JP5315361B2 - 発光装置の作製方法 - Google Patents

発光装置の作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5315361B2
JP5315361B2 JP2011008084A JP2011008084A JP5315361B2 JP 5315361 B2 JP5315361 B2 JP 5315361B2 JP 2011008084 A JP2011008084 A JP 2011008084A JP 2011008084 A JP2011008084 A JP 2011008084A JP 5315361 B2 JP5315361 B2 JP 5315361B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vapor deposition
chamber
substrate
light
emitting device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2011008084A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011117083A (ja
Inventor
舜平 山崎
健司 福永
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2011008084A priority Critical patent/JP5315361B2/ja
Publication of JP2011117083A publication Critical patent/JP2011117083A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5315361B2 publication Critical patent/JP5315361B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/28Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/32Processes for applying liquids or other fluent materials using means for protecting parts of a surface not to be coated, e.g. using stencils, resists
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/40Distributing applied liquids or other fluent materials by members moving relatively to surface
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D5/00Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures
    • B05D5/12Processes for applying liquids or other fluent materials to surfaces to obtain special surface effects, finishes or structures to obtain a coating with specific electrical properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C23C14/044Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/26Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

本発明は、陽極、陰極及びそれらの間にEL(Electro Luminescence)が得られる発光性材料、特に自発光性有機材料(以下、有機EL材料という)を挟んだ構造からなるEL素子の作製に用いる成膜装置及び成膜方法に関する。
なお、上記有機EL材料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励起を経由して発光(燐光および/または蛍光)するすべての発光性有機材料を含むものとする。
近年、有機EL材料のEL現象を利用した自発光素子としてEL素子を用いた表示装置(以下、EL表示装置という)の開発が進んでいる。EL表示装置は自発光型であるため、液晶表示装置のようなバックライトが不要であり、さらに視野角が広いため、屋外で使用する携帯型機器の表示部として有望視されている。
EL表示装置にはパッシブ型(単純マトリクス型)とアクティブ型(アクティブマトリクス型)の二種類があり、どちらも盛んに開発が行われている。特に現在はアクティブマトリクス型EL表示装置が注目されている。また、EL素子の発光層となるEL材料は、有機材料と無機材料があり、さらに有機材料は低分子系(モノマー系)有機EL材料と高分子系(ポリマー系)有機EL材料とに分けられる。両者ともに盛んに研究されているが、低分子系有機EL材料は主に蒸着法で成膜され、高いポリマー系有機EL材料は主に塗布法で成膜される。
カラー表示のEL表示装置を作製するためには、異なる発色をするEL材料を画素ごとに分けて成膜する必要がある。しかしながら、一般的にEL材料は水及び酸素に弱く、フォトリソグラフィによるパターニングができない。そのため、成膜と同時にパターン化することが必要となる。
最も一般的な方法は、開口部を設けた金属板もしくはガラス板からなるマスク(以下、シャドーマスクという)を、成膜を行う基板と蒸着源との間に設ける方法である。この場合、蒸着源から気化したEL材料が開口部だけを通過して選択的に成膜されるため、成膜と同時にパターン化されたEL層を形成することが可能である。
従来の蒸着装置は一つの蒸着源から放射状に飛んだEL材料が基板上に堆積されて薄膜を形成していたため、EL材料の飛行距離を考慮して基板の配置を工夫していた。例えば、円錐形の基板ホルダに基板を固定することで蒸着源から基板までの距離を全て等しくするといった工夫が行われていた。
しかしながら、大型基板上に複数のパネルを作製する多面取りプロセスを採用する場合には、上述の方法を行うと基板ホルダが非常に大きくなってしまい、成膜装置本体の大型化を招いてしまう。また、枚葉式で行うにも基板が平板であるため、蒸着源からの距離が基板の面内で異なり、均一な膜厚で成膜することが困難であるという問題が残る。
さらに、大型基板を用いる場合には蒸着源とシャドーマスクとの距離を長くしないと気化されたEL材料が十分に広がらず、基板全面に均一に薄膜を形成することが困難となる。この距離の確保も装置の大型化を助長している。
本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、高いスループットで膜厚分布の均一性の高い薄膜を成膜できる成膜装置を提供することを課題とする。また、本発明の成膜装置を用いた成膜方法を提供することを課題とする。
本発明は、長手方向を有する蒸着セル(蒸着する薄膜の材料を入れる部分)もしくは複数個の蒸着セルを設けた蒸着源を用い、この蒸着源を蒸着源の長手方向と垂直な方向に移動させることで薄膜を成膜することを特徴とする。なお、「長手方向を有する」とは、形状が細長い長方形、細長い楕円形もしくは線状であることを指している。本発明の場合、長手方向の長さが成膜される基板の一辺の長さよりも長いと一括で処理できるため好ましい。具体的には300mm〜1200mm(典型的には600〜800mm)であると良い。
本発明の蒸着源と基板との位置関係を図1に示す。図1において、図1(A)
は上面図、図1(B)は図1(A)をA−A’で切断した断面図、図1(C)は図1(A)をB−B’で切断した断面図である。なお、図1(A)〜(C)において符号は共通のものを用いている。
図1(A)に示すように、基板101の下方にはシャドーマスク102が設置され、さらにその下方には複数の蒸着セル103が一直線上に並べられた長方形の蒸着源104が設置されている。なお、本明細書において基板とは、基板とその上に形成された薄膜も含めて基板とする。また、基板の表面とは、薄膜を形成する基板面のことを指す。
蒸着源104の長手方向の長さは基板101の1辺の長さよりも長く、矢印方向(蒸着源104の長手方向と垂直な方向)へ蒸着源104を移動させる機構を備えている。そして、蒸着源104を移動させることで基板全面に薄膜を成膜できるようになっている。なお、長手方向の長さが基板の1辺よりも短い場合は、数回の走査を繰り返して薄膜を形成すれば良い。また、蒸着源104を繰り返し移動させることにより同一の薄膜を数回積層しても構わない。
個々の蒸着セル103にて気化した薄膜材料は上方に飛散し、シャドーマスク102に設けられた開口部(図示せず)を通って基板101に堆積される。こうして基板101には選択的に薄膜が成膜される。このとき、蒸着セル103から飛散した薄膜材料が成膜される領域は隣接する他の蒸着セルから飛散した薄膜材料が成膜される領域と重なるようにする。互いに成膜される領域を重ねることで最終的には長方形の領域で成膜されることになる。
このように本発明は複数個の蒸着セルを並べた蒸着源を用いることで、従来の点からの放射ではなく線からの放射となり、薄膜の膜厚の均一性を大幅に向上させることができる。さらに、長方形の蒸着源を基板面の下方にて移動させることで高スループットで成膜を行うことができる。
さらに、本発明によれば蒸着源104とシャドーマスク102との距離を長くする必要がなく、非常に近接した状態で蒸着を行うことが可能である。これは蒸着セルが並んで複数設けられているため、薄膜材料の飛散距離が短くても基板の中心部から端部に至るまでを同時に成膜することが出来るためである。この効果は蒸着セル103が密に並んでいるほど高い。
蒸着源104とシャドーマスク102との距離は蒸着セル103を設ける密度によっても異なるため特に限定はない。しかし近すぎると基板の中心部から端部までを均一に成膜することが困難となり、遠すぎると従来の点からの放射による蒸着と変わらなくなってしまう。そのため、蒸着セル103同士の間隔をaとすると、蒸着源104とシャドーマスク102との距離は2a〜100a(好ましくは5a〜50a)とすることが望ましい。
以上のような構成からなる本発明の成膜装置は、蒸着源を用いることで長方形、楕円形もしくは線状の領域において薄膜の膜厚分布の均一性を確保し、その上で蒸着源を移動させることで基板全面に均一性の高い薄膜を成膜することが可能である。また、点からの蒸着でないため、蒸着源と基板との距離を短くすることができ、さらに膜厚の均一性を高めることができる。
また、本発明の成膜装置にチャンバー内にてプラズマを発生させる手段を設けることは有効である。酸素ガスによるプラズマ処理もしくはフッ素を含むガスによるプラズマ処理を行うことで、チャンバー壁に成膜された薄膜を除去し、チャンバー内のクリーニングを行うことができる。プラズマを発生させる手段としては、チャンバー内に平行平板の電極を設けて、その間でプラズマを発生させれば良い。
本発明の成膜装置を用いることで、基板面内において膜厚分布の均一性の高い薄膜を高いスループットで成膜することが可能となる。
蒸着源の構成を示す図。 蒸着室の構造を示す図。 蒸着室の構造を示す図。 成膜装置の構造を示す図。 成膜装置の構造を示す図。 成膜装置の構造を示す図。 成膜装置の構造を示す図。 成膜装置の構造を示す図。
本発明の成膜装置に備えられる蒸着室の構成について図2に示す。図2(A)
は蒸着室の上面図であり、図2(B)は断面図である。なお、共通の部分には共通の符号を使うものとする。また、本実施の形態では薄膜としてEL(エレクトロルミネッセンス)膜を成膜する例を示す。
