JPS60121616A - 透明導電膜の製造方法 - Google Patents
透明導電膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS60121616A JPS60121616A JP23007383A JP23007383A JPS60121616A JP S60121616 A JPS60121616 A JP S60121616A JP 23007383 A JP23007383 A JP 23007383A JP 23007383 A JP23007383 A JP 23007383A JP S60121616 A JPS60121616 A JP S60121616A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transparent conductive
- conductive film
- plating
- substrate
- forming transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明導電膜の製造方法に関するものであり、無
電解メッキ法により透明導電膜を得る方法に関するもの
である。
電解メッキ法により透明導電膜を得る方法に関するもの
である。
透明導電膜は近年エレクトロニクスの発展により用途が
拡大されており、特に液晶、 Ｆ！Ｌ 、 ＦｉＯ等の
ディスプレイ、太陽電池用１Ｌ極に広く用いられている
。又最近ではタッチスイッチ等の応用。
拡大されており、特に液晶、 Ｆ！Ｌ 、 ＦｉＯ等の
ディスプレイ、太陽電池用１Ｌ極に広く用いられている
。又最近ではタッチスイッチ等の応用。
センサーとしての応用もはかられつつある。
透明導電膜の製造方法は真空蒸着法、スパッタリング法
／Ｉイオンプレイティング法、ＯＶＤ法。
／Ｉイオンプレイティング法、ＯＶＤ法。
スプレー法、有機金属による加水分解、熱分解法がある
。真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレイティン
グ法は装置が高価でしがもランニングコストが高い。さ
らにピンホールが多く、ファインパターンをもった液晶
パネル等に利用する時、歩留り低下の原因となっていた
。又一定の抵抗値を安定的に費ることは非常に困難とさ
れていた。又大面積を得ることは非常に困難であった。
。真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレイティン
グ法は装置が高価でしがもランニングコストが高い。さ
らにピンホールが多く、ファインパターンをもった液晶
パネル等に利用する時、歩留り低下の原因となっていた
。又一定の抵抗値を安定的に費ることは非常に困難とさ
れていた。又大面積を得ることは非常に困難であった。
ＯＶＤ法は安価な製造方法であるがピンホールが多く、
又ソースの問題からインジウム系透明導電膜を得ること
は困難であり、スズ系の透明導電膜を得るにもっばら使
用されているだけである。スプレー法はピンホールも多
いが、生産性に著しく劣る。有機金属法は、安価な製造
方法であるが、低抵抗化をはかることは困難であった。
又ソースの問題からインジウム系透明導電膜を得ること
は困難であり、スズ系の透明導電膜を得るにもっばら使
用されているだけである。スプレー法はピンホールも多
いが、生産性に著しく劣る。有機金属法は、安価な製造
方法であるが、低抵抗化をはかることは困難であった。
このように従来の透明導電膜製造方法は一長一短があり
、新しい透明導電膜製造方法が待たれるところであった
。
、新しい透明導電膜製造方法が待たれるところであった
。
本発明はかかる背景から生まれたものであり、本発明の
目的は、安価でしかも安定な物性をもち、大型でピンホ
ールレスの透明導電膜を得ることにある。
目的は、安価でしかも安定な物性をもち、大型でピンホ
ールレスの透明導電膜を得ることにある。
本発明に用いられる基板としては、ガラス、セラミック
、単結Ｊｊ’Ｊ ｉ高分子フィルム、シリコンウェハー
等であり、これらの基板はその使用目的により表面処理
が施されていてもかまわない。例えば、液晶パネル用基
板として用いられるソーダ系ガラス裁板にはパシベイシ
ョン処理として３１０２等が５００〜５ｏｏｏＸコート
される。又本発明のように無電解メッキを該基板に施す
場合には、メッキ蕾着性を向上させるうえでアルカリ処
理。
、単結Ｊｊ’Ｊ ｉ高分子フィルム、シリコンウェハー
等であり、これらの基板はその使用目的により表面処理
が施されていてもかまわない。例えば、液晶パネル用基
板として用いられるソーダ系ガラス裁板にはパシベイシ
ョン処理として３１０２等が５００〜５ｏｏｏＸコート
される。又本発明のように無電解メッキを該基板に施す
場合には、メッキ蕾着性を向上させるうえでアルカリ処
理。
フッ化アンモン処理、フフ化水素アンモン処理。
クロム硫酸混酸処理等の化学処理、プラズマエッチ、コ
ロナ処理等が施される場合もある。又メッキに先立って
