JP3365718B2 - 無電解めっき用の触媒液 - Google Patents
無電解めっき用の触媒液Info
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Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、無電解めっきによ
り金属被膜を形成する前に触媒金属核を予め付与するた
めの無電解めっき用の触媒液に関する。
り金属被膜を形成する前に触媒金属核を予め付与するた
めの無電解めっき用の触媒液に関する。
【０００２】
【従来の技術】無電解めっき法は複雑な形状面にも均一
な析出が可能であり、種々の用途に用いられている。例
えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）被膜からなる透明
導電膜において、他の機器との接続をとるために無電解
めっきによってＩＴＯの接続部位の表面を金属化するこ
とが行われており、また、樹脂基板やセラミックス基板
等の絶縁性基板上への金属被膜の形成等にも用いられて
いる。
な析出が可能であり、種々の用途に用いられている。例
えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）被膜からなる透明
導電膜において、他の機器との接続をとるために無電解
めっきによってＩＴＯの接続部位の表面を金属化するこ
とが行われており、また、樹脂基板やセラミックス基板
等の絶縁性基板上への金属被膜の形成等にも用いられて
いる。
【０００３】ところで、無電解めっき法は、上述のＩＴ
Ｏや絶縁性基板等のように触媒活性のない表面に金属被
膜等を形成する場合、金属被膜等の形成部位に予めパラ
ジウム等の触媒金属核を付与する必要がある。このよう
な触媒金属核の付与には、例えば、塩化パラジウムと
塩酸の混合溶液にアルカリを組み合わせたＰｄＣｌ2溶
液、塩化パラジウムと塩化第一スズと塩酸とを組み合
わせたＳｎ−Ｐｄコロイド溶液等が使用されている。
Ｏや絶縁性基板等のように触媒活性のない表面に金属被
膜等を形成する場合、金属被膜等の形成部位に予めパラ
ジウム等の触媒金属核を付与する必要がある。このよう
な触媒金属核の付与には、例えば、塩化パラジウムと
塩酸の混合溶液にアルカリを組み合わせたＰｄＣｌ2溶
液、塩化パラジウムと塩化第一スズと塩酸とを組み合
わせたＳｎ−Ｐｄコロイド溶液等が使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
のＰｄＣｌ2 溶液は、ＩＴＯ上への無電解めっきに使用
する場合、浴ｐＨを中性付近に調整する必要があり、ｐ
Ｈの許容範囲が狭く工程管理が煩雑であるとともに、浴
安定性が悪いという問題がある。さらに、上記のＰｄＣ
ｌ2 溶液は、絶縁性基板への無電解めっきに使用できな
いという問題もある。
のＰｄＣｌ2 溶液は、ＩＴＯ上への無電解めっきに使用
する場合、浴ｐＨを中性付近に調整する必要があり、ｐ
Ｈの許容範囲が狭く工程管理が煩雑であるとともに、浴
安定性が悪いという問題がある。さらに、上記のＰｄＣ
ｌ2 溶液は、絶縁性基板への無電解めっきに使用できな
いという問題もある。
【０００５】一方、上記のＳｎ−Ｐｄコロイド溶液
は、ＩＴＯのみならず絶縁性基板への無電解めっきにも
使用でき、また、浴安定性も高いものであるが、コロイ
ド溶液の製造自体が難しく、価格が高いという問題があ
る。さらに、触媒金属核を付与した後、無電解めっき工
程前にスズ除去処理が必要となり、工程が煩雑であると
いう問題がある。
は、ＩＴＯのみならず絶縁性基板への無電解めっきにも
使用でき、また、浴安定性も高いものであるが、コロイ
ド溶液の製造自体が難しく、価格が高いという問題があ
る。さらに、触媒金属核を付与した後、無電解めっき工
程前にスズ除去処理が必要となり、工程が煩雑であると
いう問題がある。
【０００６】本発明は上述のような事情に鑑みてなされ
たものであり、ｐＨの許容範囲が広く安定性に優れ、か
つ、スズを含有しない作業性に優れた無電解めっき用の
触媒液を提供することを目的とする。
たものであり、ｐＨの許容範囲が広く安定性に優れ、か
つ、スズを含有しない作業性に優れた無電解めっき用の
触媒液を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の無電解めっき用の触媒液は、パラジ
ウム、白金、金、銀および銅の塩の少なくとも１種と、
無機酸と、２−ブチン１，４−ジオールとを含有するよ
うな構成とした。
るために、本発明の無電解めっき用の触媒液は、パラジ
ウム、白金、金、銀および銅の塩の少なくとも１種と、