図2(A)において、201はチャンバー、202は基板搬送口であり、ここから基板がチャンバー201の内部に搬送される。搬送された基板203は基板ホルダ204に載せられ、搬送レール205によって矢印205で示すように成膜部206へと搬送される。
成膜部206に基板203が搬送されると、マスクホルダ207に固定されたシャドーマスク208が基板203に近づく。なお、本実施形態ではシャドーマスク208の材料として金属板を用いる。((図2(B))また、本実施形態ではシャドーマスク208には開口部209が長方形、楕円形もしくは線状に形成されている。勿論、開口部の形状はこれに限定されるものではなく、マトリクス状もしくは網目状に形成されていても構わない。
このとき、本実施形態では、図2(B)に示すように基板203に電磁石210が近接するような構造とする。電磁石210により磁場を形成すると、シャドーマスク208が基板203の方へと引き寄せられ、所定の間隔をもって保持される。この間隔は図3に示すようにシャドーマスク208に設けられた複数の突起301により確保される。
このような構造は、基板203が300mmを超える大型基板である場合において特に有効である。基板203が大型化すると、基板の自重によりたわみが生じる。しかしながら、電磁石210によりシャドーマスク208を基板203側に引き寄せれば、基板203も電磁石210に引き寄せられ、たわみを解消することができる。但し、図4に示すように電磁石210にも突起401を設け、基板203と電磁石210との間隔を確保することが好ましい。
こうして基板203とシャドーマスク208との間隔が確保されたら、長手方向を有する蒸着セル211を設けた蒸着源212を矢印213の方向へ移動させる。移動させる間、蒸着セルの内部に設けられたEL材料は蒸着セルが加熱されることにより気化し、成膜部206のチャンバー内へと飛散する。但し、本発明の場合、蒸着源212と基板203との距離を非常に短いものとすることができるため、チャンバー内の駆動部(蒸着源、基板ホルダもしくはマスクホルダを駆動する部分)へのEL材料の付着を最小限に抑えることができる。
蒸着源212は基板203の一端から他端まで走査される。本実施形態では、図2(A)に示すように、蒸着源212の長手方向の長さが十分に長いため、1回の走査で基板203の全面を移動させることができる。
以上のようにして、赤、緑もしくは青のEL材料(ここでは赤)を成膜したら、電磁石210の磁場を消し、マスクホルダ207を下げて、シャドーマスク208と基板203との距離を離す。そして、基板ホルダ204を一画素分ずらして、再びマスクホルダ207を上げ、シャドーマスク208と基板203とを近づける。さらに、電磁石210により磁場を形成して、シャドーマスク208及び基板203のたわみを解消する。その後、蒸着セルを切り換えて再び赤、緑もしくは青のEL材料(ここでは緑)を成膜する。
なお、ここでは基板ホルダ204を一画素分ずらす構成としたが、マスクホルダ204を一画素部ずらしても構わない。
このような繰り返しにより赤、緑もしくは青のEL材料をすべて成膜したら、最後に基板203を基板搬送口202の方へ搬送し、チャンバー201からロボットアーム(図示せず)にて取り出す。以上で本発明を用いたEL膜の成膜が完了する。
本発明の成膜装置について図5を用いて説明する。図5において、501は搬送室であり、搬送室501には搬送機構502が備えられ、基板503の搬送が行われる。搬送室501は減圧雰囲気にされており、各処理室とはゲートによって連結されている。各処理室への基板の受け渡しは、ゲートを開けた際に搬送機構502によって行われる。また、搬送室501を減圧するには、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ若しくはクライオポンプなどの排気ポンプを用いることが可能であるが、水分の除去に効果的なクライオポンプが好ましい。
以下に、各処理室についての説明を行う。なお、搬送室501は減圧雰囲気となるので、搬送室501に直接的に連結された処理室には全て排気ポンプ(図示せず)が備えられている。排気ポンプとしては上述の油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ若しくはクライオポンプが用いられる。
まず、504は基板のセッティング(設置)を行うロード室であり、アンロード室も兼ねている。ロード室504はゲート500aにより搬送室501と連結され、ここに基板503をセットしたキャリア(図示せず)が配置される。なお、ロード室504は基板搬入用と基板搬出用とで部屋が区別されていても良い。
また、ロード室504は上述の排気ポンプと高純度の窒素ガスまたは希ガスを導入するためのパージラインを備えている。
なお、本実施例では基板503として、EL素子の陽極となる透明導電膜までを形成した基板を用いる。本実施例では基板503を、被成膜面を下向きにしてキャリアにセットする。これは後に蒸着法による成膜を行う際に、フェイスダウン方式(デポアップ方式ともいう)を行いやすくするためである。フェイスダウン方式とは、基板の被成膜面が下を向いた状態で成膜する方式をいい、この方式によればゴミの付着などを抑えることができる。
次に、505で示されるのはEL素子の陽極もしくは陰極(本実施例では陽極)の表面を処理する処理室(以下、前処理室という)であり、前処理室505はゲート500bにより搬送室501と連結される。前処理室はEL素子の作製プロセスによって様々に変えることができるが、本実施例では透明導電膜からなる陽極の表面に酸素中で紫外光を照射しつつ100〜120℃で加熱できるようにする。このような前処理は、EL素子の陽極表面を処理する際に有効である。
次に、506は蒸着法により有機EL材料を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(A)と呼ぶ。蒸着室(A)506はゲート500cを介して搬送室501に連結される。本実施例では蒸着室(A)506として図2に示した構造の蒸着室を設けている。
本実施例では、蒸着室(A)506内の成膜部507において、まず正孔注入層を基板面全体に成膜し、次に赤色に発色する発光層、その次に緑色に発色する発光層、最後に青色に発色する発光層を成膜する。なお、正孔注入層、赤色に発色する発光層、緑色に発色する発光層及び青色に発色する発光層としては如何なる材料を用いても良い。
蒸着室(A)506は蒸着源を成膜する有機材料の種類に対応して切り換えが可能な構成となっている。即ち、複数種類の蒸着源を格納した予備室508が蒸着室(A)506に接続されており、内部の搬送機構により蒸着源の切り換えを行うことができる。従って、成膜する有機EL材料が変わるたびに蒸着源も切り換えることになる。また、シャドーマスクは同一のマスクを成膜する有機EL材料が変わるたびに一画素分移動させて用いる。
なお、蒸着室(A)506内における成膜プロセスに関しては、図2の説明を参照すれば良い。
次に、509は蒸着法によりEL素子の陽極もしくは陰極となる導電膜(本実施例では陰極となる金属膜)を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(B)と呼ぶ。蒸着室(B)509はゲート500dを介して搬送室501に連結される。
本実施例では蒸着室(B)509として図2に示した構造の蒸着室を設けている。本実施例では、蒸着室(B)509内の成膜部510において、EL素子の陰極となる導電膜としてAl−Li合金膜(アルミニウムとリチウムとの合金膜)
を成膜する。
なお、周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着することも可能である。共蒸着とは、同時に蒸着セルを加熱し、成膜段階で異なる物質を混合する蒸着法をいう。
次に、511は封止室(封入室またはグローブボックスともいう)であり、ゲート500eを介してロード室504に連結されている。封止室511では、最終的にEL素子を密閉空間に封入するための処理が行われる。この処理は形成されたEL素子を酸素や水分から保護するための処理であり、シーリング材で機械的に封入する、又は熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂で封入するといった手段を用いる。
シーリング材としては、ガラス、セラミックス、プラスチックもしくは金属を用いることができるが、シーリング材側に光を放射させる場合は透光性でなければならない。また、シーリング材と上記EL素子が形成された基板とは熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂を用いて貼り合わせられ、熱処理又は紫外光照射処理によって樹脂を硬化させて密閉空間を形成する。この密閉空間の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を設けることも有効である。
また、シーリング材とEL素子の形成された基板との空間を熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂で充填することも可能である。この場合、熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化性樹脂の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を添加しておくことは有効である。
図5に示した成膜装置では、封止室511の内部に紫外光を照射するための機構(以下、紫外光照射機構という)512が設けられており、この紫外光照射機構512から発した紫外光によって紫外光硬化性樹脂を硬化させる構成となっている。また、封止室511の内部は排気ポンプを取り付けることで減圧とすることも可能である。上記封入工程をロボット操作で機械的に行う場合には、減圧下で行うことで酸素や水分の混入を防ぐことができる。また、逆に封止室511の内部を与圧とすることも可能である。この場合、高純度な窒素ガスや希ガスでパージしつつ与圧とし、外気から酸素等が侵入することを防ぐ。
次に、封止室511には受渡室(パスボックス)513が連結される。受渡室513には搬送機構(B)514が設けられ、封止室511でEL素子の封入が完了した基板を受渡室513へと搬送する。受渡室513も排気ポンプを取り付けることで減圧とすることが可能である。この受渡室513は封止室511を直接外気に晒さないようにするための設備であり、ここから基板を取り出す。
以上のように、図5に示した成膜装置を用いることで完全にEL素子を密閉空間に封入するまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高いEL表示装置を作製することが可能となる。
本発明の成膜装置をマルチチャンバー方式(クラスターツール方式ともいう)
とした場合について図6を用いて説明する。図6において、601は搬送室であり、搬送室601には搬送機構(A)602が備えられ、基板603の搬送が行われる。搬送室601は減圧雰囲気にされており、各処理室とはゲートによって連結されている。各処理室への基板の受け渡しは、ゲートを開けた際に搬送機構(A)602によって行われる。また、搬送室601を減圧するには、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ若しくはクライオポンプなどの排気ポンプを用いることが可能であるが、水分の除去に効果的なクライオポンプが好ましい。
以下に、各処理室についての説明を行う。なお、搬送室601は減圧雰囲気となるので、搬送室601に直接的に連結された処理室には全て排気ポンプ(図示せず)が備えられている。排気ポンプとしては上述の油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子ポンプ若しくはクライオポンプが用いられる。
