JPH06101056A - 無電解半田めっき浴 - Google Patents
無電解半田めっき浴Info
- Publication number
- JPH06101056A JPH06101056A JP16814593A JP16814593A JPH06101056A JP H06101056 A JPH06101056 A JP H06101056A JP 16814593 A JP16814593 A JP 16814593A JP 16814593 A JP16814593 A JP 16814593A JP H06101056 A JPH06101056 A JP H06101056A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating bath
- ions
- mol
- plating
- liter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 銅もしくはニッケルなどの金属上、または活
性化処理された不導体基体上に、自己触媒的に半田を析
出させることが可能であり、任意の膜厚および皮膜組成
に設定できる、無電解半田めっき浴を提供する。 【構成】 金属イオンとして錫の２価イオンおよび鉛の
２価イオンと、錯化剤と、還元剤とを含み、還元剤が３
価のチタンイオンを含む。めっき浴の温度は、４０〜８
０℃とされ、めっき浴のｐＨは、５．０〜１１．０とさ
れる。
性化処理された不導体基体上に、自己触媒的に半田を析
出させることが可能であり、任意の膜厚および皮膜組成
に設定できる、無電解半田めっき浴を提供する。 【構成】 金属イオンとして錫の２価イオンおよび鉛の
２価イオンと、錯化剤と、還元剤とを含み、還元剤が３
価のチタンイオンを含む。めっき浴の温度は、４０〜８
０℃とされ、めっき浴のｐＨは、５．０〜１１．０とさ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、無電解半田めっき浴
に関するもので、特に、そのようなめっき浴に含まれる
還元剤の改良に関するものである。
に関するもので、特に、そのようなめっき浴に含まれる
還元剤の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、半田めっきは、工業的には、ほと
んど電気めっきにより行なわれている。しかしながら、
電気めっきによる場合、電流分布などにより、膜厚の不
均一などが発生するという問題がある。そのため、半田
の皮膜を得るため、以下に述べるような電気めっき法に
代わるいくつかの方法が検討されているが、それぞれに
は解決されるべき問題がある。
んど電気めっきにより行なわれている。しかしながら、
電気めっきによる場合、電流分布などにより、膜厚の不
均一などが発生するという問題がある。そのため、半田
の皮膜を得るため、以下に述べるような電気めっき法に
代わるいくつかの方法が検討されているが、それぞれに
は解決されるべき問題がある。
【０００３】たとえば、無電解めっき法により、錫、鉛
および半田のいずれかを析出させようとする場合、通常
の無電解ニッケルめっきや無電解銅めっきで用いられて
いる還元剤である、次亜リン酸ナトリウム、ホルムアル
デヒドまたはホウ水素化物などを還元剤として用いるこ
とが考えられる。しかしながら、錫および鉛は、無電解
ニッケルめっき浴または無電解銅めっき浴中に添加する
と、めっき反応を抑制したり、停止させたりする、とい
った触媒毒性を示す元素として知られている。したがっ
て、無電解半田めっき操作において、上述したような還
元剤を用いても、半田を無電解的に析出させることがで
きない。また、半田をわずかに析出させることができた
としても、錫および鉛は自己触媒性を有していないた
め、厚いめっき膜を形成することは到底不可能である。
および半田のいずれかを析出させようとする場合、通常
の無電解ニッケルめっきや無電解銅めっきで用いられて
いる還元剤である、次亜リン酸ナトリウム、ホルムアル
デヒドまたはホウ水素化物などを還元剤として用いるこ
とが考えられる。しかしながら、錫および鉛は、無電解
ニッケルめっき浴または無電解銅めっき浴中に添加する
と、めっき反応を抑制したり、停止させたりする、とい
った触媒毒性を示す元素として知られている。したがっ
て、無電解半田めっき操作において、上述したような還
元剤を用いても、半田を無電解的に析出させることがで
きない。また、半田をわずかに析出させることができた
としても、錫および鉛は自己触媒性を有していないた
め、厚いめっき膜を形成することは到底不可能である。
【０００４】また、チオ尿素を用いて銅上に置換析出さ
せるめっき方法や、錫の不均化反応を利用した析出方法
も報告されているが、前者は、強酸性溶液をめっき浴と
して用いるため、めっきされるべき基体が耐酸性でなけ
ればならないといった問題や、銅上でないと置換析出反
応が起こらないといった問題がある。また、後者につい
ては、強アルカリ性でないと不均化反応が起こらないと
いった問題や、錫単体のみの反応であるといった問題が
ある。
せるめっき方法や、錫の不均化反応を利用した析出方法
