ薄膜を得るための真空
成膜装置に関するのである。
成膜装置に関するのである。
従来、所望のパターンをもつ薄膜を真空成膜を用いて得
るためにはレジストを用いる方法、マスクを用いる方法
等がある（薄膜ハンドブック５章）。
るためにはレジストを用いる方法、マスクを用いる方法
等がある（薄膜ハンドブック５章）。
しかし、多層の薄膜にそれぞれのパターンを形成する場
合、レジストを用いる方法を使った場合、一般には次の
ように、 薄膜形成→パターン形成−薄膜形成一パターン（真空）
（大気） （真空） （大気）形成 という工程を経ねばならず、また成膜中にマスクを用い
る場合にも第１の膜を成膜した後、大気中に取り出し所
望のマスクに交換した後、さらに第２の膜を成膜する必
要があった。
合、レジストを用いる方法を使った場合、一般には次の
ように、 薄膜形成→パターン形成−薄膜形成一パターン（真空）
（大気） （真空） （大気）形成 という工程を経ねばならず、また成膜中にマスクを用い
る場合にも第１の膜を成膜した後、大気中に取り出し所
望のマスクに交換した後、さらに第２の膜を成膜する必
要があった。
いずれの場合では第１の膜を成膜した後、−度大気ある
いは何らかの液体にさらされた面に第、２の膜を成膜し
なければならず、膜の密着強度や、界面準位の増加度の
点で問題があった。
いは何らかの液体にさらされた面に第、２の膜を成膜し
なければならず、膜の密着強度や、界面準位の増加度の
点で問題があった。
本発明は上記の事情に鑑みなされたものであって、その
目的とするところは、真空を破ることなく真空槽内でパ
ターン形成用のマスクを交換することができて少なくと
も第１の膜、第２の膜を真空雰囲気を破らずに連続成膜
でき、このために第１、第２の膜の間の吸着分子の影響
がなくなって膜間の密着強度が上がり、また界面準位密
度も減少させることを可能にする真空成膜装置を提供す
ることにある。
目的とするところは、真空を破ることなく真空槽内でパ
ターン形成用のマスクを交換することができて少なくと
も第１の膜、第２の膜を真空雰囲気を破らずに連続成膜
でき、このために第１、第２の膜の間の吸着分子の影響
がなくなって膜間の密着強度が上がり、また界面準位密
度も減少させることを可能にする真空成膜装置を提供す
ることにある。
上記の目的を達成するために本発明は、真空槽と、この
真空槽内に設けられてマスクを着脱自在に保持し且つマ
スクを昇降させるマスクホルダ機構と、真空槽内に設け
られた薄膜形成部と、真空槽内に移動可能に設けられて
基板を保持する搬送トレイと、真空槽内に設けられて前
記搬送トレイを移動させて基板をマスクの直上及び薄膜
形成部上に位置させる搬送機構と、前記搬送トレイに設
けられてマスクを基板に吸着させる吸着手段とを備えた
構成にしである。
真空槽内に設けられてマスクを着脱自在に保持し且つマ
スクを昇降させるマスクホルダ機構と、真空槽内に設け
られた薄膜形成部と、真空槽内に移動可能に設けられて
基板を保持する搬送トレイと、真空槽内に設けられて前
記搬送トレイを移動させて基板をマスクの直上及び薄膜
形成部上に位置させる搬送機構と、前記搬送トレイに設
けられてマスクを基板に吸着させる吸着手段とを備えた
構成にしである。
そして、一方のマスクホルダ機構のマスク上に基板を位
置させてこのマスクを上昇させて基板に密着させ吸着手
段によってマスクを基板に吸着し、この状態で基板を薄
膜形成部上に移動して基板に薄膜を形成し、再び基板を
一方のマスクホルダ機構の直上に移動して吸着を解除し
てマスクをマスクホルダ機構に回収させ、次に基板を他
方のマスクホルダ機構のマスク上に移動して上記したマ
スクの場合と同様の手順でマスクを基板に吸着し、基板
に薄膜を形成する。
置させてこのマスクを上昇させて基板に密着させ吸着手
段によってマスクを基板に吸着し、この状態で基板を薄
膜形成部上に移動して基板に薄膜を形成し、再び基板を
一方のマスクホルダ機構の直上に移動して吸着を解除し
