JPS5811772A - 無電界メツキ体 - Google Patents
無電界メツキ体Info
- Publication number
- JPS5811772A JPS5811772A JP9191081A JP9191081A JPS5811772A JP S5811772 A JPS5811772 A JP S5811772A JP 9191081 A JP9191081 A JP 9191081A JP 9191081 A JP9191081 A JP 9191081A JP S5811772 A JPS5811772 A JP S5811772A
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- JP
- Japan
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- film
- plating
- substrate
- metallic
- thin film
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- Pending
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス、プラスチック、セラミック。
結晶体等の絶縁体上にＳｂ、０． 、Ｔａ、Ｏ，。
Ｍ ｂ、ｏ、 、 ８１０． 、 Ｇ ｅ Ｏ，、、Ｚ
ｒ Ｏ，、Ｏｒ、Ｏ。
ｒ Ｏ，、Ｏｒ、Ｏ。
から選ばれた一種以上の金属酸化物被膜を形成しその上
に目的とする金属をメッキした無電解メッキ体に関する
。
に目的とする金属をメッキした無電解メッキ体に関する
。
従来、絶縁体上に無電解メッキを行う場合、目的とする
金属メッキの密着性の向上、及び均一なメッキ膜を得る
ために、絶縁体基板面を機械的研摩、化学的研摩、及び
その両方を用いて表面を粗らしていた。しかし、それに
もかかわらず均一で密着性の良いメッキ膜を得ることが
困難であった。
金属メッキの密着性の向上、及び均一なメッキ膜を得る
ために、絶縁体基板面を機械的研摩、化学的研摩、及び
その両方を用いて表面を粗らしていた。しかし、それに
もかかわらず均一で密着性の良いメッキ膜を得ることが
困難であった。
本発明は従来の前工程を省き、絶縁体基板上にＳ ｂ、
０１１ 、 Ｔ ａ、ＯＩＩ、 Ｎ ｂ、Ｏ＠ 、 Ｓ
１０２ 、 Ｇ ＠Ｏ！、Ｚｒ０１ 、Ｏｒ、Ｏ，か
ら選ばれた１種以上の金属酸化物薄膜を形成することに
よって密着性の良い、均一なメッキ膜を得る方法を示す
ものである。
０１１ 、 Ｔ ａ、ＯＩＩ、 Ｎ ｂ、Ｏ＠ 、 Ｓ
１０２ 、 Ｇ ＠Ｏ！、Ｚｒ０１ 、Ｏｒ、Ｏ，か
ら選ばれた１種以上の金属酸化物薄膜を形成することに
よって密着性の良い、均一なメッキ膜を得る方法を示す
ものである。
本発明の無電解メッキの概要は以下の通りである。ガラ
ス、プラスチック、セラミック、結晶体等の絶縁体基板
上にｏｗＤ（化学気相蒸着）、スパッタ、蒸着、加水分
解法等によりｓｂ；ｏ、 。
ス、プラスチック、セラミック、結晶体等の絶縁体基板
上にｏｗＤ（化学気相蒸着）、スパッタ、蒸着、加水分
解法等によりｓｂ；ｏ、 。
Ｔ ａ、Ｏ，、Ｎ ｂ、Ｏ，、Ｓ ｉ Ｏ，、Ｇ ｅ
Ｏ，、Ｚ ｒ Ｏ。
Ｏ，、Ｚ ｒ Ｏ。
、Ｏｒ、０１が選ばれた１種以上の金属酸化物薄膜を形
成する。
成する。
この金属酸化物薄膜は２０Ｘ〜５０００Ａが適当であり
、望ましくは１００Ｘ〜２０００Ｘの範囲にある。薄膜
厚が２０ス以下であると均一な密着性の良いメッキ被膜
を得ることができない。また５ｏｏｏＸ以上であると、
酸化物薄膜の形成に時間がかかり実際的ではない。また
、加水分解による被膜形成の場合、５ｏｏｏＸ以上の被
膜にはワラツクが入りやすく、密着性が問題となる。
、望ましくは１００Ｘ〜２０００Ｘの範囲にある。薄膜
厚が２０ス以下であると均一な密着性の良いメッキ被膜
を得ることができない。また５ｏｏｏＸ以上であると、
酸化物薄膜の形成に時間がかかり実際的ではない。また
、加水分解による被膜形成の場合、５ｏｏｏＸ以上の被
