JP3116637B2 - 無電解めっき液 - Google Patents
無電解めっき液Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/52—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating using reducing agents for coating with metallic material not provided for in a single one of groups C23C18/32 - C23C18/50
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、無電解めっき液に関
するもので、特に、還元剤として３価のチタンイオンを
含む無電解めっき液に関するものである。
するもので、特に、還元剤として３価のチタンイオンを
含む無電解めっき液に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】無電解めっきによれば、ホルムアルデヒ
ド、ホウ水素化物、次亜リン酸塩またはヒドラジンのよ
うな還元剤を用いることにより、金または銀のような貴
金属、銅、ニッケルなどの金属基体上だけでなく、触媒
核を付与すれば、セラミック、プラスチックなどの不導
体基体上にも、均一に任意の厚みをもってめっき皮膜を
析出させることができる。したがって、無電解めっき
は、たとえば電子部品の電極のような導電膜を形成しよ
うとする場合だけでなく、めっき皮膜自身に電気抵抗
性、磁性、耐摩耗性、自己潤滑性などの種々の特性を付
与できることから、エレクトロニクスや自動車などの様
々な産業分野で広く利用されている。
ド、ホウ水素化物、次亜リン酸塩またはヒドラジンのよ
うな還元剤を用いることにより、金または銀のような貴
金属、銅、ニッケルなどの金属基体上だけでなく、触媒
核を付与すれば、セラミック、プラスチックなどの不導
体基体上にも、均一に任意の厚みをもってめっき皮膜を
析出させることができる。したがって、無電解めっき
は、たとえば電子部品の電極のような導電膜を形成しよ
うとする場合だけでなく、めっき皮膜自身に電気抵抗
性、磁性、耐摩耗性、自己潤滑性などの種々の特性を付
与できることから、エレクトロニクスや自動車などの様
々な産業分野で広く利用されている。
【０００３】しかし、無電解めっきでは、前述した還元
剤を用いて還元析出することのできる金属が、通常、
金、銀、白金族元素、銅、ニッケル、およびコバルトに
限られるため、その利用範囲をそれほど拡大することが
できなかった。なお、上述した金属の析出に際して共析
し得る元素としては、リン、ホウ素、タングステン、鉄
などがある。
剤を用いて還元析出することのできる金属が、通常、
金、銀、白金族元素、銅、ニッケル、およびコバルトに
限られるため、その利用範囲をそれほど拡大することが
できなかった。なお、上述した金属の析出に際して共析
し得る元素としては、リン、ホウ素、タングステン、鉄
などがある。
【０００４】そこで、本件出願人は、特願平１−３２８
９７０号（特開平３−１９１０７０号公報参照）におい
て、無電解めっき液に含まれる還元剤として３価のチタ
ンイオンに着目し、これを用いることにより、上述した
金、銀、白金族元素、銅、ニッケルおよびコバルトはも
ちろんのこと、アンチモン、インジウム、カドミウム、
鉛、ヒ素および亜鉛の単体、ならびにこれらの合金を、
無電解めっきにより析出させ得る方法を提案している。
これにより、無電解めっきで析出可能な元素の拡大を図
ることができるようになった。
９７０号（特開平３−１９１０７０号公報参照）におい
て、無電解めっき液に含まれる還元剤として３価のチタ
ンイオンに着目し、これを用いることにより、上述した
金、銀、白金族元素、銅、ニッケルおよびコバルトはも
ちろんのこと、アンチモン、インジウム、カドミウム、
鉛、ヒ素および亜鉛の単体、ならびにこれらの合金を、
無電解めっきにより析出させ得る方法を提案している。
これにより、無電解めっきで析出可能な元素の拡大を図
ることができるようになった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た先の出願において提案されためっき液は、アンモニア
アルカリ性であるため、刺激臭があり、作業上、安全性
に問題がある。また、被めっき物のめっきされるべき面
以外の部分を変質させることがある。また、めっき中に
おいて、めっき液のｐＨの変動が大きい。さらに、析出
速度を向上させる目的から、めっき液の濃度や温度を高
く設定する必要がある。このように、上述しためっき液
には、さらに解決されるべき多くの問題点がある。
た先の出願において提案されためっき液は、アンモニア
アルカリ性であるため、刺激臭があり、作業上、安全性
に問題がある。また、被めっき物のめっきされるべき面
以外の部分を変質させることがある。また、めっき中に
おいて、めっき液のｐＨの変動が大きい。さらに、析出
速度を向上させる目的から、めっき液の濃度や温度を高
く設定する必要がある。このように、上述しためっき液
には、さらに解決されるべき多くの問題点がある。
【０００６】そこで、この発明の目的は、上述した問題
点を解決し得る無電解めっき液を提供しようとすること
である。
点を解決し得る無電解めっき液を提供しようとすること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、３価のチタ
ンイオンを還元剤とする無電解めっき液に向けられるも
のであって、上述した技術的課題を解決するため、炭酸
塩を含むことを特徴としている。
ンイオンを還元剤とする無電解めっき液に向けられるも
のであって、上述した技術的課題を解決するため、炭酸
