JPH06228762A - 無電解金めっき方法 - Google Patents
無電解金めっき方法Info
- Publication number
- JPH06228762A JPH06228762A JP3395393A JP3395393A JPH06228762A JP H06228762 A JPH06228762 A JP H06228762A JP 3395393 A JP3395393 A JP 3395393A JP 3395393 A JP3395393 A JP 3395393A JP H06228762 A JPH06228762 A JP H06228762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- gold
- film
- electroless
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ピンホールがなくかつ光沢ムラのないめっき
皮膜の形成を可能とする置換による無電解金めっき技術
の確立。 【構成】 素材又は下地めっき材付き素材と無電解金め
っき液とを接触させて金との置換により金めっき皮膜を
得る無電解金めっき方法において、無電解金めっきの前
処理として素材又は下地めっき材と金との中間に位置す
る電位を有する金属のめっき或いはストライク皮膜を該
素材又は下地めっき材上に形成した後、無電解金めっき
を実施することを特徴とする。電位が若干金側に移行し
て金めっきをスタートさせることによって、微細な金結
晶の発生と成長が起こり、均一で、密着性のよいピンホ
ールのない金めっき皮膜が得られる。微細化するパター
ンへのめっきが可能となり、軽量化、小型化、高信頼性
化を指向している移動体通信用のプリント回路製造のワ
イヤボンディング等に寄与する。
皮膜の形成を可能とする置換による無電解金めっき技術
の確立。 【構成】 素材又は下地めっき材付き素材と無電解金め
っき液とを接触させて金との置換により金めっき皮膜を
得る無電解金めっき方法において、無電解金めっきの前
処理として素材又は下地めっき材と金との中間に位置す
る電位を有する金属のめっき或いはストライク皮膜を該
素材又は下地めっき材上に形成した後、無電解金めっき
を実施することを特徴とする。電位が若干金側に移行し
て金めっきをスタートさせることによって、微細な金結
晶の発生と成長が起こり、均一で、密着性のよいピンホ
ールのない金めっき皮膜が得られる。微細化するパター
ンへのめっきが可能となり、軽量化、小型化、高信頼性
化を指向している移動体通信用のプリント回路製造のワ
イヤボンディング等に寄与する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、置換による無電解金め
っき方法に関するものであり、特には例えば現在急速に
発展しつつある移動体通信用の軽量化、小型化、高信頼
性化を指向しているプリント回路におけるワイヤボンデ
ィング等を目的としてプリント基板上にピンホールや光
沢むらのない金めっき皮膜を形成するための無電解金め
っき方法に関するものである。
っき方法に関するものであり、特には例えば現在急速に
発展しつつある移動体通信用の軽量化、小型化、高信頼
性化を指向しているプリント回路におけるワイヤボンデ
ィング等を目的としてプリント基板上にピンホールや光
沢むらのない金めっき皮膜を形成するための無電解金め
っき方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】銅張りプリント基板、リードフレーム、
ＴＡＢ、半導体デバイス等のワイヤボンディング、金電
極形成等に代表されるように、電子デバイスにおいては
金めっきが必要とされることが非常に多い。例えば、プ
リント基板におけるワイヤーボンディングを目的とする
金めっき皮膜の形成においては、必要とされるめっき皮
膜厚０．３μｍ以上を得ることのできる無電解金めっき
液がなかったため、これまでは電気めっきで対応してい
た。