無機酸と、２−ブチン１，４−ジオールとを含有するよ
うな構成とした。
【０００８】また、本発明の無電解めっき用の触媒液
は、上記のパラジウム、白金、金、銀および銅の塩の少
なくとも１種を０．０３〜５ｇ／ｌの範囲で含有し、２
−ブチン１，４−ジオールを０．５〜１５０ｍｇ／ｌの
範囲で含有するような構成とした。
は、上記のパラジウム、白金、金、銀および銅の塩の少
なくとも１種を０．０３〜５ｇ／ｌの範囲で含有し、２
−ブチン１，４−ジオールを０．５〜１５０ｍｇ／ｌの
範囲で含有するような構成とした。
【０００９】さらに、本発明の無電解めっき用の触媒液
は、上記のパラジウム、白金、金、銀および銅の塩の少
なくとも１種を０．１〜５ｇ／ｌの範囲で含有し、２−
ブチン１，４−ジオールを１０〜１５０ｍｇ／ｌの範囲
で含有し、ｐＨが６以下であるような構成とした。
は、上記のパラジウム、白金、金、銀および銅の塩の少
なくとも１種を０．１〜５ｇ／ｌの範囲で含有し、２−
ブチン１，４−ジオールを１０〜１５０ｍｇ／ｌの範囲
で含有し、ｐＨが６以下であるような構成とした。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の最適な実施形態に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００１１】本発明の無電解めっき用の触媒液を構成す
る金属触媒塩は、パラジウム、白金、金、銀および銅の
塩の少なくとも１種である。具体的的には、塩化パラジ
ウム、硫酸パラジウム、塩化白金、硝酸銀等を挙げるこ
とができる。そして、触媒液中の金属触媒塩の濃度は、
酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明導電膜に対する
無電解めっき用としての触媒液では、０．０３〜５．０
ｇ／ｌ程度、好ましくは０．０５〜５．０ｇ／ｌ程度と
することができ、また、樹脂基板やセラミックス基板等
に対する無電解めっき用としての触媒液では、０．１〜
５．０ｇ／ｌ程度、好ましくは０．２〜５．０ｇ／ｌ程
度とすることができる。金属触媒塩の濃度が上記の範囲
未満であると、無電解めっきにおける金属析出が不可能
となり、また、上記の範囲を超える金属触媒塩濃度とし
ても金属析出が更に向上することはなく、材料コストの
増大を来すので好ましくない。
る金属触媒塩は、パラジウム、白金、金、銀および銅の
塩の少なくとも１種である。具体的的には、塩化パラジ
ウム、硫酸パラジウム、塩化白金、硝酸銀等を挙げるこ
とができる。そして、触媒液中の金属触媒塩の濃度は、
酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明導電膜に対する
無電解めっき用としての触媒液では、０．０３〜５．０
ｇ／ｌ程度、好ましくは０．０５〜５．０ｇ／ｌ程度と
することができ、また、樹脂基板やセラミックス基板等
に対する無電解めっき用としての触媒液では、０．１〜
５．０ｇ／ｌ程度、好ましくは０．２〜５．０ｇ／ｌ程
度とすることができる。金属触媒塩の濃度が上記の範囲
未満であると、無電解めっきにおける金属析出が不可能
となり、また、上記の範囲を超える金属触媒塩濃度とし
ても金属析出が更に向上することはなく、材料コストの
増大を来すので好ましくない。
【００１２】本発明の無電解めっき用の触媒液を構成す
る無機酸としては、塩酸、硫酸等を使用することがで
き、このような無機酸の濃度は、上述の金属触媒塩を溶
解するのに必要な濃度以上であればよく、特に制限はな
い。
る無機酸としては、塩酸、硫酸等を使用することがで
き、このような無機酸の濃度は、上述の金属触媒塩を溶
解するのに必要な濃度以上であればよく、特に制限はな
い。
【００１３】また、本発明の無電解めっき用の触媒液を
構成する水溶性の不飽和有機化合物としては、２−ブチ
ン１，４−ジオール、２−プロピン−１−オール、２−
プロペン−１−オール、３−メチル−１−ブチン−３−
オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール等の１
価あるいは多価の不飽和アルコール；アクリル酸、アク
リル酸エチル等の不飽和カルボン酸およびその誘導体等
を挙げることができる。そして、触媒液中の水溶性の不
飽和有機化合物の濃度は、ＩＴＯ等の透明導電膜に対す
る無電解めっき用としての触媒液では、０．５〜１５０
ｍｇ／ｌ程度、好ましくは１．０〜１００ｍｇ／ｌ程度
とすることができ、また、樹脂基板やセラミックス基板
等に対する無電解めっき用としての触媒液では、１０〜
１５０ｍｇ／ｌ程度、好ましくは５０〜１００ｍｇ／ｌ