Ｐａ 、Ａｇ、Ａｕ等の触媒を含んだフリット（列えは
奥野製薬製０ＧＰ１６５０）を基板に焼きつけておいて
も良い。
ロナ処理等が施される場合もある。又メッキに先立って
Ｐａ 、Ａｇ、Ａｕ等の触媒を含んだフリット（列えは
奥野製薬製０ＧＰ１６５０）を基板に焼きつけておいて
も良い。
本発明の透明２８％Ｌ膜になりうる前駆体としての金属
としては酸化することにより透明導電膜になりうる金属
でかつ無電解メッキ析出金属に限られるｏ Ｓ ｎ ＠
Ｓ ｂ １工ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｏｕ、 Ａｕ
、 Ａｇ 、白金族から選ばれた１独以上が用いられる
。又これらの金属と共析しうる金属Ｏｒ、Ｗ、Ｍｏ等も
含まれる。これらの中で透明導電膜としての導電性、光
線透過率からして、Ｓｎ。
としては酸化することにより透明導電膜になりうる金属
でかつ無電解メッキ析出金属に限られるｏ Ｓ ｎ ＠
Ｓ ｂ １工ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｏｕ、 Ａｕ
、 Ａｇ 、白金族から選ばれた１独以上が用いられる
。又これらの金属と共析しうる金属Ｏｒ、Ｗ、Ｍｏ等も
含まれる。これらの中で透明導電膜としての導電性、光
線透過率からして、Ｓｎ。
工ｎ、Ｒｈ、Ｐａ等は特に優れている。
析出膜厚は１０又〜５ｏｏｏＸで特に望ましくは１００
久〜１ｏｏｏＸである。１０久以下だと面抵抗体に成り
得ない。又５ｏｏｏＫ以上だと光線透過率が著しく低下
し問題となる。
久〜１ｏｏｏＸである。１０久以下だと面抵抗体に成り
得ない。又５ｏｏｏＫ以上だと光線透過率が著しく低下
し問題となる。
これらの金属を無電解メッキした後、該析出金属を酸化
処理することにより金属は酸化物となり光線透過率が上
昇し透明導電膜となる。酸化は、化学的（各種酸化剤）
、陽極酸化、熱酸化等考えられるが、熱酸化が最も簡便
で物性も安定して得られるので有利である。熱酸化条件
は、析出させた金属の種類、厚みによって異なるが基板
の耐える温度範囲が用いることができる。ガラス基板の
場合、Ｓｕで１５０℃〜６００℃、望ましくは２５０℃
〜４００℃、Ｉｎで１００℃〜５００℃、望ましくは１
８０℃〜３５０℃、Ｎ１で２００℃〜６００℃、望まし
くは６００℃〜４００℃、Ｒｈで２５０℃〜６００℃、
望ましくは３００℃〜５００℃である。これらの温度以
上では酸化の進行速度が著しく遅く透明導電膜にならな
い。又これらの温度以上では基板の変形、析出金属の基
板との密着性を損ねる。又酸化速度が早すぎて抵抗値を
制御することが困難となる。
処理することにより金属は酸化物となり光線透過率が上
昇し透明導電膜となる。酸化は、化学的（各種酸化剤）
、陽極酸化、熱酸化等考えられるが、熱酸化が最も簡便
で物性も安定して得られるので有利である。熱酸化条件
は、析出させた金属の種類、厚みによって異なるが基板
の耐える温度範囲が用いることができる。ガラス基板の
場合、Ｓｕで１５０℃〜６００℃、望ましくは２５０℃
〜４００℃、Ｉｎで１００℃〜５００℃、望ましくは１
８０℃〜３５０℃、Ｎ１で２００℃〜６００℃、望まし
くは６００℃〜４００℃、Ｒｈで２５０℃〜６００℃、
望ましくは３００℃〜５００℃である。これらの温度以
上では酸化の進行速度が著しく遅く透明導電膜にならな
い。又これらの温度以上では基板の変形、析出金属の基
板との密着性を損ねる。又酸化速度が早すぎて抵抗値を
制御することが困難となる。
これらの金属の無電解メッキ法としては、Ｓｎは雑誌［
金民表「■技術Ｊ Ｖｏｗ ３３ 、 Ｎｏ ８ 、
Ｐ １７〜２１．１９８２ 等の方法により、インジウ
ムニツイては同誌Ｖｏｌ ５５ 、 Ｎｏ ３ 、 Ｐ
２０−２４ 。
金民表「■技術Ｊ Ｖｏｗ ３３ 、 Ｎｏ ８ 、
Ｐ １７〜２１．１９８２ 等の方法により、インジウ
ムニツイては同誌Ｖｏｌ ５５ 、 Ｎｏ ３ 、 Ｐ
２０−２４ 。
１９８２ 等の方法により、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ。
メッキは周知の次亜リン酸又はアミンボラン糸還元剤に
よる方法をこより、Ｒｈは下付けとしてＮ１−ｐ等を行
ないこの析出した８ｌ−−ＰとのＥＬｈ置装１Ｍメッキ
法により、Ｏｕはよく知られたホルマリン還元法により
得られる。大別すると自己析出型メッキ浴か置換型メッ
キ浴を用いると良い。
よる方法をこより、Ｒｈは下付けとしてＮ１−ｐ等を行
ないこの析出した８ｌ−−ＰとのＥＬｈ置装１Ｍメッキ
法により、Ｏｕはよく知られたホルマリン還元法により
得られる。大別すると自己析出型メッキ浴か置換型メッ
キ浴を用いると良い。
以下実施列により本発明を説明する。
実施例１
液晶パネル用基板として調整されたパシベイション膜付
ソーダガラスをＩＯＮ、ＫｏＨ中で６０℃、１０分間処
理し表面の粗化を行なった。次に水洗、中和、水洗後ｏ
、 ｓ ｆ ／ ｔの５ｎＣｔ２を１α７ｔ Ｈａｔを
含む液に５分間浸漬した後水洗した。次にＩ Ｙ ｒ