ＴＡＢ、半導体デバイス等のワイヤボンディング、金電
極形成等に代表されるように、電子デバイスにおいては
金めっきが必要とされることが非常に多い。例えば、プ
リント基板におけるワイヤーボンディングを目的とする
金めっき皮膜の形成においては、必要とされるめっき皮
膜厚０．３μｍ以上を得ることのできる無電解金めっき
液がなかったため、これまでは電気めっきで対応してい
た。
【０００３】しかし、パターンが微細化すると電気めっ
きではもはや対応できず、無電解めっき液が要望される
ようになった。しかし、ワイヤーボンディングのための
金めっき皮膜が高い信頼性の下で形成されるためには、
所要の膜厚に加えて、均一な膜厚を有すると共に、平滑
な結晶を有しそしてピンホール等の欠陥のない金めっき
皮膜が要求される。従来このような皮膜要求を満たす無
電解金めっき浴はなかった。即ち、従来のめっき技術で
は、析出結晶が大きく、析出膜厚に均一性が欠けてい
る。このためピンホールが多くしかも光沢ムラのあるめ
っき皮膜となっていた。
きではもはや対応できず、無電解めっき液が要望される
ようになった。しかし、ワイヤーボンディングのための
金めっき皮膜が高い信頼性の下で形成されるためには、
所要の膜厚に加えて、均一な膜厚を有すると共に、平滑
な結晶を有しそしてピンホール等の欠陥のない金めっき
皮膜が要求される。従来このような皮膜要求を満たす無
電解金めっき浴はなかった。即ち、従来のめっき技術で
は、析出結晶が大きく、析出膜厚に均一性が欠けてい
る。このためピンホールが多くしかも光沢ムラのあるめ
っき皮膜となっていた。
【０００４】均一な厚い膜厚と、平滑な結晶及びピンホ
ール等の欠陥のない金めっき皮膜の形成を目的とする従
来技術は見当らないが、めっき浴に金以外の金属塩を添
加して、浴の安定性や析出速度の向上を提案している公
報及び尿素系化合物反応の触媒として前処理に金属膜を
付与する公報があるので、参考までに示しておく。 浴中にメタルを添加：特公昭５５−８５６４１号、特公
平２−１９１９０号、特公平２−１６３８５号。 前処理：特開平１−１８０９８５
ール等の欠陥のない金めっき皮膜の形成を目的とする従
来技術は見当らないが、めっき浴に金以外の金属塩を添
加して、浴の安定性や析出速度の向上を提案している公
報及び尿素系化合物反応の触媒として前処理に金属膜を
付与する公報があるので、参考までに示しておく。 浴中にメタルを添加：特公昭５５−８５６４１号、特公
平２−１９１９０号、特公平２−１６３８５号。 前処理：特開平１−１８０９８５
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、ピン
ホールがなくかつ光沢ムラのない金めっき皮膜の形成を
可能とする置換による無電解金めっき技術を確立するこ
とである。
ホールがなくかつ光沢ムラのない金めっき皮膜の形成を
可能とする置換による無電解金めっき技術を確立するこ
とである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】課題解決のため研究の結
果、無電解金めっきの前処理として素材又はその上の下
地めっき材と金との中間に位置する電位を有した金属の
めっき或いはストライク皮膜を該素材又は下地めっき材
上に形成した後、無電解金めっきを実施することによ
り、電位が若干金側に移行してスタートすることによっ
て、微細な金結晶の発生と成長が起こり、めっき皮膜が
均一で、全面を被覆することができることが判明した。
この知見に基づいて、本発明は、金より卑な素材又は金
より卑な下地めっき材付き素材と無電解金めっき液とを
接触させて金との置換により金めっき皮膜を該素材又は
下地めっき材上に得る無電解金めっき方法において、無
電解金めっきの前処理として前記素材又は下地めっき材
と金との中間に位置する電位を有する金属のめっき或い
はストライク皮膜を該素材又は下地めっき材上に形成し
た後、無電解金めっきを実施することを特徴とする無電
解金めっき方法を提供する。好ましい具体例の一つとし
