JPH07207490A - 電気銅めっき液 - Google Patents
電気銅めっき液Info
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- JPH07207490A JPH07207490A JP1890494A JP1890494A JPH07207490A JP H07207490 A JPH07207490 A JP H07207490A JP 1890494 A JP1890494 A JP 1890494A JP 1890494 A JP1890494 A JP 1890494A JP H07207490 A JPH07207490 A JP H07207490A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 クエン酸と塩素イオンの共存する電気銅めっ
き液において塩素イオン濃度を不動態被膜が発生しない
ような低い濃度範囲で含有させ、しかも電着応力を十分
に低くすることができる電気銅めっき液を提供すること
を目的とする。 【構成】 硫酸銅６０〜１００ｇ／ｌ、硫酸１７０〜２
２０ｇ／ｌを主体として含み、ヒドロキシカルボン酸を
硫酸銅のモル濃度比で０．１以上含み、且つ塩素イオン
を含有する酸性電気銅めっき液に、さらに少量のチオ尿
素またはチオ尿素誘導体を添加してなる電気銅めっき
液。
き液において塩素イオン濃度を不動態被膜が発生しない
ような低い濃度範囲で含有させ、しかも電着応力を十分
に低くすることができる電気銅めっき液を提供すること
を目的とする。 【構成】 硫酸銅６０〜１００ｇ／ｌ、硫酸１７０〜２
２０ｇ／ｌを主体として含み、ヒドロキシカルボン酸を
硫酸銅のモル濃度比で０．１以上含み、且つ塩素イオン
を含有する酸性電気銅めっき液に、さらに少量のチオ尿
素またはチオ尿素誘導体を添加してなる電気銅めっき
液。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フレキシブルプリント
配線板の回路形成などに使用するための電気銅めっき液
に関するものである。
配線板の回路形成などに使用するための電気銅めっき液
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フレキシブルプリント配線板に用いるフ
レキシブル基板の一つにポリイミド樹脂などの絶縁性合
成樹脂フィルムの表面に直接金属層を設けた基板があ
る。このような基体は、その基材に合成樹脂フィルムを
用いているところから極めて屈曲性に優れているのでこ
れにより得られたプリント配線板も当然のことながら屈
曲性に優れており、これを折り曲げて電子機器等に設置
するための自由度が高い。
レキシブル基板の一つにポリイミド樹脂などの絶縁性合
成樹脂フィルムの表面に直接金属層を設けた基板があ
る。このような基体は、その基材に合成樹脂フィルムを
用いているところから極めて屈曲性に優れているのでこ
れにより得られたプリント配線板も当然のことながら屈
曲性に優れており、これを折り曲げて電子機器等に設置
するための自由度が高い。
【０００３】また、このようなフレキシブル基板は、基
材として用いた合成樹脂フィルムと金属層との間に接着
剤層が存在しないためにその厚さを薄くすることが可能
である。さらに、回路形成後に高温環境下で加工された
場合に接着剤の軟化や硬化によって回路の寸法にずれを
生じたりせず、また接着剤層への不純物の混入や、吸着
によって絶縁層と金属層との密着性が低下することもな
い。
材として用いた合成樹脂フィルムと金属層との間に接着
剤層が存在しないためにその厚さを薄くすることが可能
である。さらに、回路形成後に高温環境下で加工された
場合に接着剤の軟化や硬化によって回路の寸法にずれを
生じたりせず、また接着剤層への不純物の混入や、吸着
によって絶縁層と金属層との密着性が低下することもな
い。
【０００４】従って、フレキシブルプリント配線板を実
装するために湾曲させた場合においても回路が剥離する
ことがなく、そのフレキシブルな特徴を十分に発揮させ
ることができるなどの利点がある。
装するために湾曲させた場合においても回路が剥離する
ことがなく、そのフレキシブルな特徴を十分に発揮させ
ることができるなどの利点がある。
【０００５】ところで、このような直接金属層を形成し
たフレキシブル基板は、一般に絶縁体フィルム上に蒸着
法のような乾式法か無電解めっきのような湿式法によっ
て金属被膜を形成した後に、電気めっきを施して所望の
厚さの導体層を形成することによって得られている。
たフレキシブル基板は、一般に絶縁体フィルム上に蒸着
法のような乾式法か無電解めっきのような湿式法によっ
て金属被膜を形成した後に、電気めっきを施して所望の
厚さの導体層を形成することによって得られている。
【０００６】導体層材質として銅を用いる場合、銅はニ
ッケル、クロム、パラジウム等の他の金属に比べて電着
応力が小さいが、それにも拘らず絶縁体フィルムがきわ
めて薄く剛性が低いためにフィルム上に導体層を形成し
た場合に基板が反り返ってしまい好ましいプリント配線
板を得ることが困難である。
ッケル、クロム、パラジウム等の他の金属に比べて電着
応力が小さいが、それにも拘らず絶縁体フィルムがきわ
めて薄く剛性が低いためにフィルム上に導体層を形成し
た場合に基板が反り返ってしまい好ましいプリント配線
板を得ることが困難である。
【０００７】そこで、硫酸銅を主体とする電気銅めっき
液にクエン酸等のヒドロキシカルボン酸と塩素イオンを
添加して電着応力がほぼ零に近い値になるようにした電
気銅めっき液が提案されている。
液にクエン酸等のヒドロキシカルボン酸と塩素イオンを
添加して電着応力がほぼ零に近い値になるようにした電
気銅めっき液が提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記した電気銅めっき
液を使用した場合の被膜の電着応力は、クエン酸共存下
における塩素イオン濃度に大きく依存し、電着応力を零
に近い値にするためには塩素イオンの濃度を約４００ｍ
ｇ／ｌ以上にする必要があった。この値は、通常の光沢
めっきにおいて光沢剤などの添加剤と共存させる場合の
塩素イオン濃度が約５０ｍｇ／ｌ程度であることを考慮
するとかなり高い濃度である。
液を使用した場合の被膜の電着応力は、クエン酸共存下
における塩素イオン濃度に大きく依存し、電着応力を零
に近い値にするためには塩素イオンの濃度を約４００ｍ
ｇ／ｌ以上にする必要があった。この値は、通常の光沢
めっきにおいて光沢剤などの添加剤と共存させる場合の
塩素イオン濃度が約５０ｍｇ／ｌ程度であることを考慮
するとかなり高い濃度である。
【０００９】一方、上記の電気銅めっき液を使用して電
解めっき処理を行う場合に、塩素イオンが２００ｍｇ／
ｌ以上になるとアノード表面に不動態被膜が生成して通
電不能となる恐れがあった。この不動態被膜の生成を防
止するためには、アノード電流密度を０．５〜５Ａ／ｄ
ｍ２の範囲にする必要があるが、一般にこの調整は電流
量に合せたアノード面積を採用しなければならなかっ
た。そして、この方法を採用したとしても電解を一定期
間休止してしまうと、その間にアノード表面に不動態被
膜が生成してしまうという問題があった。
解めっき処理を行う場合に、塩素イオンが２００ｍｇ／
ｌ以上になるとアノード表面に不動態被膜が生成して通
電不能となる恐れがあった。この不動態被膜の生成を防
止するためには、アノード電流密度を０．５〜５Ａ／ｄ
ｍ２の範囲にする必要があるが、一般にこの調整は電流
量に合せたアノード面積を採用しなければならなかっ
た。そして、この方法を採用したとしても電解を一定期
間休止してしまうと、その間にアノード表面に不動態被
膜が生成してしまうという問題があった。
【００１０】本発明は、上記したクエン酸と塩素イオン
を共存させた硫酸銅を主体とする電気銅めっき液におい
て塩素イオン濃度を不動態被膜が発生しないような低い
濃度範囲にして、なおかつ電着応力を十分に低くするこ
とができるような電気銅めっき液を提供することを目的
とするものである。
を共存させた硫酸銅を主体とする電気銅めっき液におい
て塩素イオン濃度を不動態被膜が発生しないような低い
濃度範囲にして、なおかつ電着応力を十分に低くするこ
とができるような電気銅めっき液を提供することを目的
とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成するべく鋭意検討を行った結果、硫酸銅および硫
酸を主成分とし、これにクエン酸と塩素イオンを共存さ
せた電気銅めっき液にさらに少量のチオ尿素またはチオ
尿素誘導体を添加するときは、低塩素イオン濃度のめっ
き液を用いた場合においても電着応力をきわめて小さく
することが可能となることを見出し本発明を完成するに
至った。
を達成するべく鋭意検討を行った結果、硫酸銅および硫
酸を主成分とし、これにクエン酸と塩素イオンを共存さ
せた電気銅めっき液にさらに少量のチオ尿素またはチオ
尿素誘導体を添加するときは、低塩素イオン濃度のめっ
き液を用いた場合においても電着応力をきわめて小さく
することが可能となることを見出し本発明を完成するに
至った。
【００１２】即ち、上記目的を達成するための本発明
は、硫酸銅６０〜１００ｇ／ｌ、硫酸１７０〜２２０ｇ
／ｌを主体として含み、ヒドロキシカルボン酸を硫酸銅
のモル濃度比で０．５以上含み、且つ塩素イオンを含有
する酸性電気銅めっき液にさらに少量のチオ尿素または
チオ尿素誘導体を添加してなる電気銅めっき液である。
は、硫酸銅６０〜１００ｇ／ｌ、硫酸１７０〜２２０ｇ
／ｌを主体として含み、ヒドロキシカルボン酸を硫酸銅
のモル濃度比で０．５以上含み、且つ塩素イオンを含有
する酸性電気銅めっき液にさらに少量のチオ尿素または
チオ尿素誘導体を添加してなる電気銅めっき液である。
【００１３】本発明の電気銅めっき液において、ヒドロ
キシカルボン酸にはクエン酸を、またチオ尿素誘導体に
はアセチルチオ尿素または１，３−ジエチルチオ尿素を
用いることが好ましい。また、該めっき液中における塩
素イオン濃度は１０〜１０００ｍｇ／ｌの範囲とするこ
と、特に５０〜２００ｍｇ／ｌの範囲とすることが好ま
しいし、チオ尿素またはチオ尿素誘導体の添加量は２ｍ
ｇ／ｌ以上とすることが好ましい。
キシカルボン酸にはクエン酸を、またチオ尿素誘導体に
はアセチルチオ尿素または１，３−ジエチルチオ尿素を
用いることが好ましい。また、該めっき液中における塩
素イオン濃度は１０〜１０００ｍｇ／ｌの範囲とするこ
と、特に５０〜２００ｍｇ／ｌの範囲とすることが好ま
しいし、チオ尿素またはチオ尿素誘導体の添加量は２ｍ
ｇ／ｌ以上とすることが好ましい。
【００１４】
【作用】以下に本発明の詳細およびその作用について説
明する。
明する。
【００１５】本明細書において、電着応力とは、電気め
っきを施すに際して、電着するめっき被膜と被めっき物
との界面において生ずる歪応力を指すものであり、その
値はストリップ応力測定器を用いて得られる。
っきを施すに際して、電着するめっき被膜と被めっき物
との界面において生ずる歪応力を指すものであり、その
値はストリップ応力測定器を用いて得られる。
【００１６】一般にプリント配線板に用いられる電気銅
めっき液は、電気めっきに際しての銅の均一析出性が要
求されるために、銅イオンを１５〜２６ｇ／ｌ（硫酸銅
として６０〜１００ｇ／ｌ）と低くし、硫酸を１８０〜
２００ｇ／ｌと高くしたいわゆるハイスロー浴と呼ばれ
る硫酸銅めっき液が多用されている。そして本発明の電
気銅めっき液は、前述したようにこのハイスロー浴にお
ける電着応力（通常は引っ張り応力）の発生を防止する
ために、これにクエン酸等のヒドロキシカルボン酸と多
量の塩素イオンを添加した場合に起こる不動態被膜の生
成などの問題点を克服するために、上記改善ハイスロー
浴を基本的構成成分とし、これに少量のチオ尿素または
チオ尿素誘導体を添加したものである。
めっき液は、電気めっきに際しての銅の均一析出性が要
求されるために、銅イオンを１５〜２６ｇ／ｌ（硫酸銅
として６０〜１００ｇ／ｌ）と低くし、硫酸を１８０〜
２００ｇ／ｌと高くしたいわゆるハイスロー浴と呼ばれ
る硫酸銅めっき液が多用されている。そして本発明の電
気銅めっき液は、前述したようにこのハイスロー浴にお
ける電着応力（通常は引っ張り応力）の発生を防止する
ために、これにクエン酸等のヒドロキシカルボン酸と多
量の塩素イオンを添加した場合に起こる不動態被膜の生
成などの問題点を克服するために、上記改善ハイスロー
浴を基本的構成成分とし、これに少量のチオ尿素または
チオ尿素誘導体を添加したものである。
【００１７】本発明の電気銅めっき液において、ヒドロ
キシカルボン酸と塩素イオンは電気めっきを行うに際し
て電着物の電着応力を低減させる物質であり、その効果
を得るためのヒドロキシカルボン酸の添加量は、硫酸銅
のモル濃度の比として０．５以上である。しかしこれを
超えて大過剰に添加してもそれ以上の顕著な効果は得ら
れない。また、塩素イオンは１０ｍｇ／ｌ以上でその効
果が現われ、その濃度が増すにつれて電着応力（引っ張
り応力）は減少し、やがて零を経て圧縮応力に移行す
る。そしてこの塩素イオン濃度の増加と電着応力減少と
の関係は良好な比例関係を示す。
キシカルボン酸と塩素イオンは電気めっきを行うに際し
て電着物の電着応力を低減させる物質であり、その効果
を得るためのヒドロキシカルボン酸の添加量は、硫酸銅
のモル濃度の比として０．５以上である。しかしこれを
超えて大過剰に添加してもそれ以上の顕著な効果は得ら
れない。また、塩素イオンは１０ｍｇ／ｌ以上でその効
果が現われ、その濃度が増すにつれて電着応力（引っ張
り応力）は減少し、やがて零を経て圧縮応力に移行す
る。そしてこの塩素イオン濃度の増加と電着応力減少と
の関係は良好な比例関係を示す。
【００１８】チオ尿素またはチオ尿素誘導体は、２ｍｇ
／ｌ以上の添加により、めっき液中の塩素イオン濃度を
従来の１／２〜１／８程度に削減しても、従来と同様の
電着応力の低減効果を発揮させるものである。従ってチ