も報告されているが、前者は、強酸性溶液をめっき浴と
して用いるため、めっきされるべき基体が耐酸性でなけ
ればならないといった問題や、銅上でないと置換析出反
応が起こらないといった問題がある。また、後者につい
ては、強アルカリ性でないと不均化反応が起こらないと
いった問題や、錫単体のみの反応であるといった問題が
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】それゆえに、この発明
の目的は、金属上であっても、活性化された不導体基体
上であっても、自己触媒的に半田を任意の膜厚および任
意の皮膜組成で析出させることができる無電解半田めっ
き浴を提供しようとすることである。
の目的は、金属上であっても、活性化された不導体基体
上であっても、自己触媒的に半田を任意の膜厚および任
意の皮膜組成で析出させることができる無電解半田めっ
き浴を提供しようとすることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る無電解半
田めっき浴は、上述した技術的課題を解決するため、金
属イオンとして錫の２価イオンおよび鉛の２価イオン
と、錯化剤と、還元剤とを含み、還元剤が３価のチタン
イオンを含むことを特徴としている。
田めっき浴は、上述した技術的課題を解決するため、金
属イオンとして錫の２価イオンおよび鉛の２価イオン
と、錯化剤と、還元剤とを含み、還元剤が３価のチタン
イオンを含むことを特徴としている。
【０００７】
【作用】この発明では、３価のチタンイオンを還元剤と
して使用することにより、たとえば銅またはニッケルな
どの金属上、あるいはＳｎＣｌ2 溶液およびＰｄＣｌ2
溶液により活性化処理された不導体基体上に、自己触媒
的に、半田めっき皮膜を析出させることができる。
して使用することにより、たとえば銅またはニッケルな
どの金属上、あるいはＳｎＣｌ2 溶液およびＰｄＣｌ2
溶液により活性化処理された不導体基体上に、自己触媒
的に、半田めっき皮膜を析出させることができる。
【０００８】この発明に係る無電解半田めっき浴を用い
た無電解めっき反応においては、還元剤である３価のチ
タンイオンの酸化反応により生じる電子が、浴中の錫イ
オンおよび鉛イオンを還元し、これら錫および鉛イオン
を金属状態になるまで変化させるものと考えられる。こ
の変化を簡単に示すと以下のようになる。
た無電解めっき反応においては、還元剤である３価のチ
タンイオンの酸化反応により生じる電子が、浴中の錫イ
オンおよび鉛イオンを還元し、これら錫および鉛イオン
を金属状態になるまで変化させるものと考えられる。こ
の変化を簡単に示すと以下のようになる。
【０００９】 Ｓｎ2+＋２Ｔｉ3+→Ｓｎ＋２Ｔｉ4+（ＴｉＯ2+） Ｐｂ2+＋２Ｔｉ3+→Ｐｂ＋２Ｔｉ4+（ＴｉＯ2+） このめっき反応は、水素発生を伴わないので、無電解銅
めっきなどにおける問題点として指摘されている異常析
出が少ないという特徴を有している。ここで、被めっき
物上に析出される半田めっき皮膜は、自己触媒的に反応
を継続し、任意の厚みのめっき皮膜を形成することがで
きる。また、３価のチタンイオンを還元剤として使用す
ることにより、錫および鉛は、触媒毒性を示すことがな
くなる。
めっきなどにおける問題点として指摘されている異常析
出が少ないという特徴を有している。ここで、被めっき
物上に析出される半田めっき皮膜は、自己触媒的に反応
を継続し、任意の厚みのめっき皮膜を形成することがで
きる。また、３価のチタンイオンを還元剤として使用す
ることにより、錫および鉛は、触媒毒性を示すことがな
くなる。
【００１０】
【発明の効果】したがって、この発明によれば、たとえ
ば、浴温、めっき時間等の操作により、任意の膜厚の半
田皮膜を得ることができる。また、めっき浴中の錫の２
価イオンと鉛の２価イオンとの濃度、浴のｐＨ等を変え
ることにより、任意の皮膜組成を得ることができる。
ば、浴温、めっき時間等の操作により、任意の膜厚の半
田皮膜を得ることができる。また、めっき浴中の錫の２
価イオンと鉛の２価イオンとの濃度、浴のｐＨ等を変え
ることにより、任意の皮膜組成を得ることができる。
【００１１】また、めっき浴のｐＨ値を５．０〜１１．
０の弱酸性から弱アルカリ性の範囲内に設定できるの
で、基体が侵されることがほとんどなく、しかも、作業
上、危険性が低減する。
０の弱酸性から弱アルカリ性の範囲内に設定できるの
で、基体が侵されることがほとんどなく、しかも、作業
上、危険性が低減する。
【００１２】
【実施例】この発明による無電解半田めっき浴において
用いられる錫の２価イオンとしては、たとえば、ＳｎＣ
ｌ2 、ＳｎＳＯ4 、Ｓｎ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 などがあ
る。また、鉛の２価イオンとしては、たとえば、ＰｂＣ
ｌ2 、ＰｂＳＯ4 などがある。
用いられる錫の２価イオンとしては、たとえば、ＳｎＣ
ｌ2 、ＳｎＳＯ4 、Ｓｎ（ＣＨ3 ＣＯＯ）2 などがあ
る。また、鉛の２価イオンとしては、たとえば、ＰｂＣ
ｌ2 、ＰｂＳＯ4 などがある。
【００１３】２価の錫イオンと２価の鉛イオンとの錯化