て、本発明は、銅張りプリント基板上に形成したＮｉ乃
至Ｎｉ合金、例えばＮｉ−Ｐ下地めっき材上に無電解金
めっきの前処理としてＣｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及
びＲｕの群から選択される金属のめっき或いはストライ
ク皮膜を形成し、その後無電解金めっきを実施すること
を特徴とする無電解金めっき方法を提供する。
果、無電解金めっきの前処理として素材又はその上の下
地めっき材と金との中間に位置する電位を有した金属の
めっき或いはストライク皮膜を該素材又は下地めっき材
上に形成した後、無電解金めっきを実施することによ
り、電位が若干金側に移行してスタートすることによっ
て、微細な金結晶の発生と成長が起こり、めっき皮膜が
均一で、全面を被覆することができることが判明した。
この知見に基づいて、本発明は、金より卑な素材又は金
より卑な下地めっき材付き素材と無電解金めっき液とを
接触させて金との置換により金めっき皮膜を該素材又は
下地めっき材上に得る無電解金めっき方法において、無
電解金めっきの前処理として前記素材又は下地めっき材
と金との中間に位置する電位を有する金属のめっき或い
はストライク皮膜を該素材又は下地めっき材上に形成し
た後、無電解金めっきを実施することを特徴とする無電
解金めっき方法を提供する。好ましい具体例の一つとし
て、本発明は、銅張りプリント基板上に形成したＮｉ乃
至Ｎｉ合金、例えばＮｉ−Ｐ下地めっき材上に無電解金
めっきの前処理としてＣｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及
びＲｕの群から選択される金属のめっき或いはストライ
ク皮膜を形成し、その後無電解金めっきを実施すること
を特徴とする無電解金めっき方法を提供する。
【０００７】本発明により、上記要求を充分に満足し、
ワイヤーボンディング性等に優れためっき皮膜を得るこ
とが出来た。前述した通り、従来技術で、めっき浴に金
属塩を添加する方法や前処理に金属膜を形成してからめ
っきを行う方法が提案されているが、本発明は、目的、
構成、作用及び効果においてこうした従来技術とはまっ
たく相違するものである。
ワイヤーボンディング性等に優れためっき皮膜を得るこ
とが出来た。前述した通り、従来技術で、めっき浴に金
属塩を添加する方法や前処理に金属膜を形成してからめ
っきを行う方法が提案されているが、本発明は、目的、
構成、作用及び効果においてこうした従来技術とはまっ
たく相違するものである。
【０００８】
【作用】金より卑な素材又は下地めっき材と金との中間
に位置する電位を有する金属のめっき或いはストライク
皮膜を該素材又は下地めっき材上に形成した後、無電解
金めっきを実施（例えば、Ｎｉ−Ｐ下地めっきにＣｕ、
Ｐｄ、Ｒｕ等のストライクを形成後金めっきを実施）す
ることにより、電位が若干金側に移行してスタートする
ことによって、微細な金結晶の発生と成長が起こり、金
めっき皮膜が均一で、全面を被覆することができる。ま
た、下地めっきの濃度のばらつき、例えばＮｉ−Ｐ下地
めっきのＰ含有量のばらつきによって析出電位が異なる
が、本発明においてはその電位を均等化できることか
ら、安定しためっき皮膜を得ることができる。更に、ス
トライクを行うことによる密着性向上への寄与も得られ
る。ワイヤーボンディングを行うプリント基板に於い
て、０．３μｍ以上の厚さのめっき皮膜を、均一でピン
ホールのないめっき皮膜として得ることができたため、
微細化するパターンへのめっきが可能となり、軽量化、
小型化、高信頼性化を指向している移動体通信用のプリ
ント回路製造等に大きく寄与する。
に位置する電位を有する金属のめっき或いはストライク
皮膜を該素材又は下地めっき材上に形成した後、無電解
金めっきを実施（例えば、Ｎｉ−Ｐ下地めっきにＣｕ、
Ｐｄ、Ｒｕ等のストライクを形成後金めっきを実施）す
ることにより、電位が若干金側に移行してスタートする
ことによって、微細な金結晶の発生と成長が起こり、金
めっき皮膜が均一で、全面を被覆することができる。ま
