JPS6021226B2 - 絶縁基板の無電解メツキ法 - Google Patents
絶縁基板の無電解メツキ法Info
- Publication number
- JPS6021226B2 JPS6021226B2 JP7405881A JP7405881A JPS6021226B2 JP S6021226 B2 JPS6021226 B2 JP S6021226B2 JP 7405881 A JP7405881 A JP 7405881A JP 7405881 A JP7405881 A JP 7405881A JP S6021226 B2 JPS6021226 B2 JP S6021226B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- palladium
- oxide film
- electroless plating
- metal oxide
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- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガラス、プラスチック等の絶縁基板上の金属及
び金属酸化皮膜のパターンに密着力のすぐれた無電解〆
ッキを析出付着させる方法に関するものである。
び金属酸化皮膜のパターンに密着力のすぐれた無電解〆
ッキを析出付着させる方法に関するものである。
時計等各種精密機器又はプリント回路板の製造に際し、
耐熱ガラス又はプラスチック等の上面に導電性金属パタ
ーンを付着形成させる事が要求されるが、上記実施に当
って所望のパターン形状を有する下地金属及び金属酸化
皮膜を付着した被メッキ基板を無電解〆ッキ液に浸して
一定時間恒温に保持すれば、上記下地金属及び金属酸化
皮膜上に所望厚の導電メッキ層が得られる。
耐熱ガラス又はプラスチック等の上面に導電性金属パタ
ーンを付着形成させる事が要求されるが、上記実施に当
って所望のパターン形状を有する下地金属及び金属酸化
皮膜を付着した被メッキ基板を無電解〆ッキ液に浸して
一定時間恒温に保持すれば、上記下地金属及び金属酸化
皮膜上に所望厚の導電メッキ層が得られる。
下地金属及び金属酸化皮膜の付着は単なる蒸着でも良い
が、複雑なパターンの場合には写真法によるフオトレジ
ストを用いる方法、又はスクリーン印刷による方法等が
ある。下地金属及び金属酸化皮膜としては銅又は錫、ィ
ンジュームあるいはそれらの酸化皮膜が多用され、無電
解〆ッキによってニッケル、銅を付着させる前に貴金属
塩、例えば塩化パラジウムの酸性溶液中に浸糟すること
によって、パラジウムを析出させ、しかる後前記無電解
〆ッキを施す事が普通に行われている。
が、複雑なパターンの場合には写真法によるフオトレジ
ストを用いる方法、又はスクリーン印刷による方法等が
ある。下地金属及び金属酸化皮膜としては銅又は錫、ィ
ンジュームあるいはそれらの酸化皮膜が多用され、無電
解〆ッキによってニッケル、銅を付着させる前に貴金属
塩、例えば塩化パラジウムの酸性溶液中に浸糟すること
によって、パラジウムを析出させ、しかる後前記無電解
〆ッキを施す事が普通に行われている。
しかるに上記工程においてニッケル又は銅等の付着力が
脆弱であると製品の信頼性低下を招き、故障の最たる原
因となり得るものであるから、強固なメッキ層を形成さ
せねばならない。上記欠陥の発生する要因は種々考えら
れるが、塩化パラジウムの塩酸溶液に対する浸積による
活性化処理において、パラジウムがフラッシュ被覆の析
出を示すことによって引き起されるものと思料される。
上記欠点を除去するには溶液に対する触媒賦与、又はパ
ラジウム濃度、液温の管理等を行うことによって対処し
ているが、必ずしも万全な方法でなく、種々の欠陥を含
んでいるため、当業者の苦慮する問題点となっている。
脆弱であると製品の信頼性低下を招き、故障の最たる原
因となり得るものであるから、強固なメッキ層を形成さ
