JPS643256B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS643256B2 JPS643256B2 JP9190981A JP9190981A JPS643256B2 JP S643256 B2 JPS643256 B2 JP S643256B2 JP 9190981 A JP9190981 A JP 9190981A JP 9190981 A JP9190981 A JP 9190981A JP S643256 B2 JPS643256 B2 JP S643256B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pinholes
- glass
- adhesion
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 13
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- -1 alkoxide compound Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 15
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 6
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 2
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N chlorotrifluoroethylene Chemical compound FC(F)=C(F)Cl UUAGAQFQZIEFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 description 2
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 description 1
- 235000008733 Citrus aurantifolia Nutrition 0.000 description 1
- 235000011941 Tilia x europaea Nutrition 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 1
- 239000004571 lime Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N tantalum(v) ethoxide Chemical compound [Ta+5].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
- C03C17/3602—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer
- C03C17/3657—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having optical properties
- C03C17/3665—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal the metal being present as a layer the multilayer coating having optical properties specially adapted for use as photomask
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/36—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating being a metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Description
本発明は、ガラス基板上に金属アルコキサイド
化合物を含む溶液より固化されたSiO2、Ta2O5の
どちらかあるいは、混合被膜をあらかじめ形成し
ておき、その上にSnO2、In2O3、Sb3O5、TiO2、
Ta2O5、Nb2O5、SiO2、GeO2、ZrOから選ばれ
た酸化物被膜のうち少なくとも１種を含む被膜を
CVD、蒸着スパツタ、金属アルコキサイドの加
水分解等の手段により形成し、その上に無電解メ
ツキをすることによりピンホールの少いメツキ被
膜を形成し、所定の形状にパターニングを行うガ
ラスフオトマスクの製造方法に関している。 従来ガラスフオトマスクは、ガラス、石英ガラ
ス上にクロム被膜を蒸着により形成し、目的とす
る形状にパターニングすることによつて作られて
いた。ところが蒸着によつて被膜形成されるた
め、一度に大量のフオトマスクを作ることができ
ず、コストダウンが困難であつた。また、大型の