程度とすることができる。水溶性の不飽和有機化合物の
濃度が上記の範囲からはずれると、無電解めっきにおけ
る金属析出が不可能となる。
構成する水溶性の不飽和有機化合物としては、２−ブチ
ン１，４−ジオール、２−プロピン−１−オール、２−
プロペン−１−オール、３−メチル−１−ブチン−３−
オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール等の１
価あるいは多価の不飽和アルコール；アクリル酸、アク
リル酸エチル等の不飽和カルボン酸およびその誘導体等
を挙げることができる。そして、触媒液中の水溶性の不
飽和有機化合物の濃度は、ＩＴＯ等の透明導電膜に対す
る無電解めっき用としての触媒液では、０．５〜１５０
ｍｇ／ｌ程度、好ましくは１．０〜１００ｍｇ／ｌ程度
とすることができ、また、樹脂基板やセラミックス基板
等に対する無電解めっき用としての触媒液では、１０〜
１５０ｍｇ／ｌ程度、好ましくは５０〜１００ｍｇ／ｌ
程度とすることができる。水溶性の不飽和有機化合物の
濃度が上記の範囲からはずれると、無電解めっきにおけ
る金属析出が不可能となる。
【００１４】本発明の無電解めっき用の触媒液のｐＨ調
整は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ
ウム等を適宜添加することにより行うことができる。Ｉ
ＴＯ等の透明導電膜に対する無電解めっき用としての触
媒液では、ｐＨの限定は特になく、例えば、ｐＨ調整を
炭酸ナトリウム単独、あるいは、炭酸ナトリウムと水酸
化ナトリウムとの併用により行うことで、広い範囲のｐ
Ｈで良好な浴安定性のもとで使用可能である。また、樹
脂基板やセラミックス基板等に対する無電解めっき用と
しての触媒液では、ｐＨが６以下、好ましくはｐＨが
４．５以下、更に好ましくはｐＨが３以下の範囲であ
る。ｐＨが６を超えると分解が生じて浴安定性が大幅に
低下するので好ましくない。
整は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリ
ウム等を適宜添加することにより行うことができる。Ｉ
ＴＯ等の透明導電膜に対する無電解めっき用としての触
媒液では、ｐＨの限定は特になく、例えば、ｐＨ調整を
炭酸ナトリウム単独、あるいは、炭酸ナトリウムと水酸
化ナトリウムとの併用により行うことで、広い範囲のｐ
Ｈで良好な浴安定性のもとで使用可能である。また、樹
脂基板やセラミックス基板等に対する無電解めっき用と
しての触媒液では、ｐＨが６以下、好ましくはｐＨが
４．５以下、更に好ましくはｐＨが３以下の範囲であ
る。ｐＨが６を超えると分解が生じて浴安定性が大幅に
低下するので好ましくない。
【００１５】本発明の触媒液を用いた触媒金属核の付与
は、例えば、浴温度を５〜５０℃の範囲で設定すること
ができ、また、浸漬時間は、酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）等の透明導電膜に対する無電解めっき用としての触
媒液では、１０秒〜６０分の範囲、樹脂基板やセラミッ
クス基板等に対する無電解めっき用としての触媒液で
は、２分〜６０分の範囲で適宜設定することができる。
但し、実用的ではないが、６０分を超える浸漬時間でも
触媒液としての性能に問題はない。
は、例えば、浴温度を５〜５０℃の範囲で設定すること
ができ、また、浸漬時間は、酸化インジウムスズ（ＩＴ
Ｏ）等の透明導電膜に対する無電解めっき用としての触
媒液では、１０秒〜６０分の範囲、樹脂基板やセラミッ
クス基板等に対する無電解めっき用としての触媒液で
は、２分〜６０分の範囲で適宜設定することができる。
但し、実用的ではないが、６０分を超える浸漬時間でも
触媒液としての性能に問題はない。
【００１６】本発明の触媒液は、例えば、無電解ニッケ
ル・リンめっき、無電解ニッケル・ボロンめっき、無電
解銅めっき、無電解コバルト・リンめっき等の無電解め
っき用として使用することができる。
ル・リンめっき、無電解ニッケル・ボロンめっき、無電
解銅めっき、無電解コバルト・リンめっき等の無電解め
っき用として使用することができる。
【００１７】
【実施例】次に、実施例を示して本発明を更に詳細に説
明する。 （実施例１）下記組成の触媒液（試料１（ｐＨ＝２．
７））を調製した。
明する。 （実施例１）下記組成の触媒液（試料１（ｐＨ＝２．
７））を調製した。
【００１８】
触媒液の組成
・塩化パラジウム … ０．２ｇ／ｌ
・３６％塩酸水溶液 … ６．０ｇ／ｌ
・２−ブチン１，４−ジオール … ４０ｍｇ／ｌ
・水酸化ナトリウム … ２．４ｇ／ｌ
この触媒液を使用し以下のようにして酸化インジウムス