せねばならない。上記欠陥の発生する要因は種々考えら
れるが、塩化パラジウムの塩酸溶液に対する浸積による
活性化処理において、パラジウムがフラッシュ被覆の析
出を示すことによって引き起されるものと思料される。
上記欠点を除去するには溶液に対する触媒賦与、又はパ
ラジウム濃度、液温の管理等を行うことによって対処し
ているが、必ずしも万全な方法でなく、種々の欠陥を含
んでいるため、当業者の苦慮する問題点となっている。
本発明は上記の如き現実に鑑み、付着力の強固な無電解
〆ッキ層が得られるメッキ法を得る事を目的とするもの
であり、上記目的を達成する為にタ予め下地金属及び金
属酸化皮膜を付着させた上で塩化パラジウムと、水素よ
りもイオン化傾向の大きな金属と、酸との混合溶液より
成るメッキ液中に浸簿揺動することによって、水素の存
在化で前記の下地金属及び金属酸化皮膜上にパラジウム
を析出させ、しかる後簸電解メッキ液中に浸潰して所望
する膜厚を有する金属パターンを形成する事を特徴とす
る絶縁基板の無電解〆ッキ法を得んとするものである。
本発明の実施に当って、絶縁基板として耐熱ガラス又は
プラスチック等を用意し、アルカリ又は有機溶剤による
脱脂を行い、酸浸猿による中和、及び前記蒸着又はフオ
トレジスト法等による金属及び金属酸化皮膜パターン付
着を実施する。複雑な形状のパターンの場合には全面メ
ッキ板にエッチングレジストを用いてパターンを形成し
、エッチングによって所要のパターンを得、エッチング
レジストの剥離を行う方法等があり、他にはスクリーン
印刷、フオトレジストを用いる方法等があるが、何れも
公知の手段である為その詳細な説明は省略する。次に上
記基板の金属及び金属酸化皮膜パターン上に貴金属塩と
してのパラジウムを析出させることになるが、混合メッ
キ溶液として、塩酸中に、塩化パラジウム（ＰｄＣ１２
）と、水素よりもイオン化煩向の大きな金属、例えば鉄
（Ｆｅ）亜鉛（Ｚｎ）等の溶解した混合液あるいは塩化
パラジウムと鉄、亜鉛の粉末等の混合液を用意し、該液
中に前記基板を一定時間浸造揺動する。
〆ッキ層が得られるメッキ法を得る事を目的とするもの
であり、上記目的を達成する為にタ予め下地金属及び金
属酸化皮膜を付着させた上で塩化パラジウムと、水素よ
りもイオン化傾向の大きな金属と、酸との混合溶液より
成るメッキ液中に浸簿揺動することによって、水素の存
在化で前記の下地金属及び金属酸化皮膜上にパラジウム
を析出させ、しかる後簸電解メッキ液中に浸潰して所望
する膜厚を有する金属パターンを形成する事を特徴とす
る絶縁基板の無電解〆ッキ法を得んとするものである。
本発明の実施に当って、絶縁基板として耐熱ガラス又は
プラスチック等を用意し、アルカリ又は有機溶剤による
脱脂を行い、酸浸猿による中和、及び前記蒸着又はフオ
トレジスト法等による金属及び金属酸化皮膜パターン付
着を実施する。複雑な形状のパターンの場合には全面メ
ッキ板にエッチングレジストを用いてパターンを形成し
、エッチングによって所要のパターンを得、エッチング
レジストの剥離を行う方法等があり、他にはスクリーン
印刷、フオトレジストを用いる方法等があるが、何れも
公知の手段である為その詳細な説明は省略する。次に上
記基板の金属及び金属酸化皮膜パターン上に貴金属塩と
してのパラジウムを析出させることになるが、混合メッ
キ溶液として、塩酸中に、塩化パラジウム（ＰｄＣ１２
）と、水素よりもイオン化煩向の大きな金属、例えば鉄
（Ｆｅ）亜鉛（Ｚｎ）等の溶解した混合液あるいは塩化
パラジウムと鉄、亜鉛の粉末等の混合液を用意し、該液
中に前記基板を一定時間浸造揺動する。
溶解あるいは混合させる金属は上記鉄、亜鉛の他、Ｋ，
Ｃａ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｎ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂの金属粉でも
良く、要すれば酸と友応して水素を発生する金属であれ