オ尿素またはチオ尿素誘導体の存在することで、めっき
液中の塩素イオン濃度が５０〜２００ｍｇ／ｌといった
比較的低濃度水準でも電着応力を零近傍の値に低減する
ことが可能となる。そしてこのように塩素イオンを低濃
度化することで、従来問題であったアノードでの不動態
被膜の生成を防止することにより円滑な電気めっきを遂
行することができるようになるのである。
／ｌ以上の添加により、めっき液中の塩素イオン濃度を
従来の１／２〜１／８程度に削減しても、従来と同様の
電着応力の低減効果を発揮させるものである。従ってチ
オ尿素またはチオ尿素誘導体の存在することで、めっき
液中の塩素イオン濃度が５０〜２００ｍｇ／ｌといった
比較的低濃度水準でも電着応力を零近傍の値に低減する
ことが可能となる。そしてこのように塩素イオンを低濃
度化することで、従来問題であったアノードでの不動態
被膜の生成を防止することにより円滑な電気めっきを遂
行することができるようになるのである。
【００１９】また、このチオ尿素またはチオ尿素誘導体
の添加による他の効果として、電着応力低減の効果が陰
極電流密度の大きさにあまり依存しないことがないこと
が挙げられる。例えばハイスロー浴中にヒドロキシカル
ボン酸と塩素イオンが存在する従来の改善ハイスロー浴
においては、例えばめっき液中にヒドロキシカルボン酸
としてクエン酸を銅イオン１モルに対して２モル、塩素
イオンを４００ｍｇ／ｌを含ませためっき液の場合で
も、陰極電流密度が２Ａ／ｄｍ２のときの電着応力はほ
ぼ零であるが、３Ａ／ｄｍ２のときの約０．３ｋｇ／ｍ
ｍ２、４Ａ／ｄｍ２のときは０．９ｋｇ／ｍｍ２といっ
たように陰極電流密度の増加に伴って電着応力は大幅に
増大する。ところが本発明のめっき液、例えばチオ尿素
が３ｍｇ／ｌ、クエン酸が銅イオン１モルに対し２モ
ル、塩素イオン１００ｍｇ／ｌを含むめっき液の場合に
は、陰極電流密度が２〜３Ａ／ｄｍ２のときには電着応
力は０〜０. １ｋｇ／ｍｍ２でほぼ零に近く、４Ａ／ｄ
ｍ２に増加しても電着応力は高々０. ４〜０．５ｋｇ／
ｍｍ２であって、それほど陰極電流密度に影響されるこ
とがないこと、言い換えれば陰極電流密度の設定の自由
度が高いことを意味する。
の添加による他の効果として、電着応力低減の効果が陰
極電流密度の大きさにあまり依存しないことがないこと
が挙げられる。例えばハイスロー浴中にヒドロキシカル
ボン酸と塩素イオンが存在する従来の改善ハイスロー浴
においては、例えばめっき液中にヒドロキシカルボン酸
としてクエン酸を銅イオン１モルに対して２モル、塩素
イオンを４００ｍｇ／ｌを含ませためっき液の場合で
も、陰極電流密度が２Ａ／ｄｍ２のときの電着応力はほ
ぼ零であるが、３Ａ／ｄｍ２のときの約０．３ｋｇ／ｍ
ｍ２、４Ａ／ｄｍ２のときは０．９ｋｇ／ｍｍ２といっ
たように陰極電流密度の増加に伴って電着応力は大幅に
増大する。ところが本発明のめっき液、例えばチオ尿素
が３ｍｇ／ｌ、クエン酸が銅イオン１モルに対し２モ
ル、塩素イオン１００ｍｇ／ｌを含むめっき液の場合に
は、陰極電流密度が２〜３Ａ／ｄｍ２のときには電着応
力は０〜０. １ｋｇ／ｍｍ２でほぼ零に近く、４Ａ／ｄ
ｍ２に増加しても電着応力は高々０. ４〜０．５ｋｇ／
ｍｍ２であって、それほど陰極電流密度に影響されるこ
とがないこと、言い換えれば陰極電流密度の設定の自由
度が高いことを意味する。
【００２０】なお、本発明の電解液を使用する場合にお
いては、アノード電流密度を０．５〜５Ａ／ｄｍ２の範
囲にする場合には、塩素濃度を最大１０００ｍｇ／ｌ含
有させてもアノードの不動態被膜の生成が見られず、ま
ためっき操業を一旦停止した場合においても停止期間中
にアノード表面に不動態被膜を生成することはない。
いては、アノード電流密度を０．５〜５Ａ／ｄｍ２の範
囲にする場合には、塩素濃度を最大１０００ｍｇ／ｌ含
有させてもアノードの不動態被膜の生成が見られず、ま
ためっき操業を一旦停止した場合においても停止期間中
にアノード表面に不動態被膜を生成することはない。
【００２１】本発明の電気銅めっき液において、チオ尿
素誘導体には、アセチルチオ尿素または１，３−ジエチ
ルチオ尿素を用いるのが好ましい。特に１，３−ジエチ
ルチオ尿素は、塩素イオンの存在により電着物に生ずる
電着応力の低減効果が著しいために、塩素イオン濃度が
５０〜２００ｍｇ／ｌのうちの比較的高い塩素濃度範囲
において、電着応力を引っ張り応力側から圧縮応力側に
転換させることが可能となり、その圧縮応力の大きさの
調整を塩素イオン濃度の制御によって行うことができ
る。そして、この圧縮応力を付与することによって、基
板に高い引っ張り応力を有する光沢めっきを仕上用めっ
きとして積層させる場合に生ずる反りの発生を防止する
ことができる。
素誘導体には、アセチルチオ尿素または１，３−ジエチ
ルチオ尿素を用いるのが好ましい。特に１，３−ジエチ
ルチオ尿素は、塩素イオンの存在により電着物に生ずる
電着応力の低減効果が著しいために、塩素イオン濃度が
５０〜２００ｍｇ／ｌのうちの比較的高い塩素濃度範囲
において、電着応力を引っ張り応力側から圧縮応力側に
転換させることが可能となり、その圧縮応力の大きさの
調整を塩素イオン濃度の制御によって行うことができ
る。そして、この圧縮応力を付与することによって、基
板に高い引っ張り応力を有する光沢めっきを仕上用めっ
きとして積層させる場合に生ずる反りの発生を防止する
ことができる。
【００２２】なお、この場合において、光沢めっき被膜
を積層した被膜全体のそりの具合をコントロールするに
は、光沢めっき被膜の有する引っ張り応力の程度を予め
把握しておき、本発明のめっき液から得られる被膜との
バランスを考慮した上で双方の膜厚を決定すればよい。
を積層した被膜全体のそりの具合をコントロールするに
は、光沢めっき被膜の有する引っ張り応力の程度を予め
把握しておき、本発明のめっき液から得られる被膜との
バランスを考慮した上で双方の膜厚を決定すればよい。
【００２３】基板に本発明の電気銅めっき液を施すに際
してのめっき法は、常法すなわち基板の前処理法として
脱脂、酸活性処理などを適宜行い、通常の直流電解によ
るめっき処理を施せばよい。電解に当たっては、めっき
被膜の均一析出法を考慮し陰極電流密度を４Ａ／ｄｍ２
以下で行うことが好ましい。
してのめっき法は、常法すなわち基板の前処理法として
脱脂、酸活性処理などを適宜行い、通常の直流電解によ
るめっき処理を施せばよい。電解に当たっては、めっき
被膜の均一析出法を考慮し陰極電流密度を４Ａ／ｄｍ２
以下で行うことが好ましい。
【００２４】
【実施例】以下に本発明の実施例について説明する。 実施例１ 幅１５ｃｍ、長さ１８ｃｍ、厚さ５０μｍのポリイミド
フィルム（東レ・デュポン社製、製品名「カプトン２０
０Ｖ」）の片面を、通常の強アルカリ性エッチング液に
て２５℃で２分間ソフトエッチし、次いで希塩酸溶液に
浸漬して中和した後、キャタライジング液、アクセレー
ティング液（共に奥野製薬社製）に浸漬して触媒付与を
行い、次に表１に示すめっき液組成および処理条件で無
電解めっきを施し、直接ポリイミドフィルム上に厚さ１
μｍの銅被膜を形成した基板を得た。
フィルム（東レ・デュポン社製、製品名「カプトン２０
０Ｖ」）の片面を、通常の強アルカリ性エッチング液に
て２５℃で２分間ソフトエッチし、次いで希塩酸溶液に
浸漬して中和した後、キャタライジング液、アクセレー
ティング液（共に奥野製薬社製）に浸漬して触媒付与を
行い、次に表１に示すめっき液組成および処理条件で無
電解めっきを施し、直接ポリイミドフィルム上に厚さ１
μｍの銅被膜を形成した基板を得た。
【００２５】
【表１】（無電解めっき液組成） ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ： １０ｇ／ｌ ＥＤＴＡ・２Ｎａ ： ３０ｇ／ｌ ＰＥＧ＃１０００ ： ０．５ｇ／ｌ ２，２′−ジピリジル ： １０ｍｇ／ｌ ３７％ＨＣＨＯ ： ５ｍｌ／ｌ （無電解めっき条件） 温 度 ： ６５℃ 攪 拌 ： 空気攪拌 ｐＨ ： １２．５ 時 間 ： ３０分間 得られた基板に引き続いて酸活性化処理を施し、表２に
示す電気めっき液組成および電解条件で電気銅めっきを
施し、被膜厚さが３５μｍの基板を得た。
示す電気めっき液組成および電解条件で電気銅めっきを
施し、被膜厚さが３５μｍの基板を得た。
【００２６】
【表２】（電気めっき液組成） ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ： ８０ｇ／ｌ Ｈ２ＳＯ４ ： ２００ｇ／ｌ Ｃｌ−１ ： ５０ｍｇ／ｌ クエン酸・一水和物 ： ６７ｇ／ｌ チオ尿素 ： ３ｍｇ／ｌ （電解条件） 温 度 ： ２６℃ 攪 拌 ： 空気攪拌 陰極電流密度 ： ２Ａ／ｄｍ２ 陽 極 ： 含りん銅 時 間 ： ８１分 使用電源 ： 直流電源 得られた基板は従来のめっき液により得られたものより
も、基板の反りが著しく少なく、めっき被膜表面の外
観、伸び率、抗張力などの被膜特性において従来のもの
と同等であり、プリント配線板用のめっき基板として十
分に使用できるものであった。 実施例２ 実施例１における電気めっき液を使用して、ストリップ
電着応力測定器（米国・エレクトロケミカル社製）を用
いて、めっき被膜の電着応力の測定を行った。試験片に
通常のアルカリ脱脂、酸活性処理を行い、表３に示す条
件で被膜厚さ１５μｍのめっき被膜を形成し、所定の手
順により測定を行った後、所定の応力算出式によって電
着応力値を算出したところ、その値は圧縮応力側におい
て約０．３ｋｇ／ｍｍ２であった。
も、基板の反りが著しく少なく、めっき被膜表面の外
観、伸び率、抗張力などの被膜特性において従来のもの
と同等であり、プリント配線板用のめっき基板として十
分に使用できるものであった。 実施例２ 実施例１における電気めっき液を使用して、ストリップ
電着応力測定器（米国・エレクトロケミカル社製）を用
いて、めっき被膜の電着応力の測定を行った。試験片に
通常のアルカリ脱脂、酸活性処理を行い、表３に示す条
件で被膜厚さ１５μｍのめっき被膜を形成し、所定の手
順により測定を行った後、所定の応力算出式によって電
着応力値を算出したところ、その値は圧縮応力側におい
て約０．３ｋｇ／ｍｍ２であった。
【００２７】
【表３】（電解条件） 温 度 ： ２６℃ 攪 拌 ： 空気攪拌 陰極電流密度 ： ２Ａ／ｄｍ２ 陽 極 ： 含りん銅 時 間 ： ３４分３０秒 使用電源 ： 直流電源 実施例３ 電気めっき液組成中のクエン酸・一水和物の濃度を１３
４ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モルに対し２モル）とし
た以外は実施例１と同様の手順でポリイミドの片面に厚
さ３５μｍの銅被膜を形成した。
４ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モルに対し２モル）とし
た以外は実施例１と同様の手順でポリイミドの片面に厚
さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【００２８】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００２９】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算出して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．３ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例４ 電気めっき液組成中のクエン酸・一水和物の濃度を２０
２ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モルに対し３モル）とし
た以外は実施例１と同様の手順でポリイミドの片面に厚
さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算出して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．３ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例４ 電気めっき液組成中のクエン酸・一水和物の濃度を２０
２ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モルに対し３モル）とし
た以外は実施例１と同様の手順でポリイミドの片面に厚
さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【００３０】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００３１】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．３ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例５ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とした以外は実施例１と同様の手順でポリイミドの片面
に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．３ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例５ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とした以外は実施例１と同様の手順でポリイミドの片面
