KR100827760B1 - 전계발광 표시장치 제작방법 - Google Patents

전계발광 표시장치 제작방법 Download PDF

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Abstract

막두께 분포의 균일성이 높은 성막장치가 제공된다. 길이방향을 가지는 하나 증착 셀 또는 다수의 증착 셀이 마련된 증착원이 사용되고, 길이방향에 수직인 방향으로 증착원을 이동시킴으로써, 기판상에 박막이 성막된다. 증착원을 길게 함으로써, 길이방향에서의 막두께 분포의 균일성이 높아 진다. 증착원을 이동시켜, 기판 전체에 걸쳐 성막을 행하므로, 기판 전체에서의 막두께 분포의 균일성이 향상될 수 있다.

Description

전계발광 표시장치 제작방법{Method of manufacturing an electroluminescence display device}
도 1(A)∼도 1(C)는 증착원의 구조를 나타내는 도면,
도 2(A) 및 도 2(B)는 증착실의 구조를 나타내는 도면,
도 3은 증착실의 구조를 나타내는 도면,
도 4는 성막장치의 구조를 나타내는 도면,
도 5는 성막장치의 구조를 나타내는 도면,
도 6은 성막장치의 구조를 나타내는 도면,
도 7은 성막장치의 구조를 나타내는 도면,
도 8은 성막장치의 구조를 나타내는 도면,
본 발명은 양극, 음극, 및 그 양극과 음극 사이에 끼어진, EL(Electro Luminescence: 전계 발광)이 얻어지는 발광성 재료, 특히 자기발광성 유기 재료(이하, 유기 EL 재료라 함)를 포함하는 구조로 된 EL 소자를 제작하는데 사용되는 성막장치 및 성막방법에 관한 것이다.
EL 표시장치에는 패시브형(단순 매트릭스형)과 액티브형(액티브 매트릭스형)의 2 종류가 있고, 이들 모두의 개발이 활발하게 행해지고 있다. 특히, 현재는 액티브 매트릭스형 EL 표시장치가 주목받고 있다. 또한, EL 소자의 발광층이 되는 EL 재료에는 유기 재료와 무기 재료가 있고, 유기 재료는 저분자계(모노머계) 유기 EL 재료와 고분자계(폴리머계) 유기 EL 재료로 나누어진다. 이들 모두가 활발하게 연구되고 있는데, 저분자계 유기 EL 재료의 막은 주로 증착법에 의해 성막되고, 고분자계 유기 EL 재료의 막은 주로 도포법에 의해 성막된다.
컬러 표시의 EL 표시장치를 제작하기 위해서는, 상이한 색을 발광하는 EL 재료를 화소마다 나누어 성막할 필요가 있다. 그러나, 일반적으로, EL 재료는 수분 및 산소에 약하므로, 포토리소그래피에 의한 패터닝이 행해질 수 없다. 따라서, 성막과 동시에 패터닝하는 것이 필요하게 된다.
가장 일반적인 방법은, 금속판 또는 유리판으로 되어 있고 개구부가 형성된 마스크(이하, 새도우 마스크라 함)를, 막이 형성될 기판과 증착원 사이에 마련하는 방법이다. 이 경우, 증착원으로부터 기화한 EL 재료는 개구부만을 통과하여, 선택적으로 성막되기 때문에, 성막과 패터닝이 동시에 행해진 EL 층을 형성하는 것이 가능하다.
종래의 증착장치에서는, 하나의 증착원으로부터 방사상으로 날아가는 EL 재료가 기판 상에 퇴적하여, 박막을 형성하기 때문에, EL 재료의 비행 거리를 고려하여 기판을 배치하는 방법이 제안되었다. 예를 들어, 원추형의 기판 홀더에 기판을 고정하여 증착원으로부터 기판까지의 거리를 모두 같게 하는 방법이 행해졌다.
그러나, 대형 기판상에 다수의 패널을 제작하는 다면취(多面取) 공정을 이용하는 경우에는, 상기한 방법을 행하면 기판 홀더가 매우 크게 되고, 이것은 성막장치 본체의 대형화를 초래한다. 또한, 단일 웨이퍼식으로 행하여도 기판이 평판이기 때문에, 증착원으로부터의 거리가 기판의 면 내에서 다르게 되어, 균일한 막 두께로 성막하는 것이 어렵게 되는 문제가 남는다.
또한, 대형 기판을 사용하는 경우에는 증착원과 새도우 마스크 사이의 거리를 길게 하지 않으면, 기화된 EL 재료가 충분히 확산하지 않고, 기판의 전체 표면에 균일한 박막을 형성하는 것이 어렵게 된다. 이 거리를 확보하는 것도 장치의 대형화를 조장한다.
본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 높은 스루풋(throughput)으로 매우 균일한 막 두께 분포를 가지는 박막을 형성할 수 있는 성막장치를 제공하는데 있다. 또한, 본 발명의 목적은 본 발명의 성막장치를 사용한 성막방법을 제공하는데 있다.
본 발명에서는, 길이방향을 가지는 증착 셀(cell)(증착하는 박막 재료가 들어 있는 부분), 또는 다수의 증착 셀이 형성된 증착원이 사용된다. 이 층착원을 증착원의 길이방향에 수직인 방향으로 이동시킴으로써, 박막이 형성된다. "길이방향을 가지는"이란, 형상이 길고 얇은 장방형, 길고 얇은 타원형, 또는 선형인 것을 가리킨다. 이 길이방향의 길이는 처리가 한번에 행해지기 때문에 기판의 한쪽 변의 길이보다 긴 것이 바람직하다. 구체적으로, 그 길이가 300 ㎜∼1200 ㎜(전형적으로는 600 ㎜∼800 ㎜)일 수 있다.
본 발명의 증착원과 기판 사이의 위치관계가 도 1(A)∼도 1(C)에 도시되어 있다. 도 1(A)는 상면도이고, 도 1(B)는 도 1(A)의 A-A'선을 따라 취한 단면도이고, 도 1(C)는 도 1(A)의 B-B'선을 따라 취한 단면도이다. 도 1(A)∼도 1(C)에서 공통 부호가 사용된다.
도 1(A)에 도시된 바와 같이, 기판(101) 아래에 새도우 마스크(102)가 배치되고, 새도우 마스크(102) 아래에, 다수의 증착 셀(103)이 일 직선으로 늘어서 있는 장방형의 증착원(104)이 배치되어 있다. 본 명세서에서, 기판이란, 기판과 그 기판상에 형성된 박막도 포함하여 기판이라 한다. 또한, 기판 표면이란, 박막이 형성된 기판 표면을 가리킨다.
증착원(104)의 길이방향의 길이는 기판(101)의 한쪽 변의 길이보다 길고, 화살표로 나타낸 방향(증착원(104)의 길이방향에 수직인 방향)으로 증착원(104)을 이동시키는 기구가 마련되어 있다. 그래서, 증착원(104)을 이동시킴으로써, 기판의 전체 표면에 박막이 형성될 수 있다. 길이방향의 길이가 기판의 한쪽 변의 길이보다 짧은 경우에는, 여러 번의 주사(scan)를 반복함으로써 박막이 형성될 수 있다. 또한, 증착원(104)을 반복적으로 이동시킴으로써, 동일 박막의 적층이 형성될 수도 있다.
각각의 증착 셀(103)에 의해 기화된 박막 재료는 상방으로 비산하고, 새도우 마스크(102)에 형성된 개구부(도시되지 않음)를 통과하여 기판(101)상에 퇴적된다. 그리하여, 기판(101)상에 선택적으로 박막이 성막된다. 이때, 하나의 증착 셀(103)로부터 비산한 박막 재료가 막을 형성하는 영역은 인접한 증착 셀(103)로부터 비산한 박막 재료가 막을 형성하는 영역과 부분적으로 겹치도록 한다. 성막되는 영역들을 서로 겹치게 함으로써, 최종적으로는 장방형의 영역에서 성막되는 것으로 된다.
그리하여, 본 발명에서는, 다수의 증착 셀이 늘어서 있는 증착원을 사용함으로써, 그리고 종래의 점(點)으로부터의 방사(放射) 대신에 선(線)으로부터의 방사에 의해, 박막의 막 두께의 균일성이 크게 향상될 수 있다. 또한, 기판 면 아래에서 장방형의 증착원을 이동시킴으로써, 높은 스루풋으로 성막이 행해질 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 증착원(104)과 새도우 마스크(102) 사이의 거리를 길게 할 필요가 없고, 매우 근접한 상태에서 증착이 행해질 수 있다. 이것은 다수의 증착 셀이 일렬로 형성되어 있기 때문이고, 또한, 박막 재료의 비산 거리가 짧더라도, 기판의 중심부로부터 엣지(edge)부에 이르기까지 동시에 성막이 행해질 수 있기 때문이다. 이 효과는 증착 셀(103)이 늘어서 있는 밀도가 높을수록 높다.
증착원(104)으로부터 새도우 마스크(102)까지의 거리는, 증착 셀(103)이 형성되는 밀도에 따라 달라지기 때문에 특별히 한정되지는 않는다. 그러나, 그 거리가 너무 가까우면, 기판의 중심부로부터 엣지부까지 균일하게 성막하는 것이 어렵게 되고, 너무 멀면, 종래의 점으로부터의 방사에 의한 증착법과 차이가 없다. 따라서, 증착 셀(103)들 사이의 간격을 "a"라고 하면, 증착원(104)과 새도우 마스크(102) 사이의 거리는 2a 내지 100a(더 바람직하게는 5a 내지 50a)로 하는 것이 바람직하다.
상기한 구성으로 된 본 발명의 성막장치에서는, 증착원을 사용함으로써 장방형, 타원형, 또는 선형 영역에서의 박막의 막 두께 분포의 균일성이 확보되고, 그 영역 위에서 증착원을 이동시킴으로써, 기판의 전체 표면에 균일성이 높은 박막을 형성하는 것이 가능하게 된다. 또한, 이것은 점으로부터의 증착이 아니기 때문에, 증착원과 기판 사이의 거리를 짧게 할 수 있고, 막 두께의 균일성을 더욱 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 성막장치에서, 체임버 내에 플라즈마를 발생시키는 수단을 추가하는 것이 효과적이다. 산소 가스에 의한 플라즈마 처리 또는 불소 함유 가스에 의한 플라즈마 처리를 행함으로써, 체임버 벽에 부착된 박막이 제거되고, 체임버 내부의 세정이 행해질 수 있다. 플라즈마 발생 수단으로서, 체임버 내에 평행 평판 전극이 형성될 수도 있고, 그 평판들 사이에서 플라즈마를 발생시킬 수 있다.
[실시형태]
본 발명의 성막장치에 구비된 증착실의 구성이 도 2(A) 및 도 2(B)에 도시되어 있다. 도 2(A)는 증착실의 상면도이고, 도 2(B)는 단면도이다. 공통 부분에 공통 부호가 사용된다. 또한, 본 실시형태에서는, 박막으로서 EL(전계 발광) 막을 형성하는 예를 나타낸다.
도 2(A)에서, 부호 201은 체임버를 나타내고, 부호 202는 기판 반송구(搬送口)를 나타내고, 이 반송구로부터 기판이 체임버(201)의 내부로 반송된다. 반송된 기판(203)은 기판 홀더(204)에 세트되고, 화살표(205b)로 나타내는 바와 같이 반송 레일(205a)에 의해 성막부(206)로 반송된다.
