JPH06256963A - 無電解Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ合金めっき液 - Google Patents
無電解Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ合金めっき液Info
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- JPH06256963A JPH06256963A JP6935193A JP6935193A JPH06256963A JP H06256963 A JPH06256963 A JP H06256963A JP 6935193 A JP6935193 A JP 6935193A JP 6935193 A JP6935193 A JP 6935193A JP H06256963 A JPH06256963 A JP H06256963A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Sn含有量の高いNi−Sn−Ｐ合金めっき皮膜を
安定して形成することができる無電解めっき手段を確立
する。 【構成】 無電解Ni−Sn−Ｐ合金めっき液を、２価のNi
イオン：0.05〜0.12mol/L(リットル),２価のNiイオンに対す
るクエン酸イオンのモル比： 1.2以上３未満，２価のSn
イオン：0.04〜0.08mol/L,グルコン酸イオン：４価のSn
イオンの等モル以上，次亜リン酸イオン： 0.1〜 0.3mo
l/Lを含むと共に、ｐＨが８〜１２に調整された水溶液
から成る構成とする。
安定して形成することができる無電解めっき手段を確立
する。 【構成】 無電解Ni−Sn−Ｐ合金めっき液を、２価のNi
イオン：0.05〜0.12mol/L(リットル),２価のNiイオンに対す
るクエン酸イオンのモル比： 1.2以上３未満，２価のSn
イオン：0.04〜0.08mol/L,グルコン酸イオン：４価のSn
イオンの等モル以上，次亜リン酸イオン： 0.1〜 0.3mo
l/Lを含むと共に、ｐＨが８〜１２に調整された水溶液
から成る構成とする。
Description
【０００１】
【従来技術とその課題】この発明は、Sn含有量の高いNi
−Sn−Ｐ合金めっき皮膜を安定して形成することができ
る“無電解Ni−Sn−Ｐ合金めっき液”に関するものであ
る。
−Sn−Ｐ合金めっき皮膜を安定して形成することができ
る“無電解Ni−Sn−Ｐ合金めっき液”に関するものであ
る。
【０００２】
【従来技術とその課題】プリント回路基板用として用い
られる銅箔では、これまでは表面性状の経時的劣化を防
止する目的で表面にCr薄膜を形成する“防錆処理”が施
されてきたが、最近になって、耐薬品性，耐熱性，ハン
ダ付け性等の点でも有利であるということからNi−Sn合
金めっきの薄膜を付与することが提案されている（例え
ば特開平４−２０６８８９号公報）。
られる銅箔では、これまでは表面性状の経時的劣化を防
止する目的で表面にCr薄膜を形成する“防錆処理”が施
されてきたが、最近になって、耐薬品性，耐熱性，ハン
ダ付け性等の点でも有利であるということからNi−Sn合
金めっきの薄膜を付与することが提案されている（例え
ば特開平４−２０６８８９号公報）。
【０００３】このように、Ni−Sn合金めっきが耐食性に
優れることは良く知られていることであり、その耐食性
はめっき皮膜中のSn含有量が高くなるにつれて向上する
とされている。また、次亜リン酸還元による無電解めっ
きにて形成した“Ni−Sn合金めっき”では、めっき皮膜
中に還元剤として使用する次亜リン酸からのＰが含有さ
れることになるが、このように“Ｐを数％から十数％含
有したNi−Sn合金めっき”はNiとSnのみから成るものに
比べて耐食性が更に改善されると言われている。勿論、
このNi−Sn−Ｐ合金めっきにおいても、Sn含有量が高く
なるほど耐食性が向上するものと考えられた。
優れることは良く知られていることであり、その耐食性
はめっき皮膜中のSn含有量が高くなるにつれて向上する
とされている。また、次亜リン酸還元による無電解めっ
きにて形成した“Ni−Sn合金めっき”では、めっき皮膜
中に還元剤として使用する次亜リン酸からのＰが含有さ
れることになるが、このように“Ｐを数％から十数％含
有したNi−Sn合金めっき”はNiとSnのみから成るものに
