JPH06256964A - 無電解Ｎｉ−Ｓｎ系合金めっき液 - Google Patents
無電解Ｎｉ−Ｓｎ系合金めっき液Info
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- JPH06256964A JPH06256964A JP6935293A JP6935293A JPH06256964A JP H06256964 A JPH06256964 A JP H06256964A JP 6935293 A JP6935293 A JP 6935293A JP 6935293 A JP6935293 A JP 6935293A JP H06256964 A JPH06256964 A JP H06256964A
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- JP
- Japan
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- ion
- plating
- electroless
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- plating solution
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Sn含有量の高いNi−Sn−Ｐ合金めっき皮膜を
安定して形成することができる無電解めっき手段を確立
する。 【構成】 無電解Ni−Sn系合金めっき液を、２価のNiイ
オン：0.07〜0.12mol/L,２価のNiイオンに対するクエン
酸イオンのモル比：１以上３未満，４価のSnイオン：
0.015〜0.08mol/L,グルコン酸イオン：４価のSnイオン
の等モル以上，水素化ホウ素化合物： 0.005〜 0.1mol/
Lを含むと共に、ｐＨが７〜１１に調整された水溶液か
ら成る構成とする。
安定して形成することができる無電解めっき手段を確立
する。 【構成】 無電解Ni−Sn系合金めっき液を、２価のNiイ
オン：0.07〜0.12mol/L,２価のNiイオンに対するクエン
酸イオンのモル比：１以上３未満，４価のSnイオン：
0.015〜0.08mol/L,グルコン酸イオン：４価のSnイオン
の等モル以上，水素化ホウ素化合物： 0.005〜 0.1mol/
Lを含むと共に、ｐＨが７〜１１に調整された水溶液か
ら成る構成とする。
Description
【０００１】
【従来技術とその課題】この発明は、Sn含有量の高いNi
−Sn系合金めっき皮膜を安定して形成することができる
“無電解Ni−Sn系合金めっき液”に関するものである。
−Sn系合金めっき皮膜を安定して形成することができる
“無電解Ni−Sn系合金めっき液”に関するものである。
【０００２】
【従来技術とその課題】プリント回路基板用として用い
られる銅箔では、これまでは表面性状の経時的劣化を防
止する目的で表面にCr薄膜を形成する“防錆処理”が施
されてきたが、最近になって、耐薬品性，耐熱性，ハン
ダ付け性等の点でも有利であるということからNi−Sn合
金めっきの薄膜を付与することが提案されている（例え
ば特開平４−２０６８８９号公報）。
られる銅箔では、これまでは表面性状の経時的劣化を防
止する目的で表面にCr薄膜を形成する“防錆処理”が施
されてきたが、最近になって、耐薬品性，耐熱性，ハン
ダ付け性等の点でも有利であるということからNi−Sn合
金めっきの薄膜を付与することが提案されている（例え
ば特開平４−２０６８８９号公報）。
【０００３】このように、Ni−Sn合金めっきが耐食性に
優れることは良く知られていることであり、その耐食性
はめっき皮膜中のSn含有量が高くなるにつれて向上する
とされている。また、次亜リン酸還元による無電解めっ
きにて形成した“Ni−Sn合金めっき”では、めっき皮膜
中に還元剤として使用する次亜リン酸からのＰが含有さ
れることになるが、このように還元剤成分が混入しため