기판(203)이 성막부(206)로 반송되면, 마스크 홀더(207)에 고정된 새도우 마스크(208)가 기판(203)에 근접한다. 본 실시형태에서는, 새도우 마스크(208)의 재료로서 금속판이 사용된다(도 2(B) 참조). 또한, 본 실시형태에서는, 새도우 마스크(208)에는 개구부(209)가 장방형, 타원형, 또는 선형으로 형성되어 있다. 물론, 이 개구부의 형상은 한정되는 것은 아니고, 매트릭스 형상 또는 그물 형상으로 형성될 수도 있다.
이때, 본 실시형태에서는, 도 2(B)에 도시된 바와 같이, 기판(203)에 전자석(210)이 근접하는 구조로 된다. 전자석(210)에 의해 자기장이 형성되면, 새도우 마스크(208)가 기판(203)쪽으로 끌려지고, 소정의 간격을 가지고 유지된다. 이 간격은, 도 3에 도시된 바와 같이, 새도우 마스크(208)에 형성된 다수의 돌기(301)에 의해 확보된다.
이러한 구조는, 기판(203)이 300 ㎜를 초과하는 대형 기판인 경우에 특히 효과적이다. 기판(203)이 대형화하면, 기판 자체의 무게에 의해 휨이 발생한다. 그러나, 새도우 마스크(208)가 전자석(210)에 의해 기판(203)쪽으로 끌려지면, 기판(203)도 전자석(210)쪽으로 끌려지고, 휨을 해소할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 전자석(210)에도 돌기(401)를 형성하여 기판(203)과 전자석(210) 사이의 간격을 확보하는 것이 바람직하다.
기판(203)과 새도우 마스크(208) 사이의 간격이 확보되면, 길이방향을 가지는 증착 셀(211)이 형성된 증착원(212)을 화살표(213)의 방향으로 이동시킨다. 이동되는 동안, 증착 셀의 내부에 형성된 EL 재료는 증착 셀이 가열됨으로써 기화하고, 성막부(206)의 체임버 내로 비산한다.
본 발명의 경우, 증착원(212)과 기판(203) 사이의 거리를 매우 짧게 할 수 있기 때문에, 체임버 내의 구동부(증착원, 기판 홀더, 또는 마스크 홀더를 구동시키는 부분)에의 EL 재료의 부착이 최소화될 수 있다.
증착원(212)은 기판(203)의 한쪽 단부로부터 다른쪽 단부까지 주사된다. 본 실시형태에서는, 도 2(A)에 도시된 바와 같이, 증착원(212)의 길이방향의 길이가 충분히 길기 때문에, 그 증착원이 한번의 주사에 의해 기판(203)의 전체 표면에 걸쳐 이동될 수 있다.
상기와 같이 하여 적색, 녹색, 또는 청색의 EL 재료(여기서는 적색)를 성막한 후, 전자석(210)의 자기장을 소멸시키고, 마스크 홀더(207)를 하강시켜, 새도우 마스크(208)와 기판(203) 사이의 거리를 증가시킨다. 그 다음, 기판 홀더(204)를 1화소부만큼 변위시키고, 마스크 홀더(207)를 다시 올려, 새도우 마스크(208)와 기판(203)을 근접시킨다. 또한, 전자석(210)에 의해 자기장을 형성하여, 새도우 마스크(208) 및 기판(203)의 휨을 해소한다. 다음에, 증착 셀을 변경하고, 다시 적색, 녹색, 또는 청색의 EL 재료(여기서는 녹색)를 성막한다.
여기서는 기판 홀더(204)를 1화소부만큼 변위시키는 구성으로 하였으나, 마스크 홀더(207)를 1화소부만큼 변위시킬 수도 있다.
이것의 반복에 의해 적색, 녹색, 및 청색의 EL 재료를 모두 성막한 후에, 마지막으로, 기판(203)을 기판 반송구(202)로 반송하고, 로봇 팔(도시되지 않음)에 의해 체임버(201)로부터 꺼낸다. 그리하여, 본 발명을 이용한 EL 막의 성막이 완료된다.
[실시예 1]
본 발명의 성막장치에 대하여 도 5를 이용하여 설명한다. 도 5에서, 부호 501은 반송실을 나타낸다. 반송실(501)에는 반송기구(502)가 구비되어 있고, 기판(503)의 반송이 행해진다. 반송실(501)은 감압(減壓) 분위기로 되어 있고, 게이트에 의해 각 처리실에 연결되어 있다. 각 처리실로의 기판의 운반은 게이트가 개방된 때 반송기구(502)에 의해 행해진다. 또한, 반송실(501)을 감압하는데는, 오일 밀봉 로터리 펌프, 기계적 부스터 펌프, 터보분자 펌프, 및 크라이오 펌프 등의 배기 펌프를 사용하는 것이 가능하지만, 수분을 제거하는데 효과적인 크라이오 펌프가 바람직하다.
이하에, 각 처리실에 대하여 설명한다. 반송실(501)이 감압 분위기로 되어 있기 때문에, 반송실(501)에 직접 연결된 각 처리실에는 배기 펌프(도시되지 않음)가 구비되어 있다. 이 배기 펌프로서는, 상기한 오일 밀봉 로터리 펌프, 기계적 부스터 펌프, 터보분자 펌프, 및 크라이오 펌프가 사용된다.
먼저, 부호 504는 기판 세팅(설치)을 행하는 반입실을 나타내고, 이 반입실은 반출실도 겸하고 있다. 반입실(504)은 게이트(500a)에 의해 반송실(501)에 연결되어 있고, 여기에, 기판(503)이 세트된 캐리어(도시되지 않음)가 배치된다. 반입실(504)은 기판 반입실과 기판 반출실로 나누어질 수도 있다. 또한, 반입실(504)에는, 상기한 배기 펌프 및 고순도의 질소 가스 또는 희가스를 도입하기 위한 퍼지 라인(purge line)이 제공되어 있다.
본 실시예에서는, 기판(503)으로서, EL 소자의 양극이 되는 투명 도전막까지를 형성한 기판이 사용된다. 본 실시예에서는, 기판(503)은 피성막면이 하방으로 향하는 상태로 캐리어에 세트된다. 이것은, 후에 증착법에 의한 성막을 행할 때 페이스 다운(face-down) 방식(상향 성막(deposition-up) 방식이라고도 함)이 용이하게 행해지도록 하기 위한 것이다. 페이스 다운 방식이란, 기판의 피성막면이 하방으로 향한 상태에서 성막하는 방식이고, 이 방식에 의하면 불순물(먼지) 등의 부착이 방지될 수 있다.
다음에, 부호 505는 EL 소자의 양극 또는 음극(본 실시예에서는 양극)의 표면을 처리하기 위한 처리실(이하, 전처리실이라 함)을 나타내고, 이 전처리실(505)은 게이트(500b)에 의해 반송실(501)에 연결되어 있다. 이 전처리실은 EL 소자의 제작공정에 따라 여러 가지로 변경될 수 있고, 본 실시예에서는, 투명 도전막으로 된 양극의 표면의 열처리가 자외광을 조사(照射)하면서 산소 중에서 100℃∼120℃로 행해질 수 있다. 이러한 전처리는 EL 재료의 양극 표면을 처리할 때 효과적이다.
다음에, 부호 506은 증착법에 의해 유기 EL 재료를 성막하기 위한 증착실을 나타내고, 증착실(A)라 불린다. 이 증착실(A)(506)는 게이트(500c)를 통해 반송실(501)에 연결되어 있다. 본 실시예에서는, 증착실(A)(506)로서, 도 2(A) 및 도 2(B)에 나타낸 구조의 증착실이 사용된다.
본 실시예에서는, 증착실(A)(506)내의 성막부(507)에서, 먼저, 기판의 전체 표면에 정공 주입층을 성막한 다음, 적색으로 발광하는 발광층을 형성하고, 그 다음, 녹색으로 발광하는 발광층을 형성하고, 마지막으로, 청색으로 발광하는 발광층을 형성한다. 정공 주입층, 적색 발광층, 녹색 발광층, 및 청색 발광층으로서는, 어떠한 공지의 재료라도 사용될 수 있다.
증착실(A)(506)는 증착원을 성막하는 유기 재료의 종류에 따라 전환할 수 있는 구성으로 되어 있다. 즉, 다수 종류의 증착원을 저장한 예비실(508)이 증착실(A)(506)에 연결되어 있고, 내부의 반송기구에 의해 증착원의 전환이 행해질 수 있다. 따라서, 성막하는 유기 EL 재료를 변경할 때 증착원도 변경한다. 또한, 새도우 마스크는 성막하는 유기 EL 재료가 변경될 때마다 동일한 마스크를 1화소부만큼 이동시켜 사용된다.
증착실(A)(506)내에서 일어나는 성막 공정에 관해서는 도 2(A) 및 도 2(B)의 설명이 참조될 수 있다.
다음에, 부호 509는 증착법에 의해 EL 소자의 양극 또는 음극이 되는 도전막(본 실시예에서는 음극이 되는 금속막이 사용됨)을 성막하기 위한 증착실을 나타내고, 증착실(B)라 한다. 이 증착실(B)(509)는 게이트(500d)를 통해 반송실(501)에 연결되어 있다. 본 실시예에서는, 증착실(B)(509)로서, 도 2(A) 및 도 2(B)에 나타낸 구조의 증착실이 사용된다. 본 실시에에서는, 증착실(B)(509)내의 성막부(510)에서, EL 소자의 음극이 되는 도전막으로서 Al-Li 합금막(알루미늄과 리튬의 합금막)이 성막된다.
주기율표 1족 또는 2족에 속하는 원소와 알루미늄을 공(共)증착하는 것도 가능하다. 공증착이란, 증착 셀들을 동시에 가열하고, 성막 단계에서 상이한 물질들을 조합하는 증착법을 말한다.
다음에, 부호 511은 봉지(封止)실(봉입(封入)실 또는 글러브 박스라고도 함)을 나타내고, 이 봉지실(511)은 게이트(500e)를 통해 반입실(504)에 연결되어 있다. 이 봉지실(511)에서는, 최종적으로 EL 소자를 밀폐 공간 내에 봉입하기 위한 처리가 행해진다. 이 처리는 형성된 EL 소자를 산소 및 수분으로부터 보호하기 위한 처리이고, 밀봉재에 의해 기계적으로 봉입하는 수단 또는 열 경화 수지 또는 자외광 경화 수지에 의해 봉입하는 수단이 사용된다.
밀봉재로서는, 유리, 세라믹, 플라스틱, 및 금속이 사용될 수 있지만, 밀봉재 쪽으로 광이 방사(放射)되는 경우에는 그 밀봉재가 투광성을 가져야 한다. 또한, EL 소자가 형성된 기판과 밀봉재가 열 경화 수지 또는 자외광 경화 수지를 사용하여 접합되고, 열처리 또는 자외광 조사 처리에 의해 그 수지가 경화되어, 밀폐 공간을 형성한다. 그 밀폐 공간내에 건조제, 대표적으로는 산화바륨을 마련하는 것도 효과적이다.
또한, EL 소자가 형성된 기판과 밀봉재 사이의 공간에 열 경화 수지 또는 자외광 경화 수지를 충전하는 것도 가능하다. 이 경우, 열 경화 수지 또는 자외광 경화 수지내에 전조제, 대표적으로는 산화바륨을 첨가하는 것이 효과적이다.
