JP2013253323A - 成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る表示装置の作製方法は、基板101を蒸着室に搬送し、蒸着源
104から薄膜材料を気化させ、前記薄膜材料を気化させている間、前記基板に対する前
記蒸着源の位置を移動させることにより、前記基板上に薄膜を成膜することを特徴とする
。
【選択図】図1
Description
性材料、特に自発光性有機材料(以下、有機EL材料という)を挟んだ構造からなるEL
素子の作製に用いる成膜装置及び成膜方法に関する。
て発光(燐光および/または蛍光)するすべての発光性有機材料を含むものとする。
(以下、EL表示装置という)の開発が進んでいる。EL表示装置は自発光型であるため
、液晶表示装置のようなバックライトが不要であり、さらに視野角が広いため、屋外で使
用する携帯型機器の表示部として有望視されている。
クス型)の二種類があり、どちらも盛んに開発が行われている。特に現在はアクティブマ
トリクス型EL表示装置が注目されている。また、EL素子の発光層となるEL材料は、
有機材料と無機材料があり、さらに有機材料は低分子系(モノマー系)有機EL材料と高
分子系(ポリマー系)有機EL材料とに分けられる。両者ともに盛んに研究されているが
、低分子系有機EL材料は主に蒸着法で成膜され、高いポリマー系有機EL材料は主に塗
布法で成膜される。
に分けて成膜する必要がある。しかしながら、一般的にEL材料は水及び酸素に弱く、フ
ォトリソグラフィによるパターニングができない。そのため、成膜と同時にパターン化す
ることが必要となる。
シャドーマスクという)を、成膜を行う基板と蒸着源との間に設ける方法である。この場
合、蒸着源から気化したEL材料が開口部だけを通過して選択的に成膜されるため、成膜
と同時にパターン化されたEL層を形成することが可能である。
を形成していたため、EL材料の飛行距離を考慮して基板の配置を工夫していた。例えば
、円錐形の基板ホルダに基板を固定することで蒸着源から基板までの距離を全て等しくす
るといった工夫が行われていた。
には、上述の方法を行うと基板ホルダが非常に大きくなってしまい、成膜装置本体の大型
化を招いてしまう。また、枚葉式で行うにも基板が平板であるため、蒸着源からの距離が
基板の面内で異なり、均一な膜厚で成膜することが困難であるという問題が残る。
化されたEL材料が十分に広がらず、基板全面に均一に薄膜を形成することが困難となる
。この距離の確保も装置の大型化を助長している。
性の高い薄膜を成膜できる成膜装置を提供することを課題とする。また、本発明の成膜装
置を用いた成膜方法を提供することを課題とする。
数個の蒸着セルを設けた蒸着源を用い、この蒸着源を蒸着源の長手方向と垂直な方向に移
動させることで薄膜を成膜することを特徴とする。なお、「長手方向を有する」とは、形
状が細長い長方形、細長い楕円形もしくは線状であることを指している。本発明の場合、
長手方向の長さが成膜される基板の一辺の長さよりも長いと一括で処理できるため好まし
い。具体的には300mm〜1200mm(典型的には600〜800mm)であると良
い。
は上面図、図1(B)は図1(A)をA−A’で切断した断面図、図1(C)は図1(A
)をB−B’で切断した断面図である。なお、図1(A)〜(C)において符号は共通の
ものを用いている。
らにその下方には複数の蒸着セル103が一直線上に並べられた長方形の蒸着源104が
設置されている。なお、本明細書において基板とは、基板とその上に形成された薄膜も含
めて基板とする。また、基板の表面とは、薄膜を形成する基板面のことを指す。
源104の長手方向と垂直な方向)へ蒸着源104を移動させる機構を備えている。そし
て、蒸着源104を移動させることで基板全面に薄膜を成膜できるようになっている。な
お、長手方向の長さが基板の1辺よりも短い場合は、数回の走査を繰り返して薄膜を形成
すれば良い。また、蒸着源104を繰り返し移動させることにより同一の薄膜を数回積層
しても構わない。
設けられた開口部(図示せず)を通って基板101に堆積される。こうして基板101に
は選択的に薄膜が成膜される。このとき、蒸着セル103から飛散した薄膜材料が成膜さ
れる領域は隣接する他の蒸着セルから飛散した薄膜材料が成膜される領域と重なるように
する。互いに成膜される領域を重ねることで最終的には長方形の領域で成膜されることに
なる。
放射ではなく線からの放射となり、薄膜の膜厚の均一性を大幅に向上させることができる
。さらに、長方形の蒸着源を基板面の下方にて移動させることで高スループットで成膜を
行うことができる。
がなく、非常に近接した状態で蒸着を行うことが可能である。これは蒸着セルが並んで複
数設けられているため、薄膜材料の飛散距離が短くても基板の中心部から端部に至るまで
を同時に成膜することが出来るためである。この効果は蒸着セル103が密に並んでいる
ほど高い。
も異なるため特に限定はない。しかし近すぎると基板の中心部から端部までを均一に成膜
することが困難となり、遠すぎると従来の点からの放射による蒸着と変わらなくなってし
まう。そのため、蒸着セル103同士の間隔をaとすると、蒸着源104とシャドーマス
ク102との距離は2a〜100a(好ましくは5a〜50a)とすることが望ましい。
もしくは線状の領域において薄膜の膜厚分布の均一性を確保し、その上で蒸着源を移動さ
せることで基板全面に均一性の高い薄膜を成膜することが可能である。また、点からの蒸
着でないため、蒸着源と基板との距離を短くすることができ、さらに膜厚の均一性を高め
ることができる。
有効である。酸素ガスによるプラズマ処理もしくはフッ素を含むガスによるプラズマ処理
を行うことで、チャンバー壁に成膜された薄膜を除去し、チャンバー内のクリーニングを
行うことができる。プラズマを発生させる手段としては、チャンバー内に平行平板の電極
を設けて、その間でプラズマを発生させれば良い。
いスループットで成膜することが可能となる。
は蒸着室の上面図であり、図2(B)は断面図である。なお、共通の部分には共通の符号
を使うものとする。また、本実施の形態では薄膜としてEL(エレクトロルミネッセンス
)膜を成膜する例を示す。
がチャンバー201の内部に搬送される。搬送された基板203は基板ホルダ204に載
せられ、搬送レール205によって矢印205で示すように成膜部206へと搬送される
。
マスク208が基板203に近づく。なお、本実施形態ではシャドーマスク208の材料
として金属板を用いる。((図2(B))また、本実施形態ではシャドーマスク208に
は開口部209が長方形、楕円形もしくは線状に形成されている。勿論、開口部の形状は
これに限定されるものではなく、マトリクス状もしくは網目状に形成されていても構わな
い。
するような構造とする。電磁石210により磁場を形成すると、シャドーマスク208が
基板203の方へと引き寄せられ、所定の間隔をもって保持される。この間隔は図3に示
すようにシャドーマスク208に設けられた複数の突起301により確保される。
有効である。基板203が大型化すると、基板の自重によりたわみが生じる。しかしなが
ら、電磁石210によりシャドーマスク208を基板203側に引き寄せれば、基板20
3も電磁石210に引き寄せられ、たわみを解消することができる。但し、図4に示すよ
うに電磁石210にも突起401を設け、基板203と電磁石210との間隔を確保する
ことが好ましい。
る蒸着セル211を設けた蒸着源212を矢印213の方向へ移動させる。移動させる間
、蒸着セルの内部に設けられたEL材料は蒸着セルが加熱されることにより気化し、成膜
部206のチャンバー内へと飛散する。但し、本発明の場合、蒸着源212と基板203
との距離を非常に短いものとすることができるため、チャンバー内の駆動部(蒸着源、基
板ホルダもしくはマスクホルダを駆動する部分)へのEL材料の付着を最小限に抑えるこ
とができる。
)に示すように、蒸着源212の長手方向の長さが十分に長いため、1回の走査で基板2
03の全面を移動させることができる。
210の磁場を消し、マスクホルダ207を下げて、シャドーマスク208と基板203
との距離を離す。そして、基板ホルダ204を一画素分ずらして、再びマスクホルダ20
7を上げ、シャドーマスク208と基板203とを近づける。さらに、電磁石210によ
り磁場を形成して、シャドーマスク208及び基板203のたわみを解消する。その後、
蒸着セルを切り換えて再び赤、緑もしくは青のEL材料(ここでは緑)を成膜する。
を一画素部ずらしても構わない。
板203を基板搬送口202の方へ搬送し、チャンバー201からロボットアーム(図示
せず)にて取り出す。以上で本発明を用いたEL膜の成膜が完了する。
り、搬送室501には搬送機構502が備えられ、基板503の搬送が行われる。搬送室
501は減圧雰囲気にされており、各処理室とはゲートによって連結されている。各処理
室への基板の受け渡しは、ゲートを開けた際に搬送機構502によって行われる。また、
搬送室501を減圧するには、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ分子
ポンプ若しくはクライオポンプなどの排気ポンプを用いることが可能であるが、水分の除
去に効果的なクライオポンプが好ましい。
、搬送室501に直接的に連結された処理室には全て排気ポンプ(図示せず)が備えられ
ている。排気ポンプとしては上述の油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ
分子ポンプ若しくはクライオポンプが用いられる。
ねている。ロード室504はゲート500aにより搬送室501と連結され、ここに基板
503をセットしたキャリア(図示せず)が配置される。なお、ロード室504は基板搬
入用と基板搬出用とで部屋が区別されていても良い。
また、ロード室504は上述の排気ポンプと高純度の窒素ガスまたは希ガスを導入するた
めのパージラインを備えている。
た基板を用いる。本実施例では基板503を、被成膜面を下向きにしてキャリアにセット
する。これは後に蒸着法による成膜を行う際に、フェイスダウン方式(デポアップ方式と
もいう)を行いやすくするためである。フェイスダウン方式とは、基板の被成膜面が下を
向いた状態で成膜する方式をいい、この方式によればゴミの付着などを抑えることができ
る。
を処理する処理室(以下、前処理室という)であり、前処理室505はゲート500bに
より搬送室501と連結される。前処理室はEL素子の作製プロセスによって様々に変え
ることができるが、本実施例では透明導電膜からなる陽極の表面に酸素中で紫外光を照射
しつつ100〜120℃で加熱できるようにする。このような前処理は、EL素子の陽極
表面を処理する際に有効である。
)と呼ぶ。蒸着室(A)506はゲート500cを介して搬送室501に連結される。本
実施例では蒸着室(A)506として図2に示した構造の蒸着室を設けている。
面全体に成膜し、次に赤色に発色する発光層、その次に緑色に発色する発光層、最後に青
色に発色する発光層を成膜する。なお、正孔注入層、赤色に発色する発光層、緑色に発色
する発光層及び青色に発色する発光層としては如何なる材料を用いても良い。
成となっている。即ち、複数種類の蒸着源を格納した予備室508が蒸着室(A)506
に接続されており、内部の搬送機構により蒸着源の切り換えを行うことができる。従って
、成膜する有機EL材料が変わるたびに蒸着源も切り換えることになる。また、シャドー
マスクは同一のマスクを成膜する有機EL材料が変わるたびに一画素分移動させて用いる
。
ば良い。
陰極となる金属膜)を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(B)と呼ぶ。蒸着室(B)
509はゲート500dを介して搬送室501に連結される。
本実施例では蒸着室(B)509として図2に示した構造の蒸着室を設けている。本実施
例では、蒸着室(B)509内の成膜部510において、EL素子の陰極となる導電膜と
してAl−Li合金膜(アルミニウムとリチウムとの合金膜)
を成膜する。
能である。共蒸着とは、同時に蒸着セルを加熱し、成膜段階で異なる物質を混合する蒸着
法をいう。
0eを介してロード室504に連結されている。封止室511では、最終的にEL素子を
密閉空間に封入するための処理が行われる。この処理は形成されたEL素子を酸素や水分
から保護するための処理であり、シーリング材で機械的に封入する、又は熱硬化性樹脂若
しくは紫外光硬化性樹脂で封入するといった手段を用いる。
とができるが、シーリング材側に光を放射させる場合は透光性でなければならない。また
、シーリング材と上記EL素子が形成された基板とは熱硬化性樹脂又は紫外光硬化性樹脂
を用いて貼り合わせられ、熱処理又は紫外光照射処理によって樹脂を硬化させて密閉空間
を形成する。この密閉空間の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を設けることも有効で
ある。
光硬化性樹脂で充填することも可能である。この場合、熱硬化性樹脂若しくは紫外光硬化
性樹脂の中に酸化バリウムに代表される吸湿材を添加しておくことは有効である。
、紫外光照射機構という)512が設けられており、この紫外光照射機構512から発し
た紫外光によって紫外光硬化性樹脂を硬化させる構成となっている。また、封止室511
の内部は排気ポンプを取り付けることで減圧とすることも可能である。上記封入工程をロ
ボット操作で機械的に行う場合には、減圧下で行うことで酸素や水分の混入を防ぐことが
できる。また、逆に封止室511の内部を与圧とすることも可能である。この場合、高純
度な窒素ガスや希ガスでパージしつつ与圧とし、外気から酸素等が侵入することを防ぐ。
は搬送機構(B)514が設けられ、封止室511でEL素子の封入が完了した基板を受
渡室513へと搬送する。受渡室513も排気ポンプを取り付けることで減圧とすること
が可能である。この受渡室513は封止室511を直接外気に晒さないようにするための
設備であり、ここから基板を取り出す。
するまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高いEL表示装置を作製することが可能とな
る。
とした場合について図6を用いて説明する。図6において、601は搬送室であり、搬送
室601には搬送機構(A)602が備えられ、基板603の搬送が行われる。搬送室6
01は減圧雰囲気にされており、各処理室とはゲートによって連結されている。各処理室
への基板の受け渡しは、ゲートを開けた際に搬送機構(A)602によって行われる。ま
た、搬送室601を減圧するには、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ
分子ポンプ若しくはクライオポンプなどの排気ポンプを用いることが可能であるが、水分
の除去に効果的なクライオポンプが好ましい。
、搬送室601に直接的に連結された処理室には全て排気ポンプ(図示せず)が備えられ
ている。排気ポンプとしては上述の油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ターボ