っき皮膜であってもその特性に殆ど悪影響を及ぼさない
ばかりか、むしろ特性向上に結びつく場合が多いとさえ
言われている。勿論、このような無電解Ni−Sn系合金め
っきにおいても、Sn含有量が高くなるほど耐食性が向上
するものと考えられている。
優れることは良く知られていることであり、その耐食性
はめっき皮膜中のSn含有量が高くなるにつれて向上する
とされている。また、次亜リン酸還元による無電解めっ
きにて形成した“Ni−Sn合金めっき”では、めっき皮膜
中に還元剤として使用する次亜リン酸からのＰが含有さ
れることになるが、このように還元剤成分が混入しため
っき皮膜であってもその特性に殆ど悪影響を及ぼさない
ばかりか、むしろ特性向上に結びつく場合が多いとさえ
言われている。勿論、このような無電解Ni−Sn系合金め
っきにおいても、Sn含有量が高くなるほど耐食性が向上
するものと考えられている。
【０００４】一方、特開平１−１６９８１１号公報によ
ると、Snを含有する透明導電膜にリ−ド線や電子部品等
をハンダ付けする際、この透明導電膜上にNi−Sn系合金
（Ni−Sn−Ｐ合金）の無電解めっきを施しておくとハン
ダ付性が向上し、強固な接続が可能になるとされてお
り、このNi−Sn系合金無電解めっき皮膜の形成手段とし
て「表面の粗面化を行った基材をスズ酸ナトリウム，ク
エン酸ナトリウム，硫酸ニッケル，塩化アンモニウム並
びに次亜リン酸ナトリウムを含むｐＨ９の水溶液（９０
℃）中で処理する方法」が紹介されている。
ると、Snを含有する透明導電膜にリ−ド線や電子部品等
をハンダ付けする際、この透明導電膜上にNi−Sn系合金
（Ni−Sn−Ｐ合金）の無電解めっきを施しておくとハン
ダ付性が向上し、強固な接続が可能になるとされてお
り、このNi−Sn系合金無電解めっき皮膜の形成手段とし
て「表面の粗面化を行った基材をスズ酸ナトリウム，ク
エン酸ナトリウム，硫酸ニッケル，塩化アンモニウム並
びに次亜リン酸ナトリウムを含むｐＨ９の水溶液（９０
℃）中で処理する方法」が紹介されている。
【０００５】更に、特開平２−２０８８１６号公報に
は、アルミニウム合金基板上に順次非磁性めっき処理
層，クロム等の下地層，コバルト系合金の磁性薄膜層，
炭素質の保護膜層を被覆して成る磁気記録媒体におい
て、その非磁性めっき処理層をNi−Sn系合金（Ni−Sn−
Ｐ合金）無電解めっき皮膜とした場合にはノイズが抑制
されＳ／Ｎ値が向上することが開示されており、そのNi
−Sn−Ｐ系合金無電解めっき皮膜の形成手段として「基
材をニッケル：６g/L(リットル) ，リン酸：１３g/L ，ス
ズ：２００mg/Lの無電解めっき浴（９０℃）中で処理す
る方法」が紹介されている。
は、アルミニウム合金基板上に順次非磁性めっき処理
層，クロム等の下地層，コバルト系合金の磁性薄膜層，
炭素質の保護膜層を被覆して成る磁気記録媒体におい
て、その非磁性めっき処理層をNi−Sn系合金（Ni−Sn−
Ｐ合金）無電解めっき皮膜とした場合にはノイズが抑制
されＳ／Ｎ値が向上することが開示されており、そのNi
−Sn−Ｐ系合金無電解めっき皮膜の形成手段として「基
材をニッケル：６g/L(リットル) ，リン酸：１３g/L ，ス
ズ：２００mg/Lの無電解めっき浴（９０℃）中で処理す
る方法」が紹介されている。
【０００６】このように、Ni−Sn系合金のめっき皮膜に
は様々な用途が考えられたが、一方で次のような問題が
あった。即ち、電気めっき法によった場合にはSn含有量
が４８at％（６５重量％）という高Sn含有皮膜が得られ
るとの報告があるものの、無電解めっき法ではこれまで
精々Sn含有量が１０at％程度までの皮膜しか得られてお
らず（一部２８at％以下程度のものが得られたとする報
告もある）、そのため実際の用途は制限されざるを得な
かったのである。
は様々な用途が考えられたが、一方で次のような問題が
あった。即ち、電気めっき法によった場合にはSn含有量
が４８at％（６５重量％）という高Sn含有皮膜が得られ
るとの報告があるものの、無電解めっき法ではこれまで