てマスクをマスクホルダ機構に回収させ、次に基板を他
方のマスクホルダ機構のマスク上に移動して上記したマ
スクの場合と同様の手順でマスクを基板に吸着し、基板
に薄膜を形成する。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図に本発明に係る真空成膜装置の構成を示し、同図
中１は真空槽であり、この真空槽１の一側部に排気口２
が形成しである。真空槽１内には搬送機構３が設けてあ
り、この搬送機構３は多数個の搬送用コロ４を所定間隔
をおいて、左右方向に水平に配置して成る。
中１は真空槽であり、この真空槽１の一側部に排気口２
が形成しである。真空槽１内には搬送機構３が設けてあ
り、この搬送機構３は多数個の搬送用コロ４を所定間隔
をおいて、左右方向に水平に配置して成る。
また、前記真空槽１内の左右にマスクホルダ機構５．５
′が配設しである。これらマスクホルダ機構５．５′は
支柱７を備えており、この支柱７の下端部はベローズ８
によって支持されており、支柱７の上端部にはマスクホ
ルダ９が設けである。
′が配設しである。これらマスクホルダ機構５．５′は
支柱７を備えており、この支柱７の下端部はベローズ８
によって支持されており、支柱７の上端部にはマスクホ
ルダ９が設けである。
また、前記真空槽１内には左右のマスクホルダ機ｔ１５
．５’間に位置させてルツボ１０とヒータ１１と電子銃
１２とシャッタ１３とより成る薄膜形成部Ｅが配設して
あり、ルツボ１０には蒸着材Ａ、Ｂが入っている。
．５’間に位置させてルツボ１０とヒータ１１と電子銃
１２とシャッタ１３とより成る薄膜形成部Ｅが配設して
あり、ルツボ１０には蒸着材Ａ、Ｂが入っている。
前記シャッタ１３は支軸１４回りを回転できるようにし
てあり、ルツボ１０もその中心軸を中心に回転できるよ
うにしである。
てあり、ルツボ１０もその中心軸を中心に回転できるよ
うにしである。
前記搬送機構３には、搬送用コロ４に引っ掛けて搬送ト
レイ１５が移動可能に設けである。
レイ１５が移動可能に設けである。
この搬送トレイ１５は基板ホルダ１６を吊持していて、
この基板ホルダ１６には吸着手段Ｆとしての電磁石１７
が取付けである。
この基板ホルダ１６には吸着手段Ｆとしての電磁石１７
が取付けである。
この基板ホルダ１６の下面には第３図、第４図に示すよ
うに四角形の枠状の基板アダプタ１７と基板押え１８と
が取付ネジ１９により固着してあり、また基板ホルダ１
６の下面には基板押え１８により基板２０が取付けであ
る。
うに四角形の枠状の基板アダプタ１７と基板押え１８と
が取付ネジ１９により固着してあり、また基板ホルダ１
６の下面には基板押え１８により基板２０が取付けであ
る。
次に、真空成膜装置の動作を説明する。
マスクホルダ機構５，５′のマスクホルダ９に、強磁性
体で作られたマスク６．６′をセットし、真空槽１内を
排気する。
体で作られたマスク６．６′をセットし、真空槽１内を
排気する。
搬送トレイ１５を搬送用コロ４で移動して基板ホルダ１
６をマスクホルダ機構５のマスクホルダ９の直上に位置
させる。
６をマスクホルダ機構５のマスクホルダ９の直上に位置
させる。
次にベローズ８を油圧等で操作して支柱７を介してマス
クホルダ９を上昇させ、マスク６を基板ホルダ１６の基
板２０に密着させる。次に電磁石１７に通電しマスク６
を基板２０に吸着させる。そして、ベローズ８を操作し
てマスクホルダ９を下降させる。
クホルダ９を上昇させ、マスク６を基板ホルダ１６の基
板２０に密着させる。次に電磁石１７に通電しマスク６
を基板２０に吸着させる。そして、ベローズ８を操作し
てマスクホルダ９を下降させる。
次に、搬送用フロ４を回転させ、搬送トレイ１５を移動
してこれの基板ホルダ１６部分をルツボ１０、電子銃１
２を備える薄膜形成部Ｅの直上に移動させ、ヒーター１
１で基板２０を所定の温度に加熱する。
してこれの基板ホルダ１６部分をルツボ１０、電子銃１
２を備える薄膜形成部Ｅの直上に移動させ、ヒーター１