た、下地めっきの濃度のばらつき、例えばＮｉ−Ｐ下地
めっきのＰ含有量のばらつきによって析出電位が異なる
が、本発明においてはその電位を均等化できることか
ら、安定しためっき皮膜を得ることができる。更に、ス
トライクを行うことによる密着性向上への寄与も得られ
る。ワイヤーボンディングを行うプリント基板に於い
て、０．３μｍ以上の厚さのめっき皮膜を、均一でピン
ホールのないめっき皮膜として得ることができたため、
微細化するパターンへのめっきが可能となり、軽量化、
小型化、高信頼性化を指向している移動体通信用のプリ
ント回路製造等に大きく寄与する。
【０００９】本発明が対象とする素材又は下地めっき材
付き素材としては、銅張りプリント基板、リードフレー
ム、ＴＡＢ、半導体デバイス、透明導電膜回路、硝子、
セラミック等を例示することができ、ワイヤボンディン
グのための金皮膜形成、金電極形成等を必要としそして
電位が金より卑なもの全般を包括する。
付き素材としては、銅張りプリント基板、リードフレー
ム、ＴＡＢ、半導体デバイス、透明導電膜回路、硝子、
セラミック等を例示することができ、ワイヤボンディン
グのための金皮膜形成、金電極形成等を必要としそして
電位が金より卑なもの全般を包括する。
【００１０】素材又は下地めっき材と金との中間に位置
する電位を有した金属のめっき或いはストライク皮膜
は、当該金属の可溶性塩を溶解しためっき液或いはスト
ライク液を使用して適正なｐＨ及び浸漬時間を選択する
ことにより実施される。素材または下地めっき材の電位
を金側に移行するような混成電位を発現するに充分薄い
厚さのものでなければならない。幾つかのストライク条
件を挙げておく。 （１）Ｃｕストライク条件： 硫酸銅：０．０５〜０．２ｇ／ｌ（Ｃｕ量） ｐＨ：１〜２ 液温：室温 処理時間：５〜２０秒 （２）Ｐｄストライク条件： 塩化パラジウム：０．０２〜０．１ｇ／ｌ（Ｐａ量） ｐＨ：１〜２ 液温：室温 処理時間：１５〜４０秒 （３）Ｒｕストライク条件： 硫酸ルテニウム：２〜９ｇ／ｌ（Ｒｕ量） ｐＨ：０．５〜１．５ 液温：室温 処理時間：２〜８秒
する電位を有した金属のめっき或いはストライク皮膜
は、当該金属の可溶性塩を溶解しためっき液或いはスト
ライク液を使用して適正なｐＨ及び浸漬時間を選択する
ことにより実施される。素材または下地めっき材の電位
を金側に移行するような混成電位を発現するに充分薄い
厚さのものでなければならない。幾つかのストライク条
件を挙げておく。 （１）Ｃｕストライク条件： 硫酸銅：０．０５〜０．２ｇ／ｌ（Ｃｕ量） ｐＨ：１〜２ 液温：室温 処理時間：５〜２０秒 （２）Ｐｄストライク条件： 塩化パラジウム：０．０２〜０．１ｇ／ｌ（Ｐａ量） ｐＨ：１〜２ 液温：室温 処理時間：１５〜４０秒 （３）Ｒｕストライク条件： 硫酸ルテニウム：２〜９ｇ／ｌ（Ｒｕ量） ｐＨ：０．５〜１．５ 液温：室温 処理時間：２〜８秒
【００１１】置換による無電解金めっき液としてはこれ
まで様々のものが知られている。例えば、可溶性金塩に
シアン化アルカリ安定化剤等を添加した置換金めっき液
が知られている。本発明はそのいずれをも使用すること
ができるが、特に好ましい金めっき液はＫＧ−５５０の
商品名で市販されているものである。これは次の組成及
び使用条件を有する： （Ａ）組成 ＫＡｕ（ＣＮ）2 ：０．５〜５ｇ／ｌ 錯化剤：１０〜５０ｇ／ｌ ｐＨ緩衝剤：１０〜１５０ｇ／ｌ 添加剤：１〜２０ｍｌ／ｌ （Ｂ）使用条件 ｐＨ：６ 温度：６０℃ めっき厚：０．５μｍ／３０分
まで様々のものが知られている。例えば、可溶性金塩に
シアン化アルカリ安定化剤等を添加した置換金めっき液
が知られている。本発明はそのいずれをも使用すること
ができるが、特に好ましい金めっき液はＫＧ−５５０の
商品名で市販されているものである。これは次の組成及
び使用条件を有する： （Ａ）組成 ＫＡｕ（ＣＮ）2 ：０．５〜５ｇ／ｌ 錯化剤：１０〜５０ｇ／ｌ ｐＨ緩衝剤：１０〜１５０ｇ／ｌ 添加剤：１〜２０ｍｌ／ｌ （Ｂ）使用条件 ｐＨ：６ 温度：６０℃ めっき厚：０．５μｍ／３０分