まず、604は基板のセッティング(設置)を行うロード室であり、ロードロック室とも呼ばれる。ロード室604はゲート600aにより搬送室601と連結され、ここに基板603をセットしたキャリア(図示せず)が配置される。なお、ロード室604は基板搬入用と基板搬出用とで部屋が区別されていても良い。また、ロード室604は上述の排気ポンプと高純度の窒素ガスまたは希ガスを導入するためのパージラインを備えている。
次に、605で示されるのはEL素子の陽極もしくは陰極(本実施例では陽極)の表面を処理する前処理室であり、前処理室605はゲート600bにより搬送室601と連結される。前処理室はEL素子の作製プロセスによって様々に変えることができるが、本実施例では透明導電膜からなる陽極の表面に酸素中で紫外光を照射しつつ100〜120℃で加熱できるようにする。このような前処理は、EL素子の陽極表面を処理する際に有効である。
次に、606は蒸着法により有機EL材料を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(A)と呼ぶ。蒸着室(A)606はゲート600cを介して搬送室601に連結される。本実施例では蒸着室(A)606として図2に示した構造の蒸着室を設けている。
本実施例では、蒸着室(A)606内の成膜部607において、正孔注入層及び赤色に発色する発光層を成膜する。従って、蒸着源及びシャドーマスクを正孔注入層及び赤色に発色する発光層となる有機材料に対応して二種類ずつ備え、切り換えが可能な構成となっている。なお、正孔注入層及び赤色に発色する発光層としては公知の材料を用いれば良い。
次に、608は蒸着法により有機EL材料を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(B)と呼ぶ。蒸着室(B)608はゲート600dを介して搬送室601に連結される。本実施例では蒸着室(B)608として図2に示した構造の蒸着室を設けている。本実施例では、蒸着室(B)608内の成膜部609において、緑色に発色する発光層を成膜する。なお、緑色に発色する発光層としては公知の材料を用いれば良い。
次に、610は蒸着法により有機EL材料を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(C)と呼ぶ。蒸着室(C)610はゲート600eを介して搬送室601に連結される。本実施例では蒸着室(C)610として図2に示した構造の蒸着室を設けている。本実施例では、蒸着室(C)610内の成膜部611において、青色に発色する発光層を成膜する。なお、青色に発色する発光層としては公知の材料を用いれば良い。
次に、612は蒸着法によりEL素子の陽極もしくは陰極となる導電膜(本実施例では陰極となる金属膜)を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(D)と呼ぶ。蒸着室(D)612はゲート600fを介して搬送室601に連結される。
本実施例では蒸着室(D)612として図2に示した構造の蒸着室を設けている。本実施例では、蒸着室(D)612内の成膜部613において、EL素子の陰極となる導電膜としてAl−Li合金膜(アルミニウムとリチウムとの合金膜)
を成膜する。なお、周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着することも可能である。
次に、614は封止室であり、ゲート600gを介してロード室604に連結されている。封止室614の説明は実施例1を参照すれば良い。また、実施例1と同様に封止室614の内部には紫外光照射機構615が設けられている。さらに、封止室615には受渡室616が連結される。受渡室616には搬送機構(B)617が設けられ、封止室614でEL素子の封入が完了した基板を受渡室616へと搬送する。受渡室616の説明も実施例1を参照すれば良い。
以上のように、図6に示した成膜装置を用いることで完全にEL素子を密閉空間に封入するまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高いEL表示装置を作製することが可能となる。
本発明の成膜装置をインライン方式とした場合について図7を用いて説明する。図7において701はロード室であり、基板の搬送はここから行われる。ロード室701には排気系700aが備えられ、排気系700aは第1バルブ71、ターボ分子ポンプ72、第2バルブ73及びロータリーポンプ(油回転ポンプ)74を含んだ構成からなっている。
第1バルブ71はメインバルブであり、コンダクタンスバルブを兼ねる場合もあるしバタフライバルブを用いる場合もある。第2バルブ73はフォアバルブであり、まず第2バルブ73を開けてロータリーポンプ74によりロード室701を粗く減圧し、次に第1バルブ71を空けてターボ分子ポンプ72で高真空まで減圧する。なお、ターボ分子ポンプの代わりにメカニカルブースターポンプ若しくはクライオポンプを用いることが可能であるがクライオポンプは水分の除去に特に効果的である。
次に、702で示されるのはEL素子の陽極もしくは陰極(本実施例では陽極)の表面を処理する前処理室であり、前処理室702は排気系700bを備えている。また、ロード室701とは図示しないゲートで密閉遮断されている。前処理室702はEL素子の作製プロセスによって様々に変えることができるが、本実施例では透明導電膜からなる陽極の表面に酸素中で紫外光を照射しつつ100〜120℃で加熱できるようにする。
次に、703は蒸着法により有機EL材料を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(A)と呼ぶ。蒸着室(A)703は排気系700cを備えている。また、前処理室702とは図示しないゲートで密閉遮断されている。本実施例では蒸着室(A)703として図2に示した構造の蒸着室を設けている。
蒸着室(A)703に搬送された基板704及び蒸着室(A)703に備えられた蒸着源705は各々矢印の方向に向かって移動し、成膜が行われる。なお、蒸着室(A)703の詳細な動作に関しては、図2の説明を参照すれば良い。本実施例では、蒸着室(A)703において、正孔注入層を成膜する。正孔注入層としては公知の材料を用いれば良い。
次に、706は蒸着法により有機EL材料を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(B)と呼ぶ。蒸着室(B)706は排気系700dを備えている。また、蒸着室(A)703とは図示しないゲートで密閉遮断されている。本実施例では蒸着室(B)706として図2に示した構造の蒸着室を設けている。従って蒸着室(B)706の詳細な動作に関しては、図2の説明を参照すれば良い。また、本実施例では、蒸着室(B)706において、赤色に発色する発光層を成膜する。赤色に発色する発光層としては公知の材料を用いれば良い。
次に、707は蒸着法により有機EL材料を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(C)と呼ぶ。蒸着室(C)707は排気系700eを備えている。また、蒸着室(B)706とは図示しないゲートで密閉遮断されている。本実施例では蒸着室(C)707として図2に示した構造の蒸着室を設けている。従って蒸着室(C)707の詳細な動作に関しては、図2の説明を参照すれば良い。また、本実施例では、蒸着室(C)707において、緑色に発色する発光層を成膜する。緑色に発色する発光層としては公知の材料を用いれば良い。
次に、708は蒸着法により有機EL材料を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(D)と呼ぶ。蒸着室(D)708は排気系700fを備えている。また、蒸着室(C)707とは図示しないゲートで密閉遮断されている。本実施例では蒸着室(D)708として図2に示した構造の蒸着室を設けている。従って蒸着室(D)708の詳細な動作に関しては、図2の説明を参照すれば良い。また、本実施例では、蒸着室(D)708において、青色に発色する発光層を成膜する。青色に発色する発光層としては公知の材料を用いれば良い。
次に、709は蒸着法によりEL素子の陽極もしくは陰極となる導電膜(本実施例では陰極となる金属膜)を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(E)と呼ぶ。蒸着室(E)709は排気系700gを備えている。また、蒸着室(D)708とは図示しないゲートで密閉遮断されている。本実施形態では蒸着室(E)
709として図2に示した構造の蒸着室を設けている。従って蒸着室(E)709の詳細な動作に関しては、図2の説明を参照すれば良い。
本実施例では、蒸着室(E)709において、EL素子の陰極となる導電膜としてAl−Li合金膜(アルミニウムとリチウムとの合金膜)を成膜する。なお、周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着することも可能である。
次に、710は封止室であり、排気系700hを備えている。また、蒸着室(E)709とは図示しないゲートで密閉遮断されている。封止室710の説明は実施例1を参照すれば良い。また、実施例1と同様に封止室710の内部には紫外光照射機構(図示せず)が設けられている。
最後に、711はアンロード室であり、排気系700iを備えている。EL素子が形成された基板はここから取り出される。
以上のように、図7に示した成膜装置を用いることで完全にEL素子を密閉空間に封入するまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高いEL表示装置を作製することが可能となる。また、インライン方式により高いスループットでEL表示装置を作製することができる。
本発明の成膜装置をインライン方式とした場合について図8を用いて説明する。図8において801はロード室であり、基板の搬送はここから行われる。ロード室801には排気系800aが備えられ、排気系800aは第1バルブ81、ターボ分子ポンプ82、第2バルブ83及びロータリーポンプ(油回転ポンプ)84を含んだ構成からなっている。
次に、802で示されるのはEL素子の陽極もしくは陰極(本実施例では陽極)の表面を処理する前処理室であり、前処理室802は排気系800bを備えている。また、ロード室801とは図示しないゲートで密閉遮断されている。前処理室802はEL素子の作製プロセスによって様々に変えることができるが、本実施例では透明導電膜からなる陽極の表面に酸素中で紫外光を照射しつつ100〜120℃で加熱できるようにする。
次に、803は蒸着法により有機EL材料を成膜するための蒸着室であり排気系800cを備えている。また、前処理室802とは図示しないゲートで密閉遮断されている。本実施例では蒸着室803として図2に示した構造の蒸着室を設けている。蒸着室803に搬送された基板804及び蒸着室803に備えられた蒸着源805は各々矢印の方向に向かって移動し、成膜が行われる。
なお、本実施例の場合、蒸着室803において正孔注入層、赤色に発色する発光層、緑色に発色する発光層、青色に発色する発光層及び陰極となる導電膜を形成するため、成膜ごとに蒸着源803もしくはシャドーマスク(図示せず)を切り換えることが好ましい。本実施例では蒸着室803に予備室806を連結し、予備室806に蒸着源もしくはシャドーマスクを格納しておき、適宜切り換えることとする。
次に、807は封止室であり、排気系800dを備えている。また、蒸着室803とは図示しないゲートで密閉遮断されている。封止室807の説明は実施例1を参照すれば良い。また、実施例1と同様に封止室807の内部には紫外光照射機構(図示せず)が設けられている。
最後に、808はアンロード室であり、排気系800eを備えている。EL素子が形成された基板はここから取り出される。
以上のように、図8に示した成膜装置を用いることで完全にEL素子を密閉空間に封入するまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高い発光装置(EL表示装置)を作製することが可能となる。また、インライン方式により高いスループットでEL表示装置を作製することができる。