ば良い。
Ｃａ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｎ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂの金属粉でも
良く、要すれば酸と友応して水素を発生する金属であれ
ば良い。
一例として鉄又は亜鉛を加えた場合には、Ｆｅ＋２ＨＣ
Ｉ→ＦｅＣ１２十比 ↑ …【１’がｅ
＋細ＣＩ→がｅＣ１３十虫Ｌ ↑ …■Ｚｎ
＋２ＨＣＩ→ＺｎＣ１２十馬 ↑ …‘
３｝上記‘１’，■，‘３ー式のように発生期の水素ガ
スが生じて、パラジウムの析出に関与する。
Ｉ→ＦｅＣ１２十比 ↑ …【１’がｅ
＋細ＣＩ→がｅＣ１３十虫Ｌ ↑ …■Ｚｎ
＋２ＨＣＩ→ＺｎＣ１２十馬 ↑ …‘
３｝上記‘１’，■，‘３ー式のように発生期の水素ガ
スが生じて、パラジウムの析出に関与する。
即ちパラジウムの析出進行と同時に水素ガスが発生する
ことにより、該パラジウム析出時の下地金属及び金属酸
化皮膜に対する密着強度の増加が促進せしめられる。
ことにより、該パラジウム析出時の下地金属及び金属酸
化皮膜に対する密着強度の増加が促進せしめられる。
水素ギスの存在下で析出したパラジウムが強固な付着力
を示す原因は種々考えられるが、その一つとして水素ガ
スによる表面の清浄化及び活性化が強力である事が挙げ
られる。
を示す原因は種々考えられるが、その一つとして水素ガ
スによる表面の清浄化及び活性化が強力である事が挙げ
られる。
更に酸性水溶液中における析出現象と、水素ガスによっ
てもたらされる還元作用とが調和して貴金属塩の析出反
応を促進し、且つ安定した金属皮膜が得られる事が理解
される。即ち水素ガスが一種の有効な触媒として働く一
方、下地金属及び金属酸化皮膜の表面の酸化皮膜の除去
と、表面の清浄化、活性化がパラジウムの析出を促進さ
せ、且つ密着力を高める事が考えられる。
てもたらされる還元作用とが調和して貴金属塩の析出反
応を促進し、且つ安定した金属皮膜が得られる事が理解
される。即ち水素ガスが一種の有効な触媒として働く一
方、下地金属及び金属酸化皮膜の表面の酸化皮膜の除去
と、表面の清浄化、活性化がパラジウムの析出を促進さ
せ、且つ密着力を高める事が考えられる。
パラジウム化合物としては塩化パラジウムが適当である
が、塩化パラジウムナトリウム（Ｎａ２ＰｄＣ１４）又
は塩化パラジウムカリウム（Ｋ２ＰｄＣ１４）等水に易
溶性の貴金属錯塩を使用しても良い。本発明の実施に際
し、以下の条件を用いて良い結果が得られた。
が、塩化パラジウムナトリウム（Ｎａ２ＰｄＣ１４）又
は塩化パラジウムカリウム（Ｋ２ＰｄＣ１４）等水に易
溶性の貴金属錯塩を使用しても良い。本発明の実施に際
し、以下の条件を用いて良い結果が得られた。
ＰｄＣ１２ …０．２２
５タ／ＩＨＣＩ …５０．６ｃｃ／１（又
は２０Ｖｏｌ／％）Ｆｅ（Ｎ山Ｚｎ末）
…任 意浸債時間 ・・・＄ｅｃ
〜ｌｍｉｎ浸濃温度 ・・・常
温浸済条件 ・・・蝿梓下で行う（揺動でもよい）上
記条件によってパラジウムを析出後、再度アルカリによ
る中和、活性化処理の為の酸洗後、市販の無電鱗銅〆ツ
キ液又は無電解ニッケルメッキ液中に任意時間浸潰して
完成させる。
５タ／ＩＨＣＩ …５０．６ｃｃ／１（又
は２０Ｖｏｌ／％）Ｆｅ（Ｎ山Ｚｎ末）
…任 意浸債時間 ・・・＄ｅｃ
〜ｌｍｉｎ浸濃温度 ・・・常
温浸済条件 ・・・蝿梓下で行う（揺動でもよい）上
記条件によってパラジウムを析出後、再度アルカリによ
る中和、活性化処理の為の酸洗後、市販の無電鱗銅〆ツ
キ液又は無電解ニッケルメッキ液中に任意時間浸潰して
完成させる。
本発明は以上詳細に述べた如き絶黍該基板に対する無電
解〆ツキ法に係るものであり、ガラス、プラスチックの
外、プリント基板に対しても適用が可能となる利点を有
する。
解〆ツキ法に係るものであり、ガラス、プラスチックの
外、プリント基板に対しても適用が可能となる利点を有
する。
下地金属及び金属酸化皮膜におけるパラジウムの析出は