フオトマスクも、蒸着という工程のため大きさに
限度があつた。 以上の欠点の改良のため無電解メツキによる金
属被膜の形成が考えられた。通常絶縁体上への無
電解メツキは密着性に難点があり、表面の機械的
ないし、化学的エツチングの投錨効果により密着
性の向上を図つていた。しかし、機械的エツチン
グは化学的エツチングの投錨効果より力が弱く実
用的な密着性は得難い。また、化学的エツチング
に通常使用されるクロム混酸は公害対策の面から
使用が嫌われている。このため絶縁体基板上に
SnO2、In2O3、Sb3O5、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、
SiO2、GeO2、ZrO2から選ばれた酸化物被膜、あ
るいはこれらの２種以上の混合被膜を形成するこ
とによつてメツキ被膜の密着性の向上が図られ、
成功を修めている。 ところが、ガラスフオトマスクの性質上、メツ
キ被膜にピンホールがあることは好ましくない。
一般的に、無電解メツキ被膜は電解メツキ被膜と
比較してピンホールが少いといわれているが、こ
の場合も、メツキ被膜厚が数μｍ以上についてい
えることである。ガラスフオトマスクは、得られ
た金属被膜をエツチングすることによつて、目的
とする図柄や文字、数字をパターングするため、
金属被膜厚が大きいとサイドエツチングが問題と
なり、パターン精度が得られず実用的なフオトマ
スクが得られない。このため、IC等の精密パタ
ーンを得るための金属被膜厚は500Å以下となつ
ている。IC用以外の目的のフオトマスクにして
もパターン精度の観点から、金属被膜厚は数千Å
以下が望ましいが、通常の無電解メツキではピン
ホールがあるのは当然の膜厚である。 また更に、透明な基板の組成及びその作り方に
よつても、その上に形成した無電解メツキ被膜の
ピンホールの数と大きさに差異があつた。 例えば、ホウケイ酸系ガラス上の無電解メツキ
被膜と、ソーダ・ライムガラス上、及びソーダ・
ライムフロートガラス上の無電解メツキ被膜で
は、そのピンホールの数、及び大きさに次表のよ
うな差異があつた。
化合物を含む溶液より固化されたSiO2、Ta2O5の
どちらかあるいは、混合被膜をあらかじめ形成し
ておき、その上にSnO2、In2O3、Sb3O5、TiO2、
Ta2O5、Nb2O5、SiO2、GeO2、ZrOから選ばれ
た酸化物被膜のうち少なくとも１種を含む被膜を
CVD、蒸着スパツタ、金属アルコキサイドの加
水分解等の手段により形成し、その上に無電解メ
ツキをすることによりピンホールの少いメツキ被
膜を形成し、所定の形状にパターニングを行うガ
ラスフオトマスクの製造方法に関している。 従来ガラスフオトマスクは、ガラス、石英ガラ
ス上にクロム被膜を蒸着により形成し、目的とす
る形状にパターニングすることによつて作られて
いた。ところが蒸着によつて被膜形成されるた
め、一度に大量のフオトマスクを作ることができ
ず、コストダウンが困難であつた。また、大型の
フオトマスクも、蒸着という工程のため大きさに
限度があつた。 以上の欠点の改良のため無電解メツキによる金
属被膜の形成が考えられた。通常絶縁体上への無
電解メツキは密着性に難点があり、表面の機械的
ないし、化学的エツチングの投錨効果により密着
性の向上を図つていた。しかし、機械的エツチン
グは化学的エツチングの投錨効果より力が弱く実
用的な密着性は得難い。また、化学的エツチング
に通常使用されるクロム混酸は公害対策の面から
使用が嫌われている。このため絶縁体基板上に
SnO2、In2O3、Sb3O5、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、
SiO2、GeO2、ZrO2から選ばれた酸化物被膜、あ
るいはこれらの２種以上の混合被膜を形成するこ
とによつてメツキ被膜の密着性の向上が図られ、
成功を修めている。 ところが、ガラスフオトマスクの性質上、メツ
キ被膜にピンホールがあることは好ましくない。
一般的に、無電解メツキ被膜は電解メツキ被膜と
比較してピンホールが少いといわれているが、こ
の場合も、メツキ被膜厚が数μｍ以上についてい
えることである。ガラスフオトマスクは、得られ
た金属被膜をエツチングすることによつて、目的
とする図柄や文字、数字をパターングするため、
金属被膜厚が大きいとサイドエツチングが問題と
なり、パターン精度が得られず実用的なフオトマ
スクが得られない。このため、IC等の精密パタ
ーンを得るための金属被膜厚は500Å以下となつ
ている。IC用以外の目的のフオトマスクにして
もパターン精度の観点から、金属被膜厚は数千Å
以下が望ましいが、通常の無電解メツキではピン
ホールがあるのは当然の膜厚である。 また更に、透明な基板の組成及びその作り方に
よつても、その上に形成した無電解メツキ被膜の
ピンホールの数と大きさに差異があつた。 例えば、ホウケイ酸系ガラス上の無電解メツキ
被膜と、ソーダ・ライムガラス上、及びソーダ・
ライムフロートガラス上の無電解メツキ被膜で
は、そのピンホールの数、及び大きさに次表のよ
うな差異があつた。