膜にはワラツクが入りやすく、密着性が問題となる。
ここで、これらの被膜形成技術のうち量産性を考えると
、金属アルコキサイドの加水分解により金属酸化物薄膜
を得る方法が優れている。これらの金属アルコキサイド
は、一般式Ｍ（ＯＲ）ｎで表わされ、輩はこれらの金属
、Ｒはアルキル基、ｎは輩の原子価を衰わしている。前
記混合酸化被膜はこれらのアルコキサイドを適当に混合
することにより得られる。これらのアルコキサイドをα
０１％〜１０％に適当な有機溶媒（アルコール類、ハロ
ゲン化炭素類、エステル類、ケトン類、芳香族等に溶解
し、絶縁体基板にコーティングするのだが、それにはス
プレー法、ロールコータ−法、エアロゾル法、浸漬等速
引き上げ法がある。
、金属アルコキサイドの加水分解により金属酸化物薄膜
を得る方法が優れている。これらの金属アルコキサイド
は、一般式Ｍ（ＯＲ）ｎで表わされ、輩はこれらの金属
、Ｒはアルキル基、ｎは輩の原子価を衰わしている。前
記混合酸化被膜はこれらのアルコキサイドを適当に混合
することにより得られる。これらのアルコキサイドをα
０１％〜１０％に適当な有機溶媒（アルコール類、ハロ
ゲン化炭素類、エステル類、ケトン類、芳香族等に溶解
し、絶縁体基板にコーティングするのだが、それにはス
プレー法、ロールコータ−法、エアロゾル法、浸漬等速
引き上げ法がある。
コーテイング後、常温〜５００℃の温廖範囲で加水分解
を行う。基板がプラスチックの場合は、その耐熱限界内
で加熱するのはいうまでもない。
を行う。基板がプラスチックの場合は、その耐熱限界内
で加熱するのはいうまでもない。
Ｍ（ＯＲ）ｎ＋Ｈ，０−ＭＯｒｙ２−１−ＲＯＨ↑の反
応で酸化物被膜が形成される。こうして得られた基板に
無電解メッキの通常の前処理工程を行う。即ち、脱脂と
してアルカリ性液中での超音波洗浄、酸中和、水洗を行
う。次に塩化第一スズ（Ｓｎ０４）溶液に基板を浸漬す
る。これは、メッキすべき金属の析出核となる触媒性金
属の微粒子を表面各部に一様に還元分布させるために使
用される還元溶液であり、この溶液に浸漬処理を行うこ
とをセンシタイジングという。次に、表面の活性化を行
う、これはメッキ金属の生長核となりメッキ反応の触媒
として働く微粒子を被メツキ体表面に付着させることに
よって自動的に反応を始動させ、メッキ膜の密着性を向
上させるために行う操作でアクティベーティングという
、前述のセンシタイジングによって基板表面上に付着し
ているＳ ｎ ＯｔＨの８ｎと活性触媒である金属とガ
イオン化傾向の相違により置換されるといわれている。
応で酸化物被膜が形成される。こうして得られた基板に
無電解メッキの通常の前処理工程を行う。即ち、脱脂と
してアルカリ性液中での超音波洗浄、酸中和、水洗を行
う。次に塩化第一スズ（Ｓｎ０４）溶液に基板を浸漬す
る。これは、メッキすべき金属の析出核となる触媒性金
属の微粒子を表面各部に一様に還元分布させるために使
用される還元溶液であり、この溶液に浸漬処理を行うこ
とをセンシタイジングという。次に、表面の活性化を行
う、これはメッキ金属の生長核となりメッキ反応の触媒
として働く微粒子を被メツキ体表面に付着させることに
よって自動的に反応を始動させ、メッキ膜の密着性を向
上させるために行う操作でアクティベーティングという
、前述のセンシタイジングによって基板表面上に付着し
ているＳ ｎ ＯｔＨの８ｎと活性触媒である金属とガ
イオン化傾向の相違により置換されるといわれている。
活性化液としては、塩化パラジウム溶液（ｐａｏｚ ）
、Ｗｓ酸銀溶液（ＡｇＮＯ，）＋全溶液（ａ＊ｕｏｔ、
）郷が使用されている。
、Ｗｓ酸銀溶液（ＡｇＮＯ，）＋全溶液（ａ＊ｕｏｔ、
）郷が使用されている。
本発明による基板上に形成された半導体層により、触媒
金属の密着性の向上及びメッキ被膜の密着性の向上がな
されている。（但し、メッキ厚が２０声領以上になると
密着性が極めて悪くなる。）ここで、塩化第一スズと塩
化パラジウムの両塩を含んだ溶液によって、センシタイ
ジングとアクティペイティングを同時に行ってもよい。