比べて耐食性が更に改善されると言われている。勿論、
このNi−Sn−Ｐ合金めっきにおいても、Sn含有量が高く
なるほど耐食性が向上するものと考えられた。
【０００４】一方、特開平１−１６９８１１号公報によ
ると、Snを含有する透明導電膜にリ−ド線や電子部品等
をハンダ付けする際、この透明導電膜上にNi−Sn−Ｐ合
金の無電解めっきを施しておくとハンダ付性が向上し、
強固な接続が可能になるとされており、このNi−Sn−Ｐ
合金無電解めっき皮膜の形成手段として「表面の粗面化
を行った基材をスズ酸ナトリウム，クエン酸ナトリウ
ム，硫酸ニッケル，塩化アンモニウム並びに次亜リン酸
ナトリウムを含むｐＨ９の水溶液（９０℃）中で処理す
る方法」が紹介されている。
ると、Snを含有する透明導電膜にリ−ド線や電子部品等
をハンダ付けする際、この透明導電膜上にNi−Sn−Ｐ合
金の無電解めっきを施しておくとハンダ付性が向上し、
強固な接続が可能になるとされており、このNi−Sn−Ｐ
合金無電解めっき皮膜の形成手段として「表面の粗面化
を行った基材をスズ酸ナトリウム，クエン酸ナトリウ
ム，硫酸ニッケル，塩化アンモニウム並びに次亜リン酸
ナトリウムを含むｐＨ９の水溶液（９０℃）中で処理す
る方法」が紹介されている。
【０００５】更に、特開平２−２０８８１６号公報に
は、アルミニウム合金基板上に順次非磁性めっき処理
層，クロム等の下地層，コバルト系合金の磁性薄膜層，
炭素質の保護膜層を被覆して成る磁気記録媒体におい
て、その非磁性めっき処理層をNi−Sn−Ｐ合金無電解め
っき皮膜とした場合にはノイズが抑制されＳ／Ｎ値が向
上することが開示されており、そのNi−Sn−Ｐ合金無電
解めっき皮膜の形成手段として「基材をニッケル：６g/
L(リットル) ，リン酸：１３g/L ，スズ：２００mg/Lの無電
解めっき浴（９０℃）中で処理する方法」が紹介されて
いる。
は、アルミニウム合金基板上に順次非磁性めっき処理
層，クロム等の下地層，コバルト系合金の磁性薄膜層，
炭素質の保護膜層を被覆して成る磁気記録媒体におい
て、その非磁性めっき処理層をNi−Sn−Ｐ合金無電解め
っき皮膜とした場合にはノイズが抑制されＳ／Ｎ値が向
上することが開示されており、そのNi−Sn−Ｐ合金無電
解めっき皮膜の形成手段として「基材をニッケル：６g/
L(リットル) ，リン酸：１３g/L ，スズ：２００mg/Lの無電
解めっき浴（９０℃）中で処理する方法」が紹介されて
いる。
【０００６】このように、Ni−Sn−Ｐ合金のめっき皮膜
には様々な用途が考えられたが、一方で次のような問題
があった。即ち、電気めっき法によった場合にはSn含有
量が４８at％（６５重量％）という高Sn含有皮膜が得ら
れるとの報告があるものの、無電解めっき法ではこれま
で精々Sn含有量が１０at％程度までの皮膜しか得られて
おらず、そのため実際の用途は制限されざるを得なかっ
たのである。
には様々な用途が考えられたが、一方で次のような問題
があった。即ち、電気めっき法によった場合にはSn含有
量が４８at％（６５重量％）という高Sn含有皮膜が得ら
れるとの報告があるものの、無電解めっき法ではこれま
で精々Sn含有量が１０at％程度までの皮膜しか得られて
おらず、そのため実際の用途は制限されざるを得なかっ
たのである。
【０００７】従って、無電解Ni−Sn−Ｐ合金めっきによ
って得られるめっき皮膜中のSn含有量を増やすことがで
きれば、耐食性を始めとした更なる皮膜性能の向上が期
待でき、基材の種類を選ばずに皮膜形成が容易に行える
という無電解めっきの特長も活かされてその用途は一段
と広範になると考えられた。
って得られるめっき皮膜中のSn含有量を増やすことがで
きれば、耐食性を始めとした更なる皮膜性能の向上が期
待でき、基材の種類を選ばずに皮膜形成が容易に行える
という無電解めっきの特長も活かされてその用途は一段
と広範になると考えられた。
【０００８】このようなことから、本発明が目的とした
のは、Sn含有量のより高いNi−Sn−Ｐ合金めっき皮膜を
安定して形成することが可能な無電解めっき手段を確立
することである。
のは、Sn含有量のより高いNi−Sn−Ｐ合金めっき皮膜を
安定して形成することが可能な無電解めっき手段を確立
することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は上
記目的を達成すべく数多くの試験を重ねながら鋭意研究