도 5에 나타낸 성막장치에서는, 봉지실(511)의 내부에, 자외광을 조사하기 위한 기구(이하, 자외광 조사 기구라 함)(512)가 제공되어 있고, 이 자외광 조사 기구(512)로부터 나오는 자외광에 의해 자외광 경화 수지가 경화되는 구성으로 되어 있다. 또한, 배기 펌프를 부착함으로써 봉지실(511)의 내부가 감압될 수도 있다. 상기 봉입 공정을 로봇 조작을 이용하여 기계적으로 행하는 경우에는, 그 공정을 감압 하에 행함으로써 산소 및 수분이 혼입되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 반대로, 봉지실(511)의 내부를 가압하는 것도 가능하다. 이 경우, 고순도의 질소 가스 또는 희가스에 의해 퍼징(purging)하면서 가압하여, 외부로부터 산소와 같은 오염물이 침입하는 것을 방지한다.
다음에, 봉지실(511)에는 인도실(패스 박스(pass box))(513)이 연결되어 있다. 이 인도실(513)에는 반송기구(B)(514)가 제공되어 있고, 봉지실(511)에서 EL 소자의 봉입이 완료된 기판이 인도실(513)로 반송된다. 배기 펌프를 부착함으로써 인도실(513)을 감압으로 할 수도 있다. 인도실(513)은 봉지실(511)이 외기에 직접 노출되지 않도록 하기 위해 사용되는 설비이고, 여기로부터 기판이 꺼내어진다.
이상과 같이, 도 5에 나타낸 성막장치를 사용함으로써, EL 소자를 밀폐 공간내에 완전히 봉입하기까지 외기에의 노출 없이 처리가 종료될 수 있기 때문에, 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제작하는 것이 가능하게 된다.
[실시예 2]
본 발명의 성막장치를 멀티체임버 방식(클러스터 툴(cluster tool) 방식이라고도 함)으로 한 경우에 대하여 도 6을 사용하여 설명한다. 도 6에서, 부호 601은 반송실을 나타낸다. 이 반송실(601)에는 반송기구(A)(602)가 구비되어 있고, 기판(603)의 반송이 행해진다. 반송실(601)은 감압 분위기로 되어 있고, 게이트에 의해 각 처리실에 연결되어 있다. 각 처리실로의 기판의 운반은 게이트가 개방된 때 반송기구(A)(602)에 의해 행해진다. 또한, 반송실(601)을 감압하는데는, 오일 밀봉 로터리 펌프, 기계적 부스터 펌프, 터보분자 펌프, 및 크라이오 펌프 등의 배기 펌프를 사용하는 것이 가능하지만, 수분을 제거하는데 효과적인 크라이오 펌프가 바람직하다.
이하에, 각 처리실에 대하여 설명한다. 반송실(501)이 감압 분위기로 되어 있기 때문에, 반송실(501)에 직접 연결된 각 처리실에는 배기 펌프(도시되지 않음)가 구비되어 있다. 이 배기 펌프로서는, 상기한 오일 밀봉 로터리 펌프, 기계적 부스터 펌프, 터보분자 펌프, 및 크라이오 펌프가 사용된다.
먼저, 부호 604는 기판 세팅을 행하기 위한 반입실을 나타내고, 반출실로도 불린다. 반입실(604)은 게이트(600a)에 의해 반송실(601)에 연결되어 있고, 여기에, 기판(603)이 세트된 캐리어(도시되지 않음)가 배치된다. 반입실(604)은 기판 반입실과 기판 반출실로 나누어질 수도 있다. 또한, 반입실(604)에는, 상기한 배기 펌프 및 고순도의 질소 가스 또는 희가스를 도입하기 위한 퍼지 라인이 구비되어 있다.
다음에, 부호 605는 EL 소자의 양극 또는 음극(본 실시예에서는 양극)의 표면을 처리하기 위한 전처리실을 나타내고, 이 전처리실(605)은 게이트(600b)에 의해 반송실(601)에 연결되어 있다. 이 전처리실은 EL 소자의 제작공정에 따라 여러 가지로 변경될 수 있고, 본 실시예에서는, 투명 도전막으로 된 양극의 표면의 열처리가 자외광을 조사하면서 산소 중에서 100℃∼120℃로 행해질 수 있다. 이러한 전처리는 EL 재료의 양극 표면을 처리할 때 효과적이다.
다음에, 부호 606은 증착법에 의해 유기 EL 재료를 성막하기 위한 증착실을 나타내고, 증착실(A)라 한다. 이 증착실(A)(606)는 게이트(600c)를 통해 반송실(601)에 연결되어 있다. 본 실시예에서는, 증착실(A)(606)로서, 도 2(A) 및 도 2(B)에 나타낸 구조의 증착실이 사용된다.
본 실시에에서는, 증착실(A)(606)내의 성막부(607)에서, 먼저, 기판의 전체 표면에 정공 주입층이 성막된 다음, 적색으로 발광하는 발광층이 형성된다. 따라서, 증착원 및 새도우 마스크는 정공 주입층 및 적색 발광층이 되는 유기 재료에 대응하여 2종류씩 구비되어 있고, 전환될 수 있도록 구성되어 있다. 정공 주입층 및 적색 발광층으로서, 공지의 재료가 사용될 수 있다.
다음에, 부호 608은 증착법에 의해 유기 EL 재료를 성막하기 위한 증착실을 나타내고, 증착실(B)라 한다. 이 증착실(B)(608)는 게이트(600d)를 통해 반송실(601)에 연결되어 있다. 본 실시예에서는, 증착실(B)(608)로서, 도 2(A) 및 도 2(B)에 나타낸 구조의 증착실이 사용된다. 본 실시예에서는, 증착실(B)(608)내의 성막부(609)에서, 녹색으로 발광하는 발광층이 성막된다. 본 실시예에서는, 녹색으로 발광하는 발광층으로서 공지의 재료가 사용될 수 있다.
다음에, 부호 610은 증착법에 의해 유기 EL 재료를 성막하기 위한 증착실을 나타내고, 증착실(C)라 한다. 이 증착실(C)(610)는 게이트(600e)를 통해 반송실(601)에 연결되어 있다. 본 실시예에서는, 증착실(C)(610)로서, 도 2(A) 및 도 2(B)에 나타낸 구조의 증착실이 사용된다. 본 실시예에서는, 증착실(C)(610)내의 성막부(611)에서, 청색으로 발광하는 발광층이 성막된다. 본 실시예에서는, 청색으로 발광하는 발광층으로서, 공지의 재료가 사용될 수 있다.
다음에, 부호 612는 증착법에 의해 EL 소자의 양극 또는 음극이 되는 도전막(본 실시예에서는 음극이 되는 금속막이 사용됨)을 성막하기 위한 증착실을 나타내고, 증착실(D)라 한다. 이 증착실(D)(612)는 게이트(600f)를 통해 반송실(601)에 연결되어 있다. 본 실시예에서는, 증착실(D)(612)로서, 도 2(A) 및 도 2(B)에 나타낸 구조의 증착실이 사용된다. 본 실시예에서는, 증착실(D)(612)내의 성막부(613)에서, EL 소자의 음극이 되는 도전막으로서 Al-Li 합금막(알루미늄과 리튬의 합금막)이 성막된다. 주기율표 1족 또는 2족에 속하는 원소와 알루미늄을 공증착할 수도 있다.
다음에, 부호 614는 봉지실을 나타내고, 이 봉지실(614)은 게이트(600g)를 통해 반입실(604)에 연결되어 있다. 봉지실(614)에 대한 설명은 실시예 1을 참조한다. 또한, 실시예 1과 마찬가지로, 봉지실(614)의 내부에 자외광 조사 기구(615)가 제공되어 있다. 또한, 봉지실(614)에는 인도실(616)이 연결되어 있다. 인도실(616)에 반송기구(B)(617)가 제공되어 있고, 봉지실(614)에서 EL 소자의 봉입이 완료된 기판이 인도실(616)로 반송된다. 인도실(616)에 대한 설명도 실시예 1이 참조될 수 있다.
이상과 같이, 도 6에 나타낸 성막장치를 사용함으로써, EL 소자를 밀폐 공간 내에 완전히 봉입하기까지 외기에의 노출 없이 처리가 종료될 수 있기 때문에, 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제작하는 것이 가능하게 된다.
[실시예 3]
본 발명의 성막장치를 인 라인(in-line) 방식으로 한 경우를 도 7을 이용하여 설명한다. 도 7에서, 부호 701은 반입실을 나타내고, 여기서 기판의 반송이 행해진다. 반입실(701)에는 배기계(700a)가 구비되어 있고, 이 배기계(700a)는 제1 밸브(71), 터보분자 펌프(72), 제2 밸브(73), 및 로터리 펌프(오일 밀봉 로터리 펌프)(74)를 포함하는 구성으로 되어 있다.
제1 밸브(71)가 주 밸브이고, 전도(conductance) 밸브를 겸하는 경우도 있고, 버터플라이 밸브를 사용하는 경우도 있다. 제2 밸브(73)는 전(前)(fore) 밸브이고, 먼저 제2 밸브(73)가 열리고, 반입실(701)이 로터리 펌프에 의해 거칠게 감압된 다음, 제1 밸브(71)가 열리고, 고진공에 도달할 때까지 터보분자 펌프(72)에 의해 감압된다. 터보분자 펌프 대신에, 기계적 부스터 펌프 또는 크라이오 펌프를 사용할 수 있지만, 크라이오 펌프가 수분을 제거하는데 특히 효과적이다.
다음에, 부호 702는 EL 소자의 양극 또는 음극(본 실시예에서는 양극)의 표면을 처리하기 위한 전처리실을 나타내고, 이 전처리실(702)은 배기계(700b)를 구비하고 있다. 또한, 전처리실(702)은 도면에 나타내지 않은 게이트에 의해 반입실(701)로부터 밀폐 차단되어 있다. 전처리실(702)은 EL 소자의 제작공정에 따라 여러 가지로 변경될 수 있고, 본 실시예에서는, 투명 도전막으로 된 양극의 표면의 열처리가 자외광을 조사하면서 산소 중에서 100℃∼120℃로 행해진다.
다음에, 부호 703은 증착법에 의해 유기 EL 재료를 성막하기 위한 증착실을 나타내고, 증착실(A)라 한다. 또한, 이 증착실(A)는 도면에 나타내지 않은 게이트에 의해 전처리실(702)로부터 밀폐 차단되어 있다. 이 증착실(A)(703)에는 배기계(700c)가 구비되어 있다. 본 실시예에서는, 증착실(A)(703)로서, 도 2(A) 및 도 2(B)에 나타낸 구조의 증착실이 사용된다.
증착실(A)(703)로 반송된 기판(704)과, 이 증착실(A)(703)에 구비된 증착원(705)이 화살표 방향으로 이동하여 성막이 행해진다. 증착실(A)(703)의 상세한 동작에 관해서는 도 2(A) 및 도 2(B)의 설명이 참조될 수 있다. 본 실시예에서는, 증착실(A)(703)에서 정공 주입층이 성막된다. 정공 주입층으로서는 공지의 재료가 사용될 수 있다.