分子ポンプ若しくはクライオポンプが用いられる。
も呼ばれる。ロード室604はゲート600aにより搬送室601と連結され、ここに基
板603をセットしたキャリア(図示せず)が配置される。なお、ロード室604は基板
搬入用と基板搬出用とで部屋が区別されていても良い。また、ロード室604は上述の排
気ポンプと高純度の窒素ガスまたは希ガスを導入するためのパージラインを備えている。
を処理する前処理室であり、前処理室605はゲート600bにより搬送室601と連結
される。前処理室はEL素子の作製プロセスによって様々に変えることができるが、本実
施例では透明導電膜からなる陽極の表面に酸素中で紫外光を照射しつつ100〜120℃
で加熱できるようにする。このような前処理は、EL素子の陽極表面を処理する際に有効
である。
)と呼ぶ。蒸着室(A)606はゲート600cを介して搬送室601に連結される。本
実施例では蒸着室(A)606として図2に示した構造の蒸着室を設けている。
発色する発光層を成膜する。従って、蒸着源及びシャドーマスクを正孔注入層及び赤色に
発色する発光層となる有機材料に対応して二種類ずつ備え、切り換えが可能な構成となっ
ている。なお、正孔注入層及び赤色に発色する発光層としては公知の材料を用いれば良い
。
)と呼ぶ。蒸着室(B)608はゲート600dを介して搬送室601に連結される。本
実施例では蒸着室(B)608として図2に示した構造の蒸着室を設けている。本実施例
では、蒸着室(B)608内の成膜部609において、緑色に発色する発光層を成膜する
。なお、緑色に発色する発光層としては公知の材料を用いれば良い。
)と呼ぶ。蒸着室(C)610はゲート600eを介して搬送室601に連結される。本
実施例では蒸着室(C)610として図2に示した構造の蒸着室を設けている。本実施例
では、蒸着室(C)610内の成膜部611において、青色に発色する発光層を成膜する
。なお、青色に発色する発光層としては公知の材料を用いれば良い。
陰極となる金属膜)を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(D)と呼ぶ。蒸着室(D)
612はゲート600fを介して搬送室601に連結される。
本実施例では蒸着室(D)612として図2に示した構造の蒸着室を設けている。本実施
例では、蒸着室(D)612内の成膜部613において、EL素子の陰極となる導電膜と
してAl−Li合金膜(アルミニウムとリチウムとの合金膜)
を成膜する。なお、周期表の1族もしくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着す
ることも可能である。
る。封止室614の説明は実施例1を参照すれば良い。また、実施例1と同様に封止室6
14の内部には紫外光照射機構615が設けられている。さらに、封止室615には受渡
室616が連結される。受渡室616には搬送機構(B)617が設けられ、封止室61
4でEL素子の封入が完了した基板を受渡室616へと搬送する。受渡室616の説明も
実施例1を参照すれば良い。
するまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高いEL表示装置を作製することが可能とな
る。
おいて701はロード室であり、基板の搬送はここから行われる。ロード室701には排
気系700aが備えられ、排気系700aは第1バルブ71、ターボ分子ポンプ72、第2
バルブ73及びロータリーポンプ(油回転ポンプ)74を含んだ構成からなっている。
タフライバルブを用いる場合もある。第2バルブ73はフォアバルブであり、まず第2バ
ルブ73を開けてロータリーポンプ74によりロード室701を粗く減圧し、次に第1バ
ルブ71を空けてターボ分子ポンプ72で高真空まで減圧する。なお、ターボ分子ポンプ
の代わりにメカニカルブースターポンプ若しくはクライオポンプを用いることが可能であ
るがクライオポンプは水分の除去に特に効果的である。
を処理する前処理室であり、前処理室702は排気系700bを備えている。また、ロー
ド室701とは図示しないゲートで密閉遮断されている。前処理室702はEL素子の作
製プロセスによって様々に変えることができるが、本実施例では透明導電膜からなる陽極
の表面に酸素中で紫外光を照射しつつ100〜120℃で加熱できるようにする。
)と呼ぶ。蒸着室(A)703は排気系700cを備えている。また、前処理室702と
は図示しないゲートで密閉遮断されている。本実施例では蒸着室(A)703として図2
に示した構造の蒸着室を設けている。
源705は各々矢印の方向に向かって移動し、成膜が行われる。なお、蒸着室(A)70
3の詳細な動作に関しては、図2の説明を参照すれば良い。本実施例では、蒸着室(A)
703において、正孔注入層を成膜する。正孔注入層としては公知の材料を用いれば良い
。
)と呼ぶ。蒸着室(B)706は排気系700dを備えている。また、蒸着室(A)70
3とは図示しないゲートで密閉遮断されている。本実施例では蒸着室(B)706として
図2に示した構造の蒸着室を設けている。従って蒸着室(B)706の詳細な動作に関し
ては、図2の説明を参照すれば良い。また、本実施例では、蒸着室(B)706において
、赤色に発色する発光層を成膜する。赤色に発色する発光層としては公知の材料を用いれ
ば良い。
)と呼ぶ。蒸着室(C)707は排気系700eを備えている。また、蒸着室(B)70
6とは図示しないゲートで密閉遮断されている。本実施例では蒸着室(C)707として
図2に示した構造の蒸着室を設けている。従って蒸着室(C)707の詳細な動作に関し
ては、図2の説明を参照すれば良い。また、本実施例では、蒸着室(C)707において
、緑色に発色する発光層を成膜する。緑色に発色する発光層としては公知の材料を用いれ
ば良い。
)と呼ぶ。蒸着室(D)708は排気系700fを備えている。また、蒸着室(C)70
7とは図示しないゲートで密閉遮断されている。本実施例では蒸着室(D)708として
図2に示した構造の蒸着室を設けている。従って蒸着室(D)708の詳細な動作に関し
ては、図2の説明を参照すれば良い。また、本実施例では、蒸着室(D)708において
、青色に発色する発光層を成膜する。青色に発色する発光層としては公知の材料を用いれ
ば良い。
陰極となる金属膜)を成膜するための蒸着室であり、蒸着室(E)と呼ぶ。蒸着室(E)
709は排気系700gを備えている。また、蒸着室(D)708とは図示しないゲート
で密閉遮断されている。本実施形態では蒸着室(E)
709として図2に示した構造の蒸着室を設けている。従って蒸着室(E)709の詳細
な動作に関しては、図2の説明を参照すれば良い。
−Li合金膜(アルミニウムとリチウムとの合金膜)を成膜する。なお、周期表の1族も
しくは2族に属する元素とアルミニウムとを共蒸着することも可能である。
9とは図示しないゲートで密閉遮断されている。封止室710の説明は実施例1を参照す
れば良い。また、実施例1と同様に封止室710の内部には紫外光照射機構(図示せず)
が設けられている。
された基板はここから取り出される。
するまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高いEL表示装置を作製することが可能とな
る。また、インライン方式により高いスループットでEL表示装置を作製することができ
る。
おいて801はロード室であり、基板の搬送はここから行われる。ロード室801には排
気系800aが備えられ、排気系800aは第1バルブ81、ターボ分子ポンプ82、第2
バルブ83及びロータリーポンプ(油回転ポンプ)84を含んだ構成からなっている。
を処理する前処理室であり、前処理室802は排気系800bを備えている。また、ロー
ド室801とは図示しないゲートで密閉遮断されている。前処理室802はEL素子の作
製プロセスによって様々に変えることができるが、本実施例では透明導電膜からなる陽極
の表面に酸素中で紫外光を照射しつつ100〜120℃で加熱できるようにする。
cを備えている。また、前処理室802とは図示しないゲートで密閉遮断されている。本
実施例では蒸着室803として図2に示した構造の蒸着室を設けている。蒸着室803に
搬送された基板804及び蒸着室803に備えられた蒸着源805は各々矢印の方向に向
かって移動し、成膜が行われる。
色に発色する発光層、青色に発色する発光層及び陰極となる導電膜を形成するため、成膜
ごとに蒸着源803もしくはシャドーマスク(図示せず)を切り換えることが好ましい。
本実施例では蒸着室803に予備室806を連結し、予備室806に蒸着源もしくはシャ
ドーマスクを格納しておき、適宜切り換えることとする。
図示しないゲートで密閉遮断されている。封止室807の説明は実施例1を参照すれば良
い。また、実施例1と同様に封止室807の内部には紫外光照射機構(図示せず)が設け
られている。
された基板はここから取り出される。
するまで外気に晒さずに済むため、信頼性の高い発光装置(EL表示装置)を作製するこ
とが可能となる。また、インライン方式により高いスループットでEL表示装置を作製す
ることができる。
Claims (6)
- 蒸着室を有し、
前記蒸着室は、長手方向を有する蒸着源と、基板を保持する基板ホルダとを有し、
前記基板に対する前記蒸着源の位置を、前記蒸着源の長手方向と垂直な方向に移動させる機構と、を含むことを特徴とする成膜装置。 - 請求項1において、
前記蒸着源は、長手方向を有する蒸着セルを加熱する手段を有することを特徴とする成膜装置。 - 請求項1において、
前記蒸着源は、複数の蒸着セルを加熱する手段を有することを特徴とする成膜装置。 - 請求項1において、
前記蒸着源に、長手方向を有する蒸着セルを設置することができることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1において、
前記蒸着源に、複数の蒸着セルを設置することができることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記蒸着源における長手方向の長さは、前記基板の一辺の長さよりも長いことを特徴とする成膜装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US10892415B2 (en) | 2016-03-10 | 2021-01-12 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Deposition mask, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic EL display apparatus |
Families Citing this family (189)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US20100330748A1 (en) | 1999-10-25 | 2010-12-30 | Xi Chu | Method of encapsulating an environmentally sensitive device |
TW490714B (en) * | 1999-12-27 | 2002-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and method for forming a film |
WO2001072091A1 (fr) * | 2000-03-22 | 2001-09-27 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Procede et appareil de fabrication d'un afficheur electroluminescent organique |
TW484238B (en) * | 2000-03-27 | 2002-04-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and a method of manufacturing the same |
US20020011205A1 (en) * | 2000-05-02 | 2002-01-31 | Shunpei Yamazaki | Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device |
US7517551B2 (en) * | 2000-05-12 | 2009-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting device |
JP2002175878A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法 |
JP4906018B2 (ja) * | 2001-03-12 | 2012-03-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法、発光装置の作製方法及び成膜装置 |
DE10128091C1 (de) | 2001-06-11 | 2002-10-02 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Vorrichtung für die Beschichtung eines flächigen Substrats |
JP4078813B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2008-04-23 | ソニー株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
JP4707271B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2011-06-22 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2003017255A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
JP2003017254A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
JP4865165B2 (ja) | 2001-08-29 | 2012-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
TW529317B (en) * | 2001-10-16 | 2003-04-21 | Chi Mei Electronic Corp | Method of evaporating film used in an organic electro-luminescent display |
US20030101937A1 (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-05 | Eastman Kodak Company | Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device |