ズ（ＩＴＯ）被膜上へのニッケル・リン無電解めっきを
行った。すなわち、まず、界面活性剤を１５ｇ／ｌ含有
する５０℃の浴中にＩＴＯ被膜を５分間浸漬して脱脂を
行い、次いで、フッ素化合物を２ｇ／ｌ含有する２５℃
の浴中にＩＴＯ被膜を５分間浸漬してコンディショニン
グを行った。次に、上記の触媒液（試料１）を２５℃に
保った浴中にＩＴＯ被膜を５分間浸漬してパラジウム触
媒核の付与を行い、その後、下記組成の無電解めっき浴
（浴温８０℃、ｐＨ４．６）に５分間浸漬して無電解め
っきを行った。
ズ（ＩＴＯ）被膜上へのニッケル・リン無電解めっきを
行った。すなわち、まず、界面活性剤を１５ｇ／ｌ含有
する５０℃の浴中にＩＴＯ被膜を５分間浸漬して脱脂を
行い、次いで、フッ素化合物を２ｇ／ｌ含有する２５℃
の浴中にＩＴＯ被膜を５分間浸漬してコンディショニン
グを行った。次に、上記の触媒液（試料１）を２５℃に
保った浴中にＩＴＯ被膜を５分間浸漬してパラジウム触
媒核の付与を行い、その後、下記組成の無電解めっき浴
（浴温８０℃、ｐＨ４．６）に５分間浸漬して無電解め
っきを行った。
【００１９】
無電解めっき浴組成
・硫酸ニッケル・６水和物 … ２７ｇ／ｌ
・次亜リン酸 … １３ｇ／ｌ
・リンゴ酸 … １５ｇ／ｌ
・コハク酸 … ３ｇ／ｌ
・硝酸鉛 … ０．８ｍｇ／ｌ
このような無電解めっきによるＩＴＯ被膜上へのニッケ
ル・リンの析出状態を下記の基準で評価して、結果を下
記の表１に示した。
ル・リンの析出状態を下記の基準で評価して、結果を下
記の表１に示した。
【００２０】ニッケル・リンの析出評価基準
◎：全体にニッケル・リンが析出して良好
○：全体にニッケル・リンが析出するが、パラジウム触
媒核の付与後における過剰な水洗によりパラジウム触媒
核の脱落が生じることがある △：部分的にニッケル・リンが析出する ×：未析出 また、下記の表１に示すように上記の触媒液（試料１）
の組成およびｐＨを変化させた触媒液（試料２〜１８）
を用いて、同様に無電解めっきによるＩＴＯ被膜上への
ニッケル・リンの析出を行い、上記と同様に評価して結
果を下記の表１に示した。
媒核の付与後における過剰な水洗によりパラジウム触媒
核の脱落が生じることがある △：部分的にニッケル・リンが析出する ×：未析出 また、下記の表１に示すように上記の触媒液（試料１）
の組成およびｐＨを変化させた触媒液（試料２〜１８）
を用いて、同様に無電解めっきによるＩＴＯ被膜上への
ニッケル・リンの析出を行い、上記と同様に評価して結
果を下記の表１に示した。
【００２１】
【表１】
表１に示されるように、本発明の触媒液は、塩化パラジ
ウム濃度０．０３ｇ／ｌ以上、２−ブチン１，４−ジオ
ール濃度０．５〜１５０ｍｇ／ｌ、ｐＨ６以下の条件で
ＩＴＯ被膜へのニッケル・リン析出が可能であることが
確認された。 （実施例２）実施例１の触媒液（試料１（ｐＨ＝２．
７））を使用し以下のようにしてＡＢＳ樹脂基板、ＰＰ
Ｅ（ポリフェニレンエーテル）樹脂基板、ガラスエポキ
シ樹脂基板上への銅無電解めっきを行った。すなわち、
まず、クロム酸４２０ｇ／ｌ、９８％硫酸２００ｍｌ／
ｌを含有する６５℃の浴中に各樹脂基板を１０分間浸漬
してエッチング処理を行い、次いで、３６％塩酸を１０
０ｍｌ／ｌ含有する６５℃の浴中に各樹脂基板を５分間
浸漬して６価クロムを３価クロムとした後、洗浄を行っ
た。次に、上記の触媒液（試料１）を２５℃に保った浴
中に基板を１０分間浸漬してパラジウム触媒核の付与を
行い、その後、下記組成の無電解めっき浴（浴温４５
℃、ｐＨ１３．０）に１５分間浸漬して無電解めっきを
行った。
ウム濃度０．０３ｇ／ｌ以上、２−ブチン１，４−ジオ
ール濃度０．５〜１５０ｍｇ／ｌ、ｐＨ６以下の条件で
ＩＴＯ被膜へのニッケル・リン析出が可能であることが
確認された。 （実施例２）実施例１の触媒液（試料１（ｐＨ＝２．
７））を使用し以下のようにしてＡＢＳ樹脂基板、ＰＰ
Ｅ（ポリフェニレンエーテル）樹脂基板、ガラスエポキ
シ樹脂基板上への銅無電解めっきを行った。すなわち、
まず、クロム酸４２０ｇ／ｌ、９８％硫酸２００ｍｌ／
ｌを含有する６５℃の浴中に各樹脂基板を１０分間浸漬
してエッチング処理を行い、次いで、３６％塩酸を１０
０ｍｌ／ｌ含有する６５℃の浴中に各樹脂基板を５分間
浸漬して６価クロムを３価クロムとした後、洗浄を行っ
た。次に、上記の触媒液（試料１）を２５℃に保った浴
中に基板を１０分間浸漬してパラジウム触媒核の付与を
行い、その後、下記組成の無電解めっき浴（浴温４５
℃、ｐＨ１３．０）に１５分間浸漬して無電解めっきを
行った。
【００２２】
無電解めっき浴組成
・硫酸銅 … １０ｇ／ｌ
・３７％ＨＣＨＯ … １０ｍｌ／ｌ