剤としては、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウムなど
のアミノポリカルボン酸が用いられ得る。また、還元剤
である３価のチタンイオンの錯化剤としては、ニトリロ
三酢酸が用いられ得る。その他、特定のイオンに対する
錯化剤として明記できないが、クエン酸などのオキシカ
ルボン酸を錯化剤として用いることもある。もちろん、
以上列挙した錯化剤は、一例にすぎず、これらに限定さ
れるものではない。
剤としては、エチレンジアミン四酢酸二ナトリウムなど
のアミノポリカルボン酸が用いられ得る。また、還元剤
である３価のチタンイオンの錯化剤としては、ニトリロ
三酢酸が用いられ得る。その他、特定のイオンに対する
錯化剤として明記できないが、クエン酸などのオキシカ
ルボン酸を錯化剤として用いることもある。もちろん、
以上列挙した錯化剤は、一例にすぎず、これらに限定さ
れるものではない。
【００１４】３価のチタンイオンとしては、たとえば、
ＴｉＣｌ3 、Ｔｉ（Ｓ2 Ｏ4 ）3 、ＴｉＩ3 、Ｔｉ（Ｃ
5 Ｈ5 ）3 などがある。
ＴｉＣｌ3 、Ｔｉ（Ｓ2 Ｏ4 ）3 、ＴｉＩ3 、Ｔｉ（Ｃ
5 Ｈ5 ）3 などがある。
【００１５】この発明の一実施例による無電解半田めっ
き浴は、上述した組成を考慮しながら、たとえば、以下
のような組成を有するように選ばれる。 クエン酸三ナトリウム ０．０５〜０．５０mol ／リットル エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム ０．０２〜０．１６mol ／リットル ニトリロ三酢酸 ０．０５〜０．４０mol ／リットル 塩化第一錫＋塩化鉛 ０．０２〜０．１６mol ／リットル 三塩化チタン ０．０２〜０．０８mol ／リットル また、めっき浴の温度に関して、室温においてもめっき
析出が可能であるが、析出速度を考慮すると、４０〜８
０℃の範囲が好ましい。４０℃未満であると、析出速度
が低下し、逆に８０℃を超えると、めっき浴が分解しや
すくなり、そのため、被めっき物以外への異常析出や析
出物の沈殿が見られるようになる。
き浴は、上述した組成を考慮しながら、たとえば、以下
のような組成を有するように選ばれる。 クエン酸三ナトリウム ０．０５〜０．５０mol ／リットル エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム ０．０２〜０．１６mol ／リットル ニトリロ三酢酸 ０．０５〜０．４０mol ／リットル 塩化第一錫＋塩化鉛 ０．０２〜０．１６mol ／リットル 三塩化チタン ０．０２〜０．０８mol ／リットル また、めっき浴の温度に関して、室温においてもめっき
析出が可能であるが、析出速度を考慮すると、４０〜８
０℃の範囲が好ましい。４０℃未満であると、析出速度
が低下し、逆に８０℃を超えると、めっき浴が分解しや
すくなり、そのため、被めっき物以外への異常析出や析
出物の沈殿が見られるようになる。
【００１６】また、めっき浴のｐＨは、弱酸性から弱ア
ルカリ性の領域、すなわち、５．０〜１１．０であるこ
とが好ましい。ｐＨが５．０未満であると、析出速度が
低下し、他方、１１．０を超えると、めっき浴が分解し
やすくなり、被めっき物以外への異常析出や析出物の沈
殿が見られるようになる。ｐＨ調整剤としては、アンモ
ニア水または炭酸ナトリウムなど、めっき浴中で金属イ
オンが水酸化物を生成しないようにできるものであれば
よい。
ルカリ性の領域、すなわち、５．０〜１１．０であるこ
とが好ましい。ｐＨが５．０未満であると、析出速度が
低下し、他方、１１．０を超えると、めっき浴が分解し
やすくなり、被めっき物以外への異常析出や析出物の沈
殿が見られるようになる。ｐＨ調整剤としては、アンモ
ニア水または炭酸ナトリウムなど、めっき浴中で金属イ
オンが水酸化物を生成しないようにできるものであれば
よい。
【００１７】また、無電解半田めっきが適用される被め
っき物としては、ニッケルおよび銅などの金属、また
は、プラスチックやセラミックなどの非導電性のものが
ある。金属にめっきが適用される場合には、酸洗浄や研
磨などにより、その表面を清浄にしておくことが好まし
い。また、非導電性のものにめっきが適用される場合に
は、錫溶液とパラジウム溶液を用いて、その表面に予め
触媒を付与しておくことが好ましい。
っき物としては、ニッケルおよび銅などの金属、また
は、プラスチックやセラミックなどの非導電性のものが
ある。金属にめっきが適用される場合には、酸洗浄や研
磨などにより、その表面を清浄にしておくことが好まし
い。また、非導電性のものにめっきが適用される場合に
は、錫溶液とパラジウム溶液を用いて、その表面に予め
触媒を付与しておくことが好ましい。
【００１８】以下に、この発明に従って実施した実験例
について記載する。 実験例１ 次のような組成の無電解半田めっき浴を準備した。
について記載する。 実験例１ 次のような組成の無電解半田めっき浴を準備した。