다음에, 부호 706은 증착법에 의해 유기 EL 재료를 성막하기 위한 증착실을 나타내고, 증착실(B)라 한다. 이 증착실(B)(706)에는 배기계(700d)가 구비되어 있다. 또한, 이 증착실(B)(706)은 도면에 나타내지 않은 게이트에 의해 증착실(A)(703)로부터 밀폐 차단되어 있다. 본 실시예에서는, 증착실(B)(706)로서, 도 2(A) 및 도 2(B)에 나타낸 구조의 증착실이 사용된다. 따라서, 증착실(B)(706)의 상세한 동작에 관해서는 도 2(A) 및 도 2(B)의 설명이 참조될 수 있다. 또한, 증착실(B)(706)에서는, 적색으로 발광하는 발광층이 성막된다. 적색으로 발광하는 발광층으로서는 공지의 재료가 사용될 수 있다.
다음에, 부호 707은 증착법에 의해 유기 EL 재료를 성막하기 위한 증착실을 나타내고, 증착실(C)라 한다. 증착실(C)(707)에는 배기계(700e)가 구비되어 있다. 또한, 이 증착실(C)(707)는 도면에 나타내지 않은 게이트에 의해 증착실(B)(706)로부터 밀폐 차단되어 있다. 본 실시예에서는, 증착실(C)(707)로서, 도 2(A) 및 도 2(B)에 나타낸 구조의 증착실이 사용된다. 따라서, 증착실(C)(707)의 상세한 동작에 관해서는 도 2(A) 및 도 2(B)의 설명이 참조될 수 있다. 또한, 증착실(C)(707)에서는, 녹색으로 발광하는 발광층이 성막된다. 녹색으로 발광하는 발광층으로서는 공지의 재료가 사용될 수 있다.
다음에, 부호 708은 증착법에 의해 유기 EL 재료를 성막하기 위한 증착실을 나타내고, 증착실(D)라 한다. 증착실(D)(708)에는 배기계(700f)가 구비되어 있다. 또한, 이 증착실(D)(708)는 도면에 나타내지 않은 게이트에 의해 증착실(C)(707)로부터 밀폐 차단되어 있다. 본 실시예에서는, 증착실(D)(708)로서, 도 2(A) 및 도 2(B)에 나타낸 구조의 증착실이 사용된다. 따라서, 증착실(D)(708)의 상세한 동작에 관해서는, 도 2(A) 및 도 2(B)의 설명이 참조될 수 있다. 또한, 증착실(D)(708)에서는, 청색으로 발광하는 발광층이 성막된다. 청색으로 발광하는 발광층으로서는, 공지의 재료가 사용될 수 있다.
다음에, 부호 709는 증착법에 의해 EL 소자의 양극 또는 음극이 되는 도전막(본 실시예에서는 음극이 되는 금속막이 사용됨)을 성막하기 위한 증착실을 나타내고, 증착실(E)라 한다. 증착실(E)(709)에는 배기계(700g)가 구비되어 있다. 또한, 이 증착실(E)(709)는 도면에 나타내지 않은 게이트에 의해 증착실(D)(708)로부터 밀폐 차단되어 있다. 본 실시예에서는, 증착실(E)(709)로서, 도 2(A) 및 도 2(B)에 나타낸 구조의 증착실이 사용된다. 따라서, 증착실(E)(709)의 상세한 동작에 관해서는 도 2(A) 및 도 2(B)의 설명이 참조될 수 있다.
본 실시에에서는, 증착실(E)(709)에서, EL 소자의 음극이 되는 도전막으로서 Al-Li 합금막(알루미늄과 리튬의 합금막)이 성막된다. 주기율표 1족 또는 2족에 속하는 원소와 알루미늄을 공증착할 수도 있다.
다음에, 부호 710은 봉지실을 나타내고, 이 봉지실(710)은 배기계(700h)를 구비하고 있다. 또한, 이 봉지실(710)은 도면에 나타내지 않은 게이트에 의해 증착실(E)(709)로부터 밀폐 차단되어 있다. 봉지실(710)의 설명에 대해서는 실시예 1이 참조될 수 있다. 또한, 실시예 1과 마찬가지로, 봉지실(710)의 내부에 자외광 조사 기구(도시되지 않음)가 제공되어 있다.
마지막으로, 부호 711은 반출실을 나타내고, 이 반출실(711)은 배기계(700i)를 구비하고 있다. 여기서, EL 소자가 형성된 기판이 반출된다.
이상과 같이, 도 7에 나타낸 성막장치를 사용함으로써, 밀폐 공간 내에 EL 소자를 완전히 봉입하기까지 외기에의 노출 없이 처리가 종료될 수 있기 때문에, 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제작하는 것이 가능하게 된다. 또한, 인라인 방식에 의해 높은 스루풋으로 EL 표시장치가 제작될 수 있다.
[실시예 4]
본 발명의 성막장치를 인 라인 방식으로 한 경우의 다른 예를 도 8을 이용하여 설명한다. 도 8에서, 부호 801은 반입실을 나타내고, 여기서 기판의 반송이 행해진다. 반입실(801)에 배기계(800a)가 구비되어 있고, 이 배기계(800a)는 제1 밸브(81), 터보분자 펌프(82), 제2 밸브(83), 및 로터리 펌프(오일 밀봉 로터리 펌프)(84)를 포함하는 구성으로 되어 있다.
다음에, 부호 802는 EL 소자의 양극 또는 음극(본 실시예에서는 양극)의 표면을 처리하기 위한 전처리실을 나타내고, 이 전처리실(802)은 배기계(800b)를 구비하고 있다. 또한, 이 전처리실(802)은 도면에 나타내지 않은 게이트에 의해 반입실(801)로부터 밀폐 차단되어 있다. 전처리실(802)은 EL 소자의 제작공정에 따라 여러 가지로 변경될 수 있고, 본 실시예에서는, 투명 도전막으로 된 양극의 표면의 열처리가 자외광을 조사하면서 산소 중에서 100℃∼120℃로 행해질 수 있다.
다음에, 부호 803은 증착법에 의해 유기 EL 재료를 성막하기 위한 증착실을 나타내고, 이 증착실(803)은 배기계(800c)를 구비하고 있다. 본 실시예에서는, 증착실(803)로서, 도 2(A) 및 도 2(B)에 나타낸 구조의 증착실이 사용된다. 증착실(803)로 반송된 기판(804)과, 증착실(803)내에 구비된 증착원(805)이 화살표 방향으로 이동하여 성막이 행해진다.
본 실시예에서는, 증착실(803)에서 정공 주입층, 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층, 또는 음극이 되는 도전막을 형성하기 위해 성막 시마다 증착원(805) 또는 새도우 마스크(도시되지 않음)를 전환하는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는, 증착실(803)에 예비실(806)이 연결되어 있고, 이 예비실(806)에 증착원 및 새도우 마스크를 저장하고, 적절히 전환하도록 하고 있다.
다음에, 부호 807은 봉지실을 나타내고, 이 봉지실(807)은 배기계(800d)를 구비하고 있다. 또한, 이 봉지실(807)은 도면에 나타내지 않은 게이트에 의해 증착실(803)로부터 밀폐 차단되어 있다. 봉지실(807)의 설명에 대해서는 실시예 1이 참조될 수 있다. 또한, 실시예 1과 마찬가지로, 봉지실(807)의 내부에 자외광 조사 기구(도시되지 않음)가 제공되어 있다.
마지막으로, 부호 808은 반출실을 나타내고, 이 반출실(808)은 배기계(800e)를 구비하고 있다. 여기에서, EL 소자가 형성된 기판이 반출된다.
이상과 같이, 도 8에 나타낸 성막장치를 사용함으로써, 밀폐 공간 내에 EL 소자를 완전히 봉입하기까지 외기에의 노출 없이 처리가 종료될 수 있기 때문에, 신뢰성이 높은 EL 표시장치를 제작하는 것이 가능하게 된다. 또한, 인라인 방식에 의해 높은 스루풋으로 EL 표시장치가 제작될 수 있다.
본 발명의 성막장치를 사용함으로써, 기판 표면에서 막두께 분포의 균일성이 높은 박막을 높은 스루풋으로 성막하는 것이 가능하게 된다.

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  72. 전계발광 표시장치를 제작하는 방법으로서,
    증착실 내에, 서로 다른 제1 방향 및 제2 방향을 가지고 제2 방향에서보다 제1 방향으로 더 길게 된 증착원을 제공하는 단계;
    상기 증착실 내에 기판을 배치하는 단계;
    마스크가 상기 기판과 상기 증착원 사이에 위치하도록 그 마스크를 상기 기판에 고정시키는 단계; 및
    상기 증착원으로부터 재료를 증발시켜 상기 기판 위에 정공 주입층을 형성하는데 있어서, 상기 재료의 증발 중에 상기 증착원에 대하여 상기 기판의 상대적 위치를 이동시키면서 상기 기판 위에 정공 주입층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  73. 제 72 항에 있어서, 상기 정공 주입층이 유기 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  74. 전계발광 표시장치를 제작하는 방법으로서,
    증착실 내에, 서로 다른 제1 방향 및 제2 방향을 가지고 제2 방향에서보다 제1 방향으로 더 길게 된 증착원을 제공하는 단계;
    상기 증착실 내에 기판을 배치하는 단계;
    마스크가 상기 기판과 상기 증착원 사이에 위치하도록 그 마스크를 상기 기판에 고정시키는 단계; 및
    상기 증착원으로부터 재료를 증발시켜 상기 기판 위에 발광층을 형성하는데 있어서, 상기 재료의 증발 중에 상기 증착원에 대하여 상기 기판의 상대적 위치를 이동시키면서 상기 기판 위에 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  75. 제 74 항에 있어서, 상기 발광층이 유기 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  76. 전계발광 표시장치를 제작하는 방법으로서,
    증착실 내에, 서로 다른 제1 방향 및 제2 방향을 가지고 제2 방향에서보다 제1 방향으로 더 길게 된 증착원을 제공하는 단계;
    상기 증착실 내에 기판을 배치하는 단계; 및
    상기 증착원으로부터 재료를 증발시켜 상기 기판 위에 상기 재료로 된 발광층을 형성하는데 있어서, 상기 재료의 증발 중에 상기 증착원에 대하여 상기 기판의 상대적 위치를 이동시키면서 상기 기판 위에 상기 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  77. 제 76 항에 있어서, 상기 증착원으로부터 재료를 증발시키기 전에, 마스크가 상기 기판과 상기 증착원 사이에 위치하도록 그 마스크를 상기 기판에 고정시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  78. 제 72 항, 제 74 항, 제 76 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 증착원이 상기 제1 방향을 따라 300 mm를 초과하는 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  79. 제 76 항에 있어서, 상기 전계발광 표시장치가 액티브 매트릭스형 전계발광 표시장치인 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
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  81. 제 72 항 또는 제 74 항에 있어서, 상기 기판이 상기 증착원의 상방에 위치되고, 상기 재료가 상기 기판의 하면에 성막되는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  82. 제 76 항에 있어서, 상기 기판이 상기 증착원의 상방에 위치되고, 상기 재료가 상기 기판의 하면에 성막되는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  83. 제 72 항, 제 74 항, 제 76 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판의 하면에 박막이 제공되는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  84. 제 72 항, 제 74 항, 제 76 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판의 하면에 투명 도전막이 제공되는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  85. 제 74 항 또는 제 76 항에 있어서, 상기 재료가 유기 재료인 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  86. 제 74 항 또는 제 76 항에 있어서, 상기 재료가 무기 재료인 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
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  92. 제 72 항, 제 74 항, 제 76 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표시장치가 패시브 매트릭스형 전계발광 표시장치인 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  93. 전계발광 표시장치를 제작하는 방법으로서,
    증착실 내에, 서로 다른 제1 방향 및 제2 방향을 가지고 제2 방향에서보다 제1 방향으로 더 길게 된 증착원을 제공하는 단계;
    상기 증착실 내에 기판을 배치하는 단계;
    마스크가 상기 기판과 상기 증착원 사이에 위치하도록 그 마스크를 상기 기판에 고정시키는 단계; 및
    상기 증착원으로부터 재료를 증발시켜 상기 기판 위에 발광층을 형성하는데 있어서, 상기 재료의 증발 중에 상기 증착원에 대하여 상기 기판의 상대적 위치를 이동시키면서 상기 기판 위에 발광층을 형성하는 단계를 포함하고;
    상기 마스크가 적어도 직사각형의 개구부를 가지고 있고,
    상기 개구부의 길이방향이 상기 증착원의 상기 제1 방향에 수직인 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  94. 제 93 항에 있어서, 상기 제2 방향이 상기 제1 방향에 직교하는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  95. 제 93 항에 있어서, 상기 전계발광 표시장치가 컬러 디스플레이이고, 상기 기판이 상기 증착원의 상방에 위치되는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  96. 제 93 항에 있어서, 상기 증착원이 상기 제1 방향을 따라 300 mm를 초과하는 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  97. 제 93 항에 있어서, 상기 재료가 유기 재료인 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  98. 제 93 항에 있어서, 상기 재료가 무기 재료인 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  99. 제 93 항에 있어서, 상기 전계발광 표시장치가 패시브 매트릭스형 전계발광 표시장치인 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  100. 제 93 항에 있어서, 상기 전계발광 표시장치가 액티브 매트릭스형 전계발광 표시장치인 것을 특징으로 하는 전계발광 표시장치 제작방법.