・ＥＤＴＡ４Ｎａ … ２５ｇ／ｌ
・２−２′−ビピリジン … ２ｍｇ／ｌ
このような無電解めっきによる樹脂基板上への銅の析出
状態を下記の基準で評価して、結果を下記の表２に示し
た。
状態を下記の基準で評価して、結果を下記の表２に示し
た。
【００２３】銅の析出評価基準
◎：全体に銅が析出して良好
○：全体に銅が析出するが、パラジウム触媒核の付与後
における過剰な水洗によりパラジウム触媒核の脱落が生
じることがある △：部分的に銅が析出する ×：未析出 また、下記の表２に示すように上記の触媒液（試料１）
の組成およびｐＨを変化させた触媒液（試料２〜１８）
を用いて、同様に無電解めっきによる樹脂基板上への銅
の析出を行い、上記と同様に評価して結果を下記の表２
に示した。
における過剰な水洗によりパラジウム触媒核の脱落が生
じることがある △：部分的に銅が析出する ×：未析出 また、下記の表２に示すように上記の触媒液（試料１）
の組成およびｐＨを変化させた触媒液（試料２〜１８）
を用いて、同様に無電解めっきによる樹脂基板上への銅
の析出を行い、上記と同様に評価して結果を下記の表２
に示した。
【００２４】
【表２】
表２に示されるように、本発明の触媒液は、塩化パラジ
ウム濃度０．１ｇ／ｌ以上、２−ブチン１，４−ジオー
ル濃度１０〜１５０ｍｇ／ｌ、ｐＨ６以下の条件で樹脂
基板への銅析出が可能であることが確認された。 （実施例３）塩化パラジウムに代えて硫酸パラジウムを
使用した他は、実施例１の試料１と同様に触媒液を調製
した。
ウム濃度０．１ｇ／ｌ以上、２−ブチン１，４−ジオー
ル濃度１０〜１５０ｍｇ／ｌ、ｐＨ６以下の条件で樹脂
基板への銅析出が可能であることが確認された。 （実施例３）塩化パラジウムに代えて硫酸パラジウムを
使用した他は、実施例１の試料１と同様に触媒液を調製
した。
【００２５】上記の触媒液を使用して、実施例１と同様
にしてＩＴＯ被膜上への無電解ニッケル・リンめっき、
および、実施例２と同様にしてＡＢＳ樹脂基板上への無
電解銅めっきを行った。その結果、ＩＴＯ被膜上全体に
ニッケル・リンが析出し、また、ＡＢＳ樹脂基板上全体
に銅が析出し、良好な無電解めっきが可能であった。 （実施例４）水溶性の不飽和有機化合物として、２−ブ
チン１，４−ジオールに代えて２−プロピン−１−オー
ルを使用した他は、実施例１の試料１と同様に触媒液
（試料Ａ）を調製した。
にしてＩＴＯ被膜上への無電解ニッケル・リンめっき、
および、実施例２と同様にしてＡＢＳ樹脂基板上への無
電解銅めっきを行った。その結果、ＩＴＯ被膜上全体に
ニッケル・リンが析出し、また、ＡＢＳ樹脂基板上全体
に銅が析出し、良好な無電解めっきが可能であった。 （実施例４）水溶性の不飽和有機化合物として、２−ブ
チン１，４−ジオールに代えて２−プロピン−１−オー
ルを使用した他は、実施例１の試料１と同様に触媒液
（試料Ａ）を調製した。
【００２６】また、水溶性の不飽和有機化合物として、
２−ブチン１，４−ジオールに代えて２−プロペン−１
−オールを使用した他は、実施例１の試料１と同様に触
媒液（試料Ｂ）を調製した。
２−ブチン１，４−ジオールに代えて２−プロペン−１
−オールを使用した他は、実施例１の試料１と同様に触
媒液（試料Ｂ）を調製した。
【００２７】また、水溶性の不飽和有機化合物として、
２−ブチン１，４−ジオールに代えてアクリル酸を使用
した他は、実施例１の試料１と同様に触媒液（試料Ｃ）
を調製した。
２−ブチン１，４−ジオールに代えてアクリル酸を使用
した他は、実施例１の試料１と同様に触媒液（試料Ｃ）
を調製した。
【００２８】さらに、水溶性の不飽和有機化合物とし
て、２−ブチン１，４−ジオールに代えてアクリル酸エ
チルを使用した他は、実施例１の試料１と同様に触媒液
（試料Ｄ）を調製した。
て、２−ブチン１，４−ジオールに代えてアクリル酸エ
チルを使用した他は、実施例１の試料１と同様に触媒液
（試料Ｄ）を調製した。
【００２９】これらの触媒液（試料Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）を
使用して、実施例１と同様にしてＩＴＯ被膜上への無電
解ニッケル・リンめっき、および、実施例２と同様にし
てＡＢＳ樹脂基板上への無電解銅めっきを行った。その
結果、ＩＴＯ被膜上全体にニッケル・リンが析出し、ま
た、ＡＢＳ樹脂基板上全体に銅が析出し、良好な無電解
めっきが可能であった。 （実施例５）まず、実施例１の触媒液（試料１（ｐＨ＝
２．７））と同様の触媒液（試料Ｉ）を調製した。
使用して、実施例１と同様にしてＩＴＯ被膜上への無電
解ニッケル・リンめっき、および、実施例２と同様にし