【００１２】
（実施例１）Ｃｕ張りプリント基板に洗浄、硫酸浸漬処
理、エッチング及び硫酸浸漬処理を施した後、触媒付与
処理工程を経てＮｉ−Ｐ下地無電解めっきを施した。Ｎ
ｉ−Ｐめっきは、商品名ＫＧ−５３０Ｎｉ−Ｐめっき液
を用いて８５℃×１５分の条件で実施することにより４
〜５μｍの皮膜厚を形成した。洗浄後、５％塩酸溶液に
浸漬しそして下記のストライク処理をした。
理、エッチング及び硫酸浸漬処理を施した後、触媒付与
処理工程を経てＮｉ−Ｐ下地無電解めっきを施した。Ｎ
ｉ−Ｐめっきは、商品名ＫＧ−５３０Ｎｉ−Ｐめっき液
を用いて８５℃×１５分の条件で実施することにより４
〜５μｍの皮膜厚を形成した。洗浄後、５％塩酸溶液に
浸漬しそして下記のストライク処理をした。
【００１３】洗浄後、Ｃｕストライクを施した。Ｃｕス
トライク条件は次の通りとした： Ｃｕ：０．１ｇ／ｌ（硫酸銅） ｐＨ：１．５ 液温：室温 処理時間：１０秒
トライク条件は次の通りとした： Ｃｕ：０．１ｇ／ｌ（硫酸銅） ｐＨ：１．５ 液温：室温 処理時間：１０秒
【００１４】その後、前述したＫＧ−５５０無電解めっ
き液（Ａｕ：２ｇ／ｌ）を使用してｐＨ＝６及び温度＝
６０℃の条件で３０分で０．５μｍのめっき厚の金めっ
きを形成した。
き液（Ａｕ：２ｇ／ｌ）を使用してｐＨ＝６及び温度＝
６０℃の条件で３０分で０．５μｍのめっき厚の金めっ
きを形成した。
【００１５】（実施例２）実施例１のＣｕストライクに
替えて、Ｐｄストライクを実施した。Ｐｄストライク条
件は次の通りとした： Ｐｄ：０．０５ｇ／ｌ（塩化パラジウム） ｐＨ：１．５ 液温：室温 処理時間：３０秒
替えて、Ｐｄストライクを実施した。Ｐｄストライク条
件は次の通りとした： Ｐｄ：０．０５ｇ／ｌ（塩化パラジウム） ｐＨ：１．５ 液温：室温 処理時間：３０秒
【００１６】（実施例３）実施例１のＣｕストライクに
替えて、Ｒｕストライクを実施した。Ｒｕストライク条
件は次の通りとした： Ｒｕ：５ｇ／ｌ（硫酸ルテニウム） ｐＨ：１．０ 液温：室温 処理時間：５秒
替えて、Ｒｕストライクを実施した。Ｒｕストライク条
件は次の通りとした： Ｒｕ：５ｇ／ｌ（硫酸ルテニウム） ｐＨ：１．０ 液温：室温 処理時間：５秒
【００１７】いずれも均一な金皮膜の形成の点で良好な
結果を示した。実施例３のＲｕストライクの場合を例に
とって本発明及び比較例の試験結果を示す。
結果を示した。実施例３のＲｕストライクの場合を例に
とって本発明及び比較例の試験結果を示す。
【００１８】図１は、新建浴Ａｕめっき浴にＲｕスト
ライクを形成することなくＮｉ−Ｐ下地を形成した試験
品を浸漬した場合、実施例３に従ってＲｕストライク
を形成した試験品を浸漬した場合、そして純Ｎｉ板浸
漬の場合それぞれの経過時間（分）に対する混成電位
（mV, Ag/AgCl ）の変化を示すグラフである。図１から
次の結果を見ることができる：のストライク処理がな
い場合：スタートの溶出電位が高く、以降の電位も高く
推移している。３０分に至ってもＡｕ混成電位の−２０
０ｍＶに到達しないことからピンホールが存在し、下地
Ｎｉ−Ｐの溶出が続いている。のＲｕストライク処理
の場合：スタートの電位が低くなったことにより、核生
成が微細となり、以後の電位は−２００ｍＶに向かって
低下し、ピンホールのないＡｕめっきが得らたことを示
している。純Ｎｉの場合：スタート及び推移電位が高
く、粗でピンホールの多いめっきとなる。
ライクを形成することなくＮｉ−Ｐ下地を形成した試験
品を浸漬した場合、実施例３に従ってＲｕストライク
を形成した試験品を浸漬した場合、そして純Ｎｉ板浸
漬の場合それぞれの経過時間（分）に対する混成電位
（mV, Ag/AgCl ）の変化を示すグラフである。図１から
次の結果を見ることができる：のストライク処理がな
い場合：スタートの溶出電位が高く、以降の電位も高く
推移している。３０分に至ってもＡｕ混成電位の−２０
０ｍＶに到達しないことからピンホールが存在し、下地
Ｎｉ−Ｐの溶出が続いている。のＲｕストライク処理