／ ＬのＰ ｄ Ｏｔ、を含む０．１％Ｈｃｔ水溶液に
５分間浸漬した後水洗した。次に無電解Ｓｎメッキを金
属表面技術Ｖｏｌ ５５ 、 Ｎ。
ソーダガラスをＩＯＮ、ＫｏＨ中で６０℃、１０分間処
理し表面の粗化を行なった。次に水洗、中和、水洗後ｏ
、 ｓ ｆ ／ ｔの５ｎＣｔ２を１α７ｔ Ｈａｔを
含む液に５分間浸漬した後水洗した。次にＩ Ｙ ｒ
／ ＬのＰ ｄ Ｏｔ、を含む０．１％Ｈｃｔ水溶液に
５分間浸漬した後水洗した。次に無電解Ｓｎメッキを金
属表面技術Ｖｏｌ ５５ 、 Ｎ。
８、Ｐ１７〜２１．１９８２ に準する方法で調整した
。Ｓ ｎ ＯＬ ＠ ： ０．１６ ｍＯＺ ／ Ｚ
＊ Ｆｉ Ｄ Ｔ Ａ： （Ｌ １６ ｍｏｔ／ Ｌ
、ニトリロ三酢酸： ０．２５ ｍｏｔ／ Ｚ ＋ Ｔ
ｉ ＯＺ ２ ： ｌ ０５ ｍｏＺ ／ Ｚ ｔク
エン酸０、３４ ｍｏｔ／ Ｌ 、 Ｐ Ｈ＝ ９のメ
ッキ浴を用い、８０℃で３分間メッキを行なった。析出
したＳｎの膜厚は段差測定器で測定したところ４８０Ｘ
であった。次に４５０℃で空気中１５分間熱酸化した。
。Ｓ ｎ ＯＬ ＠ ： ０．１６ ｍＯＺ ／ Ｚ
＊ Ｆｉ Ｄ Ｔ Ａ： （Ｌ １６ ｍｏｔ／ Ｌ
、ニトリロ三酢酸： ０．２５ ｍｏｔ／ Ｚ ＋ Ｔ
ｉ ＯＺ ２ ： ｌ ０５ ｍｏＺ ／ Ｚ ｔク
エン酸０、３４ ｍｏｔ／ Ｌ 、 Ｐ Ｈ＝ ９のメ
ッキ浴を用い、８０℃で３分間メッキを行なった。析出
したＳｎの膜厚は段差測定器で測定したところ４８０Ｘ
であった。次に４５０℃で空気中１５分間熱酸化した。
面抵抗５００Ω／口、光線透過率８５％であった。これ
は液晶パネルとして十分に使用可能であった。従来の真
空法、ＯＶＤ法等で作成した透明導電膜コストの約／２
以下で製造可能であった、液晶パネルではしばしばガラ
ス基板の両面に透明導電膜を作成し多層パネルとする場
合があるが、拳法は両面１贋に透明導電膜が作成できる
のでそのような仕様に対してはより効果のたかいものと
なる。
は液晶パネルとして十分に使用可能であった。従来の真
空法、ＯＶＤ法等で作成した透明導電膜コストの約／２
以下で製造可能であった、液晶パネルではしばしばガラ
ス基板の両面に透明導電膜を作成し多層パネルとする場
合があるが、拳法は両面１贋に透明導電膜が作成できる
のでそのような仕様に対してはより効果のたかいものと
なる。
実ｊｊ１例２
実施クリ１においてガラス基板上に同様の方法を用い前
処理し、無電解Ｏｕメッキ（室町化学製ＭＫ−４３０）
を約５００Ｘ施した。次に置換型Ｓ１メツキである室町
化学製ＭＫ−５０１を用いてＣｕメッキをＳｌで直換し
た。次に４００℃で１時間空気酸化した。面抵抗７００
Ω／口、透過率８２％であった。液晶パネルとして十分
使用可能であった。製造コストは従来法の約１７２であ
った。
処理し、無電解Ｏｕメッキ（室町化学製ＭＫ−４３０）
を約５００Ｘ施した。次に置換型Ｓ１メツキである室町
化学製ＭＫ−５０１を用いてＣｕメッキをＳｌで直換し
た。次に４００℃で１時間空気酸化した。面抵抗７００
Ω／口、透過率８２％であった。液晶パネルとして十分
使用可能であった。製造コストは従来法の約１７２であ
った。
以上実施例により本発明を説明したが、従来と全く異な
った透明導電膜の製造方法により透明導電膜製造コスト
の大巾コストダウンが可能となった。
った透明導電膜の製造方法により透明導電膜製造コスト
の大巾コストダウンが可能となった。
本発明により得られた透明導電膜は、液晶パネル、ＫＬ
、ＥＣ等のディスプレイとして、又太陽電池、ＣＯＤ
等の％極として時計、電卓等に用いられる。
、ＥＣ等のディスプレイとして、又太陽電池、ＣＯＤ
等の％極として時計、電卓等に用いられる。
以 上
出願人 株式会社諏訪精工舎
代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 基板上に無電解メッキ法により透明導電膜になりうる前
駆体としての金属を析出させ、該析出金属を酸化処理し
透明導電膜を形成することを特徴とする透明導電膜の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23007383A JPS60121616A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 透明導電膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23007383A JPS60121616A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 透明導電膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60121616A true JPS60121616A (ja) | 1985-06-29 |
Family