  101. 발광장치를 제작하는 방법으로서,
    증착원을 내부에 구비하고 있는 증착실 내에 기판을 배치하는 단계와;
    상기 증착원을 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동시키면서 상기 증착원으로부터 유기 재료를 증발시켜, 그 유기 재료로 된 발광층을 상기 기판 위에 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 기판에 대한 상기 증착원의 상대적 이동 방향이 상기 증착원의 길이방향에 직교하는 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  102. 제 101 항에 있어서, 상기 발광장치가 액티브 매트릭스형 표시장치인 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  103. 제 101 항에 있어서, 개구부를 가진 마스크가 상기 기판과 상기 증착원 사이에 배치되어, 증발된 유기 재료가 상기 마스크의 개구부를 통과하여 상기 기판 위에 퇴적되도록 한 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  104. 제 101 항에 있어서, 증발된 유기 재료가 상기 기판의 동일 부분에 다수 회 퇴적되도록 상기 증착원이 상기 기판에 대하여 반복적으로 이동되는 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  105. 발광장치를 제작하는 방법으로서,
    제1 방향을 따라 배치된 다수의 증착 셀(cell)을 가진 증착원을 내부에 구비하고 있는 증착실 내에 기판을 배치하는 단계와;
    상기 증착원을 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동시키면서 상기 증착원으로부터 유기 재료를 증발시켜, 그 유기 재료로 된 발광층을 상기 기판 위에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  106. 제 105 항에 있어서, 상기 발광장치가 액티브 매트릭스형 표시장치인 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  107. 제 105 항에 있어서, 개구부를 가진 마스크가 상기 기판과 상기 증착원 사이에 배치되어, 증발된 유기 재료가 상기 마스크의 개구부를 통과하여 상기 기판 위에 퇴적되도록 한 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  108. 제 105 항에 있어서, 증발된 유기 재료가 상기 기판의 동일 부분에 다수 회 퇴적되도록 상기 증착원이 상기 기판에 대하여 반복적으로 이동되는 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  109. 제 107 항에 있어서, 상기 증착 셀들 사이의 간격을 "a"라 할 때, 상기 증착원과 상기 마스크 사이의 간격이 2a 내지 100a의 범위 내인 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  110. 제 109 항에 있어서, 상기 증착원과 상기 마스크 사이의 상기 간격이 5a 내지 50a의 범위 내인 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  111. 발광장치를 제작하는 방법으로서,
    제1 증착원을 내부에 구비하고 있는 제1 증착실 내에 기판을 배치하는 단계;
    상기 기판에 대한 상기 제1 증착원의 상대적 이동 방향이 상기 제1 증착원의 길이방향에 직교하도록 상기 제1 증착원을 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동시키면서 상기 제1 증착원으로부터 제1 유기 재료를 증발시켜, 그 제1 유기 재료로 된 제1 발광층을 상기 기판 위에 형성하는 단계;
    상기 제1 유기 재료의 증발 후에, 상기 기판을 대기에 노출시키지 않고 상기 기판을 상기 제1 증착실로부터, 제2 증착원을 내부에 구비하고 있는 제2 증착실로 옮기는 단계; 및
    상기 기판에 대한 상기 제2 증착원의 상대적 이동 방향이 상기 제2 증착원의 길이방향에 직교하도록 상기 제2 증착원을 상기 기판에 대하여 상대적으로 이동시키면서 상기 제2 증착원으로부터 제2 유기 재료를 증발시켜, 그 제2 유기 재료로 된 제2 발광층을 상기 기판 위에 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  112. 제 111 항에 있어서, 상기 발광장치가 액티브 매트릭스형 표시장치인 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  113. 제 111 항에 있어서, 개구부를 가진 마스크가 상기 기판과 상기 제1 증착원 사이에 배치되어, 증발된 제1 유기 재료가 상기 마스크의 개구부를 통과하여 상기 기판 위에 퇴적되도록 한 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  114. 제 111 항에 있어서, 증발된 제1 유기 재료가 상기 기판의 동일 부분에 다수 회 퇴적되도록 상기 제1 증착원이 상기 기판에 대하여 반복적으로 이동되는 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  115. 제 101 항 또는 제 105 항에 있어서, 상기 증착원의 길이방향을 따라서의 상기 증착원의 길이가 상기 기판의 한쪽 변의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
  116. 제 111 항에 있어서, 상기 제1 증착원의 길이방향을 따라서의 상기 제1 증착원의 길이가 상기 기판의 한쪽 변의 길이보다 긴 것을 특징으로 하는 발광장치 제작방법.
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Cited By (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8193011B2 (en) 2009-08-24 2012-06-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
WO2012126016A2 (en) * 2011-03-17 2012-09-20 Kateeva, Inc. Apparatus and methods for depositing one or more organic materials on a substrate
US8707889B2 (en) 2011-05-25 2014-04-29 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8833294B2 (en) 2010-07-30 2014-09-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including patterning slit sheet and method of manufacturing organic light-emitting display device with the same
US8846547B2 (en) 2010-09-16 2014-09-30 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the thin film deposition apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8852687B2 (en) 2010-12-13 2014-10-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8859325B2 (en) 2010-01-14 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8859043B2 (en) 2011-05-25 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8871542B2 (en) 2010-10-22 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882922B2 (en) 2010-11-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8882920B2 (en) 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882556B2 (en) 2010-02-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8907326B2 (en) 2009-06-24 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and thin film deposition apparatus for manufacturing the same
US8906731B2 (en) 2011-05-27 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8916237B2 (en) 2009-05-22 2014-12-23 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of depositing thin film
US8921831B2 (en) 2009-08-24 2014-12-30 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8945979B2 (en) 2012-11-09 2015-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured by the method
US8945974B2 (en) 2012-09-20 2015-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display device using an organic layer deposition apparatus
US8951610B2 (en) 2011-07-04 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8951349B2 (en) 2009-11-20 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8956697B2 (en) 2012-07-10 2015-02-17 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus and organic light-emitting display apparatus manufactured by using the method
US8962360B2 (en) 2013-06-17 2015-02-24 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the organic layer deposition apparatus
US8993360B2 (en) 2013-03-29 2015-03-31 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus, method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus
US9012258B2 (en) 2012-09-24 2015-04-21 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing an organic light-emitting display apparatus using at least two deposition units
US9018647B2 (en) 2010-09-16 2015-04-28 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9040330B2 (en) 2013-04-18 2015-05-26 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
US9051636B2 (en) 2011-12-16 2015-06-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus
US9136476B2 (en) 2013-03-20 2015-09-15 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and organic light-emitting display apparatus manufactured by the method
US9150952B2 (en) 2011-07-19 2015-10-06 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and deposition apparatus including the same
US9174250B2 (en) 2009-06-09 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
US9206501B2 (en) 2011-08-02 2015-12-08 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using an organic layer deposition apparatus having stacked deposition sources
US9234270B2 (en) 2011-05-11 2016-01-12 Samsung Display Co., Ltd. Electrostatic chuck, thin film deposition apparatus including the electrostatic chuck, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus by using the thin film deposition apparatus
US9249493B2 (en) 2011-05-25 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US9257649B2 (en) 2012-07-10 2016-02-09 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic layer on a substrate while fixed to electrostatic chuck and charging carrier using contactless power supply module
US9260778B2 (en) 2012-06-22 2016-02-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
US9279177B2 (en) 2010-07-07 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9306191B2 (en) 2012-10-22 2016-04-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US9347886B2 (en) 2013-06-24 2016-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for monitoring deposition rate, apparatus provided with the same for depositing organic layer, method of monitoring deposition rate, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same
US9388488B2 (en) 2010-10-22 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9450140B2 (en) 2009-08-27 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US9453282B2 (en) 2010-03-11 2016-09-27 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
US9466647B2 (en) 2012-07-16 2016-10-11 Samsung Display Co., Ltd. Flat panel display device and method of manufacturing the same
US9496317B2 (en) 2013-12-23 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
US9512515B2 (en) 2011-07-04 2016-12-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9534288B2 (en) 2013-04-18 2017-01-03 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using same, and organic light-emitting display apparatus manufactured by using deposition apparatus
US9624580B2 (en) 2009-09-01 2017-04-18 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9748483B2 (en) 2011-01-12 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
US9873937B2 (en) 2009-05-22 2018-01-23 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US10246769B2 (en) 2010-01-11 2019-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus

Families Citing this family (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
KR100816197B1 (ko) * 2000-03-22 2008-03-21 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 표시장치의 제조장치 및 이를 이용한 유기전기발광 표시장치의 제조방법
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
JP2002175878A (ja) * 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
JP4906018B2 (ja) * 2001-03-12 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法、発光装置の作製方法及び成膜装置
DE10128091C1 (de) 2001-06-11 2002-10-02 Applied Films Gmbh & Co Kg Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats
JP4078813B2 (ja) * 2001-06-12 2008-04-23 ソニー株式会社 成膜装置および成膜方法
JP4707271B2 (ja) * 2001-06-29 2011-06-22 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2003017255A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2003017254A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP4865165B2 (ja) 2001-08-29 2012-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TW529317B (en) * 2001-10-16 2003-04-21 Chi Mei Electronic Corp Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display
US20030101937A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
KR100422487B1 (ko) * 2001-12-10 2004-03-11 에이엔 에스 주식회사 전자석을 이용한 유기전계발광소자 제작용 증착장치 및그를 이용한 증착방법
SG149680A1 (en) * 2001-12-12 2009-02-27 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
KR100637127B1 (ko) * 2002-01-10 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착 방법 및 그 장치
TWI275319B (en) * 2002-02-05 2007-03-01 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method and method of operating a manufacturing apparatus
TWI286044B (en) * 2002-02-22 2007-08-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus
SG113448A1 (en) * 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
JP3877613B2 (ja) * 2002-03-05 2007-02-07 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
TW589919B (en) * 2002-03-29 2004-06-01 Sanyo Electric Co Method for vapor deposition and method for making display device
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
JP2004006311A (ja) * 2002-04-15 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法および製造装置
US8900366B2 (en) * 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
EP1369499A3 (en) * 2002-04-15 2004-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
US6749906B2 (en) * 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4954434B2 (ja) * 2002-05-17 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP4634698B2 (ja) * 2002-05-17 2011-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 蒸着装置
KR100468792B1 (ko) * 2002-05-28 2005-01-29 주식회사 야스 기판과 쉐도우 마스크 고정장치
US20030221620A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
US6943066B2 (en) * 2002-06-05 2005-09-13 Advantech Global, Ltd Active matrix backplane for controlling controlled elements and method of manufacture thereof
US20040007183A1 (en) * 2002-07-11 2004-01-15 Ulvac, Inc. Apparatus and method for the formation of thin films
KR100471358B1 (ko) * 2002-07-19 2005-03-15 엘지전자 주식회사 유기 전자 발광층의 증착 장치
EP1382713B1 (en) * 2002-07-19 2006-05-17 Lg Electronics Inc. Source for thermal physical vapour deposition of organic electroluminescent layers