てＡＢＳ樹脂基板上への無電解銅めっきを行った。その
結果、ＩＴＯ被膜上全体にニッケル・リンが析出し、ま
た、ＡＢＳ樹脂基板上全体に銅が析出し、良好な無電解
めっきが可能であった。 （実施例５）まず、実施例１の触媒液（試料１（ｐＨ＝
２．７））と同様の触媒液（試料Ｉ）を調製した。
【００３０】比較として、下記組成の金属表面用触媒液
（試料II）、ＩＴＯ用触媒液（試料III)、Ｓｎ−Ｐｄコ
ロイド触媒液（試料IV）を調製した。
（試料II）、ＩＴＯ用触媒液（試料III)、Ｓｎ−Ｐｄコ
ロイド触媒液（試料IV）を調製した。
【００３１】
金属表面用触媒液（試料II）の組成
・塩化パラジウム … ０．１ｇ／ｌ
・３６％塩酸水溶液 … ３．０ｇ／ｌ
ＩＴＯ用触媒液（試料III)の組成
・塩化パラジウム … ０．１ｇ／ｌ
・３６％塩酸水溶液 … ３．０ｇ／ｌ
・水酸化ナトリウム … １．２ｇ／ｌ
Ｓｎ−Ｐｄコロイド触媒液（試料IV）の組成
・塩化パラジウム … ０．１ｇ／ｌ
・３６％塩酸水溶液 … ４５ｇ／ｌ
・塩化スズ … １０ｇ／ｌ
・塩化ナトリウム … １５０ｇ／ｌ
これらの触媒液（試料Ｉ，II，III, IV ）を使用して、
実施例１と同様にしてＩＴＯ被膜上への無電解ニッケル
・リンめっき、および、実施例２と同様にしてＡＢＳ樹
脂基板上への無電解銅めっきを行った。但し、Ｓｎ−Ｐ
ｄコロイド触媒液（試料IV）を用いた場合は、パラジウ
ム触媒核の付与を行った後、３６％塩酸を１００ｍｌ／
ｌ含有する４０℃の浴中に各樹脂基板を５分間浸漬して
Ｓｎ除去処理を施した。
実施例１と同様にしてＩＴＯ被膜上への無電解ニッケル
・リンめっき、および、実施例２と同様にしてＡＢＳ樹
脂基板上への無電解銅めっきを行った。但し、Ｓｎ−Ｐ
ｄコロイド触媒液（試料IV）を用いた場合は、パラジウ
ム触媒核の付与を行った後、３６％塩酸を１００ｍｌ／
ｌ含有する４０℃の浴中に各樹脂基板を５分間浸漬して
Ｓｎ除去処理を施した。
【００３２】上述のような無電解めっきを行った結果、
本発明の触媒液である試料Ｉと比較の試料IVは、ともに
ＩＴＯ被膜上全体にニッケル・リンが析出し、また、Ａ
ＢＳ樹脂基板上全体に銅が析出し、良好な無電解めっき
が可能であった。これに対して、試料III は、ＩＴＯ被
膜上全体にニッケル・リンが析出したものの、ＡＢＳ樹
脂基板上への銅の析出が不可能であった。さらに、試料
IIは、ＩＴＯ被膜上へのニッケル・リンの析出、ＡＢＳ
樹脂基板上への銅の析出がいずれも不可能であった。
本発明の触媒液である試料Ｉと比較の試料IVは、ともに
ＩＴＯ被膜上全体にニッケル・リンが析出し、また、Ａ
ＢＳ樹脂基板上全体に銅が析出し、良好な無電解めっき
が可能であった。これに対して、試料III は、ＩＴＯ被
膜上全体にニッケル・リンが析出したものの、ＡＢＳ樹
脂基板上への銅の析出が不可能であった。さらに、試料
IIは、ＩＴＯ被膜上へのニッケル・リンの析出、ＡＢＳ
樹脂基板上への銅の析出がいずれも不可能であった。
【００３３】また、上記の触媒液（試料Ｉ，II，III, I
V ）の安定性を評価した結果、本発明の触媒液である試
料Ｉおよび比較の試料II、試料IVは、３週間にわたって
安定な浴状態を維持することが確認されたが、試料III
は１〜２日で浴の分解が生じた。
V ）の安定性を評価した結果、本発明の触媒液である試
料Ｉおよび比較の試料II、試料IVは、３週間にわたって
安定な浴状態を維持することが確認されたが、試料III
は１〜２日で浴の分解が生じた。
【００３４】以上のことから、本発明の触媒液である試
料Ｉは、価格が高いＳｎ−Ｐｄコロイド触媒液（試料I
V）と同様にＩＴＯや樹脂基板等に対する広い適用範囲
を有し、かつ、安定性に優れることが確認された。 （実施例６）ｐＨ調整剤として炭酸ナトリウムを使用し
た下記組成の触媒液（試料１〜試料９）を調製した。こ
れらの触媒液は炭酸ナトリウムの添加量を調整すること
により、下記の表３に示されるようなｐＨに設定した。
料Ｉは、価格が高いＳｎ−Ｐｄコロイド触媒液（試料I
V）と同様にＩＴＯや樹脂基板等に対する広い適用範囲
を有し、かつ、安定性に優れることが確認された。 （実施例６）ｐＨ調整剤として炭酸ナトリウムを使用し
た下記組成の触媒液（試料１〜試料９）を調製した。こ
れらの触媒液は炭酸ナトリウムの添加量を調整すること
により、下記の表３に示されるようなｐＨに設定した。
【００３５】
触媒液の組成
・塩化パラジウム … ０．２ｇ／ｌ
・３６％塩酸水溶液 … ６．０ｇ／ｌ
・２−ブチン１，４−ジオール … ４０ｍｇ／ｌ
・炭酸ナトリウム … 適量
上記の触媒液（試料１〜試料９）を使用して、実施例１
と同様にしてＩＴＯ被膜上への無電解ニッケル・リンめ