１で基板２０を所定の温度に加熱する。
真空槽１内が所定の圧力（電子ビーム蒸着の場合１Ｏ−
６Ｔｏｒｒ以下）まで下ったら、電子銃１２から電子ビ
ームを飛ばして蒸む材Ａに当て加熱し、シャッタ１３を
開いて基板２０上に蒸着する。所定の膜厚まで成膜され
たら、シャッタ１４を閉じて電子ビームを止め、ヒータ
１１を切って、搬送用コロ４を回転させ、基板ホルダ１
６部分を再びマスクホルダ９の直上に移動させる。この
時、基板２０上にはマクス６で、規定された蒸着材Ａの
薄膜のパターンが形成されている。
６Ｔｏｒｒ以下）まで下ったら、電子銃１２から電子ビ
ームを飛ばして蒸む材Ａに当て加熱し、シャッタ１３を
開いて基板２０上に蒸着する。所定の膜厚まで成膜され
たら、シャッタ１４を閉じて電子ビームを止め、ヒータ
１１を切って、搬送用コロ４を回転させ、基板ホルダ１
６部分を再びマスクホルダ９の直上に移動させる。この
時、基板２０上にはマクス６で、規定された蒸着材Ａの
薄膜のパターンが形成されている。
次にベローズ８を操作し、マスクホルダ９を上昇させ、
基板ホルダ１６部分に密着させ、電磁石１７への通電を
切る。このために、マスク６が基板２０より離れてマス
クホルダ９に納まる。
基板ホルダ１６部分に密着させ、電磁石１７への通電を
切る。このために、マスク６が基板２０より離れてマス
クホルダ９に納まる。
ベローズ８を操作してマスクホルダ９を下降させる。
次に搬送用コロ４を回転させ、搬送トレイ１５を右方向
に移動し、基板ホルダ１６部分を右のマスクホルダ機構
５′のマスクホルダ９の直上に位置させる。
に移動し、基板ホルダ１６部分を右のマスクホルダ機構
５′のマスクホルダ９の直上に位置させる。
そして、前記マスク６の基板２０への吸着と同様な手順
で基板２０にマスク６′を吸着させる。次に基板ホルダ
１６部分を薄膜形成部Ｅの直上に位置させ、ヒーター１
１で所定の温度まで加熱し、ルツボ１０を回転させて電
子ビームが蒸着材Ｂに当るようにして電子銃１２から電
子ビームを飛ばして蒸着材Ｂに当て加熱し、シャッタ１
３を開いて基板２０上に蒸着する。
で基板２０にマスク６′を吸着させる。次に基板ホルダ
１６部分を薄膜形成部Ｅの直上に位置させ、ヒーター１
１で所定の温度まで加熱し、ルツボ１０を回転させて電
子ビームが蒸着材Ｂに当るようにして電子銃１２から電
子ビームを飛ばして蒸着材Ｂに当て加熱し、シャッタ１
３を開いて基板２０上に蒸着する。
次に、上記の蒸着材Ａの基板２０上へ黒石後の手順と同
じ手順でマスクホルダ９にマスク６′を回収する。
じ手順でマスクホルダ９にマスク６′を回収する。
このようにすることにより、基板２０上に異なる材料の
２層膜を異なるパターンで真空を破ることなく形成する
ことができる。
２層膜を異なるパターンで真空を破ることなく形成する
ことができる。
また、多層の薄膜を異なるパターンで成膜する場合には
、マスクホルダ機構５，５′を多数設けるようにしても
良いが、第４図に示すようにマスク交換室２１と成膜室
２２をゲートバルブ２３で仕切り、マスク交換室２１に
マスクホルダ機構５，５′を設けて上記した実施例と同
様に２層目までの薄膜を成膜し、２層目の成膜中にマス
ク交換室２１をリークし、扉（図示せず）を開いて１層
目の成膜に用いたマスクを取出し、かわりに３層目に用
いるマスクをマスクホルダにセットし、真空排気を行っ
ておく。
、マスクホルダ機構５，５′を多数設けるようにしても
良いが、第４図に示すようにマスク交換室２１と成膜室
２２をゲートバルブ２３で仕切り、マスク交換室２１に
マスクホルダ機構５，５′を設けて上記した実施例と同
様に２層目までの薄膜を成膜し、２層目の成膜中にマス
ク交換室２１をリークし、扉（図示せず）を開いて１層
目の成膜に用いたマスクを取出し、かわりに３層目に用
いるマスクをマスクホルダにセットし、真空排気を行っ
ておく。
２層目の成膜終了後にゲートバルブ２３を開き、基板２
０をマスク交換室２１まで搬送し、マスクを交換し、成