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP3690380B2 (ja) * 2002-08-02 2005-08-31 セイコーエプソン株式会社 材料の配置方法、電子装置の製造方法、電気光学装置の製造方法
TWI277363B (en) 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
JP4515060B2 (ja) * 2002-08-30 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置および有機化合物を含む層の作製方法
US20040123804A1 (en) * 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
JP2004146369A (ja) * 2002-09-20 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置および発光装置の作製方法
US7067170B2 (en) * 2002-09-23 2006-06-27 Eastman Kodak Company Depositing layers in OLED devices using viscous flow
JP4139186B2 (ja) * 2002-10-21 2008-08-27 東北パイオニア株式会社 真空蒸着装置
JP5072184B2 (ja) * 2002-12-12 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法
US20040144321A1 (en) * 2003-01-28 2004-07-29 Eastman Kodak Company Method of designing a thermal physical vapor deposition system
US7211461B2 (en) * 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
DE10312641B4 (de) * 2003-03-21 2009-11-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer OLED-Anzeige
JP4346336B2 (ja) * 2003-04-02 2009-10-21 三洋電機株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
US20040206307A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Eastman Kodak Company Method and system having at least one thermal transfer station for making OLED displays
JP4493926B2 (ja) 2003-04-25 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP2004353082A (ja) 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置
JP2004353084A (ja) 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置の固定部材
JP2004353083A (ja) 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置
JP3915734B2 (ja) * 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
JP4015064B2 (ja) * 2003-05-28 2007-11-28 トッキ株式会社 蒸着装置
JP4447256B2 (ja) * 2003-06-27 2010-04-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP4522777B2 (ja) * 2003-07-25 2010-08-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US7211454B2 (en) * 2003-07-25 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate
US20050022743A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation container and vapor deposition apparatus
US8123862B2 (en) * 2003-08-15 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition apparatus and manufacturing apparatus
JP4685404B2 (ja) * 2003-10-15 2011-05-18 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光素子の垂直蒸着方法，その装置，及び有機電界発光素子の垂直蒸着装置に使用される蒸着源
US20050244580A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Eastman Kodak Company Deposition apparatus for temperature sensitive materials
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
CN100502050C (zh) * 2004-08-13 2009-06-17 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
KR20060018746A (ko) * 2004-08-25 2006-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기물 증착 장치
KR100700840B1 (ko) 2005-01-05 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 섀도우마스크 부착방법
US9530968B2 (en) * 2005-02-15 2016-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
EP1715075B1 (de) * 2005-04-20 2008-04-16 Applied Materials GmbH & Co. KG Magnetische Maskenhalterung
JP4789551B2 (ja) * 2005-09-06 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 有機ｅｌ成膜装置
US7485580B2 (en) * 2005-09-20 2009-02-03 Air Products And Chemicals, Inc. Method for removing organic electroluminescent residues from a substrate
US7531470B2 (en) * 2005-09-27 2009-05-12 Advantech Global, Ltd Method and apparatus for electronic device manufacture using shadow masks
JP4974504B2 (ja) * 2005-10-13 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置、発光装置の作製方法
KR20070043541A (ko) * 2005-10-21 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법
JP5064810B2 (ja) * 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
KR100836471B1 (ko) * 2006-10-27 2008-06-09 삼성에스디아이 주식회사 마스크 및 이를 이용한 증착 장치
KR100842183B1 (ko) * 2006-12-29 2008-06-30 두산메카텍 주식회사 증발원 스캐닝 장치
JP2008221532A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Oshima Denki Seisakusho:Kk 成膜装置
KR100977971B1 (ko) * 2007-06-27 2010-08-24 두산메카텍 주식회사 증착 장치
KR100830839B1 (ko) 2008-02-12 2008-05-20 문대규 증발원
KR100964224B1 (ko) 2008-02-28 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치 및 박막 형성 방법
JP5416987B2 (ja) 2008-02-29 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
JP2009231277A (ja) * 2008-02-29 2009-10-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置
JP5238544B2 (ja) * 2008-03-07 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
US8409672B2 (en) * 2008-04-24 2013-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device
KR101517020B1 (ko) * 2008-05-15 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조장치 및 제조방법
EP2135970A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-23 Applied Materials, Inc. Processing system and method for processing a substrate
JP2010111916A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置、蒸着源、成膜室、蒸着容器交換方法
US8802200B2 (en) 2009-06-09 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) * 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117720B1 (ko) * 2009-06-25 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법
JP5244725B2 (ja) * 2009-07-21 2013-07-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 成膜装置
CN101962750B (zh) * 2009-07-24 2013-07-03 株式会社日立高新技术 真空蒸镀方法及其装置
KR20110014442A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101127575B1 (ko) * 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
US20110033621A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
US8486737B2 (en) * 2009-08-25 2013-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5611718B2 (ja) * 2009-08-27 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
CN102549758B (zh) * 2009-09-24 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR20120012638A (ko) 2010-08-02 2012-02-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 형성 장치
JP5607470B2 (ja) * 2010-09-14 2014-10-15 公益財団法人かずさＤｎａ研究所 基材表面親水化処理方法及び被処理物の製造装置
KR20120039944A (ko) * 2010-10-18 2012-04-26 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 증착 시스템 및 증착 방법
WO2012053402A1 (ja) 2010-10-19 2012-04-26 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2012140671A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Canon Tokki Corp 成膜装置
JP2012186158A (ja) * 2011-02-14 2012-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 照明装置及び発光装置の作製方法及び製造装置
JP2012178278A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Ulvac Japan Ltd 光透過性金属酸化物膜の形成方法
JP5902515B2 (ja) 2011-03-14 2016-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 連続成膜装置及び連続成膜方法
JP5812753B2 (ja) * 2011-08-11 2015-11-17 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
US9055654B2 (en) 2011-12-22 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method
KR20130095063A (ko) * 2012-02-17 2013-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치와, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP2013216955A (ja) * 2012-04-11 2013-10-24 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置
KR101968664B1 (ko) * 2012-08-06 2019-08-14 삼성디스플레이 주식회사 박막 형성 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102073765B1 (ko) * 2013-04-04 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 제조방법 및 이에 사용될 수 있는 증착장치
KR102086550B1 (ko) * 2013-05-31 2020-03-10 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
CN103726019B (zh) * 2013-12-13 2015-10-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 改善球面光学元件镀膜均匀性的挡板的设计方法
WO2015182279A1 (ja) * 2014-05-30 2015-12-03 シャープ株式会社 蒸着装置および蒸着方法
EP2975155A1 (en) * 2014-07-15 2016-01-20 Essilor International (Compagnie Generale D'optique) A process for physical vapor deposition of a material layer on surfaces of a plurality of substrates
CN104593731B (zh) * 2015-02-04 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 蒸镀换料一体化设备及其使用方法
CN105154832B (zh) * 2015-10-15 2018-06-08 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备和蒸镀方法
CN105177510B (zh) * 2015-10-21 2018-04-03 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备及蒸镀方法
CN109072401B (zh) 2016-03-10 2021-05-11 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩膜、蒸镀装置、蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法
JP2017036512A (ja) * 2016-11-07 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置
JP6580105B2 (ja) * 2017-10-26 2019-09-25 キヤノントッキ株式会社 測定装置
CN109881179B (zh) * 2019-04-19 2023-07-25 江苏可润光电科技有限公司 一种全包裹派瑞林镀膜工艺及镀膜装置
CN114583060A (zh) * 2020-12-01 2022-06-03 杭州纤纳光电科技有限公司 钙钛矿薄膜节奏化沉积生产方法与设备
JP7362693B2 (ja) * 2021-06-01 2023-10-17 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び電子デバイスの製造装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4023523A (en) * 1975-04-23 1977-05-17 Xerox Corporation Coater hardware and method for obtaining uniform photoconductive layers on a xerographic photoreceptor
JPH02173261A (ja) * 1988-12-26 1990-07-04 Komatsu Ltd 真空成膜装置
JPH0423523A (ja) * 1990-05-17 1992-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 衛星受信用チューナ

Family Cites Families (164)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2351536A (en) * 1941-04-25 1944-06-13 Spencer Lens Co Method of treating surfaces
US2435997A (en) * 1943-11-06 1948-02-17 American Optical Corp Apparatus for vapor coating of large surfaces
US3110620A (en) * 1960-06-28 1963-11-12 Ibm Method of making plural layer thin film devices
US3235647A (en) * 1963-06-06 1966-02-15 Temescal Metallurgical Corp Electron bombardment heating with adjustable impact pattern
US3312190A (en) * 1964-02-25 1967-04-04 Burroughs Corp Mask and substrate alignment apparatus
US3420977A (en) * 1965-06-18 1969-01-07 Air Reduction Electron beam apparatus
US3391490A (en) * 1966-02-23 1968-07-09 David H. Evans Remotely controlled vehicle system
US3543717A (en) * 1968-04-25 1970-12-01 Itek Corp Means to adjust collimator and crucible location in a vapor deposition apparatus
US3636305A (en) * 1971-03-10 1972-01-18 Gte Sylvania Inc Apparatus for metal vaporization comprising a heater and a refractory vessel
US3710072A (en) * 1971-05-10 1973-01-09 Airco Inc Vapor source assembly
US3756193A (en) * 1972-05-01 1973-09-04 Battelle Memorial Institute Coating apparatus
JPS5315466B2 (ko) * 1973-04-28 1978-05-25
FR2244014B1 (ko) * 1973-09-17 1976-10-08 Bosch Gmbh Robert
US3971334A (en) * 1975-03-04 1976-07-27 Xerox Corporation Coating device
US4187801A (en) * 1977-12-12 1980-02-12 Commonwealth Scientific Corporation Method and apparatus for transporting workpieces
JPS5828812Y2 (ja) 1978-02-26 1983-06-23 ナショナル住宅産業株式会社 反り止め装置
JPS54127877A (en) 1978-03-28 1979-10-04 Ricoh Co Ltd Preparation of thin film
US4233937A (en) * 1978-07-20 1980-11-18 Mcdonnell Douglas Corporation Vapor deposition coating machine
DE2834806A1 (de) 1978-08-09 1980-02-14 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verfahren und vorrichtung zum vakuumaufdampfen duenner schichten, insbesondere bei der herstellung von bildschirmen von katodenstrahlroehren
US4225805A (en) * 1978-12-22 1980-09-30 Gte Products Corporation Cathode ray tube getter sealing structure
JPS6032361Y2 (ja) 1980-03-17 1985-09-27 三国工業株式会社 多連装式気化器のスタ−タ操作機構
JPS57123973A (en) 1981-01-22 1982-08-02 Fuji Electric Co Ltd Container for vacuum-depositing material
JPS6214379Y2 (ko) 1981-01-27 1987-04-13
JPS57172060A (en) 1981-04-17 1982-10-22 Mitsui Keikinzoku Kako Upstair
JPS57172060U (ko) * 1981-04-20 1982-10-29
US4446357A (en) * 1981-10-30 1984-05-01 Kennecott Corporation Resistance-heated boat for metal vaporization
US4469719A (en) * 1981-12-21 1984-09-04 Applied Magnetics-Magnetic Head Divison Corporation Method for controlling the edge gradient of a layer of deposition material
JPS58177463A (ja) 1982-04-12 1983-10-18 Hitachi Ltd 積層薄膜成膜装置
US4405487A (en) * 1982-04-29 1983-09-20 Harrah Larry A Combination moisture and hydrogen getter
JPS58177463U (ja) 1982-05-21 1983-11-28 株式会社日本ロツク 電子ロツク錠式チエンロツク
CH651592A5 (de) * 1982-10-26 1985-09-30 Balzers Hochvakuum Dampfquelle fuer vakuumbedampfungsanlagen.