【表】
本発明は透明基板の組成やその製法によるピン
ホール数の差異をなくし、かつ、数千Å以下の無
電解メツキ被膜においても、ピンホールの少な
く、その径が小さいメツキ被膜を得るために、
SnO2、In2O3、Sb3O5、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、
SiO2、GeO2、ZrO2から選ばれた酸化物被膜、あ
るいはこれらの２種以上の混合被膜形成の前に
SiO2、Ta2O5のどちらか、あるいは混合被膜を形
成したことを特徴としている。ここで、SiO2、
Ta2O5、及びメツキ被膜の密着性を向上させるた
めの酸化物被膜の形成には、量産性からして金属
アルキコサイドの加水分解による被膜形成法が優
れている。 次にそのガラスフオトマスクの作製方法につい
て述べる。 ガラス等の透明な基板を脱脂、洗浄を行い乾燥
する。 その後、基板表面にSiO2、Ta2O5のどちらか一
方あるいはその混合被膜の形成をするのだが、そ
の厚さは20Å以上、5000Å以下の範囲であり、望
ましくは100Å〜1000Åの膜厚である。これは、
20Å以下ではピンホール減少の効果はなく、5000
Å以上では被膜形成に時間がかかり実際的でな
く、加水分解法ではこの被膜にクラツクが入り密
着性が悪くなるからである。 次に、この上にCVD、スパツタ、蒸着、金属
アルコキサイドの加水分解法等の手段により
SnO2、In2O3、Sb3O5、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、
SiO2、GeO2、ZrO2から選ばれた酸化物被膜、あ
るいはこれらの２種以上の混合被膜を形成するの
だが、その被膜厚は20Å以上5000Å以下が望まし
い。20Å以下であるとメツキ被膜の密着性の向上
という効果が薄くなり、5000Å以上であると酸化
物層の形成に時間がかかり実際的ではなく、ま
た、加水分解法により被膜形成した場合、焼成時
にクラツクが入りやすく被膜の密着性が悪くなる
からである。 以上によつて得られた透明な基板から洗浄によ
つて油脂分を除去し、通常の前処理を経て無電解
メツキを行つた。通常の前処理工程とは、SnCl2
溶液によるセンシタイジング、PdCl2溶液、
AgNO3溶液、HAuCl4溶液等によるアクチベー
テイングである。センシタイジングはSn2+を基
板面に吸着させ、たとえばPdCl2溶液では Sn2+＋Pd2+→Sn4+＋Pd0 ……(1) とするアクテイベイテイングによつて、基板上に
金属パラジウムを析出させることによつて、それ
を無電解メツキの触媒核とするものである。 こうして得られた無電解メツキ体上に、フオト
センシテイブな樹脂を塗布し、目的とするパター
ンに紫外線露光し、不要部を除去し、金属被膜の
エツチング溶液に浸漬することによつて、目的と
するパターン形状を持つたガラスフオトマスクが
得られるのである。 ここで、SiO2、Ta2O5はピンホール減少の効果
をもつと共に、メツキ被膜の密着性を上げる効果
をもつが、二層に被膜形成を行つた方がピンホー
ル減少に対してはより効果が大である。 次に実施例を用いて詳細に説明する。 実施例 １ 透明基板として、ソーダライムフロートガラス
を用い、KOH（３％ 65℃）溶液にて脱脂、
H2SO4（３％）溶液で中和イオン交換水洗浄を行
う。乾燥後、
ホール数の差異をなくし、かつ、数千Å以下の無
電解メツキ被膜においても、ピンホールの少な
く、その径が小さいメツキ被膜を得るために、
SnO2、In2O3、Sb3O5、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、
SiO2、GeO2、ZrO2から選ばれた酸化物被膜、あ
るいはこれらの２種以上の混合被膜形成の前に
SiO2、Ta2O5のどちらか、あるいは混合被膜を形
成したことを特徴としている。ここで、SiO2、
Ta2O5、及びメツキ被膜の密着性を向上させるた
めの酸化物被膜の形成には、量産性からして金属
アルキコサイドの加水分解による被膜形成法が優
れている。 次にそのガラスフオトマスクの作製方法につい
て述べる。 ガラス等の透明な基板を脱脂、洗浄を行い乾燥
する。 その後、基板表面にSiO2、Ta2O5のどちらか一
方あるいはその混合被膜の形成をするのだが、そ
の厚さは20Å以上、5000Å以下の範囲であり、望
ましくは100Å〜1000Åの膜厚である。これは、
20Å以下ではピンホール減少の効果はなく、5000
Å以上では被膜形成に時間がかかり実際的でな
く、加水分解法ではこの被膜にクラツクが入り密
着性が悪くなるからである。 次に、この上にCVD、スパツタ、蒸着、金属
アルコキサイドの加水分解法等の手段により
SnO2、In2O3、Sb3O5、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、
SiO2、GeO2、ZrO2から選ばれた酸化物被膜、あ
るいはこれらの２種以上の混合被膜を形成するの
だが、その被膜厚は20Å以上5000Å以下が望まし