っきを行い、ＩＴＯ被膜上へのニッケル・リンの析出状
態を実施例１と同様に評価して下記の表３に示した。
と同様にしてＩＴＯ被膜上への無電解ニッケル・リンめ
っきを行い、ＩＴＯ被膜上へのニッケル・リンの析出状
態を実施例１と同様に評価して下記の表３に示した。
【００３６】
【表３】
表３に示されるように、ｐＨ調整剤として炭酸ナトリウ
ムを含有する本発明の触媒液（試料１〜９）は、広範囲
のｐＨにおいてＩＴＯ被膜上へのニッケル・リン析出が
可能であった。さらに、これらの触媒液（試料１〜９）
は、いずれも３日以上の浴安定性を備えていた。
ムを含有する本発明の触媒液（試料１〜９）は、広範囲
のｐＨにおいてＩＴＯ被膜上へのニッケル・リン析出が
可能であった。さらに、これらの触媒液（試料１〜９）
は、いずれも３日以上の浴安定性を備えていた。
【００３７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば無
電解めっき用の触媒液を、パラジウム、白金、金、銀お
よび銅の塩の少なくとも１種と、無機酸と、水溶性の不
飽和有機化合物とを含有した触媒液とするので、酸化イ
ンジウムスズ等の透明導電膜や樹脂基板、セラミックス
基板等の触媒活性をもたない面に金属触媒核を確実に付
与することが可能となり、かつ、ｐＨの許容範囲が広く
浴管理が容易であり、また、安定性が高いため長期間の
安定した金属触媒核の付与作業が可能となり、さらに、
スズを成分として含有していないため、従来のＳｎ−Ｐ
ｄコロイド溶液を使用した場合におけるスズ除去処理が
不要であり、無電解めっき前の工程が簡便になるという
効果が奏される。
電解めっき用の触媒液を、パラジウム、白金、金、銀お
よび銅の塩の少なくとも１種と、無機酸と、水溶性の不
飽和有機化合物とを含有した触媒液とするので、酸化イ
ンジウムスズ等の透明導電膜や樹脂基板、セラミックス
基板等の触媒活性をもたない面に金属触媒核を確実に付
与することが可能となり、かつ、ｐＨの許容範囲が広く
浴管理が容易であり、また、安定性が高いため長期間の
安定した金属触媒核の付与作業が可能となり、さらに、
スズを成分として含有していないため、従来のＳｎ−Ｐ
ｄコロイド溶液を使用した場合におけるスズ除去処理が
不要であり、無電解めっき前の工程が簡便になるという
効果が奏される。
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フロントページの続き
(72)発明者 岩沢 裕之
埼玉県大宮市吉野町２丁目３番地１号
メルテックス株式会社研究部内
(72)発明者 初川 拓朗
埼玉県大宮市吉野町２丁目３番地１号
メルテックス株式会社研究部内
(72)発明者 江村 繁則
埼玉県大宮市吉野町２丁目３番地１号
メルテックス株式会社研究部内
(56)参考文献 特開 平６−145994（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−122289（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 パラジウム、白金、金、銀および銅の塩
の少なくとも１種と、無機酸と、２−ブチン１，４−ジ
オールとを含有することを特徴とする無電解めっき用の
触媒液。 - 【請求項２】 パラジウム、白金、金、銀および銅の塩
の少なくとも１種を０．０３〜５ｇ／ｌの範囲で含有
し、２−ブチン１，４−ジオールを０．５〜１５０ｍｇ
／ｌの範囲で含有することを特徴とする請求項１に記載
の無電解めっき用の触媒液。 - 【請求項３】 パラジウム、白金、金、銀および銅の塩
の少なくとも１種を０．１〜５ｇ／ｌの範囲で含有し、
２−ブチン１，４−ジオールを１０〜１５０ｍｇ／ｌの
範囲で含有し、ｐＨが６以下であることを特徴とする請
求項１に記載の無電解めっき用の触媒液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35684896A JP3365718B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 無電解めっき用の触媒液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35684896A JP3365718B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 無電解めっき用の触媒液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10195667A JPH10195667A (ja) | 1998-07-28 |