EP0139764B1 (en) * 1983-03-31 1989-10-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing thin-film integrated devices
JPS59203238A (ja) * 1983-04-30 1984-11-17 Tdk Corp 磁気記録媒体の製造方法
JPS6032361A (ja) 1983-08-03 1985-02-19 Hitachi Ltd 半導体装置用電極配線の製造方法
DE3330092A1 (de) * 1983-08-20 1985-03-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen
GB8332394D0 (en) * 1983-12-05 1984-01-11 Pilkington Brothers Plc Coating apparatus
JPS60121616A (ja) 1983-12-06 1985-06-29 セイコーエプソン株式会社 透明導電膜の製造方法
JPS60121616U (ja) 1984-01-25 1985-08-16 三菱電機株式会社 負荷時タツプ切換装置
US5259881A (en) * 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
US4672265A (en) * 1984-07-31 1987-06-09 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescent device
US4600160A (en) 1984-09-20 1986-07-15 Oscar Mayer Foods Corporation Chopper blade assembly
JPH0246667B2 (ja) 1986-09-20 1990-10-16 Anelva Corp Hakumakujochakusochi
US4897290A (en) * 1986-09-26 1990-01-30 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Method for manufacturing the substrate for liquid crystal display
JPS6379959U (ko) 1986-11-14 1988-05-26
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US4885211A (en) * 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
JPS63186763U (ko) * 1987-02-16 1988-11-30
US4769292A (en) * 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
JPS63297549A (ja) 1987-05-29 1988-12-05 Komatsu Ltd 真空蒸着装置
JPS6442392A (en) 1987-08-07 1989-02-14 Nec Corp Apparatus for molecular beam epitaxy
JPS6442392U (ko) 1987-09-03 1989-03-14
US5111022A (en) * 1989-08-23 1992-05-05 Tfi Telemark Cooling system for electron beam gun and method
JP2672680B2 (ja) * 1990-02-09 1997-11-05 沖電気工業株式会社 薄膜の製造方法及びこれに用いる蒸発源
US5310410A (en) * 1990-04-06 1994-05-10 Sputtered Films, Inc. Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus
JP2913745B2 (ja) * 1990-04-10 1999-06-28 松下電器産業株式会社 真空蒸着装置
JPH04116169A (ja) 1990-09-05 1992-04-16 Shin Meiwa Ind Co Ltd 多層成膜用の真空蒸着装置
US5167984A (en) 1990-12-06 1992-12-01 Xerox Corporation Vacuum deposition process
US5258325A (en) * 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
JP3181611B2 (ja) 1991-02-22 2001-07-03 コニカ株式会社 蒸着装置
JP3125279B2 (ja) * 1991-02-25 2001-01-15 東海カーボン株式会社 真空蒸着用黒鉛ルツボ
JPH04116169U (ja) 1991-03-28 1992-10-16 株式会社島津製作所 レーザ装置
JP2784615B2 (ja) * 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
US5429884A (en) * 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
JP2688555B2 (ja) 1992-04-27 1997-12-10 株式会社日立製作所 マルチチャンバシステム
JP3257056B2 (ja) 1992-09-04 2002-02-18 石川島播磨重工業株式会社 真空蒸着装置
JP3482969B2 (ja) * 1993-01-19 2004-01-06 石川島播磨重工業株式会社 連続真空蒸着装置
EP0608620B1 (en) * 1993-01-28 1996-08-14 Applied Materials, Inc. Vacuum Processing apparatus having improved throughput
JP3059972B2 (ja) 1993-03-12 2000-07-04 工業技術院長 有機系光学薄膜の製造法とその装置
JP2821347B2 (ja) * 1993-10-12 1998-11-05 日本電気株式会社 電流制御型発光素子アレイ
JP2770299B2 (ja) * 1993-10-26 1998-06-25 富士ゼロックス株式会社 薄膜ｅｌ素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット
KR100291971B1 (ko) 1993-10-26 2001-10-24 야마자끼 순페이 기판처리장치및방법과박막반도체디바이스제조방법
JP2734965B2 (ja) 1993-12-20 1998-04-02 双葉電子工業株式会社 電界放出素子とその製造方法
JPH07192866A (ja) 1993-12-26 1995-07-28 Ricoh Co Ltd 有機薄膜型電界発光素子
JPH07216539A (ja) 1994-01-28 1995-08-15 Toray Ind Inc 製膜装置およびこれを用いた薄膜の製造方法
JP2599569B2 (ja) 1994-03-09 1997-04-09 工業技術院長 複合型光学薄膜の製造方法とその製造装置
US5701055A (en) * 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
DE4422697C1 (de) 1994-06-29 1996-01-25 Zsw Verdampferquelle für eine Aufdampfanlage und ihre Verwendung
US5534314A (en) * 1994-08-31 1996-07-09 University Of Virginia Patent Foundation Directed vapor deposition of electron beam evaporant
JPH08111285A (ja) 1994-10-07 1996-04-30 Tdk Corp 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置
US5972183A (en) * 1994-10-31 1999-10-26 Saes Getter S.P.A Getter pump module and system
US5550066A (en) * 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US5945967A (en) * 1995-01-18 1999-08-31 I-O Display Systems, Llc Speckle depixelator
EP0732731A3 (en) * 1995-03-13 1997-10-08 Applied Materials Inc Treatment of a layer of titanium nitride to improve resistance to high temperatures
JPH0916960A (ja) * 1995-06-30 1997-01-17 Hitachi Maxell Ltd 情報記録媒体の製造装置
US5935395A (en) * 1995-11-08 1999-08-10 Mitel Corporation Substrate processing apparatus with non-evaporable getter pump
JPH09209127A (ja) 1996-02-05 1997-08-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 真空蒸着装置およびその真空蒸着装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH09256142A (ja) 1996-03-15 1997-09-30 Sony Corp 成膜装置
TW320687B (ko) * 1996-04-01 1997-11-21 Toray Industries
JP3539125B2 (ja) 1996-04-18 2004-07-07 東レ株式会社 有機電界発光素子の製造方法
JPH1050478A (ja) * 1996-04-19 1998-02-20 Toray Ind Inc 有機電界発光素子およびその製造方法
JP3113212B2 (ja) * 1996-05-09 2000-11-27 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネルの蛍光体層形成装置および蛍光体塗布方法
JP3224396B2 (ja) * 1996-05-29 2001-10-29 出光興産株式会社 有機ｅｌ素子
US5902688A (en) * 1996-07-16 1999-05-11 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display device
US5817366A (en) * 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
US5844363A (en) * 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
JPH10162954A (ja) 1996-11-29 1998-06-19 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 有機ｅｌ素子の製造方法
JP4059946B2 (ja) 1996-12-06 2008-03-12 株式会社アルバック 有機薄膜形成装置及び有機材料の再利用方法
JP3483719B2 (ja) 1997-01-09 2004-01-06 株式会社アルバック 有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機薄膜形成装置
JP3162313B2 (ja) * 1997-01-20 2001-04-25 工業技術院長 薄膜製造方法および薄膜製造装置
US5904961A (en) * 1997-01-24 1999-05-18 Eastman Kodak Company Method of depositing organic layers in organic light emitting devices
JPH10214682A (ja) 1997-01-30 1998-08-11 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法
US6049167A (en) * 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
JP2848371B2 (ja) * 1997-02-21 1999-01-20 日本電気株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
JP2845856B2 (ja) 1997-03-10 1999-01-13 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH10270164A (ja) 1997-03-26 1998-10-09 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法およびその製造装置
DE29707686U1 (de) * 1997-04-28 1997-06-26 Balzers Prozess Systeme Vertriebs- und Service GmbH, 81245 München Magnethalterung für Folienmasken
KR100353774B1 (ko) * 1997-05-08 2002-09-27 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 광기록매체의 제조장치 및 제조방법
US5906857A (en) * 1997-05-13 1999-05-25 Ultratherm, Inc. Apparatus, system and method for controlling emission parameters attending vaporized in a HV environment
AUPO712097A0 (en) * 1997-05-30 1997-06-26 Lintek Pty Ltd Vacuum deposition system
JPH10335062A (ja) 1997-05-30 1998-12-18 Tdk Corp 有機ｅｌ素子の製造装置および製造方法
US6011904A (en) * 1997-06-10 2000-01-04 Board Of Regents, University Of Texas Molecular beam epitaxy effusion cell
JP3508484B2 (ja) * 1997-07-14 2004-03-22 松下電器産業株式会社 機能性薄膜の形成方法及び形成装置
JPH1145779A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Tdk Corp 有機ｅｌ素子の製造方法および装置
JPH1161386A (ja) * 1997-08-22 1999-03-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子の成膜装置
US6124215A (en) * 1997-10-06 2000-09-26 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Apparatus and method for planarization of spin-on materials
IT1295340B1 (it) * 1997-10-15 1999-05-12 Getters Spa Pompa getter ad elevata velocita' di assorbimento di gas
WO1999020080A1 (fr) 1997-10-15 1999-04-22 Toray Industries, Inc. Procede de fabrication d'un dispositif electroluminescent organique
JP4058149B2 (ja) * 1997-12-01 2008-03-05 キヤノンアネルバ株式会社 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法
JP3014368B2 (ja) 1997-12-18 2000-02-28 セントラル硝子株式会社 クリーニングガス
SG72905A1 (en) * 1997-12-18 2000-05-23 Central Glass Co Ltd Gas for removing deposit and removal method using same
IT1297013B1 (it) * 1997-12-23 1999-08-03 Getters Spa Sistema getter per la purificazione dell'atmosfera di lavoro nei processi di deposizione fisica da vapore
JP3453290B2 (ja) * 1997-12-26 2003-10-06 松下電器産業株式会社 蒸着用電極構造、蒸着装置、蒸着方法および有機発光素子の製造方法
JPH11229123A (ja) 1998-02-12 1999-08-24 Casio Comput Co Ltd 蒸着装置
US6251233B1 (en) * 1998-08-03 2001-06-26 The Coca-Cola Company Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation
US6284052B2 (en) 1998-08-19 2001-09-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber
JP2000068055A (ja) * 1998-08-26 2000-03-03 Tdk Corp 有機ｅｌ素子用蒸発源、この有機ｅｌ素子用蒸発源を用いた有機ｅｌ素子の製造装置および製造方法
US6132805A (en) * 1998-10-20 2000-10-17 Cvc Products, Inc. Shutter for thin-film processing equipment
JP3782245B2 (ja) 1998-10-28 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造装置及び製造方法
US6214631B1 (en) * 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
EP1129068A1 (en) * 1998-11-12 2001-09-05 Ariad Pharmaceuticals, Inc. Bicyclic signal transduction inhibitors, composition containing them and uses thereof
JP3019095B1 (ja) * 1998-12-22 2000-03-13 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法
US6328815B1 (en) * 1999-02-19 2001-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Multiple chamber vacuum processing system configuration for improving the stability of mark shielding process
JP2000348859A (ja) 1999-06-03 2000-12-15 Chisso Corp 有機ｅｌ素子
US6469439B2 (en) * 1999-06-15 2002-10-22 Toray Industries, Inc. Process for producing an organic electroluminescent device
TW504941B (en) * 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
JP4472056B2 (ja) * 1999-07-23 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 エレクトロルミネッセンス表示装置及びその作製方法
US6660409B1 (en) * 1999-09-16 2003-12-09 Panasonic Communications Co., Ltd Electronic device and process for producing the same
JP4140674B2 (ja) * 1999-09-27 2008-08-27 東京エレクトロン株式会社 多孔質アモルファス膜の観察方法及びその観察装置
JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
CA2388178A1 (en) 1999-10-22 2001-05-03 Kurt J. Lesker Company Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum
KR20010047128A (ko) * 1999-11-18 2001-06-15 이경수 액체원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치
US6537607B1 (en) * 1999-12-17 2003-03-25 Texas Instruments Incorporated Selective deposition of emissive layer in electroluminescent displays
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US6244212B1 (en) * 1999-12-30 2001-06-12 Genvac Aerospace Corporation Electron beam evaporation assembly for high uniform thin film
US6633121B2 (en) * 2000-01-31 2003-10-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