KR100422487B1 (ko) * | 2001-12-10 | 2004-03-11 | 에이엔 에스 주식회사 | 전자석을 이용한 유기전계발광소자 제작용 증착장치 및그를 이용한 증착방법 |
SG149680A1 (en) * | 2001-12-12 | 2009-02-27 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and film formation method and cleaning method |
KR100637127B1 (ko) * | 2002-01-10 | 2006-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착 방법 및 그 장치 |
TWI262034B (en) * | 2002-02-05 | 2006-09-11 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device |
TWI286044B (en) * | 2002-02-22 | 2007-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus |
SG113448A1 (en) * | 2002-02-25 | 2005-08-29 | Semiconductor Energy Lab | Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device |
JP3877613B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2007-02-07 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
TW589919B (en) * | 2002-03-29 | 2004-06-01 | Sanyo Electric Co | Method for vapor deposition and method for making display device |
JP2004006311A (ja) * | 2002-04-15 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法および製造装置 |
EP1369499A3 (en) * | 2002-04-15 | 2004-10-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device |
US8808457B2 (en) | 2002-04-15 | 2014-08-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
US8900366B2 (en) * | 2002-04-15 | 2014-12-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets |
US6749906B2 (en) * | 2002-04-25 | 2004-06-15 | Eastman Kodak Company | Thermal physical vapor deposition apparatus with detachable vapor source(s) and method |
TWI336905B (en) | 2002-05-17 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device |
JP4954434B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2012-06-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
JP4634698B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2011-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蒸着装置 |
US20040035360A1 (en) * | 2002-05-17 | 2004-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus |
KR100468792B1 (ko) * | 2002-05-28 | 2005-01-29 | 주식회사 야스 | 기판과 쉐도우 마스크 고정장치 |
US20030221620A1 (en) * | 2002-06-03 | 2003-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Vapor deposition device |
US6943066B2 (en) * | 2002-06-05 | 2005-09-13 | Advantech Global, Ltd | Active matrix backplane for controlling controlled elements and method of manufacture thereof |
US20040007183A1 (en) * | 2002-07-11 | 2004-01-15 | Ulvac, Inc. | Apparatus and method for the formation of thin films |
KR100471358B1 (ko) * | 2002-07-19 | 2005-03-15 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전자 발광층의 증착 장치 |
EP1560467B1 (en) | 2002-07-19 | 2014-02-26 | LG Display Co., Ltd. | Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers |
US20040040504A1 (en) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus |
JP3690380B2 (ja) * | 2002-08-02 | 2005-08-31 | セイコーエプソン株式会社 | 材料の配置方法、電子装置の製造方法、電気光学装置の製造方法 |
TWI277363B (en) | 2002-08-30 | 2007-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer |
JP4515060B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置および有機化合物を含む層の作製方法 |
JP2004146369A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 製造装置および発光装置の作製方法 |
KR101006938B1 (ko) * | 2002-09-20 | 2011-01-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 제조 시스템 및 발광장치 제작방법 |
US7067170B2 (en) * | 2002-09-23 | 2006-06-27 | Eastman Kodak Company | Depositing layers in OLED devices using viscous flow |
JP4139186B2 (ja) * | 2002-10-21 | 2008-08-27 | 東北パイオニア株式会社 | 真空蒸着装置 |
AU2003289212A1 (en) * | 2002-12-12 | 2004-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, manufacturing apparatus, film-forming method, and cleaning method |
US20040144321A1 (en) * | 2003-01-28 | 2004-07-29 | Eastman Kodak Company | Method of designing a thermal physical vapor deposition system |
US7211461B2 (en) * | 2003-02-14 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus |
DE10312641B4 (de) * | 2003-03-21 | 2009-11-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer OLED-Anzeige |
JP4346336B2 (ja) * | 2003-04-02 | 2009-10-21 | 三洋電機株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
JP4463492B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2010-05-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
US20040206307A1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-10-21 | Eastman Kodak Company | Method and system having at least one thermal transfer station for making OLED displays |
JP4493926B2 (ja) * | 2003-04-25 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
JP2004353083A (ja) | 2003-05-08 | 2004-12-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 蒸発装置 |
JP2004353082A (ja) | 2003-05-08 | 2004-12-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 蒸発装置 |
JP2004353084A (ja) | 2003-05-08 | 2004-12-16 | Sanyo Electric Co Ltd | 蒸発装置の固定部材 |
JP3915734B2 (ja) * | 2003-05-12 | 2007-05-16 | ソニー株式会社 | 蒸着マスクおよびこれを用いた表示装置の製造方法、ならびに表示装置 |
JP4015064B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2007-11-28 | トッキ株式会社 | 蒸着装置 |
JP4447256B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-04-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP4522777B2 (ja) * | 2003-07-25 | 2010-08-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US7211454B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate |
US20050022743A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Evaporation container and vapor deposition apparatus |
US8123862B2 (en) * | 2003-08-15 | 2012-02-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Deposition apparatus and manufacturing apparatus |
JP4685404B2 (ja) * | 2003-10-15 | 2011-05-18 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光素子の垂直蒸着方法,その装置,及び有機電界発光素子の垂直蒸着装置に使用される蒸着源 |
US20050244580A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Eastman Kodak Company | Deposition apparatus for temperature sensitive materials |
JP4545504B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2010-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 膜形成方法、発光装置の作製方法 |
WO2006016669A1 (en) * | 2004-08-13 | 2006-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR20060018746A (ko) * | 2004-08-25 | 2006-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기물 증착 장치 |
KR100700840B1 (ko) | 2005-01-05 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 섀도우마스크 부착방법 |
US9530968B2 (en) * | 2005-02-15 | 2016-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
US7948171B2 (en) * | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
ATE392490T1 (de) * | 2005-04-20 | 2008-05-15 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Magnetische maskenhalterung |
JP4789551B2 (ja) * | 2005-09-06 | 2011-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 有機el成膜装置 |