精々Sn含有量が１０at％程度までの皮膜しか得られてお
らず（一部２８at％以下程度のものが得られたとする報
告もある）、そのため実際の用途は制限されざるを得な
かったのである。
【０００７】従って、無電解Ni−Sn系合金めっきによっ
て得られるめっき皮膜中のSn含有量を増やすことができ
れば、耐食性を始めとした皮膜性能の更なる改善を期待
することができ、基材の種類を選ばずに皮膜形成が容易
に行えるという無電解めっきの特長も活かされてその用
途は一段と広範になると考えられた。
て得られるめっき皮膜中のSn含有量を増やすことができ
れば、耐食性を始めとした皮膜性能の更なる改善を期待
することができ、基材の種類を選ばずに皮膜形成が容易
に行えるという無電解めっきの特長も活かされてその用
途は一段と広範になると考えられた。
【０００８】このようなことから、本発明が目的とした
のは、Sn含有量のより高いNi−Sn系合金めっき皮膜を安
定して形成することが可能な無電解めっき手段を確立す
ることである。
のは、Sn含有量のより高いNi−Sn系合金めっき皮膜を安
定して形成することが可能な無電解めっき手段を確立す
ることである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は上
記目的を達成すべく数多くの試験を重ねながら鋭意研究
を行った結果、次のような知見を得ることができた。即
ち、Ni−Sn系無電解めっき液を、クエン酸及びグルコン
酸を含むアルカリ性水溶液に金属イオンとして２価のNi
イオン及び４価のSnイオンを添加し、これに加え還元剤
として水素化ホウ素化合物を含有させて建浴すると共
に、含まれる２価のNiイオン，４価のSnイオン及び水素
化ホウ素化合物の含有割合、クエン酸と２価のNiイオン
とのモル比、並びにグルコン酸と４価のSnイオンとのモ
ル比を特定の範囲に規制し、更に液のｐＨを特定範囲に
調整した場合には、これまで無電解めっきによっては実
現できなかった高いSn含有量のNi−Sn系合金皮膜を種々
の基材上に安定して形成できるようになることを見出し
たのである。
記目的を達成すべく数多くの試験を重ねながら鋭意研究
を行った結果、次のような知見を得ることができた。即
ち、Ni−Sn系無電解めっき液を、クエン酸及びグルコン
酸を含むアルカリ性水溶液に金属イオンとして２価のNi
イオン及び４価のSnイオンを添加し、これに加え還元剤
として水素化ホウ素化合物を含有させて建浴すると共
に、含まれる２価のNiイオン，４価のSnイオン及び水素
化ホウ素化合物の含有割合、クエン酸と２価のNiイオン
とのモル比、並びにグルコン酸と４価のSnイオンとのモ
ル比を特定の範囲に規制し、更に液のｐＨを特定範囲に
調整した場合には、これまで無電解めっきによっては実
現できなかった高いSn含有量のNi−Sn系合金皮膜を種々
の基材上に安定して形成できるようになることを見出し
たのである。
【００１０】本発明は、上記知見事項等を基に完成され
たものであり、「無電解Ni−Sn系合金めっき液を、２価
のNiイオン：0.07〜0.12mol/L,２価のNiイオンに対する
クエン酸イオンのモル比：１以上３未満，４価のSnイオ
ン： 0.015〜0.08mol/L,グルコン酸イオン：４価のSnイ
オンの等モル以上，水素化ホウ素化合物： 0.005〜 0.1
mol/Lを含むと共に、 ｐＨが７〜１１に調整された水溶
液から成る構成としたことにより、 高Sn含有量のNi−Sn
系合金めっき皮膜を安定形成できるようにした点」に大
きな特徴を有している。
たものであり、「無電解Ni−Sn系合金めっき液を、２価
のNiイオン：0.07〜0.12mol/L,２価のNiイオンに対する
クエン酸イオンのモル比：１以上３未満，４価のSnイオ
ン： 0.015〜0.08mol/L,グルコン酸イオン：４価のSnイ
オンの等モル以上，水素化ホウ素化合物： 0.005〜 0.1
mol/Lを含むと共に、 ｐＨが７〜１１に調整された水溶
液から成る構成としたことにより、 高Sn含有量のNi−Sn
系合金めっき皮膜を安定形成できるようにした点」に大