JP2001279429A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 素子用薄膜層の成膜方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
ATE497028T1 (de) * 2000-06-22 2011-02-15 Panasonic Elec Works Co Ltd Vorrichtung und verfahren zum vakuum-ausdampfen
JP2002075638A (ja) 2000-08-29 2002-03-15 Nec Corp マスク蒸着方法及び蒸着装置
JP2002175878A (ja) * 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
JP2002105622A (ja) 2000-10-04 2002-04-10 Sony Corp 蒸着用治具及び蒸着方法
TW463522B (en) * 2000-11-07 2001-11-11 Helix Technology Inc Manufacturing method for organic light emitting diode
US6641674B2 (en) * 2000-11-10 2003-11-04 Helix Technology Inc. Movable evaporation device
US7432116B2 (en) * 2001-02-21 2008-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for film deposition
US20030015140A1 (en) * 2001-04-26 2003-01-23 Eastman Kodak Company Physical vapor deposition of organic layers using tubular sources for making organic light-emitting devices
JP4704605B2 (ja) * 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
JP2003002778A (ja) * 2001-06-26 2003-01-08 International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd 薄膜堆積用分子線セル
JP4707271B2 (ja) * 2001-06-29 2011-06-22 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2003113466A (ja) * 2001-07-31 2003-04-18 Fuji Photo Film Co Ltd 真空蒸着装置
US20030101937A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
US7655397B2 (en) * 2002-04-25 2010-02-02 The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services Selections of genes and methods of using the same for diagnosis and for targeting the therapy of select cancers
KR100490537B1 (ko) * 2002-07-23 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 가열용기와 이를 이용한 증착장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4023523A (en) * 1975-04-23 1977-05-17 Xerox Corporation Coater hardware and method for obtaining uniform photoconductive layers on a xerographic photoreceptor
JPH02173261A (ja) * 1988-12-26 1990-07-04 Komatsu Ltd 真空成膜装置
JPH0423523A (ja) * 1990-05-17 1992-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 衛星受信用チューナ

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
미국특허공보 04023523호
일본공개특허 평성02-173261호

Cited By (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10689746B2 (en) 2009-05-22 2020-06-23 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US11920233B2 (en) 2009-05-22 2024-03-05 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8916237B2 (en) 2009-05-22 2014-12-23 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of depositing thin film
US11624107B2 (en) 2009-05-22 2023-04-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9873937B2 (en) 2009-05-22 2018-01-23 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882920B2 (en) 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9174250B2 (en) 2009-06-09 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
US8907326B2 (en) 2009-06-24 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and thin film deposition apparatus for manufacturing the same
US8193011B2 (en) 2009-08-24 2012-06-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8921831B2 (en) 2009-08-24 2014-12-30 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9450140B2 (en) 2009-08-27 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same
US9624580B2 (en) 2009-09-01 2017-04-18 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9224591B2 (en) 2009-10-19 2015-12-29 Samsung Display Co., Ltd. Method of depositing a thin film
US8876975B2 (en) 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8951349B2 (en) 2009-11-20 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9660191B2 (en) 2009-11-20 2017-05-23 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US10246769B2 (en) 2010-01-11 2019-04-02 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US10287671B2 (en) 2010-01-11 2019-05-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8859325B2 (en) 2010-01-14 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8882556B2 (en) 2010-02-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9453282B2 (en) 2010-03-11 2016-09-27 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9136310B2 (en) 2010-04-28 2015-09-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US9279177B2 (en) 2010-07-07 2016-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8833294B2 (en) 2010-07-30 2014-09-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including patterning slit sheet and method of manufacturing organic light-emitting display device with the same
US9018647B2 (en) 2010-09-16 2015-04-28 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8846547B2 (en) 2010-09-16 2014-09-30 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the thin film deposition apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
US8871542B2 (en) 2010-10-22 2014-10-28 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method
US9388488B2 (en) 2010-10-22 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8882922B2 (en) 2010-11-01 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US8852687B2 (en) 2010-12-13 2014-10-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US9748483B2 (en) 2011-01-12 2017-08-29 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same
WO2012126016A3 (en) * 2011-03-17 2012-12-27 Kateeva, Inc. Apparatus and methods for depositing one or more organic materials on a substrate
WO2012126016A2 (en) * 2011-03-17 2012-09-20 Kateeva, Inc. Apparatus and methods for depositing one or more organic materials on a substrate
US9234270B2 (en) 2011-05-11 2016-01-12 Samsung Display Co., Ltd. Electrostatic chuck, thin film deposition apparatus including the electrostatic chuck, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus by using the thin film deposition apparatus
US9076982B2 (en) 2011-05-25 2015-07-07 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US9249493B2 (en) 2011-05-25 2016-02-02 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same
US8707889B2 (en) 2011-05-25 2014-04-29 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8859043B2 (en) 2011-05-25 2014-10-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US8906731B2 (en) 2011-05-27 2014-12-09 Samsung Display Co., Ltd. Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus
US8951610B2 (en) 2011-07-04 2015-02-10 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus
US9777364B2 (en) 2011-07-04 2017-10-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9512515B2 (en) 2011-07-04 2016-12-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
US9150952B2 (en) 2011-07-19 2015-10-06 Samsung Display Co., Ltd. Deposition source and deposition apparatus including the same
US9206501B2 (en) 2011-08-02 2015-12-08 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using an organic layer deposition apparatus having stacked deposition sources
US9051636B2 (en) 2011-12-16 2015-06-09 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus
US9260778B2 (en) 2012-06-22 2016-02-16 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
US9257649B2 (en) 2012-07-10 2016-02-09 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic layer on a substrate while fixed to electrostatic chuck and charging carrier using contactless power supply module
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
US8956697B2 (en) 2012-07-10 2015-02-17 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus and organic light-emitting display apparatus manufactured by using the method
US10431779B2 (en) 2012-07-10 2019-10-01 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
US9466647B2 (en) 2012-07-16 2016-10-11 Samsung Display Co., Ltd. Flat panel display device and method of manufacturing the same
US8945974B2 (en) 2012-09-20 2015-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display device using an organic layer deposition apparatus
US9012258B2 (en) 2012-09-24 2015-04-21 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing an organic light-emitting display apparatus using at least two deposition units
US9306191B2 (en) 2012-10-22 2016-04-05 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
US8945979B2 (en) 2012-11-09 2015-02-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured by the method
US9136476B2 (en) 2013-03-20 2015-09-15 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and organic light-emitting display apparatus manufactured by the method
US8993360B2 (en) 2013-03-29 2015-03-31 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus, method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus
US9534288B2 (en) 2013-04-18 2017-01-03 Samsung Display Co., Ltd. Deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using same, and organic light-emitting display apparatus manufactured by using deposition apparatus
US9040330B2 (en) 2013-04-18 2015-05-26 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus
US8962360B2 (en) 2013-06-17 2015-02-24 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the organic layer deposition apparatus
US9347886B2 (en) 2013-06-24 2016-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for monitoring deposition rate, apparatus provided with the same for depositing organic layer, method of monitoring deposition rate, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same
US9496317B2 (en) 2013-12-23 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic light emitting display apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US20010006827A1 (en) 2001-07-05
EP1113087A2 (en) 2001-07-04
EP1113087B1 (en) 2016-08-31
KR20010062735A (ko) 2001-07-07
JP5315361B2 (ja) 2013-10-16
CN1302173A (zh) 2001-07-04
EP1113087A3 (en) 2003-11-19
JP2018066066A (ja) 2018-04-26
JP2001247959A (ja) 2001-09-14
CN100517798C (zh) 2009-07-22
JP6371820B2 (ja) 2018-08-08
US20170137930A1 (en) 2017-05-18
US9559302B2 (en) 2017-01-31
JP2013253323A (ja) 2013-12-19
JP3833066B2 (ja) 2006-10-11
US20150171329A1 (en) 2015-06-18
JP2013249543A (ja) 2013-12-12
JP2011117083A (ja) 2011-06-16
TW490714B (en) 2002-06-11
KR20070029770A (ko) 2007-03-14
JP2003293122A (ja) 2003-10-15
KR100794292B1 (ko) 2008-01-11
JP5589115B2 (ja) 2014-09-10
US20100021624A1 (en) 2010-01-28
JP2016000859A (ja) 2016-01-07
JP2017045728A (ja) 2017-03-02
JP5856110B2 (ja) 2016-02-09
US8968823B2 (en) 2015-03-03
JP4782978B2 (ja) 2011-09-28
US8119189B2 (en) 2012-02-21
CN1790773A (zh) 2006-06-21
CN1240250C (zh) 2006-02-01
JP2013147754A (ja) 2013-08-01

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