金属の密着性の向上及びメッキ被膜の密着性の向上がな
されている。（但し、メッキ厚が２０声領以上になると
密着性が極めて悪くなる。）ここで、塩化第一スズと塩
化パラジウムの両塩を含んだ溶液によって、センシタイ
ジングとアクティペイティングを同時に行ってもよい。
以上のようにして得られた活性化された基板を、公知の
無電解二り＋ル浴、無電解鋼浴、無電解コバルト浴、無
電解金浴（置換型メッキ浴でなく、自己触媒型メッキ浴
）等に、それぞれに適当な濃度、Ｉ１度条件により浸漬
する。このようにして得られたメッキ被膜は、酸化物層
の付いていない部分へのメッキ被膜に比較して、均一で
あり密着性も向上した。
無電解二り＋ル浴、無電解鋼浴、無電解コバルト浴、無
電解金浴（置換型メッキ浴でなく、自己触媒型メッキ浴
）等に、それぞれに適当な濃度、Ｉ１度条件により浸漬
する。このようにして得られたメッキ被膜は、酸化物層
の付いていない部分へのメッキ被膜に比較して、均一で
あり密着性も向上した。
以下実施例を用いて詳細に説明する。
実施例ｔ
ダイア０ン９５ ｖｏ１％、エタノール７ｖ０１％の割
合から成る１００部の溶媒に、ペンタエトキシタンタル
＋ Ｔａ（００，Ｈ６）ｇを０．５ ｗｔ％溶解した溶
液に浸漬し、２００１１／ｉの等速力き上げ法によって
ソーダガラスにコーティングを行い、５００℃で１時間
恒温槽中で加水分解させ、Ｔａ、ＯＢ被被膜形成した。
合から成る１００部の溶媒に、ペンタエトキシタンタル
＋ Ｔａ（００，Ｈ６）ｇを０．５ ｗｔ％溶解した溶
液に浸漬し、２００１１／ｉの等速力き上げ法によって
ソーダガラスにコーティングを行い、５００℃で１時間
恒温槽中で加水分解させ、Ｔａ、ＯＢ被被膜形成した。
これを３％ＫＯＨ溶液で脱脂、水洗後、塩化第一スズ溶
液（Ｅｌ ｎ ＯＡｔ １ ｇ ／ ’、ＨＯ１１ａ
ａ／ｌ）に５分間浸漬する。後、充分水洗し、塩化パラ
ジウム溶液（Ｐ６０Ｌ、 ２ｇ／ｌ、ＨＯｔ ２０ｏ
ｏ／ｌ）に５分間浸漬する。後、充分水洗し、日本カニ
ゼン（株）製のシー−マー５６８０を純水にて８倍希釈
した無電解ニッケル浴（５０℃）にガラス基板を５分間
浸漬し、水洗、湯洗後乾燥した。密着性試験のため得ら
れたメッキ面（メッキ厚５ｓｏｏＸ）で２０〜の正方を
かけて６回こすったところ、Ｔ ａ、Ｏ，層についたニ
ッケル面には何の変化も見られなかったが、ガラス面に
直接ついたニッケル面にはニッケルが剥離した跡が見ら
れた。メッキ被膜は均一で光沢があった。
液（Ｅｌ ｎ ＯＡｔ １ ｇ ／ ’、ＨＯ１１ａ
ａ／ｌ）に５分間浸漬する。後、充分水洗し、塩化パラ
ジウム溶液（Ｐ６０Ｌ、 ２ｇ／ｌ、ＨＯｔ ２０ｏ
ｏ／ｌ）に５分間浸漬する。後、充分水洗し、日本カニ
ゼン（株）製のシー−マー５６８０を純水にて８倍希釈
した無電解ニッケル浴（５０℃）にガラス基板を５分間
浸漬し、水洗、湯洗後乾燥した。密着性試験のため得ら
れたメッキ面（メッキ厚５ｓｏｏＸ）で２０〜の正方を
かけて６回こすったところ、Ｔ ａ、Ｏ，層についたニ
ッケル面には何の変化も見られなかったが、ガラス面に
直接ついたニッケル面にはニッケルが剥離した跡が見ら
れた。メッキ被膜は均一で光沢があった。
実施例２
実施例１でペンタエトキシタンタルの代わりに、テトラ
エトキシジルコンを用いた。メッキ被膜の密着性試験の
結果は実施例１と同様であり、メッキ被膜は均一で光沢
があった。
エトキシジルコンを用いた。メッキ被膜の密着性試験の
結果は実施例１と同様であり、メッキ被膜は均一で光沢
があった。
実施何重
グイフロン９３マ０１％、エタノール７マ０１弧の割合
から成る１００部の溶媒にペンタエトキシアンチモンを
α５ ｗｔ−溶解した溶液にＰＩＴ （ポリエチレンテ
レフタレート）フィルムラ浸漬シ、３０ ｃｍ ／簡の
等速力き上げ法によってコーティングを行い、８０℃で
４時間恒温槽中で加水分解させ、ｓ ｂ、ｏ、被膜を形
成した。これを日立化成製増感剤Ｈ８−１０１Ｂを所定
の手段にて希釈した溶液に３分間浸漬し、水洗後、日立
化成製密着促進剤ムＤＢ−２０１を所定の手段にて希釈
した溶液に５分間浸漬し、水洗後日本カニゼン（株）製