きな特徴を有している。
【００１１】以下、本発明においてめっき液成分の濃度
並びにめっき液のｐＨを前記の如くに限定した理由を、
その作用・効果と共に説明する。
並びにめっき液のｐＨを前記の如くに限定した理由を、
その作用・効果と共に説明する。
〔めっき液成分の濃度〕 a) ２価のNiイオン めっき液中の２価のNiイオン濃度は、 0.07mol/L未満で
あるとめっき反応が遅くなって実用に適さなくなり、一
方 0.12mol/Lを超えると析出物（めっき皮膜）のSn含有
量が低下することから0.07〜0.12mol/L と定めたが、よ
り好ましい範囲は0.08〜0.10mol/L である。なお、２価
のNiイオンは硫酸塩や塩化物の形態で供給すれば良い。
あるとめっき反応が遅くなって実用に適さなくなり、一
方 0.12mol/Lを超えると析出物（めっき皮膜）のSn含有
量が低下することから0.07〜0.12mol/L と定めたが、よ
り好ましい範囲は0.08〜0.10mol/L である。なお、２価
のNiイオンは硫酸塩や塩化物の形態で供給すれば良い。
【００１２】b) ２価のNiイオンに対するクエン酸イオ
ンのモル比 クエン酸（Ｒ）イオンはNiイオンの錯化剤として作用
し、Ni−Ｒ，Ni−Ｒ2 ，Ni−Ｒ3 のキレ−ト（錯体）を
形成してSnの析出を促進する働きをする。しかしなが
ら、２価のNiイオンに対するクエン酸イオンのモル比
“クエン酸イオン／２価のNiイオンのモル比”が１未満
であると２価のNiイオンに対する錯化力が低下するので
めっき液が白濁するほか、析出物中のNi含有量が多くな
り、そのため従来以上のめっき皮膜中Sn含有量を確保す
ることができなくなる。一方、“クエン酸イオン／２価
のNiイオンのモル比”が３以上であるとNiイオンがクエ
ン酸イオンと安定度の高いキレ−トを形成し、次亜リン
酸イオンをもってしても還元されなくなってめっき反応
が起こらなくなる。このため、２価のNiイオンに対しモ
ル比で１倍以上３倍未満のクエン酸イオンを含有させる
ことと定めたが、より好ましいモル比の範囲は 1.5〜
2.5である。なお、めっき液中のクエン酸イオン源とし
ては、クエン酸，クエン酸塩の何れによっても差支えな
いことは言うまでもない。
ンのモル比 クエン酸（Ｒ）イオンはNiイオンの錯化剤として作用
し、Ni−Ｒ，Ni−Ｒ2 ，Ni−Ｒ3 のキレ−ト（錯体）を
形成してSnの析出を促進する働きをする。しかしなが
ら、２価のNiイオンに対するクエン酸イオンのモル比
“クエン酸イオン／２価のNiイオンのモル比”が１未満
であると２価のNiイオンに対する錯化力が低下するので
めっき液が白濁するほか、析出物中のNi含有量が多くな
り、そのため従来以上のめっき皮膜中Sn含有量を確保す
ることができなくなる。一方、“クエン酸イオン／２価
のNiイオンのモル比”が３以上であるとNiイオンがクエ
ン酸イオンと安定度の高いキレ−トを形成し、次亜リン
酸イオンをもってしても還元されなくなってめっき反応
が起こらなくなる。このため、２価のNiイオンに対しモ
ル比で１倍以上３倍未満のクエン酸イオンを含有させる
ことと定めたが、より好ましいモル比の範囲は 1.5〜
2.5である。なお、めっき液中のクエン酸イオン源とし
ては、クエン酸，クエン酸塩の何れによっても差支えな
いことは言うまでもない。
【００１３】c) ４価のSnイオン めっき液中の４価のSnイオン濃度が0.015mol/L未満であ
ると、析出物中のSn含有量が低下して従来以上のめっき
皮膜中Sn含有量を確保できなくなる。一方、Snイオンは
元々還元反応の触媒毒であるが、特にめっき液中の４価
のSnイオン濃度が 0.08mol/Lを超えると次亜リン酸イオ
ンの還元力が失われてめっき反応が起こらなくなる。従
って、４価のSnイオン濃度を 0.015〜0.08mol/L と定め
たが、より好ましい範囲は0.02〜0.07mol/L である。
ると、析出物中のSn含有量が低下して従来以上のめっき
皮膜中Sn含有量を確保できなくなる。一方、Snイオンは