Claims (16)

  1. 線状に並べられた複数の蒸着セルを備え、長手方向を有する蒸着源と、蒸着室とを有するインライン方式の蒸着装置を用いた発光装置の作製方法であって、
    基板を前記蒸着室に搬送し、
    前記蒸着源から薄膜材料を気化させ、
    前記薄膜材料を気化させている間、前記基板に対する前記蒸着源の位置を、前記蒸着源の長手方向と垂直な方向に移動させることにより、前記基板上に薄膜を成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。
  2. 請求項1において、
    前記薄膜材料には発光材料を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
  3. 請求項1において、
    前記薄膜材料が有機材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。
  4. 請求項1乃至3のうちのいずれか一項において、
    前記蒸着源における長手方向の長さは、前記基板の一辺の長さよりも長いことを特徴とする発光装置の作製方法。
  5. 線状に並べられた複数の蒸着セルを備え、長手方向を有する第1及び第2の蒸着源と、蒸着室と、前記蒸着室に接続された予備室とを有するインライン方式の蒸着装置を用いた発光装置の作製方法であって、
    前記第1の蒸着源を前記蒸着室に設置し、
    前記第2の蒸着源を前記予備室に格納し、
    基板を前記蒸着室に搬送し、
    前記第1の蒸着源から第1の薄膜材料を気化させ、
    前記第1の薄膜材料を気化させている間、前記基板に対する前記第1の蒸着源の位置を、前記第1の蒸着源の長手方向と垂直な方向に移動させることにより、前記基板上に第1の薄膜を成膜し、その後、前記予備室から前記蒸着室に前記第2の蒸着源を搬送し、
    前記第2の蒸着源から第2の薄膜材料を気化させ、
    前記第2の薄膜材料を気化させている間、前記基板に対する前記第2の蒸着源の位置を、前記第2の蒸着源の長手方向と垂直な方向に移動させることにより、前記蒸着室内で前記基板上に第2の薄膜を成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。
  6. 請求項5において、
    前記第1及び第2の薄膜材料の少なくとも一つには発光材料を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
  7. 請求項5において、
    前記第1及び第2の薄膜材料の少なくとも一つが有機材料であることを特徴とする発光装置の作製方法。
  8. 請求項5乃至7のいずれか一項において、
    前記第1の蒸着源及び前記第2の蒸着源それぞれにおける長手方向の長さは、前記基板の一辺の長さよりも長いことを特徴とする発光装置の作製方法。
  9. 請求項1乃至8のうちのいずれか一項において、
    前記基板をシャドーマスクと磁石との間に配置し、前記シャドーマスクを前記基板の方に前記磁石によって引き寄せ、前記シャドーマスクを通して前記基板上に薄膜を成膜することを特徴とする発光装置の作製方法。
  10. 請求項9において、
    前記シャドーマスクは長方形または楕円形の開口部を有し、前記開口部の長手方向は前記蒸着源の長手方向に対して垂直に位置されることを特徴とする発光装置の作製方法。
  11. 請求項9又は10において、
    前記シャドーマスクは突起を有していることを特徴とする発光装置の作製方法。
  12. 請求項9乃至11のうちのいずれか一項において、
    前記磁石は突起を有していることを特徴とする発光装置の作製方法。
  13. 請求項1乃至12のうちのいずれか一項において、
    前記基板を蒸着室に搬送する際は搬送レールが用いられることを特徴とする発光装置の作製方法。
  14. 請求項1乃至13のいずれか一項において、前記基板上に薄膜を成膜後、前記蒸着室内をクリーニングすることを特徴とする発光装置の作製方法。
  15. 請求項14において、
    前記蒸着室内はプラズマによりクリーニングされることを特徴とする発光装置の作製方法。
  16. 請求項1乃至15のうちのいずれか一項において、
    前記発光装置はアクティブマトリクス型EL表示装置であることを特徴とする発光装置の作製方法。
JP2011008084A 1999-12-27 2011-01-18 発光装置の作製方法 Expired - Fee Related JP5315361B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011008084A JP5315361B2 (ja) 1999-12-27 2011-01-18 発光装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1999371349 1999-12-27
JP37134999 1999-12-27
JP2011008084A JP5315361B2 (ja) 1999-12-27 2011-01-18 発光装置の作製方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003014594A Division JP4782978B2 (ja) 1999-12-27 2003-01-23 発光装置の作製方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013091020A Division JP5589115B2 (ja) 1999-12-27 2013-04-24 成膜方法および発光装置の作製方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011117083A JP2011117083A (ja) 2011-06-16
JP5315361B2 true JP5315361B2 (ja) 2013-10-16

Family

ID=18498560

Family Applications (9)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000394259A Expired - Lifetime JP3833066B2 (ja) 1999-12-27 2000-12-26 成膜装置、成膜方法及び表示装置の作製方法
JP2003014594A Expired - Fee Related JP4782978B2 (ja) 1999-12-27 2003-01-23 発光装置の作製方法
JP2011008084A Expired - Fee Related JP5315361B2 (ja) 1999-12-27 2011-01-18 発光装置の作製方法
JP2013091020A Expired - Fee Related JP5589115B2 (ja) 1999-12-27 2013-04-24 成膜方法および発光装置の作製方法
JP2013156330A Expired - Fee Related JP5856110B2 (ja) 1999-12-27 2013-07-29 成膜装置
JP2013156332A Withdrawn JP2013249543A (ja) 1999-12-27 2013-07-29 成膜装置
JP2015135869A Withdrawn JP2016000859A (ja) 1999-12-27 2015-07-07 成膜方法および発光装置の作製方法
JP2016226685A Expired - Lifetime JP6371820B2 (ja) 1999-12-27 2016-11-22 成膜方法および発光装置の作製方法
JP2018006284A Withdrawn JP2018066066A (ja) 1999-12-27 2018-01-18 成膜方法

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000394259A Expired - Lifetime JP3833066B2 (ja) 1999-12-27 2000-12-26 成膜装置、成膜方法及び表示装置の作製方法
JP2003014594A Expired - Fee Related JP4782978B2 (ja) 1999-12-27 2003-01-23 発光装置の作製方法

Family Applications After (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013091020A Expired - Fee Related JP5589115B2 (ja) 1999-12-27 2013-04-24 成膜方法および発光装置の作製方法
JP2013156330A Expired - Fee Related JP5856110B2 (ja) 1999-12-27 2013-07-29 成膜装置
JP2013156332A Withdrawn JP2013249543A (ja) 1999-12-27 2013-07-29 成膜装置
JP2015135869A Withdrawn JP2016000859A (ja) 1999-12-27 2015-07-07 成膜方法および発光装置の作製方法
JP2016226685A Expired - Lifetime JP6371820B2 (ja) 1999-12-27 2016-11-22 成膜方法および発光装置の作製方法
JP2018006284A Withdrawn JP2018066066A (ja) 1999-12-27 2018-01-18 成膜方法

Country Status (6)

Country Link
US (4) US8119189B2 (ja)
EP (1) EP1113087B1 (ja)
JP (9) JP3833066B2 (ja)
KR (2) KR100827760B1 (ja)
CN (2) CN1240250C (ja)
TW (1) TW490714B (ja)