塩を含むことを特徴としている。
【０００８】より具体的には、この発明にかかる無電解
めっき液は、めっきにより析出される金属を与える金属
塩、その錯形成のための錯化剤（たとえば、クエン酸な
どのオキシカルボン酸、エチレンジアミン四酢酸などの
アミノポリカルボン酸など）および３価のチタンイオン
を含む水溶性の塩（たとえば、三塩化チタン塩酸溶液）
を含むめっき液に、さらに炭酸ナトリウムまたは炭酸カ
リウムなどの炭酸塩を含んでいる。炭酸塩は、炭酸ナト
リウムまたは炭酸カリウムなどの炭酸塩をそのままめっ
き液に添加しても、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリ
ウムなどをめっき液に添加した後、炭酸ガスを吹込んで
炭酸塩を生成させるようにしてもよい。
めっき液は、めっきにより析出される金属を与える金属
塩、その錯形成のための錯化剤（たとえば、クエン酸な
どのオキシカルボン酸、エチレンジアミン四酢酸などの
アミノポリカルボン酸など）および３価のチタンイオン
を含む水溶性の塩（たとえば、三塩化チタン塩酸溶液）
を含むめっき液に、さらに炭酸ナトリウムまたは炭酸カ
リウムなどの炭酸塩を含んでいる。炭酸塩は、炭酸ナト
リウムまたは炭酸カリウムなどの炭酸塩をそのままめっ
き液に添加しても、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリ
ウムなどをめっき液に添加した後、炭酸ガスを吹込んで
炭酸塩を生成させるようにしてもよい。
【０００９】なお、この発明において、めっきに供する
基体は、銅もしくはニッケルなどの金属またはこれらの
合金の場合、脱脂後、酸洗浄され、それによって酸化皮
膜が除去される。セラミックまたはプラスチックなどの
不導体基体上にめっきが施される場合には、基体を洗浄
およびエッチングした後、通常の触媒付与処理を施すこ
とにより、めっき反応が開始する。触媒付与を施した基
体上に、めっき皮膜が析出すると、そのめっき皮膜の表
面が触媒活性を有するため、反応が継続する。すなわ
ち、自己触媒析出反応により、任意の厚みのめっき皮膜
を得ることができる。
基体は、銅もしくはニッケルなどの金属またはこれらの
合金の場合、脱脂後、酸洗浄され、それによって酸化皮
膜が除去される。セラミックまたはプラスチックなどの
不導体基体上にめっきが施される場合には、基体を洗浄
およびエッチングした後、通常の触媒付与処理を施すこ
とにより、めっき反応が開始する。触媒付与を施した基
体上に、めっき皮膜が析出すると、そのめっき皮膜の表
面が触媒活性を有するため、反応が継続する。すなわ
ち、自己触媒析出反応により、任意の厚みのめっき皮膜
を得ることができる。
【００１０】
【発明の効果】この発明に係る無電解めっき液は、炭酸
塩を含むことから、アンモニアアルカリ性ではなく、ｐ
Ｈを弱酸性から弱アルカリ性の範囲とすることができ
る。したがって、被めっき物を変質させるという懸念を
低減できるとともに、作業上の安全性の問題も回避でき
る。
塩を含むことから、アンモニアアルカリ性ではなく、ｐ
Ｈを弱酸性から弱アルカリ性の範囲とすることができ
る。したがって、被めっき物を変質させるという懸念を
低減できるとともに、作業上の安全性の問題も回避でき
る。
【００１１】また、この発明によれば、アンモニアアル
カリ性のめっき浴に比べて、めっき浴の濃度、特に錯化
剤の濃度を低減でき、めっき浴の温度も引下げることが
でき、しかも、安定性に優れためっき浴を与えることが
できる。
カリ性のめっき浴に比べて、めっき浴の濃度、特に錯化
剤の濃度を低減でき、めっき浴の温度も引下げることが
でき、しかも、安定性に優れためっき浴を与えることが
できる。
【００１２】
（実施例１） めっき浴組成： クエン酸三ナトリウム ０．１７ mol／Ｌ エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム ０．１０ mol／Ｌ ニトリロ三酢酸 ０．１０ mol／Ｌ 塩化第一スズ ０．０７ mol／Ｌ 塩化鉛 ０．０１ mol／Ｌ 三塩化チタン ０．０４ mol／Ｌ 上記組成のめっき浴のｐＨは、２０％炭酸ナトリウム溶
液および２％塩酸で７．０に調整され、浴温は、５０℃
に設定した。試験片には、アルミナ基板に無電解ニッケ
ルめっきを施し、酸洗浄により酸化皮膜を取除いたもの
を用いた。６０分のめっき処理で、およそ２．５μｍの
めっき皮膜が得られた。
液および２％塩酸で７．０に調整され、浴温は、５０℃
に設定した。試験片には、アルミナ基板に無電解ニッケ
ルめっきを施し、酸洗浄により酸化皮膜を取除いたもの
を用いた。６０分のめっき処理で、およそ２．５μｍの
めっき皮膜が得られた。
【００１３】この皮膜を、酸で溶解した後、プラズマ発
光分光により組成分析を行なった結果、Ｓｎ：Ｐｂ＝７
２：２８の半田皮膜であることがわかった。このめっき
皮膜は、緻密性、半田付け性および下地基板との密着性
のすべてにおいて良好な結果を示した。
光分光により組成分析を行なった結果、Ｓｎ：Ｐｂ＝７
２：２８の半田皮膜であることがわかった。このめっき
皮膜は、緻密性、半田付け性および下地基板との密着性
のすべてにおいて良好な結果を示した。
【００１４】（実施例２） めっき浴組成： クエン酸三ナトリウム ０．１７ mol／Ｌ ニトリロ三酢酸三ナトリウム ０．２０ mol／Ｌ 硫酸インジウム ０．０８ mol／Ｌ 硫酸チタン（III ） ０．０２ mol／Ｌ 上記組成のめっき浴のｐＨは、２０％炭酸ナトリウム溶
液および２％硫酸で８．０に調整され、浴温は、６０℃
に設定した。試験片には、パラジウム、金および銀のそ
れぞれを、触媒核とすべく、センシタイジング・アクチ
ベーション法およびキャタリスト・アクセラレーター法
のそれぞれによりアルミナ基板上に付与したものを用