に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【００３２】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００３３】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．５ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例６ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例１と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．５ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例６ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例１と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
【００３４】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００３５】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．５ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例７ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
としクエン酸・一水和物濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の
銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例１と同
様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を
形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．５ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例７ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
としクエン酸・一水和物濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の
銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例１と同
様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を
形成した。
【００３６】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００３７】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．５ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例８ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とした以外は実施例１と同様の手順でポリイミドの片面
に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．５ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例８ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とした以外は実施例１と同様の手順でポリイミドの片面
に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【００３８】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００３９】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．７ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例９ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例１と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．７ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例９ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例１と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
【００４０】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００４１】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．７ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１０ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
としクエン酸・一水和物濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の
銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例１と同
様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を
形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．７ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１０ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
としクエン酸・一水和物濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の
銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例１と同
様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を
形成した。
【００４２】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００４３】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．７ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１１ 電気めっき液組成中のチオ尿素の濃度を１０ｍｇ／ｌと
した以外は実施例１と同様の手順でポリイミドの片面に
厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．７ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１１ 電気めっき液組成中のチオ尿素の濃度を１０ｍｇ／ｌと
した以外は実施例１と同様の手順でポリイミドの片面に
厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【００４４】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００４５】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１２ 電気めっき液組成中のチオ尿素の濃度を１０ｍｇ／ｌと
し、クエン酸・一水和物の濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例１と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１２ 電気めっき液組成中のチオ尿素の濃度を１０ｍｇ／ｌと
し、クエン酸・一水和物の濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例１と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
【００４６】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００４７】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１３ 電気めっき液組成中のチオ尿素の濃度を１０ｍｇ／ｌと
し、クエン酸・一水和物の濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例１と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１３ 電気めっき液組成中のチオ尿素の濃度を１０ｍｇ／ｌと
し、クエン酸・一水和物の濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例１と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
【００４８】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００４９】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１４ 電気めっき液組成中のチオ尿素の濃度を１０ｍｇ／ｌと
し、塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌとした以外は実施
例１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの
銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１４ 電気めっき液組成中のチオ尿素の濃度を１０ｍｇ／ｌと
し、塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌとした以外は実施
例１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの
銅被膜を形成した。
【００５０】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００５１】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１５ 電気めっき液組成中のチオ尿素の濃度を１０ｍｇ／ｌと
し、塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌとし、クエン酸・
一水和物の濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モ
ルに対し２モル）とした以外は実施例１と同様の手順で
ポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１５ 電気めっき液組成中のチオ尿素の濃度を１０ｍｇ／ｌと
し、塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌとし、クエン酸・
一水和物の濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モ
ルに対し２モル）とした以外は実施例１と同様の手順で
ポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【００５２】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００５３】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１６ 電気めっき液組成中のチオ尿素の濃度を１０ｍｇ／ｌと
し、塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌとし、クエン酸・
一水和物の濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モ
ルに対し３モル）とした以外は実施例１と同様の手順で
ポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例１６ 電気めっき液組成中のチオ尿素の濃度を１０ｍｇ／ｌと
し、塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌとし、クエン酸・
一水和物の濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モ
ルに対し３モル）とした以外は実施例１と同様の手順で
ポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【００５４】得られた基板は実施例１と同様に従来のめ
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
っき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００５５】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 比較例１ 電気めっき液組成中にクエン酸を含ませなかった以外は
実施例１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μ
ｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 比較例１ 電気めっき液組成中にクエン酸を含ませなかった以外は
実施例１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μ