膜室２２へ搬送しゲートバルブ２３を閉じて成膜を行う
。
０をマスク交換室２１まで搬送し、マスクを交換し、成
膜室２２へ搬送しゲートバルブ２３を閉じて成膜を行う
。
以下同様に繰り返せば、異なるパターンの多層膜を真空
を破ることなく成膜することができる。
を破ることなく成膜することができる。
このようにゲートバルブ２３で仕切る場合は電磁石１７
への通電は搬送用コロ４を通して行うか、成膜室２３か
ら電流導入端子で入れる必要がある。
への通電は搬送用コロ４を通して行うか、成膜室２３か
ら電流導入端子で入れる必要がある。
なお、上記した二つの実施例では電子ビーム蒸ｊ３法に
よる成膜について述べたが、抵抗加熱による蒸着スパッ
ク、プラズマＣＶＤ等一般の真空成膜法、またはそれら
の組み合せでもよい。
よる成膜について述べたが、抵抗加熱による蒸着スパッ
ク、プラズマＣＶＤ等一般の真空成膜法、またはそれら
の組み合せでもよい。
以上詳述したように本発明に係る真空成膜装置は、真空
槽と、この真空槽内に設けられてマスクを着脱自在に保
持し且つマスクを昇降させるマスクホルダ機構と、真空
槽内に設けられた薄膜形成部と、真空槽内に移動可能に
設けられて基板を保持する搬送トレイと、真空槽内に設
けられて前記搬送トレイを移動させて基板をマスクの直
上及び薄膜形成部上に位置させる搬送機構と、前記搬送
トレイに設けられてマスクを基板に吸むさせる吸着手段
とを備えたことを特徴とするものである。
槽と、この真空槽内に設けられてマスクを着脱自在に保
持し且つマスクを昇降させるマスクホルダ機構と、真空
槽内に設けられた薄膜形成部と、真空槽内に移動可能に
設けられて基板を保持する搬送トレイと、真空槽内に設
けられて前記搬送トレイを移動させて基板をマスクの直
上及び薄膜形成部上に位置させる搬送機構と、前記搬送
トレイに設けられてマスクを基板に吸むさせる吸着手段
とを備えたことを特徴とするものである。
したがって、一方のマスクホルダ機構のマスク上に基板
を位置させてこのマスクを上昇させて基板に密着させ眼
前手段によってマスクを基板に吸着し、この状態で基板
を薄膜形成部上に移動して基板に薄膜を形成し、再び基
板を一方のマスクホルダ機構の直上に移動して吸着を解
除してマスクをマスクホルダ機構に回収させ、次に基板
を他方のマスクホルダ機構のマスク上に移動して上記し
たマスクの場合と同様の手順でマスクを基板に吸着し、
基板に薄膜を形成することができる。
を位置させてこのマスクを上昇させて基板に密着させ眼
前手段によってマスクを基板に吸着し、この状態で基板
を薄膜形成部上に移動して基板に薄膜を形成し、再び基
板を一方のマスクホルダ機構の直上に移動して吸着を解
除してマスクをマスクホルダ機構に回収させ、次に基板
を他方のマスクホルダ機構のマスク上に移動して上記し
たマスクの場合と同様の手順でマスクを基板に吸着し、
基板に薄膜を形成することができる。
このように、真空を破ることなく真空槽内でパターン形
成用のマスクを交換することができて、少くとも第１の
膜、第２の膜を真空雰囲気を破らずに連続成膜できるの
で、第１、第２の膜の間の吸着分子の影響がなくなり、
膜間の密着強度が上がり、また界面準位密度も減少する
。
成用のマスクを交換することができて、少くとも第１の
膜、第２の膜を真空雰囲気を破らずに連続成膜できるの
で、第１、第２の膜の間の吸着分子の影響がなくなり、
膜間の密着強度が上がり、また界面準位密度も減少する
。
第１図は本発明一実施例の構成説明図、第２図は基板と
基板ホルダ部分の平面図、第３図は第２図ｍ−ｍ線に沿
う断面図、第４図は本発明の他の実施例の構成説明図で
ある。 １は真空槽、３は搬送機構、５．５′はマスクホルダ機
構、６．６’はマスク、１５は搬送トレイ、
基板ホルダ部分の平面図、第３図は第２図ｍ−ｍ線に沿
う断面図、第４図は本発明の他の実施例の構成説明図で
ある。 １は真空槽、３は搬送機構、５．５′はマスクホルダ機
構、６．６’はマスク、１５は搬送トレイ、