い、めっきに供した。いずれの試験片についても、４５
分のめっき処理により、同様のインジウムめっき皮膜が
析出した。
液および２％硫酸で８．０に調整され、浴温は、６０℃
に設定した。試験片には、パラジウム、金および銀のそ
れぞれを、触媒核とすべく、センシタイジング・アクチ
ベーション法およびキャタリスト・アクセラレーター法
のそれぞれによりアルミナ基板上に付与したものを用
い、めっきに供した。いずれの試験片についても、４５
分のめっき処理により、同様のインジウムめっき皮膜が
析出した。
【００１５】蛍光Ｘ線膜厚計を用いて、膜厚測定を行な
ったところ、いずれの試験片についても、およそ３μｍ
の膜厚であった。
ったところ、いずれの試験片についても、およそ３μｍ
の膜厚であった。
【００１６】（比較例１）実施例１に対応して、アンモ
ニアアルカリ性めっき浴により、半田の無電解めっきを
実施しようとする場合、そのめっき浴が安定で、しか
も、ある程度の析出速度を得ようとすると、錯形成剤が
以下に示す濃度を必要とした。
ニアアルカリ性めっき浴により、半田の無電解めっきを
実施しようとする場合、そのめっき浴が安定で、しか
も、ある程度の析出速度を得ようとすると、錯形成剤が
以下に示す濃度を必要とした。
【００１７】 クエン酸三ナトリウム ０．３４ mol／Ｌ エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム ０．０８ mol／Ｌ ニトリロ三酢酸 ０．２０ mol／Ｌ しかも、めっき浴のｐＨは、２８％アンモニア水および
２％塩酸で、９．０〜９．５に調整する必要があり、浴
温も、７０〜７５℃であった。
２％塩酸で、９．０〜９．５に調整する必要があり、浴
温も、７０〜７５℃であった。
【００１８】（比較例２）実施例２に対応して、アンモ
ニアアルカリ性めっき浴により、インジウムの無電解め
っきを実施しようとする場合、めっき浴が安定で、しか
も、ある程度の析出速度を得ようとすると、錯形成剤が
以下に示す濃度を必要とした。
ニアアルカリ性めっき浴により、インジウムの無電解め
っきを実施しようとする場合、めっき浴が安定で、しか
も、ある程度の析出速度を得ようとすると、錯形成剤が
以下に示す濃度を必要とした。
【００１９】 クエン酸三ナトリウム ０．３４ mol／Ｌ ニトリロ三酢酸 ０．２０ mol／Ｌ しかも、めっき浴のｐＨは、２８％アンモニア水および
２％硫酸で、１０．０〜１０．５に調整する必要があ
り、浴温も、８０℃にしなければならなかった。
２％硫酸で、１０．０〜１０．５に調整する必要があ
り、浴温も、８０℃にしなければならなかった。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 18/00 - 18/54
Claims (1)
- 【請求項１】 ３価のチタンイオンを還元剤とする無電
解めっき液において、炭酸塩を含むことを特徴とする、
無電解めっき液。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05051619A JP3116637B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 無電解めっき液 |
| US08/208,962 US5364459A (en) | 1993-03-12 | 1994-03-09 | Electroless plating solution |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05051619A JP3116637B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 無電解めっき液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06264248A JPH06264248A (ja) | 1994-09-20 |
| JP3116637B2 true JP3116637B2 (ja) | 2000-12-11 |
Family
ID=12891899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05051619A Expired - Fee Related JP3116637B2 (ja) | 1993-03-12 | 1993-03-12 | 無電解めっき液 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5364459A (ja) |
| JP (1) | JP3116637B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576053A (en) * | 1993-05-11 | 1996-11-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming an electrode on an electronic part |
| US5562814A (en) * | 1995-09-01 | 1996-10-08 | Dale Electronics, Inc. | Sludge-limiting tin and/or lead electroplating bath |
| EP1157076A1 (en) | 1998-11-18 | 2001-11-28 | Radiovascular Systems, L.L.C. | Radioactive coating solutions, methods, and substrates |
| JP3455709B2 (ja) | 1999-04-06 | 2003-10-14 | 株式会社大和化成研究所 | めっき方法とそれに用いるめっき液前駆体 |