US7485580B2 (en) * | 2005-09-20 | 2009-02-03 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for removing organic electroluminescent residues from a substrate |
US7531470B2 (en) * | 2005-09-27 | 2009-05-12 | Advantech Global, Ltd | Method and apparatus for electronic device manufacture using shadow masks |
JP4974504B2 (ja) * | 2005-10-13 | 2012-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置、発光装置の作製方法 |
KR20070043541A (ko) * | 2005-10-21 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착장치 및 이를 이용한 박막 증착방법 |
JP5064810B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2012-10-31 | キヤノン株式会社 | 蒸着装置および蒸着方法 |
KR100836471B1 (ko) * | 2006-10-27 | 2008-06-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 마스크 및 이를 이용한 증착 장치 |
KR100842183B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2008-06-30 | 두산메카텍 주식회사 | 증발원 스캐닝 장치 |
JP2008221532A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-09-25 | Oshima Denki Seisakusho:Kk | 成膜装置 |
KR100977971B1 (ko) * | 2007-06-27 | 2010-08-24 | 두산메카텍 주식회사 | 증착 장치 |
KR100830839B1 (ko) | 2008-02-12 | 2008-05-20 | 문대규 | 증발원 |
KR100964224B1 (ko) | 2008-02-28 | 2010-06-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착 장치 및 박막 형성 방법 |
JP5416987B2 (ja) | 2008-02-29 | 2014-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法及び発光装置の作製方法 |
US20090218219A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing Apparatus |
JP5238544B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2013-07-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法及び発光装置の作製方法 |
US8409672B2 (en) * | 2008-04-24 | 2013-04-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device |
KR101517020B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2015-05-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 제조장치 및 제조방법 |
EP2135970A1 (en) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Applied Materials, Inc. | Processing system and method for processing a substrate |
JP2010111916A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Ulvac Japan Ltd | 真空蒸着装置、蒸着源、成膜室、蒸着容器交換方法 |
TWI472639B (zh) | 2009-05-22 | 2015-02-11 | Samsung Display Co Ltd | 薄膜沉積設備 |
JP5623786B2 (ja) * | 2009-05-22 | 2014-11-12 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置 |
US8882920B2 (en) * | 2009-06-05 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
US8882921B2 (en) * | 2009-06-08 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
US9174250B2 (en) | 2009-06-09 | 2015-11-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning organic deposition materials |
US8802200B2 (en) | 2009-06-09 | 2014-08-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Method and apparatus for cleaning organic deposition materials |
KR101074792B1 (ko) * | 2009-06-12 | 2011-10-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101097311B1 (ko) * | 2009-06-24 | 2011-12-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하기 위한 유기막 증착 장치 |
KR101117719B1 (ko) * | 2009-06-24 | 2012-03-08 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101117720B1 (ko) * | 2009-06-25 | 2012-03-08 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조 방법 |
JP5244725B2 (ja) * | 2009-07-21 | 2013-07-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 成膜装置 |
CN101962750B (zh) * | 2009-07-24 | 2013-07-03 | 株式会社日立高新技术 | 真空蒸镀方法及其装置 |
KR20110014442A (ko) * | 2009-08-05 | 2011-02-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
US20110033621A1 (en) * | 2009-08-10 | 2011-02-10 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus including deposition blade |
KR101127575B1 (ko) * | 2009-08-10 | 2012-03-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치 |
JP5676175B2 (ja) | 2009-08-24 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
KR101127578B1 (ko) * | 2009-08-24 | 2012-03-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
US8486737B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
JP5328726B2 (ja) | 2009-08-25 | 2013-10-30 | 三星ディスプレイ株式會社 | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光ディスプレイ装置の製造方法 |
JP5677785B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2015-02-25 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
JP5611718B2 (ja) * | 2009-08-27 | 2014-10-22 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 薄膜蒸着装置及びこれを利用した有機発光表示装置の製造方法 |
US8696815B2 (en) | 2009-09-01 | 2014-04-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
US20110052795A1 (en) * | 2009-09-01 | 2011-03-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
CN102549758B (zh) * | 2009-09-24 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US8876975B2 (en) * | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
KR101146982B1 (ko) | 2009-11-20 | 2012-05-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 제조 방법 |
US8590338B2 (en) | 2009-12-31 | 2013-11-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Evaporator with internal restriction |
KR101084184B1 (ko) | 2010-01-11 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101174875B1 (ko) * | 2010-01-14 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101193186B1 (ko) * | 2010-02-01 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101156441B1 (ko) | 2010-03-11 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
KR101202348B1 (ko) | 2010-04-06 | 2012-11-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
KR101223723B1 (ko) | 2010-07-07 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101673017B1 (ko) | 2010-07-30 | 2016-11-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조 방법 |
KR20120012638A (ko) | 2010-08-02 | 2012-02-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 형성 장치 |
JP5607470B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2014-10-15 | 公益財団法人かずさDna研究所 | 基材表面親水化処理方法及び被処理物の製造装置 |
KR101678056B1 (ko) | 2010-09-16 | 2016-11-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20120029166A (ko) | 2010-09-16 | 2012-03-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20120039944A (ko) * | 2010-10-18 | 2012-04-26 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 증착 시스템 및 증착 방법 |
JP5298244B2 (ja) * | 2010-10-19 | 2013-09-25 | シャープ株式会社 | 蒸着装置 |
KR101738531B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-05-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101723506B1 (ko) | 2010-10-22 | 2017-04-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR20120045865A (ko) | 2010-11-01 | 2012-05-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
KR20120065789A (ko) | 2010-12-13 | 2012-06-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기층 증착 장치 |
JP2012140671A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Canon Tokki Corp | 成膜装置 |
KR101760897B1 (ko) | 2011-01-12 | 2017-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치 |
JP2012186158A (ja) * | 2011-02-14 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置及び発光装置の作製方法及び製造装置 |