を行った結果、次のような知見を得ることができた。即
ち、Ni−Sn−Ｐ合金無電解めっき液を建浴するに際し
て、クエン酸及びグルコン酸を含むアルカリ性水溶液に
金属イオンとして２価のNiイオン及び４価のSnイオンを
添加し、更に還元剤としての次亜リン酸イオンを含有さ
せると共に、含まれる２価のNiイオン，４価のSnイオン
及び次亜リン酸イオンの含有割合、クエン酸と２価のNi
イオンとのモル比、並びにグルコン酸と４価のSnイオン
とのモル比を特定の範囲に規制し、しかも液のｐＨを特
定範囲に調整した場合には、これまで無電解めっきによ
っては実現できなかった高いSn含有量のNi−Sn−Ｐ合金
皮膜を種々の基材上に安定して形成できるようになるこ
とを見出したのである。
記目的を達成すべく数多くの試験を重ねながら鋭意研究
を行った結果、次のような知見を得ることができた。即
ち、Ni−Sn−Ｐ合金無電解めっき液を建浴するに際し
て、クエン酸及びグルコン酸を含むアルカリ性水溶液に
金属イオンとして２価のNiイオン及び４価のSnイオンを
添加し、更に還元剤としての次亜リン酸イオンを含有さ
せると共に、含まれる２価のNiイオン，４価のSnイオン
及び次亜リン酸イオンの含有割合、クエン酸と２価のNi
イオンとのモル比、並びにグルコン酸と４価のSnイオン
とのモル比を特定の範囲に規制し、しかも液のｐＨを特
定範囲に調整した場合には、これまで無電解めっきによ
っては実現できなかった高いSn含有量のNi−Sn−Ｐ合金
皮膜を種々の基材上に安定して形成できるようになるこ
とを見出したのである。
【００１０】本発明は、上記知見事項等を基に完成され
たものであり、「無電解Ni−Sn−Ｐ合金めっき液を、２
価のNiイオン：0.05〜0.12mol/L,２価のNiイオンに対す
るクエン酸イオンのモル比： 1.2以上３未満，４価のSn
イオン：0.04〜0.08mol/L,グルコン酸イオン：４価のSn
イオンの等モル以上，次亜リン酸イオン： 0.1〜 0.3mo
l/Lを含むと共に、 ｐＨが８〜１２に調整された水溶液
から成る構成としたことにより、 高Sn含有量のNi−Sn−
Ｐ合金めっき皮膜を安定形成できるようにした点」に大
きな特徴を有している。
たものであり、「無電解Ni−Sn−Ｐ合金めっき液を、２
価のNiイオン：0.05〜0.12mol/L,２価のNiイオンに対す
るクエン酸イオンのモル比： 1.2以上３未満，４価のSn
イオン：0.04〜0.08mol/L,グルコン酸イオン：４価のSn
イオンの等モル以上，次亜リン酸イオン： 0.1〜 0.3mo
l/Lを含むと共に、 ｐＨが８〜１２に調整された水溶液
から成る構成としたことにより、 高Sn含有量のNi−Sn−
Ｐ合金めっき皮膜を安定形成できるようにした点」に大
きな特徴を有している。
【００１１】以下、本発明においてめっき液成分の濃度
並びにめっき液のｐＨを前記の如くに限定した理由を、
その作用・効果と共に説明する。
並びにめっき液のｐＨを前記の如くに限定した理由を、
その作用・効果と共に説明する。
〔めっき液成分の濃度〕 a) ２価のNiイオン めっき液中の２価のNiイオン濃度は、 0.05mol/L未満で
あるとめっき反応が遅くなって実用に適さなくなり、一
方 0.12mol/Lを超えると析出物（めっき皮膜）のSn含有
量が低下することから0.05〜0.12mol/L と定めたが、よ
り好ましい範囲は0.06〜0.10mol/L である。なお、２価
のNiイオンは硫酸塩や塩化物の形態で供給すれば良い。
あるとめっき反応が遅くなって実用に適さなくなり、一
方 0.12mol/Lを超えると析出物（めっき皮膜）のSn含有
量が低下することから0.05〜0.12mol/L と定めたが、よ
り好ましい範囲は0.06〜0.10mol/L である。なお、２価
のNiイオンは硫酸塩や塩化物の形態で供給すれば良い。
【００１２】b) ２価のNiイオンに対するクエン酸イオ
ンのモル比 クエン酸（Ｒ）イオンはNiイオンの錯化剤として作用
し、Ni−Ｒ，Ni−Ｒ2 ，Ni−Ｒ3 のキレ−ト（錯体）を
形成してSnの析出を促進する働きをする。しかしなが
ら、２価のNiイオンに対するクエン酸イオンのモル比
“クエン酸イオン／２価のNiイオンのモル比”が 1.2未
満であると、２価のNiイオンに対する錯化力が低下する
のでNiの析出が促進されて析出物中のNi含有量が多くな
り、そのため従来以上のめっき皮膜中Sn含有量を確保で