の場合：スタートの電位が低くなったことにより、核生
成が微細となり、以後の電位は−２００ｍＶに向かって
低下し、ピンホールのないＡｕめっきが得らたことを示
している。純Ｎｉの場合：スタート及び推移電位が高
く、粗でピンホールの多いめっきとなる。
【００１９】図２は、のＲｕストライクのない場合の
３０分間めっき後の無電解めっき析出状態のＳＥＭ写真
である。図３は、Ｒｕストライクのある場合の３０分間
めっき後の無電解めっき析出状態のＳＥＭ写真である。
Ｒｕストライクによって微細な組織のピンホールのない
皮膜が形成されたことがわかる。
３０分間めっき後の無電解めっき析出状態のＳＥＭ写真
である。図３は、Ｒｕストライクのある場合の３０分間
めっき後の無電解めっき析出状態のＳＥＭ写真である。
Ｒｕストライクによって微細な組織のピンホールのない
皮膜が形成されたことがわかる。
【００２０】次に、表１は、Ｒｕストライクのある場合
の３０分間めっき後の無電解めっき析出皮膜の１０測定
箇所での皮膜厚の測定結果を示す。皮膜形成が極めて均
一であることがわかる。
の３０分間めっき後の無電解めっき析出皮膜の１０測定
箇所での皮膜厚の測定結果を示す。皮膜形成が極めて均
一であることがわかる。
【００２１】
【表１】
【００２２】さらに、テープ剥し法による密着性の評価
を行った。Ｎｉ−Ｐ下地めっき上に直接０．５μｍ厚の
Ａｕめっき皮膜を形成した場合は、Ａｕ膜はＮｉ−Ｐ下
地めっきから全面にわたって剥れた。他方、本発明に従
い、Ｎｉ−Ｐ下地めっき上にＲｕストライク処理後０．
５μｍ厚のＡｕめっき皮膜を形成した場合、Ａｕ膜はＮ
ｉ−Ｐ下地めっきから剥れなかった。
を行った。Ｎｉ−Ｐ下地めっき上に直接０．５μｍ厚の
Ａｕめっき皮膜を形成した場合は、Ａｕ膜はＮｉ−Ｐ下
地めっきから全面にわたって剥れた。他方、本発明に従
い、Ｎｉ−Ｐ下地めっき上にＲｕストライク処理後０．
５μｍ厚のＡｕめっき皮膜を形成した場合、Ａｕ膜はＮ
ｉ−Ｐ下地めっきから剥れなかった。
【００２３】
【発明の効果】素材又は下地めっき材と金との中間に位
置する電位を有した金属のめっき或いはストライク皮膜
を該素材又は下地めっき材上に形成した後、無電解金め
っきを実施することにより、電位が若干金側に移行して
スタートすることによって、微細な金結晶の発生と成長
が起こり、結晶組織が小さく、めっき皮膜が均一で、全
面を被覆することができる。下地めっきの濃度のばらつ
きによって析出電位が異なるが、本発明においてはその
電位を均等化できることから、安定しためっき皮膜を得
ることができる。更に、ストライクを行うことによる密
着性向上への寄与も得られる。ワイヤーボンディングを
行うプリント基板に於いて、０．３μｍ以上のめっき皮
膜を、均一でピンホールのないめっき皮膜として得るこ
とができるため、微細化するパターンへのめっきが可能
となり、軽量化、小型化、高信頼性化を指向している移
動体通信用のプリント回路等の製造に大きく寄与する。
置する電位を有した金属のめっき或いはストライク皮膜
を該素材又は下地めっき材上に形成した後、無電解金め
っきを実施することにより、電位が若干金側に移行して
スタートすることによって、微細な金結晶の発生と成長
が起こり、結晶組織が小さく、めっき皮膜が均一で、全
面を被覆することができる。下地めっきの濃度のばらつ
きによって析出電位が異なるが、本発明においてはその
電位を均等化できることから、安定しためっき皮膜を得
ることができる。更に、ストライクを行うことによる密
着性向上への寄与も得られる。ワイヤーボンディングを
行うプリント基板に於いて、０．３μｍ以上のめっき皮
膜を、均一でピンホールのないめっき皮膜として得るこ
とができるため、微細化するパターンへのめっきが可能
となり、軽量化、小型化、高信頼性化を指向している移
動体通信用のプリント回路等の製造に大きく寄与する。
【図１】新建浴Ａｕめっき浴にＲｕストライクを形成
することなくＮｉ−Ｐ下地を形成した試験品を浸漬した
場合、実施例２に従ってＲｕストライクを形成した試