い。20Å以下であるとメツキ被膜の密着性の向上
という効果が薄くなり、5000Å以上であると酸化
物層の形成に時間がかかり実際的ではなく、ま
た、加水分解法により被膜形成した場合、焼成時
にクラツクが入りやすく被膜の密着性が悪くなる
からである。 以上によつて得られた透明な基板から洗浄によ
つて油脂分を除去し、通常の前処理を経て無電解
メツキを行つた。通常の前処理工程とは、SnCl2
溶液によるセンシタイジング、PdCl2溶液、
AgNO3溶液、HAuCl4溶液等によるアクチベー
テイングである。センシタイジングはSn2+を基
板面に吸着させ、たとえばPdCl2溶液では Sn2+＋Pd2+→Sn4+＋Pd0 ……(1) とするアクテイベイテイングによつて、基板上に
金属パラジウムを析出させることによつて、それ
を無電解メツキの触媒核とするものである。 こうして得られた無電解メツキ体上に、フオト
センシテイブな樹脂を塗布し、目的とするパター
ンに紫外線露光し、不要部を除去し、金属被膜の
エツチング溶液に浸漬することによつて、目的と
するパターン形状を持つたガラスフオトマスクが
得られるのである。 ここで、SiO2、Ta2O5はピンホール減少の効果
をもつと共に、メツキ被膜の密着性を上げる効果
をもつが、二層に被膜形成を行つた方がピンホー
ル減少に対してはより効果が大である。 次に実施例を用いて詳細に説明する。 実施例 １ 透明基板として、ソーダライムフロートガラス
を用い、KOH（３％ 65℃）溶液にて脱脂、
H2SO4（３％）溶液で中和イオン交換水洗浄を行
う。乾燥後、
【表】
の混合溶液に浸漬し、30cm／minの速度により、
等速引き上げ後、500℃で１時間焼成した。得ら
れたSiO2被膜は600Åの厚さであつた。ダイフロ
ン93vol％、エタノール7vol％の溶媒100部にテト
ラブトキシチタンを0.7vol％加えガラス基板を浸
漬し、20cm／minの等速引き上げによつてコーテ
イングを行い、500℃で１時間の加水分解を行つ
た。この被膜は150Åであつた。 その後、SnCl2溶液（SnCl2 １ｇ／ｌ、HCl1
c.c.／ｌ）溶液に１分間浸漬し、水洗後日本カニゼ
ン社製のレツドシユーマーに１分間浸漬し水洗
後、日本カニゼン社製シユーマーS680をイオン
交換水によつて８倍希釈した無電解ニツケル浴
（45℃）に７分間浸漬し、3500Å厚のメツキ被膜
を得た。 このメツキ被膜のピンホール数は、透過光によ
る肉眼観察で４ケ／1000cm2でありその最大径は
10μｍであつた。同様の方法で縦15cm、横25cmの
ソーダライムフロートガラス上にニツケルメツキ
し、所定の形状のパターニングを行い、パターン
上のピンホールを観察したところ５ケあり最大径
は9μｍであつた。これは、時計、電卓等の液晶
表示体の透明電極をパターニングする際のフオト
マスクとしては十分使用可能なものであつた。ま
た、密着性の試験として、サラシ布に70Kgの圧力
をかけて、メツキ被膜の表面を６回こすつたとこ
ろ、深さ300Åの傷が６本ついた。 この状態でも、フオトマスクとしては十分使用
可能であり、密着性も十分あつた。 実施例 ２ 透明基板として、ソーダライムフロートガラス
を使用した。実施例１と同様の洗浄、乾燥後、 Ta（OC25H5）5 40ｇ アセチルアセトン 41c.c. 溶液Ａ（実施例１） 155c.c. の混合溶液に浸漬し、30cm／minの速度により、
等速引き上げ後、500℃で１時間焼成した。得ら
れたSiO2、Ta2O5の混合被膜の厚さは500Åであ
つた。 次にダイフロン93vol％、エタノール7vol％の
溶媒100部にペンタエトキシタンタルを1vol％加
え、基板を浸漬後30cm／minの等速引き上げによ
つてコーテイングを行い、500℃で１時間加水分
解を行つた。この被膜厚は200Åであつた。 その後、実施例１と同様に3500Åのニツケルメ
ツキ被膜を得た。このメツキ被膜のピンホール数
は、透過光による肉眼観察で６ケ／100cm2であり、
その最大径は11μｍであつた。同様の方法で縦15
cm、横25cmのソーダライムフロートガラス上にニ
ツケルメツキし、所定の形状のパターンを形成
し、その上のピンホール数を観察したところ、５
ケあり最大径は10μｍであつた。これは時計、電
卓等の液晶表示体の透明電極をパターニングする
際のフオトマスクとしては十分使用可能なもので
あつた。密着性の試験も、実施例１と同様の手段
によつて行つたが、フオトマスクとしては十分使
用可能な密着性が確認された。 以上実施例によつて本発明を詳細に説明した。 本発明によれば、ガラス基板上に少なくともSi
又はTaのいずれかの金属アルコキサイド化合物
を含む溶液より固化された被膜をあらかじめ形成
しておき、その上に所定の酸化物被膜を形成させ
てあるので、 金属被膜の密着も従来のものと何等変わりな
く、またパターンの精度も全く変わらず、ピンホ
ールは10μｍ以上のものはなく、安価に大量に生
産できるものであつた。 本発明によつて得られたフオトマスクは、液晶