JP2012178278A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Ulvac Japan Ltd | 光透過性金属酸化物膜の形成方法 |
JP5902515B2 (ja) | 2011-03-14 | 2016-04-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 連続成膜装置及び連続成膜方法 |
WO2012126016A2 (en) * | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Kateeva, Inc. | Apparatus and methods for depositing one or more organic materials on a substrate |
KR101923174B1 (ko) | 2011-05-11 | 2018-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 정전 척, 상기 정전 척을 포함하는 박막 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR101857992B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-05-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101840654B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101852517B1 (ko) | 2011-05-25 | 2018-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR101857249B1 (ko) | 2011-05-27 | 2018-05-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트 어셈블리, 유기막 증착 장치, 유기 발광 표시장치제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR20130004830A (ko) | 2011-07-04 | 2013-01-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR101826068B1 (ko) | 2011-07-04 | 2018-02-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 |
KR20130010730A (ko) | 2011-07-19 | 2013-01-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 소스 및 이를 구비한 증착 장치 |
KR20130015144A (ko) | 2011-08-02 | 2013-02-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원어셈블리, 유기층증착장치 및 이를 이용한 유기발광표시장치의 제조 방법 |
JP5812753B2 (ja) * | 2011-08-11 | 2015-11-17 | 株式会社アルバック | 成膜装置及び成膜方法 |
KR20130069037A (ko) | 2011-12-16 | 2013-06-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
US9055654B2 (en) | 2011-12-22 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation apparatus and film formation method |
KR20130095063A (ko) * | 2012-02-17 | 2013-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치와, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
JP2013216955A (ja) * | 2012-04-11 | 2013-10-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空蒸着装置 |
KR102015872B1 (ko) | 2012-06-22 | 2019-10-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR102013315B1 (ko) | 2012-07-10 | 2019-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR101959974B1 (ko) | 2012-07-10 | 2019-07-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
CN103545460B (zh) | 2012-07-10 | 2017-04-12 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置、有机发光显示设备及其制造方法 |
US9461277B2 (en) | 2012-07-10 | 2016-10-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
KR101632298B1 (ko) | 2012-07-16 | 2016-06-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 평판 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101968664B1 (ko) * | 2012-08-06 | 2019-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 형성 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102013318B1 (ko) | 2012-09-20 | 2019-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR101994838B1 (ko) | 2012-09-24 | 2019-10-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20140050994A (ko) | 2012-10-22 | 2014-04-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR102052069B1 (ko) | 2012-11-09 | 2019-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR102075525B1 (ko) | 2013-03-20 | 2020-02-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20140118551A (ko) | 2013-03-29 | 2014-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치, 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치 |
KR102073765B1 (ko) * | 2013-04-04 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 제조방법 및 이에 사용될 수 있는 증착장치 |
KR102081284B1 (ko) | 2013-04-18 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102037376B1 (ko) | 2013-04-18 | 2019-10-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패터닝 슬릿 시트, 이를 구비하는 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102086550B1 (ko) * | 2013-05-31 | 2020-03-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착장치, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조 방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102107104B1 (ko) | 2013-06-17 | 2020-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
KR102108361B1 (ko) | 2013-06-24 | 2020-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착률 모니터링 장치, 이를 구비하는 유기층 증착 장치, 증착률 모니터링 방법, 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
CN103726019B (zh) * | 2013-12-13 | 2015-10-28 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 改善球面光学元件镀膜均匀性的挡板的设计方法 |
KR102162797B1 (ko) | 2013-12-23 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
WO2015182279A1 (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-03 | シャープ株式会社 | 蒸着装置および蒸着方法 |
EP2975155A1 (en) * | 2014-07-15 | 2016-01-20 | Essilor International (Compagnie Generale D'optique) | A process for physical vapor deposition of a material layer on surfaces of a plurality of substrates |
CN104593731B (zh) * | 2015-02-04 | 2017-05-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蒸镀换料一体化设备及其使用方法 |
CN105154832B (zh) * | 2015-10-15 | 2018-06-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀设备和蒸镀方法 |
CN105177510B (zh) | 2015-10-21 | 2018-04-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸镀设备及蒸镀方法 |
JP2017036512A (ja) * | 2016-11-07 | 2017-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置 |
JP6580105B2 (ja) * | 2017-10-26 | 2019-09-25 | キヤノントッキ株式会社 | 測定装置 |
CN109881179B (zh) * | 2019-04-19 | 2023-07-25 | 江苏可润光电科技有限公司 | 一种全包裹派瑞林镀膜工艺及镀膜装置 |
CN114583060A (zh) * | 2020-12-01 | 2022-06-03 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 钙钛矿薄膜节奏化沉积生产方法与设备 |
JP7362693B2 (ja) * | 2021-06-01 | 2023-10-17 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置及び電子デバイスの製造装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04272170A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-28 | Tokai Carbon Co Ltd | 真空蒸着用黒鉛ルツボ |
JPH07176264A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Futaba Corp | 電界放出素子とその製造方法 |
JP2001093667A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (164)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2351536A (en) * | 1941-04-25 | 1944-06-13 | Spencer Lens Co | Method of treating surfaces |
US2435997A (en) * | 1943-11-06 | 1948-02-17 | American Optical Corp | Apparatus for vapor coating of large surfaces |
US3110620A (en) * | 1960-06-28 | 1963-11-12 | Ibm | Method of making plural layer thin film devices |
US3235647A (en) * | 1963-06-06 | 1966-02-15 | Temescal Metallurgical Corp | Electron bombardment heating with adjustable impact pattern |
US3312190A (en) * | 1964-02-25 | 1967-04-04 | Burroughs Corp | Mask and substrate alignment apparatus |
US3420977A (en) * | 1965-06-18 | 1969-01-07 | Air Reduction | Electron beam apparatus |
US3391490A (en) * | 1966-02-23 | 1968-07-09 | David H. Evans | Remotely controlled vehicle system |