元々還元反応の触媒毒であるが、特にめっき液中の４価
のSnイオン濃度が 0.08mol/Lを超えると次亜リン酸イオ
ンの還元力が失われてめっき反応が起こらなくなる。従
って、４価のSnイオン濃度を 0.015〜0.08mol/L と定め
たが、より好ましい範囲は0.02〜0.07mol/L である。
【００１４】なお、４価のSnイオン源としては塩化物等
が一般的であるが、例えば次のような処理を施して溶解
し、使用すれば良い。即ち、まず例えば塩化第二スズを
水に溶解し、NaＯＨ溶液を滴下する。この処理によって
最初は白色の沈澱ができるが、NaＯＨの滴下を続けると
液は透明になる。そこで、これにグルコン酸ナトリウム
をスズの２倍モル加える。この際の反応式は下記の通り
である。 SnCl4＋６NaＯＨ→ Na2SnＯ3 ＋４NaCl＋３Ｈ2 Ｏ Na2SnＯ3 ＋Na-Gluconate → Sn-Complex これをろ過して使用する。
が一般的であるが、例えば次のような処理を施して溶解
し、使用すれば良い。即ち、まず例えば塩化第二スズを
水に溶解し、NaＯＨ溶液を滴下する。この処理によって
最初は白色の沈澱ができるが、NaＯＨの滴下を続けると
液は透明になる。そこで、これにグルコン酸ナトリウム
をスズの２倍モル加える。この際の反応式は下記の通り
である。 SnCl4＋６NaＯＨ→ Na2SnＯ3 ＋４NaCl＋３Ｈ2 Ｏ Na2SnＯ3 ＋Na-Gluconate → Sn-Complex これをろ過して使用する。
【００１５】d) グルコン酸イオン グルコン酸イオンは４価のSnイオンの錯化剤となり、Sn
イオンが他の成分と結び付いてめっき皮膜として析出し
にくくなるのを防止する作用を有している。しかし、そ
の濃度が４価のSnイオンと等モルに達していないと上記
作用による効果が十分でないことから、グルコン酸イオ
ンの濃度を４価のSnイオンの等モル以上と定めたが、実
際作業ではモル比で２倍以上の濃度を確保するのが好ま
しい。なお、グルコン酸イオンの濃度が高くなってもそ
れによる悪影響は殆どないことからグルコン酸イオン濃
度の上限は特に定めない。また、めっき液中のグルコン
酸イオン源についても、グルコン酸，グルコン酸塩の何
れに求めても差支えないことは言うまでもない。
イオンが他の成分と結び付いてめっき皮膜として析出し
にくくなるのを防止する作用を有している。しかし、そ
の濃度が４価のSnイオンと等モルに達していないと上記
作用による効果が十分でないことから、グルコン酸イオ
ンの濃度を４価のSnイオンの等モル以上と定めたが、実
際作業ではモル比で２倍以上の濃度を確保するのが好ま
しい。なお、グルコン酸イオンの濃度が高くなってもそ
れによる悪影響は殆どないことからグルコン酸イオン濃
度の上限は特に定めない。また、めっき液中のグルコン
酸イオン源についても、グルコン酸，グルコン酸塩の何
れに求めても差支えないことは言うまでもない。
【００１６】e) 水素化ホウ素物化合物 水素化ホウ素物化合物は、Ni，Snを析出させるための還
元剤としての働きをするが、その濃度が0.005mol/L未満
では前記作用による所望の効果が得られず、一方、0.10
mol/Lを超えて含有させることは効果面を考えると経済
的に不利であると判断される。従って、めっき液中の水
素化ホウ素物化合物濃度は 0.005〜 0.1mol/L と定め
た。水素化ホウ素物化合物としては、例えばＤＭＡＢ
（ジメチルアミンボラン），ＤＥＡＢ（ジエチルアミン
ボラン），NaＢＨ4(水素化ホウ素ナトリウム）等を使用
することができる。
元剤としての働きをするが、その濃度が0.005mol/L未満
では前記作用による所望の効果が得られず、一方、0.10
mol/Lを超えて含有させることは効果面を考えると経済
的に不利であると判断される。従って、めっき液中の水
素化ホウ素物化合物濃度は 0.005〜 0.1mol/L と定め
た。水素化ホウ素物化合物としては、例えばＤＭＡＢ
（ジメチルアミンボラン），ＤＥＡＢ（ジエチルアミン