パネル用だけでなく、回路基板等のフオトプロセ
スを用いる工程のフオトマスクとして使用でき
る。その他エンコーダー、バーコーダー等の用途
にも使用できることは明らかである。
等速引き上げ後、500℃で１時間焼成した。得ら
れたSiO2被膜は600Åの厚さであつた。ダイフロ
ン93vol％、エタノール7vol％の溶媒100部にテト
ラブトキシチタンを0.7vol％加えガラス基板を浸
漬し、20cm／minの等速引き上げによつてコーテ
イングを行い、500℃で１時間の加水分解を行つ
た。この被膜は150Åであつた。 その後、SnCl2溶液（SnCl2 １ｇ／ｌ、HCl1
c.c.／ｌ）溶液に１分間浸漬し、水洗後日本カニゼ
ン社製のレツドシユーマーに１分間浸漬し水洗
後、日本カニゼン社製シユーマーS680をイオン
交換水によつて８倍希釈した無電解ニツケル浴
（45℃）に７分間浸漬し、3500Å厚のメツキ被膜
を得た。 このメツキ被膜のピンホール数は、透過光によ
る肉眼観察で４ケ／1000cm2でありその最大径は
10μｍであつた。同様の方法で縦15cm、横25cmの
ソーダライムフロートガラス上にニツケルメツキ
し、所定の形状のパターニングを行い、パターン
上のピンホールを観察したところ５ケあり最大径
は9μｍであつた。これは、時計、電卓等の液晶
表示体の透明電極をパターニングする際のフオト
マスクとしては十分使用可能なものであつた。ま
た、密着性の試験として、サラシ布に70Kgの圧力
をかけて、メツキ被膜の表面を６回こすつたとこ
ろ、深さ300Åの傷が６本ついた。 この状態でも、フオトマスクとしては十分使用
可能であり、密着性も十分あつた。 実施例 ２ 透明基板として、ソーダライムフロートガラス
を使用した。実施例１と同様の洗浄、乾燥後、 Ta（OC25H5）5 40ｇ アセチルアセトン 41c.c. 溶液Ａ（実施例１） 155c.c. の混合溶液に浸漬し、30cm／minの速度により、
等速引き上げ後、500℃で１時間焼成した。得ら
れたSiO2、Ta2O5の混合被膜の厚さは500Åであ
つた。 次にダイフロン93vol％、エタノール7vol％の
溶媒100部にペンタエトキシタンタルを1vol％加
え、基板を浸漬後30cm／minの等速引き上げによ
つてコーテイングを行い、500℃で１時間加水分
解を行つた。この被膜厚は200Åであつた。 その後、実施例１と同様に3500Åのニツケルメ
ツキ被膜を得た。このメツキ被膜のピンホール数
は、透過光による肉眼観察で６ケ／100cm2であり、
その最大径は11μｍであつた。同様の方法で縦15
cm、横25cmのソーダライムフロートガラス上にニ
ツケルメツキし、所定の形状のパターンを形成
し、その上のピンホール数を観察したところ、５
ケあり最大径は10μｍであつた。これは時計、電
卓等の液晶表示体の透明電極をパターニングする
際のフオトマスクとしては十分使用可能なもので
あつた。密着性の試験も、実施例１と同様の手段
によつて行つたが、フオトマスクとしては十分使
用可能な密着性が確認された。 以上実施例によつて本発明を詳細に説明した。 本発明によれば、ガラス基板上に少なくともSi
又はTaのいずれかの金属アルコキサイド化合物
を含む溶液より固化された被膜をあらかじめ形成
しておき、その上に所定の酸化物被膜を形成させ
てあるので、 金属被膜の密着も従来のものと何等変わりな
く、またパターンの精度も全く変わらず、ピンホ
ールは10μｍ以上のものはなく、安価に大量に生
産できるものであつた。 本発明によつて得られたフオトマスクは、液晶
パネル用だけでなく、回路基板等のフオトプロセ
スを用いる工程のフオトマスクとして使用でき
る。その他エンコーダー、バーコーダー等の用途
にも使用できることは明らかである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガラス基板上に、少なくともSi又はTaのい
ずれかの金属アルコキサイド化合物を含む溶液よ
り固化された被膜をあらかじめ形成し、 前記固化された被膜上に、SnO2、In2O3、
Sb3O5、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、SiO2、GeO2、
ZrOの少なくともいずれかの酸化物被膜を形成し
たのち、 前記酸化物被膜上に無電解メツキにより金属被
膜を形成し、前記金属被膜をエツチングによりパ
ターニングすることを特徴とするガラスフオトマ
スクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9190981A JPS57205342A (en) | 1981-06-15 | 1981-06-15 | Glass photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9190981A JPS57205342A (en) | 1981-06-15 | 1981-06-15 | Glass photomask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57205342A JPS57205342A (en) | 1982-12-16 |