のシューマー８６８０を８倍希釈した無電解ニッケル浴
（４５℃）に３０分間（メッキ厚１μ）浸漬した。両面
にニッケルが析出したが、 ｓｂ、ｏ、の酸化物被膜の
付いていない面は不均一なメッキ面となった。メッキの
密着性を調べる目的で、粘着テープを貼りはがしたとこ
ろ、ｓ ｂ、ｏ、の付いている面はニッケルが剥離しな
かったが、付いていない面はニッケル被膜の剥離がみら
れた。
から成る１００部の溶媒にペンタエトキシアンチモンを
α５ ｗｔ−溶解した溶液にＰＩＴ （ポリエチレンテ
レフタレート）フィルムラ浸漬シ、３０ ｃｍ ／簡の
等速力き上げ法によってコーティングを行い、８０℃で
４時間恒温槽中で加水分解させ、ｓ ｂ、ｏ、被膜を形
成した。これを日立化成製増感剤Ｈ８−１０１Ｂを所定
の手段にて希釈した溶液に３分間浸漬し、水洗後、日立
化成製密着促進剤ムＤＢ−２０１を所定の手段にて希釈
した溶液に５分間浸漬し、水洗後日本カニゼン（株）製
のシューマー８６８０を８倍希釈した無電解ニッケル浴
（４５℃）に３０分間（メッキ厚１μ）浸漬した。両面
にニッケルが析出したが、 ｓｂ、ｏ、の酸化物被膜の
付いていない面は不均一なメッキ面となった。メッキの
密着性を調べる目的で、粘着テープを貼りはがしたとこ
ろ、ｓ ｂ、ｏ、の付いている面はニッケルが剥離しな
かったが、付いていない面はニッケル被膜の剥離がみら
れた。
実施例４
実施例３のペンタエトキシアンチモンの代わりにペンタ
エトキシニオブを用いた。ニッケルメッキ被膜の均一性
、密着性は実施例３と同様であつ ゛た。
エトキシニオブを用いた。ニッケルメッキ被膜の均一性
、密着性は実施例３と同様であつ ゛た。
実施例５
実施例３のペンタエトキシアンチモンの代わりにトリエ
トキシクロムを用いた。ニッケルメッキ被膜の均一性、
密着性は実施例３と同様であった。
トキシクロムを用いた。ニッケルメッキ被膜の均一性、
密着性は実施例３と同様であった。
実施例＆
実施例１のペンタエトキシタンタルＱ、 ５ ｗｔ％に
テトラメトキシシラン０．１ ｗｔ％を加えて酸化物被
膜の形成後、同様のメッキ工程でニッケルメッキを行っ
た。メッキ被膜の均一性、密着性は実施例１と同様の結
果であった。
テトラメトキシシラン０．１ ｗｔ％を加えて酸化物被
膜の形成後、同様のメッキ工程でニッケルメッキを行っ
た。メッキ被膜の均一性、密着性は実施例１と同様の結
果であった。
以上のように、絶縁体の基板上にｓｂ、ｏ、 。
Ｔ ＆、Ｏ，、Ｎ ｂ、Ｏ，、８１０，、Ｇ ｅ Ｏ，
、Ｚ ｒ Ｏ！、Ｏｒｂ＠から選ばれた一種以上の金属
酸化物被膜を媒介として、その上に無電解メッキを行う
と、均一かつ密着性のよいメッキ面が得られた。
、Ｚ ｒ Ｏ！、Ｏｒｂ＠から選ばれた一種以上の金属
酸化物被膜を媒介として、その上に無電解メッキを行う
と、均一かつ密着性のよいメッキ面が得られた。
応用例を図な用いて説明する。
第１図はカメラの日付は写し込み用の液晶パネルである
。１．２はパネルの前面及び背面基板でありα４ｍの厚
さのガラスからなる。３，４はＯＶＤによって形成され
たＳｎＯ２の透明電極である。５は本発明の手段によっ
て付けられた１２００芙厚のニッケルメッキである。６
は１０μのギャップ剤を含んだエポキシ樹脂のシール剤
である。
。１．２はパネルの前面及び背面基板でありα４ｍの厚
さのガラスからなる。３，４はＯＶＤによって形成され
たＳｎＯ２の透明電極である。５は本発明の手段によっ
て付けられた１２００芙厚のニッケルメッキである。６
は１０μのギャップ剤を含んだエポキシ樹脂のシール剤
である。
このようにして成るパネルに所定の成分を持つ正の液晶
組成物を７を注入する。８は偏光板である。
組成物を７を注入する。８は偏光板である。
第２図はカメラの日付は写し込み機構の模式図である。
９は光源、１０は第１図に示したパネル及びその支持体
、１１はフィルムである。パネルが日付けを表示し、１
１のフィルムに写し込むのであるが、第１図の５のニッ
ケルメッキがなされていないと、光がいく分か偏光板か
らもれ、写真にパネルの全体の輪郭が写ることになり都