ｍの銅被膜を形成した。
【００５６】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【００５７】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
５ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例２ 電気めっき液組成中に塩素イオンを添加しなかった以外
は実施例１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５
μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
５ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例２ 電気めっき液組成中に塩素イオンを添加しなかった以外
は実施例１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５
μｍの銅被膜を形成した。
【００５８】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【００５９】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
５ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例３ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例４と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５
μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
５ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例３ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例４と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５
μｍの銅被膜を形成した。
【００６０】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【００６１】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
５ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例４ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例１１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
５ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例４ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例１１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
【００６２】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【００６３】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り力側において１．５
ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電気
銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起こ
しやすいものであることが判かった。 比較例５ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例１３と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り力側において１．５
ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電気
銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起こ
しやすいものであることが判かった。 比較例５ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例１３と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
【００６４】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【００６５】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り力側において１．５
ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電気
銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起こ
しやすいものであることが判かった。 比較例６ 電気めっき液に塩素イオンを１２００ｍｇ／ｌ添加した
以外は実施例１と同様にして電着物の電着応力を測定し
ようと試みたがアノード表面に不動態被膜が生成して通
電が不可能となった。 比較例７ 電気めっき液に塩素イオンを１２００ｍｇ／ｌ添加した
以外は実施例１１と同様にして電着物の電着応力を測定
しようと試みたがアノード表面に不動態被膜が生成して
通電が不可能となった。 実施例１７ 実施例１と同様の手順でポリイミドフィルムの片面上
に、無電解めっきにより直接厚さ１μｍの銅被膜を施し
た基板を得た後、該基板に引き続いて酸活性化処理を施
し、表４に示す電気めっき液組成および電解条件で電気
銅めっきを施し、被膜厚さが３５μｍの基板を得た。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り力側において１．５
ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電気
銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起こ
しやすいものであることが判かった。 比較例６ 電気めっき液に塩素イオンを１２００ｍｇ／ｌ添加した
以外は実施例１と同様にして電着物の電着応力を測定し
ようと試みたがアノード表面に不動態被膜が生成して通
電が不可能となった。 比較例７ 電気めっき液に塩素イオンを１２００ｍｇ／ｌ添加した
以外は実施例１１と同様にして電着物の電着応力を測定
しようと試みたがアノード表面に不動態被膜が生成して
通電が不可能となった。 実施例１７ 実施例１と同様の手順でポリイミドフィルムの片面上
に、無電解めっきにより直接厚さ１μｍの銅被膜を施し
た基板を得た後、該基板に引き続いて酸活性化処理を施
し、表４に示す電気めっき液組成および電解条件で電気
銅めっきを施し、被膜厚さが３５μｍの基板を得た。
【００６６】
【表４】（電気めっき液組成） ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ： ８０ｇ／ｌ Ｈ２ＳＯ４ ： ２００ｇ／ｌ Ｃｌ−１ ： ５０ｍｇ／ｌ クエン酸・一水和物 ： ６７ｇ／ｌ アセチルチオ尿素 ： ３ｍｇ／ｌ （電解条件） 温 度 ： ２６℃ 攪 拌 ： 空気攪拌 陰極電流密度 ： ２Ａ／ｄｍ２ 陽 極 ： 含りん銅 時 間 ： ８１分 使用電源 ： 直流電源 得られた基板は従来のめっき液により得られたものより
も、基板の反りが著しく少なく、めっき被膜表面の外
観、伸び率、抗張力などの被膜特性において従来のもの
と同等であり、プリント配線板用のめっき基板として十
分に使用できるものであった。
も、基板の反りが著しく少なく、めっき被膜表面の外
観、伸び率、抗張力などの被膜特性において従来のもの
と同等であり、プリント配線板用のめっき基板として十
分に使用できるものであった。
【００６７】次に実施例２と同様にして、上記のめっき
液で得られた電着物についての電着応力を測定した。ス
トリップ電着応力測定器の測定結果に基づいて算出して
得られためっき被膜の電着応力は０〜０．３ｋｇ／ｍｍ
２（引っ張り応力側）であった。 実施例１８ 電気めっき液組成中のクエン酸・一水和物の濃度を１３
４ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モルに対し２モル）とし
た以外は実施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に
厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
液で得られた電着物についての電着応力を測定した。ス
トリップ電着応力測定器の測定結果に基づいて算出して
得られためっき被膜の電着応力は０〜０．３ｋｇ／ｍｍ
２（引っ張り応力側）であった。 実施例１８ 電気めっき液組成中のクエン酸・一水和物の濃度を１３
４ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モルに対し２モル）とし
た以外は実施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に
厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【００６８】得られた基板は実施例１７と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００６９】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０〜０．３ｋｇ／ｍｍ２（引
っ張り応力側）であった。 実施例１９ 電気めっき液組成中のクエン酸・一水和物の濃度を２０
２ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モルに対し３モル）とし
た以外は実施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に
厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０〜０．３ｋｇ／ｍｍ２（引
っ張り応力側）であった。 実施例１９ 電気めっき液組成中のクエン酸・一水和物の濃度を２０
２ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モルに対し３モル）とし
た以外は実施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に
厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【００７０】得られた基板は実施例１７と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００７１】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０〜０．３ｋｇ／ｍｍ２（引
っ張り応力側）であった。 実施例２０ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とした以外は実施例１７と同様の手順でポリイミドの片
面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０〜０．３ｋｇ／ｍｍ２（引
っ張り応力側）であった。 実施例２０ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とした以外は実施例１７と同様の手順でポリイミドの片
面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【００７２】得られた基板は実施例１７と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００７３】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．２ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例２１ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例１７
と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被
膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．２ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例２１ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例１７
と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被
膜を形成した。
【００７４】得られた基板は実施例１７と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００７５】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．２ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例２２ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
としクエン酸・一水和物濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の
銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例１７と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．２ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例２２ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
としクエン酸・一水和物濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の
銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例１７と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
【００７６】得られた基板は実施例１７と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００７７】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．２ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例２３ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とした以外は実施例１７と同様の手順でポリイミドの片
面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．２ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例２３ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とした以外は実施例１７と同様の手順でポリイミドの片
面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【００７８】得られた基板は実施例１７と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００７９】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例２４ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例１７
と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被
膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例２４ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例１７
と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被
膜を形成した。
【００８０】得られた基板は実施例１７と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００８１】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例２５ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
としクエン酸・一水和物濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の
銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例１７と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例２５ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
としクエン酸・一水和物濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の
銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例１７と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
【００８２】得られた基板は実施例１７と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００８３】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例２６ 電気めっき液組成中のアセチルチオ尿素の濃度を１０ｍ
ｇ／ｌとした以外は実施例１７と同様の手順でポリイミ
ドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．４ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例２６ 電気めっき液組成中のアセチルチオ尿素の濃度を１０ｍ
ｇ／ｌとした以外は実施例１７と同様の手順でポリイミ
ドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【００８４】得られた基板は実施例１７と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００８５】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０〜０．３ｋｇ／ｍｍ２（引
っ張り応力側）であった。 実施例２７ 電気めっき液組成中のアセチルチオ尿素の濃度を１０ｍ
ｇ／ｌとし、クエン酸・一水和物の濃度を１３４ｇ／ｌ
（該液中の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実
施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μ
ｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０〜０．３ｋｇ／ｍｍ２（引
っ張り応力側）であった。 実施例２７ 電気めっき液組成中のアセチルチオ尿素の濃度を１０ｍ
ｇ／ｌとし、クエン酸・一水和物の濃度を１３４ｇ／ｌ
（該液中の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実
施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μ
ｍの銅被膜を形成した。
【００８６】得られた基板は実施例１７と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００８７】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０〜０．３ｋｇ／ｍｍ２（引
っ張り応力側）であった。 実施例２８ 電気めっき液組成中のアセチルチオ尿素の濃度を１０ｍ
ｇ／ｌとしクエン酸・一水和物の濃度を２０２ｇ／ｌ
（該液中の銅イオンに対するモル比３）とした以外は実
施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μ
ｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０〜０．３ｋｇ／ｍｍ２（引
っ張り応力側）であった。 実施例２８ 電気めっき液組成中のアセチルチオ尿素の濃度を１０ｍ
ｇ／ｌとしクエン酸・一水和物の濃度を２０２ｇ／ｌ
（該液中の銅イオンに対するモル比３）とした以外は実
施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μ
ｍの銅被膜を形成した。
【００８８】得られた基板は実施例１７と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００８９】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０〜０．３ｋｇ／ｍｍ２（引
っ張り応力側）であった。 実施例２９ 電気めっき液組成中のアセチルチオ尿素の濃度を１０ｍ
ｇ／ｌとし、塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌとした以
外は実施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ
３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０〜０．３ｋｇ／ｍｍ２（引
っ張り応力側）であった。 実施例２９ 電気めっき液組成中のアセチルチオ尿素の濃度を１０ｍ
ｇ／ｌとし、塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌとした以
外は実施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ
３５μｍの銅被膜を形成した。
【００９０】得られた基板は実施例１７と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００９１】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０．３ｋｇ／ｍｍ２（引っ張
り応力側）であった。 実施例３０ 電気めっき液組成中のアセチルチオ尿素の濃度を１０ｍ
ｇ／ｌとし、塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌとし、ク
エン酸・一水和物の濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の銅イ
オン１モルに対し３モル）とした以外は実施例１７と同
様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を
形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０．３ｋｇ／ｍｍ２（引っ張
り応力側）であった。 実施例３０ 電気めっき液組成中のアセチルチオ尿素の濃度を１０ｍ
ｇ／ｌとし、塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌとし、ク
エン酸・一水和物の濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の銅イ
オン１モルに対し３モル）とした以外は実施例１７と同
様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を
形成した。
【００９２】得られた基板は実施例１７と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【００９３】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０．３ｋｇ／ｍｍ２（引っ張
り応力側）であった。 比較例８ 電気めっき液組成中にクエン酸を含ませなかった以外は
実施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５
μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、０．３ｋｇ／ｍｍ２（引っ張
り応力側）であった。 比較例８ 電気めっき液組成中にクエン酸を含ませなかった以外は
実施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５
μｍの銅被膜を形成した。
【００９４】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【００９５】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
３ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例９ 電気めっき液組成中に塩素イオンを添加しなかった以外
は実施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
３ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例９ 電気めっき液組成中に塩素イオンを添加しなかった以外
は実施例１７と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
【００９６】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【００９７】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
３ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例１０ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例１９と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
３ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例１０ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例１９と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
【００９８】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【００９９】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
３ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例１１ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例２６と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
３ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例１１ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例２６と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
【０１００】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【０１０１】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り力側において１．３
ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電気
銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起こ
しやすいものであることが判かった。 比較例１２ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例２８と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り力側において１．３
ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電気
銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起こ
しやすいものであることが判かった。 比較例１２ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例２８と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
【０１０２】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【０１０３】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り力側において１．５
ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電気
銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起こ
しやすいものであることが判かった。 比較例１３ 電気めっき液に塩素イオンを１２００ｍｇ／ｌ添加した
以外は実施例１７と同様にして電着物の電着応力を測定
しようと試みたがアノード表面に不動態被膜が生成して
通電が不可能となった。 比較例１４ 電気めっき液に塩素イオンを１２００ｍｇ／ｌ添加した
以外は実施例２６と同様にして電着物の電着応力を測定
しようと試みたがアノード表面に不動態被膜が生成して
通電が不可能となった。 実施例３１ 実施例１と同様の手順でポリイミドフィルムの片面上
に、無電解めっきにより直接厚さ１μｍの銅被膜を施し
た基板を得た後、該基板に引き続いて酸活性化処理を施
し、表５に示す電気めっき液組成および電解条件で電気
銅めっきを施し、被膜厚さが１５μｍの基板を得た。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り力側において１．５
ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電気
銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起こ
しやすいものであることが判かった。 比較例１３ 電気めっき液に塩素イオンを１２００ｍｇ／ｌ添加した
以外は実施例１７と同様にして電着物の電着応力を測定
しようと試みたがアノード表面に不動態被膜が生成して
通電が不可能となった。 比較例１４ 電気めっき液に塩素イオンを１２００ｍｇ／ｌ添加した
以外は実施例２６と同様にして電着物の電着応力を測定
しようと試みたがアノード表面に不動態被膜が生成して
通電が不可能となった。 実施例３１ 実施例１と同様の手順でポリイミドフィルムの片面上
に、無電解めっきにより直接厚さ１μｍの銅被膜を施し
た基板を得た後、該基板に引き続いて酸活性化処理を施
し、表５に示す電気めっき液組成および電解条件で電気
銅めっきを施し、被膜厚さが１５μｍの基板を得た。
【０１０４】
【表５】（電気めっき液組成） ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ： ８０ｇ／ｌ Ｈ２ＳＯ４ ： ２００ｇ／ｌ Ｃｌ−１ ： ５０ｍｇ／ｌ クエン酸・一水和物 ： ６７ｇ／ｌ １，３−ジエチルチオ尿素 ： ３ｍｇ／ｌ （電解条件） 温 度 ： ２６℃ 攪 拌 ： 空気攪拌 陰極電流密度 ： ２Ａ／ｄｍ２ 陽 極 ： 含りん銅 時 間 ： 約３５分 使用電源 ： 直流電源 この基板にさらに引き続いて表６に示す光沢めっき液組
成および電解条件で光沢電気銅めっきを施し、被膜厚さ
の合計が３５μｍの基板を得た。
成および電解条件で光沢電気銅めっきを施し、被膜厚さ
の合計が３５μｍの基板を得た。
【０１０５】
【表６】（電気めっき液組成） ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ ： ８０ｇ／ｌ Ｈ２ＳＯ４ ： ２００ｇ／ｌ Ｃｌ−１ ： ５０ｍｇ／ｌ 市販光沢剤 ： 適量 （電解条件） 温 度 ： ２６℃ 攪 拌 ： 空気攪拌 陰極電流密度 ： ２Ａ／ｄｍ２ 陽 極 ： 含りん銅 時 間 ： 約４５分 使用電源 ： 直流電源 得られた基板は従来のめっき液により得られたものより
も、基板の反りが著しく少なく、めっき被膜表面の外
観、伸び率、抗張力などの被膜特性において従来のもの
と同等であり、プリント配線板用のめっき基板として十
分に使用できるものであった。
も、基板の反りが著しく少なく、めっき被膜表面の外
観、伸び率、抗張力などの被膜特性において従来のもの
と同等であり、プリント配線板用のめっき基板として十
分に使用できるものであった。
【０１０６】次に実施例２と同様にして、上記１，３−
ジエチルチオ尿素を含む電気銅めっき液により得られた
厚さ１５μｍの電着被膜についてその電着応力を測定し
た。ストリップ電着応力測定器の測定結果に基づいて算
出して得られためっき被膜の電着応力は、圧縮応力側に
おいて０．７ｋｇ／ｍｍ２（引っ張り応力側）であっ
た。 実施例３２ 電気めっき液組成中のクエン酸・一水和物の濃度を１３
４ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モルに対し２モル）とし
た以外は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片面に
厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
ジエチルチオ尿素を含む電気銅めっき液により得られた
厚さ１５μｍの電着被膜についてその電着応力を測定し
た。ストリップ電着応力測定器の測定結果に基づいて算
出して得られためっき被膜の電着応力は、圧縮応力側に
おいて０．７ｋｇ／ｍｍ２（引っ張り応力側）であっ
た。 実施例３２ 電気めっき液組成中のクエン酸・一水和物の濃度を１３
４ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モルに対し２モル）とし
た以外は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片面に
厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【０１０７】得られた基板は実施例３１と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【０１０８】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．７ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例３３ 電気めっき液組成中のクエン酸・一水和物の濃度を２０
２ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モルに対し３モル）とし
た以外は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片面に
厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．７ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例３３ 電気めっき液組成中のクエン酸・一水和物の濃度を２０
２ｇ／ｌ（該液中の銅イオン１モルに対し３モル）とし
た以外は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片面に
厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【０１０９】得られた基板は実施例３１と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【０１１０】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．７ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例３４ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とした以外は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片
面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において０．７ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例３４ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とした以外は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片
面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【０１１１】得られた基板は実施例３１と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【０１１２】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において１．０ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例３５ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例３１
と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被
膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において１．０ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例３５ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例３１
と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被
膜を形成した。
【０１１３】得られた基板は実施例３１と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【０１１４】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において１．０ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例３６ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例３１
と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被
膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において１．０ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例３６ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を２００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例３１
と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被
膜を形成した。
【０１１５】得られた基板は実施例３１と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【０１１６】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において１．０ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例３７ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とした以外は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片