| JPS643256B2 true JPS643256B2 (ja) | 1989-01-20 |
Family
ID=14039702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9190981A Granted JPS57205342A (en) | 1981-06-15 | 1981-06-15 | Glass photomask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57205342A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6280655A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Toppan Printing Co Ltd | フオトマスクブランクおよびフオトマスク |
| JPH05241721A (ja) * | 1992-02-27 | 1993-09-21 | Totoku Electric Co Ltd | 透明型デジタイザセンサ板 |
-
1981
- 1981-06-15 JP JP9190981A patent/JPS57205342A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57205342A (en) | 1982-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63303076A (ja) | 電解クロム層の折出法 | |
| US3296012A (en) | Electroless copper plating on ceramic material | |
| US4859505A (en) | Process for metallizing glass surface | |
| US3963841A (en) | Catalytic surface preparation for electroless plating | |
| US3753816A (en) | Method of repairing or depositing a pattern of metal plated areas on an insulating substrate | |
| DE747876C (de) | Verfahren zur Herstellung von verkupferten Silberspiegeln auf Glas | |
| JPS643256B2 (ja) | ||
| US4082898A (en) | Electroless deposition of electrically nonconductive copper-boron coatings on nonmetallic substrates | |
| JPS6161667B2 (ja) | ||
| US3878007A (en) | Method of depositing a pattern of metal plated areas on an insulating substrate | |
| JPS5811772A (ja) | 無電界メツキ体 | |
| WO1994009394A1 (fr) | Plaquette de verre pour cristal liquide, filtre colore pour cristal liquide tft, affichage a cristaux liquides tft pour la projection, et affichage a cristaux liquides tft colores | |
| US4116754A (en) | Method of forming matt display electrode | |
| JPH0232616B2 (ja) | ||
| JPH026833B2 (ja) | ||
| JPH0474568A (ja) | 低反射帯電防止膜及びその製造方法、及びその用途 | |
| JPS6258447B2 (ja) | ||
| JPS6365620B2 (ja) | ||
| JPH01302223A (ja) | 遮光膜とその製造方法 | |
| JPH0235030B2 (ja) | Mudenkaimetsukiho | |
| JPH0230385B2 (ja) | Mudenkaimetsukiho | |
| JPS6240309B2 (ja) | ||
| JPH08184708A (ja) | ブラックマトリックス及びその製法 | |
| JP2902838B2 (ja) | 無電解ニッケルメッキ液組成物 | |
| JPH0585637B2 (ja) |