Claims (2)
- （１）真空槽と、この真空槽内に設けられてマスクを着
脱自在に保持し且つマスクを昇降させるマスクホルダ機
構と、真空槽内に設けられた薄膜形成部と、真空槽内に
移動可能に設けられて基板を保持する搬送トレイと、真
空槽内に設けられて前記搬送トレイを移動させて基板を
マスクの直上及び薄膜形成部上に位置させる搬送機構と
、前記搬送トレイに設けられてマスクを基板に吸着させ
る吸着手段とを備えたことを特徴とする真空成膜装置。 - （２）吸着手段を電磁石で構成したことを特徴とする請
求項（１）記載の真空成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32595788A JP2832836B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 真空成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32595788A JP2832836B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 真空成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02173261A true JPH02173261A (ja) | 1990-07-04 |
| JP2832836B2 JP2832836B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=18182492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32595788A Expired - Fee Related JP2832836B2 (ja) | 1988-12-26 | 1988-12-26 | 真空成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2832836B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2006090746A1 (ja) * | 2005-02-23 | 2006-08-31 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | マスククランプの移動機構および成膜装置 |
| WO2007052963A1 (en) * | 2005-11-07 | 2007-05-10 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for deposition organic compounds, and substrate treating facility with the apparatus |
| JP2007211270A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 成膜装置 |
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| US9209427B2 (en) | 2002-04-15 | 2015-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device |
| US9551063B2 (en) | 2002-02-25 | 2017-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device |
-
1988
- 1988-12-26 JP JP32595788A patent/JP2832836B2/ja not_active Expired - Fee Related
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