面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において１．０ｋ
ｇ／ｍｍ２であった。 実施例３７ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とした以外は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片
面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【０１１７】得られた基板は実施例３１と同様に従来の
めっき液によって得られた基板と反りは反対となってい
るものの、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被
膜特性も従来のものと同等であり、プリント配線板用の
めっき基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板と反りは反対となってい
るものの、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被
膜特性も従来のものと同等であり、プリント配線板用の
めっき基板として十分に使用できるものであった。
【０１１８】なお、プリント配線板用のめっき被膜とし
て圧縮応力に対する許容値は引っ張り応力より数段大き
く、圧縮応力の方が望ましい場合もある。
て圧縮応力に対する許容値は引っ張り応力より数段大き
く、圧縮応力の方が望ましい場合もある。
【０１１９】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約１．３
〜１．５ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例３８ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例３１
と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被
膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約１．３
〜１．５ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例３８ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物濃度を１３４ｇ／ｌ（該液中
の銅イオンに対するモル比２）とした以外は実施例３１
と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被
膜を形成した。
【０１２０】得られた基板は実施例３１と同様に従来の
めっき液によって得られた基板と反りは反対となってい
るものの、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被
膜特性も従来のものと同等であり、プリント配線板用の
めっき基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板と反りは反対となってい
るものの、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被
膜特性も従来のものと同等であり、プリント配線板用の
めっき基板として十分に使用できるものであった。
【０１２１】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約１．３
〜１．５ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例３９ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
としクエン酸・一水和物濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の
銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例３１と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約１．３
〜１．５ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例３９ 電気めっき液組成中の塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
としクエン酸・一水和物濃度を２０２ｇ／ｌ（該液中の
銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例３１と
同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜
を形成した。
【０１２２】得られた基板は実施例３１と同様に従来の
めっき液によって得られた基板と反りは反対となってい
るものの、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被
膜特性も従来のものと同等であり、プリント配線板用の
めっき基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板と反りは反対となってい
るものの、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被
膜特性も従来のものと同等であり、プリント配線板用の
めっき基板として十分に使用できるものであった。
【０１２３】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約１．３
〜１．５ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例４０ 電気めっき液組成中の１，３−ジエチルチオ尿素の濃度
を１０ｍｇ／ｌとした以外は実施例３１と同様の手順で
ポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約１．３
〜１．５ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例４０ 電気めっき液組成中の１，３−ジエチルチオ尿素の濃度
を１０ｍｇ／ｌとした以外は実施例３１と同様の手順で
ポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成した。
【０１２４】得られた基板は実施例３１と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【０１２５】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約０．８
ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例４１ 電気めっき液組成中の１，３−ジエチルチオ尿素の濃度
を１０ｍｇ／ｌとし、クエン酸・一水和物濃度を１３４
ｇ／ｌ（該液中の銅イオンに対するモル比２）とした以
外は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ
３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約０．８
ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例４１ 電気めっき液組成中の１，３−ジエチルチオ尿素の濃度
を１０ｍｇ／ｌとし、クエン酸・一水和物濃度を１３４
ｇ／ｌ（該液中の銅イオンに対するモル比２）とした以
外は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ
３５μｍの銅被膜を形成した。
【０１２６】得られた基板は実施例３１と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【０１２７】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約０．８
ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例４２ 電気めっき液組成中の１，３−ジエチルチオ尿素の濃度
を１０ｍｇ／ｌとしクエン酸・一水和物の濃度を２０２
ｇ／ｌ（該液中の銅イオンに対するモル比３）とした以
外は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ
３５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約０．８
ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例４２ 電気めっき液組成中の１，３−ジエチルチオ尿素の濃度
を１０ｍｇ／ｌとしクエン酸・一水和物の濃度を２０２
ｇ／ｌ（該液中の銅イオンに対するモル比３）とした以
外は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ
３５μｍの銅被膜を形成した。
【０１２８】得られた基板は実施例３１と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【０１２９】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約０．８
ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例４３ 電気めっき液組成中の１，３−ジエチルチオ尿素の濃度
を６００ｍｇ／ｌとした以外は実施例３１と同様の手順
でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成し
た。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約０．８
ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例４３ 電気めっき液組成中の１，３−ジエチルチオ尿素の濃度
を６００ｍｇ／ｌとした以外は実施例３１と同様の手順
でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅被膜を形成し
た。
【０１３０】得られた基板は実施例３１と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【０１３１】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約０．８
ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例４４ 電気めっき液組成中の１，３−ジエチルチオ尿素の濃度
を１０ｍｇ／ｌとし、塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物の濃度を２０２ｇ／ｌ（該液
中の銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例３
１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅
被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約０．８
ｋｇ／ｍｍ２であった。 実施例４４ 電気めっき液組成中の１，３−ジエチルチオ尿素の濃度
を１０ｍｇ／ｌとし、塩素イオン濃度を６００ｍｇ／ｌ
とし、クエン酸・一水和物の濃度を２０２ｇ／ｌ（該液
中の銅イオンに対するモル比３）とした以外は実施例３
１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５μｍの銅
被膜を形成した。
【０１３２】得られた基板は実施例３１と同様に従来の
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
めっき液によって得られた基板よりも反りが著しく少な
く、めっき被膜の外観、伸び率、抗張力などの被膜特性
も従来のものと同等であり、プリント配線板用のめっき
基板として十分に使用できるものであった。
【０１３３】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約０．８
ｋｇ／ｍｍ２であった。 比較例１５ 電気めっき液組成中にクエン酸を含ませなかった以外は
実施例３１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５
μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、圧縮応力側において約０．８
ｋｇ／ｍｍ２であった。 比較例１５ 電気めっき液組成中にクエン酸を含ませなかった以外は
実施例３１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３５
μｍの銅被膜を形成した。
【０１３４】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【０１３５】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
３ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例１６ 電気めっき液組成中に塩素イオンを添加しなかった以外
は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
３ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例１６ 電気めっき液組成中に塩素イオンを添加しなかった以外