水素ガスの還元作用下で金属イオンの無電解析出によっ
ており、従来の金属皮膜い比して極めて密着力が強大で
あり、製品の信頼性向上、長寿命化に対して大きく貢献
する。尚、本発明の実施例において、予め所望するパタ
ーン形状の下地金属及び金属酸化皮膜を付着した後パラ
ジウムの析出を実施したが、本発明は上記実施例に限定
されるものではなく、ガラス等絶縁基板の全面に下地金
属及び金属酸化皮膜を付着させておいて以後の工程を行
うことにより、一様な鏡面仕上げにした基板が得られる
ものであって、本発明の変形した実施例を提供する。
水素ガスの還元作用下で金属イオンの無電解析出によっ
ており、従来の金属皮膜い比して極めて密着力が強大で
あり、製品の信頼性向上、長寿命化に対して大きく貢献
する。尚、本発明の実施例において、予め所望するパタ
ーン形状の下地金属及び金属酸化皮膜を付着した後パラ
ジウムの析出を実施したが、本発明は上記実施例に限定
されるものではなく、ガラス等絶縁基板の全面に下地金
属及び金属酸化皮膜を付着させておいて以後の工程を行
うことにより、一様な鏡面仕上げにした基板が得られる
ものであって、本発明の変形した実施例を提供する。
Claims (1)
- １ ガラス・プラスチツク等絶縁基板上に所望の金属パ
ターンメツキを実施するに際し、予め下地金属及び金属
酸化皮膜を付着させた基板を、塩化パラジウムと、水素
よりもイオン化傾向の大きな金属と、酸との混合溶液よ
り成るメツキ液中に浸漬揺動する事により、水素の存在
下で前記下地金属及び金属酸化皮膜上にパラジウムを析
出させ、しかる後無電解メツキ液中に浸漬して所望する
膜厚を有する金属パターンを形成する事を等徴とする絶
縁基板の無電解メツキ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7405881A JPS6021226B2 (ja) | 1981-05-16 | 1981-05-16 | 絶縁基板の無電解メツキ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7405881A JPS6021226B2 (ja) | 1981-05-16 | 1981-05-16 | 絶縁基板の無電解メツキ法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57188664A JPS57188664A (en) | 1982-11-19 |
| JPS6021226B2 true JPS6021226B2 (ja) | 1985-05-25 |
Family
ID=13536205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7405881A Expired JPS6021226B2 (ja) | 1981-05-16 | 1981-05-16 | 絶縁基板の無電解メツキ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6021226B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1308146C (zh) * | 2002-06-27 | 2007-04-04 | 松下电器产业株式会社 | 液体喷出头及其制造方法 |
| CN115110071B (zh) * | 2022-07-29 | 2023-09-01 | 电子科技大学 | 绝缘基板化学镀前处理方法及化学镀方法 |
-
1981
- 1981-05-16 JP JP7405881A patent/JPS6021226B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57188664A (en) | 1982-11-19 |
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