き、一方、“クエン酸イオン／２価のNiイオンのモル
比”が３以上であると２価のNiイオンがクエン酸イオン
と安定度の高いキレ−トを形成し、次亜リン酸イオンを
もってしても還元されなくなってめっき反応が起こらな
くなる。このため、２価のNiイオンに対しモル比で 1.2
倍以上３倍未満のクエン酸イオンを含有させることと定
めたが、より好ましいモル比の範囲は 1.2〜 2.0であ
る。
ンのモル比 クエン酸（Ｒ）イオンはNiイオンの錯化剤として作用
し、Ni−Ｒ，Ni−Ｒ2 ，Ni−Ｒ3 のキレ−ト（錯体）を
形成してSnの析出を促進する働きをする。しかしなが
ら、２価のNiイオンに対するクエン酸イオンのモル比
“クエン酸イオン／２価のNiイオンのモル比”が 1.2未
満であると、２価のNiイオンに対する錯化力が低下する
のでNiの析出が促進されて析出物中のNi含有量が多くな
り、そのため従来以上のめっき皮膜中Sn含有量を確保で
き、一方、“クエン酸イオン／２価のNiイオンのモル
比”が３以上であると２価のNiイオンがクエン酸イオン
と安定度の高いキレ−トを形成し、次亜リン酸イオンを
もってしても還元されなくなってめっき反応が起こらな
くなる。このため、２価のNiイオンに対しモル比で 1.2
倍以上３倍未満のクエン酸イオンを含有させることと定
めたが、より好ましいモル比の範囲は 1.2〜 2.0であ
る。
【００１３】なお、めっき液中のクエン酸イオン源とし
ては、クエン酸，クエン酸塩の何れによっても差支えな
いことは言うまでもない。
ては、クエン酸，クエン酸塩の何れによっても差支えな
いことは言うまでもない。
【００１４】c) ４価のSnイオン めっき液中の４価のSnイオン濃度が 0.04mol/L未満であ
ると、析出物中のSn含有量が低下して従来以上のめっき
皮膜中Sn含有量を確保することができない。そして、Sn
イオンは元々還元反応の触媒毒であるが、特にめっき液
中の４価のSnイオン濃度が 0.08mol/Lを超えると次亜リ
ン酸イオンの還元力が失われてめっき反応が起こらなく
なる。従って、４価のSnイオン濃度を0.04〜0.08mol/L
と定めたが、より好ましい範囲は0.05〜0.07mol/L であ
る。
ると、析出物中のSn含有量が低下して従来以上のめっき
皮膜中Sn含有量を確保することができない。そして、Sn
イオンは元々還元反応の触媒毒であるが、特にめっき液
中の４価のSnイオン濃度が 0.08mol/Lを超えると次亜リ
ン酸イオンの還元力が失われてめっき反応が起こらなく
なる。従って、４価のSnイオン濃度を0.04〜0.08mol/L
と定めたが、より好ましい範囲は0.05〜0.07mol/L であ
る。
【００１５】なお、４価のSnイオン源としては塩化物等
が一般的であるが、例えば次のような処理を施して溶解
し、使用すれば良い。即ち、まず例えば塩化第二スズを
水に溶解し、NaＯＨ溶液を滴下する。この処理によって
最初は白色の沈澱ができるが、NaＯＨの滴下を続けると
液は透明になる。そこで、これにグルコン酸ナトリウム
をスズの２倍モル加える。この際の反応式は下記の通り
である。 SnCl4＋６NaＯＨ→ Na2SnＯ3 ＋４NaCl＋３Ｈ2 Ｏ Na2SnＯ3 ＋Na-Gluconate → Sn-Complex これをろ過して使用する。
が一般的であるが、例えば次のような処理を施して溶解
し、使用すれば良い。即ち、まず例えば塩化第二スズを
水に溶解し、NaＯＨ溶液を滴下する。この処理によって
最初は白色の沈澱ができるが、NaＯＨの滴下を続けると
液は透明になる。そこで、これにグルコン酸ナトリウム
をスズの２倍モル加える。この際の反応式は下記の通り
である。 SnCl4＋６NaＯＨ→ Na2SnＯ3 ＋４NaCl＋３Ｈ2 Ｏ Na2SnＯ3 ＋Na-Gluconate → Sn-Complex これをろ過して使用する。
【００１６】d) グルコン酸イオン グルコン酸イオンは４価のSnイオンの錯化剤となり、Sn
イオンが他の成分と結び付いてめっき皮膜として析出し
にくくなるのを防止する作用を有している。しかし、そ
の濃度が４価のSnイオンと等モルに達していないと上記
作用による効果が十分でないことから、グルコン酸イオ
ンの濃度を４価のSnイオンの等モル以上と定めたが、実
際作業ではモル比で２倍以上の濃度を確保するのが好ま
しい。なお、グルコン酸イオンの濃度が高くなってもそ
れによる悪影響は殆どないことからグルコン酸イオン濃