US3543717A (en) * | 1968-04-25 | 1970-12-01 | Itek Corp | Means to adjust collimator and crucible location in a vapor deposition apparatus |
US3636305A (en) * | 1971-03-10 | 1972-01-18 | Gte Sylvania Inc | Apparatus for metal vaporization comprising a heater and a refractory vessel |
US3710072A (en) * | 1971-05-10 | 1973-01-09 | Airco Inc | Vapor source assembly |
US3756193A (en) * | 1972-05-01 | 1973-09-04 | Battelle Memorial Institute | Coating apparatus |
JPS5315466B2 (ja) * | 1973-04-28 | 1978-05-25 | ||
FR2244014B1 (ja) * | 1973-09-17 | 1976-10-08 | Bosch Gmbh Robert | |
US3971334A (en) * | 1975-03-04 | 1976-07-27 | Xerox Corporation | Coating device |
US4023523A (en) * | 1975-04-23 | 1977-05-17 | Xerox Corporation | Coater hardware and method for obtaining uniform photoconductive layers on a xerographic photoreceptor |
US4187801A (en) * | 1977-12-12 | 1980-02-12 | Commonwealth Scientific Corporation | Method and apparatus for transporting workpieces |
JPS5828812Y2 (ja) | 1978-02-26 | 1983-06-23 | ナショナル住宅産業株式会社 | 反り止め装置 |
JPS54127877A (en) | 1978-03-28 | 1979-10-04 | Ricoh Co Ltd | Preparation of thin film |
US4233937A (en) * | 1978-07-20 | 1980-11-18 | Mcdonnell Douglas Corporation | Vapor deposition coating machine |
DE2834806A1 (de) | 1978-08-09 | 1980-02-14 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Verfahren und vorrichtung zum vakuumaufdampfen duenner schichten, insbesondere bei der herstellung von bildschirmen von katodenstrahlroehren |
US4225805A (en) * | 1978-12-22 | 1980-09-30 | Gte Products Corporation | Cathode ray tube getter sealing structure |
JPS6032361Y2 (ja) | 1980-03-17 | 1985-09-27 | 三国工業株式会社 | 多連装式気化器のスタ−タ操作機構 |
JPS57123973A (en) | 1981-01-22 | 1982-08-02 | Fuji Electric Co Ltd | Container for vacuum-depositing material |
JPS6214379Y2 (ja) | 1981-01-27 | 1987-04-13 | ||
JPS57172060A (en) | 1981-04-17 | 1982-10-22 | Mitsui Keikinzoku Kako | Upstair |
JPS57172060U (ja) * | 1981-04-20 | 1982-10-29 | ||
US4446357A (en) * | 1981-10-30 | 1984-05-01 | Kennecott Corporation | Resistance-heated boat for metal vaporization |
US4469719A (en) * | 1981-12-21 | 1984-09-04 | Applied Magnetics-Magnetic Head Divison Corporation | Method for controlling the edge gradient of a layer of deposition material |
JPS58177463A (ja) | 1982-04-12 | 1983-10-18 | Hitachi Ltd | 積層薄膜成膜装置 |
US4405487A (en) * | 1982-04-29 | 1983-09-20 | Harrah Larry A | Combination moisture and hydrogen getter |
JPS58177463U (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-28 | 株式会社日本ロツク | 電子ロツク錠式チエンロツク |
CH651592A5 (de) * | 1982-10-26 | 1985-09-30 | Balzers Hochvakuum | Dampfquelle fuer vakuumbedampfungsanlagen. |
DE3480243D1 (en) * | 1983-03-31 | 1989-11-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing thin-film integrated devices |
JPS59203238A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-17 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPS6032361A (ja) | 1983-08-03 | 1985-02-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置用電極配線の製造方法 |
DE3330092A1 (de) * | 1983-08-20 | 1985-03-07 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen |
GB8332394D0 (en) * | 1983-12-05 | 1984-01-11 | Pilkington Brothers Plc | Coating apparatus |
JPS60121616A (ja) | 1983-12-06 | 1985-06-29 | セイコーエプソン株式会社 | 透明導電膜の製造方法 |
JPS60121616U (ja) | 1984-01-25 | 1985-08-16 | 三菱電機株式会社 | 負荷時タツプ切換装置 |
US5259881A (en) * | 1991-05-17 | 1993-11-09 | Materials Research Corporation | Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus |
US4672265A (en) * | 1984-07-31 | 1987-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescent device |
US4600160A (en) | 1984-09-20 | 1986-07-15 | Oscar Mayer Foods Corporation | Chopper blade assembly |
JPH0246667B2 (ja) | 1986-09-20 | 1990-10-16 | Anelva Corp | Hakumakujochakusochi |
US4897290A (en) * | 1986-09-26 | 1990-01-30 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Method for manufacturing the substrate for liquid crystal display |
JPS6379959U (ja) | 1986-11-14 | 1988-05-26 | ||
US4951601A (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
US4885211A (en) * | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
JPS63186763U (ja) * | 1987-02-16 | 1988-11-30 | ||
US4769292A (en) * | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
JPS63297549A (ja) | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Komatsu Ltd | 真空蒸着装置 |
JPS6442392A (en) | 1987-08-07 | 1989-02-14 | Nec Corp | Apparatus for molecular beam epitaxy |
JPS6442392U (ja) | 1987-09-03 | 1989-03-14 | ||
JP2832836B2 (ja) * | 1988-12-26 | 1998-12-09 | 株式会社小松製作所 | 真空成膜装置 |
US5111022A (en) * | 1989-08-23 | 1992-05-05 | Tfi Telemark | Cooling system for electron beam gun and method |
JP2672680B2 (ja) * | 1990-02-09 | 1997-11-05 | 沖電気工業株式会社 | 薄膜の製造方法及びこれに用いる蒸発源 |
US5310410A (en) * | 1990-04-06 | 1994-05-10 | Sputtered Films, Inc. | Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus |
JP2913745B2 (ja) * | 1990-04-10 | 1999-06-28 | 松下電器産業株式会社 | 真空蒸着装置 |
JPH0423523A (ja) * | 1990-05-17 | 1992-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 衛星受信用チューナ |
JPH04116169A (ja) | 1990-09-05 | 1992-04-16 | Shin Meiwa Ind Co Ltd | 多層成膜用の真空蒸着装置 |
US5167984A (en) | 1990-12-06 | 1992-12-01 | Xerox Corporation | Vacuum deposition process |
US5258325A (en) * | 1990-12-31 | 1993-11-02 | Kopin Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film |
JP3181611B2 (ja) | 1991-02-22 | 2001-07-03 | コニカ株式会社 | 蒸着装置 |
JPH04116169U (ja) | 1991-03-28 | 1992-10-16 | 株式会社島津製作所 | レーザ装置 |
JP2784615B2 (ja) * | 1991-10-16 | 1998-08-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学表示装置およびその駆動方法 |
US5429884A (en) * | 1992-01-17 | 1995-07-04 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electroluminescent element |
JP2688555B2 (ja) | 1992-04-27 | 1997-12-10 | 株式会社日立製作所 | マルチチャンバシステム |
JP3257056B2 (ja) | 1992-09-04 | 2002-02-18 | 石川島播磨重工業株式会社 | 真空蒸着装置 |
JP3482969B2 (ja) * | 1993-01-19 | 2004-01-06 | 石川島播磨重工業株式会社 | 連続真空蒸着装置 |
EP0608620B1 (en) * | 1993-01-28 | 1996-08-14 | Applied Materials, Inc. | Vacuum Processing apparatus having improved throughput |
JP3059972B2 (ja) | 1993-03-12 | 2000-07-04 | 工業技術院長 | 有機系光学薄膜の製造法とその装置 |
JP2821347B2 (ja) * | 1993-10-12 | 1998-11-05 | 日本電気株式会社 | 電流制御型発光素子アレイ |
KR100291971B1 (ko) | 1993-10-26 | 2001-10-24 | 야마자끼 순페이 | 기판처리장치및방법과박막반도체디바이스제조방법 |
JP2770299B2 (ja) * | 1993-10-26 | 1998-06-25 | 富士ゼロックス株式会社 | 薄膜el素子及びその製造方法、並びにそのために使用するスパッタ用ターゲット |
JPH07192866A (ja) | 1993-12-26 | 1995-07-28 | Ricoh Co Ltd | 有機薄膜型電界発光素子 |
JPH07216539A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-15 | Toray Ind Inc | 製膜装置およびこれを用いた薄膜の製造方法 |
JP2599569B2 (ja) | 1994-03-09 | 1997-04-09 | 工業技術院長 | 複合型光学薄膜の製造方法とその製造装置 |