ボラン），NaＢＨ4(水素化ホウ素ナトリウム）等を使用
することができる。
【００１７】なお、このように本発明の無電解めっき液
は還元剤として水素化ホウ化物化合物を使用する関係
上、得られるめっき皮膜はNi−Sn−Ｂの合金組成となる
が、Ｂが含有されていてもその耐食性に悪影響が及ばな
いばかりか、逆に耐食性，耐熱性，ハンダ付け性等の面
でより好ましい効果が得られる。
は還元剤として水素化ホウ化物化合物を使用する関係
上、得られるめっき皮膜はNi−Sn−Ｂの合金組成となる
が、Ｂが含有されていてもその耐食性に悪影響が及ばな
いばかりか、逆に耐食性，耐熱性，ハンダ付け性等の面
でより好ましい効果が得られる。
【００１８】〔めっき液のｐＨ〕本発明めっき液の浴組
成であると、めっき液のｐＨが７未満では水素化ホウ素
化合物の還元力が失われてしまい、一方、ｐＨが１１を
超えると副反応である水素化ホウ素化合物の分解が激し
くなってめっき作業に悪影響が出てくる。このため、め
っき液のｐＨは７〜１１と定めたが、好ましくは８〜１
０に調整するのが良い。
成であると、めっき液のｐＨが７未満では水素化ホウ素
化合物の還元力が失われてしまい、一方、ｐＨが１１を
超えると副反応である水素化ホウ素化合物の分解が激し
くなってめっき作業に悪影響が出てくる。このため、め
っき液のｐＨは７〜１１と定めたが、好ましくは８〜１
０に調整するのが良い。
【００１９】次いで、本発明を実施例により更に具体的
に説明する。
に説明する。
【実施例】めっき試験板として圧延銅箔（厚さ７０μ
ｍ，幅２０mm，長さ３０mm）を準備し、これに脱脂，酸
洗，ソフトエッチング，Pd触媒付与といった通常の無電
解めっき用活性化処理を施してからめっき試験に供し
た。
ｍ，幅２０mm，長さ３０mm）を準備し、これに脱脂，酸
洗，ソフトエッチング，Pd触媒付与といった通常の無電
解めっき用活性化処理を施してからめっき試験に供し
た。
【００２０】めっき試験において使用しためっき液の組
成，ｐＨ及び液温は表１に示した通りであるが、その調
合には１リットルビ−カを用いた。そして、この際、ｐ
Ｈ調整はNaＯＨにより行った。なお、この例において、
めっき液成分のうちの水素化ホウ素化合物としてはＤＭ
ＡＢ（ジメチルアミンボラン）を用いた。また、めっき
試験では、上記めっき液を７０℃に維持し、これに上述
の活性化処理した試験板を３０分間浸漬して表面にめっ
き皮膜を無電解析出させた。
成，ｐＨ及び液温は表１に示した通りであるが、その調
合には１リットルビ−カを用いた。そして、この際、ｐ
Ｈ調整はNaＯＨにより行った。なお、この例において、
めっき液成分のうちの水素化ホウ素化合物としてはＤＭ
ＡＢ（ジメチルアミンボラン）を用いた。また、めっき
試験では、上記めっき液を７０℃に維持し、これに上述
の活性化処理した試験板を３０分間浸漬して表面にめっ
き皮膜を無電解析出させた。
【００２１】
【表１】
【００２２】このようにして形成されためっき析出物
（皮膜）の“組成”及び“析出速度”の測定結果を、表
１に併せて示す。なお、めっき析出物の組成は、めっき
物を基材の銅と共に酸に溶解した後、ＩＣＰ（発光分光
分析）で分析する方法にて測定した。また、めっきの析
出速度については、めっき前後の重量差より求めためっ
き膜厚を基に算出した。
（皮膜）の“組成”及び“析出速度”の測定結果を、表
１に併せて示す。なお、めっき析出物の組成は、めっき
物を基材の銅と共に酸に溶解した後、ＩＣＰ（発光分光
分析）で分析する方法にて測定した。また、めっきの析
出速度については、めっき前後の重量差より求めためっ
き膜厚を基に算出した。
【００２３】前記表１に示される結果からも明らかなよ
うに、本発明で規定する条件に従った場合には、Sn含有
量が非常に高いNi−Sn系合金（Ni−Sn−Ｂ合金）めっき
皮膜を無電解めっきによって実用上支障のない析出速度
でもって安定形成できることを確認できる。
うに、本発明で規定する条件に従った場合には、Sn含有
量が非常に高いNi−Sn系合金（Ni−Sn−Ｂ合金）めっき