験品を浸漬した場合、そして純Ｎｉ板浸漬の場合の経
過時間（分）に対する混成電位（mV, Ag/AgCl ）の変化
を示すグラフである。
することなくＮｉ−Ｐ下地を形成した試験品を浸漬した
場合、実施例２に従ってＲｕストライクを形成した試
験品を浸漬した場合、そして純Ｎｉ板浸漬の場合の経
過時間（分）に対する混成電位（mV, Ag/AgCl ）の変化
を示すグラフである。
【図２】Ｒｕストライクのない場合の３０分間めっき後
の無電解めっき析出状態の金属組織の電子顕微鏡写真で
ある。
の無電解めっき析出状態の金属組織の電子顕微鏡写真で
ある。
【図３】本発明に従いＲｕストライクのある場合の３０
分間めっき後の無電解めっき析出状態の金属組織の電子
顕微鏡写真である。
分間めっき後の無電解めっき析出状態の金属組織の電子
顕微鏡写真である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年４月２３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/24 Ａ 7511−4Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 金より卑な素材又は金より卑な下地めっ
き材付き素材と無電解金めっき液とを接触させて金との
置換により金めっき皮膜を該素材又は下地めっき材上に
得る無電解金めっき方法において、無電解金めっきの前
処理として前記素材又は下地めっき材と金との中間に位
置する電位を有する金属のめっき或いはストライク皮膜
を該素材又は下地めっき材上に形成した後、無電解金め
っきを実施することを特徴とする無電解金めっき方法。 - 【請求項２】 銅張りプリント基板上に形成したＮｉ乃
至Ｎｉ合金下地めっき材上に無電解金めっきの前処理と
してＣｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及びＲｕの群から選
択される金属のめっき或いはストライク皮膜を形成し、
その後無電解金めっきを実施することを特徴とする無電
解金めっき方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3395393A JPH06228762A (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 無電解金めっき方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3395393A JPH06228762A (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 無電解金めっき方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06228762A true JPH06228762A (ja) | 1994-08-16 |
Family
ID=12400863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3395393A Pending JPH06228762A (ja) | 1993-02-01 | 1993-02-01 | 無電解金めっき方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06228762A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH108262A (ja) * | 1996-03-22 | 1998-01-13 | Macdermid Inc | 表面のはんだ付け性増強方法 |
| US6737104B2 (en) | 2001-08-29 | 2004-05-18 | Araco Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of anti-corrosive multi-layered structure material |