| KR20010046141A (ko) * | 1999-11-10 | 2001-06-05 | 구본준 | 박막 트랜지스터 및 배선 제조방법 |
| JP2001355074A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-12-25 | Sony Corp | 無電解メッキ処理方法およびその装置 |
| US6551931B1 (en) | 2000-11-07 | 2003-04-22 | International Business Machines Corporation | Method to selectively cap interconnects with indium or tin bronzes and/or oxides thereof and the interconnect so capped |
| US7686874B2 (en) * | 2005-06-28 | 2010-03-30 | Micron Technology, Inc. | Electroless plating bath composition and method of use |
| EP2481835B1 (en) | 2011-01-28 | 2013-09-11 | Atotech Deutschland GmbH | Autocatalytic plating bath composition for deposition of tin and tin alloys |
| US8936672B1 (en) | 2012-06-22 | 2015-01-20 | Accu-Labs, Inc. | Polishing and electroless nickel compositions, kits, and methods |
| FR3016235B1 (fr) | 2014-01-08 | 2016-01-22 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un dispositif microelectronique |
| US9469902B2 (en) | 2014-02-18 | 2016-10-18 | Lam Research Corporation | Electroless deposition of continuous platinum layer |
| US9499913B2 (en) | 2014-04-02 | 2016-11-22 | Lam Research Corporation | Electroless deposition of continuous platinum layer using complexed Co2+ metal ion reducing agent |
| US9428836B2 (en) | 2014-04-29 | 2016-08-30 | Lam Research Corporation | Electroless deposition of continuous cobalt layer using complexed Ti3+ metal ions as reducing agents |
| CN110760825A (zh) * | 2019-11-27 | 2020-02-07 | 江苏大亿智能科技有限公司 | 一种表面镀膜防腐材料及其制备方法 |
| JP7169020B1 (ja) * | 2021-12-27 | 2022-11-10 | 石原ケミカル株式会社 | 還元型無電解インジウムメッキ浴 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57501786A (ja) * | 1980-09-15 | 1982-10-07 | ||
| JPH03191070A (ja) * | 1989-12-19 | 1991-08-21 | Murata Mfg Co Ltd | 無電解めっき浴 |
| US5143544A (en) * | 1990-06-04 | 1992-09-01 | Shipley Company Inc. | Tin lead plating solution |
| US5173109A (en) * | 1990-06-04 | 1992-12-22 | Shipley Company Inc. | Process for forming reflowable immersion tin lead deposit |
| JPH04325688A (ja) * | 1991-04-26 | 1992-11-16 | Murata Mfg Co Ltd | 無電解めっき浴 |
| JPH05214549A (ja) * | 1992-02-05 | 1993-08-24 | Murata Mfg Co Ltd | 無電解ビスマスめっき膜の形成方法および無電解ビスマスめっき浴 |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP05051619A patent/JP3116637B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-09 US US08/208,962 patent/US5364459A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06264248A (ja) | 1994-09-20 |
| US5364459A (en) | 1994-11-15 |
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