ID=16902116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23007383A Pending JPS60121616A (ja) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | 透明導電膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60121616A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7258768B2 (en) | 1999-07-23 | 2007-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film |
| US7462372B2 (en) | 2000-09-08 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus |
| US8119189B2 (en) | 1999-12-27 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device |
-
1983
- 1983-12-06 JP JP23007383A patent/JPS60121616A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7258768B2 (en) | 1999-07-23 | 2007-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film |
| US8119189B2 (en) | 1999-12-27 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device |
| US9559302B2 (en) | 1999-12-27 | 2017-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device |
| US7462372B2 (en) | 2000-09-08 | 2008-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus |
| US7744949B2 (en) | 2000-09-08 | 2010-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing method thereof and thin film forming apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002348680A (ja) | 金属膜パターンおよびその製造方法 | |
| EP0884934A2 (en) | Substrate and method for producing it | |
| CN1910041B (zh) | 聚酰亚胺-金属层压体和聚酰亚胺电路板 | |
| JPWO2007072950A1 (ja) | 酸化亜鉛系透明導電膜のパターニング方法 | |
| JPS585984B2 (ja) | 無電気めっきの前処理方法 | |
| JP5717289B2 (ja) | 回路用導電フィルム | |
| JPS60121616A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPH05271986A (ja) | アルミニウム・有機高分子積層体 | |
| CN113421697A (zh) | 一种柔性覆铜膜及其制造方法 | |
| JPH022948B2 (ja) | ||
| KR100798870B1 (ko) | 커플링 에이전트를 포함하는 전도성 금속 도금 폴리이미드기판 및 그 제조 방법 | |
| JP2003082469A (ja) | 金属膜パターンの形成方法 | |
| JPS59149326A (ja) | 液晶パネルの製造方法 | |
| JP2003253454A (ja) | 電子部品のめっき方法、及び電子部品 | |
| JP2000008180A (ja) | 透明酸化亜鉛皮膜及びその作製方法 | |
| JPS5811772A (ja) | 無電界メツキ体 | |
| KR102097539B1 (ko) | 메탈 메쉬가 형성된 디스플레이 소자 및 그 제조방법 | |
| JPH0585637B2 (ja) | ||
| JPH0661619A (ja) | 回路基板の製造方法 | |
| JPS5879842A (ja) | ガラスおよびセラミツクの無電解めつき方法 | |
| JPH01169811A (ja) | 電極構造 | |
| JPH0878801A (ja) | 回路基板およびその製造方法 | |
| JPS63891B2 (ja) | ||
| JPS60121615A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
| JPS5974270A (ja) | 無電解メツキ法 |