皮膜を無電解めっきによって実用上支障のない析出速度
でもって安定形成できることを確認できる。
【００２４】
【効果の総括】以上に説明した如く、この発明によれ
ば、無電解めっきにより２８at％を超えるSn含有量のNi
−Sn系合金めっき皮膜を安定形成することが可能になる
など、産業上非常に有用な効果がもたらされる。
ば、無電解めっきにより２８at％を超えるSn含有量のNi
−Sn系合金めっき皮膜を安定形成することが可能になる
など、産業上非常に有用な効果がもたらされる。
Claims (1)
- 【請求項１】 ２価のNiイオン：0.07〜0.12mol/L,２価
のNiイオンに対するクエン酸イオンのモル比：１以上３
未満，４価のSnイオン： 0.015〜0.08mol/L,グルコン酸
イオン：４価のSnイオンの等モル以上，水素化ホウ素化
合物： 0.005〜 0.1mol/Lを含むと共に、ｐＨが７〜１
１に調整された水溶液から成ることを特徴とする、無電
解Ni−Sn系合金めっき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6935293A JPH06256964A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 無電解Ｎｉ−Ｓｎ系合金めっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6935293A JPH06256964A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 無電解Ｎｉ−Ｓｎ系合金めっき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06256964A true JPH06256964A (ja) | 1994-09-13 |
Family
ID=13400086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6935293A Pending JPH06256964A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 無電解Ｎｉ−Ｓｎ系合金めっき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06256964A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009209425A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解錫めっき浴及び無電解錫めっき方法 |
| JP2015021178A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 株式会社クオルテック | 無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｓｎめっき液 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP6935293A patent/JPH06256964A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009209425A (ja) * | 2008-03-05 | 2009-09-17 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解錫めっき浴及び無電解錫めっき方法 |
| JP2015021178A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 株式会社クオルテック | 無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｓｎめっき液 |
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