Families Citing this family (190)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
KR100816197B1 (ko) * 2000-03-22 2008-03-21 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 유기 전기발광 표시장치의 제조장치 및 이를 이용한 유기전기발광 표시장치의 제조방법
TW484238B (en) * 2000-03-27 2002-04-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and a method of manufacturing the same
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
JP2002175878A (ja) * 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
JP4906018B2 (ja) * 2001-03-12 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法、発光装置の作製方法及び成膜装置
DE10128091C1 (de) 2001-06-11 2002-10-02 Applied Films Gmbh & Co Kg Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats
JP4078813B2 (ja) * 2001-06-12 2008-04-23 ソニー株式会社 成膜装置および成膜方法
JP4707271B2 (ja) * 2001-06-29 2011-06-22 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2003017255A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP2003017254A (ja) * 2001-06-29 2003-01-17 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
JP4865165B2 (ja) 2001-08-29 2012-02-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TW529317B (en) * 2001-10-16 2003-04-21 Chi Mei Electronic Corp Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display
US20030101937A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
KR100422487B1 (ko) * 2001-12-10 2004-03-11 에이엔 에스 주식회사 전자석을 이용한 유기전계발광소자 제작용 증착장치 및그를 이용한 증착방법
SG149680A1 (en) * 2001-12-12 2009-02-27 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
KR100637127B1 (ko) * 2002-01-10 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착 방법 및 그 장치
TWI275319B (en) * 2002-02-05 2007-03-01 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method and method of operating a manufacturing apparatus
TWI286044B (en) * 2002-02-22 2007-08-21 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus
SG113448A1 (en) * 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
JP3877613B2 (ja) * 2002-03-05 2007-02-07 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
TW589919B (en) * 2002-03-29 2004-06-01 Sanyo Electric Co Method for vapor deposition and method for making display device
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
JP2004006311A (ja) * 2002-04-15 2004-01-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法および製造装置
US8900366B2 (en) * 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
EP1369499A3 (en) * 2002-04-15 2004-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
US6749906B2 (en) * 2002-04-25 2004-06-15 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP4954434B2 (ja) * 2002-05-17 2012-06-13 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP4634698B2 (ja) * 2002-05-17 2011-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 蒸着装置
KR100468792B1 (ko) * 2002-05-28 2005-01-29 주식회사 야스 기판과 쉐도우 마스크 고정장치
US20030221620A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
US6943066B2 (en) * 2002-06-05 2005-09-13 Advantech Global, Ltd Active matrix backplane for controlling controlled elements and method of manufacture thereof
US20040007183A1 (en) * 2002-07-11 2004-01-15 Ulvac, Inc. Apparatus and method for the formation of thin films
KR100471358B1 (ko) * 2002-07-19 2005-03-15 엘지전자 주식회사 유기 전자 발광층의 증착 장치
EP1382713B1 (en) * 2002-07-19 2006-05-17 Lg Electronics Inc. Source for thermal physical vapour deposition of organic electroluminescent layers
US20040040504A1 (en) * 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
JP3690380B2 (ja) * 2002-08-02 2005-08-31 セイコーエプソン株式会社 材料の配置方法、電子装置の製造方法、電気光学装置の製造方法
TWI277363B (en) 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
JP4515060B2 (ja) * 2002-08-30 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置および有機化合物を含む層の作製方法
US20040123804A1 (en) * 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
JP2004146369A (ja) * 2002-09-20 2004-05-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置および発光装置の作製方法
US7067170B2 (en) * 2002-09-23 2006-06-27 Eastman Kodak Company Depositing layers in OLED devices using viscous flow
JP4139186B2 (ja) * 2002-10-21 2008-08-27 東北パイオニア株式会社 真空蒸着装置
JP5072184B2 (ja) * 2002-12-12 2012-11-14 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法
US20040144321A1 (en) * 2003-01-28 2004-07-29 Eastman Kodak Company Method of designing a thermal physical vapor deposition system
US7211461B2 (en) * 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
DE10312641B4 (de) * 2003-03-21 2009-11-12 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer OLED-Anzeige
JP4346336B2 (ja) * 2003-04-02 2009-10-21 三洋電機株式会社 有機el表示装置の製造方法
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
US20040206307A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Eastman Kodak Company Method and system having at least one thermal transfer station for making OLED displays
JP4493926B2 (ja) 2003-04-25 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP2004353082A (ja) 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置
JP2004353084A (ja) 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置の固定部材
JP2004353083A (ja) 2003-05-08 2004-12-16 Sanyo Electric Co Ltd 蒸発装置
JP3915734B2 (ja) * 2003-05-12 2007-05-16 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置
JP4015064B2 (ja) * 2003-05-28 2007-11-28 トッキ株式会社 蒸着装置
JP4447256B2 (ja) * 2003-06-27 2010-04-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP4522777B2 (ja) * 2003-07-25 2010-08-11 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US7211454B2 (en) * 2003-07-25 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate
US20050022743A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation container and vapor deposition apparatus
US8123862B2 (en) * 2003-08-15 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition apparatus and manufacturing apparatus
JP4685404B2 (ja) * 2003-10-15 2011-05-18 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光素子の垂直蒸着方法,その装置,及び有機電界発光素子の垂直蒸着装置に使用される蒸着源
US20050244580A1 (en) * 2004-04-30 2005-11-03 Eastman Kodak Company Deposition apparatus for temperature sensitive materials
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
CN100502050C (zh) * 2004-08-13 2009-06-17 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
KR20060018746A (ko) * 2004-08-25 2006-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기물 증착 장치
KR100700840B1 (ko) 2005-01-05 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 섀도우마스크 부착방법
US9530968B2 (en) * 2005-02-15 2016-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting element and light emitting device
US7948171B2 (en) * 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
EP1715075B1 (de) * 2005-04-20 2008-04-16 Applied Materials GmbH & Co. KG Magnetische Maskenhalterung
JP4789551B2 (ja) * 2005-09-06 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 有機el成膜装置
US7485580B2 (en) * 2005-09-20 2009-02-03 Air Products And Chemicals, Inc. Method for removing organic electroluminescent residues from a substrate
US7531470B2 (en) * 2005-09-27 2009-05-12 Advantech Global, Ltd Method and apparatus for electronic device manufacture using shadow masks
JP4974504B2 (ja) * 2005-10-13 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置、発光装置の作製方法
KR20070043541A (ko) * 2005-10-21 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법
JP5064810B2 (ja) * 2006-01-27 2012-10-31 キヤノン株式会社 蒸着装置および蒸着方法
KR100836471B1 (ko) * 2006-10-27 2008-06-09 삼성에스디아이 주식회사 마스크 및 이를 이용한 증착 장치
KR100842183B1 (ko) * 2006-12-29 2008-06-30 두산메카텍 주식회사 증발원 스캐닝 장치
JP2008221532A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Oshima Denki Seisakusho:Kk 成膜装置
KR100977971B1 (ko) * 2007-06-27 2010-08-24 두산메카텍 주식회사 증착 장치
KR100830839B1 (ko) 2008-02-12 2008-05-20 문대규 증발원
KR100964224B1 (ko) 2008-02-28 2010-06-17 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치 및 박막 형성 방법
JP5416987B2 (ja) 2008-02-29 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
JP2009231277A (ja) * 2008-02-29 2009-10-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置
JP5238544B2 (ja) * 2008-03-07 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
US8409672B2 (en) * 2008-04-24 2013-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device
KR101517020B1 (ko) * 2008-05-15 2015-05-04 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 제조장치 및 제조방법
EP2135970A1 (en) * 2008-06-20 2009-12-23 Applied Materials, Inc. Processing system and method for processing a substrate
JP2010111916A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置、蒸着源、成膜室、蒸着容器交換方法
JP5623786B2 (ja) * 2009-05-22 2014-11-12 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置
JP5620146B2 (ja) * 2009-05-22 2014-11-05 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置
US8882920B2 (en) * 2009-06-05 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US8882921B2 (en) * 2009-06-08 2014-11-11 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US9174250B2 (en) 2009-06-09 2015-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