度の上限は特に定めない。また、めっき液中のグルコン
酸イオン源についても、グルコン酸，グルコン酸塩の何
れに求めても差支えないことは言うまでもない。
イオンが他の成分と結び付いてめっき皮膜として析出し
にくくなるのを防止する作用を有している。しかし、そ
の濃度が４価のSnイオンと等モルに達していないと上記
作用による効果が十分でないことから、グルコン酸イオ
ンの濃度を４価のSnイオンの等モル以上と定めたが、実
際作業ではモル比で２倍以上の濃度を確保するのが好ま
しい。なお、グルコン酸イオンの濃度が高くなってもそ
れによる悪影響は殆どないことからグルコン酸イオン濃
度の上限は特に定めない。また、めっき液中のグルコン
酸イオン源についても、グルコン酸，グルコン酸塩の何
れに求めても差支えないことは言うまでもない。
【００１７】e) 次亜リン酸イオン 次亜リン酸イオンは、Ni，Snを析出させるための還元剤
としての働きをすると同時に、析出物中にＰを供給する
Ｐ供給源としての役割をも担っているが、その濃度が0.
1mol/L未満では上記作用による所望の効果が得られず、
一方、0.3mol/Lを超えて含有させることは効果面を考え
ると経済的に不利であると判断される。従って、めっき
液中の次亜リン酸イオン濃度は 0.1〜 0.3mol/L と定め
たが、より好ましい範囲は0.15〜0.25mol/L である。な
お、次亜リン酸イオンは次亜リン酸，次亜リン酸塩の何
れの形態で供給しても差支えはない。
としての働きをすると同時に、析出物中にＰを供給する
Ｐ供給源としての役割をも担っているが、その濃度が0.
1mol/L未満では上記作用による所望の効果が得られず、
一方、0.3mol/Lを超えて含有させることは効果面を考え
ると経済的に不利であると判断される。従って、めっき
液中の次亜リン酸イオン濃度は 0.1〜 0.3mol/L と定め
たが、より好ましい範囲は0.15〜0.25mol/L である。な
お、次亜リン酸イオンは次亜リン酸，次亜リン酸塩の何
れの形態で供給しても差支えはない。
【００１８】〔めっき液のｐＨ〕本発明めっき液の浴組
成であると、めっき液のｐＨが８未満では次亜リン酸イ
オンの還元力が失われてしまい、一方、ｐＨが１２を超
えると副反応である次亜リン酸の分解が激しくなってめ
っき作業に悪影響が出てくることから、めっき液ｐＨは
８〜１２と定めたが、好ましくは９〜１０に調整するの
が良い。
成であると、めっき液のｐＨが８未満では次亜リン酸イ
オンの還元力が失われてしまい、一方、ｐＨが１２を超
えると副反応である次亜リン酸の分解が激しくなってめ
っき作業に悪影響が出てくることから、めっき液ｐＨは
８〜１２と定めたが、好ましくは９〜１０に調整するの
が良い。
【００１９】次いで、本発明を実施例により更に具体的
に説明する。
に説明する。
【実施例】めっき試験板として圧延銅箔（厚さ７０μ
ｍ，幅２０mm，長さ３０mm）を準備し、これに脱脂，酸
洗，ソフトエッチング，Pd触媒付与といった通常の無電
解めっき用活性化処理を施してからめっき試験に供し
た。
ｍ，幅２０mm，長さ３０mm）を準備し、これに脱脂，酸
洗，ソフトエッチング，Pd触媒付与といった通常の無電
解めっき用活性化処理を施してからめっき試験に供し
た。
【００２０】めっき試験において使用しためっき液の組
成，ｐＨ及び液温は表１に示した通りであるが、その調
合には１リットルビ−カを用いた。そして、この際、ｐ
Ｈ調整はNaＯＨにより行った。また、めっき試験では、
上記めっき液を表１に示した所定温度に維持し、これに
上述の活性化処理した試験板を１０〜３０分間浸漬して
表面にめっき皮膜を無電解析出させた。
成，ｐＨ及び液温は表１に示した通りであるが、その調
合には１リットルビ−カを用いた。そして、この際、ｐ
Ｈ調整はNaＯＨにより行った。また、めっき試験では、
上記めっき液を表１に示した所定温度に維持し、これに
上述の活性化処理した試験板を１０〜３０分間浸漬して
表面にめっき皮膜を無電解析出させた。
【００２１】
【表１】
【００２２】このようにして形成されためっき析出物
（皮膜）の“組成”及び“析出速度”の測定結果を、表
１に併せて示す。なお、めっき析出物の組成は、めっき
物を基材の銅と共に酸に溶解した後、ＩＣＰ（発光分光
分析）で分析する方法にて測定した。また、めっきの析
出速度については、めっき前後の重量差より求めためっ
き膜厚を基に算出した。
（皮膜）の“組成”及び“析出速度”の測定結果を、表