は実施例３１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
【０１３６】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【０１３７】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
３ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例１７ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例３３と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
３ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例１７ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例３３と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
【０１３８】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【０１３９】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
３ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例１８ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例４０と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り応力側において１．
３ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電
気銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起
こしやすいものであることが判かった。 比較例１８ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例４０と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
【０１４０】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【０１４１】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り力側において１．３
ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電気
銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起こ
しやすいものであることが判かった。 比較例１９ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例４１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り力側において１．３
ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電気
銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起こ
しやすいものであることが判かった。 比較例１９ 電気めっき液組成中に塩素イオンを含ませなかった以外
は実施例４１と同様の手順でポリイミドの片面に厚さ３
５μｍの銅被膜を形成した。
【０１４２】得られた基板は従来の硫酸銅と硫酸からな
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
る電気銅めっき液によって得られた基板と同様に反りが
著しかった。
【０１４３】次いで、実施例２と同様にしてこの電気め
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り力側において１．５
ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電気
銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起こ
しやすいものであることが判かった。 比較例２０ 電気めっき液に塩素イオンを１２００ｍｇ／ｌ添加した
以外は実施例３１と同様にして電着物の電着応力を測定
しようと試みたがアノード表面に不動態被膜が生成して
通電が不可能となった。 比較例２１ 電気めっき液に塩素イオンを１２００ｍｇ／ｌ添加した
以外は実施例４０と同様にして電着物の電着応力を測定
しようと試みたがアノード表面に不動態被膜が生成して
通電が不可能となった。
っき液から得られるめっき被膜の電着応力を測定した。
ストリップ応力測定器の測定結果に基づいて算定して得
られた被膜の電着応力は、引っ張り力側において１．５
ｋｇ／ｍｍ２であり、従来の硫酸銅と硫酸からなる電気
銅めっき液を用いた場合と変わらず、反りや剥離を起こ
しやすいものであることが判かった。 比較例２０ 電気めっき液に塩素イオンを１２００ｍｇ／ｌ添加した
以外は実施例３１と同様にして電着物の電着応力を測定
しようと試みたがアノード表面に不動態被膜が生成して
通電が不可能となった。 比較例２１ 電気めっき液に塩素イオンを１２００ｍｇ／ｌ添加した
以外は実施例４０と同様にして電着物の電着応力を測定
しようと試みたがアノード表面に不動態被膜が生成して
通電が不可能となった。
【０１４４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の電気銅めっ
き液によれば、従来のハイスロー浴によるような高い電
着物の電着応力の発生を防止することができ、且つ従来
の改善電気銅めっき液によるような高濃度塩素イオンの
含有によるようなアノードにおける不動態被膜の生成を
回避することができるので、絶縁体フィルム上に直接金
属層を設けた基板を用いてフレキシブル配線板を製造す
る際に発生する反りなどの不都合を容易に排除すること
ができる。またチオ尿素誘導体として１，３−ジエチル
チオ尿素を用いれば、電着物の電着応力を常に圧縮応力
側にもたらすことができるので、仕上げ用めっきとして
基板に光沢めっきを施す場合においても、光沢めっき被
膜の有する引っ張り応力を相殺して被膜全体の応力を零
に近い値にコントロールすることができるなどその効果
は高い。
き液によれば、従来のハイスロー浴によるような高い電
着物の電着応力の発生を防止することができ、且つ従来
の改善電気銅めっき液によるような高濃度塩素イオンの
含有によるようなアノードにおける不動態被膜の生成を
回避することができるので、絶縁体フィルム上に直接金
属層を設けた基板を用いてフレキシブル配線板を製造す
る際に発生する反りなどの不都合を容易に排除すること
ができる。またチオ尿素誘導体として１，３−ジエチル
チオ尿素を用いれば、電着物の電着応力を常に圧縮応力
側にもたらすことができるので、仕上げ用めっきとして
基板に光沢めっきを施す場合においても、光沢めっき被
膜の有する引っ張り応力を相殺して被膜全体の応力を零
に近い値にコントロールすることができるなどその効果
は高い。
Claims (6)
- 【請求項１】 硫酸銅６０〜１００ｇ／ｌ、硫酸１７０
〜２２０ｇ／ｌを主体として含み、ヒドロキシカルボン
酸を硫酸銅に対するモル濃度比で０．５以上含み、且つ
塩素イオンを含有する酸性電気銅めっき液に、さらに少
量のチオ尿素またはチオ尿素誘導体を添加してなる電気
銅めっき液。 - 【請求項２】 ヒドロキシカルボン酸はクエン酸である
請求項１記載の電気銅めっき液。 - 【請求項３】 チオ尿素誘導体は、アセチルチオ尿素ま
たは１，３−ジエチルチオ尿素である請求項１又は請求
項２記載の電気銅めっき液。 - 【請求項４】 チオ尿素またはチオ尿素誘導体の添加濃
度が２ｍｇ／ｌ以上である請求項１乃至請求項３のいず
れか１項記載の電気銅めっき液。 - 【請求項５】 塩素イオン濃度が１０〜１０００ｍｇ／
ｌの範囲である請求項１乃至請求項４のいずれか１項記
載の電気銅めっき液。 - 【請求項６】 塩素イオン濃度が５０〜２００ｍｇ／ｌ
の範囲である請求項５記載の電気銅めっき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1890494A JPH07207490A (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 電気銅めっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1890494A JPH07207490A (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 電気銅めっき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07207490A true JPH07207490A (ja) | 1995-08-08 |
Family
ID=11984589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1890494A Pending JPH07207490A (ja) | 1994-01-19 | 1994-01-19 | 電気銅めっき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07207490A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010110259A1 (ja) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | 日鉱金属株式会社 | 二層フレキシブル基板、及びその製造に用いる銅電解液 |
| WO2013119062A1 (ko) * | 2012-02-08 | 2013-08-15 | 주식회사 호진플라텍 | 구리 도금용액 |
| JP2014017482A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 半導体を金属めっきする改良された方法 |
| JP2016037642A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | メルテックス株式会社 | 金属被膜及び金属被膜形成方法 |
| JP2019038136A (ja) * | 2017-08-23 | 2019-03-14 | 住友金属鉱山株式会社 | 両面金属積層板及びその製造方法 |
| CN111501072A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-08-07 | 广东哈福科技有限公司 | 一种电镀铜镀液去钝化剂及电镀铜镀液 |
-
1994
- 1994-01-19 JP JP1890494A patent/JPH07207490A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010110259A1 (ja) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | 日鉱金属株式会社 | 二層フレキシブル基板、及びその製造に用いる銅電解液 |
| CN102348835A (zh) * | 2009-03-23 | 2012-02-08 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | 双层挠性基板、和在其制造中使用的铜电解液 |
| JPWO2010110259A1 (ja) * | 2009-03-23 | 2012-09-27 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 二層フレキシブル基板、及びその製造に用いる銅電解液 |
| KR101339598B1 (ko) * | 2009-03-23 | 2013-12-10 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 2층 플렉시블 기판, 및 그 제조에 이용하는 구리전해액 |
| WO2013119062A1 (ko) * | 2012-02-08 | 2013-08-15 | 주식회사 호진플라텍 | 구리 도금용액 |
| US9150977B2 (en) | 2012-02-08 | 2015-10-06 | Hojin Platech Co., Ltd. | Copper plating solution |
| JP2014017482A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 半導体を金属めっきする改良された方法 |
| JP2016037642A (ja) * | 2014-08-08 | 2016-03-22 | メルテックス株式会社 | 金属被膜及び金属被膜形成方法 |
| JP2019038136A (ja) * | 2017-08-23 | 2019-03-14 | 住友金属鉱山株式会社 | 両面金属積層板及びその製造方法 |
| CN111501072A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-08-07 | 广东哈福科技有限公司 | 一种电镀铜镀液去钝化剂及电镀铜镀液 |
| CN111501072B (zh) * | 2020-05-09 | 2021-01-05 | 广东哈福科技有限公司 | 一种电镀铜镀液去钝化剂及电镀铜镀液 |
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