合が悪い。ニッケルメッキを行ったことによりその光の
もれを防ぐことが出来、写真には日付けの数字だけが鮮
明に写るようになった。第１図の５の部分は、蒸着、ス
パッタ等の手段でも他の金属を付けることはできるが、
コストの面から考えると本発明による無電解メッキが最
も良いことは明らかである。
、１１はフィルムである。パネルが日付けを表示し、１
１のフィルムに写し込むのであるが、第１図の５のニッ
ケルメッキがなされていないと、光がいく分か偏光板か
らもれ、写真にパネルの全体の輪郭が写ることになり都
合が悪い。ニッケルメッキを行ったことによりその光の
もれを防ぐことが出来、写真には日付けの数字だけが鮮
明に写るようになった。第１図の５の部分は、蒸着、ス
パッタ等の手段でも他の金属を付けることはできるが、
コストの面から考えると本発明による無電解メッキが最
も良いことは明らかである。
またこの無電解メッキ体の応用として、プラスチックフ
ィルムを硝醗インジウム液に浸漬し、２００℃にて焼成
する。これを実施例２．と同様の方法によりニッケルメ
ッキを行い、所定のパターンにエツチングすれば回路基
板が出来る。
ィルムを硝醗インジウム液に浸漬し、２００℃にて焼成
する。これを実施例２．と同様の方法によりニッケルメ
ッキを行い、所定のパターンにエツチングすれば回路基
板が出来る。
このように本発明は様々な応用範囲が考えられる。
第１図は液晶パネルの主要断面図である。
１．２・・・前面及び背面基板
３．４・・・透明電極
５・・・ニッケルメッキ層
６・・・シール剤 ７・・・液晶
８・・・偏光板
第２図はカメラの日付は写し込み機構の模式図である。
９・・・光源としてのランプ
１０・・・液晶パネル及びその支持体
１１・・・フィルム
以 上
出願人 株式会社諏訪精工舎
代理人 弁理士 最上 務
第１図
手続補正書（１尭）
ｌ、事件の表示
昭和５４年 特許願第 ９１９１０号２、発明の名称
無電解メツ中休
３ 補正をする者
事件トノ関係累京都中央区銀座４丁目δ番４号ＩＪ４ｍ
”（２！り体弐会社 諏訪精工食代Ｊ！ｌｌｌ１＃ｉｔ
役中村恒也 ４代理人 手続補正沓 １、 特許願書中の発明の名称 「無電界メッキ体」とめるを 「無電解メッキ俸」に補正する。 ２．３頁７行から８行 「ワラツク」とめるを 「クラック」に補正する。 五 ５頁６行 「全域イオン」とあるを 「全綱とが、イオン」に補正する。 ４．５頁６行 「半導体層に」とろろを 「酸化物被膜に」に補正する。 以上 代理人 最 上 務
”（２！り体弐会社 諏訪精工食代Ｊ！ｌｌｌ１＃ｉｔ
役中村恒也 ４代理人 手続補正沓 １、 特許願書中の発明の名称 「無電界メッキ体」とめるを 「無電解メッキ俸」に補正する。 ２．３頁７行から８行 「ワラツク」とめるを 「クラック」に補正する。 五 ５頁６行 「全域イオン」とあるを 「全綱とが、イオン」に補正する。 ４．５頁６行 「半導体層に」とろろを 「酸化物被膜に」に補正する。 以上 代理人 最 上 務
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 絶縁体基板上にＳ ｂｏｏ、 、Ｔａ、Ｏ，、Ｎ
ｂ、Ｏｌｌ。 Ｓ ｉ Ｏ＠ 、 Ｇ ｅ ０１ 、 Ｚ ｒ ０
１ 、 Ｏｒ、Ｏ，から選ばれた一種以上の金属酸化
物被膜層を有し、更にその落涙上に無電解メッキによっ
て金属薄膜を形成したことを特徴とする無電解メッキ体
。 ２、特許請求の範囲第一項に記載の酸化物被膜が金属ア
ルコキサイドの加水分解被膜であることを特徴とする無
電解メッキ体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9191081A JPS5811772A (ja) | 1981-06-15 | 1981-06-15 | 無電界メツキ体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9191081A JPS5811772A (ja) | 1981-06-15 | 1981-06-15 | 無電界メツキ体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5811772A true JPS5811772A (ja) | 1983-01-22 |