US8802200B2 (en) 2009-06-09 2014-08-12 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for cleaning organic deposition materials
KR101074792B1 (ko) * 2009-06-12 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101097311B1 (ko) * 2009-06-24 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치
KR101117719B1 (ko) * 2009-06-24 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101117720B1 (ko) * 2009-06-25 2012-03-08 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법
JP5244725B2 (ja) * 2009-07-21 2013-07-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 成膜装置
CN101962750B (zh) * 2009-07-24 2013-07-03 株式会社日立高新技术 真空蒸镀方法及其装置
KR20110014442A (ko) * 2009-08-05 2011-02-11 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101127575B1 (ko) * 2009-08-10 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치
US20110033621A1 (en) * 2009-08-10 2011-02-10 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus including deposition blade
JP5676175B2 (ja) 2009-08-24 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
KR101127578B1 (ko) * 2009-08-24 2012-03-23 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US8486737B2 (en) * 2009-08-25 2013-07-16 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
JP5328726B2 (ja) 2009-08-25 2013-10-30 三星ディスプレイ株式會社 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法
JP5611718B2 (ja) * 2009-08-27 2014-10-22 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
JP5677785B2 (ja) * 2009-08-27 2015-02-25 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法
US8696815B2 (en) 2009-09-01 2014-04-15 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
US20110052795A1 (en) * 2009-09-01 2011-03-03 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same
CN102549758B (zh) * 2009-09-24 2015-11-25 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
US8876975B2 (en) * 2009-10-19 2014-11-04 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus
KR101146982B1 (ko) 2009-11-20 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
KR101084184B1 (ko) 2010-01-11 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101174875B1 (ko) * 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101193186B1 (ko) * 2010-02-01 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101156441B1 (ko) 2010-03-11 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치
KR101202348B1 (ko) 2010-04-06 2012-11-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8894458B2 (en) 2010-04-28 2014-11-25 Samsung Display Co., Ltd. Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method
KR101223723B1 (ko) 2010-07-07 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101673017B1 (ko) 2010-07-30 2016-11-07 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법
KR20120012638A (ko) 2010-08-02 2012-02-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 형성 장치
JP5607470B2 (ja) * 2010-09-14 2014-10-15 公益財団法人かずさDna研究所 基材表面親水化処理方法及び被処理物の製造装置
KR101678056B1 (ko) 2010-09-16 2016-11-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120029166A (ko) 2010-09-16 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120039944A (ko) * 2010-10-18 2012-04-26 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 증착 시스템 및 증착 방법
WO2012053402A1 (ja) 2010-10-19 2012-04-26 シャープ株式会社 蒸着装置、蒸着方法、並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
KR101723506B1 (ko) 2010-10-22 2017-04-19 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101738531B1 (ko) 2010-10-22 2017-05-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20120045865A (ko) 2010-11-01 2012-05-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
KR20120065789A (ko) 2010-12-13 2012-06-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기층 증착 장치
JP2012140671A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Canon Tokki Corp 成膜装置
KR101760897B1 (ko) 2011-01-12 2017-07-25 삼성디스플레이 주식회사 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치
JP2012186158A (ja) * 2011-02-14 2012-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 照明装置及び発光装置の作製方法及び製造装置
JP2012178278A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Ulvac Japan Ltd 光透過性金属酸化物膜の形成方法
JP5902515B2 (ja) 2011-03-14 2016-04-13 株式会社半導体エネルギー研究所 連続成膜装置及び連続成膜方法
WO2012126016A2 (en) * 2011-03-17 2012-09-20 Kateeva, Inc. Apparatus and methods for depositing one or more organic materials on a substrate
KR101923174B1 (ko) 2011-05-11 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101840654B1 (ko) 2011-05-25 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101852517B1 (ko) 2011-05-25 2018-04-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR101857992B1 (ko) 2011-05-25 2018-05-16 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101857249B1 (ko) 2011-05-27 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR20130004830A (ko) 2011-07-04 2013-01-14 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101826068B1 (ko) 2011-07-04 2018-02-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치
KR20130010730A (ko) 2011-07-19 2013-01-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치
KR20130015144A (ko) 2011-08-02 2013-02-13 삼성디스플레이 주식회사 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법
JP5812753B2 (ja) * 2011-08-11 2015-11-17 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法
KR20130069037A (ko) 2011-12-16 2013-06-26 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
US9055654B2 (en) 2011-12-22 2015-06-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method
KR20130095063A (ko) * 2012-02-17 2013-08-27 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치와, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
JP2013216955A (ja) * 2012-04-11 2013-10-24 Hitachi High-Technologies Corp 真空蒸着装置
KR102015872B1 (ko) 2012-06-22 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9461277B2 (en) 2012-07-10 2016-10-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display apparatus
KR102013315B1 (ko) 2012-07-10 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
US9496524B2 (en) 2012-07-10 2016-11-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method
KR101959974B1 (ko) 2012-07-10 2019-07-16 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR101632298B1 (ko) 2012-07-16 2016-06-22 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시장치 및 그 제조방법
KR101968664B1 (ko) * 2012-08-06 2019-08-14 삼성디스플레이 주식회사 박막 형성 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102013318B1 (ko) 2012-09-20 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101994838B1 (ko) 2012-09-24 2019-10-01 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140050994A (ko) 2012-10-22 2014-04-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102052069B1 (ko) 2012-11-09 2019-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR102075525B1 (ko) 2013-03-20 2020-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치
KR20140118551A (ko) 2013-03-29 2014-10-08 삼성디스플레이 주식회사 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR102073765B1 (ko) * 2013-04-04 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 제조방법 및 이에 사용될 수 있는 증착장치
KR102081284B1 (ko) 2013-04-18 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102037376B1 (ko) 2013-04-18 2019-10-29 삼성디스플레이 주식회사 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102086550B1 (ko) * 2013-05-31 2020-03-10 삼성디스플레이 주식회사 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치
KR102107104B1 (ko) 2013-06-17 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102108361B1 (ko) 2013-06-24 2020-05-11 삼성디스플레이 주식회사 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
CN103726019B (zh) * 2013-12-13 2015-10-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 改善球面光学元件镀膜均匀性的挡板的设计方法
KR102162797B1 (ko) 2013-12-23 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
WO2015182279A1 (ja) * 2014-05-30 2015-12-03 シャープ株式会社 蒸着装置および蒸着方法
EP2975155A1 (en) * 2014-07-15 2016-01-20 Essilor International (Compagnie Generale D'optique) A process for physical vapor deposition of a material layer on surfaces of a plurality of substrates
CN104593731B (zh) * 2015-02-04 2017-05-03 深圳市华星光电技术有限公司 蒸镀换料一体化设备及其使用方法
CN105154832B (zh) * 2015-10-15 2018-06-08 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备和蒸镀方法
CN105177510B (zh) * 2015-10-21 2018-04-03 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀设备及蒸镀方法
CN109072401B (zh) 2016-03-10 2021-05-11 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩膜、蒸镀装置、蒸镀方法及有机el显示装置的制造方法
JP2017036512A (ja) * 2016-11-07 2017-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置
JP6580105B2 (ja) * 2017-10-26 2019-09-25 キヤノントッキ株式会社 測定装置
CN109881179B (zh) * 2019-04-19 2023-07-25 江苏可润光电科技有限公司 一种全包裹派瑞林镀膜工艺及镀膜装置
CN114583060A (zh) * 2020-12-01 2022-06-03 杭州纤纳光电科技有限公司 钙钛矿薄膜节奏化沉积生产方法与设备
JP7362693B2 (ja) * 2021-06-01 2023-10-17 キヤノントッキ株式会社 成膜装置及び電子デバイスの製造装置