| JP3365718B2 true JP3365718B2 (ja) | 2003-01-14 |
Family
ID=18451069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35684896A Expired - Fee Related JP3365718B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 無電解めっき用の触媒液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3365718B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| WO2003085166A2 (en) * | 2002-04-03 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition methods |
| US7166152B2 (en) | 2002-08-23 | 2007-01-23 | Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. | Pretreatment solution for providing catalyst for electroless plating, pretreatment method using the solution, and electroless plated film and/or plated object produced by use of the method |
| JP4844716B2 (ja) * | 2005-09-27 | 2011-12-28 | 上村工業株式会社 | 無電解パラジウムめっき浴 |
| JP5004336B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2012-08-22 | 株式会社日本表面処理研究所 | 無電解めっき法で用いる触媒溶液及びその触媒溶液を用いた無電解めっき法並びにその無電解めっき法を用いて金属皮膜を形成した被めっき物 |
| JP2008255460A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ポリイミド樹脂の無電解めっき処理方法 |
| JP2012001817A (ja) * | 2011-08-09 | 2012-01-05 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法 |
| US9783890B2 (en) * | 2012-10-26 | 2017-10-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Process for electroless plating and a solution used for the same |
| JP2014120632A (ja) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Canon Electronics Inc | 希土類ボンドマグネット及びその製造方法 |
| TWI707061B (zh) * | 2015-11-27 | 2020-10-11 | 德商德國艾托特克公司 | 鈀之電鍍浴組合物及無電電鍍方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03122289A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解金属めっき方法 |
| JPH06145994A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-05-27 | Hitachi Chem Co Ltd | 選択的無電解ニッケルめっき用触媒溶液及びこの溶液を用いた無電解ニッケルめっき方法 |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP35684896A patent/JP3365718B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|
| JPH10195667A (ja) | 1998-07-28 |
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