Family
ID=14039730
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9191081A Pending JPS5811772A (ja) | 1981-06-15 | 1981-06-15 | 無電界メツキ体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5811772A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179873A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-08-12 | リ−ジエンツ オブ ザ ユニバ−シテイ オブ ミネソタ | 五酸化タンタルによる耐食被覆方法 |
| JPS63199874A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-18 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 導電性充填材 |
| EP1099962A1 (en) * | 1999-11-10 | 2001-05-16 | Denglas Technologies, LLC | Niobium oxide-based layers for thin film optical coatings and processes for producing the same |
| US6410173B1 (en) | 1998-11-30 | 2002-06-25 | Denglas Technologies, Llc | Antireflection coatings and other multilayer optical coatings for heat-treatable inorganic substrates and methods for making same |
| KR100533623B1 (ko) * | 1998-07-31 | 2006-01-27 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 후막의 제조방법 |
| JP2010168612A (ja) * | 2009-01-21 | 2010-08-05 | Fujitsu Ltd | 無電解めっき物の製造方法 |
| JP2014501338A (ja) * | 2010-12-28 | 2014-01-20 | ポスコ | 表面組織が緻密なマグネシウム合金およびその表面処理方法 |
-
1981
- 1981-06-15 JP JP9191081A patent/JPS5811772A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179873A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-08-12 | リ−ジエンツ オブ ザ ユニバ−シテイ オブ ミネソタ | 五酸化タンタルによる耐食被覆方法 |
| JPS63199874A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-18 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 導電性充填材 |
| KR100533623B1 (ko) * | 1998-07-31 | 2006-01-27 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 후막의 제조방법 |
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