Family Cites Families (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2351536A (en) * 1941-04-25 1944-06-13 Spencer Lens Co Method of treating surfaces
US2435997A (en) * 1943-11-06 1948-02-17 American Optical Corp Apparatus for vapor coating of large surfaces
US3110620A (en) * 1960-06-28 1963-11-12 Ibm Method of making plural layer thin film devices
US3235647A (en) * 1963-06-06 1966-02-15 Temescal Metallurgical Corp Electron bombardment heating with adjustable impact pattern
US3312190A (en) * 1964-02-25 1967-04-04 Burroughs Corp Mask and substrate alignment apparatus
US3420977A (en) * 1965-06-18 1969-01-07 Air Reduction Electron beam apparatus
US3391490A (en) * 1966-02-23 1968-07-09 David H. Evans Remotely controlled vehicle system
US3543717A (en) * 1968-04-25 1970-12-01 Itek Corp Means to adjust collimator and crucible location in a vapor deposition apparatus
US3636305A (en) * 1971-03-10 1972-01-18 Gte Sylvania Inc Apparatus for metal vaporization comprising a heater and a refractory vessel
US3710072A (en) * 1971-05-10 1973-01-09 Airco Inc Vapor source assembly
US3756193A (en) * 1972-05-01 1973-09-04 Battelle Memorial Institute Coating apparatus
JPS5315466B2 (ja) * 1973-04-28 1978-05-25
FR2244014B1 (ja) * 1973-09-17 1976-10-08 Bosch Gmbh Robert
US3971334A (en) * 1975-03-04 1976-07-27 Xerox Corporation Coating device
US4023523A (en) * 1975-04-23 1977-05-17 Xerox Corporation Coater hardware and method for obtaining uniform photoconductive layers on a xerographic photoreceptor
US4187801A (en) * 1977-12-12 1980-02-12 Commonwealth Scientific Corporation Method and apparatus for transporting workpieces
JPS5828812Y2 (ja) 1978-02-26 1983-06-23 ナショナル住宅産業株式会社 反り止め装置
JPS54127877A (en) 1978-03-28 1979-10-04 Ricoh Co Ltd Preparation of thin film
US4233937A (en) * 1978-07-20 1980-11-18 Mcdonnell Douglas Corporation Vapor deposition coating machine
DE2834806A1 (de) 1978-08-09 1980-02-14 Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg Verfahren und vorrichtung zum vakuumaufdampfen duenner schichten, insbesondere bei der herstellung von bildschirmen von katodenstrahlroehren
US4225805A (en) * 1978-12-22 1980-09-30 Gte Products Corporation Cathode ray tube getter sealing structure
JPS6032361Y2 (ja) 1980-03-17 1985-09-27 三国工業株式会社 多連装式気化器のスタ−タ操作機構
JPS57123973A (en) 1981-01-22 1982-08-02 Fuji Electric Co Ltd Container for vacuum-depositing material
JPS6214379Y2 (ja) 1981-01-27 1987-04-13
JPS57172060A (en) 1981-04-17 1982-10-22 Mitsui Keikinzoku Kako Upstair
JPS57172060U (ja) * 1981-04-20 1982-10-29
US4446357A (en) * 1981-10-30 1984-05-01 Kennecott Corporation Resistance-heated boat for metal vaporization
US4469719A (en) * 1981-12-21 1984-09-04 Applied Magnetics-Magnetic Head Divison Corporation Method for controlling the edge gradient of a layer of deposition material
JPS58177463A (ja) 1982-04-12 1983-10-18 Hitachi Ltd 積層薄膜成膜装置
US4405487A (en) * 1982-04-29 1983-09-20 Harrah Larry A Combination moisture and hydrogen getter
JPS58177463U (ja) 1982-05-21 1983-11-28 株式会社日本ロツク 電子ロツク錠式チエンロツク
CH651592A5 (de) * 1982-10-26 1985-09-30 Balzers Hochvakuum Dampfquelle fuer vakuumbedampfungsanlagen.
EP0139764B1 (en) * 1983-03-31 1989-10-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing thin-film integrated devices
JPS59203238A (ja) * 1983-04-30 1984-11-17 Tdk Corp 磁気記録媒体の製造方法
JPS6032361A (ja) 1983-08-03 1985-02-19 Hitachi Ltd 半導体装置用電極配線の製造方法
DE3330092A1 (de) * 1983-08-20 1985-03-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen
GB8332394D0 (en) * 1983-12-05 1984-01-11 Pilkington Brothers Plc Coating apparatus
JPS60121616A (ja) 1983-12-06 1985-06-29 セイコーエプソン株式会社 透明導電膜の製造方法
JPS60121616U (ja) 1984-01-25 1985-08-16 三菱電機株式会社 負荷時タツプ切換装置
US5259881A (en) * 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
US4672265A (en) * 1984-07-31 1987-06-09 Canon Kabushiki Kaisha Electroluminescent device
US4600160A (en) 1984-09-20 1986-07-15 Oscar Mayer Foods Corporation Chopper blade assembly
JPH0246667B2 (ja) 1986-09-20 1990-10-16 Anelva Corp Hakumakujochakusochi
US4897290A (en) * 1986-09-26 1990-01-30 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Method for manufacturing the substrate for liquid crystal display
JPS6379959U (ja) 1986-11-14 1988-05-26
US4951601A (en) * 1986-12-19 1990-08-28 Applied Materials, Inc. Multi-chamber integrated process system
US4885211A (en) * 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
JPS63186763U (ja) * 1987-02-16 1988-11-30
US4769292A (en) * 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
JPS63297549A (ja) 1987-05-29 1988-12-05 Komatsu Ltd 真空蒸着装置
JPS6442392A (en) 1987-08-07 1989-02-14 Nec Corp Apparatus for molecular beam epitaxy
JPS6442392U (ja) 1987-09-03 1989-03-14
JP2832836B2 (ja) * 1988-12-26 1998-12-09 株式会社小松製作所 真空成膜装置
US5111022A (en) * 1989-08-23 1992-05-05 Tfi Telemark Cooling system for electron beam gun and method
JP2672680B2 (ja) * 1990-02-09 1997-11-05 沖電気工業株式会社 薄膜の製造方法及びこれに用いる蒸発源
US5310410A (en) * 1990-04-06 1994-05-10 Sputtered Films, Inc. Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus
JP2913745B2 (ja) * 1990-04-10 1999-06-28 松下電器産業株式会社 真空蒸着装置
JPH0423523A (ja) * 1990-05-17 1992-01-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 衛星受信用チューナ
JPH04116169A (ja) 1990-09-05 1992-04-16 Shin Meiwa Ind Co Ltd 多層成膜用の真空蒸着装置
US5167984A (en) 1990-12-06 1992-12-01 Xerox Corporation Vacuum deposition process
US5258325A (en) * 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
JP3181611B2 (ja) 1991-02-22 2001-07-03 コニカ株式会社 蒸着装置
JP3125279B2 (ja) * 1991-02-25 2001-01-15 東海カーボン株式会社 真空蒸着用黒鉛ルツボ
JPH04116169U (ja) 1991-03-28 1992-10-16 株式会社島津製作所 レーザ装置
JP2784615B2 (ja) * 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
US5429884A (en) * 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
JP2688555B2 (ja) 1992-04-27 1997-12-10 株式会社日立製作所 マルチチャンバシステム
JP3257056B2 (ja) 1992-09-04 2002-02-18 石川島播磨重工業株式会社 真空蒸着装置
JP3482969B2 (ja) * 1993-01-19 2004-01-06 石川島播磨重工業株式会社 連続真空蒸着装置
EP0608620B1 (en) * 1993-01-28 1996-08-14 Applied Materials, Inc. Vacuum Processing apparatus having improved throughput
JP3059972B2 (ja) 1993-03-12 2000-07-04 工業技術院長 有機系光学薄膜の製造法とその装置
JP2821347B2 (ja) * 1993-10-12 1998-11-05 日本電気株式会社 電流制御型発光素子アレイ
JP2770299B2 (ja) * 1993-10-26 1998-06-25 富士ゼロックス株式会社 薄膜el素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット
KR100291971B1 (ko) 1993-10-26 2001-10-24 야마자끼 순페이 기판처리장치및방법과박막반도체디바이스제조방법
JP2734965B2 (ja) 1993-12-20 1998-04-02 双葉電子工業株式会社 電界放出素子とその製造方法
JPH07192866A (ja) 1993-12-26 1995-07-28 Ricoh Co Ltd 有機薄膜型電界発光素子
JPH07216539A (ja) 1994-01-28 1995-08-15 Toray Ind Inc 製膜装置およびこれを用いた薄膜の製造方法
JP2599569B2 (ja) 1994-03-09 1997-04-09 工業技術院長 複合型光学薄膜の製造方法とその製造装置
US5701055A (en) * 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
DE4422697C1 (de) 1994-06-29 1996-01-25 Zsw Verdampferquelle für eine Aufdampfanlage und ihre Verwendung
US5534314A (en) * 1994-08-31 1996-07-09 University Of Virginia Patent Foundation Directed vapor deposition of electron beam evaporant
JPH08111285A (ja) 1994-10-07 1996-04-30 Tdk Corp 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置
US5972183A (en) * 1994-10-31 1999-10-26 Saes Getter S.P.A Getter pump module and system
US5550066A (en) * 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US5945967A (en) * 1995-01-18 1999-08-31 I-O Display Systems, Llc Speckle depixelator
EP0732731A3 (en) * 1995-03-13 1997-10-08 Applied Materials Inc Treatment of a layer of titanium nitride to improve resistance to high temperatures
JPH0916960A (ja) * 1995-06-30 1997-01-17 Hitachi Maxell Ltd 情報記録媒体の製造装置
US5935395A (en) * 1995-11-08 1999-08-10 Mitel Corporation Substrate processing apparatus with non-evaporable getter pump
JPH09209127A (ja) 1996-02-05 1997-08-12 Idemitsu Kosan Co Ltd 真空蒸着装置およびその真空蒸着装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH09256142A (ja) 1996-03-15 1997-09-30 Sony Corp 成膜装置
TW320687B (ja) * 1996-04-01 1997-11-21 Toray Industries
JP3539125B2 (ja) 1996-04-18 2004-07-07 東レ株式会社 有機電界発光素子の製造方法
JPH1050478A (ja) * 1996-04-19 1998-02-20 Toray Ind Inc 有機電界発光素子およびその製造方法
JP3113212B2 (ja) * 1996-05-09 2000-11-27 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネルの蛍光体層形成装置および蛍光体塗布方法
JP3224396B2 (ja) * 1996-05-29 2001-10-29 出光興産株式会社 有機el素子
US5902688A (en) * 1996-07-16 1999-05-11 Hewlett-Packard Company Electroluminescent display device
US5817366A (en) * 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
US5844363A (en) * 1997-01-23 1998-12-01 The Trustees Of Princeton Univ. Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices
JPH10162954A (ja) 1996-11-29 1998-06-19 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 有機el素子の製造方法
JP4059946B2 (ja) 1996-12-06 2008-03-12 株式会社アルバック 有機薄膜形成装置及び有機材料の再利用方法