【００１９】 クエン酸三ナトリウム塩 ０．３４mol ／リットル ＥＤＴＡ・二ナトリウム塩 ０．０８mol ／リットル ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ） ０．２０mol ／リットル ＳｎＣｌ2 ・２Ｈ2 Ｏ ０．０８mol ／リットル ＰｂＣｌ2 ０．００１６mol ／リットル ＴｉＣｌ3 ０．０４mol ／リットル （ｐＨ調整：２８％アンモニア水） ＳｎＣｌ2 溶液とＰｄＣｌ2 溶液とにより活性化処理を
施した、無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、ｐＨ９．０、
７０℃の条件で、６０分のめっき処理を行なったとこ
ろ、厚さ２μｍの半田めっき皮膜を得た。このときの皮
膜組成は、Ｓｎ：Ｐｂ＝６０：４０であった。
施した、無電解Ｎｉ−Ｐめっき皮膜上に、ｐＨ９．０、
７０℃の条件で、６０分のめっき処理を行なったとこ
ろ、厚さ２μｍの半田めっき皮膜を得た。このときの皮
膜組成は、Ｓｎ：Ｐｂ＝６０：４０であった。
【００２０】実験例２ 次のような組成の無電解半田めっき浴を準備した。
【００２１】 クエン酸三ナトリウム塩 ０．３４mol ／リットル ＥＤＴＡ・二ナトリウム塩 ０．０８mol ／リットル ニトリロ三酢酸（ＮＴＡ） ０．２０mol ／リットル ＳｎＣｌ2 ・２Ｈ2 Ｏ ０．０８mol ／リットル ＰｂＣｌ2 ０．００１６mol ／リットル チオ尿素 ０．０８mol ／リットル ＴｉＣｌ3 ０．０４mol ／リットル （ｐＨ調整：２８％アンモニア水） 酸浸漬した銅板上に、ｐＨ９．０、７０℃の条件で、４
５分間のめっき処理を施したところ、厚さ１μｍの半田
めっき皮膜を得た。このときの皮膜組成は、Ｓｎ：Ｐｂ
＝７０：３０であった。
５分間のめっき処理を施したところ、厚さ１μｍの半田
めっき皮膜を得た。このときの皮膜組成は、Ｓｎ：Ｐｂ
＝７０：３０であった。
Claims (3)
- 【請求項１】 金属イオンとして錫の２価イオンおよび
鉛の２価イオンと、錯化剤と、還元剤とを含み、前記還
元剤が３価のチタンイオンを含む、無電解半田めっき
浴。 - 【請求項２】 めっき浴の温度が４０〜８０℃、めっき
浴のｐＨが５．０〜１１．０である、請求項１に記載の
無電解半田めっき浴。 - 【請求項３】 以下の組成を有する、請求項１に記載の
無電解半田めっき浴。 クエン酸三ナトリウム ０．０５〜０．５０mol ／リットル エチレンジアミン四酢酸二ナトリウム ０．０２〜０．１６mol ／リットル ニトリロ三酢酸 ０．０５〜０．４０mol ／リットル 塩化第一錫＋塩化鉛 ０．０２〜０．１６mol ／リットル 三塩化チタン ０．０２〜０．０８mol ／リットル
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16814593A JPH06101056A (ja) | 1992-08-05 | 1993-07-07 | 無電解半田めっき浴 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20875092 | 1992-08-05 | ||
| JP4-208750 | 1992-08-05 | ||
| JP16814593A JPH06101056A (ja) | 1992-08-05 | 1993-07-07 | 無電解半田めっき浴 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06101056A true JPH06101056A (ja) | 1994-04-12 |
Family
ID=26491964
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16814593A Withdrawn JPH06101056A (ja) | 1992-08-05 | 1993-07-07 | 無電解半田めっき浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101056A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576053A (en) * | 1993-05-11 | 1996-11-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming an electrode on an electronic part |
| US6338787B1 (en) | 1999-04-06 | 2002-01-15 | Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. | Redox system electroless plating method |
| JP2008138266A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | ハンダ粉末及び該粉末を用いたハンダ用ペースト |
| KR100973007B1 (ko) * | 2008-01-29 | 2010-07-30 | 삼성전기주식회사 | 금속제품의 무전해 주석 환원 도금용 도금액 및 이를이용한 금속제품의 무전해 주석 환원 도금방법 |
-
1993