US5701055A (en) * | 1994-03-13 | 1997-12-23 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same |
DE4422697C1 (de) | 1994-06-29 | 1996-01-25 | Zsw | Verdampferquelle für eine Aufdampfanlage und ihre Verwendung |
US5534314A (en) * | 1994-08-31 | 1996-07-09 | University Of Virginia Patent Foundation | Directed vapor deposition of electron beam evaporant |
JPH08111285A (ja) | 1994-10-07 | 1996-04-30 | Tdk Corp | 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及びその装置 |
US5972183A (en) * | 1994-10-31 | 1999-10-26 | Saes Getter S.P.A | Getter pump module and system |
US5550066A (en) * | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
US5945967A (en) * | 1995-01-18 | 1999-08-31 | I-O Display Systems, Llc | Speckle depixelator |
EP0732731A3 (en) * | 1995-03-13 | 1997-10-08 | Applied Materials Inc | Treatment of a layer of titanium nitride to improve resistance to high temperatures |
JPH0916960A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Hitachi Maxell Ltd | 情報記録媒体の製造装置 |
US5935395A (en) * | 1995-11-08 | 1999-08-10 | Mitel Corporation | Substrate processing apparatus with non-evaporable getter pump |
JPH09209127A (ja) | 1996-02-05 | 1997-08-12 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 真空蒸着装置およびその真空蒸着装置を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JPH09256142A (ja) | 1996-03-15 | 1997-09-30 | Sony Corp | 成膜装置 |
TW320687B (ja) * | 1996-04-01 | 1997-11-21 | Toray Industries | |
JP3539125B2 (ja) | 1996-04-18 | 2004-07-07 | 東レ株式会社 | 有機電界発光素子の製造方法 |
JPH1050478A (ja) * | 1996-04-19 | 1998-02-20 | Toray Ind Inc | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP3113212B2 (ja) * | 1996-05-09 | 2000-11-27 | 富士通株式会社 | プラズマディスプレイパネルの蛍光体層形成装置および蛍光体塗布方法 |
WO1997046054A1 (fr) * | 1996-05-29 | 1997-12-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dispositif organique electroluminescent |
US5902688A (en) * | 1996-07-16 | 1999-05-11 | Hewlett-Packard Company | Electroluminescent display device |
US5817366A (en) * | 1996-07-29 | 1998-10-06 | Tdk Corporation | Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor |
US5844363A (en) * | 1997-01-23 | 1998-12-01 | The Trustees Of Princeton Univ. | Vacuum deposited, non-polymeric flexible organic light emitting devices |
JPH10162954A (ja) | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 有機el素子の製造方法 |
JP4059946B2 (ja) | 1996-12-06 | 2008-03-12 | 株式会社アルバック | 有機薄膜形成装置及び有機材料の再利用方法 |
JP3483719B2 (ja) | 1997-01-09 | 2004-01-06 | 株式会社アルバック | 有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機薄膜形成装置 |
JP3162313B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2001-04-25 | 工業技術院長 | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
US5904961A (en) * | 1997-01-24 | 1999-05-18 | Eastman Kodak Company | Method of depositing organic layers in organic light emitting devices |
JPH10214682A (ja) | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法 |
US6049167A (en) * | 1997-02-17 | 2000-04-11 | Tdk Corporation | Organic electroluminescent display device, and method and system for making the same |
JP2848371B2 (ja) * | 1997-02-21 | 1999-01-20 | 日本電気株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JP2845856B2 (ja) | 1997-03-10 | 1999-01-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JPH10270164A (ja) | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法およびその製造装置 |
DE29707686U1 (de) * | 1997-04-28 | 1997-06-26 | Balzers Prozess Systeme Vertriebs- und Service GmbH, 81245 München | Magnethalterung für Folienmasken |
EP0987700B1 (en) * | 1997-05-08 | 2004-08-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Device and method for manufacturing an optical recording medium |
US5906857A (en) * | 1997-05-13 | 1999-05-25 | Ultratherm, Inc. | Apparatus, system and method for controlling emission parameters attending vaporized in a HV environment |
AUPO712097A0 (en) * | 1997-05-30 | 1997-06-26 | Lintek Pty Ltd | Vacuum deposition system |
JPH10335062A (ja) | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Tdk Corp | 有機el素子の製造装置および製造方法 |
US6011904A (en) * | 1997-06-10 | 2000-01-04 | Board Of Regents, University Of Texas | Molecular beam epitaxy effusion cell |
JP3508484B2 (ja) * | 1997-07-14 | 2004-03-22 | 松下電器産業株式会社 | 機能性薄膜の形成方法及び形成装置 |
JPH1145779A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Tdk Corp | 有機el素子の製造方法および装置 |
JPH1161386A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-05 | Fuji Electric Co Ltd | 有機薄膜発光素子の成膜装置 |
US6124215A (en) * | 1997-10-06 | 2000-09-26 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Apparatus and method for planarization of spin-on materials |
EP0955791B1 (en) | 1997-10-15 | 2005-08-31 | Toray Industries, Inc. | Process for manufacturing an organic electroluminescent device |
IT1295340B1 (it) * | 1997-10-15 | 1999-05-12 | Getters Spa | Pompa getter ad elevata velocita' di assorbimento di gas |
JP4058149B2 (ja) * | 1997-12-01 | 2008-03-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空成膜装置のマスク位置合わせ方法 |
JP3014368B2 (ja) | 1997-12-18 | 2000-02-28 | セントラル硝子株式会社 | クリーニングガス |
US6673262B1 (en) * | 1997-12-18 | 2004-01-06 | Central Glass Company, Limited | Gas for removing deposit and removal method using same |
IT1297013B1 (it) * | 1997-12-23 | 1999-08-03 | Getters Spa | Sistema getter per la purificazione dell'atmosfera di lavoro nei processi di deposizione fisica da vapore |
JP3453290B2 (ja) * | 1997-12-26 | 2003-10-06 | 松下電器産業株式会社 | 蒸着用電極構造、蒸着装置、蒸着方法および有機発光素子の製造方法 |
JPH11229123A (ja) | 1998-02-12 | 1999-08-24 | Casio Comput Co Ltd | 蒸着装置 |
US6251233B1 (en) * | 1998-08-03 | 2001-06-26 | The Coca-Cola Company | Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation |
US6284052B2 (en) | 1998-08-19 | 2001-09-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber |
JP2000068055A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Tdk Corp | 有機el素子用蒸発源、この有機el素子用蒸発源を用いた有機el素子の製造装置および製造方法 |
US6132805A (en) * | 1998-10-20 | 2000-10-17 | Cvc Products, Inc. | Shutter for thin-film processing equipment |
JP3782245B2 (ja) | 1998-10-28 | 2006-06-07 | Tdk株式会社 | 有機el表示装置の製造装置及び製造方法 |
US6214631B1 (en) * | 1998-10-30 | 2001-04-10 | The Trustees Of Princeton University | Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask |
CA2345459A1 (en) * | 1998-11-12 | 2000-05-18 | Regine Bohacek | Bicyclic signal transduction inhibitors, compositions containing them & uses thereof |
JP3019095B1 (ja) * | 1998-12-22 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | 有機薄膜elデバイスの製造方法 |
US6328815B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-12-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Multiple chamber vacuum processing system configuration for improving the stability of mark shielding process |
JP2000348859A (ja) | 1999-06-03 | 2000-12-15 | Chisso Corp | 有機el素子 |