１に併せて示す。なお、めっき析出物の組成は、めっき
物を基材の銅と共に酸に溶解した後、ＩＣＰ（発光分光
分析）で分析する方法にて測定した。また、めっきの析
出速度については、めっき前後の重量差より求めためっ
き膜厚を基に算出した。
【００２３】前記表１に示される結果からも明らかなよ
うに、本発明で規定する条件に従った場合には、Sn含有
量の高いNi−Sn−Ｐ合金めっき皮膜を無電解めっきによ
って実用上支障のない析出速度でもって安定形成できる
ことを確認できる。
うに、本発明で規定する条件に従った場合には、Sn含有
量の高いNi−Sn−Ｐ合金めっき皮膜を無電解めっきによ
って実用上支障のない析出速度でもって安定形成できる
ことを確認できる。
【００２４】
【効果の総括】以上に説明した如く、この発明によれ
ば、無電解めっきによって１０ atm％を超えるSn含有量
のNi−Sn−Ｐ合金めっき皮膜を安定形成することが可能
になるなど、産業上非常に有用な効果がもたらされる。
ば、無電解めっきによって１０ atm％を超えるSn含有量
のNi−Sn−Ｐ合金めっき皮膜を安定形成することが可能
になるなど、産業上非常に有用な効果がもたらされる。
Claims (1)
- 【請求項１】 ２価のNiイオン：0.05〜0.12mol/L,２価
のNiイオンに対するクエン酸イオンのモル比： 1.2以上
３未満，４価のSnイオン：0.04〜0.08mol/L,グルコン酸
イオン：４価のSnイオンの等モル以上，次亜リン酸イオ
ン： 0.1〜 0.3mol/Lを含むと共に、ｐＨが８〜１２に
調整された水溶液から成ることを特徴とする、無電解Ni
−Sn−Ｐ合金めっき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6935193A JPH06256963A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 無電解Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ合金めっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6935193A JPH06256963A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 無電解Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ合金めっき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06256963A true JPH06256963A (ja) | 1994-09-13 |
Family
ID=13400057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6935193A Pending JPH06256963A (ja) | 1993-03-04 | 1993-03-04 | 無電解Ｎｉ−Ｓｎ−Ｐ合金めっき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06256963A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2754831A1 (fr) * | 1996-10-21 | 1998-04-24 | Sgs Thomson Microelectronics | Bain autocatalytique et procede de depot d'alliage nickel-phosphore sur un substrat |
| JP2014162950A (ja) * | 2013-02-25 | 2014-09-08 | Kanto Gakuin | 無電解ＮｉＳｎＰめっき膜 |
| JP2015021178A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-02-02 | 株式会社クオルテック | 無電解Ｎｉ−Ｐ−Ｓｎめっき液 |
-
1993
- 1993-03-04 JP JP6935193A patent/JPH06256963A/ja active Pending
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