- 1993-07-07 JP JP16814593A patent/JPH06101056A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5576053A (en) * | 1993-05-11 | 1996-11-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming an electrode on an electronic part |
| US6338787B1 (en) | 1999-04-06 | 2002-01-15 | Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. | Redox system electroless plating method |
| US6852210B2 (en) | 1999-04-06 | 2005-02-08 | Daiwa Fine Chemicals Co., Ltd. | Plating method and plating bath precursor used therefor |
| JP2008138266A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | ハンダ粉末及び該粉末を用いたハンダ用ペースト |
| KR100973007B1 (ko) * | 2008-01-29 | 2010-07-30 | 삼성전기주식회사 | 금속제품의 무전해 주석 환원 도금용 도금액 및 이를이용한 금속제품의 무전해 주석 환원 도금방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL7907555A (nl) | Preparaat voor het stroomloos afzetten van koper; werkwijze voor het continu stroomloos afzetten van een koperbekleding. | |
| US6183546B1 (en) | Coating compositions containing nickel and boron | |
| US5364459A (en) | Electroless plating solution | |
| US6066406A (en) | Coating compositions containing nickel and boron | |
| JPH0247551B2 (ja) | ||
| JPH02500673A (ja) | 無電解ニッケルめっき浴の製造および使用方法 | |
| JPH04325688A (ja) | 無電解めっき浴 | |
| US3953624A (en) | Method of electrolessly depositing nickel-phosphorus alloys | |
| US3841881A (en) | Method for electroless deposition of metal using improved colloidal catalyzing solution | |
| JPH06101056A (ja) | 無電解半田めっき浴 | |
| US5360471A (en) | Electroless solder plating bath | |
| IL125249A (en) | Removal of orthophosphite ions from baths for nickel-plating without electricity | |
| JPH0257153B2 (ja) | ||
| JPH05214549A (ja) | 無電解ビスマスめっき膜の形成方法および無電解ビスマスめっき浴 | |
| JPH08176837A (ja) | 無電解ニッケルリンめっき液 | |
| JP4230813B2 (ja) | 金めっき液 | |
| JPS6141774A (ja) | 水性・無電解ニツケル改良浴及び方法 | |
| EP1078114A1 (en) | Coating compositions containing nickel and boron | |
| JP3243889B2 (ja) | 無電解銅めっき浴 | |
| JPH06256963A (ja) | 無電解Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ合金めっき液 | |
| JP2004100014A (ja) | セラミック電子部品の製造方法、及びセラミック電子部品 | |
| JP2005047752A (ja) | 酸化亜鉛膜の皮膜構造の制御方法 | |
| JP3201269B2 (ja) | 無電解めっき浴の再生方法 | |
| JPH06256964A (ja) | 無電解Ｎｉ−Ｓｎ系合金めっき液 | |
| JPH0361380A (ja) | 無電解すずめっき浴 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001003 |