US6469439B2 (en) * | 1999-06-15 | 2002-10-22 | Toray Industries, Inc. | Process for producing an organic electroluminescent device |
JP4472056B2 (ja) * | 1999-07-23 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその作製方法 |
TW504941B (en) * | 1999-07-23 | 2002-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film |
US6660409B1 (en) * | 1999-09-16 | 2003-12-09 | Panasonic Communications Co., Ltd | Electronic device and process for producing the same |
JP4140674B2 (ja) * | 1999-09-27 | 2008-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 多孔質アモルファス膜の観察方法及びその観察装置 |
CN1175126C (zh) | 1999-10-22 | 2004-11-10 | 寇脱J·莱斯克公司 | 在真空中涂覆基底的方法和设备 |
KR20010047128A (ko) * | 1999-11-18 | 2001-06-15 | 이경수 | 액체원료 기화방법 및 그에 사용되는 장치 |
US6537607B1 (en) * | 1999-12-17 | 2003-03-25 | Texas Instruments Incorporated | Selective deposition of emissive layer in electroluminescent displays |
TW490714B (en) * | 1999-12-27 | 2002-06-11 | Semiconductor Energy Lab | Film formation apparatus and method for forming a film |
US6244212B1 (en) * | 1999-12-30 | 2001-06-12 | Genvac Aerospace Corporation | Electron beam evaporation assembly for high uniform thin film |
US6633121B2 (en) * | 2000-01-31 | 2003-10-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same |
US6237529B1 (en) * | 2000-03-03 | 2001-05-29 | Eastman Kodak Company | Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers |
JP2001279429A (ja) | 2000-03-30 | 2001-10-10 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 素子用薄膜層の成膜方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US20020011205A1 (en) | 2000-05-02 | 2002-01-31 | Shunpei Yamazaki | Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device |
US7517551B2 (en) * | 2000-05-12 | 2009-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting device |
ATE497028T1 (de) * | 2000-06-22 | 2011-02-15 | Panasonic Elec Works Co Ltd | Vorrichtung und verfahren zum vakuum-ausdampfen |
JP2002075638A (ja) | 2000-08-29 | 2002-03-15 | Nec Corp | マスク蒸着方法及び蒸着装置 |
JP2002175878A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-06-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法 |
JP2002105622A (ja) | 2000-10-04 | 2002-04-10 | Sony Corp | 蒸着用治具及び蒸着方法 |
TW463522B (en) * | 2000-11-07 | 2001-11-11 | Helix Technology Inc | Manufacturing method for organic light emitting diode |
US6641674B2 (en) * | 2000-11-10 | 2003-11-04 | Helix Technology Inc. | Movable evaporation device |
US7432116B2 (en) * | 2001-02-21 | 2008-10-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method and apparatus for film deposition |
US20030015140A1 (en) * | 2001-04-26 | 2003-01-23 | Eastman Kodak Company | Physical vapor deposition of organic layers using tubular sources for making organic light-emitting devices |
JP4704605B2 (ja) * | 2001-05-23 | 2011-06-15 | 淳二 城戸 | 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法 |
JP2003002778A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | 薄膜堆積用分子線セル |
JP4707271B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2011-06-22 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2003113466A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-04-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 真空蒸着装置 |
US20030101937A1 (en) * | 2001-11-28 | 2003-06-05 | Eastman Kodak Company | Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device |
US7655397B2 (en) * | 2002-04-25 | 2010-02-02 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services | Selections of genes and methods of using the same for diagnosis and for targeting the therapy of select cancers |
KR100490537B1 (ko) * | 2002-07-23 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 가열용기와 이를 이용한 증착장치 |
-
2000
- 2000-12-02 TW TW089125706A patent/TW490714B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-12-22 US US09/747,731 patent/US8119189B2/en not_active Expired - Fee Related
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- 2000-12-27 CN CNB2005101286859A patent/CN100517798C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-01-23 JP JP2003014594A patent/JP4782978B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-24 KR KR1020070007411A patent/KR100794292B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-05-18 US US12/467,497 patent/US8968823B2/en not_active Expired - Fee Related
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2011
- 2011-01-18 JP JP2011008084A patent/JP5315361B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-04-24 JP JP2013091020A patent/JP5589115B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-29 JP JP2013156332A patent/JP2013249543A/ja not_active Withdrawn
- 2013-07-29 JP JP2013156330A patent/JP5856110B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-02-27 US US14/633,750 patent/US9559302B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-07-07 JP JP2015135869A patent/JP2016000859A/ja not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-11-22 JP JP2016226685A patent/JP6371820B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2017
- 2017-01-27 US US15/418,091 patent/US20170137930A1/en not_active Abandoned
-
2018
- 2018-01-18 JP JP2018006284A patent/JP2018066066A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04272170A (ja) * | 1991-02-25 | 1992-09-28 | Tokai Carbon Co Ltd | 真空蒸着用黒鉛ルツボ |
JPH07176264A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Futaba Corp | 電界放出素子とその製造方法 |
JP2001093667A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10892415B2 (en) | 2016-03-10 | 2021-01-12 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Deposition mask, vapor deposition apparatus, vapor deposition method, and method for manufacturing organic EL display apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1302173A (zh) | 2001-07-04 |
US20150171329A1 (en) | 2015-06-18 |
JP2013249543A (ja) | 2013-12-12 |
KR20070029770A (ko) | 2007-03-14 |
US8968823B2 (en) | 2015-03-03 |
TW490714B (en) | 2002-06-11 |
JP4782978B2 (ja) | 2011-09-28 |
US20170137930A1 (en) | 2017-05-18 |
JP2018066066A (ja) | 2018-04-26 |
JP2013147754A (ja) | 2013-08-01 |
KR100827760B1 (ko) | 2008-05-07 |
JP5589115B2 (ja) | 2014-09-10 |
EP1113087A3 (en) | 2003-11-19 |
JP3833066B2 (ja) | 2006-10-11 |
US20010006827A1 (en) | 2001-07-05 |
CN100517798C (zh) | 2009-07-22 |
US8119189B2 (en) | 2012-02-21 |
US9559302B2 (en) | 2017-01-31 |
JP2011117083A (ja) | 2011-06-16 |
KR100794292B1 (ko) | 2008-01-11 |
JP5315361B2 (ja) | 2013-10-16 |
JP6371820B2 (ja) | 2018-08-08 |
JP2016000859A (ja) | 2016-01-07 |
JP2003293122A (ja) | 2003-10-15 |
EP1113087A2 (en) | 2001-07-04 |
JP2001247959A (ja) | 2001-09-14 |
EP1113087B1 (en) | 2016-08-31 |
US20100021624A1 (en) | 2010-01-28 |
JP5856110B2 (ja) | 2016-02-09 |
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