-
1993
- 1993-02-01 JP JP3395393A patent/JPH06228762A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH108262A (ja) * | 1996-03-22 | 1998-01-13 | Macdermid Inc | 表面のはんだ付け性増強方法 |
| US6737104B2 (en) | 2001-08-29 | 2004-05-18 | Araco Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of anti-corrosive multi-layered structure material |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4093466A (en) | Electroless tin and tin-lead alloy plating baths | |
| US4194913A (en) | Electroless tin and tin-lead alloy plating baths | |
| JP3892730B2 (ja) | 無電解金めっき液 | |
| US4234631A (en) | Method for immersion deposition of tin and tin-lead alloys | |
| TW446755B (en) | Method and solution for producing gold layers | |
| USRE30434E (en) | Electroless tin and tin-lead alloy plating baths | |
| JP5055496B2 (ja) | 無電解めっき方法 | |
| JP2003013249A (ja) | 置換金メッキ液 | |
| JP2007177268A (ja) | 無電解ニッケルめっき用貴金属表面活性化液 | |
| JP2785102B2 (ja) | 無電解金めっき方法 | |
| JP5371465B2 (ja) | 非シアン無電解金めっき液及び導体パターンのめっき方法 | |
| JP3437980B2 (ja) | 無電解パラジウム−ニッケルめっき浴およびこれを用いるめっき方法ならびにこの方法により得られるめっき製品 | |
| JPH06228762A (ja) | 無電解金めっき方法 | |
| JP2003253454A (ja) | 電子部品のめっき方法、及び電子部品 | |
| JP2000336486A (ja) | 触媒核が付与された基体、基体への触媒化処理方法及び無電解めっき方法 | |
| JPH10245683A (ja) | 錫合金膜の形成方法およびその錫合金めっき浴 | |
| US3928148A (en) | Copper strike bath and method for coating electrolessly plated articles | |
| JPS6277481A (ja) | スズホイスカ−の成長防止方法 | |
| JP3909035B2 (ja) | メッキ前処理液およびメッキ前処理方法 | |
| JPH11124680A (ja) | 無電解めっき用触媒液 | |
| JP4842620B2 (ja) | 高密度銅パターンを有したプリント配線板の製造方法 | |
| JPH07207490A (ja) | 電気銅めっき液 | |
| JP2020105543A (ja) | 置換金めっき液および置換金めっき方法 | |
| JP7316250B2 (ja) | 無電解金めっき浴および無電解金めっき方法 | |
| JP2004332037A (ja) | 無電解金めっき方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990112 |