JP3483719B2 (ja) 1997-01-09 2004-01-06 株式会社アルバック 有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機薄膜形成装置
JP3162313B2 (ja) * 1997-01-20 2001-04-25 工業技術院長 薄膜製造方法および薄膜製造装置
US5904961A (en) * 1997-01-24 1999-05-18 Eastman Kodak Company Method of depositing organic layers in organic light emitting devices
JPH10214682A (ja) 1997-01-30 1998-08-11 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法
US6049167A (en) * 1997-02-17 2000-04-11 Tdk Corporation Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same
JP2848371B2 (ja) * 1997-02-21 1999-01-20 日本電気株式会社 有機el表示装置及びその製造方法
JP2845856B2 (ja) 1997-03-10 1999-01-13 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JPH10270164A (ja) 1997-03-26 1998-10-09 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法およびその製造装置
DE29707686U1 (de) * 1997-04-28 1997-06-26 Balzers Prozess Systeme Vertriebs- und Service GmbH, 81245 München Magnethalterung für Folienmasken
KR100353774B1 (ko) * 1997-05-08 2002-09-27 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 광기록매체의 제조장치 및 제조방법
US5906857A (en) * 1997-05-13 1999-05-25 Ultratherm, Inc. Apparatus, system and method for controlling emission parameters attending vaporized in a HV environment
AUPO712097A0 (en) * 1997-05-30 1997-06-26 Lintek Pty Ltd Vacuum deposition system
JPH10335062A (ja) 1997-05-30 1998-12-18 Tdk Corp 有機el素子の製造装置および製造方法
US6011904A (en) * 1997-06-10 2000-01-04 Board Of Regents, University Of Texas Molecular beam epitaxy effusion cell
JP3508484B2 (ja) * 1997-07-14 2004-03-22 松下電器産業株式会社 機能性薄膜の形成方法及び形成装置
JPH1145779A (ja) * 1997-07-25 1999-02-16 Tdk Corp 有機el素子の製造方法および装置
JPH1161386A (ja) * 1997-08-22 1999-03-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子の成膜装置
US6124215A (en) * 1997-10-06 2000-09-26 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Apparatus and method for planarization of spin-on materials
IT1295340B1 (it) * 1997-10-15 1999-05-12 Getters Spa Pompa getter ad elevata velocita' di assorbimento di gas
WO1999020080A1 (fr) 1997-10-15 1999-04-22 Toray Industries, Inc. Procede de fabrication d'un dispositif electroluminescent organique
JP4058149B2 (ja) * 1997-12-01 2008-03-05 キヤノンアネルバ株式会社 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法
JP3014368B2 (ja) 1997-12-18 2000-02-28 セントラル硝子株式会社 クリーニングガス
SG72905A1 (en) * 1997-12-18 2000-05-23 Central Glass Co Ltd Gas for removing deposit and removal method using same
IT1297013B1 (it) * 1997-12-23 1999-08-03 Getters Spa Sistema getter per la purificazione dell'atmosfera di lavoro nei processi di deposizione fisica da vapore
JP3453290B2 (ja) * 1997-12-26 2003-10-06 松下電器産業株式会社 蒸着用電極構造、蒸着装置、蒸着方法および有機発光素子の製造方法
JPH11229123A (ja) 1998-02-12 1999-08-24 Casio Comput Co Ltd 蒸着装置
US6251233B1 (en) * 1998-08-03 2001-06-26 The Coca-Cola Company Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation
US6284052B2 (en) 1998-08-19 2001-09-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber
JP2000068055A (ja) * 1998-08-26 2000-03-03 Tdk Corp 有機el素子用蒸発源、この有機el素子用蒸発源を用いた有機el素子の製造装置および製造方法
US6132805A (en) * 1998-10-20 2000-10-17 Cvc Products, Inc. Shutter for thin-film processing equipment
JP3782245B2 (ja) 1998-10-28 2006-06-07 Tdk株式会社 有機el表示装置の製造装置及び製造方法
US6214631B1 (en) * 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
EP1129068A1 (en) * 1998-11-12 2001-09-05 Ariad Pharmaceuticals, Inc. Bicyclic signal transduction inhibitors, composition containing them and uses thereof
JP3019095B1 (ja) * 1998-12-22 2000-03-13 日本電気株式会社 有機薄膜elデバイスの製造方法
US6328815B1 (en) * 1999-02-19 2001-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Multiple chamber vacuum processing system configuration for improving the stability of mark shielding process
JP2000348859A (ja) 1999-06-03 2000-12-15 Chisso Corp 有機el素子
US6469439B2 (en) * 1999-06-15 2002-10-22 Toray Industries, Inc. Process for producing an organic electroluminescent device
TW504941B (en) * 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
JP4472056B2 (ja) * 1999-07-23 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 エレクトロルミネッセンス表示装置及びその作製方法
US6660409B1 (en) * 1999-09-16 2003-12-09 Panasonic Communications Co., Ltd Electronic device and process for producing the same
JP4140674B2 (ja) * 1999-09-27 2008-08-27 東京エレクトロン株式会社 多孔質アモルファス膜の観察方法及びその観察装置
JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
CA2388178A1 (en) 1999-10-22 2001-05-03 Kurt J. Lesker Company Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum
KR20010047128A (ko) * 1999-11-18 2001-06-15 이경수 액체원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치
US6537607B1 (en) * 1999-12-17 2003-03-25 Texas Instruments Incorporated Selective deposition of emissive layer in electroluminescent displays
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US6244212B1 (en) * 1999-12-30 2001-06-12 Genvac Aerospace Corporation Electron beam evaporation assembly for high uniform thin film
US6633121B2 (en) * 2000-01-31 2003-10-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
JP2001279429A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 素子用薄膜層の成膜方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
ATE497028T1 (de) * 2000-06-22 2011-02-15 Panasonic Elec Works Co Ltd Vorrichtung und verfahren zum vakuum-ausdampfen
JP2002075638A (ja) 2000-08-29 2002-03-15 Nec Corp マスク蒸着方法及び蒸着装置
JP2002175878A (ja) * 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
JP2002105622A (ja) 2000-10-04 2002-04-10 Sony Corp 蒸着用治具及び蒸着方法
TW463522B (en) * 2000-11-07 2001-11-11 Helix Technology Inc Manufacturing method for organic light emitting diode
US6641674B2 (en) * 2000-11-10 2003-11-04 Helix Technology Inc. Movable evaporation device
US7432116B2 (en) * 2001-02-21 2008-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method and apparatus for film deposition
US20030015140A1 (en) * 2001-04-26 2003-01-23 Eastman Kodak Company Physical vapor deposition of organic layers using tubular sources for making organic light-emitting devices
JP4704605B2 (ja) * 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
JP2003002778A (ja) * 2001-06-26 2003-01-08 International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd 薄膜堆積用分子線セル
JP4707271B2 (ja) * 2001-06-29 2011-06-22 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2003113466A (ja) * 2001-07-31 2003-04-18 Fuji Photo Film Co Ltd 真空蒸着装置
US20030101937A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
US7655397B2 (en) * 2002-04-25 2010-02-02 The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services Selections of genes and methods of using the same for diagnosis and for targeting the therapy of select cancers
KR100490537B1 (ko) * 2002-07-23 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 가열용기와 이를 이용한 증착장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20010006827A1 (en) 2001-07-05
EP1113087A2 (en) 2001-07-04
EP1113087B1 (en) 2016-08-31
KR20010062735A (ko) 2001-07-07
CN1302173A (zh) 2001-07-04
KR100827760B1 (ko) 2008-05-07
EP1113087A3 (en) 2003-11-19
JP2018066066A (ja) 2018-04-26
JP2001247959A (ja) 2001-09-14
CN100517798C (zh) 2009-07-22
JP6371820B2 (ja) 2018-08-08
US20170137930A1 (en) 2017-05-18
US9559302B2 (en) 2017-01-31
JP2013253323A (ja) 2013-12-19
JP3833066B2 (ja) 2006-10-11
US20150171329A1 (en) 2015-06-18
JP2013249543A (ja) 2013-12-12
JP2011117083A (ja) 2011-06-16
TW490714B (en) 2002-06-11
KR20070029770A (ko) 2007-03-14
JP2003293122A (ja) 2003-10-15
KR100794292B1 (ko) 2008-01-11
JP5589115B2 (ja) 2014-09-10
US20100021624A1 (en) 2010-01-28
JP2016000859A (ja) 2016-01-07
JP2017045728A (ja) 2017-03-02
JP5856110B2 (ja) 2016-02-09
US8968823B2 (en) 2015-03-03
JP4782978B2 (ja) 2011-09-28
US8119189B2 (en) 2012-02-21
CN1790773A (zh) 2006-06-21
CN1240250C (zh) 2006-02-01
JP2013147754A (ja) 2013-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6371820B2 (ja) 成膜方法および発光装置の作製方法
KR101167546B1 (ko) 증착 장치
KR100696547B1 (ko) 증착 방법
KR101003404B1 (ko) 제조 시스템 및 발광장치의 제조방법
US8158012B2 (en) Film forming apparatus and method for manufacturing light emitting element
US8263174B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing light emitting device
US8482422B2 (en) Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using thin film deposition apparatus
JP4252317B2 (ja) 蒸着装置および蒸着方法
JP4439827B2 (ja) 製造装置および発光装置の作製方法
JP2007328999A (ja) 発光素子の製造装置および発光素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121126

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130305

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130425

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130702

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130708

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5315361

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees